Introduccion A La Electronica - Book

Captulo 1
INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA.
El contenido actual de la Electrnica es muy amplio. Parte de la Fsica de estado slido y la Microelectrnica, pasa por los Dispositivos y Circuitos bsicos, y se extiende en el amplio campo de las aplicaciones de los grandes sistemas electrnicos de comunicacin, instrumentacin, potencia y control. Todo ello actuando conjuntamente con la Automtica y la Informtica en un todo en el que a veces es difcil separar fronteras.
1.1
Contenido de la electrnica
Si desglosamos la Electrnica podramos llegar a la tabla siguiente.
Bases Dispositivos electrnicos reas
Fsica de Estado Slido
T de Circuitos ! Bipolares
T de Seales MOS Electrnica digital Funciones bsicas en tecnologa integrada 5
T de Autmatas
Funciones del rea
Electrnica analgica Diseo y utilizacin de las funciones bsicas en tecnologa discreta e integrada 1, 2, 3
! Electrnica de potencia Diseo y utilizacin de las funciones bsicas en tecnologa discreta 1, 4
Tabla 1.1. Contenido de la electrnica.
1.2
Funciones bsicas de la electrnica.
El conjunto de funciones que realiza la electrnica y que se indic numricamente en la tabla anterior se puede organizar de la siguiente manera:
2 Electrnica analgica
Martinez Bernia y Asoc.
1. Amplificacin. Permite obtener, a partir de una seal elctrica otra seal, rigurosamente idntica pero de nivel energtico ms elevado. Como por ejemplo recurdese el caso de un micrfono o un sensor de temperatura, que producen seales elctricas tan dbiles que es preciso aumentar. 2. Generacin y conformacin de seales. Contempla la produccin de seales tan diversas como: cuadradas, triangulares, sinusoidales o dientes de sierra en todo un amplio espectro de frecuencias. Adems se incluye aqu la modulacin y demodulacin de seales, funciones esenciales para la transmisin de informacin. 3. Acondicionamiento y conversin de datos. Contempla funciones tales como el filtrado (dnde es posible moldear a voluntad el contenido armnico de una seal), las funciones exponenciales y logartmicas (base de la electrnica no lineal y por lo tanto de la regulacin y el control analgico). As como las funciones de conversin de seales analgicas en digitales y viceversa. 4. Conmutacin. Se efecta mediante dispositivos que presentan dos estados estables de funcionamiento: un estado de bloqueo en el que no permite el paso de tensin o de corriente y otro estado conductor (o de saturacin en algunos casos) en el que permite el paso. Esta funcin ser la base de la lgica conbinacional en electrnica digital y hablaremos de paso o no de informacin. Peor cuando nos situemos en el mbito de la electrnica de potencia se hablar de transmisin o no de energa elctrica. Camino que nos llevar a los sistemas electrnicos de alimentacin, conocidos habitualmente como fuentes de alimentacin. 5. Procesamiento aritmtico-lgico. Basa su carcter distintivo en la naturaleza binaria de las variables que maneja. Partiendo del lgebra de Boole y de la teora de autmatas finitos, desarrolla las funciones de clculo bsicas: suma, resta, multiplicacin y divisin. Para ello se han construido toda una serie de elementos o clulas como son: memorias, contadores, registros o unidades aritmtico-lgicas. En la actualidad se puede afirmar que para cada funcin que realiza la electrnica analgica existe su contrapartida digital, mediante la utilizacin de un programa que trabaja en un microprocesador. As el procesamiento digital de seales analgicas se ha impuesto.
Sensores Mundo Analgico Acondicion. y Conversin A/D
Acondicion. y Conversin A/D
Procesamiento (algoritmos)
Acondicion. y Conversin A/D
Figura 1-1. Flujo generalizado del tratamiento electrnico de la informacin.
1.3
Clasificacin de los semiconductores.
La era moderna de la electrnica de potencia comienza cuando 1956 cuando el Laboratorio Bell desarrolla el tiristor o rectificador controlado de silicio, que se comercializ en 1958 por la General Electric. Poco a poco los tubos de vaco fueron sustituidos por semiconductores, de forma que los equipos redujeron su tamao y aumentaron su vida media notablemente. Desde entonces la electrnica de potencia ha seguido una evolucin dinmica durante las tres ltimas dcadas en las siguientes direcciones: dispositivos semiconductores de potencia, topologas de los convertidores, simulacin y anlisis, tcnicas de control y estimacin, y hardware y software de control. Sin embargo, histricamente, la evolucin de los convertidores ha seguido a la de los dispositivos de potencia, (aunque es verdad que algunas topologas existen desde la era del tubo de vaco). Las investigaciones en Fsica del estado slido y las tcnicas de integracin VLSI en la fabricacin de los semiconductores de potencia han hecho que se acerquen cada vez ms al interruptor ideal. Tal dispositivo debe ser capaz de soportar gradientes de tensin y corriente elevados, con prdidas en conduccin y corriente de prdidas en bloqueo nulas, excelentes caractersticas trmicas, un tiempo medio entre fallos elevado y pasar del bloqueo a la conduccin de
Captulo 1. Introduccin a la Electrnica. 3
modo instantneo. Este semiconductor ideal nunca se alcanzar, pero insistimos en que todos los avances que se producen desde las primeras etapas de la electrnica de potencia hacen que se consigan dispositivos con caractersticas cada vez ms parecidas a las del semiconductor ideal. Los dispositivos electrnicos de conmutacin de potencia son esenciales y sus propiedades se ven reflejadas en las caractersticas del equipo. El conmutador ideal debera ser una impedancia totalmente controlable de rango infinito en ambas direcciones en tensin y corriente. Los dispositivos prcticos son limitados y estn restringidos a una combinacin de las siguientes capacidades: unidireccional o bidireccional en corriente., unidireccional o bidireccional en tensin, encendido controlado o sin control, apagado controlado o sin control. Los diodos, por ejemplo estn limitados a una corriente y una tensin unidireccional. Los tiristores pueden soportar tensiones bidireccionales, pero estn limitados a una corriente unidireccional ( ecepto los TRIAC), tienen encendido controlado pero no el apagado. Los GTO aaden a los anteriores el apagado controlado, pero algunos son asimtricos y no pueden soportar la tensin inversa. Los transitores estn generalmente limitados a corrientes y tensiones unidireccionales, pero puede ser controlado su encendido y apagado. Como vemos estos dispositivos se sitan como factores crticos en el convertidor, es muy comn combinar algunos de ellos para obtener caractersticas mejoradas, por ejemplo se suelen combinar diodos con transistores o tiristores para proporcionar conduccin inversa. Teniendo en cuenta la aparicin de cada tipo de dispositivo, podramos clasificarlos en: Dispositivos clsicos, que aparecieron antes de 1980, como el tiristor, GTO ("gate-turn-off thyristors"), el BJT y el MOSFETde potencia Dispositivos modernos, que aparecieron en los ochenta. Pertenecen a este grupo el IGBT ("insulated gate bipolar transistor"),el SIT, el SITH ("static induction thyristors") y el MCT. Estos tres ltimos dispositivos son practicamente desconocidos para la comunidad docente.
Para nuestro estudio, hemos agrupado los dispositivos semiconductores de potencia en dos categoras: diodos, tiristores y dispositivos controlables.
1.3.1 Caractersticas deseables en un dispositivo controlable.

Podramos decir que un dispositivo ideal sera el que presentase las siguientes caractersticas: Bloquear cualquier tensin directa o inversa, sin permitir circulacin alguna de corriente. Conducir cualquier corriente sin caida alguna de tensin directa. Entrar en conduccin y bloqueo instantneamente al recibir los impulsos de disparo. Debe poseer un control de puerta que requiera una potencia despreciable
De entre los posibles criterios que pueden imponerse en la seleccin de un determinado dispositivo para una aplicacin de potencia, existen algunos especialmente importantes, como la potencia necesaria para el control de puerta, o la disipacin de potencia en el dispositivo semiconductor. La disipacin de potencia juega un papel decisivo en la eleccin de un semiconductor de potencia, ya que sta determina la temperatura de la unin. Para considerar el valor de la potencia disipada en el semiconductor, podemos establecer su modelo como el interruptor de la grfica., donde el diodo es considerado ideal. Cuando el interruptor est cerrado la corriente total Io circula a travs del interruptor, mientras que el diodo est bloqueado. Cuando el interruptor se abre un voltaje igual a Vd se establece en los extremos del interruptor, considerando que el diodo tiene una caida ideal nula. En la figura podemos ver la forma de onda de la corriente y la tensin cuando se opera a una frecuencia repetitiva de f=1/T, siendo T el periodo de encendido. Durante la puesta en conduccin de este interruptor generalizado se produce un tiempo de retardo tdc, seguido de un tiempo de subida tri . Solo despus que toda la corriente Io circula por el interruptor, puede el diodo bloquearse y caer la tensin a un pequeo valor Vc, despus del retraso tfv. La energa disipada durante el transitorio de encendido puede aproximarse por:
Pcon = 1 Vd I o t con ; 2 t con = t ri + t fv ;

Conduccin tc T
( 1-1 )
Bloqueo tb
Vd
Io Vc tdc tri tfv tcon tdb trv tfi tdes
Figura 1-2. Tiempos de conmutacin. Donde no se produce ninguna prdida durante el tiempo de encendido tdc.En el estado de encendido, el dispositivo permanece un tiempo tc, que generalmente es mucho mayor que los transitorios de encendido o apagado. As la energa disipada ser:
Pc = Vd I o t c ; t on !! t con , t des )
Al abrir el interruptor igualmente tendremos:
( 1-2 )
Pdes = 1 Vd I o t des ; 2 t des = t rv + t fi ;
( 1-3 )
La disipacin de potencia instantnea pT(t)=vTiT deja claro su gran valor durante los intervalos de encendido y bloqueo, si esto ocurre fs veces nos queda:
Ps = 1 V d I o f s [t con + t des ]; 2
( 1-4 )
Por lo que la prdida total de potencia ser la suma de las anteriores Pon y Ps, debiendo ser lo menor posible. Teniendo en cuenta estas consideraciones, podemos resumir las caractersticas deseables de un dispositivo de potencia: Corriente inversa pequea en estado de bloqueo. Caida de tensin directa baja para minimizar las prdidas en conduccin Tiempos de encendido y apagado pequeos. Esto hace que el dispositivo pueda usarse en altas frecuencias. Capacidad alta de bloqueo directo e inverso. Esto evitar la necesidad de conectar dispositivos en serie lo que complica el control y proteccin de los mismos. Corriente directa de trabajo alta. Se minimiza el uso de dispositivos en paralelo.
Coeficiente de temperatura de la resistencia directa positivo. Se consigue de sta forma que la corriente total se reparta por igual en los dispositivos en paralelo. Potencia necesaria para el control baja. Se reduce la circuitera de control. Gradientes de tensin y corriente elevados. De esta forma se evitarn los circuitos externos de limitacin de stos parmetros.
1.4
Evolucin de estos semiconductores.
En general es difcil comparar dispositivos ya que sus caractersticas no slo varan de un dispositivo a otro, sino que presentan un campo de variacin considerable dentro del propio dispositivo.
Figura 1-3. Evolucin de los Dispositivos de Potencia. La potencia puesta en juego en el control de conduccin y bloqueo es generalmente mucho mayor en los dispositivos controlados por corriente que en los controlados por tensin. Si el transistor bipolar es un dispositivo controlado en corriente con una ganancia tpica de 10, necesita una potencia de circuito de puerta relativamente alta, esto hace que tengan un circuitera de control ms compleja y de mayor coste que el resto de los dispositivos. Por el contrario el MOSFET y el IGBT son dispositivos controlados en tensin con una alta impedancia de entrada, con lo que el circuito de puerta es menos complejo y caro, tendindose incluso a incluirlo integrado. En trminos de las consideraciones de dispositivo y del equipo, el mejor dispositivo de potencia es aquel que provee de la menor disipacin de potencia. Para aplicaciones de 600 y 1200 V., la disipacin del IGBT es considerablemente menor que la del MOSFET y la del transistor, incluso a frecuencias tan altas como 100 kHz. Como la tensin de bloqueo es menor a los 300 V., las prdidas de potencia en el transistor bipolar y el IGBT son comparables, pero menores que las del MOSFET. Cuando la tensin de bloqueo es de 100 V. el comportamiento del transistor bipolar y del MOSFET es mejor que el del IGBT. Como conclusin diremos que para circuitos operando hasta los 200 V. es preferible el MOSFET al transistor bipolar por su baja impedancia de entrada, mientras que para valores superiores es mejor el IGBT. Escepcionalmente para muy altas frecuencias solo disponemos del MOSFET. Los dispositivos de potencia son requeridos en un amplio campo de potencias, desde los cientos de vatios a los megavatios, incluyendo adems una amplia gama de frecuencias de conmutacin (desde los Hz hasta el MHz). Quizs sea ste junto con la frecuencia el requerimiento ms importante en la seleccin del dispositivo, y por ello la es la caracterstica que ms ha evolucionado desde el comienzo de los semiconductores. En la figura siguiente se muestra como han ido evolucionando los
distintos dispositivos tratados en este captulo, y cul ser el posible futuro de los mismos. En la dcada de los 70, el tiristor, el GTO y el transistor bipolar constituyeron el eje de la electrnica de potencia; el MOSFET estaba an en desarrollo como para poder formar parte en muchas aplicaciones. Durante los aos 80 se produjeron muchos avances, de entre los que destacan: Reduccin de la resistencia directa del MOSFET y aumento de las potencias alcanzables. Aumento en las tensiones y corrientes mximas del GTO. Desarrollo de los IGBT. Aumento de la potencia admisible de los CIP y en sus aplicaciones.
Es en esta dcada donde el MOSFET aparece como principal dispositivo en aplicaciones de alta frecuencia, debido a su precisin y facilidad de control. Los GTO comienzan su expansin en el territorio antes ocupado por el tiristor, demostrando una gran precisin en convertidores de potencia y reduciendo considerablemente el tamao de stos equipos. En la actualidad el IGBT se est usando en tensiones y corrientes mayores que el MOSFET, y su frecuencia de conmutacin supera ya a los transistores de potencia. Adems los IGBT funcionan por debajo de las frecuencias audibles, lo que facilita la reduccin del ruido y el control de la salida de los convertidores de potencia. En el futuro, los GTO suplirn a los tiristores en la gran mayora de los convertidores de potencia. Se dispondran versiones comerciales del MCT que tendr fcil control; tambien el SITH mejorar en este aspecto. Los transistores bipolares perdern campo de aplicacin frente a los IGBT y los MOSFET. La tabla 1 se presenta como estudio comparativo de los dispositivos sealados con anterioridad. Los dispositivos de potencia de la actualidad se fabrican con silicio como material base. El silicio ha tenido el monopolio de los dispositivos de potencia y lo seguir teniendo en un futuro inmediato. Sin embargo, materiales como el arseniuro de galio, el carburo de silicio, y el diamante, aparecen como fuertes candidatos para desbancar al silicio en las futuras generaciones de dispositivos. El diamante parece ser superior a los dems; como ejemplo un MOSFET de potencia de diamante se podra utilizar en comparacin con los dispositivos de silicio, con potencias seis veces superiores, frecuencias cincuenta veces mayores, con menor caida de tensin en conduccin, y 600C como temperatura mxima de la unin. Tampoco hay que olvidar futuros desarrollos de los materiales superconductores.
.Los datos de sta tabla provienen de: Tiristor S77R20A de IR, GTO SG3000JX24 de TOSHIBA, IGBT MG50Q1BS1 de TOSHIBA, MCT V65P1100F1 de HARRRIS SEMICONDUCTOR, MOSFET 2SK1489 de TOSHIBA, el resto proviene de la bibliografa.
MOSFET 1000 V 12 A
Tensin
-55 a 150
3.2 1.4
100.000 20.000 algunos kHz 70.000
Muy alto 2.000 900 Muy alto
90 ns 120 2 0.25
0.14
0.2
SITH 1200V 300A 800V 18A 1200V 50A 700 V 100 A 6.000 V 1.200 A 2000 V 4800 A Tensin y Corriente Corriente Corrien-te Corrien-te Impulsos de Disparo Tensin -20 a 150 -40 a 150 -40 a 125 -40 a 125 Rango TJ Tensin -50 a 150 18 3.0 1.9 4.3 1.9 SIT IGBT BJT GTO
Corriente
-40 a 125
Tiristor
Tensin en conduccin (V)

4
MCT 1000V 65A Tensin
-55 a 150
750
0.1
25
0.3 20.000 Muy alto 0.4 10.000 100 1.7 2000 300 4 400 200 1.1 5.Frecuencia Conmutacin (Hz) 6. di/dt (A/ s) 7. ton (ns)
0.1
0.8
2.5
10
30
220
8. toff (ns)
9. Corriente Inversa (mA)
Tabla 2. Datos comparativos de diferentes semiconductores
1.5
Repaso de teora de circuitos.
A lo largo de esta asignatura emplearemos elementos pasivos como resistencias, condensadores e inductancias combinadas con fuentes de tensin y de corriente as como dispositivos de estado para formar diferentes circuitos. Los teoremas que se exponen a continuacin son frecuentemente utilizados en el anlisis de tales circuitos electrnicos.
1.5.1 Constitucin de un circuito elctrico

Se constituye un circuito elctrico con la unin mediante conductores de elementos productores de energa elctrica (activos) y elementos consumidores o de almacenamiento (pasivos). Debindose cumplir la siguiente condicin, que en la mencionada unin se haya establecido al menos una trayectoria cerrada, por la que pueda fluir continuamente una corriente elctrica. Elementos activos, son elementos capaces de suministrar energa, llamados fuentes de energa elctrica, por tanto son la causa que provoca la circulacin de la corriente por los circuitos. Elementos pasivos, son aquellos que consumen o almacenan la energa elctrica, como las resistencias (que consumen la energa disipndola en forma de calor), inductancias (que la almacenan en un campo magntico) y capacidades (que la almacenan en un campo elctrico). Estos elementos pasivos pueden ser de caractersticas constantes (independientes de la tensin y de la intensidad) y se llaman lineales a los circuitos que contienen estos elementos. Los circuitos que contienen algn elemento que vara, en sus caractersticas, con la tensin o intensidad, se denominan no lineales. Por ejemplo, la bobina con ncleo de hierro, en la que vara su coeficiente de autoinduccin, L, por la saturacin de dicho ncleo.
1.5.2 Sentidos y polaridades de corrientes y tensiones

Antes de entrar en detalle en el estudio de cada uno de los elementos de un circuito, hay que sentar unas bases de referencia, para designar los sentidos de las corrientes y las polaridades de las tensiones, en un circuito elctrico. Para lo cual nos basamos en el circuito de la fig. 1.1. Es el circuito mas simple que se puede formar, uniendo un elemento activo (fuente de tensin continua) con un elemento pasivo cualquiera, estableciendo un nico camino cerrado.
I
A
V
B
VAB
El sentido convencional de una corriente continua es el contrario al que seguiran los electrones, es decir, el que seguiran los iones positivos. Como consecuencia de lo anterior la corriente en el interior de un generador sigue el sentido del polo negativo al positivo, y en el circuito exterior, sale por el polo positivo del generador regresando al mismo por el polo negativo, tras recorrer al elemento pasivo. Una tensin o diferencia de potencial se representa mediante una flecha, situando la punta en el punto de mayor potencial. En extremos de una fuente de tensin, el punto de mayor potencial corresponde a la borna positiva de la fuente y la borna negativa para el de menor potencial. En el circuito de la figura anterior, se ve con claridad que la diferencia de potencial en extremos de la fuente es la misma que en extremos del elemento pasivo, comprobando que en este ltimo el punto de mayor potencial se encuentra en el extremo por el que entra la corriente. Decimos por tanto que en el interior de un elemento pasivo la corriente circula del extremo positivo al negativo, en contra de lo que sucede en un generador. La cada de tensin o diferencia de potencial, en el elemento pasivo, se identifica de
acuerdo con lo dicho anteriormente, una flecha con la punta en el extremo positivo, como se muestra en la figura anterior. En los circuitos con fuentes de tensin alterna sabemos que tanto la tensin como la intensidad cambian de sentido y polaridad tantas veces por segundo como nos indica su frecuencia. Sin embargo, es preciso adoptar un sentido convencional para facilitar la resolucin de los circuitos que se nos puedan presentar. Este sentido convencional responder al que se produce en un determinado instante en el circuito. Por tanto, no es incoherente reflejar en circuitos de corriente alterna flechas de valoracin o de referencia para indicar en un instante determinado, las polaridades y sentidos de tensiones y corrientes. Por ltimo, conviene resaltar que en cuanto al sentido de las flechas que nos indican las polaridades de las tensiones, hay disparidad de criterios, puesto que unos (en los que nos incluimos), apoyndonos en el teorema de compensacin o sustitucin (que ms adelante estudiaremos) y en una mayor claridad didctica (la punta de la flecha siempre apunta al punto de mayor potencial relativo) nos inclinamos por el sentido ya expuesto, otros (incluso con recomendaciones del CEI) le dan en los elementos pasivos, el mismo sentido que a la corriente.
1.5.3 Elementos activos

Los elementos activos son las fuentes de energa, las cuales introducen en los circuitos energa elctrica procedente de la transformacin de otras formas energticas. Pueden ser fuentes de tensin o fuentes de corriente. As mismo, se les llama independientes si su valor no depende de otras variables del circuito. Sern por tanto dependientes si su valor depende de otra variable del circuito. Para el caso particular de tratarse de fuentes de continua o de alterna, se suelen utilizar los smbolos de la figura siguiente.
v(t )
v(t ) = b v(t )
v(t ) = r i (t )
v(t )
Figura 1-4. Fuentes de tensin: independiente, dependiente controlada por tensin, dependiente controlada por corriente, independiente continua y alterna
i (t )
i (t ) = g v(t )
i (t ) = d i (t )
i (t )
Figura 1-5. Fuentes de corriente: independiente, dependiente controlada por tensin, dependiente controlada por corriente, independiente continua y alterna
1.5.4 Formas de onda

Las magnitudes fundamentales que se van a calcular en un circuito son tensiones y corrientes. Estas magnitudes son provocadas por los elementos activos existentes en el circuito y su valor depender de la funcin que siga la tensin en las fuentes de tensin (o la intensidad en las fuentes de intensidad), adems del resto de elementos pasivos que constituyan el circuito. A estas magnitudes le llamaremos seales, as tendremos seales de tensin y seales de corriente. Estas seales que pueden tomarse directamente de las fuentes, o de cualquier punto del circuito estarn constituidas por valores de tensin o de corriente que variarn con el tiempo, cuya representacin dar lugar a una curva que obedecer a una funcin ms o menos compleja. A la forma de esa curva es a lo que llamaremos forma de onda de la seal.
Las formas de onda que se pueden presentar en un circuito pueden ser infinitas, pero las podemos agrupar en tres grandes grupos, en los que podremos distinguir las particularidades que aparecen en los circuitos en funcin del tipo de forma de onda que presenten los generadores del circuito. Seales con forma de onda constante. Las fuentes que presentan una seal constante en el tiempo, reciben el nombre de fuentes de continua. As mismo a los circuitos que solo tengan fuentes de continua, les llamaremos circuitos de continua, en los que todas las corrientes y tensiones sern constantes en el tiempo. En este tipo de circuitos solo tendremos resistencias como elementos pasivos. Seales con forma de onda peridica. A las seales que no son constantes les llamaremos seales variables en el tiempo, las cuales tendrn su correspondiente forma de onda. De las cuales destacaremos en primer lugar las que cumple la condicin de ser peridicas, es decir, hay un intervalo de tiempo y por tanto una porcin de la onda que se repite continuamente cada cierto intervalo llamado periodo T:
f (t) = f (t +T) = f (t + nT)

n = nmero entero Ejemplos de formas de onda peridicas se muestran a continuacin.
Una caracterstica de las seales peridicas es el concepto de alternancia, de modo que diremos que una seal o funcin es alterna cuando su forma de onda va tomando valores positivos y negativos alternadamente. Por ejemplo, las seales a, b, c, h, i, j y m de la figura anterior. De las seales peridicas, mencin especial tienen las que responden a la funcin seno o coseno. Las fuentes que proporcionan esta forma de onda reciben el nombre de fuentes de alterna o generadores de alterna, llamados tambin alternadores. Esta seal es la que proporciona la mquina elctrica generadora bsica y su forma se debe al ser generada por un elemento rotativo de la mquina, que estudiaremos en el siguiente tema. En los centros de produccin de energa elctrica se utiliza este sistema, por lo que la forma de onda de la tensin en los sistemas de suministro, transporte y consumo es peridica, alterna y senoidal. Este tipo de seales son la a y la m, aunque de distinta frecuencia. A los circuitos que solo tengan fuentes de alterna, les llamaremos circuitos de alterna, en los que todas las corrientes y tensiones sern de este tipo. Debido a la importancia de este tipo de circuitos, ser con estos con los que estudiaremos todos los mtodos de anlisis. En los circuitos en los que exista una fuente con forma de onda peridica pero no senoidal, aplicaremos un mtodo de anlisis en el que la funcin peridica se puede descomponer en seales senoidales superpuestas, aplicando a cada una de ellas los mtodos estudiados. Hay un tema dedicado a este tipo de seales. Seales con forma de onda no peridica. Las fuentes que presentan una seal variable pero no peridica, corresponden a formas de onda complejas, de las que se pueden distinguir formas simples, como
cambios de la seal en un tiempo breve. Estos cambios breves provocaran respuestas en los circuitos que veremos al estudiar el rgimen transitorio de los circuitos elctricos. Como ejemplo de este tipo de seales son: la seal pulso, el escaln, la rampa, etc.
1.5.5 Valor medio y valor eficaz

En la clasificacin del apartado anterior, hay que aadir en las seales peridicas, que estas se van a caracterizar por los denominados valores medios y eficaces. Valor medio por definicin, para una funcin peridica de periodo T, es la media algebraica de los valores instantneos durante un periodo:
Ymed = 1 T y(t )dt T 0
Valor eficaz es la media cuadrtica de los valores instantneos durante un periodo completo:
Yef =
1 T [y(t )]2 dt T 0
Se define como factor de forma a la relacin entre el valor eficaz y el valor medio. Da idea de la forma de onda.
Factor de forma = Eef Emed
Se define como factor de amplitud o factor de cresta a la relacin entre el valor de cresta o mximo y el valor eficaz.
Factor de amplitud = Em Eef
El valor medio es 0 para las formas de ondas que tienen los semiperiodos simtricos respecto al eje de tiempos. Por lo tanto, para salvar esta dificultad el clculo se hace en la mitad del periodo. En el caso particular de una seal de tensin alterna senoidal cuya funcin es v(t ) = Vm sen t se toma t = t y T=
Vmed = 1
Vm sen t d t =
Vm [ cos t ]0 = Vm [( cos ) ( cos 0 )] = 2 Vm = 0.637 Vm
Se define el valor eficaz de una corriente alterna, como aquel valor que llevado a corriente continua nos produce los mismos efectos calorficos. Es un valor caracterstico, que por otra parte es el que proporcionan los instrumentos de medida, ya sean analgicos o digitales. Aunque en la actualidad ya existen instrumentos digitales que proporcionan otros parmetros de la seal alterna..
1 2 (Vm sent )2 dt = Vm 2 0 2
2
Vef =
sen2 t dt = Vm
1 2 1 cos(2t ) 1 t sen(2t ) 1 dt = Vm 2 = Vm 4 (2 ) 2 0 2 2 4 0
2
Vef =
Vm 2
= 0.707 Vm
El factor de forma de una seal alterna es:
FF= 2E 2 =
m
Em
22
=1.11
El factor de amplitud de una seal alterna es:
FA=
Em
Em 2
= 2 = 1.4142
1.5.6 Resistencias.
El smbolo utilizado para representar a una resistencia ideal es el mostrado en la figura siguiente. En muchos documentos y bibliografa se ha extendido el uso del smbolo de la figura b sin embargo, este smbolo lo utilizaremos cuando la resistencia tenga una componente inductiva que no se debe despreciar. Esto sucede, por ejemplo, en resistencias que por su diseo constructivo estn formadas por un hilo enrollado dando lugar a la aparicin de la mencionada componente inductiva, en este caso diremos que se trata de una resistencia no ideal.
i (t )
v (t )
Una resistencia es un elemento pasivo que consume energa elctrica, la cual se disipa en forma de calor. Cuando una resistencia es recorrida por una intensidad de corriente i(t), en extremos de ella se establece una diferencia de potencial v(t), cumpliendo la ley de Ohm y con la polaridad indicada en la figura anterior.
v (t ) = R i ( t )
Donde R es una constante que determina el valor de la resistencia en ohmios. La potencia entregada a una resistencia es: O bien:
p ( t ) = v ( t ) i ( t ) = v (t )
v ( t ) v 2 (t ) = R R
p (t ) = v (t ) i (t ) = R i (t ) i (t ) = R i 2 (t )
Por tanto, la potencia se expresa como una funcin no lineal de la corriente que pasa por la resistencia o de la tensin en la misma. La energa consumida por una resistencia ser por tanto:
W = p(t) dt = R i 2 (t) dt J
t0 t0 t t
Como i2(t) es siempre positiva, la energa siempre ser positiva y por tanto consumida. En el caso de tratarse de una corriente continua, i(t ) = I , siendo la potencia y la energa en la resistencia:
p(t) = R I 2 W
W = R I 2 dt = R I 2 (t t0 ) = R I 2 t
t0 t
Generalmente se selecciona t0 = 0 .
1.5.7 Inductancias.
El smbolo utilizado para representar a una inductancia ideal con ncleo de aire, es el mostrado en la fig. a, aunque tambin se utiliza el de la fig..b. Si la inductancia tiene ncleo de material ferromagntico (tambin llamado ncleo de hierro), se indica con una o dos lneas a lo largo del smbolo, fig. c y d. Estas bobinas reciben el nombre de choque y su funcin es suavizar las variaciones de
la corriente que circula a travs suyo. Si la inductancia no es ideal (inductancia real), es decir, tiene una componente de resistencia, se utiliza el smbolo de la fig. 1.6.b.
Una inductancia es un solenoide o bobina, construido con un hilo conductor arrollado con un nmero N de vueltas. Cada vuelta es una espira, por lo que la bobina estar constituida por N espiras conectadas en serie. Al ser recorrida la bobina por una corriente elctrica i(t), el campo magntico creado dar lugar a un flujo que recorre el interior del solenoide, atravesando todas las espiras. Segn las leyes del electromagnetismo y en concreto la ley de Faraday, en extremos de la bobina se induce una diferencia de potencial por el flujo creado en la propia bobina, que recibe el nombre de fuerza electromotriz autoinducida, con una polaridad tal que se opone al paso de la corriente, como se indica en la figura siguiente.
i (t )
v (t )
e(t) = N
d dt
Segn esta ecuacin, si el flujo es constante no habr tensin inducida. Esto justifica que una bobina en un circuito de corriente continua no tenga efecto alguno, ya que al ser constante la corriente, tambin ser constante el flujo en el interior del solenoide. Toda inductancia queda determinada por el valor de la constante L, que se mide en Henrios (H) y recibe el nombre de coeficiente de autoinduccin de la bobina. Este coeficiente, relaciona el flujo creado en la bobina con la corriente elctrica que la recorre, segn la ecuacin:
L = N d (t ) di ( t )
(1)
Podemos expresar la f.e.m. autoinducida en la inductancia, sustituyendo en la ecuacin valor N d (t ) , despejado de la ecuacin:
e(t) = L di ( t ) dt
el
Segn se indica en la figura anterior, la diferencia de potencial v(t) establecida en una inductancia coincide con el valor de la f.e.m. autoinducida, por tanto:
v (t ) = L di ( t ) dt
Por otro lado, despejando la corriente de la ecuacin anterior, tenemos:

di (t ) = 1 v (t )dt L i(t ) = 1 v (t )dt L

di (t ) p ( t ) = v (t ) i (t ) = L i (t ) dt
La potencia en una inductancia es:
La energa en la inductancia se encuentra almacenada en el campo magntico.

W = p(t )dt = L i(t )di(t )
t0 i (t 0 ) t i(t )
Integrando entre i(t0) e i(t), se tiene:
W=
L 2 i (t ) L 2 i (t ) i (t0 ) = i (t ) i 2 (t 0 ) 2 2
[ ]
Generalmente se selecciona t 0 = y a menudo la corriente i() = 0 . Entonces, se tiene:

W = 1 Li 2 ( t ) 2 J
En este caso la energa tambin ser siempre mayor o igual a cero. Una inductancia es un elemento pasivo que no genera ni disipa energa, slo la almacena.
1.6
Condensador
El smbolo utilizado para representar a un condensador ideal es el mostrado en la fig..a, aunque tambin se utiliza el de la fig.b. Algunos condensadores tienen polaridad, la cual debe ir indicada en el smbolo, como se muestra en la fig..c y d. Un caso particular de este tipo de condensadores son los electrolticos, siendo su smbolo el de la fig.e.
i(t)
v(t)
Un condensador est constituido por dos placas conductoras enfrentadas, separadas por un material que recibe el nombre de dielctrico. Cuando se aplica al condensador una diferencia de potencial, las placas quedan cargadas con cargas de polaridad contraria, establecindose un campo elctrico entre las placas. La relacin entre la cantidad de carga acumulada y la diferencia de potencial que ha provocado dicha acumulacin, determinan una constante que caracteriza a todo condensador, denominada capacidad C, que se mide en Faradios (F).
C = q (t ) v (t )
La tensin que presenta un condensador depender por tanto de la carga acumulada:
v (t ) =
1 q (t ) C
Durante el tiempo que tarda en acumularse la carga se establece una intensidad de corriente elctrica, igual a la cantidad de carga desplazada en la unidad de tiempo:
i( t ) =
De donde la cantidad de carga acumulada ser:
dq ( t ) dt
q( t ) = i( t )dt
t
Sustituyendo, tenemos la tensin del condensador en funcin de la intensidad de corriente:
v (t ) =
1 C
i (t )dt =
1 C
t0
i (t )dt +
1 C
t0
i (t )dt = v (t 0 ) +
1 C
i (t )dt
t t0
Si el circuito del que forma parte el condensador se ha establecido en el instante t0, el trmino v(t0) corresponde al valor inicial de la tensin en el condensador, debido a una carga acumulada en el condensador en instantes anteriores a t0. Si el condensador no tiene carga acumulada v(t0)=0, y la tensin ser:
v(t ) = 1 t i (t )dt C 0
Cuando se utiliza un condensador en un circuito de corriente continua, como la intensidad tiene un nico sentido, las placas del condensador se cargarn hasta alcanzar un valor de carga constante y el condensador presentar una tensin constante entre sus placas:
V= 1 q C i (t ) = C dv(t ) dt
Despejando i(t) de la ecuacin, tenemos:
De la cual deducimos que si la tensin en un condensador se mantiene constante, la intensidad es nula, lo que demuestra el comportamiento de un condensador en continua, anulando la corriente en la rama donde est conectado. La potencia en un condensador es:
dv(t ) p(t ) = v(t ) i(t ) = v(t ) C dt
La energa en el condensador se encuentra almacenada en el campo elctrico.

