Transistor de efecto campo

Transistor de efecto campo

P-channel

N-channel

Smbolos esquemticos para los JFETs canal-n y canal-p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source).

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD). Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET). Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

Historia
El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil en 1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la prctica mucho despus, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo ser observado y explicado. El equipo detrs de estos experimentos fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica. Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos despus de los BJT). Aunque su fabricacin no fue posible hasta mediados de los aos 80's ..

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Tipo de transistores de efecto campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta. Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta: El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2). El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n
Comparativa de las grficas de funcionamiento (curva de entrada o caracterstica I-V y curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo

El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky.

En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor. Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor) Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V. Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor.por eso tenemos lareferencia Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales . La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio policristalino.

Caractersticas
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M). No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor). Hasta cierto punto es inmune a la radiacin. Es menos ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

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Enlaces externos
Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Transistor de efecto campo. Commons Smbolos de transistores Mosfet [1]

Referencias
[1] http:/ / www. simbologia-electronica. com/ simbolos_electronicos/ transistores_mosfet. htm

Fuentes y contribuyentes del artculo

Fuentes y contribuyentes del artculo

Transistor de efecto campo Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=69163878 Contribuyentes: Abece, Armando-Martin, Asasia, Charlitos, GermanX, Humanoc, JMPerez, Jmaquino, Jmibarz, Jorgelrm, Jotego, Kved, Leonpolanco, Lola Martinez Martinez, Matiasasb, Ninovolador, Phirosiberia, Raulshc, Ricardogpn, Zukertort, 42 ediciones annimas

Fuentes de imagen, Licencias y contribuyentes

Archivo:JFET_symbol_P.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:JFET_symbol_P.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Cepheiden, Crochet.david, EugeneZelenko, Ilmari Karonen, Omegatron, Paddy Archivo:JFET_symbol_N.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:JFET_symbol_N.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Cepheiden, Crochet.david, EugeneZelenko, Ilmari Karonen, Omegatron, Paddy Archivo:Comparison between field-effect transistors.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Comparison_between_field-effect_transistors.svg Licencia: Creative Commons Attribution-Share Alike Contribuyentes: Phirosiberia Archivo:Commons-logo.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Commons-logo.svg Licencia: logo Contribuyentes: SVG version was created by User:Grunt and cleaned up by 3247, based on the earlier PNG version, created by Reidab.

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