W = p (t ) dt = C
t0 t v (t )
v ( t0 )
v (t ) dv (t )
[ ] [ ]
Integrando entre v(t0) y v(t), se tiene:
W=
C 2 v(t ) C 2 v (t ) v ( t0 ) = v (t ) v 2 (t 0 ) 2 2
Generalmente se selecciona t 0 = y a menudo la tensin v () = 0 . Entonces, se tiene:

1 W = Cv 2 (t ) 2 J
En este caso la energa tambin ser siempre mayor o igual a cero. Un condensador es un elemento pasivo que no genera ni disipa energa, slo la almacena.
1.6.1
Leyes de Kirchhoff.
En un circuito, se denomina nudo al punto donde confluyen tres o ms conductores de una red. La primera ley de Kirchhoff afirma: dado un nudo, en una red y asignando flechas de valoracin concordantes (todas concurrentes o divergentes con relacin al nudo), la suma algebraica de las corrientes es nula
I1 I5 I4 I2 I3
I1 + I2 + I 3 + I 4 + I5 = 0
=0
Esta ley se justifica teniendo en cuenta que en un nudo no se pueden acumular cargas elctricas. Tambin se podra enunciar de otra manera: si a los conductores que se unen en un nudo les imponemos un determinado sentido de la corriente, en cada uno de ellos, se puede expresar que la suma de las intensidades que llegan al nudo ha de ser igual a la suma de las que salen. Esto se verifica tanto en corriente continua, como en corriente alterna (teniendo en cuenta los valores instantneos o bien los fasoriales).
E2 I1 E1 G B G R2 I2 C G E3
R1 A I6 R6
R3 I3 D
R4 E6 G I4 F I5 G E5 R5 E
En un circuito se denomina rama, al conjunto de elementos activos y pasivos conectados en serie entre dos nudos adyacentes. En un circuito, se denomina malla, al circuito o camino cerrado que se logra partiendo de un nudo y volviendo a l, sin pasar dos veces por un mismo elemento o nudo. En un circuito y siguiendo una lnea cerrada (malla o lazo), la segunda ley de Kirchhoff nos indica que la suma de las tensiones instantneas es igual a cero. Esto es aplicable, tanto en corriente continua, como en corriente alterna. En un caso tendremos como elementos pasivos resistencias y en otro impedancias. Vamos a demostrar esta segunda ley dndole, en la figura anterior, unos sentidos arbitrarios a las f.e.m.s. y a las intensidades y considerando positivo el sentido de las agujas del reloj.
E1 = (VB VA ) + R1 I1 E2 = (VC VB ) + R2 I 2 E3 = (VD VC ) R3 I 3 0 = (VE VD ) + R4 I 4 E5 = (VF VE ) + R5 I 5 E6 = (VA VF ) R6 I 6
=0
E = R I
i i
Por lo tanto, tambin podramos enunciar esta segunda ley de Kirchhoff diciendo que la suma algebraica de las f.e.m.s. es igual a la suma algebraica de las cadas de tensin, a lo largo de una lnea cerrada o malla de un circuito. En corriente alterna se puede utilizar la notacin fasorial, sustituyendo las resistencias por impedancias:
E = Z I
1.6.2 Fuente de tensin

Ya sabemos que los elementos que aportan la energa a un circuito reciben el nombre de elementos activos, tambin llamados generadores o fuentes. El smbolo utilizado para representar una fuente de tensin continua ideal se muestra en la figura siguiente
e
A
Ic
K=constante
Generador de tensin real
Ri V E Rc
i
a b
Una fuente de tensin ideal es la que nos suministra una tensin constante independientemente del valor de la intensidad que suministra. Sin embargo, en la realidad, la fuente de tensin tiene una resistencia interna que se puede considerar asociada en serie con la propia fuente, constituyendo lo que llamamos fuente de tensin real. Si utilizamos una fuente de tensin real para alimentar a una resistencia de carga Rc, como se muestra en la figura, la ecuacin de la malla es:
E = Ri I c + Rc I c = Ri I c + V E = I c (Ri + Rc )
Ic =
V = E Ri I c
E Ri + Rc
En funcin del valor de la resistencia de carga Rc, la tensin a la salida de una fuente real no va a permanecer constante. Cuando disminuye la resistencia de carga, aumenta la corriente Ic que ha de entregar la fuente, decimos que aumenta la carga de la fuente. Al aumentar la corriente se eleva la tensin en la resistencia interna Ri, provocando una disminucin de la tensin a la salida de la fuente. La energa disipada en Ri, se entiende como energa perdida en el interior de la fuente, que ser mayor cuanto mayor sea la carga a la que se someta la fuente. Existen dos valores extremos que conviene estudiar: Cuando Rc = Cuando
Rc = 0
es decir el generador tiene la conexin entre sus bornes abierta (circuito abierto), no se genera energa, Ic=0, y se verifica que V=E. es decir el generador est en cortocircuito y sus bornes estn unidas mediante una conexin de resistencia despreciable Rc=0:
I c = I cc = E Ri
V = Rc I c = 0
la corriente de cortocircuito es la mxima posible. Esta situacin se ha de evitar en toda fuente de tensin, ya que provocara la destruccin de la fuente, al tomar la corriente valores muy elevados. El valor de Ri suele ser pequeo. En la figura siguiente podemos observar que la curva es asinttica con el eje de abcisas (Rc) en el infinito. Prolongando imaginariamente el sentido negativo a las (Rc), esta curva sera asinttica con una perpendicular al eje de Rc y paralela al eje de ordenadas (Ic) por el punto igual a -Ri, es decir obtendramos un valor infinito para Ic cuando, idealmente pudiramos anular el valor de la resistencia interna del generador.
Martinez Bernia y Asoc. V
IC
vaco cortocircuito vaco cortocircuito IC

a
-Ri
a
RC
1.6.3 Fuente de corriente

Adems de fuentes de tensin, tenemos tambin fuentes de corriente. Una fuente de corriente ideal es la que nos suministra una intensidad constante independientemente del valor de la tensin en sus bornes (fig. 1.18). En la realidad esto no se cumple y una fuente de corriente real estar constituida, por una fuente de corriente ideal con una resistencia interna conectada en paralelo. Si utilizamos una fuente de corriente real para alimentar a una resistencia Rc, la corriente a la salida de la fuente real es menor que la corriente entregada por la fuente ideal, ya que parte se pierde por la resistencia interna.
Icc = I i + Ic
I c = I cc I i V = I cc 1 1 + Ri RC
I cc =
V V + Ri RC
e
K=constante
A
Ic Generador de corriente real Icc Ii Ri V Rc
i
a b
En la comparacin entre fuente o generador de tensin real y fuente o generador de intensidad real, podemos apreciar que mientras que en el primero nos interesa que la resistencia interna, Ri, sea muy pequea para que la cada de tensin interna y, en consecuencia, la prdida de energa sea pequea; en el segundo, por el contrario, la resistencia interna, Ri , debe ser muy grande para que la intensidad que se derive por ella, Ii ,sea pequea para disminuir la perdida de energa interna. Para evitar prdidas de energa, entre generadores, no debemos acoplar en paralelo fuentes de tensin que tengan distintas fuerzas electromotrices, E, ni acoplar en serie fuentes de intensidad con diferente Icc.
1.6.4 Equivalencia de fuentes

Las fuentes ideales no existen y podemos decir que un generador de tensin suministra una tensin til, en sus bornas, que s depende de la corriente de carga y un generador de intensidad o corriente nos da una intensidad til que s depende de la tensin en sus bornas. En algunos casos nos
puede interesar hallar la equivalencia entre fuentes de tensin y de intensidad para sustituir una por otra en un circuito para facilitarnos la resolucin.
A A
I1 Rg R E
B B
I2 I RS R
Las fuentes de tensin e intensidad en la fig. 1.20 sern equivalentes cuando suministren la misma intensidad a la misma carga, es decir que se cumpla que I1=I2. En la fuente de tensin tenemos: y en la de intensidad:
I1 = E R + Rg
( I I 2 )Rs
= I2 R
IR s = I 2 ( R + R s )
Rs I2 = I R + Rs
haciendo
ER + ERs = IRs R + IRS R g
I1 = I 2 : R( E IRs ) = Rs IRg E
E Rs =I R + Rg R + Rs
teniendo en cuenta que tanto R como Rs sern diferentes entre s y distintas de cero, necesitamos, para que se cumpla esta ecuacin, que:
E IRs = 0 IRg E = 0
con lo que
Rs = Rg
E = IR g
I=
E Rg
Todo lo que hemos estudiado, en corriente continua, se puede aplicar a fuentes reales de onda senoidal, sustituyendo las resistencias por impedancias y teniendo en cuenta que tanto E como I sern vectores giratorios.
1.6.5 Principio de superposicin

En una red formada por generadores e impedancias, la corriente en una rama o la tensin en un nudo, cuando todos los generadores actan simultneamente, es la suma de las corrientes o las tensiones que se produciran si los generadores actuasen uno por uno. Tendremos en cuenta que para que un generador no acte, ste ha de sustituirse por un cortocircuito, si se trata de un generador de tensin, o por un circuito abierto, si se trata de un generador de intensidad. Supongamos una red de "n" mallas, excitada por generadores senoidales de la misma frecuencia, en las que todos se han transformado en generadores de tensin.
E 1 Z 11 E 2 Z 21 " " = E k Z k1 " " E n Z n1 Z 12 Z 22 " " Z 1k " Z 2k " " " Z 1n I 1 " Z 2n I 2 " " " " Z kn I k " " " " Z nn I n "
Su ecuacin matricial ser:
Z k 2 " Z kk " " Z n 2 " Z nk
Donde E 1 , E 2 , ## , E n , son las sumas de f.e.m.s. de los generadores que contienen cada una de las mallas. Si queremos calcular una corriente cualquiera I k :
Z 11 Z 21 " Z k1 " Z n1 Z 12 Z 22 " Z k2 " Z n2 " " " " " " E1 E2 " Ek " En " " " " " " Z 1n Z 2n " Z kn " Z nn
Ik =
desarrollando por los adjuntos de la columna k:

I k = E1 1k k kk nk + E 2 2 +""+ E k +""+ E n Z Z Z Z
Donde cada una de las E puede ser suma de varias que estn en la misma malla. Si cortocircuitamos todas las fuentes de tensin, excepto las de la malla 1, tendremos:
I k = E1 1k Z
Si cortocircuitamos todas las fuentes, excepto las de la malla 2: si realizamos lo mismo, dejando las de la malla k: y as sucesivamente. En conclusin, podemos establecer que:
I k = E 2 Ik = Ek
k
2k Z
kk Z
I k = I k + I k +""+ I k +""+ I k
Que nos demuestra el enunciado de este teorema de superposicin. Si en lugar de tener una red de mallas, tuviramos una red de nudos, tambin podramos decir que la tensin en un nudo es la suma de las tensiones que nos producen en ese nudo las distintas fuentes de intensidad (o tensin) repartidas por el circuito. Igualmente, se podra demostrar siguiendo los mismos pasos que en la red de mallas.
1.6.6 Teorema de Thevenin.

El teorema de Thevenin establece que un circuito activo es equivalente respecto de dos terminales A y B, a un generador de tensin E 0 , en serie con una impedancia Z 0 , siendo E 0 , la tensin existente entre A y B, y Z 0 la impedancia equivalente del circuito respecto de A y B.
Z0 A Circuito activo B E0 B A
Hemos dicho anteriormente que dos circuitos son equivalentes si al conectar la misma carga (impedancia Z e ), circula por ellos la misma intensidad I . En estos dos circuitos se cumple que E 0 = U AB con el circuito abierto y como Z 0 es la impedancia equivalente a la que tiene el primer circuito entre los terminales A y B:
I= U AB E0 = Z0 + Ze Z0 + Ze
Es decir, que para calcular el circuito equivalente de Thevenin hemos de calcular la tensin que aparece entre los terminales A y B, que ser el valor de la fuente de tensin, as como la impedancia
equivalente del circuito, visto desde A y B, cortocircuitando las fuentes de tensin, o abriendo las fuentes de intensidad, para considerar solamente los elementos pasivos, en los que se incluyen las impedancias internas de los generadores. De esta manera, calculamos la impedancia asociada en serie con la fuente de tensin.
1.6.7 Teorema de Norton.

Este es el teorema dual al de Thevenin y nos indica que un circuito activo puede sustituirse por una fuente de intensidad con una impedancia en paralelo.
A Circuito activo B Io Zo B A
El valor de la fuente de intensidad ser el que corresponde a la corriente de cortocircuito del circuito activo y la impedancia ser la misma del circuito equivalente de Thevenin. Por lo tanto, podemos expresar que:
I0 = E 0 U AB = Z0 Z0
Si consideramos una impedancia exterior, Z e , conectada a los circuitos equivalentes de Thevenin y Norton, tendremos que la intensidad que circula por ella (que ha de ser la misma en los dos casos) es:
I= E0 Z0 + Ze I Ze = I 0 Z0 Ze Z0 + Ze I = I0 Z0 Z0 + Ze
igualando ambas expresiones, obtenemos:

E0 = I0 Z0
Como habamos indicado anteriormente.
1.6.8 Teorema de Miller

En la mayora de los circuitos electrnicos basndose en amplificadores operacionales, transistores bipolares, transistores de efecto campo, etc., existen conexiones entre el circuito de entrada y el circuito de salida, produciendo una realimentacin que en la mayora de los casos produce oscilaciones del circuito electrnico. Para analizar los circuitos electrnicos, cuya realimentacin se realiza a travs de una impedancia Z , es conveniente trasladar los efectos introducidos por la impedancia a los circuitos de entrada y de salida. La traslacin anterior es posible apoyndose en el teorema de Miller. Si se considera un circuito elctrico o electrnico lineal de n nudos y en l las tensiones de dos nudos, unidos por una impedancia, las corrientes de estos nudos y las tensiones V 1 y V 2 de los nudos respecto a otro nudo de referencia, no varan si se introduce entre los nudos dados y el de referencia impedancias de valor:
Z1 = V2 V1 Z 1 AV
Z2 =
Z 1 A1V
siendo:
AV =
y se elimina del circuito la impedancia Z . Si se considera el circuito de la figura siguiente, al aplicar la ley de Ohm, resulta:
I1 =
V1 V 2 Z
I2 =
V 2 V1 Z
Aplicando la ley de Ohm al circuito de la figura siguiente, resulta:

I '1 = V1 Z1
I '2 =
V2 Z2
I1 V1
I2 V2
I'1 V1 Z1
I'2 Z2 V2
Para que las corrientes de entrada y de salida sean iguales, puesto que ya hemos supuesto que las tensiones lo son, debern cumplirse las igualdades:
I 1 = I '1 V1 V 2 V1 = Z Z1 V 2 V1 V 2 = Z Z2 Z1 = Z 1 AV Z 1 A1V
I 2 = I '2
de donde: y
Z1 =
Z V 1 Z = V1 V 2 1 V2 V1
Z2 =
Z V 2 Z = V 2 V 1 1 V1 V
2
Z2 =
Por tanto, si se cumplen las ecuaciones anteriores, los circuitos de las figuras 1 y 2 son equivalentes, que es lo que se deseaba demostrar.
Captulo 2
SEMICONDUCTORES.
Aquella sustancia que conduce mal la corriente elctrica es conocida como aislante, mientras que un excelente conductor es conocido como metal. As, las sustancias cuya conductividad esta entre estos dos extremos son denominadas semiconductores. El material bsico para la construccin de los dispositivos electrnicos son los cristales semiconductores (Si, AsGa,...). Las propiedades elctricas de los slidos cristalinos dependen en gran medida de la periodicidad de la red y de las alteraciones locales de la misma. En un metal o en un aislante, la densidad de portadores libres es una constante del material y no se puede cambiar. Sin embargo, en un semiconductor la densidad de portadores libres se puede cambiar mediante la adicin de impurezas en el material. Esta facilidad de regulacin de la conductividad mediante la manipulacin la densidad de portadores libres es lo que hace del semiconductor un material nico.
2.1
Modelo de electrones libres.
Es posible pensar en un cristal como una distribucin regular de ncleos eficaces y un conjunto de electrones ms o menos ligados, movindose en el espacio intermedio, sometidos al potencial que crean estos ncleos. Slo los electrones de valencia modifican considerablemente su configuracin de estados energticos con respecto a la que posean en el tomo aislado. La evolucin se describir mediante le ecuacin de Schrdinger. Para resolver esta ecuacin se suele reducir el problema al caso monoelectrnico. Ignoraremos, en esta aproximacin, la fluctuacin peridica de la energa potencial, sustituyndolo por un potencial constante. Adems, para simplificar consideraremos una red lineal suficientemente grande para que no nos afecten los problemas de contorno. La ecuacin de Schrdinger unidimensional es:
$ d 2 (x, t ) d (x, t ) + U ( x ) (x, t ) = i$ 2 2m dx dt
Cuando la energa potencia U(x)f(t), se puede simplificar la ecuacin de Schrdinger escribiendo la funcin de onda en la forma: ( x, t ) = ( x )e it El segundo miembro de la ecuacin toma entonces la forma:
i$
d (x, t ) ( x )e it = $ ( x )e it = E ( x )e it = i$( i ) dt E = $
Realizando la misma sustitucin en el resto de la ecuacin y suprimiendo el factor exponencial comn quedar:
$ 2 d 2 (x ) + U ( x ) (x ) = E ( x ) (x ) 2m dx 2
Consideremos el caso de una partcula confinada en un pozo rectngular infinito, tal que:
U( x ) = 0 U(x) = 0<x<L x < 0, x > L
Fuera del pozo la funcin de onda es idntica a cero: (x)=0; dentro del pozo la ecuacin a resolver es:
$ d 2 (x ) = E (x ); 2m dx 2
d 2 (x ) 2mE = 2 (x ) = k 2 (x ); 2 dx $ 2mE k2 = 2 $ Como la partcula est oscilando entre x=0 y x=L, la funcin de onda est dada por la ecuacin:
( x ) = Ae it + Be it
La cual indica movimiento en ambas direcciones. La condicin de contorno exige que:
( x ) x =0,x =L = 0; (0) = A + B = 0; B = A; ( x ) = A e it e it = 2iAsenkx = Csenkx;

La condicin de contorno en x=L da:
(L ) = CsenkL = 0;
Como C no puede ser cero, entonces: senkL=0, kL=n, siendo n entero
$ k n = n ;# pn = $k n = n ; L L 2 2 2 2 $ $ kn 2 En = = n2 2mL2 = n E1; 2m
Que es la solucin de Sommerfeld. La funcin de onda correspondiente a los valores k dados anteriormente es:
( x ) = Csen
nx ; L
La ecuacin de Schrdinger tridimensional e independiente del tiempo en coordenadas rectangulares es:
Captulo 2. Semiconductores. 25
$ 2 2 2 2 2 + + 2m y 2 z 2 x
+ U ( x, y , z ) (x, y , z ) = E ( x, y , z ) (x, y , z );
forma:
Igualmente, para el caso de una caja de potencia tridimensional cuadrada la solucin es de la n y y n z n x x sen sen z ; L L L
( x, y , z ) = Csen
Y las energas posibles estn dadas por:
En =
$ 2 2 2 2 2 2 2 2 + nz = E1 n x + ny + nz nx + ny ; 2 2mL
Este modelo de electrones libres no explica porqu existen aislantes, conductores y semiconductores.
2.2
Modelo de bandas de energa.
El modelo de electrones libre explica propiedades muy importantes de los metales, pero hay otras que quedan sin explicacin. As, por ejemplo, no explica la existencia de conductores o aislantes y que otros materiales presentan una conductividad intermedia y fuertemente dependiente de la temperatura. Para ello es necesario considerar la influencia de un potencial peridico en la red, lo que da lugar a que los electrones del cristal ocupen estados cuyas energas se organizan en bandas permitidas, separadas por regiones de energa prohibidas para las que no existen funciones de onda estables. Este modelo es conocido como Teora de Bandas. Los rasgos ms notables de la estructura de bandas, o las caractersticas fsicas ms importantes del comportamiento de los electrones son accesibles por medio de un modelo bastante sencillo de red cristalina, el modelo de KronigPenney. Vamos a estudiar el caso unidimensional, considerando un potencial peridico de forma rectangular en un cristal unidimensional de dimensiones infinitas.
Como se ha visto anteriormente, las funciones de onda asociadas al electrn se obtienen resolviendo la ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo
d 2 (x ) 2m + 2 [E V (x )] (x ) = 0 $ dx 2
( 2-1 )
cuyas soluciones son ondas de Bloch con un vector de propagacin k, moduladas por una funcin con la misma periodicidad que la de la red cristalina, (x ) = U (x )e ikx donde:
U (x ) = U (x + L ) = U (x + nL )
( 2-2 )
( 2-3 )
siendo N el nmero de tomos del cristal. Por lo tanto, U(a)=U(-b).
1. En las regiones I (pozo), V(x)=0 dI dU I ikx e = ikU I e ikx + dx dx d 2 I dU I ikx d 2U I ikx ikx 2 k U e 2 ik e + e = + I dx dx 2 dx 2 I = U I e ikx Haciendo la sustitucin: se tiene: d 2UI dUI + 2ik 2 k 2 UI = 0 2 dx dx 2. En las regiones II U(x)=V0. Aqu, haciendo la sustitucin: se tiene, anlogamente: d 2UII dUII + 2ik 2 k 2 UII = 0 2 dx dx Las soluciones de estas ecuaciones diferenciales son: UII = Ce ( ik )x + De ( ik )x UI = Ae i ( k )x + Be i ( k )x ( 2-7 ) 2m(V0 E ) $2
( 2-4 )
2 =
2mE $2
( 2-5 )
2 =
( 2-6 )
donde A, B, C y D son constantes a determinar de acuerdo con las condiciones de contorno. Por continuidad:
A) U I (0 ) = U II (0 ) B) dU I dx =
x =0
dU II dx
( 2-8 )
x =0
Por periodicidad:
C)
O sea que:
A) B) C) D)
UI (a ) = U II ( b )
D)
dU I dx
=
x =a
dU II dx
( 2-9 )
x =b
i ( k )Ae i ( k )a i ( + k )Ae i ( + k )a = ( ik )Ce ( ik )b ( + ik )De ( + ik )b
Ae i ( k )a + Be i ( + k )a = Ce ( ik )b + De ( + ik )b
i (-k )A i ( + k )B = ( ik )C ( + ik )D
A +B =C +D
(2-10)
Para que estas cuatro ecuaciones posean una solucin distinta de la trivial, el determinante del sistema deber ser nulo. Esto nos lleva a la condicin que determine los posibles valores de la energa para cada valor de k dado que y no est relacionados con esta. 2n 2 2 senhbsena + cosh b cos a = cos kL = cos 2 N E < V0 ( 2-11 )
donde: k =
2n NL
Por otra parte: 2n 2 + 2 senbsena + cos b cos a = cos kL = cos 2 N E > V0 ( 2-12 )
Es posible simplificar la expresin sin una prdida notable de generalidad haciendo tender a infinito el volumen, mientras b tiende a cero y mantenemos constante el producto de ambas magnitudes, es decir: V0 b0 V0 b = cte
2 =
b0aL
2m (V0 E ) 2mV0 >> 2 2 2 $ $ V0 b = cte 2 b = cte

cos b 1
2 b = 0
Para pequeos argumentos: Aplicando esto podemos hacer:
sen b b
2 2 b senL + cos L = cos kL 2
( 2-13 )
Y como 2>>2, resulta:
2b senL + cos L = cos kL 2

O bien haciendo: quedara P senL + cos L = cos kL L
( 2-14 )
2ab =P 2 b 0
lim
( 2-15 )
Esta ltima ecuacin es la condicin para que exista una onda propagndose en el slido con energa E. Admitiendo un valor finito de P (potencia de la barrera) y representando ambos miembros de la ecuacin frente a a, o lo que es lo mismo, frente a la energa, solo aquellos valores de que satisfagan ambas expresiones sern funciones de onda posibles. Si k es real, cos(kL) est limitado entre 1 y por consiguiente el requerimiento de nmeros de ondas reales correspondientes a ondas no alternadas que se propagan en el cristal hace que la energa L est limitada a ciertos rangos de valores llamados bandas permitidas separadas por otros rangos de energas prohibidas.
Este modelo nos permite extraer las siguientes conclusiones: 1) El ancho de las bandas de energa permitidas aumenta con L (energa). Esto es consecuencia de que disminuye P senL + cos L L O sea, para un valor de P constante la barrera de potencial se va haciendo ms permeable a medida que aumenta la energa de los electrones. 2) Al variar P, variamos la energa con que los electrones estn ligados al ncleo. En el caso extremo, tendiendo P a infinito las regiones permitidas se reducen a los niveles del modelo de electrones libres. La distincin entre semiconductor, aislante y conductor se presenta en la figura siguiente, sabiendo que
2 =
2mE $2
Si la banda de valencia est llena de electrones y la de conduccin vaca, no puede haber corriente. Es posible que por aplicacin de una energa trmica, luminosa o de campo elctrico externo, los electrones pueden saltar a la banda de conduccin y producir corriente. La probabilidad de
que esto ocurra es tanto menor cuanto mayor sea Eg y en consecuencia, a mayor Eg ms carcter de aislante ofrecer el material.
2.2.1 Concepto de masa efectiva.

En una partcula libre:
E= p2 2m
( 2-16 )
Para una partcula en un cristal p=hk luego dE $ 2 k 1 dE $k $ 2k 2 = = =v dk m m 2m $ dk dv $ dk 1 d dE 1 d 2 E dk a= = = = dt m dt $ dt dk $ dk 2 dt E= donde: En definitiva: $ dk 1 dk d 2E $2 = = = m* m m dt $ dt dk 2 d 2E dk 2 ( 2-18 ) k= m dE $ 2 dk
( 2-17 )
En este caso m* representa la masa efectiva de la partcula en una red cristalina peridica perfecta, y puede ser positiva y negativa.
En general m* vara con k. Cuando en el diagrama E-K la curva es cncaa (banda de conduccin EC) m*>0 y si es inversa (banda de valencia EV) m*<0. Esto significa que una partcula en aquel estado ser acelerada en sentido opuesto al del electrn. Se conporta como una verdadera partcula con carga y masa positiva. Esto es lo que llamamos un hueco. v p = vn k P = k n q p = +e
* mp = mn
EP (k P ) = E n (k n ) ( 2-19 )
El concepto de masa efectiva es muy importante ya que permite considerar a huecos y electrones de conduccin como partculas clsicas cargadas con masa efectiva m*n y m*e, respectivamente. En el resto del tema escribiremos siempre sin asteriscos la masa efectiva de huecos y la de electrones mn.
2.3
Densidad de estados
Sea N(E) el nmero de estados (sin considerar el spin) con energas comprendidas entre E y E+dE. Llamemos entonces (E) al nmero de estados con energas inferiores a E. Calculemos primero (E) a partir de la expresin de la energa en el caso de condiciones de contorno geomtricas
E (n x , n y , n z ) = $ 2 2 2mL2
(n
2 x
+ ny + nz
$ % )= 2 k m
2
( 2-20 )
Si representamos la energa en el espacio de las n x , n y , n z , las superficies de energa constante son esferas de radio R, siendo:
R 2 = n x + n y + nz =
2 2 2
2mL2 $ 2 2
( 2-21 )
As, para calcular todos los estados de energa inferior a , basta calcular el volumen del octante de la espera, ya que solo tienen significado los valores positivos n x , n y , n z , y existe un estado para cada uno de los cubos elementales.
V (esfera ) =
2 1 4 2mL E (E ) = 2 2 8 3$ 3/2
4 3 r 3
3/2
L3 2m 6 2 $ 2
E3/2
( 2-22 )
La densidad de estados entre E y E+dE ser:

d (E ) L3 2m = N (E ) = dE 6 2 $ 2
3/2
3 1/ 2 L3 2m = E 2 4 2 $ 2
3/2
E 1/ 2 = CE 1/ 2
( 2-23 )
Si consideramos que el volumen del cristal es L3 t que hay que multiplicar por 2 para tener en cuenta el spin, la densidad real por unidad de volumen del cristal ser:
N (E ) = 2N (E ) L3 = 1 2m 2 2 $ 2
3/2
E 1/ 2
( 2-24 )
Teniendo en cuenta que el nivel de energa ms bajo en la banda de conduccin (Ec) es la energa potencial de un electrn en reposo, cuando este gana energa E, su energa cintica ser E-Ec.
N (E ) = 21/ 2 m n
3/2
2 3
(E E c )1/ 2 = N c (E E c )1/ 2
( 2-25 )
Y en la banda de valencia:
N (E ) = 21/ 2 m p
3/2
2 3
(E v E )1/ 2 = N v (E v E )1/ 2
( 2-26 )
donde mn y mp son las masas efectivas y Nc y Nv son constantes.
La probabilidad de ocupacin de estos estados cunticos por parte de los electrones viene dada por la distribucin de Fermi-Dirac: f (E ) = 1+ 1
E Ef e kT
( 2-27 )
casos:
Siendo Ef el nivel de energa (nivel de Fermi) cuya probabilidad de ser ocupado es . En estos
1 2 E >> 0 f (E ) E = E f f (E ) = E = 0 f (E ) 1 E >> E f f (E ) = 1
E Ef e kT
( 2-28 )
2.4
Concentracin de portadores.
Sabemos que a distribucin de niveles energticos en los bordes de la B.C. y la B.V. no es uniforme y se rige por las expresiones N(E) calculadas anteriormente. Por otra parte que la probabilidad de que a una temperatura T se encuentre ocupado un determinado nivel U de energa E viene dada por la funcin de Fermi-Dirac. As, el n de partculas por unidad de volumen en el nivel energtico comprendido entre E y E+dE es:
dn = n(E)!f(E)dE
Emax
( 2-29 )
En general, el n de electrones por unidad de volumen en la B.C. viene dado por:
n(E) =
Ec
N ( E ) f ( E )dE
( 2-30 )
Se suele sustituir el lmite superior por !.
n = NC
Ec
(E Ec )1 / 2 1+ e
E EF kT ( Ec E F ) kT
dE = N C
Ec
(E Ec )1 / 2 1+ e
( E Ec ) kT
E Ec + Ec EF kT
dE
( 2-31 )
n = N C!e
Ec
(E E
)1 / 2!e
d(E Ec )
( 2-32 )
haciendo:
x=
( E Ec ) kT
( E Ec ) = kT ! x ( E Ec )1/ 2 = (kT ) ! x1/ 2

1/ 2
d ( E Ec ) = kT !dx n = N C!(kT ) e
3/ 2 ( Ec EF ) kT 0
1/ 2
!e x dx
( 2-33 )
Teniendo en cuenta que
x
0
1/ 2
!e x dx =
3/ 2
2
( Ec E F ) kT
n = N C!(kT ) !e
( 2-34 ) ( 2-35 ) ( 2-36 )

3/ 2
3/ 2 (kT ) 1 / 2 21 / 2 !mn n = 2!$ 3!2 3/ 2
m kT n = 2 n 2 !e 2 $
3/ 2
( Ec EF ) kT
con N C = 2
mn kT 2 2 $
Para la concentracin de huecos puede establecerse una expresin anloga, considerando que la probabilidad de que exista un estado vacante en la B.V. es 1-f(E). La integral se extiende entre ! y EV.
p=
EV
!N(E)dE = N !e [1 f(E)]
V
( EF EV kT
( 2-37 )
m p kT con NV = 2 2$ 2
3/ 2
( 2-38 )
La cantidad NC es la densidad efectiva de estados en la B.C. y como representa el lmite clsico de ocupacin del nivel de energa del fondo de la B.C. EC el numero n de la B.C. es el mismo que si hubiera NC niveles por unidad de volumen, todos con energa EC reemplazando la banda. Igual ocurrir con NV y p. NV y NC variarn con la temperatura y su magnitud es del mismo orden, aunque NV y NC no son iguales porque las masas efectivas mn y mp no coinciden. A temperatura ambiente en el silicio NC = 2,8" 1019cm-3 y NV = 1019cm-3.
Multiplicando las dos expresiones obtenidas anteriormente se logra eliminar EF:
n! p = N C ! NV !e
Eg = Ego #T Ego = Eg(0K)
( Ec EV kT
= N C ! NV !e kT
Eg
donde Eg es la energa de la banda prohibida.
En el silicio Ego = 1,21eV y # = 2,8" 10-4eV/K. Sustituyendo en la ecuacin anterior:
n!p = N C!NV !e k !e
Ego kT
= A0T3!e
Ego kT
Expresin que depende de la temperatura y del tipo de semiconductor, y no de la concentracin de portadores. Adems se verifica para cualquier semiconductor que el producto n" p es constante.
2.5
Semiconductores.
Atendiendo a la teora de bandas, podemos definir un material semiconductor como aquel elemento que presenta una banda de energa prohibida mucho menor que los aislantes y mayor que la que presentan los conductores. Frente a valores de 6 eV. en un aislante, en un semiconductor la energa EG de la banda prohibida puede tener un valor de aproximadamente 1 eV. Esta energa tiene una gran dependencia con la temperatura, algo que no ocurre con los aislantes ni con los conductores y viene dada por la expresin:
EG = EGO T
( 2-39)
Siendo EGO la energa prohibida a cero grados Kelvin, un coeficiente caracterstico del material y T la temperatura en grados Kelvin. Los materiales semiconductores ms generalizados en la industria de la Electrnica son el Germanio (Ge), Z=32 y el Silicio (Si), Z=14, ambos pertenecientes al grupo IV de la tabla peridica. En principio se utiliz el Germanio (Ge) pues presentaba muy buenas caractersticas, pero pronto se asent el Silicio (Si) como elemento base para la fabricacin de semiconductores, ya que ste se encontraba en abundancia y dispona de la propiedad de oxidarse formando un aislante perfecto, algo de gran importancia en los procesos de integracin.
2.5.1 Semiconductores intrnsecos.

Se denominan as aquellos semiconductores que poseen una estructura cristalina homognea sin que en ella existan impurezas o dopado alguno. Por tanto, puede explicarse la conduccin elctrica
en un semiconductor intrnseco, segn el modelo de bandas, como el paso de un electrn que ha superado la barrera de energa prohibida EG, de la banda de valencia a la banda de conduccin. De esta forma se dice que se ha generado un par electrn-hueco; este hueco en la banda de valencia podr ser ocupado por otro electrn de otros subniveles. La estructura cristalina de estos semiconductores est formada por una repeticin regular tridimensional de una clula unitaria que tiene el aspecto de un tetraedro con un tomo en cada vrtice. El Silicio (Si) tiene un total de 14 electrones en su estructura atmica. Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia y por tanto es tetravalente. El ncleo inico inerte de Silicio (Si) tiene una carga positiva de +4 medida en unidades de carga electrnica. La fuerza de enlace entre tomos vecinos resulta como consecuencia de que cada electrn de valencia de un tomo de Silicio (Si) es compartido por uno de sus cuatro vecinos ms prximos, llegando as a completar los 6 posibles de la subcapa p. La circunstancia de que los electrones de valencia sirvan de unin entre un tomo y el prximo determina que los electrones de valencia estn ligados a los ncleos. Por lo tanto, a pesar de la disponibilidad de cuatro electrones de valencia el cristal tiene baja conductividad. A temperaturas bajas el cristal se constituye en aislante, puesto que no hay disponible ningn portador libre. En cambio, a la temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompern debido al suministro de energa trmica al cristal, y en consecuencia resulta posible la conduccin. En este caso, un electrn que en un perodo de tiempo anterior haba formado parte de un enlace covalente, se encuentra fuera de su enlace, y por tanto libre para circular al azar dentro del cristal. La ausencia del electrn en el enlace covalente da lugar a que el enlace sea incompleto dando como resultado la aparicin de un hueco. La importancia del hueco es primordial, ya que puede servir como portador de electricidad comparable en su efectividad con el electrn libre. Como se ha mencionado, cuando un enlace queda incompleto aparece un hueco, y al electrn de valencia del tomo vecino le resulta relativamente fcil dejar su enlace covalente y llenar este hueco. Todo electrn que deja su enlace para llenar un hueco deja a su vez otro hueco en su posicin inicial. Por lo tanto, el hueco se mueve efectivamente en direccin contraria al electrn. Este hueco en esta nueva posicin puede ser llenado por un electrn de otro enlace covalente, y por lo tanto el hueco se mover un lugar en sentido contrario al movimiento del electrn. He aqu un nuevo mecanismo de conduccin de la electricidad que no implica electrones libres. A medida que fluye la corriente elctrica, los huecos se comportan como cargas positivas de igual valor que la carga del electrn. Podemos considerar que los electrones son entidades fsicas cuyo movimiento constituye un flujo de corriente. En un semiconductor puro (intrnseco), el nmero de huecos p es igual al nmero de electrones libres n. La agitacin trmica produce continuamente nuevos pares de electrn-hueco, mientras que otros pares desaparecen como resultado de la combinacin. La conduccin elctrica en un semiconductor viene dada por el movimiento de electrones y de huecos cuyas concentraciones respectivas son: n=p=ni=pi .Por lo tanto la conductividad intrnseca vendr dada por la suma de la movilidad de electrones y de huecos: donde p y n corresponde a la movilidad de huecos y electrones:
i = ni q( p + n )
( 2-40)
Esta conductividad es muy reducida dada la alta resistividad de los semiconductores intrnsecos. La conductividad es proporcional a la concentracin de electrones libres ni. Para un buen conductor, ni es muy elevado (del orden de 1028 electrones/m3); para un aislante, ni es muy pequeo (aproximadamente 107); y para un semiconductor, ni est situado entre estos dos valores. Los electrones de valencia de un semiconductor no estn libres en el mismo sentido en que lo estn para los conductores, sino que estn ligados por los enlaces entre iones adyacentes.
2.5.2 Semiconductores extrnsecos.

Son aquellos que necesitan una transformacin qumica o impurificacin, que consiste en introducir tomos de distinta valencia en su estructura cristalina, sin que sta deje de ser homognea. O sea, si a un semiconductor intrnseco, como el Silicio (Si) o el Germanio (Ge), se le aade un
pequeo porcentaje de tomos trivalentes o pentavalentes, se transforma en un semiconductor dopado, impuro o extrnseco. Podremos distinguir dos tipos de semiconductores extrnsecos segn el dopado de impurezas, los semiconductores extrnsecos tipo p y los tipo n. Si introducimos tomos dopantes de algn elemento del grupo III en una proporcin de 1 por 108 en dicha estructura cristalina, habr electrones de tomos de Silicio (Si) que no estn ligados a otro, ya que existe un hueco procedente del tomo dopante. Estos elementos dopantes pueden ser Bo, Al, Ga e In, principalmente. Por lo tanto, si en la estructura cristalina aparece un exceso de huecos, se producir una banda o nivel de energa de 0.01 eV. por encima de la de valencia que acepta electrones con suma facilidad. As, cuando se aplique un campo elctrico la circulacin de corriente se producir por el movimiento de huecos; no obstante existe una reducida corriente de portadores minoritarios (electrones), debido a que stos consiguen saltar de la banda de valencia a la banda de conduccin. Para hacer un dopado tipo n se recurre a impurificar o dopar el semiconductor intrnseco con impurezas donadoras, o lo que es lo mismo con elementos del grupo V como son el P, As y Sb. De esta forma al introducir tomos con cinco electrones de valencia en la estructura cristalina, queda un electrn dbilmente ligado al tomo y por consiguiente aparece un nivel donador de electrones 0.01 eV. por debajo de la banda de conduccin. Por lo tanto, al aplicar un campo elctrico al semiconductor se produce una corriente electrnica debido a que los electrones saltan fcilmente a la conduccin. Al igual que en los semiconductores tipo p, existe una pequea corriente de huecos debido a la propia naturaleza intrnseca del semiconductor.
2.5.3 Ley de accin de masas.

Se ha visto anteriormente como al aadir impurezas de tipo n, disminuye el nmero de huecos. De la misma forma, al drogar con impurezas de tipo p disminuye la concentracin de electrones libres a un valor inferior a la del semiconductor intrnseco. Se puede demostrar que, en condiciones de equilibrio trmico, el producto de la concentracin de las cargas positivas y negativas libres es una constante independiente de la cantidad de donador o aceptador. Esta ley se denomina de accin de masas y viene dada por:
np = ni2 (T )
( 2-41)
La concentracin intrnseca ni es funcin de la temperatura y viene dada por la expresin:
n Ce
2 i
Eg KT
( 2-42)
Donde Eg energa prohibida del semiconductor (1.1 eV para el Si), q es la magnitud de la carga del electrn, K es la constante de Boltzman, T es la temperatura en grados Kelvin y C es una constante de proporcionalidad. A temperatura ambiente (300 K), ni = 1010 cm3 en el Silicio (Si). De esta forma podremos concluir que las impurezas en un semiconductor intrnseco no slo aumentan la conductividad, sino que sirven tambin para producir un conductor en el que los portadores sean predominantemente huecos o electrones. En un semiconductor de tipo n, los electrones se denominan portadores mayoritarios, y los huecos portadores minoritarios. En un material del tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios.
2.6
Densidad de carga.
En un semiconductor en equilibrio, que no est perturbado en su entorno trmico, no debe haber corrientes ni flujos netos de huecos o electrones. Si existen cuatro clases de partculas cargadas en el semiconductor, la densidad de carga positiva total ser ND+p. Igualmente, si NA es la concentracin de iones aceptadores, stos contribuyen al suministro de NA cargas negativas por metro cbico. La densidad de carga total negativa ser NA+n. El valor de la densidad de carga positiva deber ser igual a la concentracin de la negativa, o sea:
ND + p = N A + n
( 2-43)
Considrese un material tipo n que tenga NA=0. Como el nmero de electrones es mucho mayor que el de huecos (n>>p), entonces la ecuacin anterior se reduce a:
n ND
( 2-44)
En un material tipo n la concentracin de electrones libres es aproximadamente igual a la densidad de tomos donadores. La concentracin p de huecos en el semiconductor de tipo n se obtiene a partir de la ley de accin de masas. O sea:
p=
ni2 ND
( 2-45)
De igual manera, en un semiconductor tipo p:
p NA n= ni2 NA
( 2-46) ( 2-47)
Cabe aadir donadores a un cristal tipo p o, inversamente, agregar aceptadores a un material tipo n. Si se igualan las concentraciones de aceptadores y donadores en el semiconductor, ste permanece intrnseco. Los huecos de los aceptadores se combinan con los electrones de conduccin del donador para no dar ningn portador libre adicional. Es decir, ND=NA, se observa que p=n, y n2=ni.2, o sea n=ni=concentracin intrnseca. Ampliando los argumentos anteriores, cabe indicar que si la concentracin de tomos donadores aadidos a un semiconductor del tipo p excede a la concentracin de aceptadores (ND>NA), cambia del tipo p al tipo n. Quedando:
n ND - NA p= ni2 ND NA
( 2-48)
2.7
Generacin y recombinacin de cargas.
Se ha visto que en un semiconductor puro el nmero de huecos es igual al nmero de electrones libres. La agitacin trmica genera continuamente nuevos pares de electrn-huecos, g por unidad de volumen y por segundo, mientras que otros desaparecen como resultado de la recombinacin; dicho de otra manera, los electrones libres caen en enlaces covalentes vacos, con el resultado de la prdida de un par de portadores mviles. Por trmino medio, un hueco (o un electrn) existen durante p (n) segundos antes de la recombinacin. Este tiempo se denomina vida media de un hueco o de un electrn, respectivamente. Por lo tanto el decrecimiento de la concentracin de huecos por segundo debido a la recombinacin ser: p/p (n/n). Estos parmetros son muy importantes en los sistemas semiconductores porque indican el tiempo requerido para que las concentraciones de huecos o electrones que hayan cambiado vuelvan a sus concentraciones de equilibrio. Como ninguna carga puede ser creada o destruida, la variacin de la concentracin vendr por:
dn n =g n dt
( 2-49)
En equilibrio trmico:
n n dn =0=g o g = o n n dt
( 2-50)
Y por lo tanto:
dn no n = n dt
( 2-51)
El valor de la vida media de los portadores en exceso tiene efectos importantes en las caractersticas de los dispositivos de portadores minoritarios. Valores mayores de la vida media minimizaran las prdidas en conduccin pero tendera a hacerse ms lenta la transicin de la conmutacin del encendido al apagado y viceversa. De ah que los fabricantes de dispositivos se esfuercen por un control bastante preciso de la vida media durante el proceso de fabricacin. Dos mtodos usados comnmente para el control de la vida media son el uso del dopado de oro y el uso de la irradiacin de electrones. El oro es un impureza en los dispositivos de Silicio que acta como una fuente de recombinacin. La densidad de dopado del oro ser ms alta cuanto ms pequeas sean las vidas medias. Cuando se usa la irradiacin de electrones, los electrones con alta energa (unos cuantos millones de eV de energa cintica) penetran profundamente (la profundidad de penetracin es funcin de la energa) en un semiconductor antes de que choquen con el ltice cristalino. Cuando se produce una colisin, las imperfecciones en el ltice cristalino actan como centros de recombinacin y, de este modo, la vida media esta bajo un buen control.
2.8
Deriva y difusin.
El flujo de corriente en un semiconductor es la suma del flujo neto de huecos en la direccin de la corriente y el flujo neto de electrones en la direccin opuesta. Los portadores libres pueden moverse mediante dos mecanismos: desplazamiento o deriva y difusin. Cuando se imprime un flujo de corriente a travs de un semiconductor, los huecos libres se aceleran por el campo y por una componente de velocidad paralela al campo mientras que los electrones adquieren una componente de velocidad antiparalela al campo. Esta velocidad se denomina velocidad de deriva y es proporcional a la fuerza del campo elctrico. La componente de deriva de la corriente viene dada por:
J deriva = q n nE + q p pE
( 2-52)
donde E es el campo aplicado, n es la movilidad de los electrones, p la de los huecos y q es la carga en un electrn. A temperatura ambiente, en un Si dopado moderadamente (menos de 1015 cm-3), n 1500 cm2/Vs y p 500 cm2/Vs. La movilidad de los portadores disminuye con el aumento de la temperatura T (aproximadamente T-2).
Si hay una variacin en la densidad espacial de los portadores libres, habr un movimiento de portadores desde las regiones de concentracin ms alta y se debe a la fortuita velocidad trmica que tiene cada portador libre. Esta variacin en la densidad de portadores se podra obtener mediante varios mtodos que incluyen una variacin en la densidad del dopado. La existencia de este gradiente implica que, si se traza una lnea imaginaria que represente una superficie en el semiconductor, la
densidad de huecos en las inmediaciones de un lado de la superficie es mayor que la densidad en el otro lado. Los huecos tienen un movimiento al azar como resultado de la agitacin trmica. De acuerdo con esto, los huecos se moveran continuamente de un lado a otro a travs de esta superficie y cabe esperar que durante un cierto intervalo de tiempo mayor nmero de ellos crucen la superficie desde el lado de mayor densidad al de menor que en sentido contrario. Este transporte de huecos a travs de la superficie constituye una corriente en la direccin x positiva. Debe tenerse en cuenta que este transporte medio de cargas no es el resultado de una repulsin mutua por cargas de igual signo sino que es, simplemente, el resultado de un fenmeno estadstico. Igualmente se podra hablar de electrones. Esta difusin es exactamente anloga a la que existe en un gas neutro si hay un gradiente de concentracin en el continente del gas. El movimiento de los portadores por difusin producir una componente de la densidad de corriente que viene dada por:
J
difusin
= J n + J p = qD n
dn dp qD p dx dx
( 2-53)
donde Dn (m2/s) es la constante de difusin de los electrones y Dp (m2/s) es la constante de difusin de los huecos. Ya que p disminuye con el aumento de x, dp/dx es negativa y se precisa el signo menos en la ecuacin anterior, de manera que Jp sea positiva en la direccin positiva de las x.
2.8.1 Relacin de Einstein.

Ya que tanto la difusin como la movilidad son fenmenos estadsticos termodinmicos, D y no son independientes. Entre ellas se cumple la relacin de Einstein:
Dp
Dn = VT n
( 2-54)
en la que VT es el potencial equivalente de temperatura, definido por:

VT kT T = q 11 .600
( 2-55)
donde k es la constante de Boltzmann en julio por grado Kelvin. A temperatura ambiente, VT=0.0259V.
2.8.2 Corriente total

Es posible que existan simultneamente un gradiente de potencial y un gradiente de concentracin dentro del semiconductor. En tal situacin, la corriente de huecos total es la suma de la corriente de desplazamiento y la corriente de difusin o sea:
J p = q p pE qD p
De forma similar, la corriente neta de electrones ser:
dp dx
( 2-56)
J n = q n nE + qDn
dn dx
( 2-57)
2.9
Variacin de potencial en equilibrio trmico.
Considrese un semiconductor en el que la concentracin de huecos p es funcin de x; es decir, un semiconductor no uniformemente drogado. Supngase una situacin de equilibrio y excitacin cero, o sea, sin inyectar portadores al semiconductor desde ninguna fuente exterior. En ausencia de excitacin no puede haber movimiento de cargas estable en la barra, aunque los portadores
tengan movimiento aleatorio debido a la agitacin trmica. Por lo tanto, la corriente total de huecos debe ser cero as como el total de corriente de electrones. Al estar ante una contaminacin no uniforme, para que la corriente total de huecos desaparezca, deber existir una corriente de desplazamiento de huecos que ser igual y opuesta a la corriente de difusin. Puesto que una conduccin de corriente requiere un campo elctrico, de ello se sigue que un drogado no uniforme trae como consecuencia un campo elctrico generado en el interior del semiconductor. V1 V2
p1
p2
x1
x2
Haciendo Jp = 0 y empleando la relacin de Einstein Dp=pVT, se obtiene el campo elctrico:
E=
VT dp p dx
( 2-58)
De E = -dV/dx se puede calcular la variacin de potencial. Por lo tanto:
dV = VT
dp p
( 2-59)
Si esta ecuacin se integra entre x1, donde la concentracin es p1 y el potencial es V1, y x2, donde p=p2 y V=V2, el resultado ser:
V21 = dV = VT
V1
V2
p2
dp ; p p1
p V21 = V2 V1 = VT l 1 ; p2
( 2-60)
Obsrvese que la diferencia de potencial entre los dos puntos slo depende de las concentraciones en estos dos puntos y es independiente de su separacin x2-x1. La ecuacin anterior puede plantearse de la forma:
p1 = p 2 e + V 21 / V T
( 2-61)
Haciendo Jn=0 y, procediendo como anteriormente, se obtiene la ecuacin de Boltzmann para los electrones:
n1 = n 2 e V 21 / V T
( 2-62)
Multiplicando los resultados anteriores se obtiene:
n1 p1 = n2 p2
( 2-63)
Esta ecuacin indica que el producto np es un constante independiente de x y, por tanto, del drogado, en equilibrio trmico. Para un semiconductor intrnseco, n=p=ni y , por lo tanto:
np = ni
( 2-64)
que es la ley de accin de masas estudiada anteriormente.
2.9.1 Unin abrupta.

Considrese el caso especial siguiente: la mitad izquierda de la barra es del tipo p con una concentracin constante NA, mientras que la mitad derecha es del tipo n con una densidad uniforme ND. El plano frontera a trazos es una unin metalrgica (PN) que separa dos secciones con diferente concentracin. V1
p1 x1
V2
p2 x2
ZONA P
ZONA N
A este tipo de drogado, en el que la densidad cambia bruscamente del tipo p al tipo n, se le denomina drogado en escaln. La teora indicada anteriormente indica que existe un potencial Vo entre las dos secciones (denominado diferencial de potencial de contacto) igual a:
Vo = V21 = VT ln
p po p no
( 2-65)
ya que p1=ppo (concentracin de huecos en equilibrio trmico en el lado p) y p2=pno (concentracin de electrones en el lado n). Se puede avanzar ms, sabiendo que: ppo = NA y pno= ni2/ND, por lo que:
V o = V T ln N AND n i2
( 2-66)
La misma ecuacin para Vo se obtiene del anlisis correspondiente dado anteriormente y basado en que la ecuacin de la corriente total de electrones In sea cero.
2.10 Ecuacin de continuidad.

Como se ha estudiado, si se altera el equilibrio de la concentracin de portadores en un material semiconductor, la concentracin de huecos o electrones variar respecto al tiempo. Se va a estudiar a continuacin adems la existencia de una variacin espacial de esta concentracin. Para ello considerese un elemento infinitesimal de volumen, cuya area sea A y su longitud dx, en el que la concentracin media de huecos fuera p.
p Huecos/m 3
Ip
Ip+dIp
rea A
Supngase el problema unidimensional y que la corriente Ip=f(x). Si la corriente que entra por x en el tiempo t es Ip y la que sale por x+dx es Ip+dIp en el mismo tiempo t. Habr dIp ms Culombs por segundo que abandonarn el volumen que los que entran. La disminucin de huecos por unidad de volumen en el tiempo t debido a la corriente Ip ser:
1 dI p 1 dJ p = ; qA dx q dx
Si la generacin y recombinacin vienen dados por:
( 2-67)
p p dp = o p dt
( 2-68)
Como la carga debe conservarse, el incremento de huecos por unidad de volumen deber ser igual a la suma algebraicade las dos ecuaciones anteriores:
p p o p 1 J p = ; p t q x
( 2-69)
Esta ecuacin anterior es conocida como ecuacin de continuidad. Igualmente se debe definir para el caso de electrones:
n n o n 1 J n = + ; t n q x
( 2-70)
Si se llama pno a la pequea concentracin de huecos generados trmicamente en el equilibrio y se sustituyen los valores de la densidad de corriente vistos anteriormente quedar:
p n p no p n ( pn E ) 2 pn = p + Dp ; p t x x 2
n p t = n po n p + n (n p E ) x + Dn 2n p x 2 ;
( 2-71)
( 2-72)
Primero, si se considera el caso especfico de una concentracin independiente de x y campo nulo:

p n p pn = no ; t p
( 2-73)
n p t
n po n p
( 2-74)
Segundo, cuando la concentracin es independiente del tiempo y campo nulo:
d 2 p n pn p no = L p = D p 2 dx 2 Lp d 2np dx
2
( 2-75)
n p n po Ln
2
Ln = Dn n
( 2-76)
El parmetro Lp se denomina longitud o distancia de difusin de los huecos y est relacionado con la constante de difusin Dp y con la vida media p. Se puede demostrar que Lp es tambin igual a la distancia media que recorre un hueco inyectado antes de recombinarse con un electrn. Por tanto, Lp es el recorrido medio libre de los huecos. Igualmente se define Ln para los electrones.
P (x) n
P' (0) n
-x/L p P (x) = P +P'(0)e n no
P' n (x)
P no
Distancia
Si se llama pno la concentracin de portadores minoritarios en el equilibrio trmico (lejos de la unin), se tendr que la concentracin inyectada o en exceso p'n ser p'n = pn - pno. La ecuacin diferencial para la concentracin de huecos inyectados ser:
d 2 p'n p' = n2 2 dx Lp
( 2-77)
Al difundirse los huecos en el lado n encontrarn abundancia de electrones y se recombinarn con ellos. Por tanto, pn(x) decrece con la distancia x en el material n. Integrando la ecuacin anterior, se puede decir que la densidad de huecos en exceso cae exponencialmente con x:
n' p ( x) = n' p (0)e
p'n ( x) = p 'n (0)e
x / Lp
= p n ( x) pno = n p ( x) n po
x / Ln
( 2-78)
Por lo tanto las densidades de corriente de difusin sern:

J p = qD p J n = qD n qD p p ' ( 0 ) x / L p dp n = e dx Lp = qD n n ' ( 0 ) x / L n e Ln
( 2-79)
dn p dx
Captulo 3
DIODO.
Un diodo de unin se forma cuando una regin tipo n en un cristal de Silicio es adyacente o linda con una regin tipo p en el mismo cristal. Dicha unin se puede formar, por ejemplo, al difundir impurezas aceptoras en el cristal de Silicio tipo n. Pudindose dar tambin la secuencia opuesta (difusin de donadores en el Silicio tipo p). La unin se caracteriza con frecuencia por cmo cambia el dopado del tipo n al tipo p cuando se cruza la unin. Se puede establecer la unin en escalera o abrupta. Un cambio ms gradual en la densidad de dopado dar lugar a la unin graduada linealmente. La unin se caracteriza tambin por las densidades relativas de dopado en cada cara de la unin. Si la densidad de aceptores en el lado de tipo p es muy grande en comparacin con la densidad de donadores en el lado de tipo n, la unin se denomina a veces una unin p+n. En cambio, si la densidad de donadores no es mucho mayor de ni en el ejemplo previo, la unin podra llamarse una unin p+n-.
3.1
Regin de carga espacial.
Debido a la existencia de un gradiente de concentracin a travs de la unin, los huecos se difunden hacia la derecha atravesando la unin y los electrones, hacia la izquierda. Se ve, pues, que los huecos que neutralizaban los iones aceptadores en las proximidades de la unin en el Silicio tipo p, han desaparecido como resultado de la combinacin con los electrones que se han difundido a travs de la unin. De forma parecida, los electrones neutralizantes del Silicio tipo n se combinan con los huecos que atraviesan la unin desde el material tipo p. Los iones no neutralizados en las cercanas de la unin se conocen con el nombre de cargas descubiertas. La forma general de la densidad de carga depende de la forma en que el diodo est drogado. Como la regin de la unin no contiene cargas mviles, se denomina regin de desviacin, de carga espacial o de transicin. La anchura de esta regin es del orden de la longitud de onda de la luz visible (0.5 micras = 0.5 m). En el interior de esta sumamente estrecha franja de carga espacial no existen portadores mviles. A la izquierda de esta regin, la concentracin de portadores es de pNA y a la derecha es de nND.
3.1.1 Potencial elctrico.

La densidad de carga espacial es cero en la unin, a la derecha es positiva y a la izquierda negativa. Esta distribucin constituye una capa elctrica dipolar, que tiene lneas de flujo de derecha a izquierda y que corresponde a una intensidad de campo negativa E. El equilibrio se establece cuando el campo es lo suficientemente fuerte como para contrarrestar el proceso de difusin. Planteando alternativamente, en las condiciones de equilibrio la corriente de desplazamiento de huecos (electrones)
Martnez Bernia y Asoc.
deber ser igual y opuesta a la corriente de difusin de los huecos (electrones), de tal manera que el total de la corriente de huecos (electrones) se reduce a cero como debe ser en un sistema en circuito abierto. En otras palabras, no hay un estado de movimiento permanente de cargas en la unin.
Figura 3-1. La curva de intensidad de campo es proporcional a la integral de la curva de la densidad de carga. Esta condicin se deduce de la ecuacin de Poisson:
d 2V = 2 dx
( 3-1)
en la que es la permitividad. Si r es la constante dielctrica relativa y o es la permitividad en el vaco entonces = ro. Integrando la ecuacin anterior y recordando que E = -dV/dx, se tiene:
E=
en la que E = 0 a x = -wp.
wp
dx
( 3-2)
La variacin del potencial electrosttico en la regin de transicin es la integral negativa de la funcin E. Esta variacin constituye una barrera de energa potencial opuesta a la prosecucin de la difusin de huecos a travs de la barrera. Es similar a la que aparece contra la fluencia de electrones pero invertida ya que la carga de los electrones es negativa. Aparece, en la zona de transicin, el potencial de contacto Vo. En resumen, en un circuito abierto, la corriente total de huecos debe ser cero. Si esta condicin no fuese cierta, la densidad de huecos en un extremo del semiconductor debera seguir creciendo indefinidamente con el tiempo, lo cual es, desde luego, fsicamente imposible. Puesto que la
Captulo 3. Diodo. 3
concentracin de huecos en el lado p es mucho mayor que en el lado n, una gran corriente de difusin de huecos tiende a atravesar la unin desde el material tipo p al n. Como aparece un campo elctrico en la unin, hay una corriente de desplazamiento de huecos del lado N al P que equilibra la situacin. Esta condicin de equilibrio permite calcular la altura de la barrera de potencial Vo en funcin de las concentraciones de donadores y aceptadores. El valor nmerico de Vo es de un orden de magnitud de unas pocas dcimas de voltio.
3.2
La unin PN como diodo rectificador.
La caracterstica esencial de una unin pn es la de que constituye un rectificador que permite un flujo fcil de cargas en una direccin, pero se opone a la circulacin en direccin opuesta.
3.2.1 Polarizacin inversa.

Si se conecta una batera, se dice que la unin pn est polarizada en inversa cuando el terminal negativo de la batera se conecta al lado p de la unin y el positivo al lado n. La polaridad de la unin es tal que tiende a llevar los huecos del tipo p y los electrones del tipo n a alejarse de la unin. En consecuencia, la regin de densidad de cargas negativas se extiende hacia la derecha de la unin, y la regin de la densidad de las cargas positivas se desplaza hacia la izquierda. No obstante, este proceso no puede continuar indefinidamente, ya que para tener una afluencia de huecos hacia la izquierda, estos huecos deberan alimentarse de la regin tipo n del Silicio, y hay muy pocos huecos en el lado n. Por lo tanto, en principio resultar una corriente cero. Sin embargo, fluye una pequea corriente debida a los pocos pares de electrones huecos que se generan en el cristal como resultado de la energa trmica. Los huecos as formados en el Silicio de tipo n atraviesan la unin. Algo similar les ocurre a los electrones generados trmicamente en el Silicio tipo p. Esta pequea corriente, como se ver ms adelante, es la corriente inversa de saturacin del diodo y su valor se designa por Io. Esta corriente inversa del diodo aumentar a medida que crece la temperatura. Por lo tanto, se ve que Io es independiente de la tensin inversa aplicada.
Figura 3-2. Distribucin de cargas en diodo polarizado inversamente. El mecanismo de la conduccin en sentido inverso puede tambin describirse de la siguiente forma: cuando no se aplica tensin a un diodo pn, la barrera de potencial en la unin es la la de contacto qVo. Cuando el diodo se le aplica la tensin V con la polaridad sealada la altura de la barrera de potencial aumenta hasta un valor de qV. Este incremento reduce el vaco de los portadores mayoritarios. No obstante, como los portadores minoritarios estn por debajo de la altura de la barrera de potencial, no son afectados en absoluto por este incremento de la barrera. A la tensin aplicada en el sentido indicado se le denomina polarizacin inversa o de bloqueo.
3.2.2 Polarizacin directa.

Si ahora se aplica el terminal negativo de la batera al lado n de la unin y el positivo al lado p estamos ante la polarizacin directa. En un diodo ideal pn, la cada hmica de tensin en el cristal es nula. Al aplicar una tensin directa V al diodo, se reducir la barrera de potencial en la unin. Por lo tanto, con polarizacin directa, los huecos atravesarn la unin desde la regin tipo p hasta la tipo n, lo que constituir un inyeccin de portadores minoritarios. De forma similar, los electrones atraviesan la unin en sentido inverso y se transforman en una corriente minoritaria inyectada hacia el lado p. Los huecos que circulan de izquierda a derecha constituyen una corriente en la misma direccin que los
electrones que se mueven de derecha a izquierda. Por lo tanto, la corriente resultante que atraviesa la unin es la suma de la corriente de los huecos y de los electrones minoritarios.
Figura 3-3. Distribucin de cargas en diodo polarizado directamente.
3.3
Las corrientes en un diodo PN.
Ya se ha visto que cuando se polariza un diodo de manera directa se inyectan huecos en el lado n y electrones en el p. En este apartado se va a considerar una inyeccin a bajo nivel, de tal forma que la corriente de minoritarios sea debida exclusivamente al fenmeno de difusin, despreciando por tanto la corriente de desplazamiento de minoritarios.
Corrien t e
Reg in de transicin Corriente total,
I I nn , corri ente de electrones
I pp , corri ente de huecos
I np , corri ente de difusin

de e lectrones
pn , corri ente de difusin de h uuecos
Reg in p
Reg in n
Dis ta nc ia
Figura 3-4. As la corriente minoritaria huecos en la unin (x=0) ser:
I pn (0) =
AqD p Lp
[ pn (0) pno ]
( 3-3)
Adems, en estas condiciones de polarizacin directa, se puede aplicar la ecuacin de Boltzmann. Si se llama pno la concentracin de portadores minoritarios en el equilibrio trmico (lejos de la unin) y la tensin externa aplicada es V. Se puede establecer la siguiente ley de la unin:
p (0) = p e n no V /V T
( 3-4)
Sustituyendo la ecuacin anterior en la ecuacin de la corriente quedar:
I pn (0) =
AqD p p no V / VT 1 e Lp
( 3-5)
Igualmente ocurrir con la corriente de electrones en el lado p.
Captulo 3. Diodo. 5
I np (0) =
AqDn n po V / VT 1 e Ln
( 3-6)
Los electrones que atraviesan la unin en x=0 de derecha a izquierda, constrituyen una corriente en la misma direccin que los huecos que la atraviesan de izquierda a derecha. Por lo tanto la corriente total ser la suma de las dos anteriores: AqDn n po AqD p pno I = I pn (0 ) + I np (0 ) = + Ln Lp V / V V / VT T e 1 ( 3-7) 1 = I o e
3.4
Caractersticas tensin corriente.
En el estudio de componentes se pueden diferenciar dos tipos de caractersticas: las caractersticas estticas (en las que se ve la interrelacin de las magnitudes implicadas) y las caractersticas dinmicas (en las que se estudia la variacin de una magnitud en funcin del tiempo, ante un determinado estmulo). El diodo es un dipolo pasivo en el cual la diferencia de potencial entre sus bornes y la corriente que lo atraviesa estn ligados por la ecuacin:
I = I o (eV
VT
1)
( 3-8)
Este dipolo es disipativo, absorbe siempre potencia ya que V e I son siempre del mismo signo. El diodo est polarizado en sentido directo si V es positiva, indicando que el lado p de la unin es positivo con respecto al n. En este caso tendremos un valor positivo de I, o sea que la corriente circular del lado p al lado n. La constante experimental es conocida como el coeficiente de emisin, vale la unidad para el Ge y aproximadamente 2 para el Silicio, con corrientes moderadas. El coeficiente VT es el potencial trmico y viene dado por la ecuacin:
VT =
kT T = 25.8mV q 11600
( 3-9)
Donde q es la carga del electrn, k es la constante de Boltzmann en J/K y T la temperatura absoluta. Se denomina caracterstica esttica del diodo a la representacin grfica de la curva V = f (I). Esta caracterstica no es lineal y pone en evidencia el comportamiento unidireccional del dispositivo.
Figura 3-5. Caracterstica del diodo I-V. En la caracterstica directa de un diodo semiconductor se pueden apreciar 3 zonas netamente diferenciadas:
1. La zona inferior a la tensin de umbral (V0) corresponde a una zona de la caracterstica en la cual
los valores de la corriente son muy pequeos (por ejemplo inferiores al 1% de la corriente nominal del diodo) y casi despreciables. Por debajo de esta tensin el diodo no acta realmente como elemento unidireccional. Los diodos disponibles en el mercado son de Ge o de Si. Ambos diodos son comparables en cuanto a sus corrientes, pero V0 es aproximadamente 0.2V para el Ge y 0.6V para el Silicio. podemos aproximar:
2. Por encima de la tensin de umbral, la corriente crece rpidamente segn una exponencial que I = I o eV
VT
1 I o eV
VT
( 3-10)
3. Cuando la corriente directa a travs del diodo es importante, ya no es posible despreciar la cada de
tensin hmica en las regiones p y n as como en los accesorios conductores (contraelectrodos, shunts, terminales) del dispositivo. Cuando estas cadas de tensin hmicas son preponderantes, la caracterstica se confunde con una recta.
En cuanto V alcanza un valor de varias dcimas negativas de voltio, entramos en la caracterstica inversa del diodo.
I = I o eV
VT
1 I o
( 3-11)
La corriente inversa es pues muy pequea con relacin a la corriente directa. Sin embargo, el diodo puede soportar en polarizacin inversa una elevada tensin inversa. El lmite de dicha tensin es la llamada tensin de perforacin, que segn los diodos puede variar de varias centenas a varios miles de voltios. La expresin "perforacin" debe tomarse en sentido figurado ya que el fenmeno que se produce no es forzosamente destructivo, si lo ser cuando las potencias en juego viii alcanzan valores superiores a los admisibles en la unin.
3.5
Resistencia del diodo.
La resistencia esttica R de un diodo se define como la relacin entre la tensin y la corriente V/I. En un punto cualquiera de la caracterstica i-v del diodo, la resistencia R es igual a la inversa de la pendiente de la lnea que une el punto de funcionamiento con el origen. La resistencia esttica vara extraordinariamente con V e I y no es til su empleo como parmetro. Las propiedades de rectificacin de un diodo se indican en el catlogo o especificaciones tcnicas del fabricante, dando la tensin directa necesaria VF para tener una corriente directa dada IF, y tambin la corriente inversa IR a una tensin inversa dada VR. Los valores tpicos para un diodo de Silicio son VF = 0.8 V, a IF=10 mA (que corresponde a una RF=80 ) e IR=0.05 A, a VR=50 V (correspondiente a RR = 1000 M). Para el funcionamiento con pequeas seales, la resistencia dinmica, o incremental r, es un parmetro importante y se define como la inversa de la pendiente de la caracterstica i-v r dV/dI. La resistencia dinmica no es una constante, sino que depende de la tensin de trabajo. Por ejemplo, para un diodo semiconductor resulta que la conductancia dinmica g 1/r es:
dI I o eV VT I + I o g = = VT VT dV
( 3-12)
Para una polarizacin inversa superior a unas dcimas de voltio (para queV/VT >> 1), g es extremadamente pequeo y r muy grande. Por otra parte, para una polarizacin directa superior a unas dcimas de voltio I >> Io, y r viene dada aproximadamente por:
VT I
( 3-13)
Captulo 3. Diodo. 7
La resistencia dinmica vara inversamente con la corriente: a la temperatura ambiente y para = 2, r = 52/I, donde I se expresa en miliamperios y r en ohm. Para una corriente directa de 52 mA, la resistencia dinmica es de 1 ohm. La resistencia hmica del cuerpo del semiconductor puede ser del mismo orden de magnitud o a veces mucho mayor. Aunque r vare con la corriente, en un modelo para pequea seal es razonable emplear el parmetro como constante.
3.6
Polarizacin y recta de carga.
En general polarizar un dispositivo, es llevarlo a su punto de funcionamiento esttico. En el caso de un dipolo, como puede ser un diodo, este punto estar caracterizado por los valores de la tensin-corriente. La representacin grfica de la ecuacin del circuito es conocida como recta de carga. Esta ecuacin del circuito es insuficiente para determinar las dos incgnitas VD e I. Por tanto, una segunda relacin de estas dos variables se encuentra en la ecuacin del diodo. La interseccin de ambas determinar el punto de trabajo y los valores VD e I. V a) I = R VD =0 b) VD = (V )I =0
VD
I
I R VR
VD
3.6.1 Ejemplo
Determinar si conduce o no corriente el diodo del circuito anterior siendo V=10V., y R=1k. Cul es la tensin entre los extremos del diodo, la corriente que pasa a travs de l y VR ? Solucin Representando la recta de carga en la curva caracterstica del diodo, se obtiene el punto de trabajo(Q): VD=0.78V; ID=9.25mA
I
10mA 9.25mA (0.78V, 9.25mA)
0.78V
10V
VR= IDR= 0.009251000= 9.25 V ! VR=9.25V Si observamos el potencial del diodo VD>0.7 que es normalmente el voltaje de codo a partir del cual el diodo permite el paso de corriente. Por lo tanto: s conduce corriente el diodo.
3.7
Dependencia de la temperatura.
La funcin i-v contiene implcita la temperatura en los smbolos VT e Io. Tericamente, la variacin de Io respecto a T es de 8%/C para el Si y de 11%/C para el Ge. En los diodos comerciales, estos valores son slo aproximados. La razn de esta discrepancia es que, en un diodo fsico, existen componentes de la corriente inversa de saturacin que son debidas a las fugas por la superficie. Se ha observado experimentalmente que la corriente inversa de saturacin crece aproximadamente un 7%/C, tanto en el Si como en el Ge. Ya que 1.0710 2.0, deducimos que la corriente inversa de saturacin se duplica aproximadamente por cada 10C de aumento de temperatura. Si Io = Io1 a T = T1, cuando la temperatura es T, Io viene dado por:
I o (T ) = I o1 2(T T1 ) /10
( 3-14)
Si la temperatura aumenta mantenindose la tensin, la corriente aumenta, pero si ahora se reduce V, I puede volver a su valor primitivo. Tanto para el Si como para el Ge (a la temperatura ambiente) se tiene:
dV 2.5mV / C dT
( 3-15)
para mantener un valor constante de I. Se debe observar que dV/dT disminuye cuando aumenta la temperatura.
3.8
Capacidad de transicin.
Cuando el diodo de unin es sometido a una polarizacin inversa, los portadores mayoritarios se alejan de la unin aumentando la zona en la que existen cargas fijas no compensadas (iones positivos de tomos dadores en el lado n e iones negativos de tomos aceptadores en el lado p). De ah que el grueso de la capa espacial aumente con la tensin inversa. La capacidad de transicin se puede definir como:
CT =
dQ dV
( 3-16)
Captulo 3. Diodo. 9
Vd
Densidad de carga,
N p -W p -Np 0 Wn N A >> N D x
Intensidad de campo, W W p 0 W x n
=
W p << W
Potencial, V
Vj
Donde dQ es el incremento en la carga provocado por el cambio de tensin dV. Se desprende de ello que un cambio de la tensin dV en un tiempo dt da como resultado una corriente que viene dada por:
i = CT
dV dt
( 3-17)
Por tanto, es importante conocer CT cuando se considera un diodo como elemento de un circuito. El valor de CT no es constante, sino que depende de la tensin inversa. Consideremos una unin PN en la que hay un cambio abrupto de iones aceptadores en uno de los lados de la unin, o iones donadores en el otro. No es necesario que la concentracin de iones aceptadores NA sea igual a la concentracin de impurezas donadoras ND. En la prctica, se obtienen ventajas con una unin asimtrica. Puesto que la carga neta total debe ser cero, entonces:
N AW p = N DWn
( 3-18)
Si NA >> ND, entonces Wp << Wn W. La relacin entre el potencial y la densidad de carga viene dada por:
qN d 2V = D 2 dx
( 3-19)
Las lneas de campo elctrico parten de iones donadores positivos y terminan en los iones aceptadores negativos. Por lo tanto, no hay lneas de campo a la derecha del lmite x=Wn, E=-V/dx=0 en x = Wn W. Integrando la ecuacin anterior sujeta a estas condiciones lmite, se tiene:
qN dV = D (x W ) = E dx E
Para x = 0, el valor mximo ser:
E max = qN D W ;
( 3-20)
( 3-21)
Despreciando la pequea diferencia de potencial en Wp, podemos escoger arbitrariamente V=0 a x=0. Integrando la ecuacin anterior de acuerdo con estas condiciones, se obtiene:
V =
qN D 2 x 2Wx 2
( 3-22)
Para x = W, V = Vj = potencial de unin o barrera, siendo:
Vj =
qN DW 2 2
( 3-23)
En esta seccin se ha empleado el smbolo V para representar el potencial a cualquier distancia de la unin. As, se utilizar Vd para la tensin exterior aplicada al diodo. Como la barrera de potencial representa una tensin inversa, queda disminuida por la tensin directa aplicada y, por tanto:
V j = Vo Vd
( 3-24)
en que Vd es un nmero negativo para una polarizacin inversa y Vo es el potencial de contacto. Se ve que W vara de la manera siguiente:
W=
2 (Vo Vd ) 2Vo Vd 1 = qN D qN D Vo # " !

Wo
Vd = Wo 1 V o
( 3-25)
Con lo que adems: E max = qN DW o V V 2V 1 d = o 1 d Vo Wo Vo ( 3-26)
Si A es el rea de la unin, la carga en funcin de la distancia W ser:
Q = qN DWA
La capacidad de transicin CT viene dada por:
( 3-27)
CT =
dQ dW = qN D A dVd dV j
( 3-28)
Como: dW/dVj = /qNDW y, por tanto:
CT =
A W
( 3-29)
Captulo 3. Diodo. 11
Es interesante observar que esta frmula es exactamente la expresin de la capacidad de un condensador plano de placas de rea A (metros cuadrados) y separacin entre placas de W (metros) con un dielctrico de permitividad del semiconductor . Si no se desprecia la concentracin NA, los resultados anteriores slo se modifican ligeramente. W representa la anchura total de la zona de carga espacial y 1/ND queda reemplazada por 1/NA + 1/ND.
3.9
Capacidad de difusin.
Para simplificar el razonamiento se supondr que uno de los lados del diodo, por ejemplo el material p, est tanto ms dopado que el n que toda la corriente I que atraviesa la unin sea debida a los huecos que pasan del lado p al n, o sea, que I = Ip(0). Como ya se sabe:
I p (x ) = AqD p
dpn AqD p p'n (0 ) x / L p = e dx Lp
( 3-30)
La corriente de huecos I viene dada por Ip(x) para x = 0, o sea:
I=
AqD p p ' (0 ) Lp
( 3-31)
El exceso de carga minoritaria Q existe slo en el lado n y viene dada por:
Q = Aqp' (0 )e
0
x / Lp
dx = AqL p p ' (0 )
( 3-32)
Eliminando p'(0) de las ecuaciones anteriores resulta:
I=
( 3-33)
Esta relacin es conocida como descripcin del control de la carga de un diodo y puntualiza que la corriente de un diodo (consistente en huecos que cruzan la unin desde el lado p al n) es proporcional a la carga Q de exceso de portadores minoritarios almacenada. El factor de proporcionalidad es la inversa de la constante de tiempo (tiempo de vida media ) de los portadores minoritarios. En consecuencia, en estado de equilibrio, la corriente I suministra portadores minoritarios al mismos ritmo en que desaparecen debido al proceso de recombinacin.
Concentracin
p (0) n-tipo p Pn P n0 0
Co nc en tra cin
n
p-tipo n
p- tip o
n- tip o
p (0)
p n0 n p
0
n p
np
np
x=0
x= 0
Cuando se polariza directamente un diodo semiconductor, aparece una capacidad mucho mayor que la capacidad de transicin CT. El origen de esta gran capacidad reside en el almacenamiento de cargas inyectadas cerca de la unin, fuera de la regin de transicin. Es conveniente introducir una capacidad incremental, definida como la relacin entre la variacin de la carga inyectada y la tensin aplicada, denominada capacidad de difusin o almacenamiento CD:
CD
dQ dI = = g = dV dV r
( 3-34)
donde g dI/dV es la conductancia incremental del diodo. Sustituyendo la expresin conocida de la resistencia incremental del diodo r=1/g, se tiene:
CD =
I VT
( 3-35)
Se ve que la capacidad de la difusin es proporcional a la corriente I. En la deduccin anterior hemos supuesto que la corriente del diodo I slo es debida a los huecos. Si no se cumple esta suposicin, la ecuacin dar la capacidad de difusin CDp debida nicamente a los huecos y se puede obtener una expresin similar para la capacidad de difusin CDn debida a los electrones. La capacidad de difusin total ser la suma de CDp y CDn. Con polarizacin inversa, g es muy pequea y CD puede despreciarse comparada con CT A pesar del elevado valor de CD, la constante de tiempo rCD (que es la importante en los circuitos de aplicacin) puede no ser excesiva, ya que la resistencia dinmica directa r = 1 / g es pequea. Se puede obtener:
rC D =
( 3-36)
Por lo tanto, la constante de tiempo del diodo es igual a la vida media de los portadores minoritarios, que suele variar desde los nanosegundos a cientos de microsegundos.
3.10 Perforacin del diodo.

La perforacin puede obedecer a dos procesos diferentes: Perforacin por avalancha. Si un electrn libre con la suficiente energa cintica choca con un tomo de Silicio, puede romper el enlace covalente y liberar un electrn del enlace. Si la energa cintica se alcanza por un campo elctrico aplicado, tal como tensiones inversas aplicadas a travs de la capa de la carga espacial, la liberacin del electrn del enlace se denomina ionizacin por impacto. Este proceso es importante ya que el electrn liberado nuevamente puede ganar suficiente energa del campo aplicado para romper un enlace covalente cuando choca con un tomo de Silicio liberando as un electrn adicional. Este proceso puede dar lugar a una reaccin en cadena muy rpidamente de forma que se produzca un gran nmero de electrones libres y, de este modo, una gran corriente. Si ocurre esto, se dice que la unin est en ruptura por avalancha y la disipacin de energa (el producto de la gran tensin aplicada y la gran corriente de avalancha) destruir el dispositivo a menos que la tensin aplicada se reduzca por debajo del valor necesario para mantener la ruptura por avalancha muy rpidamente. Se necesita un valor prcticamente constante del campo elctrico, EBR, para producir una ionizacin por impacto apreciable de acuerdo con observaciones experimentales. Este valor se puede estimar a partir de un modelo muy simple. La cantidad necesaria para romper un enlace es la energa "gap" Eg, suponiendo que toda la energa cintica del electrn libre fortuito se transfiriera al enlace roto y que los electrones liberados y fortuitos tuvieran una pequea energa cintica despus de la colisin. Si ahora se supone que estos electrones empiezan a descansar y se aceleran mediante el campo elctrico hasta sus prximas colisiones y que el tiempo entre colisiones es tc, entonces el valor de EBR por ionizacin por impacto es:
1 2 1 qE mv = m tc = E g 2 2 m E= 2E g m q 2 t c2
( 3-38)
( 3-37)
En esta ecuacin m es la masa del electrn (alrededor de 10-27 g) y q es la carga del electrn. El tiempo medio entre colisiones de los electrones con el ltice es del orden de 10-12 a 10-14 s. Tomando un valor intermedio de 10-13 s para el Silicio y usndolo en la ecuacin anterior se obtiene un valor aproximado para EBR de 300000 V/cm. Esta estimacin es sorprendentemente cercana al valor experimental de 200000 V/cm determinado para mediciones de la ruptura por avalancha en dispositivos de potencia. Para conocer la tensin inversa de ruptura se pueden recordar las ecuaciones empleadas en la obtencin de la capacidad de transicin, haciendo EBR=Emax y Vd= -VBR, quedar: E BR = W o E BR V BR = V o 2V o Haciendo algunas modificaciones: W o E BR Vo 2V o qN DW o W o 1 E BR = 2 qN DW o E BR = 2 qN V BR D 2
2 2
V 2V o 1 + BR Wo Vo
2
( 3-39)
W o E BR 2V Vo Vo o
( 3-40)
( 3-41)
Perforacin por efecto zener. An cuando los portadores asequibles inicialmente no adquieran suficiente energa para romper los enlaces, se puede iniciar la avalancha por ruptura directa de los enlaces. Al polarizar el diodo en inverso, la elevacin de la barrera de potencial da lugar a un campo elctrico en la zona de deplexin. Debido a la existencia de dicho campo, cabe que ste ejerza una fuerza suficientemente elevada sobre un electrn, de tal manera que se rompa su enlace covalente apareciendo pares electrn-hueco distintos de los de origen trmico. Debido a la creacin de estos portadores la corriente inversa aumenta rpidamente; sin embargo, la tensin VBR permanece casi constante. Ntese que este proceso no implica la colisin de portadores contra los iones del cristal.
En la prctica, cuando la tensin en bornes de un diodo polarizado en inverso llega al valor VBR el proceso que aparece puede participar de ambos fenmenos. De todos modos, el efecto sobre el diodo depende enormemente de las caractersticas del circuito, as como de la duracin del mismo. El hecho de que un diodo quede destruido por sobrepaso de VBR depende de la duracin del mismo y de la energa puesta en juego.
3.11 Circuito equivalente del diodo.

La aproximacin lineal para grandes seales proporciona a menudo soluciones suficientemente satisfactorias para la mayor parte de aplicaciones en ingeniera electrnica. Por ejemplo, una aproximacin lineal para la caracterstica de un diodo semiconductor sera la indicada en la figura siguiente. El punto de rotura umbral o partida no es el origen, sino V. El diodo se comporta como un circuito abierto para V < V y con una resistencia incremental constante r=dV/dI si V>V. Obsrvese que la resistencia r (tambin designada por Rf y denominada resistencia directa) tiene un significado fsico incluso para este modelo de gran seal, mientras que la resistencia esttica RF =V/I no es constante y por lo tanto resulta poco til. Esta representacin tiene la ventaja de que es posible escribir la ecuacin de la caracterstica directa de la forma: Vd = Vo + I d . Si la polarizacin es inversa el circuito equivalente sera una resistencia de valor elevado que impedira el paso de corriente.
Figura 3-6. Circuitos equivalentes en polarizacin directa a), e inversa b). En c) se muestra la caracterstica considerando estas equivalencias. Los valores numricos V y Rf dependen del tipo de diodo y de los valores de la tensin corriente. Por ejemplo, se puede encontrar que, para una variacin de corriente desde el corte hasta los 10 mA en un diodo de Ge, los valores adecuados son V = 0.2 V y Rf = 20 , y para los diodos de Silicio, V = 0.65 V, Rf= 5.5 . Para un diodo de avalancha, V = VZ y Rf es la resistencia dinmica en la regin de avalancha. Para finalizar, cuando se quiera incorporar el comportamiento dinmico del diodo, habr que incluir en paralelo con el circuito anterior las capacidades de difusin y transicin.
3.11.1 Ejemplo 1
Obtener los resultados pedidos en el ejemplo anterior, pero considerando ahora el modelo equivalente aproximado del diodo. Solucin: La recta de carga se ha redibujado en la figura siguiente, con las mismas intersecciones que en el problema anterior. En este caso el punto Q ser: VD0=0.7V; ID0=9.25mA Se puede observar de los resultados obtenidos que ID es el mismo que en el caso anterior, utilizndose una curva que es de caractersticas ms fciles que la del problema anterior, mientras que si comparamos VD=0.7V con 0.78V(del problema anterior), el orden es de magnitud diferente en el orden de las centsimas. En resumen, considerando el modelo equivalente del diodo obtenemos soluciones bastante parecidas que utilizando la grfica de caractersticas del diodo.
I p (mA)
Punto Q
Recta de carga
0.7V
Id
V DQ=0.7V
VD
3.11.2 Ejemplo 2
Para la configuracin de diodos en serie de la siguiente figura determinar VD, VR, ID
VD
IR
ID
Si
8V
22 k
VR
Solucin: Como la tensin aplicada establece una corriente en la direccin de las manecillas del reloj VD=0.7V por tratarse del silicio VR=E VT=8V 0.7 V=7.3V!VR=7.3V ID=IR=VR/R=7.3V/2.2k=3.32mA!ID=3.32mA
3.11.3 Ejemplo 3
Realizar el problema anterior pero en este caso con el diodo invertido Solucin: En este caso la direccin de la intensidad es opuesta a la flecha en el smbolo del diodo por lo tanto el equivalente del diodo ser un circuito abierto.
ID = 0 A VD IR = 0 A
8V
22 k
VR
ID=IR=0A al ser circuito abierto no circula intensidad VR=0 ya que VR=IRR Al aplicar la ley de la tensin de Kirchhoff alrededor de la malla cerrada: E-VD-VR=0!VD=E-VR=E-0=8V! VD=8V Lo que podemos hacer notar de este problema que en el circuito abierto la corriente es de 0A, pero que puede tener cualquier voltaje a travs de sus terminales.
3.11.4
Ejemplo 4
Determinar V0, ID para el siguiente circuito en serie.
Si 12 V ID
Ge
IR V0
5.6 K
Solucin: Como podemos observar en el circuito equivalente:

IR
ID
0.7 V
0.3 V
12 V
5.6 K
V0
La direccin de corriente tiene el misma direccin que los simbolos de las flechas de ambos diodos, donde en este caso sustituiremos por dos fuentes de tensin ya que E=12V>(0.7V + 0.3V)=1V La tensin resultante por la ley de mallas ser: V0=E 0.7V 0.3V=11V! V0=11V ID=IR=VR/R=V0/R=11V/5.6k =1.96mA! ID=1.96mA
3.11.5 Ejemplo 5
Obtener VA en el circuito de la figura, sabiendo que el diodo es ideal.
12 V
10 k
8 V
Solucin: Vamos a suponer primero en el caso de conduccin por lo tanto calcularemos primeramente el circuito cerrado como el siguiente
12 V
10 k
A C
VA iD
-8 V
3.11.6 Ejemplo 6
Determinar VB en el circuito de la figura, siendo un diodo ideal.
10 V
5 k
5 k
5 k
6 V
Solucin: Veremos como en el problema anterior primeramente si se puede sustituir el diodo ideal, de tal forma que el circuito est cerrado, es decir, de conduccin. Para ello nos interesar calcular la parte de la izquierda del circuito, a partir de Thevenin. Obtendremos el siguiente circuito:
2.5 k A iD C VC
5 k 5 V
6 V
Por ltimo tendremos que calcular iD, los clculos a realizar sern: 2.5k iD+5k iD=5V-6V! iD=-1mA/7.5mA! iD=-0.13mA Se puede observar que la intensidad obtenida es negativa, por lo que el diodo estar en polarizacin inversa. As, vemos que no estar en situacin de conduccin al contrario de lo que habamos supuesto. Vamos a realizar en el caso que el circuito este abierto, es decir, no conduccin. El circuito de abajo nos expone como quedara en este caso:

2.5 k
C VC
vD
5 k 5V
6V
Como circula corriente nula vA=5V y vC=6V !vD= vA -vC=-1V! vD=-1V Se puede observar que el diodo est polarizado en inversa al salirnos una vD negativa. El resultado que nos pide el problema, se observa claramente en el circuito que VC=6V
3.11.7 Ejemplo 7
Obtener Ii y VD2 para el circuito de la figura si Vi=5V suponiendo que el diodo es ideal
D1
Ii
5k
5V
2k
D2
VD2
Solucin: En este caso se puede observar que D1 conduce y que D2 no conduce. Esto supone que la resistencia de 5K estar cortocircuitada. Tendremos entonces es siguiente circuito:
0.7 V
5k
5V
2k
VD2
La corriente ser: 5V=2K ! I! I=2.5mA Como la intensidad es positiva sabemos con total certeza que la polarizacin ser directa como habamos supuesto. El voltaje entre los extremos del diodo D2 ser: VD2=2.5mA ! 2K =5V! V D2=5V
3.11.8 Ejemplo 8
Determinar V0, ID1, ID2 para la configuracin de los diodos de la figura
IT 0.3 3 k V0 ID1 ID2
10 V
D1
D2
Solucin: Para el voltaje aplicado, la presin de la fuente es para establecer una corriente a travs de cada diodo en la misma direccin que se muestra en al figura de abajo. Debido a que la direccin de la corriente resultante es igual a la de la flecha en cada smbolo del diodo, y que el voltaje aplicado es mayor que 0.7V, ambos diodos estn en estado encendido. El voltaje a travs de los elementos en paralelo es siempre el mismo y V0=0.7V porque se tratan de diodos de silicio. Su circuito equivalente ser:
0.3 5 k
10 V 0.7 V D2 D1 0.7 V
La corriente Ii=VR/R=(E VD) /R =(10V 0.7V)/0.33K =28.18mA! Ii=28.18mA Como los dos diodos son de caractersticas similares ID1=ID2=Ii/2=28.18mA/2=14.09mA! ID1=ID2=14.09mA Con este problema se puede ver claramente, el porque nos interesa poner los diodos en paralelo. La corriente nominal de los diodos es solo de 20mA, una corriente de 28.18mA daara el dispositivo si estuviera solo. Al colocar dos en paralelo la corriente est limitada aun valor seguro de 14.09mA.
3.12 Caractersticas dinmicas.

Si al cerrar un circuito el diodo queda polarizado en directo, se establece en l una circulacin de electrones junto con otra circulacin en sentido contrario de huecos. En cambio si la polarizacin resulta ser inversa no se establece ninguna circulacin de portadores significativa. Una vez anulada la polarizacin existente, los portadores en circulacin deben de volver a almacenarse, es decir, se debe restablecer la configuracin de cargas inicial correspondiente al punto origen de la caracterstica I-V. Pero si esto no es as, y las polarizaciones directas e inversas se suceden sin que haya tiempo suficiente para el almacenamiento de los portadores. El diodo no describir la curva I-V, y su funcionamiento se mostrar por las caractersticas dinmicas. Estas describen la evolucin en el tiempo de la tensin directa (c.d.t. en extremos del diodo) y la corriente que atraviesa el diodo. Consideremos la figura siguiente, si al circuito a) se le aplica la tensin de entrada en escaln b), la estructura interna del diodo pasar de polarizacin directa a inversa. La corriente y la tensin en extremos del diodo experimentarn una variacin como las mostradas en c) y d). En dichas representaciones se ve que el diodo no bloquea instantneamente la tensin VI inversa aplicada,
debido a la existencia de gran nmero de portadores en circulacin. Dichos portadores debern retroceder para alcanzar la situacin de equilibrio, establecindose una corriente de valor -VI/RL. Esta corriente se mantendr hasta que se alcance una configuracin de cargas sin polarizacin alguna y durante el tiempo denominado de almacenamiento ts, que depender del nmero de portadores en juego. Igualmente la cada de tensin en el diodo baja ligeramente y sigue siendo positiva debido a que la distribucin de portadores es la misma aunque su concentracin va disminuyendo durante el almacenamiento. Una vez transcurrido el tiempo de almacenamiento la corriente comienza a anularse por la ausencia de portadores y la c.d.t. directa comienza a invertirse hacia VI, llegar a este valor cuando la carga de transicin de la unin haya tomado el valor correspondiente a la tensin de alimentacin aplicada, este proceso transcurre durante el tiempo de transicin tt. Los fabricantes suelen proporcionar el tiempo conocido como tiempo inverso de recuperacin y es igual a trr=tt+ts que es el tiempo necesario para que el semiconductor recupere su total capacidad de bloqueo respecto a una tensin inversa, cuando pasa de polarizacin directa a inversa. Si se considera, que el valor mximo de la corriente inversa Irr no es constante durante todo el ts, como se muestra en la grfica c, sino que es una recta de pendiente negativa, se suele definir:
I rr t s
dir di t rr r dt dt
( 3-42)
As la carga de recuperacin inversa Qrr es la cantidad de portadores que fluyen en direccin inversa a travs del diodo. Esta ser igual a:
Qrr =
1 1 1 I rr ts + I rr tt = I rr trr ; 2 2 2 2Qrr I rr = ; trr di 2Qrr I rr = 2Qrr r dir dt dt
( 3-43)
trr t s trr
Igualmente se define trf tiempo de recuperacin directo tiempo necesario para alcanzar su estado de plena conduccin cuando pasa de polarizacin inversa a directa.
Figura 3-7. Caractersticas de conmutacin del diodo.
3.12.1 Ejemplo.
El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es trr = 3s y la velocidad de decremento o de reduccin de la corriente del diodo diF/dt = 30 A/s. Determinar: a) la carga de almacenamiento Qrr y b) la corriente inversa de pico Irr. a)
Qrr =
1 dir 2 t rr = 0.5 30 A 3 10 6 s 2 dt
= 135C
b)
I rr = 2Qrr
dir = 2 135 10 6 30 10 6 = 90 A. dt
3.13 Prdidas de potencia en el diodo.

De forma general todos los elementos conductores y dispositivos semiconductores son disipativos y pueden ser considerados como multidipolos. Siendo v1, v2, v3,....vn las tensiones instantneas de cada dipolo, e i1, i2, i3,....in las intensidades instantneas correspondientes a cada dipolo, el valor medio de la potencia perdida Pp durante un perodo T es: De forma general todos los elementos conductores y dispositivos semiconductores son disipativos y pueden ser considerados como multidipolos. Siendo v1, v2, v3,....vn las tensiones instantneas de cada dipolo, e i1, i2, i3, .... in las intensidades instantneas correspondientes a cada dipolo, el valor medio de la potencia perdida Pp durante un perodo T es:
1 n T Pp = vn in dt T n=1 0
( 3-44)
Es necesario conocer stas prdidas para realizar un anlisis de su evacuacin y de las temperaturas alcanzadas. Consideremos un cilindro conductor o semiconductor y admitamos que posee dos conductores de conexin a travs de los cuales pueden ser conectados un circuito exterior, por el que pasa una corriente i bajo una cada de tensin u. Supongamos que se encuentra trmicamente aislados, de un modo perfecto, por lo tanto no existe transmisin de calor al exterior ni por su superficie ni a travs de las conexiones elctricas. En estas condiciones toda la energa generada en su interior se emplea nicamente en elevar su temperatura, es lo que se conoce como proceso adiabtico. Transcurrido un tiempo t de circulacin de la corriente i, la energa disipada Wp en la parte activa:
W p = uit = P p t
Siendo Pp la potencia perdida.
( 3-45)
Esta energa se transforma ntegramente en calor y representa indistintamente la energa elctrica perdida en el cilindro considerado o la cantidad de calor generada en el mismo. Las prdidas que aparecen en un elemento semiconductor son de origen elctrico; son debidas a las cadas de tensin y a las corrientes; depende en parte de las caractersticas del elemento semiconductor. Para los semiconductores de potencia se pueden distinguir las siguientes prdidas, que dependen segn el modo de funcionamiento.
3.13.1 Prdidas en conduccin de corriente directa.

En rgimen permanente en la mayora de los casos la corriente circulante por un elemento semiconductor es peridica con un periodo T, as el valor medio de la prdida de potencia viene dado por:
Pc =
1 i F u F dt = I FAV u F T 0
( 3-46)
Normalmente slo las prdidas que aparecen durante la conduccin de corriente directa tienen una influencia sobre el elemento rectificador. Las otras prdidas son despreciables. Solamente se toman en consideracin las prdidas debidas a la conmutacin del estado de bloqueo al estado de conduccin y viceversa en el caso de convertidores estticos de conmutacin forzada, o si la frecuencia de cebado y descebado supera algunas centenas de Hz. Para el diodo o el tiristor el clculo de las prdidas durante la conduccin de corriente directa se puede simplificar reemplazando las caractersticas por la caracterstica aproximada con una resistencia diferencial Rf y una tensin de umbral UFS, correspondiendo con la recta:
u F = U FS + R f iF
donde uF es el valor instantneo de la tensin directa, en V; UFS es la tensin umbral, en V;
( 3-47)
iF es el valor instantneo de la corriente directa, en A. Los valores numricos para UFS y Rdif son dados por los fabricantes en las hojas de caractersticas. Las prdidas medias se obtienen en la relacin:
PF =
1 1 iF uF dt = iF (U FS + R f iF dt = T0 T0
2 = I FAVU FS + R f I ef
( 3-48)
Donde Im es la corriente media e Ief la corriente eficaz que recorre el elemento rectificador. Recordando las definiciones de valor medio, eficaz y factor de forma de una corriente peridica:
Im = 1 i ( t ) dt ;I ef = T 0 kf = I ef I FAV
T
1 i ( t ) dt ; T 0
( 3-49)
quedar :
2 PF = I FAV U FS + R f I ef = I m U FS + R f k 2 f I FAV
( 3-50)
Se pueden presentar varios casos tpicos: Onda rectangular de amplitud I y anchura 2 q .Circuitos rectificadores con carga puramente inductiva.
Im = I ef = kf =
Con lo que:
1 2 I I = 2 q q I 1 2 2 I = 2 q q q
( 3-51)
PF = I m U FS + R dif qI m
]
dif
( 3-52)
Onda sinusoidal unidireccional. Se estudiar el caso general:

PF
x = t
1 = 2
1 I F u F sen xdx + 2
2
I F sen
xdx =
x
( 3-53)
R dif I F IFuF x [ cos x ] x + 2 2
x 1 sen 2 x 2 4 x
Para algunos casos frecuentes:
IF
Figura 3-8 Caso monofsico. Monofsico simple alternancia.
= 0; = 1
PF
x = t
R dif I m I u 2 = m F 2+ = + I u R dif I m m F 2 2 4 2 IF IF Im = ; I ef = ;K f = ; 2 2
2
( 3-54)
Trifsico.
=
PF
x = t
ImuF 3
3 + R dif I m
1 5 ; = ; 6 6 2 3 + = I m u F + 3 . 11 R dif I m 3 3 4
( 3-55)
Im =
IF 3 ; I ef = 0 . 675 I F ; K 2
= 1 . 76 ;
Algunos fabricantes ofrecen la siguiente aproximacin genrica:

2 Pf = I m U FS + Rdif I ef
( 3-56) ( 3-57)
2 I ef
I
2 I ef
2 m
360 ; Para un pulso rectngular.
2 m
2 .5
180 ; Para sinusoidal unidireccional
( 3-58)
3.13.2 Prdidas en conmutacin de corriente directa.

Para frecuencias mayores de 100Hz se utilizan normalmente diodos rpidos, ultra rpidos y diodos schottky. En estos casos son ya significativas las prdidas en conmutacin, siendo despreciables las de puesta en conduccin, las del transitorio de bloqueo son las que hay que determinar. Para una pendiente dIF/dt y una corriente inversa IRM el fabricante proporciona la carga mxima de recuperacin QR. Conociendo la tensin inversa que va a soportar el diodo inmediatamente despus del bloqueo VR y la frecuencia de conmutacin las prdidas de potencia ser:
Ps = Q RVR f 3.14 Proteccin en los diodos.
( 3-59)
Los circuitos de proteccin son necesarios para minimizar las sobretensiones en los extremos del semiconductor. Estas son debidas al efecto combinado de la inductancia del transformador y de la capacidad de la unin del semiconductor en el tiempo de bloqueo, que produce un transitorio en tensin cuyo valor mximo puede superar su capacidad de bloqueo, llevndolo a la destruccin. Para su proteccin de acude a circuitos RC, normalmente en paralelo con el dispositivo, donde el condensador se elige aproximadamente cuatro o diez veces mayor que la capacidad de la unin.
Csnubber = 10 C j
( 3-60)
Algunos diseadores simplifican el diseo centrndose en el circuito con =RC Es usual elegir este tiempo como un tercio del tiempo de conmutacin:
3 Rsnubber C snubber = Tc = 1 f ; c Rsnubber 1 = ; 3 f c C snubber
( 3-61)
La energa disipada en el condensador y por tanto la que determina la potencia de la resistencia a elegir es:
1 1 2 2 WC = CU R = WR PR = CU R fc 2 2
Si no se conoce Cj, se puede aproximar:
( 3-62)
Cj =
Qrr 1 I rr trr = UR 2 UR
( 3-63)
3.15 Hojas caractersticas del diodo.

Al utilizar un semiconductor, el proyectista debe disponer de informacin suficiente para seleccionar, en funcin de las tensiones y corrientes reales del circuito, predeterminadas por clculo, el semiconductor ms adecuado. Los parmetros que caracterizan las posibilidades de utilizacin de un semiconductor se clasifican en dos grupos diferentes: Los lmites absolutos de utilizacin. Las magnitudes caractersticas o caractersticas de funcionamiento.
Los lmites absolutos de utilizacin son parmetros relacionados con la fatiga del componente y, en general, no pueden ser medidos por el usuario ya que su determinacin requiere un gran nmero de ensayos destructivos. Por el contrario, las caractersticas de funcionamiento se pueden medir en condiciones especificadas.
3.15.1 Lmites absolutos de utilizacin.

Tal como se ha dicho, son determinados por el fabricante a partir de un gran nmero de ensayos y tomando en consideracin la experiencia acumulada en ensayos precedentes y las leyes de clculo de probabilidades. El fabricante garantiza para todos los semiconductores de un tipo el valor de un parmetro determinado. Sin embargo, debido a la dispersin inevitable de los resultados de fabricacin, ciertos dispositivos del lote admitiran valores mucho ms elevados sin fatiga exagerada. La dispersin es ms importante para los semiconductores obtenidos por aleacin que para los fabricados por difusin. Ejemplo tpico de lmite absoluto de utilizacin es el valor mximo del par de apriete a aplicar para alojar el semiconductor en su radiador. Es evidente que para definir su valor ha de procederse a un gran nmero de ensayos destructivos, tomando despus un margen de seguridad razonable. Los lmites absolutos de utilizacin son definidos por las diferentes Normas. Sin embargo, el valor de ciertos parmetros depende mucho del circuito de medida utilizado y de las condiciones de medida. En algunos caso las definiciones no son comparables. Los principales lmites de utilizacin son: El valor mximo del par de apriete. Las diferentes tensiones que puede soportar el diodo. La intensidad de corriente admisible en rgimen permanente. El producto I2t. Los lmites de temperatura de utilizacin y de almacenamiento.
3.15.2 Magnitudes caractersticas.

Los parmetros de este grupo pueden ser medidos por el usuario que puede imponer una especificacin al fabricante. Para que estas caractersticas sean comparables deben precisarse las condiciones de medida: circuito utilizado, temperatura, etc. En general el fabricante no garantiza el valor de una magnitud caracterstica. Puede indicar valor mximo o mnimo en cuyo caso, garantiza dicho mximo o mnimo como valor lmite de la magnitud caracterstica. Si indica que se trata de un valor tpico quiere decirse que se trata de un valor obtenido en la mayora de los semiconductores de un lote pero que no est garantizado. Un valor tpico no es forzosamente un valor medio. La figura siguiente representa las caractersticas directa e inversa de un diodo de potencia y permite una representacin grfica condensada de los principales parmetros que se definen a continuacin.
I 2
F g t
I FSM I FRM
i (t) F
RSM V RRM VRWM 0 V

(T0)
VR
VF I = corriente directa F
= corriente directa de cresta repetitiva I FRM
v (t)
R
I FSM = corriente directa de cresta no repetitiva V R = tensin inversa
V RWM = tensin inversa de cresta de trabajo t V V 3 = tensin inversa de cresta repetitiva RRM = tensin inversa de cresta no RSM repetitiva. 4
Corrientes: IF (Forward current): Corriente directa. Es la corriente que circula a travs del diodo de potencia en el sentido de su menor resistencia. IFRM (Peak forward working current): Corriente directa de cresta repetitiva. Valor de cresta de la corriente directa incluyendo todas las corrientes transitorias repetitivas. IFRMS (RMS forward current): Valor eficaz de la corriente directa. Valor eficaz de dicha corriente sobre un perodo completo. IFAV (Mean forward current): Valor medio de la corriente directa. Valor medio de dicha corriente integrado sobre un perodo completo. IOV (Overload forward current): Corriente directa de sobrecarga. Es una corriente directa cuya forma es sensiblemente la misma que la de la corriente normal pero de amplitud ms elevada. Se considera como "normal" la que circula a travs del dispositivo en rgimen permanente. IFSM (Surge forward current): Corriente impulsional de cresta no repetitiva. Valor de cresta de un impulso de corriente de corta duracin o de forma especificada. iF (Forward current (instantaneous value)): Valor instantneo de la corriente directa. IFWM (Peak forward working current): Valor de cresta de trabajo de la corriente directa. Es el valor de cresta de la corriente directa excluyendo todos los fenmenos transitorios. IFRM (Repetitive peak forward current): Valor de cresta repetitivo de la corriente directa. Valor de cresta de la corriente directa incluyendo fenmenos transitorios debidos a la conmutacin en el circuito, descarga de condensadores, etc. I2t: I cuadrado t. Es el contenido medido en A2s de un nico impulso de corriente directa no repetitivo. El valor nominal de I2tmx. impone un lmite superior al valor de A2s de una semionda
sinusoidal de corriente directa de duracin especificada (10 ms o menos); las condiciones de definicin de este impulso son las mismas que las establecidas para IFSM mx. I2t1/2: (I cuadrado raz de t). Trmino de creacin reciente que describe un parmetro ms adecuado que el I2t para la coordinacin de protecciones entre semiconductores y fusibles de accin ultrarpida. dif/dt (Rate of fall of the forward current (diode)): Gradiente de decrecimiento de la corriente directa. Valor ms elevado del gradiente de disminucin de la corriente directa que un diodo de potencia puede experimentar durante un ensayo o para la definicin de un parmetro determinado. IR (Reverse current): Corriente inversa. Corriente continua que atraviesa el dispositivo en la direccin de mayor resistencia, tal como aparece en la caracterstica esttica inversa. IRM (Peak reverse recovery current): Corriente inversa de cresta. Valor mximo o de cresta de la corriente inversa. IRRM (Peak reverse recovery current): Corriente inversa de cresta repetitiva. Valor de cresta de la corriente inversa que circula a travs del diodo de potencia en la direccin de su ms elevada resistencia cuando se le aplica la tensin inversa de cresta repetitiva. IRSM (Maximum permissible non-repetitive peak reverse current (avalanche diodes): Corriente inversa de cresta no repetitiva. Valor de cresta de la corriente inversa a travs del diodo de potencia cuando se le aplica la tensin inversa de cresta no repetitiva. Tensiones: V(BR)R (Avalanche breakdown voltage): Tensin inversa de perforacin. Nivel de tensin inversa, a una temperatura determinada de la unin, para el cual con un diodo de avalancha controlada, aparece la corriente de avalancha. El semiconductor puede no sufrir daos si la potencia disipada en inverso es conservada dentro de los lmites admisibles. VR (Continous reverse voltage): Tensin inversa continua. Valor de la tensin continua inversa tal como aparece en la caracterstica esttica inversa del diodo de potencia. Un diodo de avalancha controlada no debe perforarse cuando est sometido a la tensin inversa mxima admisible VR mx.. VRWM (Crest working reverse voltage): Tensin inversa de cresta de trabajo. Es el valor instantneo ms elevado de tensin inversa aplicada al diodo de potencia excluyendo las tensiones de tipo transitorio repetitivas y no repetitivas. Un diodo de avalancha controlada no debe perforarse cuando est sometido a la tensin inversa mxima admisible VRWM mx.. VRRM (Repetitive peak reverse voltage): Tensin inversa de cresta repetitiva. Es el valor instantneo ms elevado de la tensin inversa aplicada al diodo de potencia incluyendo todas las tensiones de tipo transitorio repetitivas pero excluyendo las no repetitivas. VRSM (Non-repetitive peak reverse voltage): Tensin inversa de cresta no repetitiva. Es el valor instantneo de las tensiones inversas de tipo transitorio aplicadas al diodo de potencia pero no repetitivas. VF (Continous forward voltage): Cada de tensin directa. Es la tensin continua entre terminales del diodo que resulta como consecuencia de la circulacin de corriente en el sentido directo a travs del mismo a una temperatura de la unin especificada. VFM: Cada de tensin directa de cresta. Es el valor instantneo ms elevado de la cada de tensin directa. VFAV: Cada de tensin directa (valor medio). Es el valor medio durante un ciclo completo de la cada de tensin directa.
V(TO) (Threshold voltage): Tensin de umbral. Es el valor de la tensin obtenido en la interseccin del eje de abscisas y la recta que representa aproximadamente la caracterstica directa del diodo de potencia. rT (On-state slope resistance, forward slope resistance): Resistencia diferencial. Es el valor de la resistencia calculado a partir de la pendiente de la recta usada para la obtencin de la tensin de umbral. Puede definirse como la derivada de la caracterstica VF = f(IF) para el punto IFAV mx.. PFAV(mx.) (Mean forward power dissipation): Valor medio mximo de las prdidas de potencia directas. Valor medio de la potenica disipada en el diodo de potencia con la cada de tensin directa mxima, un ngulo de conduccin y una forma de onda especificadas. Conmutacin:
tfr (Forward recovery time): Tiempo de recuperacin directo. Intervalo de tiempo, bajo determinadas condiciones de circuito y forma de onda de tensin, necesario para que el dispositivo semiconductor alcance su estado de plena conduccin cuando pasa de polarizacin inversa a polarizacin directa. trr (Reverse recovery time): Tiempo de recuperacin inverso. Intervalo de tiempo bajo determinadas condiciones de circuito y forma de onda de tensin, necesario para que el dispositivo semiconductor recupere su total capacidad de bloqueo respecto a una tensin inversa, cuando pasa de polarizacin directa a inversa. Puede definirse igualmente como el tiempo requerido para que la corriente inversa alcance un valor especificado despus del paso o conmutacin desde unas condiciones especificadas de corriente directa a unas condiciones definidas de polarizacin inversa. Este tiempo depende del valor de cresta de la corriente conmutada, de su gradiente de disminucin de esta corriente y de las condiciones del circuito. El tiempo de recuperacin inversa es la suma del tiempo de almacenamiento y del tiempo de cada trr = ts + tf. ts (Cycle time): Tiempo de almacenamiento. Es el intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente principal llega a cero y el instante en que la corriente de recuperacin alcanza su valor mximo. irr (Reverse recovery current): Corriente inversa de recuperacin. Corriente inversa que fluye a travs del diodo en sentido inverso antes de que aquel recupere su capacidad de bloqueo de una tensin inversa. irrm (Peak reverse recovery current): Corriente inversa de cresta, de recuperacin. Es el valor mximo de irr. Qs (Recovered charge): Carga de recuperacin. Es la carga elctrica recuperada en un diodo de potencia cuando es conmutado de unas condiciones especificadas de corriente directa a unas condiciones determinadas de polarizacin inversa. Para efectos de evaluacin, la carga de recuperacin puede ser calculada por la expresin Qs = (irr/2)trr. Magnitudes trmicas:
TJ (Junction temperature): Temperatura de funcionamiento de la unin. Es el valor instantneo de la temperatura virtual de la unin en el dispositivo semiconductor condicionada a la temperatura ambiente y a las condiciones de corriente de carga. Tstg (Storage temperature range): Temperatura de almacenamiento. Es la temperatura a la cual el dispositivo semiconductor puede ser almacenado sin dao. Tcase (Case temperature): Temperatura de la caja. Es la temperatura de la caja del dispositivo en condiciones de carga especificadas y medida en un punto de referencia especificado. El punto de referencia es, en general, el centro de uno de los lados del hexgono de la caja en contacto con el radiador. En el caso de caja plana no hexagonal se toma la temperatura de la parte inferior de la base.
TA (Ambient temperature): Temperatura ambiente. Temperatura en las inmediaciones del dispositivo, determinada en condiciones especificadas. R(th) (Thermal resistance): Resistencia trmica. Es el cociente de la diferencia de temperatura entre dos puntos o regiones especificados por la potencia disipada en condiciones de equilibrio trmico. R(th)JC (Thermal resistance junction to case): Resistencia trmica unin-caja. R(th)CH (Contact thermal resistance case to heatsink 1): Resistencia trmica caja-radiador. R(th)HA (Thermal resistance heatsink to ambient air): Resistencia trmica radiador-ambiente. R(th)JA (Thermal resistance junction to ambient air): Resistencia trmica unin-ambiente. Z(th) (Transient thermal impedance): Impedancia trmica transitoria. Es el cociente entre el cambio o incremento de temperatura entre dos puntos o regiones especificadas al final de un intervalo de tiempo y el escaln de potencia disipada producido al principio del mismo intervalo de tiempo y que da origen a aquel cambio de temperatura. Z(th)JC (Transient thermal impedance junction to case): Impedancia trmica transitoria unin-caja. Z(th)JA (Thermal resistance junction to ambient air): Impedancia trmica transitoria unin-ambiente. Potencia disipada:
Ptot (Total power dissipation): Potencia media disipada total. Suma de la potencia disipada directa e inversa considerando su valor medio sobre un perodo completo. PRAV (Mean reverse power dissipation (thyr.)): Potencia inversa disipada, valor medio. Es el valor medio considerado sobre un perodo completo de la potencia disipada en un diodo de avalancha controlada funcionando repetitivamente en la zona de avalancha. El valor nominal de PRAVmx. impone un lmite superior a la prdida de potencia inversa media admisible, para un valor determinado de la temperatura de la unin y que es disipada en el semiconductor funcionando en c.a. en la zona de avalancha y a una frecuencia determinada. PRRM (Peak repetitive reverse power dissipation): Potencia de cresta inversa repetitiva. Es la amplitud de una onda de potencia rectangular disipada en un diodo de avalancha controlada operando en la regin de avalancha repetitivamente. Existe un valor lmite PRRMmx. definido como anteriormente. PRSM (Non-repetitive peak reverse power dissipation): Potencia de cresta inversa no repetitiva. Es la amplitud de un solo impulso no repetitivo de potencia, rectangular, disipado en un diodo de avalancha controlada funcionando en la regin de avalancha. Existe un valor lmite PRSMmx. definido como anteriormente.
3.16 Diodo de Potencia.

La geometra del diodo de unin para aplicaciones de potencia se muestra en la figura siguiente. Consiste en un alto dopado en la parte superior del sustrato tipo n en el cual se desarrolla una capa epitaxial n ligeramente dopada de anchura especficada. Finalmente, la unin pn se forma al difundirse una regin tipo p altamente dopada que forma el nodo del diodo. El rea de seccin transversal del diodo variar de acuerdo con la cantidad de corriente total a soportar por el dispositivo de modo que si se disea para diodos que pueden soportar varios miles de amperios, el rea puede ser de varios cm2. La capa n- de la figura, que se denomina con frecuencia regin de corriente, es la principal diferencia estructural entre los diodos de unin y los diodos de potencia. Su funcin es absorber la capa de deplexin en la polarizacin inversa de la unin pn. Esta capa puede ser bastante ancha obtenindose grandes tensiones inversas. La regin de corriente establece cul ser la tensin inversa de ruptura. Esta regin, dopada ligeramente y relativamente extensa, aparece para aumentar la resistencia hmica del diodo cuando se polariza en directo; situacin que aparentemente conduce a una gran potencia disipada en el diodo cuando est circulando corriente. Estas son las prdidas que limitan
la capacidad de potencia mxima del diodo. Sin embargo, al estimar la potencia disipada en la regin de deriva, se debe practicar con cuidado ya que el valor efectivo de la resistencia de esta regin en conduccin es mucho menor que el valor hmico aparente calculado basndose en el tamao geomtrico y a las densidades de portadores en equilibrio trmico. En la conduccin hay una reduccin sustancial de la resistencia en la regin de deriva debido a la gran cantidad de portadores en exceso por inyeccin en la regin de deriva. Esta modulacin de conductividad, como se llama a veces, reduce sustancialmente la disipacin de potencia sobre la que se estim basndose en la conductividad en equilibrio trmico de la regin de deriva.
nodo i
p+ n- epi n+ sustrato N D =10 cm
10 -3
N A=10 cm
10
-3
10 m
-3
N D =10 cm
10
Wd
anchura de la regin de deriva
250 m
Ctodo
Figura 3-9 Diodo de potencia
3.17 Circuitos con diodos.

Entre las aplicaciones comunes de los diodos, debido a su unidireccionalidad, se encuentran los limitadores y rectificadores. Realizando con unos y otros un tratamiento de las seales alternas con diferentes fines. Con los limitadores se recorta la seal alterna original para obtener una seal de forma distinta. Los montajes rectificadores nos proporcionaran una seal continua variable a partir de una alterna.
3.17.1 Limitadores.
Los diferentes limitadores existentes se pueden clasificar: bien atendiendo a la forma de obtener la salida (serie y paralelo); o bien, segn el signo de la limitacin y el grado de esta (total, parcial, parcial doble). Limitador serie: recibe esta denominacin porqu la tensin de salida se obtiene en serie con el diodo. En estos circuitos el diodo acta abriendo el circuito en los intervalos a limitar y cerrndolo en los que se desea que la entrada aparezca en la salida. Limitador paralelo: la tensin de salida se obtiene en paralelo con el diodo. El modo de actuar el diodo en estos circuitos se invierte totalmente con respecto a los anteriores. Limitador total: se pueden diferenciar los positivos y los negativos. Los positivos limitan la alternancia positiva de la tensin de entrada, actan como un rectificador, haciendo que a la salida aparezcan solamente los intervalos negativos de la seal alterna. Existen dos montajes posibles, uno serie y otro paralelo. Los negativos limitan la alternancia negativa, existen igualmente dos montajes posibles.
Figura 3-10 Limitadores totales: positivos serie a) y paralelo b), negativos serie c) y paralelo d). Limitador parcial o polarizado: limita slo parte de una alternancia, podr ser positivo o negativo. Su funcionamiento es idntico a los casos anteriores pero teniendo en cuenta la existencia de una fuente de tensin continua VR, cuya magnitud y polaridad determina el grado de limitacin. Hay montajes serie y paralelo.
Figura 3-11 Limitadores parciales. Limitador parcial doble: limita parte de ambas alternancias en funcin de VR. Y resultan de combinaciones entre los anteriores.
Figura 3-12. Limitador parcial doble.
3.17.2 Rectificadores.
Obtener y transportar la corriente en forma de seal alterna permite su abaratamiento. Cada vez ms se disean circuitos que pueden trabajar con una seal de estas caractersticas. Pero existen muchos otros que requieren ser alimentados por corrientes de valor y sentido constantes en el tiempo, o sea, por corriente continua. Esto hace necesario que exista unos circuitos que conviertan las seales alternas en continuas. Dichos circuitos reciben el nombre de fuentes de alimentacin y estn formadas por los siguientes bloques funcionales: rectificador, filtro, estabilizador y sistema de regulacin. El bloque rectificador es una de las aplicaciones de mayor importancia en el campo de los semiconductores debido al comportamiento unidireccional de estos.
Figura 3-13. Rectificador monofsico de media onda. El rectificador de media onda es el ms simple. Su tensin de salida est constituida por la alternancia de la senoide que permite entrar en conduccin al diodo, con una limitacin de corriente impuesta por la resistencia en serie con l. Para calcular los valores medios (Vm) y eficaces (Vef) de la tensin de salida integraremos la expresin senoidal de la tensin de entrada durante el semiperiodo de conduccin, obteniendo:
Vm = Vef =
Vmax Vmax 2
( 3-64)
( 3-65)
La forma de onda de la corriente depender del tipo de carga del rectificador. Para el caso ms simple de carga resistiva, la corriente tendr la misma forma que la tensin rectificada, diferencindose slo su la magnitud que valdr:
I max =
Vmax R
( 3-66)
Realmente estas ecuaciones no son totalmente fieles a la realidad pues se considera que la salida est formada por un semiperiodo completo, lo cual no es posible al tener el diodo una tensin umbral. Por tanto, la integracin de la tensin de entrada debera hacerse entre los puntos reales de conduccin y corte del diodo, en el caso de necesitar un clculo muy preciso. Si no se tiene esta necesidad las ecuaciones arriba escritas son una buena aproximacin. Entre las especificaciones que se suelen dar sobre rectificadores estn: La salida de potencia en cd:
Pm = Vm I m
El valor eficaz de la tensin de salida, El valor eficaz de la corriente de salida, La potencia de salida en ca: Ief
Vef
Pca = Vef I ef
La tensin media: como se sabe toda seal se puede descomponer en una seal continua ms unas seales alternas superpuestas (armnicos), el valor de la continua es la citada tensin media. Este valor es con el que se opera para trabajar con cualquier tipo de carga continua, como un motor de corriente continua. Por esta razn el valor eficaz de la tensin de salida presenta muy poco inters. El rendimiento de un rectificador: como el cociente entre la potencia media de salida y la de salida en c.a.; podramos decir que para el rectificador de media onda el rendimiento es del 50% idealmente, pero considerando el prrafo anterior el rendimiento real se reduce al 40%.
P V = m = m2 Pc.a. Vef
( 3-67)
El factor de forma FF se define como la relacin entre la tensin eficaz y media de la onda de salida. Para este rectificador se tendr:
FF =
Vef Vm
= 1.57
( 3-68)
El factor de rizado de la tensin de salida: relacin entre el valor eficaz del primer armnico vr y el valor de continua de la tensin V de salida. Expresin del rizado en tanto por ciento:
FR =
Vc.a. Vm
( 3-69)
Como la tensin o cualquier funcin se puede expresar en valor instantneo total como:
v = Vm + vca
Si se calcula su valor eficaz:
( 3-70)
1 1 1 1 V = (Vm + vca ) dt = Vm dt + 2Vm vca dt + vca dt ; T0 T0 T0 T0

2 ef
( 3-71)
Vef2 = Vm + Vca
2
Por tanto, tambin se podra escribir en funcin de Kf:
Vef FR = V m
2 1 = FF 1 = 1.21
( 3-72)
Por ltimo indicar que para seleccionar el diodo adecuado para el circuito, debe tenerse en cuenta tanto los valores de tensin y corriente en el mismo. La solicitacin mxima de tensin vendr dada por el pico inverso Vmax de la seal de entrada, la corriente vendr definida por la impedancia de la carga.
3.18 Diodo Zner.

El diodo zner basa su funcionamiento en el efecto zner. Este componente es capaz de trabajar en dicha regin cuando las condiciones de polarizacin lo determinen y, una vez que hayan desaparecido stas, recupera sus propiedades como diodo normal, no llegando por este fenmeno a su destruccin salvo que se alcance la corriente mxima de zner IZmax indicada por el fabricante. La geometra de construccin es diferente al resto de los diodos, estribando su principal diferencia en la delgadez de la zona de unin entre los materiales tipo P y N, as como la densidad de dopado en los cristales bsicos. Sus parmetros principales son: VZ ; Tensin nominal zner. Polarizacin inversa en torno a la cual su funcionamiento es efectivo. IZmin ; Mnima corriente inversa de polarizacin para asegurar su correcto funcionamiento. IZmax ; Mxima corriente inversa de polarizacin con garanta de no destruccin. PZ ; Potencia de disipacin nominal del componente que no debe ser sobrepasada.
Existen distintos smbolos para su representacin esquemtica, la figura siguiente presenta los ms usuales y su aspecto exterior, que no difiere en nada de los diodos semiconductores normales. En su designacin se da informacin del tipo y de su tensin nominal de zner.
Figura 3-14. Smbolos esquemticos. Identificacin de terminales.
3.18.1 Caractersticas tensin corriente.

Como ha quedado expuesto, el diodo zner est ideado para trabajar con polarizacin inversa, careciendo de inters su funcionamiento en polarizacin directa, que es igual al de cualquier diodo semiconductor. La figura siguiente corresponde a su caracterstica tensin-corriente, y en ella nos ayudaremos para estudiar su funcionamiento.
Figura 3-15. Diodo zner. Caracterstica tensin corriente. Cuando el zner est polarizado inversamente, con pequeos valores de tensin se alcanza la corriente inversa de saturacin, prcticamente estable. Si se sigue aumentando la tensin de polarizacin inversa se alcanza un determinado valor, denominado tensin de codo o de giro, donde los aumentos de corriente son considerablemente fuertes frente a los aumentos de tensin.
Sobrepasada esta zona, a pequeos aumentos de tensin corresponden elevados aumentos de corriente IZ. Alcanzada la circunstancia anterior, nos encontramos en la regin de trabajo efectivo zner. Se deben tener en cuenta ciertas consideraciones para asegurar el rgimen de trabajo del zner y que la tensin en sus extremos es considerablemente estable: el diodo debe ser atravesado, en todo momento, como mnimo por una corriente inversa, IZmin, expresada por el fabricante. No se debe sobrepasar en ningn caso IZmax para asegurar que el componente no se dae. Estos dos valores de IZ llevan asociados un par de valores de tensin, VZ; aproximadamente, el valor medio de ellos expresa la tensin nominal del zner VZnom. La potencia disipada en cada momento , PZ, vendr expresada por el producto de los valores instantneos de VZ e IZ.
3.18.2 El zner como estabilizador.

En muchas circunstancias la tensin aplicada a una carga puede sufrir variaciones indeseables que alteren el funcionamiento normal de la misma. Estas variaciones tienen generalmente las siguientes causas: Una variacin de la resistencia de carga, que lleva emparejada una variacin de la intensidad de carga. Variaciones de la propia fuente de alimentacin. Por ambas causas simultneamente. El estabilizador paralelo es el ms extendido cuando slo se usa un zner. Vamos a estudiar el diseo de ste para el tercero de los casos antes descritos, que es el ms corriente, una variacin simultnea de la tensin de alimentacin y de la corriente de carga.
Figura 3-16. Estabilizador de tensin mediante zner. En principio, se proceder a calcular el valor de Rpro. Esta resistencia se debe calcular de forma que aseguramos que por el zner circule siempre como mnimo IZmin, la situacin ms desfavorable se dar cuando la tensin de alimentacin sea mnima y la corriente de carga mxima, por lo tanto
R pro =
VCCmin V L I Lmax + I Zmin
( 3-73)
A continuacin determinaremos la potencia que deber disipar la resistencia, el caso ms desfavorable ocurrir cuando la tensin de alimentacin sea mxima.
PRpro =
(VCCmax V L )2
R pro
( 3-74)
En lo que al zner se refiere, la corriente mxima que circular por l se dar cuando la corriente en la carga sea la mnima, y la tensin de alimentacin sea mxima.
I Zmax =
(VCCmax V L )2
R pro
IL
( 3-75)
Como consecuencia la potencia mxima que debe disipar el zner vendr dada.
PZmax = VZ I Zmax = V L I Zmax 3.18.3 Ejemplo.
( 3-76)
Con el mismo esquema de la figura anterior, disear un regulador bsico para una entrada de 211 nos d una salida de 10V y 20mA. Hallar R y la potencia que se disipa en cada componente. Solucin. R=(vs-vz)/iR=(vs-vz)/(iL-iz) " R=(vSmin vz)/(ILmax+IZmin)=47.6 Si slo pudieramos comprar resistencias de 450 y 500, escogeramos la primera, pues es la que producira una corriente Iz mayor que la mnima por el zener que nos garantiza la conduccin. ILmin=0 (caso lmite) R=(vSmax-vz)/(ILmin+IZmax) " IZmax=25.1mA Pz=2.31W PR=2.54W
3.18.4 El zner en alterna.

El diodo zner tambin puede ser utilizado como recortador, el simple cambio de un diodo rectificador por un zner implica un comportamiento diferente del limitador. La figura siguiente es un limitador doble asimtrico, segn se aprecia en las tensiones representadas.
Figura 3-17. Recortador doble asimtrico. Cuando el semiciclo correspondiente a vE es positivo, DZ se polariza inversamente y, un vez alcanzada la tensin VZ, circula corriente por el circuito y la tensin vS se mantiene constante e igual a VZ, hasta que de nuevo disminuye vE y se bloquea VZ. Durante el semiperiodo negativo, DZ se comporta como un diodo polarizado directamente y, por tanto, una vez que vE > 0.7 V, circula corriente por el circuito ya la tensin vS se mantiene constante e igual a 0.7 V. Un limitador doble simtrico se consigue con la disposicin de la figura 3.5, siempre que VZ1 = VZ2.
Figura 3-18. Recortador doble simtrico.
Durante cada semiperiodo un zner acta como tal, polarizado inversamente, y el otro, como un diodo rectificador. El semiperiodo positivo la tensin de salida ser vS = VZ1 + 0.7, y el semiciclo negativo vS = VZ2 + 0.7. Escogiendo adecuadamente zner de distintas tensiones podremos obtener recortadores a distintos niveles. Un circuito similar, pero cambiando la disposicin del zner y la resistencia del circuito de la figura anterior, es el mostrado en la figura siguiente.
Figura 3-19. Circuito de efecto Crowbar. Durante el semiciclo positivo, el diodo se encuentra polarizado inversamente, es decir, la corriente ser nula hasta que supera la tensin zner y, por tanto la tensin vS tambin ser nula. Cuando vE supera dicha tensin, el diodo conducir, y la tensin de salida vS, ser la diferencia entre vE y VZ. En el semiperiodo negativo, el diodo queda polarizado directamente, por tanto la corriente ser nula hasta que vE supere -0.7 V, igual que vS. Una vez superados los -0.7 V, el diodo conducir ofreciendo una cada de tensin constante e igual a 0.7 V y, por ser un circuito serie, el resto de la tensin de entrada se reflejara en vS. Si observamos las formas de tensin, vemos que no existe tensin a la salida, hasta que la entrada no supera el valor VZ, ste es el llamado efecto Crowbar, se puede pues, considerar el circuito como un disparador por nivel de tensin.
Captulo 4
TRANSISTOR BIPOLAR.
Si la aparicin del diodo supuso un gran avance para una electrnica basada en tubos de vaco; el descubrimiento del transistor represent una explosin en la industria electrnica, que vio como se reducan los equipos tanto en coste como en dimensiones, se desarrollaban aplicaciones hasta entonces imposibles de lograr y abra el camino de investigacin, base del desarrollo actual en todos los campos.
4.1
Generalidades.
Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales cuya resistencia interna puede ser variada dependiendo de la seal aplicada a uno de los citados terminales. Esta propiedad permite que se puede gobernar la corriente del circuito en el que esta inserto. Su nombre viene del ingles TRANsfer-reSISTOR. Se distinguen dos tipos de transistores: Transistores bipolares: en los que al igual que en el diodo la corriente establecida se debe a portadores tanto positivos (huecos) como negativos (electrones). Transistores unipolares: en los que la corriente establecida se debe a un slo tipo de portador, el signo de este depender del material utilizado en su fabricacin. Estos transistores son algo menos conocidos debido a que los bipolares fueron los inicialmente descubiertos y por ello los ms desarrollados.
Los transistores bipolares se construyen, como los diodos, sobre cristales de silicio que son dopados con distintos tipos de impurezas. El transistor consta de tres capas, por lo que podemos encontrar transistores PNP o NPN. Si dos transistores, uno PNP y otro NPN, son fabricados sobre el mismo cristal de silicio habrn sufrido el mismo dopaje y tendrn las mismas caractersticas, a estos transistores se les conoce como complementarios. Las tres capas que determinan sus terminales son: Base (B): este terminal permite el gobierno de la corriente que circula por el circuito principal conectado entre colector y emisor. Su espesor es el menor de las tres capas. Colector (C): por este terminal entra (o sale si es pnp) la corriente principal que debe ser gobernada. Esta capa esta ms dopada que la base. Emisor (E): es el terminal de salida (o entrada si es pnp) del transistor. Es la capa ms dopada.
Figura 4-1. Simbologa en transistores bipolares. En este captulo se va a considerar el transistor como un nudo de corrientes, por lo que todas las corrientes sern entrantes positivas y al contrario.
4.2
Comportamiento fsico.
Comencemos este estudio considerando el transistor en circuito abierto, es decir aislado sin que se le aplique ninguna tensin de polarizacin. Esta situacin implica que todas las corrientes deben ser nulas. Se establecen las barreras de potencial de contacto de las uniones PN, de unas pocas dcimas de voltio, segn sabemos. Si suponemos las uniones completamente simtricas (en la prctica no lo son),las alturas de las barreras sern idnticas para la unin de emisor (JE) y para la unin de colector (JC).
P a) Emisor Base Colector I E I
E
J
IB
V b)
p
c)
n0
np0
p0
Figura 4-2. Potencial (b) y densidad de portadores minoritarios (c) en las capas de un transistor (a) PNP simtrico en circuito abierto La situacin se refleja en la figura adjunta, adems de las concentraciones de minoritarios, habindose despreciado las anchuras de las zonas de transicin.
4.2.1 Polarizacin activa directa.

Seguidamente se aplican al transistor las tensiones indicadas. La unin JE se polariza en sentido directo y la unin JC en sentido inverso. El efecto ser romper el equilibrio de modo que las barreras de potencial y las concentraciones de minoritarios sern las mostradas.
Captulo 4. Transistor bipolar de unin. 3
P Emisor E
+
N Base
P Colector C
IE RE
J
E
IC JC
-
EB
V
CB
VEE
VCC IB B
V0 -
|V |
EB
V0
|VEB | | V0 + |V CB Concentraciones de minoritarias VCB
np n
p0
n0
n p0
Figura 4-3. Comportamiento de las barreras de potenciales y de las concentraciones de minoritarios en un transistor bipolar. Como vemos se ha producido una disminucin de la barrera emisor-base (polarizacin directa), y un aumento de la barrera de la unin colector-base (polarizacin inversa). De este modo la unin de emisor polarizada directamente, permite la inyeccin de huecos (minoritarios en la base N). Este exceso de huecos inyectados se difunde a travs de la base N hacia la unin de colector. En JC el campo elctrico es muy elevado(debido a la polarizacin inversa); as pues los huecos que alcanzan la unin del colector sern aspirados por el campo; en otras palabras, descienden fcilmente la barrera de potencial de JC que les es favorable y son absorbidos por el colector. En definitiva hemos conseguido hacer circular una corriente importante a travs de la unin polarizada en sentido inverso, inyectando portadores mediante otra unin polarizada en sentido directo. Esta es la base del efecto transistor. Hay que hacer notar, que para que se produzca el efecto transistor, la base debe ser muy delgada, pues de otro modo los minoritarios inyectados por el emisor no alcanzaran la unin de colector JC y la mayora de ellos se recombinaran en la base.
4.2.2 Corrientes en el transistor

Si la polarizacin de la unin de base-emisor es directa circular una corriente no nula originada principalmente por huecos del emisor, ya que al ser sta la capa ms dopada y la base la menos dopada, la corriente debida a los electrones ser considerablemente menor. Gran nmero de estos huecos tras llegar a la base podrn alcanzar la unin de colector, al ser la base una capa delgada, estos huecos sern aspirados por el campo existente en la unin colector-base. Adems dicha unin
soporta una pequea corriente inversa que se ver incrementada en una magnitud considerable ante el aporte de huecos procedentes del emisor.
P Emisor I pE I E I +
E
N Base Recombinacin IpE -I pC + + + + + + + + + + + +
P Colector - I = - pc - I - PCD I - nCD VCB V

CC E
nE
Corriente inversa de minoritarios saturacin
Difusin de mayoritarios
C + I
C
R
C
V
EB
- JE JC
EE
IB
Figura 4-4. Corrientes en el transistor PNP. Este efecto, consistente en el paso de un elevado nmero de portadores a travs de una unin NP polarizada inversamente, recibe el nombre de efecto transistor. La magnitud de este efecto se controla por el grado de polarizacin de la unin de emisor. Otros factores que influyen y que se definen a la hora de la fabricacin son: el ancho de la base, el dopaje de cada capa y la proximidad entre ellas. Por estas caractersticas constructivas es fcil de comprender que el montaje de dos diodos unidos por uno de sus extremos en absoluto es equivalente y es imposible que d la misma respuesta que el transistor. figura. Igualmente se podra caracterizar el balance de corrientes de un transistor NPN en la siguiente
P Base Recombinacin N Colector + I pc = E + + + + + + + + I + PCD + + I nCD +
Corriente inversa de minoritarios saturacin
N Emisor I pE I E I +
E
nE
Difusin de mayoritarios
pE
pC
C IC
R
C
V
EB
- JE JC V CB V
CC
EE
IB
Figura 4-5. Corrientes en el transistor NPN.
4.3
Modelo Ebers-MolI
El transistor ha sido caracterizado como un par de uniones PN polarizadas opuestamente que poseen una interaccin a travs del parmetro .
P N P
R C
I
F E
I R CD IE
I
F ED
EC
I CD E I ED I ICD C
Figura 4-6. Montaje con dos diodos en el caso PNP Sus investigadores Ebers y Moll establecieron un modelo del transistor que no slo describe el comportamiento en la polarizacin activa directa, vista anteriormente, sino que se extiende a cualquier condicin de polarizacin. As, muestra un par de diodos en antiparalelo a los que se ha aadido dos fuentes dependientes de corriente que aportan el efecto transistor anteriormente estudiado. Para el PNP:
I E = I ED R I CD
V EB VT VCB VT = e 1 R I CS 1 e
(4-1)
VEB VT VCB VT 1 + 1 I C = F I ED + I CD = F I ES e I CS e
En cualquier caso, se puede demostrar que se cumple que:
(4-2)
F I ES = R I CS = I S
conocida como ley de reciprocidad.
N P N
(4-3)
R DC
I
F DE
I R CD IE
I
F ED
DC
I DC E I ED ICD C
Figura 4-7. Montaje con dos diodos en el caso NPN.
Para NPN: donde IDC , IDE es la corriente de diodo ordinaria en la unin colector-base y emisor-base respectivamente, y las F IDE , R IDC representan el efecto transistor.
V BE VT V BC VT 1 + 1 I = I ED + R I CD = I ES e I R CS e V BE VT V BC VT 1 1 I = F I ED I CD = F I ES e I CS e 4.4 Curvas caractersticas.
(4-4)
(4-5)
Con un circuito como el representado se puede obtener la familia de curvas caractersticas del transistor NPN. A valores crecientes de IB aumentan los valores de IC independientemente del valor de VCE. Se puede apreciar que para valores elevados de VCE llegamos a la zona de ruptura por avalancha. La tensin de ruptura depende de la corriente de base como se puede comprobar. Otro mecanismo que puede producir la perforacin del transistor es el aumento de la tensin de colector. Si se aumenta la polarizacin inversa de la unin colector-base la zona de transicin de adentrar ms en la base, producindose el efecto Early. Como la base es muy estrecha puede ocurrir que la zona de transicin ocupe toda la base incluso con tensiones moderadas, se rebajar de tal manera la barrera de la unin emisor-base que la corriente de emisor puede llegar a ser excesiva. Este mecanismo de ruptura se produce a una tensin fija Vj ( para W=WB) independientemente de la configuracin del cicrcuito. Igualmente se aprecia que IC crece bruscamente para valores bajos de VCE, ello es debido a que al aumentar VBB para que crezca IB, la base queda a una tensin superior a la del colector y momentneamente queda polarizada en directo la unin base-colector. Cuando la tensin de colector cae, hay con frecuencia un importante aumento en la corriente de colector y un sensible aumento en la disipacin de energa. Lo que hace que esta situacin sea particularmente peligrosa para el transistor es que la disipacin no se extiende uniformemente sobre el volumen completo del dispositivo, sino que se concentra en regiones altamente localizadas donde la temperatura local puede crecer muy rpidamente para valores altos inaceptables. Si esta situacin no se termina en un tiempo muy corto, se produce la destruccin del dispositivo. Esta segunda ruptura no se origina por ionizacin por choque y la consiguiente ruptura por avalancha de la unin PN. Est claro el hecho de que una cada en tensin acompaa a una segunda ruptura mientras que tal cada no se observa en la ruptura por avalancha. La clave para evitar la segunda ruptura sera mantener la disipacin total de energa bajo control y, ms importante an, evitar cualquier densidad de corriente desigual especialmente durante el encendido y el apagado que es cuando la disipacin de energa instantnea es la mayor. Por esta razn, los BJTs de potencia se construyen con muchos dedos estrechos de emisor, en paralelo mejor que unas cuantas reas de emisor de gran seccin. Otras medidas para reducir la posibilidad de una segunda ruptura incluye el uso de un valor controlado del cambio de la corriente de base durante el apagado, el uso de un circuito protector tal como los snubbers y los diodos de libre circulacin y la colocacin de la trayectoria en conmutacin dentro de los lmites del rea de funcionamiento seguro (SOA).
Figura 4-7. Familias de curvas caractersticas del circuito de colector. Un transistor se puede encontrar en tres estados de funcionamiento dependientes de las propiedades elctricas existentes en el circuito principal de colector-emisor, es decir, de los valores que tomen IC y VCE. Dichos estados se denominan de activo, corte y saturacin.
V BC (V) Activo inverso 0.5 0.5 Corte V BE (V) Saturacin
Activo directo
Figura 4-8. Estados del transistor segn la polarizacin de las uniones.
4.4.1 Activo directo e inverso.

Es el estado en el que se produce el efecto transistor, estando la unin de base polarizada directamente y la de colector inversamente. A pequeos aumentos de IB se producen grandes aumentos de IC independientemente de la tensin aplicada al circuito colector-emisor. Las tensiones y corrientes toman los siguientes valores: VBE=0.7V y VBC polarizada por encima de la tensin de codo (V= 0.5V.) VCE > VCEsat= 0.2V. Si en el modelo Ebers-Moll se tiene en cuenta que VBE>0 y VBC<0, quedar:
VBE VT 1 I E = I ES e VBE VT 1 I C = F I ES e
( 4-1)
Es fcil deducir que IE>IC, aunque son valores muy prximos, ya que la corriente IC est formada mayoritariamente por los electrones que forman IE. Debido a esta relacin electrnica entre las dos corrientes se suele trabajar con un factor que nos indica la relacin entre las dos magnitudes:
I C = F I E
F =
IC IE
( 4-2)
El valor de F suele estar entre 0.95 y 0.99.;El signo negativo de F se debe al diferente sentido de las corrientes. Aunque se ha considerado que el transistor era un nudo donde las corrientes entraban, el sentido fsico en un dispositivo NPN IC es positivo mientras que IE es negativo y lo contrario sucede en un dispositivo PNP.
IED E
F IED
C
B IB 0 ,7
B E V
FIB
E
Figura 4-9. Modelo en activo. Cuando el transistor est polarizado como en la figura anterior, se originan tres corrientes diferentes, que son la de base IB, la de colector IC y la de emisor IE, de manera que aplicando la ley de nudos de Kirchhoff se cumple la siguiente igualdad:
I E = (I B + I C ) I B = (1 F )I E
( 4-3)
Combinando las ecuaciones anteriores podemos representar la corriente de base por: ( 4-4)
Puesto que los valores tpicos de F son muy prximos a la unidad, IB resulta muy pequeo comparado con IE siendo IC e IE prcticamente iguales. A veces es conveniente expresar las corrientes de colector y de emisor en funcin de la corriente de base, mucho ms pequea:
IC = IE =
donde:
F IB = F IB 1 F
IB = ( F + 1)I B 1 F
( 4-5)
( 4-6)
F =
F F ; F = F +1 1 F
( 4-7)
El factor F expresa la relacin entre la corriente de mando IB y la corriente gobernada IC. Su valor suele estar comprendido entre 50 y 500 llegndose a encontrar transistores con valores superiores a 1000. Se le conoce tambin como parmetro hFE. figura: Por la ley de mallas podemos escribir la relacin entre las tensiones, como se puede ver en la
VCE = VCB + VBE
( 4-8)
Si en el modelo Ebers-Moll se tiene en cuenta que VBE<0 y VBC>0, estaremos ante el estado activo inverso, con lo que quedar:
VBC VT 1 I E = R I CS e VBC VT 1 I C = I CS e
Haciendo un razonamiento similar:
( 4-9)
I E = R I C
R =
IE = IC =
IE IC
( 4-10)
R IB = RIB 1 R
IB = ( R + 1)I B 1 R
( 4-11)
( 4-12)
4.4.2 Corte
De forma practica se podra considerar que el transistor est en corte o bloqueado cuando la corriente de base es cero o negativa, y en el circuito colector-emisor circular una pequea corriente. De un modo riguroso el corte del transistor se define por las condiciones: IE = 0,IB 0, VBE 0V y VCE VCC.
C I CS C
Figura 4-10. Modelos de corte de gran seal: (a) modelo simple; (b) modelo para temperaturas altas.
4.4.3 Saturacin
el comportamiento de un transistor saturado es equivalente a un interruptor cerrado. Para llegar a esta situacin en un transistor npn las uniones de emisor y colector deben quedar polarizadas directamente. En sta situacin el aumento de la corriente IB no provoca aumento de IC, permaneciendo sta prcticamente invariable y disminuyendo la ganancia hFE.
La corriente de colector slo se ve limitada por el circuito exterior. Desde un punto de vista general se considera que un transistor est saturado cuando: VCE=0.2V, VBE=0.8V e IC hFEIB.
B IB ,7 V
C IC 0 ,2 V
E
Figura 4-11. Disposicin de transistor saturado.
4.5
Recta de carga.
Como ya se ha dicho, la importancia de los transistores reside en que una seal de baja potencia aplicada en la base puede gobernar otra seal de potencia muy superior aplicada al circuito colector-emisor. Lo cual, visto desde otro punto de vista, representa una amplificacin de la seal de base.
Figura 4-12. Familia de curvas. Consideremos el montaje de la figura anterior, dependiendo del valor que tome IB al variar la tensin VBB en el circuito colector-emisor se tendr: Si nos encontrsemos en corte IB = 0, IC 0 y la tensin VCE VCC. Si nos encontrsemos en saturacin IB 0, IC 0 y la tensin VCE 0.2. En cualquier caso se cumple:
VBB = I B RB + VBE I B =
VBB VBE RB
( 4-13)
El valor de IC pues en la malla colector-emisor se cumple:
VCC = I C RC + VCE I C =
VCC VCE RC
( 4-14)
Como es fcil de comprobar en la figura la variacin de la corriente de base hace que el punto de funcionamiento Q se desplace a lo largo de una recta de carga, cuyos puntos de interseccin con los ejes son (0, ICmax=VCC /RC) y (VCC,, 0). Igualmente se puede ver que dependiendo de los valores de VCC y IB (que a su vez depende de VBB) se consigue que el punto de funcionamiento se encuentre en una zona intermedia entre la de corte y la de saturacin, y la variaciones de IC sea lineales (entre los puntos antes sealados). Por ejemplo, en el punto Q si la corriente de base pasase a ser IB2 la corriente de colector aumentara, llevando al transistor a la zona de saturacin.. Si nos encontrasemos en el
punto Q y aumenta la corriente de base a IB2, la corriente de colector aumentar, pero el transistor contina en la zona activa. Por tanto utilizando dos fuentes de tensin continua como en la figura anterior podemos fijar un punto de funcionamiento de modo que ante la superposicin de una seal oscilante en la base se produzcan variaciones lineales de la corriente de colector dentro de la regin activa. Al hecho de fijar un punto de trabajo origen se le llama polarizacin.
4.5.1 Ejemplo 1
Obtener la corriente de colector en la figura a Solucin Como hay tensin positiva en serie con la base y tensin negativa en serie con el emisor, el transistor probablemente est conduciendo. Probamos el funcionamiento activo directo sustituyendo el transistor por su modelo activo directo de la figura b. La ley de voltaje de Kirchoff aplicada al circuito de base da 1V - ( 5k )! ( IB ) - 0.7V = -10V entonces IB = 2.06mA > 0A
V CC = 5K V CC = 5K R C = 8K R C = 8K V BB =1V =10 R B =5K V EE= -10V V BB =1V R B =5K
V EE=-10V
a) Figura 4-13
b)
Dado que IB > 0 la suposicin de que el transistor se encuentra en activo directo es en principio cierta. Comprobemos el valor de VCE VC = 5V - ( 8k )! ( 10 )! ( 2.06mA ) = -159.8V dado que VE = -10V VCE = -159.8V - ( -10V ) = -149.8V Puesto que VCE es menor que 0.2V la suposicin de estado directo no es cierta. As pues, debemos considerar que el circuito est en estado de saturacin ( ver figura c ). La corriente de base es todava 2.06mA. La corriente de colector es IC = ( 5V - ( -10V + 0.2V ) ) / 8k = 1.85mA
V CC = 5K R C = 8K V BB=1V V CE =0.2V R B =5K V BE
c) Figura 4-14 La inecuacin ! IB = 20.6mA > 1.85mA = IC Confirma que el transistor est saturado.
4.5.2 Ejemplo 2
Probar que el transistor del problema anterior permanece saturado cuando la resistencia de base cambia a 50k. Obtener entonces la resistencia de base RB que lleva al transistor al borde del funcionamiento activo Solucin Al cambiar el valor de RB, vara el valor de IB IB = ( 11V - 0.7V ) / 50k =0.206mA Dado que se sigue cumpliendo que IB! > IC , el transistor permanece saturado IB = 0.206mA > 0.185mA = Icsat / El lmite de la saturacin se alcanzar cuando se cumpla que Icsat = ! IB 1.85mA = 10! ( 11V - 0.7V ) / RB despejando RB = 55.7k As pues, para una resistencia mayor que 55.7k el transistor estar en activo directo, y para una menor, en saturacin.
4.5.3 Ejemplo 3
Hallar el estado del transistor de la figura a Solucin Debido a la elevada tensin positiva en el circuito de base, suponemos que el transistor est saturado. Sin embargo, cuando sustituimos el transistor por su modelo de saturacin y aplicamos el teorema de Thevenin, obtenemos la figura b.
= 1 5V V C C RC= 8 k RB= 5 5 1k 1 0V 1 0k
IC RTH IB ETH
RC= 8 k
= 1 0
0 = 1
1 5V
a) Figura 4-15 Rth: Rth = 551k || 10k = 9.82k Eth: IB = 11V / ( 551k + 10k ) = 0.0196mA Eth = IB! RB =0.196mA
b)
V CC = 15K R C = 8K 0.2V R TH 0.196V 0.7V
c) Figura 4-16 En este circuito es obvio que IB es negativa, contradiciendo la hiptesis de saturacin y sugiriendo el corte. Con el modelo de corte sustituyendo al transistor,. Observaremos que VBE = 0.196V, un valor considerablemente menor que la tensin del codo. Por tanto, el transistor est en corte.
4.5.4 Ejemplo 4
Uno de los transistores del esquema de la figura siguiente est cortado y el otro activo directo. Verificar el corte del primero y obtener el punto Q para el ltimo. Solucin Excepto por las fuentes de tensin aplicadas a las bases, el circuito es simtrico respecto a un eje que pase por el centro del diagrama. Como la tensin de base de Q1 es ms positiva que la de Q2, suponemos que Q1 est activo y Q2 cortado y dibujamos la figura b. La tensin de nodo de emisor en este diagrama es -1.7V. Como las tensiones en extremos de la resistencia de 1.2k son conocidas IE1 = ( -1.7V - (-5.2V) ) / 1.2k = 2.92mA Dado que IE1 = ( 80 + 1 )! IB1
se tiene que IB1 = 36A

300 300
V 1 =-1V
=80
V 2 =-1.3V
1.2k
V 3 =-5.2V
a)
300 C1 E1 -1V I E1 1.2k C2 B2 E2 -1.3V 300
B1
-5.2V
b) Figura 4-17 Como la corriente de base es positiva, establecemos que Q1 conduce; sin embargo podra estar saturado. Como IC1 = 80! IB1 = 2.88mA VC1 = 0V - 300! 2.88mA = -0.864V por lo tanto VCE1 = -0.864V - ( -1.7V ) = 0.836V Para verificar que Q2 est cortado, observamos en la figura que VBE2 = -1.3V - (-1.7V ) = 0.4V < 0.5V mientras que VCE2 = -1.3 - 0 = -1.3V < 0.5V Como ambas uniones estn inversamente polarizadas, el transistor est cortado.
4.6
Conmutacin.
Se ha visto que el transistor es un elemento que posee tres zonas de funcionamiento de las cuales nos hemos ocupado de ver con ms profundidad la zona intermedia o activa, donde aplicndose a la base seales de baja potencia se consigue la amplificacin de estas. Si las seales a amplificar tuviesen una elevada amplitud o el punto de trabajo no estuviese en un punto intermedio de la zona activa, el transistor podra entrar en las zonas de corte o saturacin. Con la consiguiente distorsin de la amplificacin. Ya que el situarse en las zonas de saturacin (semejante a un cortocircuito entre colector y emisor) o corte (semejante a circuito abierto) significar que la salida estar recortada.
Se hace que el transistor funcione en estas zonas cuando se desea aprovechar, no la capacidad de amplificacin, sino la capacidad de conduccin o bloqueo para conectar o desconectar circuitos. Son muchos los sistemas que funcionan de este modo, en que una carga funciona ante el cumplimiento de unas condiciones o peridicamente, o simplemente se pretende suministrar una potencia variable a partir de un generador de corriente continua. Para que el transistor trabaje de la zona de saturacin a la de corte (proceso de conmutacin) no se requiere ninguna red de estabilizacin del punto de trabajo, pues el nico requisito es que no se sobrepasen sus caractersticas mximas. Por tanto un circuito como el siguiente nos permite por ejemplo que en la resistencia de carga RL circule o no corriente y que la tensin VCC aparezca en el colector del transistor. La resistencia RB no tendr otra misin que la de limitar la corriente absorbida por la base. El tipo de transistor y el valor de RL depender del resto del circuito (corriente necesaria, velocidad de conmutacin, etc).
Figura 18. Transistor en conmutacin. Cuando la conmutacin no viene gobernada por una seal de mando aplicada a la base, sino por el estado de un contacto, si es necesario proporcionar al transistor un circuito de polarizacin de base. Como se muestra en los siguientes casos, donde el circuito de la izquierda se satura al abrir el contacto y el circuito de la derecha se satura al cerrar el contacto.
Figura 19. Transistores en conmutacin donde la resistencia RB permite que entren en saturacin.
4.6.1 Puesta en saturacin.

Ya se comento que para llegar a la situacin de saturacin en un transistor npn las uniones de emisor y colector deben quedar polarizadas directamente. En sta situacin el aumento de la corriente IB no provoca aumento de IC, permaneciendo sta prcticamente invariable y disminuyendo la ganancia hFE. La corriente de colector slo se ve limitada por el circuito exterior. Desde un punto de vista general se considera que un transistor est saturado cuando: VCE=0.2V, VBE=0.8V e IC hFEIB.. Cuando se disea un circuito para que un transistor funcione en saturacin es necesario conocer su parmetro hFE para conocer la corriente mnima de base que asegura este estado, cuando esto no es posible se recurre a una regla prctica consistente en considerar una corriente de base igual a la dcima parte de la corriente de colector deseada. Pues en el peor de los casos de corriente y temperatura dicho parmetro siempre es superior a 10 en cualquier transistor.
El paso de corte a saturacin del transistor es un proceso de 3 etapas: una primera en la que se debe anular la barrera de potencial de la unin base-emisor, aqu el transistor cruza la zona de corte y la tensin VBE se hace igual a 0,7V ; una segunda para que los electrones del emisor lleguen hasta la base y por ltimo que dichos electrones alcancen el colector y IC comience a crecer hasta el 10% de su valor mximo. Este proceso transcurre durante un tiempo llamado tiempo de retardo (td). Tras el anterior intervalo la tensin VBE se mantiene en 0,7V y ms electrones van alcanzando el colector procedentes del emisor, elevndose el valor de IC. El tiempo, desde que dicha corriente era del 10% y llega a ser del 90% de su valor final, recibe el nombre de tiempo de crecimiento (tr). Durante este intervalo se va reduciendo la tensin VCE y se cruza la regin activa debido al continuo aporte de portadores, transcurrido el tiempo anterior el transistor se encuentra en saturacin.
Figura 20. Tiempos de conmutacin .
4.6.2 Puesta en corte.

Como se dijo, un transistor est en corte o bloqueado cuando la corriente de base es cero o negativa, y en el circuito colector-emisor circula una pequea corriente. De un modo riguroso el corte del transistor se define por las condiciones: IE = 0, IB 0, VBE 0V y VCE VCC.. El paso de saturacin a corte tampoco es instantneo pues toda la carga puesta en juego debe ser almacenada. El proceso comenzar cuando la corriente de base se anule, aunque para disminuir los tiempos se hace que esta corriente tome un valor negativo. Desde este instante hasta que la corriente de colector se reduce al 90% de su valor, se almacena la carga causante de la saturacin. Esto sucede durante el tiempo de almacenamiento (ts), este tiempo se hace ms corto cuanto ms rpida es la velocidad de inversin de la corriente de base. Evacuada la carga de saturacin el transistor entra en la regin activa, y la tensin VCE y la corriente IC van creciendo y disminuyendo respectivamente hasta llegar al 10% del valor de IC. Tras este tiempo llamado de decrecimiento (tf), comienza la regin de corte y se restablece la barrera de potencial en la unin base-emisor. Del anlisis realizado se desprende que aparte de hacer que circule la corriente inversa de la unin base-emisor para que el almacenamiento de la carga en exceso sea ms rpido, otra solucin sera que el transistor no conmute a la zona de saturacin sino de la zona de corte a la zona activa por lo que no existira la acumulacin de portadores anterior. En cambio posee el inconveniente de que en la zona activa VCE tomo valores mayores comparados con los de saturacin y por tanto aumenta la potencia de disipacin en el semiconductor.
Un transistor especialmente diseado para operar de este modo es el transistor Schottky (transistor integrado junto a un diodo Schottky, aunque se puede trabajar con los dos componentes integrados por separado). Cuando dicho transistor est en la regin activa, el diodo no conduce. El diodo conducir cuando la tensin base-colector sea de unos 0.4V, impidiendo que el colector quede a menos de esta tensin respecto de la base, es decir, se impide la polarizacin directa de dicha unin.
Figura 21. Transistor Schottky.
Figura 22 Condensador de aceleracin.
Otro modo de acortar el tiempo de conmutacin es utilizar un condensador de aceleracin en paralelo con la resistencia de base, este condensador permite que durante los instantes de conmutacin off-on y on-off circulen impulsos de corriente elevados capaces de entregar o extraer los portadores minoritarios. Para su clculo es necesario saber la carga de portadores que ser necesario evacuar, por tanto el condensador debe poseer una capacidad igual o superior a la obtenida de la ecuacin 8.1, adems tendramos que asegurar que mientras dura el pulso de corriente de base da tiempo a evacuar toda la carga en exceso. La ecuacin 8.1 nos da las relaciones necesarias entre la capacidad C del condensador y el tiempo t en que se evacua la carga q :
CV BB = q = I B t Q
( 4-15)
Un valor aproximado de dicha carga es el dado por la siguiente ecuacin basada en el valor mximo que alcanza la corriente inversa analizada durante el almacenamiento:
q=
Ii t 2
( 4-16)
4.7

Perdidas de potencia en el BJT.

Las prdidas de potencia de un transistor en conmutacin estn compuestas por: Las prdidas de conmutacin, que son las que se producen durante los tiempos de crecimiento y decrecimiento tr y tf. Las prdidas en estado saturado que aparecen durante el periodo de conduccin Las prdidas en estado bloqueado que aparecen cuando el transistor est en corte. Y por ltimo las prdidas en el circuito de base.
De todas estas prdidas se pueden considerar nulas las tres ltimas debido a los reducidos valores que toman VCE sat, IC corte y IB.. Por tanto nuestro estudio lo reduciremos a las prdidas de conmutacin, para dicho estudio consideraremos que el crecimiento y decrecimiento de la corriente de colector es lineal y por tanto se podra escribir para el tiempo de crecimiento:
iC =
y para el de decrecimiento:
I C mx tr
( 4-17)
iC =
I C mx tf
( 4-18) y la energa
Durante los intervalos de conmutacin se cumple que vCE = VCC RC iC perdida ser:
RC I C mx dPC = v CC tr
Al ser RC IC anterior queda :
mx>>VCE sat
I C mx t t t dt r
mx
( 4-19) =VCC, luego la ecuacin
podemos escribir la igualdad RC IC
t dPC = VCC I C mx 1 t r
integrando entre t=0 y t=tr se obtiene:
t t dt r
( 4-20)
tr t t2 dt PC = VCC I Cmax 2 0 t r tr
t2 1 t3 t t 2 = VCC I Cmax r r PC = VCC I Cmax 2 3 2t r 3 t r 0 3t 2tr PC = VCC I Cmax r 6 PC = VCC I C ms 6 tr

( 4-21)
tr
Para un f periodos completos en corte y saturacin, las prdidas sern:
PC = PCr + PCf =
VCC I C ms 6
(t
+ t f )f
( 4-22)
Estas prdidas son muy inferiores a la potencia que se conmuta VCC IC mx.
4.8
Proteccin en los transistores.
Cuando se bloquea un transistor, la cada de tensin aumenta cuando, antes de que trabaje el diodo de libre circulacin, todava circula corriente por el transistor. Habr entonces un intervalo de tiempo en el que las prdidas de potencias sern considerables. Con el circuito de proteccin de apagado se pretende reducir esta cada de tensin vCE durante la cada de corriente por el transistor. Si normalizamos a su valor inicial mximo:
dv v ce U = = ; dt t f tf
( 23 )
Para ello se conecta en paralelo un condensador a travs de un diodo. Entonces:
dv I o = ; dt C Iot f C= U
( 24 )
Es preciso proveer al condensador de una va de descarga, para ello se aade una resistencia. De esta manera la energa que almacena el condensador se disipar en la resistencia, sin afectar al transistor. Al final del siguiente periodo de conduccin el condensador se encontrar descargado. Es preciso llegar a un compromiso entre este valor de resistencia y el valor determinado por la constante de tiempo =RC de descarga del condensador. Es usual elegir este tiempo como un tercio del tiempo de conmutacin:
3 RC = Tc = 1 f ; c 1 ; R= 3 f cC
( 25 )
Si en el circuito hay una inductancia, ya sea por la propia configuracin del equipo o porque acte como circuito de proteccin en la puesta en conduccin, el valor de la resistencia se suele elegir de manera que limite la corriente de recuperacin del diodo de libre circulacin comportndose como un circuito RLC crticamente amortiguado, as:
R ; = o2 2 ; o = 2L Escogiendo: L ; C
1 R ; = = 2 o LC
C ; = o 1 2 ; L
( 26 )
= 1; R = 2
Cuando un transistor se pone en conduccin aumenta la corriente que circula por l cuando la tensin vCE es considerable an. La solucin viene de la mano de aadir una inductancia, de manera que se reduzca vCE. Una resistencia y un diodo se aaden para que se descargue la bobina en el siguiente periodo de apagado.
di I L I o = = dt t r tr
Si la tensin vCE es igual a U de entrada tendramos:
( 27 )
di U = ; Ut r dt L di I o L = I o = ; dt t r
( 28 )
La resistencia de descarga debe ser escogida de manera equivalente al caso anterior y considerando el tiempo en que se va a descargar esa energa.
4.9
reas de trabajo seguro en el BJT.
Las reas de funcionamiento seguro o SOAs, son un mtodo muy conveniente y compacto para resumir los valores mximos de corriente y tensin a los que el transistor de unin bipolar se sometera. Se usan dos reas de funcionamiento seguras distintas en unin con los BJTs y ambos se dan normalmente en las hojas de caractersticas:
Se activan varios mecanismos fsicos diferentes al determinar los lmites del rea de trabajo segura en directa FBSOA. La corriente I CM es la mxima corriente de colector incluso cuando se aplica un pulso al transistor. El exceso de esta corriente puede causar el enlace de los cables o las metalizaciones en la oblea para vaporizarse o los fallos. El lmite trmico es un grupo de lmites de disipacin de energa para la resistencia trmica del transistor y la mxima temperatura de la unin permitida. El lmite de la segunda ruptura representa las mximas combinaciones permitidas de tensin y corriente sin entrar en las regiones del plano i C v CE donde puede suceder la segunda ruptura. La parte final del lmite del FBSOA es el lmite de la tensin de ruptura BVCEO . La expansin del SOA se da para el funcionamiento en el modo de conmutacin ya que la oblea de silicio y su empaquetamiento tiene una capacidad trmica y, por tanto, una habilidad para absorber una cantidad finita de energa sin que la temperatura de la unin se eleve a niveles excesivos. Si el transistor se enciende en unos pocos microsegundos o menos, la cantidad de energa que se absorbe es demasiado pequea para causar cualquier aumento apreciable en la temperatura de la unin y, como resultado, la FBSOA es prcticamente cuadrada, estando limitada slo por I GM y BVCEO .
log (ic) T hmx I CM Segunda ruptura 10 sec. Trayectoria idealizada en conmutacin del diodo del circuito con carga inductiv a 10 sec. 10 sec V BE(off)=0 dc BV CEO log(V CE) BV CEO V CE
-3 -4 -5
ic
I CM
V BE(off)<0
Figura 23. reas de trabajo seguro directa e inversa. De forma similar, se construye el rea de funcionamiento seguro en inversa RBSOA. El rea comprendida por la RBSOA, que es un rea de funcionamiento seguro pulsado, es algo ms grande que la FBSOA debido a la extensin del rea a tensiones ms altas que BVCEO , hasta BVCBO , para corrientes de colector bajas. El funcionamiento del transistor hasta la tensin ms alta es posible porque la combinacin de la corriente de colector baja y la corriente de base inversa ha hecho a pequea para que la tensin de ruptura se eleve hacia
BVCBO
4.10 Hojas caractersticas del transistor.

Siguiendo con las caractersticas presentadas en el tema del diodo, aqu se presentan las especficas del transistor bipolar.
4.10.1 Magnitudes caractersticas.

Corrientes: IC (Continous Collector Current): Es la corriente que circula por el colector. ICES (Collector-emitter cut-off current with gate-emitter short-circuited): Es la corriente de corte que circula entre el colector y el emisor con este cortocircuitado. IE (Continuous emitter current): Es la corriente que circula por el emisor. ICBO (Collector Cutoff Current): Es la corriente entre la base y el colector en la que el transistor entra en corte.
IEBO (Emitor Cutoff Current): Es la corriente entre la base y el emisor en la que el transistor entra en corte. ICETRIP (Maximum collector current to trip): Es la mxima corriente de colector en el disparo del transistor. ICM (Peak collector current): Es la mxima corriente de pico en el colector. ICp (Non-repetitive peak collector current): Es la mximacorriente de pico en el colector no repetitiva. ICsat (Collector current for VCEsat test): Es la corriente en el colector para la tensin colector-emisor de saturacin. ICRM (Repetitive peak collector current): Es la mxima corriente de pico en el colector repetitiva. ICRM (Repetitive peak collector current): Es la mxima corriente de pico en el colector repetitiva. IB (Base current): Es la corriente que circula por la base. Tensiones:
VCE (Collector-emitter (direct) voltage): Es la tensin directa entre el colector y el emisor. VCEclamp (Collector-emitter clamping voltage during turn-off): Es la tensin entre el colector y el emisor. VCES (Collector-emitter (direct) voltage with gate-emitter short-circuited): Es la tensin entre el colector y el emisor con la puerta colector cortocircuitada con la base. V(BR)CES (Avalanche Breakdown Collector-emitter (direct) voltage with gate-emitter short-circuited): Es la tensin de avalancha entre el colector y el emisor con la puerta colector cortocircuitada con la base. VCEstat (Collector-emitter-monitoring threshold voltage (static) (driver)): Es la tensin umbral esttica entre el colector y el emisor. VCEsat (Collector-emitter saturation voltage): Es la tensin de saturacin entre el colector y el emisor. VCC (Collector-emitter supply voltage): Es la tensin de alimentacin para el colector y el emisor. VCCE (Continuous collector emitter voltage): Es la tensin continua de alimentacin para el colector y el emisor. VCEdyn (Dynamic collector-emitter-monitoring threshold voltage (driver)): Es la tensin umbral dinmica entre el colector y el emisor. VEE (Emitter supply voltage): Es la tensin de alimentacin del emisor. VEE (Emitter supply voltage): Es la tensin de alimentacin del emisor. VCEO (Collector-Emitter voltage): Es la tensin entre el colector y el emisor. VCBO (Collector-Base voltage): Es la tensin entre el colector y la base. VEBO (Emitter-Base voltage): Es la tensin entre el emisor y la base. VBE(on) (Base-emitter On Voltage): Es la tensin de encendido entre la base y el emisor.
BVCEO (Collector-Emitter sustaining voltage): Es la tensin de mantenimiento entre el colector y el emisor.
Otras Magnitudes: hFE (DC current gain): Ganancia del transistor. Potencia disipada: PD (Total device Dissipation): Potencia total disipada. Capacitancias: COB (Output capacitance): Capacitancia de salida. CIB (Input capacitance): Capacitancia de entrada.
Captulo 5
CIRCUITOS DE POLARIZACIN.
En general polarizar un dispositivo, es llevarlo a su punto de funcionamiento esttico. En el caso de un dipolo, este punto estar caracterizado por los valores de la tensin corriente. En el estudio de los diodos, ya vimos brevemente como obtener el punto de funcionamiento por interseccin de la curva caracterstica del dispositivo (diodo), con la denominada recta de carga, obtenida del circuito utilizado para la polarizacin. En el caso de un transistor, la utilizacin de dos fuentes de continua puede simplificarse, empleando una sola fuente y una red de resistencias. Segn la configuracin empleada nos encontraremos ante uno u otro mtodo de polarizacin. Los circuitos ms comunes son: de polarizacin fija, de polarizacin y realimentacin por resistencia de emisor, de polarizacin y realimentacin por resistencia de colector y de polarizacin por divisor de tensin.
5.1
Polarizacin fija.
Conocido el transistor y su familia de curvas se traza la recta de carga sobre la que deseamos se desplace el punto de trabajo, sta vendr definida por la ecuacin:
VCC = RC I C + VCE
( 5-1)
Dicha recta nos fijar los valores de VCC y RC. Sobre dicha recta elegimos el punto de trabajo que vendr definido por la eleccin de una corriente de base. De este modo de la figura siguiente podramos escribir:
VCC = RB I B + VBE
( 5-2)
Figura 1.Polarizacin fija.
Donde VBE=0.7. Luego podremos escribir:
VCC 0.7 = R B I B
( 5-3)
Definido el punto de trabajo conoceremos el valor que debe tener RB para que circule IB, se puede intuir que el valor de dicha resistencia ser de un valor elevado. Este tipo de polarizacin tiene como principal inconveniente el no ser til ante una sustitucin del transistor, pues fcilmente nos encontraramos con una diferente debido a la dispersin de los parmetros del transistor que se produce en la fabricacin. Igualmente tiene el inconveniente de no admitir cambios de temperatura. Ya que de aumentar la temperatura IC crecera, si adems se produce ocasionalmente un aumento de IB nos encontraramos con un nuevo aumento de la corriente de colector pudindose llegar por ello a la saturacin, no consiguindose un punto Q estable. Por las razones antes comentadas este mtodo de polarizacin no es utilizado salvo en determinadas ocasiones para transistores que trabajan en corte y saturacin y no en la regin activa.
5.1.1 Ejemplo
En la configuracin de polarizacin fija de la figura anterior se sabe que: VCC=12V., RB=240k, RC=2.2k y =50 Determinar lo siguiente: IB e IC, VCE, VB y VC, VBC Solucin a) Considerando la malla del circuito base-emisor de la figura de abajo, obtenemos aplicando la ecuacin de voltaje de Kirchoff VCC - IB ! RB - VBE = 0 ; IB = ( VCC - VBE ) / RB Para nuestro caso tenemos entonces IB = ( 12V - 0.7V ) / 240K = 47.08A La magnitud de la corriente del colector est directamente relacionada a IB mediante: IC = ! IB = 50 ! 47.08A = 2.35mA b) La aplicacin de la ley de tensin de Kirchoff en la direccin del sentido de las manecillas del reloj alrededor de la malla colector-emisor : VCE + IC ! RC - VCC = 0 ; VCE = VCC - IC ! RC As: VCE = 12V - ( 2.35mA ) ! ( 2.2K ) = 6.83V c) Evidentemente la tensin colector emisor cumple que VCE = VC - VE donde VC y VE son las tensiones del colector y del emisor a tierra respectivamente. En este caso, debido a que VE = 0V se tiene que VCE = VC = 6.83V De forma anloga se tiene que VBE = VB = 0.7V d) La utilizacin de la notacin del doble subndice da por resultado VBC = VB - VC = 0.7V - 6.83V = -6.13V y el signo negativo revela que la unin tiene polarizacin inversa, como debe de ser para la amplificacin lineal
Captulo 5. Circuitos de polarizacin. 3
5.2
Polarizacin estabilizada de emisor.
Este montaje resulta de una mejora realizada al anterior. Ya que introduce una realimentacin, es decir, el circuito detecta las diferencias que se producen sobre los valores que se consideran han de tomar las corrientes de base y de colector para este circuito.
Figura 2. Polarizacin fija con realimentacin de emisor. Del esquema de la figura anterior podemos escribir:
VCC = RB I B + VB RB I B = VCC VB
( 5-4)
donde VB = VBE + RE I E y el valor de RB ser menor que en el caso anterior. En este circuito un aumento de o de la temperatura (que significara un aumento de IC) provocar un aumento en VB y por tanto una disminucin de IB. Esta disminucin compensara el aumento producido en IC, mantenindose estable al no producirse desajustes. Este autoajuste se debe a que la tensin del emisor no es fija como en el caso anterior que siempre se encontraba a 0V. Si no que es variable dependiendo del valor de IC y de RE. Para que pequeas variaciones en IC fuesen corregidas RE debera de ser elevado para que el factor REIE sea ms importante. Pero si dicho factor crece VRc y VCE disminuiran, como se deduce por la ecuacin 5.5, pudiendo entrar el transistor en saturacin. Esto hace que tampoco sea el circuito ideal de polarizacin.
VCC = VRE + VRC + VCE

Se suele elegir RE= RC /4.
( 5-5)
5.2.1 Ejemplo.
Para la red estabilizada de emisor donde: VCC=20V., RB=430k, RC=2k y RE=1k, calcular: a)IB, b) IC, c) VCE, d) VC, e) VE, f) VB, g) VBC Solucin a) La ley de tensiones de Kirchoff alrededor de la malla base-emisor indicada en la figura de abajo dar por resultado la siguiente ecuacin VCC - IB ! RB - VBE - IE ! RE = 0 y teniendo en cuenta que IE = ( + 1 ) ! IB Sustituyendo en la primera ecuacin y resolviendo para IB IB = ( VCC - VBE ) / ( RB + ( + 1 )! RE ) Para este caso concreto, tendremos sustituyendo en la ltima ecuacin los valores correspondientes IB = 40.1A
b) Igualmente: IC = ! IB = ( 50 )! ( 40.1A ) = 2.01mA c) La ley de tensin aplicada a la malla colector-emisor dibujada en la figura de abajo dar por resultado IE ! RE + VCE + IC! RC - VCC = 0 y para nuestro caso particular tendremos VCE = VCC - IC! ( RC + RE ) = 20V - (2.01mA)! (2k + 1k) = 20V - 6.03V = 13.97V d) El voltaje de un nico subndice VE es el voltaje del emisor a la tierra y se determina por VE = IE! RE mientras que el voltaje del colector a la tierra puede determinarse VCE = VC - VE ; VC = VCE + VE entonces VC = VCC - IC! RC = 20V - (2.01mA)! (2k) = 20V - 4.02V = 15.98V e) VE = VC - VCE = 15.98V - 13.97V = 2.01V f) VB = VBE + VE = 0.7V + 2.01V = 2.71V g) VBC = VB - VC = 2.71V -15.98V = -13.27V Con polarizacin inversa como se requiere.
5.3
Polarizacin por divisor de tensin o autopolarizado.
En los anteriores circuitos de polarizacin los valores de la corriente y tensin de polarizacin depende de (ganancia en corriente). Pero este valor vara sensiblemente con la temperatura y adems no est perfectamente definido, por estas razones sera deseable obtener un circuito de polarizacin que sea independiente de la beta del transistor. El circuito de la figura siguiente cumple esta condicin y por ello es muy comn.
Figura 3.Polarizacin por divisor de tensin o autopolarizacin. En dicho montaje la tensin de la base se podr escribir como:
V B = V BE + I C R E = V BE + V E
( 5-6)
Si VB se mantiene constante, las variaciones de IB sern controladas por las variaciones de VBE. Ante un aumento de IC aumentar igualmente VE lo que significar una disminucin de VBE y de IB, corrigiendo la desviacin de IC. Para que la tensin VB se pueda considerar constante es necesario que la corriente que circula por R1 sea mucho mayor que la corriente de base, corriente esta ltima de pequea magnitud. Se suele tomar como valor prctico 10 veces la corriente de base.
VB = I R1 I B R2 I R1 R 2
( 5-7)
Esto es lo mismo que decir en el circuito de la figura siguiente que como IR1 10 IB
VB VB 10 R2 Ri
Ri 10 R 2
RE 10 R 2
R1 y R2: Con los parmetros que definen el punto Q se pueden conocer los valores de las resistencias
R2 =
VB ; 9I B
R1 =
VCC VB 10I B
( 5-8)
En el calculo el valor de beta no se ha usado. La tensin en la base se fija mediante las resistencias R1 y R2. Se puede hacer para el mismo circuito un anlisis ms exhaustivo empleando el equivalente Thvenin del divisor de tensin formado por R1 y R2 mostrado en la figura 5.6, y se obtiene
RBB =
La tensin equivalente Thvenin es
R1 R2 R1 + R 2 R2 V R1 + R 2 CC
( 5-9)
VBB =
( 5-10)
Figura 4.Circuito equivalente empleando el teorema de Thvenin. Tendremos por tanto en la malla de entrada
VBB = I B RBB + VBE + I E RE I B =

en la malla de salida obtendremos:
VBB VBE I C RE RE + RBB
( 5-11)
VCC = I C R C + VCE + I E RE VCE VCC (RC + R E )I C

Es aconsejable escoger, tambin en este caso, RC = 4 RE. Analicemos los factores de estabilidad trmica con ms detalle, en el transistor:
( 5-12)
I C = I E + I CBO ; I C = (I C + I B ) + I CBO ; I C =
Como: =
I B I CBO + 1 1
( 5-13)
1 1 = +1 1
I C = I B + ( + 1)I CBO
Con lo que queda: ( 5-14)
Sustituyendo el valor de IB calculado anteriormente:
VBB VBE I C RE IC = RE + RBB

Haciendo algunas modificaciones:
+ ( + 1)I CBO
( 5-15)
IC =
(VBB VBE ) + I CBO ( + 1)(RE + RBB ) RBB + ( + 1)RE
( 5-16)
Para que el circuito est correctamente estabilizado respecto a ( lo que representa una buena estabilizacin frente al cambio del transistor), imponemos como condicin de diseo:
RBB "" ( + 1)RE ; !! 1; IC =

Con lo que:
(VBB VBE ) R + I CBO 1 + BB R E RE
( 5-17)
S =
I I C I C R 1 ; S ICBO = 0; SVBE = C = = 1+ B ; RE VBE RE I CBO
( 5-18)
5.3.1 Ejemplo 1.
Determine la tensin de polarizacin VCE y la corriente IC para la configuracin de divisor de tensin donde: VCC=22V., R1=39k, R2=3.9k, RC=10k y RE=1.5 k, = 140. Solucin El equivalente Thvenin a la izquierda del terminal puede determinarse de la siguiente manera:
RBB: Rth = R1 || R2 = (39k! 3.9k) / ( 39k + 3.9k) = 3.55k EBB: Eth = ( R2! VCC ) / ( R1 + R2 ) = ( 3.9k! 22V) / ( 39k +3.9k ) =2V Por lo tanto: IB = ( Eth - VBE ) / ( Rth + ( + 1 )! RE ) = 13V / ( 3.55k +211.5kO ) = 6.05A IC = ! IB = ( 140 )! ( 6.05A ) = 0.85mA Asimismo, igual que en la configuracin de polarizacin en emisor VCE = VCC - IC! ( RC + RE ) = 22V - ( 0.85mA )! (10k + 1.5k ) = 12.22V
5.3.2 Ejemplo 2.
Repetir el anlisis anterior utilizando la tcnica aproximada y comparando las soluciones para IC y para VCE Solucin La tcnica aproximada se puede aplicar siempre que se cumpla que ! RE 10! R2 Para este caso ( 140 )! ( 1.5k ) 10! ( 3.9k ) ; 210k 39 k por Vemos que la condicin se ve satisfecha. Para el anlisis aproximado, el nivel de VB viene dado VB = R2! VCC / ( R1 + R2 ) = 3.9k! 22k / ( 39k + 3.9k ) = 2V Entonces VE = VB - VBE = 2V - 0.7V = 1.3V IC IE = VE / RE = 1.3V / 1.5k = 0.867mA Mientras que en el anlisis exacto obtenamos 0.85mA. Finalmente VCE = VCC - IC! ( RC + RE ) = 22V - 0.867mA! ( 10k + 1.5k ) = 22V - 9.97V = 12.03V contra 12.22V obtenido en el problema anterior
5.3.3 Ejemplo 3
Repetir el anlisis del circuito de polarizacin por divisor de tensin del ejemplo 1 si se reduce a 70 y compare las soluciones para IC y para VCE Solucin Con este problema podemos ver cuanto se mover el punto Q si el nivel de se reduce a la mitad. Rth y Eth son los mismos Rth = 3.55k ; Eth = 2V IB = ( 2V - 0.7V ) / ( 3.55k + 71! 1.5k ) = 11.81A IC = ! IB = 0.83mA VCE = VCC - IC! ( RC + RE ) = 12.46V Comparando los datos de ambos problemas
140 70
IC 0.85mA 0.83mA
VCE 12.22V 12.46V
Los resultados muestran la relativa insensibilidad del circuito al cambio en , aun cuando se trunque a la mitad.
5.4
Polarizacin con realimentacin de colector.

Ahora el potencial de que se alimenta la base no es fijo, sino variable al tomarse del colector.
Figura 5. Polarizacin con realimentacin de colector. carga: Analizando la malla de colector-emisor se obtienen los puntos que determinan la recta de
VCC = (I C + I B )RC + VCE
( 5-19)
I C = 0 VCE = VCC y para VCE = 0 I C = VCC RC . Junto con la recta de carga y la familia de VCC = (I C + I B )RC + I B RB + VBE ; VCC = I C RC + I B R B + V BE
despejando:
Donde la corriente de base se puede despreciar ante la de colector, por ello para
curvas caractersticas del transistor podemos fijar el punto de trabajo, conociendo as la IB. Analizando la malla de la base podremos calcular RB . ( 5-20)
La ecuacin donde tambin podemos despreciar la corriente de base frente a la de colector, ( 5-21)
RB =
VCC ( I C RC + V BE ) IB
( 5-22)
Conocidas las ecuaciones que rigen el comportamiento de este circuito analicmoslo: un aumento de la corriente de colector debida a un aumento de o de la temperatura originar un aumento de la c.d.t en RC y por tanto una disminucin de VCE como se puede deducir de la ecuacin de base, tambin significa una disminucin en la c.d.t. en RB , o lo que es lo mismo, una disminucin en IB. Esta disminucin har que la corriente de colector vuelva a sus valores originales. Observar que con este circuito no se puede llegar a la saturacin pues aunque RB=0 VCE=VBE=0,7V. Con algo ms de detalle:
VCC = (I C + I B )RC + I B RB + VBE ;

De donde:
VCC = I C RC + I B (RC + RB ) + VBE ;
( 5-23)
IC =
VCC VBE I B (RC + RB ) ; RC I C = I B + ( + 1)I CBO
( 5-24)
Sustituyendo IB de la ecuacin obtenida anteriormente: ( 5-25)
VCC VBE IC = RC + RB IC 1 + R C
Haciendo:
[I C ( + 1)I CBO ](R

RC
+ RB ) ;
( 5-26)
VCC VBE (RC + RB )( + 1)I CBO ; + = RC RC
!! 1; RB "" RC ; V VBE (RC + RB )I CBO I C = CC + ; RC RC
( 5-27)
Como se observa, es independiente de . En general la condicin de ser RC grande y RB pequea mejora la estabilidad de la polarizacin tambin para variaciones de ICBO y VBE.
5.4.1 Ejemplo 1.
Para la red de polarizacin con realimentacin de colector de la figura anterior calcular: ICQ y VCEQ, VB, VC, VE y VBC siendo =120, Vcc=20V,Rc=4.7k, Rb=680 k. Solucin
a) La ausencia de RE reduce la reflexin de los niveles resistivos a simplemente el nivel de Rc y la ecuacin para IB se reduce a:
Ic = Vccn VBE 20 0.7 = 15.51A = RB + RC 680k + (120)4.7k ICQ = IB = 1.86mA
V CEQ = V CC IC R C = 20 (1 .86 m )( 4 .7 k ) = 11 .26V
b)
VB = VBE = 0.7V VC = VCE = 11.26V VE = 0V VBC = VB VC = 0.7 11.26 = 10.56V
5.4.2 Ejemplo 2.
Determinar los niveles de reposo de IC y de VCE para la red de polarizacin con realimentacin de colector, sabiendo que: VCC=10V., RB=250k, RC=4.7k y RE=1.2 k, =90. Solucin Para este caso, la intensidad de la base viene dada por
IB = ( VCC - VBE ) / ( RB + ! ( RC + RE ) ) = ( 10V - 0.7V ) / ( 250k + (90)! ( 4.7k +12k )) = 11.91A igual que siempre IC = ! IB = 90! 11.91A = 1.07mA Para la malla colector emisor tenemos en este caso VCE = VCC - IC! ( RC + RE ) = 10V - 6.31V = 3.69V
5.4.3 Ejemplo 3
Repetir el problema anterior utilizando una = 135 y analizar como vara. Solucin Observar que en el problema anterior en la solucin para IB el segundo trmino en el denominador de la ecuacin es mayor que el primero. Mientras mayor sea este trmino comparado con el primero, menor ser la sensibilidad a los cambios de . En este ejemplo, el nivel de aumenta en un 50% con lo que la estabilidad del circuito se habr mejorado y la variacin del punto de trabajo Q con ser menor. IB = ( VCC - VBE ) / ( RB + ! ( RC + RE ) ) = ( 10V - 0.7V ) / ( 250k + (135)! ( 4.7k +12k ) ) = 8.89A IC = ! IB = 135! 8.89A = 1.2mA VCE = VCC - IC! ( RC + RE ) = 10V - 7.08V = 2.92V Aunque se increment en un 50%, el nivel de IC nicamente se elev al 12.1%, mientras que el nivel de VCE decay aproximadamente en un 20.9%. Si la red fuera un diseo de polarizacin fija, un incremento del 50% en hubiera causado un aumento del 50% en IC, y un cambio drstico en la localizacin del punto de trabajo Q.
5.5
Tcnicas de compensacin.
Vamos a estudiar algunos circuitos que incorporan a su red de polarizacin otros componentes sensibles a la temperatura cuya misin es proporcionar una compensacin adecuada a los efectos que se producen en el transistor al variar la temperatura.
5.5.1 Circuitos con diodo en directo en la base.

Este circuito tiene inters en los transistores de silicio, ya que compensa las variaciones de VBE debidas a la temperatura. Bsicamente este circuito es anlogo al estudiado anteriormente con resistencia en emisor. Por tanto ya posee una cierta estabilizacin frente a aumentos de temperatura. La modificacin introducida ahora proporciona una compensacin adicional. El diodo se escoger con un coeficiente de temperatura lo ms prximo posible al de la unin BE del transistor.
V CC I BB RC IC
I BB ID
+ -
RE R2
Figura 6. Vamos a comprobar cmo se logra esta compensacin:

I BB = I D + I B I E = I C + I B I B (1 + ) IB = IE 1+
( 5-28) ( 5-29))
( 5-30)
I BB = I D +
IE 1+
IE 1+
( 5-31)
ID = IBB
( 5-32)
De la malla de base-emisor obtenemos:

VBE + I E R E = VD + I D R 2
( 5-33)
De donde junto con (5) nos da: IE = VD VBE + I BB R 2 R RE + 2 1+ ( 5-34)
Vamos a suponer que se produce una variacin de temperatura que afectar a VD y VBE. El incremento de corriente de emisor resultante ser: I E = VD VBE R RE + 2 1+
( 5-35)
Si como decamos al principio, el diodo y la unin base-emisor tienen igual coeficiente de temperatura resulta ser VD = VBE y en definitiva IE = 0 con lo cual la corriente emisor (y la de colector) permanece invariable.
El diodo D deber estar polarizado en un punto tal que el coeficiente de temperatura sea precisamente el adecuado. Se supone que ambos elementos deben estar a la misma temperatura, para lo cual es conveniente que estn montados sobre la misma aleta refrigeradora.
V CC R1 RC
RE R2
Figura 7. La versin prctica de este circuito, sustituye la fuente IBB por una resistencia y una batera. Otra versin prctica hace uso de un transistor anlogo al principal con VCB = 0 para sustituir al diodo. Un transistor montado de esta forma presenta una caracterstica tensin corriente dada por: I E = I ES e qVEB / kT 1
( 5-36)
La idntica procedencia de los transistores nos aproxima a la identidad de sus coeficientes de temperatura.
5.5.2 Circuitos con diodo en directo en el emisor.

Al igual que el anterior, este circuito es capaz de compensar variaciones debidas a la tensin base-emisor. La necesidad de utilizar una fuente de tensin negativa adicional puede resultar un inconveniente salvo en el caso de que se disponga ya de esta fuente para necesidades de otras etapas del equipo.
V CC R1 A IE R2 B RE RD ID -V DD RC
Figura 8. La resistencia RD y la fuente VDD proporcionan la corriente ID necesaria para polarizar en directo al diodo. Se debe cumplir, por tanto ID > IE Si aplicamos el Teorema de Thvenin a los puntos A y B el divisor de tensin R1 R2 queda convertido en una resistencia de valor:
RB =
R1R2 R1 + R2
( 5-37)
en serie con una batera:

VBB = VCC R2 R1 + R2
( 5-38)
La ecuacin de la malla de base es

VBB = R B I B + VBE + R E (I B + IC ) VD
( 5-39)
junto con
I C = I B + (1 + )I CBO
( 5-40)
nos permite calcular IC = VBB (VBE VD )] + (R B + R E )(1 + )ICBO [ R B + R E (1 + ) ( 5-41)
Si el transistor es de silicio podremos despreciar el trmino que contiene ICBO quedando

IC =
[ VBB (VBE VD )] R B + R E (1 + )
( 5-42)
Una variacin de temperatura se traduce en variaciones de VBE y VD, dando lugar a una variacin de la corriente de colector dada por:
I C =
(VD VBE ) R B + R E (1 + )
( 5-43)
Haciendo las mismas consideraciones que en el circuito anterior obtenemos un incremento de IC nulo si los coeficientes de temperatura del diodo y del transistor son idnticos.
5.5.3 Circuitos con diodo en inversa en la base.

En este caso se logran compensaciones frente a las variaciones que pedan producirse al variar la ICBO del transistor. Por tanto, este circuito es adecuado para polarizacin de los transistores de germanio.
V CC I R1 IB ID RC
Figura 9. Si suponemos VCC grande se puede poner:
I=
VCC VBR1E R1
v CC R1
( 5-44)
que es equivalente a suponer un ataque en corriente en donde I es prcticamente constante. Si llamamos ID a la corriente inversa de saturacin del diodo tendremos:
IB = I ID
( 5-45)
y tambin
I C = I B + (1 + )I CBO
( 5-46)
sustituyendo
i C = (I I D ) + (1 + )I CBO
( 5-47)
si >>1
i C = I (I D I CBO )
( 5-48)
Si al variar la temperatura se producen variaciones de las corrientes inversas ID e ICBO simultneamente:

i C = ( I CBO I D )
( 5-49)
Si el diodo ha sido elegido de modo que la variacin con la temperatura de su corriente inversa sea idntica a la de ICBO se obtendr una compensacin perfecta, ya que ICBO = ID
Captulo 6
FUENTES DE ALIMENTACIN.
Para el funcionamiento de los instrumentos y sistemas electrnicos, es esencial disponer de una fuente de potencia de algn tipo, que constituye parte del equipo y que convierte la onda alterna de las redes industriales de potencia en tensin continua que es utilizada por los circuitos internos del sistema o instrumento. En la mayora de los casos, esto significa convertir la c.a. de la red en una c.c. estabilizada y fija. La salida de c.c. debe permanecer constante pese a los cambios que puedan existir en la corriente de carga, en la tensin de entrada, etc. Se utilizan dos sistemas principales para proporcionar una tensin regulada y estabilizada. El tipo normal utilizado ha sido el regulador lineal en serie y este predomina an en la fuentes de alimentacin de baja potencia. Al aumentar est, se han introducido las llamadas Fuentes de Alimentacin Conmutadas, ms eficientes y con menor tamao.
6.1
Definiciones bsicas.
La figura siguiente muestra el esquema general de una fuente de alimentacin en la que, partiendo de la tensin de red, 220 V por ejemplo, se usa un transformador para bajarla a valores ms prximos al deseado en continua. Posteriormente un circuito de diodos realiza la rectificacin en doble onda que produce una seal pulsante. Esta rectificacin suele realizarse por un circuito puente que usa cuatro diodos en vez de dos pero no necesita toma intermedia en el transformador. Tenemos as una seal pulsante que necesitaremos ahora filtrar pasa baja para obtener su valor medio lo ms constante posible. En electrnica de potencia se utiliza una sencilla red R-C con un condensador de gran capacidad que almacena carga durante los periodos de conduccin y la suministra en los periodos de no conduccin de forma que los diodos del puente actan como conmutadores que permiten el paso de corriente de la fuente hacia la carga y el condensador pero no en sentido inverso. La seal obtenida es siempre positiva pero no constante sino con un rizado en torno a su valor medio. Un primer procedimiento para eliminar, al menos parcialmente, este rizado es la preregulacin zener que ya estudiamos anteriormente. Para mejorar la seal continua necesitamos aadir reguladores de la tensin de salida del preregulador basado en el esquema de realimentacin negativa que sigue la estructura de un sistema de control tomando muestra de la tensin de salida, comparndola con una referencia y forzndola a que el error sea mnimo.
CARGA
PREREGULADOR
REGULADOR DZ R FILTRO c PUENTE RECTIFICADOR TRANSFORMADOR

RED
50 HZ
En la prctica la fuente de alimentacin estabilizada es la que ms se usa, es til establecer una lista de parmetros y trminos ms importantes utilizados en su descripcin. 1) 2) Rango. Los limites mximo y mnimo de la tensin de salida y corriente de salida de una fuente de alimentacin. Factor de regulacin de carga. La variacin mxima de la tensin de salida entre los dos estados de carga mxima y carga nula:
SVs =
3)
VS I S RS = VS VS Vs Ve
ZL
( 6-1)
Factor de regulacin de entrada (lnea).
SVe =
( 6-2)
Is = T =0
4)
Resistencia de salida. Es la variacin de la tensin de salida, producido por una variacin en la corriente de carga:
RS =
4)
VS I S
( 6-3)
Ve = T =0
Rizado. Es el valor pico a pico de cualquier seal alternativa o causal, superpuesta a la tensin de c.c. de salida.
Captulo 6. Fuentes de alimentacin. 3
5)
Coeficiente de temperatura. El porcentaje de cambio de la tensin de salida con la temperatura, con los valores fijos de tensin de entrada y corriente de carga:
ST =
6)
VS T
( 6-4)
Ve = I s = 0
Rendimiento. La relacin de potencia entre la salida y la entrada:
=
6.2 Fuentes no estabilizadas.
VS I S Vac I ac
( 6-5)
En prcticamente todos los circuitos de alimentacin, se requieren algn tipo de rectificado para convertir la tensin alterna en tensin continua e intensidad unidireccional. Para obtener una salida de c.c. no estabilizada se utilizan los llamados circuitos de filtrado los cuales alisan la c.c. pulsatoria del rectificador. El rectificador de onda completa se construye con dos diodos con lo que se consigue superar los inconvenientes del de media onda (bajo rendimiento, alto factor de rizado: 1.21) e aparece un nuevo inconveniente cual es la necesidad de utilizar un transformador con toma intermedia que encarece el rectificador pues viene a significar como la utilizacin de dos transformadores. Su funcionamiento es como el de dos rectificadores media onda, uno para la alternancia positiva y otro para la negativa. Con ello se consigue que la salida sea de una frecuencia doble que en el de media onda, y que no existan semiperiodos nulos. Los diodos en este montaje se ven obligados a soportar una tensin inversa doble VDmax=2V debido al doble devanado del transformador, si se desea una tensin de cresta en la salida igual a la del montaje media onda.
Figura 6-1 Rectificador de onda completa. Para este montaje tendremos un factor de forma de 1.11 y un factor de rizado de 0.48; los valores medios y eficaces sern:
Vef = Vm =
Vmax 2 2Vmax
( 6-6)
( 6-7)
El rendimiento de este montaje se podra suponer superior al de media onda, ya que el nmero de crestas en la carga es del doble, pero al ser equivalente a utilizar dos transformadores en serie como en el de media onda el rendimiento viene a ser idntico al caso anterior. El rectificador en puente de Graetz es el de mayor nmero de componentes de los que vamos a ver y es el que posee menos inconvenientes para su utilizacin.
Figura 6-2 Rectificador en puente de Graetz con carga resistiva. Su funcionamiento consiste como en el caso anterior en la conduccin alternativa de los diodos para cada semiperiodo. En este montaje realmente lo que se produce es la conduccin simultnea de dos diodos en serie en cada semiperiodo, lo que acarrea una c.d.t. umbral doble en la salida. Al utilizarse este montaje el secundario del transformador puede ser de un slo devanado como en el de media onda y los diodos no estn sometidos a una tensin inversa doble como en el montaje anterior, adems al existir dos diodos conectados en serie sta se reparte entre ellos. La onda de salida es idntica a la de la onda completa. Las caractersticas elctricas de este montaje son iguales que el rectificador de onda completa, salvo en el rendimiento que en este caso llega a ser del 90%. Todas estas ventajas hacen que sea el rectificador ms rentable y utilizado en el diseo de cualquier equipo que necesite una tensin continua.
6.2.1 Ejemplo.
Un rectificador monofsico en puente suministra una corriente continua de 8 A sobre una resistencia de 6,25 . En el supuesto de que sean despreciables las cadas de tensin directas en los diodos del puente, determinar los parmetros que permitirn elegir los tipos de diodos a utilizar, o sea: a. Valor medio de la corriente directa en cada diodo. b. Valor eficaz de la corriente directa en cada diodo. c. Mxima tensin inversa en cada diodo. Solucin Tensin continua de salida,
U Smed =
2 U S mx = I Smed RL = 50V
Tensin mxima de salida.
U S mx = U Smed
= 75,5V 2
Como cada par de diodos conducen alternativamente en un semiciclo:
I Dmed = I Def =
I D max I Smed = = 4A 2
I D mx I Dmed = = 6,28 A 2 2
Y la tensin inversa mxima que va a soportar cada diodo ser: UD mx = - 78,5 V
6.2.2 Filtrado de una tensin rectificada.

Una vez rectificada la tensin del transformador la tensin de salida que hemos obtenido es una tensin continua variable; para muchas aplicaciones (como la alimentacin de un motor de c.c.)
sera suficiente, sin embargo para muchas otras se requiere una tensin continua constante. Para conseguir este objetivo necesitamos un dispositivo que almacene energa y la devuelva en los intervalos [t1 , t2] en que sta disminuye en el resto del circuito. Dicho dispositivo sera un condensador.
Figura 6-3. Esquema bsico de un fuente de alimentacin con filtro. El conjunto rectificador y filtro funcionara de la siguiente manera: durante el tiempo en que el diodo conduce la tensin del transformador (v=Vpsen(wt)) es aplicada a la carga y el condensador se queda cargado a la tensin mxima Vp. Cuando el diodo deja de conducir el condensador puede descargarse al disminuir la tensin en el resto del circuito, esta descarga se produce en el intervalo [t1 , t2] de forma exponencial y con una constante de tiempo RLC. Despus del punto t2 el transformador vuelve a alimentar la carga y el condensador deja de conducir y comienza a cargarse. Esto hace que aparezca una corriente aadida a la existente en la carga dicha corriente puede tomar valores instantneos perjudiciales para los diodos luego hay que hacer un buen dimensionamiento del condensador, adems si el valor de C es elevado los diodos conducen durante menor tiempo. Observando la figura siguiente, la exponencial se puede aproximar a una resta y esto facilitar el clculo aproximado de la tensin continua de salida, dados w, RL , C y Vp . Si la tensin de descarga del condensador (tensin de rizado) se indica por Vr, el valor medio de la tensin es:
Vmed = V P
Vr 2
( 6-8)
Figura 6-4 Tensin de salida filtrada. Expresando Vr en funcin de la corriente de carga y de la capacidad. Si T2 representa el tiempo total de no-conduccin, el condensador, con una descarga constante Imed, perder una carga ImedT2. Por tanto, la variacin de tensin del condensador ser:
Vr =
I med T2 C
( 6-9)
A mejor accin de filtrado, menor ser el tiempo de conduccin T1 y el tiempo T2 se aproximar al medio ciclo. Por tanto T2=T/2=1/2f, siendo f la frecuencia de la red.
Vr =
Vp 2 fRC
( 6-10)
El valor eficaz de la tensin de rizado vr, ser:
Vc.a . =
Vr 2 2
Vp 4 2 fRC
( 6-11)
Por lo tanto la tensin media ser:
Vmed = VP
4 fRC 1 I med = VP 4 fRC 4 fC
( 6-12)
Con lo que el factor de rizado ser:
FR =
Vp Vc.a . = Vmed 4 2 fRC
4 fRC 1 1 VP 4 fRC = ( 2 4 fRC 1)
( 6-13)
Entonces el condensador ser igual a:
C=
1 1 1 + 4 fR 2 FR
( 6-14)
El tipo de condensador ms empleado en estas aplicaciones de rectificacin es el electroltico. Estos condensadores estn polarizados y hay que tener cuidado de colocarlos en el circuito con el terminal marcado + al lado positivo de la salida. Las ventajas ms sobresalientes de los rectificadores que empleen condensadores de filtro, son el pequeo rizado y elevada tensin con cargas ligeras. La tensin en vaco es, tericamente, igual a la mxima del transformador. Los inconvenientes de este sistema son el rizado elevado a grandes cargas y los picos de corriente de deben pasar por los diodos.
6.3
Reguladores lineales.
Hay tres razones por las que una fuente de alimentacin no estabilizada no es adecuada para muchas aplicaciones. La primera es su pobre regulacin, la tensin de salida no es constante para cargas variables. La segunda es que la tensin continua varia con la entrada alterna. Y la tercera razn es que la tensin continua, vara tambin, con la temperatura, sobretodo debido al uso de semiconductores.
6.3.1 Regulador serie con seguidor de emisor.

La principal desventaja del regulador bsico con un solo diodo zener estriba en que el diodo zener debe absorber la corriente que la carga RL no quiera. Para obviar el problema se coloca en serie con la carga un seguidor de emisor, conforme puede verse en la figura siguiente.
IL
IZ
VL RL
Figura 6-5. Regulador serie con seguidor de emisor.
En este caso, el diodo zener solo debe poder absorber la corriente de carga dividida por la del transistor (corriente de base). Cuando es requerida mucha corriente de carga, en vez de un nico transistor se emplea un par Darlington. La fuente de corriente debe disearse de forma que cuando por la carga circule la mxima corriente, por zener circule la corriente Iz min necesaria para polarizarlo adecuadamente, es decir, I debe valer I = Iz min + IB max. En circuitos prcticos, la fuente de corriente aparece como tal o simulada con dos resistencias en serie con un condensador de desacoplo a tierra conectado en el punto de unin de dichas resistencias, tal como se muestra en la figura siguiente. La suma R1+R2 se disea, de acuerdo con los criterios dados anteriormente, segn la frmula
R1 + R2 =
Ve min V Z I Z min + I B max
( 6-15)
y se suele desdoblar en dos resistencias iguales, es decir, se elige R1=R2.
R1
RL R2
C1
VZ
Figura 6-6. Regulador serie prctico.
6.3.2 Ejemplo 1
Disear el regulador de la figura anterior para una salida de 10 V, 100 mA, sabiendo que la entrada es de222V. Funcionamiento del circuito Se trata de un regulador bsico al que se ha aadido un seguidor por emisor. Gracias a la incorporacin de Q1, el diodo zener ya no debe absorber la corriente que no quiere la carga, sino est dividida por la del transistor (corriente de base), pudindose, consecuentemente, conseguir mayores corrientes a la carga con diodos de menor potencia. El papel del condensador C es formar junto con R1, R2 y rz un filtro de paso bajo para rechazar el rizado. La finalidad de haber dividido la resistencia en dos y conectado en el punto comn de ambas un condensador (C1) a tierra es lograr que la tensin en dicho punto sea prcticamente constante y como consecuencia, circule por R2 una corriente constante, cortndose consecuentemente para el rizado, el camino de la entrada a la salida. Mtodo de diseo Se trata de elegir las resistencias R1 y R2 y diodo zener conforme a las especificaciones deseadas. La suma R1+R2 debe disearse de forma que con las condiciones ms desfavorables de funcionamiento(tensin mnima a la entrada y mxima corriente a la carga), provea la corriente de carga y la necesaria para polarizar al zener. Por tanto podemos establecer:
R1 + R2 =
Ve min V z I B max + I z min
Siendo I B max la mxima corriente de base ligada con la mxima corriente de carga (mnima RL) a travs de . En un diseo prctico, se suela elegir R1=R2 y C1=250 F, o mayor. La eleccin del diodo zener se hace siguiendo las especificaciones deseadas. La tensin de ruptura del zener debe ser la tensin de salida deseada. La corriente que como mnimo deber poder soportar ser la mxima corriente por la resistencia multiplicada por la tensin de ruptura. Finalmente, el transistor Q1 debe poder soportar una corriente, Ie, igual a la mxima de carga, una tensin colector-emisor, VCE, igual a la mxima de entrada menos la de salida y una potencia PC = I C VCE . Diseo La tensin de ruptura del diodo zener es: VZ = VS + VBE =10,7 V y
R1 + R2 =
por tanto,
Ve min V z 20 10,7 = 4,65k = I B max + I z min 1+1
R1=R2=2,32k y C1=250F La corriente mxima por el diodo zener ser
I z max =
Ve max VZ 24 10,7 = = 2,86mA R1 + R2 4,65
y la potencia Pz
PZ = I Z max VZ
En cuanto a las especificaciones del transistor Q1, stas son: max IC 100 mA max VCE 14 V max PC 1,4 W Tabla de valores estndar VZ = 10,7 V C1 = 250 F Q1 = BD135 R1=R2=2,2 k C2=2500 F
6.3.3 Ejemplo 2
Disear el regulador de la figura siguiente para una salida de 15 V y 2 A, sabiendo que la tensin de entrada es 255V 1=20, 2= 3= 100.
Q1
RE Z1 Q2
15 V 2A
Q3 25 5V
C Q 1 S i >2 0 Q 2 S i >1 00 Q 3 S i >1 00
R1
Z2
Figura 6-7 Regulador para 15 V, 2 A. Funcionamiento del circuito El principio de funcionamiento del presente circuito es idntico al del problema anterior. Las particularidades estriban en: 1) al pedir ms corriente la carga, se emplea como seguidor uno con par Darlintong, 2) con el fin de atacar al diodo zener Z2, a corriente constante, y reducir consecuentemente el rizado a la salida, se emplea la fuente de corriente formada por Q3-Z1-R1-RE . Mtodo de diseo Comentaremos nicamente las particularidades de diseo de este circuito. La fuente de corriente debe proporcionar la corriente para polarizar al zener y la de base del transistor Q2. Por lo dems, se trata del diseo de una fuente de corriente con la particularidad que la tensin que polariza al diodo zener Z1 no es constante. Para asegurar una correcta polarizacin de Z1 en todo momento, deberemos asegurar que por l circule al menos 1 mA cuando la tensin de entrada al regulador es mnima. La eleccin del valor de la tensin de ruptura del diodo zener Z1 es arbitraria dentro de ciertos lmites. Estos lmites vienen impuestos por la condicin de que el transistor Q3 trabaje siempre en la regin activa y ms concretamente que no penetre en la zona de saturacin. Ello se logra eligiendo una tensin en la base de Q3 superior a la que hay en su colector. Diseo La tensin de ruptura del diodo zener Z2 deber ser de 16,4 V si deseamos 15 V a la salida del regulador. La fuente de corriente deber proporcionar la siguiente corriente:
I C (Q3 ) = I min ( Z 2 ) + I B max (Q2 ) = 2mA

Eligiendo un diodo zener Z1 con una tensin de ruptura de 1,7 V, las tensiones en la base y emisor deQ3, en las condiciones ms desfavorables(mnima tensin de entrada), son: VB(Q3) = 18,3 V VE(Q3) = 19 V y como consecuencia,
RE =
1V = 500 2 mA
R1 =
18 ,3V = 18 ,3 k 1mA
Q1 deber ser un transistor que soporte una corriente de 2 A, una tensin colector-emisor de 15 V y una potencia de 30 W Tabla de valores estndar VZ1 = 1,7 V R1 = 18 k Q1 = 2N3055 VZ2 = 16,4 V RE = 470 Q2 = BD135 C = 2500F Q3 = SC157
6.4
Regulador realimentado.
Los reguladores estudiados hasta el momento no son adecuados cuando se precisa una tensin de salida extremadamente exacta, dado que: 1) la tensin de salida es establecida directamente por el diodo zener, no habiendo, pues, posibilidad de ajustes, y 2) los circuitos estudiados no contienen ningn tipo de control interno, de forma que si la tensin de salida crece o decrece por cualquier causa se desencadene un proceso realimentador que haga que la tensin se mantenga constante. Los reguladores realimentados no presentan los inconvenientes citados y son, por tanto, aptos cuando se desea una tensin exacta de salida en todo momento. Bsicamente consisten en un circuito de control de alta ganancia que es el que gobierna automticamente, y de forma continua, la tensin de salida, y corrige cualquier variacin de la corriente de carga o de la tensin de entrada no estabilizada. Como se muestra en la figura la fuente de alimentacin regulada se logra con una realimentacin de tensin serie, la salida se compara con una referencia de tensin estable en un amplificador de error genrico y toda diferencia entre ambas es amplificado y aplicado hacia la base del elemento de control serie.
Figura 6-8. Esquema bsico de un regulador serie. La funcin de amplificador podr ser realizada tanto por un transistor discreto como por un amplificador integrado. El elemento de control en serie es un transistor de potencia conectado como seguidor de emisor que proporciona una impedancia de salida baja para gobernar la carga. Si asumimos que no existe cada de tensin en el elemento serie, la ganancia del circuito vendr dada por red de realimentacin, es decir:
VS =
R1 + R2 VRe f R2
( 6-16)
Conforme la corriente de carga IS vara, VS se mantiene constante. El rizado y los cambios de tensin del suministro no estabilizado son absorbidos por el elemento de regulacin serie. Por tanto ste debe de poder disipar una potencia PD dada por:
PD = (VE VS )I S
( 6-17)
Siendo VE la tensin media de entrada sin estabilizar, VS la tensin de salida regulada y IS la corriente de salida a plena carga. Normalmente en la figura anterior, VRef se reemplaza por un diodo zener y una resistencia de polarizacin RD. La resistencia debe asegurar que el zener trabaje en la zona de ruptura con una corriente de algunos mA, usualmente 5-10 mA, el valor de RD vendr dado:
RD
VS VZ IZ
( 6-18)
El esquema completo del regulador se puede ver en la figura siguiente.
Figura 6-9 Esquema completo de un regulador serie.
6.4.1 Funcionamiento bsico.

El esquema general de control se puede sintetizar usando el diodo Zener como referencia, un partidor de tensin R1-R2 para medir la tensin en la carga, un transistor en configuracin de emisor comn, T2, actuando como elemento de paso que absorbe en su VCE las variaciones de tensin de la fuente sin regular, figura siguiente. El diseo incluye una resistencia de proteccin, r0.
Q1
Vi
Ro
Vo
RD
R1
R3 Q2
C1
Vz
R2
Figura 6-10 Veamos cmo opera: si V0, aumentar la tensin en la base de T2 en una cantidad proporcional
VB 2 = V0
R2 = VBE 2 R1 + R2
Como la tensin de emisor est fijada por Vz, la tensin base emisor experimentar el mismo incremento. Esto produce un incremento en IC2 y, por consiguiente, una disminucin en IB1. Esta
disminucin en la corriente de base del transistor de paso, T1, provoca a su vez una disminucin en su IE1 que, prcticamente, se traslada a la carga. Esta disminucin en la corriente de carga produce una cada en V0 que compensa el incremento inicial. Se cierra as el lazo de realimentacin negativa. La regulacin de entrada la realizan T1 y R3 de forma que un incremento en la tensin de lnea o un rizado por filtrado inadecuado dan lugar a incrementos, Vi, que debe absorberlo VCE1 y la corriente que pasa por R3, no apareciendo as la carga. Salvo la pequea cada en r0, la tensin Vi se reparte entre la carga y T1 produciendo una VCE tal como la del punto A de la recta de carga de la figura siguiente.
Vi Ic IB Ic
Vi + Vi RL
V CE1 V0 I C (V i + V i )
R3
T1
Vi RL
B A
I B (V i + V i ) I B (V i )
I B =
Vi R3
RL
I C (V i )
V CE1
Vi
Vi + Vi
V CE
V 0 =I L R L V CE1 Vi V0 + V 0 V0 + V i
Figura 6-11 Ante el incremento de la tensin de lnea pasamos a otra recta de carga de forma que ahora la tensin colector-emisor es la correspondiente al punto B y a la carga slo le alcanza una fraccin V0=Vi - VCE Es decir, si no existiese el transistor T1, toda la variacin de Vi aparecera en V0 mientras que con T1 la variacin en V0 se ve disminuida por la que absorbe T1 entre colector y emisor. Veamos ahora algunas consideraciones de diseo a travs de un ejemplo concreto. El primer paso es la seleccin de los componentes en funcin de: la tensin sin regular, la tensin regulada y la corriente en la carga. Podemos suponer que queremos una fuente de alimentacin regulada de 20V para una corriente de carga mxima de 1 A y partiendo de una fuente sin regular de 30 V. De estas condiciones se desprende que el T1 deber ser un transistor capaz de tener una IC=1 A, es decir elegiremos un transistor de potencia que suministre una IC > 1 A, por ejemplo el TIP-31 cuya ICmax= 5 A. Como va a trabajar en continua o con seales muy lentas ( rizado) nos fijamos en el valor de la ganancia para continua hFE que es: 25< hFE < 50. Este bajo valor de la ganancia determina las caractersticas de T2 y R3 puesto que la IB1 necesaria ser: IB1= ILmax / hFemin = 1 A / 25 = 40 mA y esta corriente la tienen que suministrar T2 y R3, es decir: IB1=IR3 IC2 Si suponemos que esta IB1 la suministra toda R3 obtendremos el valor R3max:
Rmax =
Vlnea VB1 Vlnea (V0 + VBE 1 ) 30 20 0.7 = 232 = = I B1 I B1 40 10 3
Como la tensin regulada es de 20 V necesitamos un zener cuya tensin mxima de ruptura sea bastante menor. En general se toma Vz Vregulada / 2 Para dejar margen de operacin a la tensin de colector de T2 ( VC2 20.7 V = V0 + VBE1). La eleccin de un zener conlleva la seleccin de un punto de operacin que junto con su resistencia Pmax= 400 mW , dinmica determina el valor de la Vref. Elegimos un zener tipo BZX79 cuya figura 4.6. Dentro de esta serie elegimos el C4V7 de Vz=4.7 V que opera bien hasta 50 mA. A partir de sus caractersticas obtenemos la resistencia dinmica que ser:
rz = V 5 4 .7 = 7. 5 = I (60 20 )10 3
Figura 6-12. Caractersticas V-I de los Zener de la serie BZX-79. Elegimos como punto de trabajo del zener Q( 20 mA, 4.7 V) y la Vref ser: Vref= VZ + rzIZ = 4.75 + 7.52010-3 Este dato exige una comprobacin experimental en el Laboratorio a partir de las caractersticas estticas y dinmicas del zener concreto que se utilice. La corriente que pasa por el zener la suministran Q2 y su resistencia de polarizacin RD, que debe asegurar el nivel de Izmin independiente del estado de conduccin de Q2. Por tanto la RDmax que asegura la Izmin ser:
RD max =
V0 Vref I z min
20 4.9 3 5 10 3
Podemos admitir que la mitad de Iz la suministra la polarizacin, RD y la otra mitad, T2. As el valor de RD ser:
RD =
V0 Vref 20 4.9 = 1.5 3 1 10 10 I z min 2
Ahora ya tenemos el punto de polarizacin de T2 ya que: IC2 IE2 = IZ = 10 mA y VCE2= V0 + VBE1 Vref = 20 + 0.7 4.9 = 15.8 V luego Q2 ( 10 mA, 15.8 V), y este punto de trabajo lo puede suministrar un transistor de baja potencia tipo BC107, por ejemplo. Lo que hay ahora que comprobar es que en un caso extremo debe ser capaz de absorber todo el cambio en la base de Q1. El cambio mximo sera que IB pasara de 0 A a los 40 mA de IBmax, valor que cubre de sobra el BC107. El ltimo paso ser calcular R1 y R2. Su misin es polarizar la base de T2 en la frontera de la tensin de despegue cuando la tensin en la carga es el valor deseado. VB2= Vref + VBE2 = 4.9 + 0.7 = 5.6 V Por otra parte R1 + R2 debe ser un valor alto para que no cargue. R2 est en paralelo con la impedancia de entrada de T2 y con la r2 de forma que su valor real es algo mayor que el que opera. Sin embargo, si la ganancia en corriente de T2 es alta podemos despreciar su corriente de base de forma que:
VB 2 = V0
R2 R1 + R2
Adems R1 + R2 debe ser mucho mayor que RL. Como ILmax = 1 A y V0=20 V RLmin = V0 / ILmax = 20 /1 = 20 / 20 W Podemos tomar entonces, por ejemplo R1 + R2 = 5 K. Entonces:
R2 =
VB 2 (R1 + R2 ) = 5.6 5 10 3 = 1.4 V0 20
Luego R1= 5 1.4 = 3.6 K. ( Estas resistencias deben ser ajustables). Para R3 hemos obtenido el valor mximo. Como IC2= 10 mA e IB1 = 40 mA, la corriente que atraviesa R3 ser: IR3 = IC2 + IB1 = 50 mA por tanto:
R3 =
-Mejoras:
Vi (V0 + VBE1 ) 30 (20 + 0.7) = = 186 I C 2 + I B1 (10 + 40) 10 3
En este tipo de reguladores hay, al menos, tres problemas distinguibles: b) c) d) Calidad del comparador diferencial. Potencia del transistor de paso. Proteccin frente a sobrecargas.
a) El comparador diferencial est realizado con un nico transistor, T2, de forma que se obtiene una mejora sustancial cambiando este transistor por un amplificador diferencial con alta ganancia, alta Zin, (lo que hace que absorba una corriente despreciable) y una baja Zout. b) Esta mejora est asociada a la corriente mxima en la carga capaz de ser regulada. Esto lo controla el transistor de paso T1 y, por consiguiente, se resuelve sustituyndolo por una
configuracin Darlington. A su vez, este aumento brusco en la ganancia en corriente de T1 conlleva un aumento en R3, y por consiguiente, una mejor regulacin SV, y una disminucin en la potencia disipada. El circuito con la configuracin Darlington ser:
I Lmax Vi I Lmax /h F E R3 2 I Lmax /h F E V0
I3
I C2=10 mA
Figura 6-13 La corriente de base disminuye ya que pasa a ser ILmax/hFE2 y por consiguiente R3 aumentar a: R3 = Vi (V0 + 2VBE ) 30 ( 20 + 1.4) = 2 = 740 I L max 10 + (1 / 25 2 ) IC 2 + h 2 FE
Podemos calcular el factor de regulacin de entrada, SV. En el ejercicio inicial tenemos:
SV =
V0 Vi
I L =0
El VBE1 = 0 ya que IL = IE = 0. Si llamamos I3 a la corriente por R3
I 3 =
Vi V0 Vi R3 R3
ya que suponemos que est regulada y que V0 es muy pequeo frente al Vi. La IB1 debe permanecer constante, IB1=0, ya que IL=0, es decir toda la variacin de Vi debe ser absorbida por T2 y R3 y llegar una pequea parte, la menor posible, a V0 . Veamos el IC2 como consecuencia del V0.
I1
hie2 Req 2rZ(+1)
I02
I1 V0
R2
Figura 6-14
I B2 =
V0 !R2 / Req R1 + R2 Req Req
= V0
R2 1 = R1 + R2 R1 Req + R 2
Req = hie 2 + 2rZ ( + 1) I C 2 = I B 2 = V0 R2 1 ! R1 + R 2 R1 hie 2 + 2rZ ( + 1) + R 2 R2 1 = V0 ! R1 + R 2 R1 hie 2 + 2rZ ( + 1) + R 2
I C 2 = I B 2
Antes obtuvimos
Vi = R3 !I 3
luego
SV =
Si IB10 IC2I3
V0 I C 2 R1 + R2 R hie 2 + 2rZ ( + 1) + 1 = ! ! R2 Vi I 3 R2 !R3
R hie 2 + 2rZ ( + 1) + 1 R2 R + R2 SV = 1 ! R3 R2
Como con la introduccin de la configuracin Darlington hemos tenido que aumentar R3, queda claro que adems de la mejora en cuanto a la potencia entregada a la carga tambin ha disminuido SV y con ello se ha mejorado la regulacin. Si an queremos disminuir ms SV podemos sustituir R3 por un nuevo transistor (preregulador) que acte como generador de corriente (R3), en la forma de la figura siguiente.
Vi T3 DZ R7 T4 V0
T5
R8
T2
Figura 6-15 Este circuito tiene adems la ventaja de disminuir el rizado. En el caso anterior (con R3) el rizado de Vi originaba variaciones en I3 que aparecan en la base de T3-T4, ya que el colector de T2 presenta Zin|. Este rizado era amplificado por la configuracin Darlington, apareciendo por tanto a la salida. Ahora este problema se ve disminuido ya que el nico rizado que puede llegar a la base de T3-T4 es el que pasa por el divisor de tensin rZ, R8. Si suponemos valores de R8 = 5k y rZ = 50 el rizado queda multiplicado por 50/5050 = 10-3.
c) Proteccin frente a sobrecargas: Un circuito tpico de proteccin a sobrecargas es el de la figura siguiente.

Vi IL T1 1.4V VBE R3 2,1V V0 Rs
D1
D2
D3
Figura 6-16 Los diodos no conducen hasta que la cada en RS supere la tensin 2V, es decir VBE1 + RSIL 3 V As para valores bajos de la IL la cada en RS no es suficiente para pasar los diodos a conduccin. Existe un valor de IL, ILmax tal que polariza a los diodos en directa desviando por ellos la corriente de la fuente sin regular, protegiendo as al transistor de paso. Si queremos que la ILmax = 1 A RS = 1.4/1 = 1.4 (1.4W) Este mtodo requiere una cierta disipacin de potencia y degrada algo la funcin del regulador porque aumenta su impedancia de salida. Existen otros mtodos activos de proteccin a sobrecargas que veremos mas adelante al estudiar las soluciones integradas. Por otro lado, a estos mtodos activos se debe aadir un fusible en serie aunque su proteccin a veces no es eficiente ya que la constante trmica del fusible es normalmente mucho mayor que la del transistor de paso.
6.4.2 Ejemplo
Disear el regulador de la figura siguiente para una salida de 12 V, 1 A
Q1 12 V 1A
C2 R1 Q3 R5 R3
R2 22 4V Q3 Q 1 S i > 2 0 Q 2 S i > 1 00 C1 Z1 R4 Q 3 S i > 1 00
Figura 6-17 Regulador para 12 V, 1 A. Funcionamiento del circuito
Se trata de un regulador realimentado por corriente, siendo el sensor el divisor R3-R4, la referencia es el diodo Z1 junto con la resistencia R5 necesaria para polarizarlo. El detector de error y amplificador es el transistor Q3. El Darlington Q1-Q2 forma el transistor regulador. Finalmente R1-R2 proporcionan la corriente necesaria a la base de Q2 y al colector de Q3. El condensador de desacoplo C1 sirve, como ya se ha comentado en problemas anteriores para cortar al rizado el camino desde la entrada a la salida. Supongamos por un momento que la tensin de salida crece (y consecuentemente la corriente de emisor de Q1). La tensin en la base de Q3 crecer y consecuentemente Q3 conducir ms. Como la corriente que pasa por R2 es prcticamente constante, un aumento en la corriente de colector de Q3 obliga a una disminucin en la corriente de base de Q2, o lo que es lo mismo a un decrecimiento en la corriente de emisor de Q1 que originar una disminucin de la tensin de salida que anula el crecimiento original, mantenindose pues la tensin de salida constante. Mtodo de diseo Elegido el diodo zener Z1, R3-R4 se eligen para obtener la tensin de salida deseada, y de forma que por dicho divisor circule siempre una corriente mucho mayor que por la base de Q3. R5 proporciona la corriente necesaria para que en todo momento el zener est correctamente polarizado. R1-R2 deben proporcionar en todo momento la corriente de base por Q2 y la del colector de Q3 asegurando que bajo cualquier corriente de carga, dentro de los lmites especificados, Q3 est en la regin activa. Diseo Elegimos un diodo zener de 5,3 V. En la base de Q3 hay pues 6 V. Eligiendo por el divisor una corriente de 1 A resulta R3 = R4 = 6 k Haciendo pasar por R5 0,5 mA obtenemos para R5 el valor R5 = 13,4 k La corriente I por R1-R2 es I = IB mx(Q2) + IC mx(Q3) Eligiendo en las condiciones ms desfavorables ( mnima tensin de entrada ) mx(Q3) = 0,5 mA y teniendo en cuenta que IB mx(Q2) = 0,5 mA, resulta I = 1 mA. De donde, IC
R1 + R2 =
o bien
Ve mn VB (Q2 ) 18 13,6 = = 4,4k I 1
R1 = R2 = 2,2 k En cuanto al diseo de los condensadores y transistores a elegir se siguen los criterios de problemas anteriores. Tabla de valores estndar VZ1 = 5,3 V R3 = R4 = 5,6 k C1 = 250 F Q1 = 2N3055 Q3 = SC107 R1 = R2 = 2,2 k R5 = 12 k C2 = 2500 F Q2 = BD135
6.4.3 Limitador de corriente.

Establece una realimentacin negativa cuando la corriente de carga sobrepasa la mxima especificada para el regulador, manteniendo la corriente de carga aproximadamente constante, an cuando la resistencia de carga sea menor al mnimo requerido por las especificaciones del regulador. Claro est, en ese caso el regulador ya no funciona como tal, puesto que la tensin de salida no puede permanecer constante sino que necesariamente debe decrecer conforme la resistencia de carga decrezca.
Vi Vi IB Seal del amplificador de error T0 Seal del amplificador de error R1 T1 RSC RSC IL V0 R2 IL V0 IB T0
Vi IB Seal del amplificador de error R1 T1 R2 RSC IL V0 T0
T1
Figura 6-18. Limitadores de corriente. Un circuito prctico limitador de corriente puede verse en la figura anterior. Q0 es el transistor regulador. Q1-R el limitador de corriente e I una fuente de corriente (a veces una resistencia) para alimentar el transistor regulador y al amplificador-detector de error. R debe disearse de forma que Q1 empiece a conducir cuando la corriente de carga sobrepase el mximo permitido IL max, es decir, R= VBE (Q1 ) I L max ( 6-19)
Supongamos que por cualquier motivo la corriente de carga sobrepasa el lmite mximo permitido. Q2 empieza a conducir disminuyendo la corriente de base de Q1 (I e Ie son constantes) y haciendo, en consecuencia, disminuir a IL de forma que crecimiento y disminucin se compensan, mantenindose IL constante. La principal desventaja de este esquema es que requiere que caiga toda la VBE en RSC antes de que empiece a actuar el mecanismo limitador de corriente. En muchos casos esto no es deseable porque deteriora la regulacin de carga. Para evitarlo se prepolariza el transistor de proteccin a un punto prximo a la conduccin con el partidor R1! R2 (figura b y c), as para iniciar la conduccin de T1 slo hace falta una cada en RSC que es una fraccin de VBE. Estos limitadores son circuitos en lazo cerrado de forma que bajo fuertes corrientes de carga, pueden oscilar cuando alcanza la corriente limite. Esto se evita aadiendo una capacidad de compensacin de T1 a tierra o reduciendo la ganancia del Darlington, T0, mediante una resistencia de paso desde la base al emisor. En reguladores de alta potencia, donde no se define la naturaleza exacta de la carga, pueden existir cortocircuitos accidentales durante largo tiempo antes de ser detectados. Esto puede causar excesivo calentamiento y mucha disipacin de potencia en el sistema. Para evitar esto, se incorpora un mecanismo llamado de current-foldback, (doblar hacia abajo la corriente) que opera como un conmutador de sujecin (latching switch) y reduce la corriente de salida a una fraccin de su valor nominal si persiste la condicin de sobrecarga. En muchos diseos los dispositivos necesarios para limitar la corriente y protegerse de la excesiva duracin de la sobrecarga, se incorpora tambin en el C.I. dejando slo para fuera del chip las resistencias sensoras que permiten al usuario determinar cual quiere que sea, para una aplicacin especfica, el valor umbral de la corriente lmite y la cantidad de corriente "doblada". La figura 4.17 muestra un ejemplo de este circuito de proteccin en el que el par PNP lateral (T1) y NPN (T2) forman un conmutador que mide la corriente y posee la capacidad de sujetarla.
6.5
Reguladores integrados.
Es posible integrar todos los componentes del regulador anteriormente descrito en un solo chip, obtenindose as las ventajas de los circuitos integrados. La sntesis en tecnologa integrada de los reguladores serie tiene problemas por la inclusin de los transistores de paso que disipan gran potencia cerca de los circuitos de control (diferencial, referencia, etc.) de baja potencia y por la necesidad de integrar la proteccin a sobrecargas. Por lo dems, el principio de operacin es el mismo que hemos visto en el diseo con transistores: (fuente de corriente, tensin de referencia, amplificador de error, y divisor de tensin R1-R2. La tensin de referencia es normalmente un zener compensado en temperatura o tipo gap, tal como vimos en temas anteriores. (Se obtienen valores entre 1.2 y 2.5 V con coeficientes de temperatura, CT entre 30 y 100 ppm/C). Los transistores de salida son configuraciones Darlington y la etapa diferencial suele estar compensada en frecuencia mediante una capacidad interna, como los amplificadores operacionales. Para tensiones negativas, basta con invertir las polaridades y usar transistores PNP como elemento de paso, obtenidos con PNP laterales y NPN de alta corriente. Sin embargo como este transistor compuesto est dentro del lazo de realimentacin del regulador, el uso de transistores compuestos puede crear problemas de inestabilidad cuando flucta la carga. Por eso suele ser ms frecuente en los reguladores Darlington NPN tomar la salida en el colector (emisor comn) en vez de tomarla en el emisor (colector comn), tal como se muestra en el esquema de la figura siguiente. Como esta configuracin introduce una inversin de fase, la muestra de la salida, VS se aplica a la entrada no inversora del comparador.
+ + VR Referencia de Tensin R2 T1 T2 R1 Vs V0
+ A1 I1 -Vi
Figura 6-19. En estos reguladores negativos, la impedancia de salida en lazo abierto, R0, es mayor que en los positivos pero la correspondiente a lazo cerrado, Rout, se puede hacer baja aumentando la ganancia del lazo. En muchas aplicaciones (A.O., multiplicadores, conversores A/D...) hacen falta reguladores dobles, V0, en las que la tensin positiva siga a la negativa y viceversa (dual-tracking regulators) mantenindose la simetra de la fuente doble ante variaciones en la carga y en la tensin de lnea. La figura siguiente muestra el concepto bsico y el circuito simplificado de un regulador doble a partir de una referencia fija.

R0 +V0 R0 + VR Referencia de Tensin A1 A2 R1 -V0
R2
+Vi
I1 + + VR Referencia de Tensin R1 R0 A1 T1 + +V0
2V0 R2 R0
+ -
A2 T2
-V0
-Vi
Figura 6-20. Este circuito es bsicamente un regulador positivo cuya tensin de salida, V0, se invierte y se duplica para producir V0. V0 = VR(1+R1/R2) El rendimiento de un regulador se define como el cociente entre la potencia regulada P0, y la potencia que entrega al regulador la fuente sin regular, Pin.
P0 (regulada sobre R L ) Pin (sin regular )
Usando el modelo simplificado del regulador serie de la figura 4.14 queda claro que la eficiencia es mxima cuando IL = ILmax y VCE Vi - V0 = VCE min.
VCE + IL +
Vi
IB
RL
V0
Figura 6-21.
Pin = Vi (I B + I L ) P0 = V0 !I L
V0 !I L V VCE = i Vi (I B + I L ) IB Vi + 1 I L
Al igual que en los diseos con componentes discretos, los reguladores integrados incluyen circuitos de proteccin de tres tipos: a) Proteccin frente a cortocircuitos en la carga. b) Proteccin contra excesos de tensin en la lnea que producen grandes diferencias entre Vi y V0 (definiendo lo que se llama rea de operacin segura). c) Proteccin contra la excesiva disipacin trmica en las uniones (Thermal overload).
6.5.1 rea de operacin segura.

Para evitar la segunda ruptura de los transistores de potencia debida a la inestabilidad trmica de los puntos de baja resistencia (hot-spots), es necesario asegurar que el dispositivo trabaja en el rea de seguridad (figura 4.18). As, por ejemplo, se pueden manejar 3 A a VCE = 5 V, pero slo 1 A a VCE = 15 V. En el diseo de reguladores de alta corriente es frecuente incluir circuitos de proteccin que garanticen que el transistor de paso trabaja en el rea de seguridad, particularmente ante la presencia de transitorios de tensin en la lnea.
Vi Dz R3 Ix seal del amplificador de error T1 R2 R SC V0 IL R1 T0
IB
Figura 4.19 Circuito con proteccin a cortocircuitos y rea de segura. La figura 4.19 muestra un ejemplo en el que se combina el rea segura junto con la proteccin activa frente a cortocircuitos. En este circuito cuando la diferencia de tensin entre Vi y V0 es suficiente para disparar al zener Dz, el circuito de proteccin del reasegura entra en accin y la corriente adicional, Ix, a travs de R3 y R2 aumentara la prepolarizacin en la base del transistor de proteccin o cortocircuitos, T1, haciendo que el mecanismo de limitacin de la corriente de salida entre en funcionamiento a un nivel de corriente ms bajo. De esta forma cuando la cada (Vi V0) a travs de T0 aumenta, el valor mximo de la corriente disponible a la salida se reduce para mantener el punto de operacin de T0 dentro de su rea de seguridad. Es decir, si observamos el perfil de una curva lmite del rea de seguridad vemos que al aumentar VCE, disminuye IE si queremos que el funcionamiento sigua siendo seguro.
IE
1 2
V CE
Figura 4.20 (Al VCE IE ) Esto mismo debe hacer automticamente el circuito protector. Cuando (Vi V0), VCE pero la rama paralelo del zener produce una cada adicional en RSC que hace que el punto al que se dispara el mecanismo limitador sea menor. Antes IE mx=ILmite, ahora IE mx=ILmite IGen. Esta disminucin lleva al punto Q a una zona de funcionamiento seguro (figura 4.21).
R SC I Gen V0
Figura 4.21 Obsrvese que combinando la proteccin a cortocircuitos y el limitador a rea segura en un mismo circuito la ventaja adicional de que ambos poseen las mismas caractersticas de dependencia con la temperatura.
6.5.2 Cierre trmico. (Termal shunt down).

La proteccin a sobrecargas trmicas es necesaria para evitar el daado permanente por operar a altas temperaturas. Recordemos que para operacin continua, la temperatura mxima de la unin en Silicio es TJ = 200 C, que se limita por criterios conservativos a TJ 150 C. Esto se puede resolver introduciendo en el diseo un mecanismo de desconexin trmica que sense la TJ del chip y desconecte automticamente hasta que esta quede por debajo de un cierto valor umbral, o hasta que se le aplique un reset externo. Generalmente se usa la dependencia de VBE con T como sensor de TJ. En la figura 4.15 vimos un esquema simplificado del circuito. En ella, el transistor T2 tiene su base polarizada desde un punto, VTS, de tensin estable frente a variaciones en la temperatura. Tpicamente, VTS = 400 mV y no es suficiente para mantener a T2 en conduccin. Sin embargo, como la deriva trmica de VBE es negativa: dVBE = 2mV / C dT un incremento de T de 120 150 C, por encima de la temperatura ambiente, har que T2 pase a conduccin y, absorbiendo IB, corte al transistor de paso, T0. La figura 4.22 muestra una realizacin tpica de este mecanismo que produce una referencia, VTS, estable frente a variaciones de temperatura para ser usada despus en circuitos de
desconexin trmica. Con un cuidadoso proceso de fabricacin, la temperatura de desconexin, TTS, se puede mantener en un margen de 10% dentro del valor previsto a lo largo de toda una remesa de CI. Normalmente, el transistor de proteccin trmica, T2, se coloca prximo al transistor de paso que es donde TJ alcanza sus valores mximos.
Vi Tensin sin regular IB Seal del amplificador de error T1 + R1 Dz Vz + V TS R2 T2 Iz T0 IL
V0
Figura 4.22 Circuito de cierre trmico Para IL 5 no es suficiente este mecanismo de proteccin y se incluye un control privado que detecta el gradiente de temperatura y dispara antes de que se alcance el mximo permitido. Tal detector de gradiente utiliza dos sensores, uno prximo al dispositivo de potencia y el otro en el extremo opuesto del chip. As, el protector trmico se activa ms rpidamente, de forma predictiva, cuando la diferencia entre la T de los dos sensores alcanza un cierto nivel, sin esperar a que todo el chip se caliente en exceso. Esto disminuye el tiempo de respuesta de varios minutos a varias decenas de milisegundos.
6.5.3 Soluciones comerciales.

La facilidad de sntesis, versatilidad y bajo conste de los reguladores integrados ha facilitado mucho el diseo de fuentes de alimentacin, pudiendo incluirse un regulador por cada placa. Existen en la actualidad ms de 100 tipos de reguladores integrados desde fijos de baja corriente hasta variables de corrientes medias y fijos de alta corriente ( 5 A) sin constar con las soluciones en tecnologa hbrida, tipo LM7805, que pueden manejar hasta 10 A. En este apartado vamos a ver algunos reguladores representativos de los distintos tipos existentes que ilustran adems las estrategias de diseo comentadas anteriormente. La tabla de la figura 4.23 presenta un estudio comparativo de estos tipos de reguladores. Veamos los siguientes tipos: Reguladores fijos de tres terminales ( + y -): LM78XX Reguladores ajustables: KA723, LM138
PARMETROS UNIDADES KA-723 LM7800-XX LM-138 CARACTERSTICOS mA 1-50 5-750 10-5000 Rango de corriente de operacin normal Regulacin de Linea % 0.2 1 0.05 (T= 25 C) Regulacin de carga IL (25 C) % 0.5 2 0.3 Estabilidad con la T % 1.5 1.5 1 (deriva total de 55 a+125 C) Corriente de salida de pico (pulso) A 0.15 2 10 Limitacin de la corriente de A 0.065 0.75 5 cortocircuito (25 C) Tensin de drop out V 3 2 2.5 Rechazo al rizado (50 Hz 10 Hz) dB 74 68 60 Tensin de ruido de la salida (BW 20 40 100 V rms 100Hz 10Hz) 0.05 0.05 0.01 Impedancia de salida (f1 kHz) Rango de la tensin de entrada V 9.5 40 7 24 3 36 Rango de la tensin de salida V 2 37 Fijo 1.2 32 N de terminales del chip 10 11 3 3 N de componentes externos para 56 Ninguno 2 una aplicacin tpica Proteccin trmica No Si Si Figura 4. 23 Tabla comparativa de las caractersticas de algunos reguladores serie integrados.
Captulo 7
AMPLIFICADORES CON BJT.

En general, un amplificador es un dispositivo que aumenta la intensidad de un fenmeno tomando la energa de una fuente exterior. En electrnica se distinguen bsicamente tres tipos de amplificadores de corriente, de potencia y de tensin que son circuitos electrnicos cuya funcin consiste en elevar la intensidad de la corriente que proporciona una seal elctrica, la potencia que desarrolla o la tensin. Los amplificadores se construyen a partir de elementos activos discretos (por ejemplo, transistores bipolares o de efecto de campo) o integrados (por ejemplo, amplificadores operacionales o amplificadores para videofrecuencias).
7.1
Generalidades.
El proceso de amplificacin consiste en aumentar la seal de entrada obteniendo una seal de salida mayor que la que inicial. Podemos clasificar los amplificadores en: Amplificadores pasivos: aquellos que no tienen una fuente de energa externa que no sean las entradas. Amplificadores activos: tienen algn tipo de fuente de energa externa que se puede aprovechar para producir una salida que tenga mayor potencia que la entrada. Un amplificador pasivo es un transformador elevador, en el que al aplicar una seal alterna de tensin al devanado de entrada genera una seal de tensin mayor que la de entrada. No obstante, este sistema no es un amplificador de potencia debido a que la impedancia efectiva del circuito de salida es mayor que la del circuito de entrada. Por tanto, la energa suministrada a una carga ser menor que la absorbida a la entrada. Los amplificadores electrnicos ms importantes y utilizados son los activos. Generalmente, toman energa de una fuente de alimentacin externa para aumentar la seal de entrada. Se pueden clasificar en: Amplificador de tensin, que amplifica la seal de tensin de entrada. Amplificador de corriente, que amplifica la seal de corriente de entrada. Ambos amplificadores en general aumentan la potencia de la seal, no obstante esto no quiere decir que sean amplificadores de potencia que son aquellos que suministran grandes proporciones de potencia a una carga. A su vez, estos circuitos pueden ser amplificadores de voltaje, de corriente o ambos. En estos circuitos es muy importante el rendimiento del circuito, ya que ste relaciona la potencia
que suministra la carga y a la que se toma de la fuente. Por tanto, puede determinarse la potencia que el circuito disipa en forma de calor. De este modo, segn la potencia requerida, podemos determinar los componentes necesarios teniendo en cuenta las prdidas de potencia en el circuito.
7.2
Conceptos importantes.
Llegado a este punto es necesario definir una serie de conceptos que van ser utilizados para cualquier tipo de amplificador: Entrada: Malla por la cual se aplica una seal que proviene de una fuente y que va ser amplificada. Normalmente se le aplica el subndice e o i. Salida: Malla por la cual se obtiene la seal amplificada. Normalmente se le aplica el subndice s u o. Distorsin: Deformacin de la seal de salida respecto a la de entrada. Tensin de entrada: vE, tensin que entrega el generador de seal al amplificador. Corriente de entrada: iE, corriente que absorbe el amplificador. Impedancia de entrada: ZE, impedancia que ve el generador al conectarlo a la entrada del amplificador. ZE = vE/iE. Tensin de salida: vS, tensin alterna que se manifiesta en los extremos de la carga. Corriente de salida: iS, corriente que circula por la carga. Impedancia de salida: ZS, impedancia interna que presenta la seal de salida si se emplea como generador para otro dispositivo. ZS = vS/iS. Ganancia en tensin: AV, relacin entre la tensin de salida y la de entrada. AV = vS/vE. Ganancia en corriente: AI, relacin entre la corriente de salida y la de entrada AI = iS/iE.
En muchas ocasiones se determinar la ganancia de tensin o corriente en decibelios. El decibelio es una representacin numrica sin dimensiones que se definede la siguiente forma
Av
dB
= 20 log10
vs ve
Ganancia de potencia. AP relacin entre la potencia de salida y la de entrada. AP = PS/PE
7.2.1 Recta esttica de carga

Empezaremos estudiando la monoetapa con BJT ms utilizada. La malla de colector satisface para continua la siguiente ecuacin:
VCC = I CQ (RC + RE ) + VCEQ

V CC
R1 CB
RC
R2
RE
Captulo 7. Amplificadores con BJT. 3
Donde ICQ y VCEQ representan respectivamente la corriente de colector y tensin colectoremisor en el punto Q. La representacin grfica de la ecuacin (1), que puede verse en la figura 1.2, recibe el nombre de recta esttica de carga.
IC V CC R C +R E
I CQ
V CC 2
V CC
V CE
Para que el BJT est correctamente polarizado, el punto Q debe estar centrado (se dice entonces que el BJT est polarizado en clase A de continua). Despreciando la tensin colector-emisor en saturacin, para una correcta polarizacin se elige VCEQ =VCC/2 RC +RE = VCC/(2ICQ) Fijando ICQ y la tensin VE en el emisor, inmediatamente se obtiene: RE = VE / ICQ RC =
VCC RE 2 ICQ
7.2.2 Recta dinmica de carga

Supongamos el circuito general de la figura siguiente. Para continua la monoetapa es idntica a la de la figura primera; por tanto, poniendo RE = RE1 +RE2, podemos escribir ICQ ( RC + RE ) + VCEQ = VCC Que representa ciertamente la recta de carga esttica.
V CC
R1 C
RC
RL
R E1 R2 R E2 C
Por otro lado, para alterna y en malla de colector podemos escribir ( iC ICQ ) ( R + RE1) = - ( vCE VCEQ ) Donde R = RC//RL. La representacin grfica de (3) recibe el nombre de recta de carga dinmica. En la figura siguiente puede verse la representacin de la recta esttica de carga conjuntamente con la dinmica.
ic 2I CQ
VCC RC+R E
pendie nte= -1 R+R E1
I CQ
Q
pendie nte=
-1 R C+R E
V CEQ
V CC
V CE
Para que la excursin del punto Q sea la mxima posible, ste debe estar centrado en la recta de carga dinmica (en este caso se dice que el BJT est polarizado en clase A de alterna); en consecuencia se debe satisfacer que cuando vCE = 0, iC = 2ICQ Con la condicin anterior y combinando (2) y (3), ICQ debe valer ICQ =
VCC RC + RE + R + RE1
El valor de ICQ lo fija el divisor R1-R2 y RE.
7.2.3 Amplificacin.
Dado el circuito de la figura siguiente, es posible establecer su recta de carga mediante la ecuacion: VCC = RCIC + VCE
iC C V CE E V CC
V BB
+ vi -
B iB + V BE
RC
Si dibujamos esta recta de carga en la curva caracterstica del transistor, ser posible determinar grficamente la ganancia que se produce.
i C (mA)
V CC RC
34 mA
400 A 300 A 250 A 200 A 150 A 100 A 50 A
18 mA 2 mA 0 5 10 15
20 V CC
V CE (V)
i c (mA) 34 18 2 Salida t(s)
i B ( A) 400 200 0 Entrada t(s)
La seal de salida correspondiente se puede encontrar de manera grfica. Moviendo el punto de operacin hacia arriba y abajo a lo largo de la lnea de carga conforme cambia iB, se pueden graficar iC; iB y CE, como se muestra en la figura anterior. Se determinar el cambio en la corriente de colector para un cambio dado en la corriente de base. Esta relacin es la ganancia de corriente, que se define como Ai =
iC 32mA = = 80 iB 400 A
7.3
Circuito equivalente hbrido del transistor.
Un cuadripolo es una red o un dispositivo de tres terminales, de manera que el par de terminales o puertos de la izquierda representarn los de entrada y los de la derecha los terminales de salida. Una red de esta ndole se puede describir por cuatro variables, que son las corrientes y las tensiones de cada puerto.
Figura 7-1. Cuadripolo genrico. Dos de estas variables pueden ser consideradas independientes, siendo las restantes dependientes de stas. Ya que el sistema funciona linealmente, las variables estn relacionadas entre s por un conjunto de ecuaciones lineales, de las cuales las ms empleadas son las siguientes:
Ve = h11 I e + h12Vs I s = h21 I e + h22Vs
( 7-1 ) ( 7-2 )
Los parmetros que relacionan las cuatro variables se llaman hbridos o parmetros h. Si fijamos arbitrariamente Vs = 0 (cortocircuito en los terminales de salida), y resolvemos la ecuacin respecto a h11, obtenemos:
h11 =
Ve Ie
( 7-3 )
Vs = 0
La relacin muestra que es un parmetro de impedancia que se medir en ohmios. Recibe el nombre de impedancia de entrada en cortocircuito. Si Ie se hace igual a cero abriendo las conexiones de entrada, se producir el siguiente resultado para h12 :
h12 =
Ve Vs
( 7-4 )
Ie =0
En consecuencia, el parmetro h12 es la relacin de la tensin de entrada con la tensin de salida y con la corriente de entrada igual a cero. Si en la ecuacin, hacemos Vs igual a cero poniendo de nuevo los terminales en cortocircuito, se obtiene:
h21 =
Is Ie
( 7-5 )
Vs = 0
Ahora tenemos la relacin entre la corriente de salida y la corriente de entrada con los terminales de salida en corto. El ltimo parmetro puede encontrarse abriendo las conexiones de entrada para fijar Ie = 0 y resolviendo la ecuacin se obtiene:
h22 =
Is Vs
( 7-6 )
Ie =0
Se trata del cociente entre la corriente de salida y la tensin de salida, el parmetro es una conductancia y se mide en siemens. Recibe tambin el nombre de admitancia de salida. De lo anterior se desprende que se podra obtener un circuito equivalente de entrada que cumpla la ecuacin (7.1), que es el mostrado en la siguiente figura a), y uno equivalente de salida figura b) que cumple la ecuacin (7.2).
Figura 7-2. Circuitos equivalentes hbridos: a) de entrada, b) de salida. El circuito equivalente completo en c.a. para un dispositivo lineal de tres terminales se indica en la figura siguiente con un nuevo grupo de subndices para los parmetros h, Esta notacin es ms utilizada en la literatura. h11 : impedancia de entrada hi h12 : relacin de transferencia de tensin inversa hr h21 : ganancia en corriente hf h11 : admitancia de salida ho El circuito se aplica a cualquier dispositivo o sistema de tres terminales sin fuentes internas independientes. As, en el transistor, aun cuando podamos obtener un circuito equivalente para pequea seal a partir de las ecuaciones de Ebers-Moll, se ha optado aqu por considerar el transistor como un ejemplo ms de cuadripolo (caja negra) y tal que las relaciones entre las variables en los terminales de entrada y salida se obtienen experimentalmente. Como el transistor se puede polarizar en tres configuraciones bsicas, todas configuraciones de tres terminales, el circuito equivalente resultante tendr el mismo formato que el de la figura.
Figura 7-3. Circuito equivalente completo. No obstante, los parmetros h cambiarn con cada configuracin. Para distinguir cul es el parmetro utilizado o con cul se cuenta, se ha adicionado un segundo subndice a la notacin del parmetro h, a saber, b, c, y e para la configuracin base, colector y emisor comn.
Figura 7-4. Modelo c.a. equivalente del transistor en emisor comn. La red equivalente hbrida se muestra en la figura anterior para la configuracin de emisor comn, por otro lado la ms utilizada, pero es posible establecer el modelo para las otras dos configuraciones. Sin embargo en las hojas de caractersticas es normal encontrar los parmetros hbridos en configuracin de emisor comn, la tabla siguiente puede ayudar a calcular los parmetros en cualquier configuracin. Emisor Comn Base Comn Colector Comn
hie hre h fe hoe
hib = hrb =
hie 1 + h fe hie hoe hre 1 + h fe h fe 1 + h fe
hic = hie
hrc = 1 hre h fc = 1 + h fe hoc = hoe
h fb = hob =
hoe 1 + h fe
Tabla 7-1. Parmetros hbridos en funcin de la configuracin en emisor comn. En las configuraciones de emisor comn y base comn, las magnitudes de hr y de ho a menudo son tales, que los resultados del anlisis se ven mnimamente afectados si no se incluyen en el modelo. Puesto que hr tiene por lo general un valor relativamente pequeo (hr 0), entonces hrVs 0, por lo que la fuente de tensin puede ser sustituida por un cortocircuito. Por otro lado la admitancia ho es por lo general muy pequea y por tanto la resistencia 1/ho es suficientemente grande como para ignorarse en comparacin con la carga en paralelo que suele llevar, por lo tanto sta puede sustituirse por un circuito abierto. El equivalente resultante para la configuracin en emisor comn quedara como muestra la figura siguiente.
Figura 7-5. Modelo equivalente aproximado en emisor comn.
7.4
Configuracin en emisor comn.

Se estudiarn a continuacin las configuraciones ms utilizadas.
7.4.1 Configuracin polarizacin fija.

La primera configuracin que se analizar es la red de polarizacin fija de la figura siguiente. La seal de entrada se aplica a la base del transistor por medio del condensador C1, en tanto que la salida es tomada del colector por medio del condensador C2. Para el anlisis de c.a. se cortocircuitan las fuentes de tensin continua y se sustituyen los condensadores por un cortocircuito, obtenindose la red de la figura siguiente.
Figura 7-6. Configuracin en polarizacin fija. Esquema en c.a. Obsrvese que la conexin a tierra comn de la alimentacin hace que las resistencias RB y RC aparezcan en paralelo con la entrada y salida del transistor, respectivamente. Sustituyendo ahora el transistor por el circuito equivalente hbrido aproximado, se obtiene el esquema de la figura siguiente.
Figura 7-7. Diagrama equivalente en c.a. Del anlisis del circuito se deduce claramente, que la impedancia de entrada vale:
Z E = RB || hie
( 7-7 )
La impedancia de salida se define como, la impedancia vista desde los terminales de salida cuando vE = 0, en consecuencia iB = 0 y hfe iB = 0, es decir, la fuente de corriente es un circuito abierto. Por tanto.
Z S = RC v S = h fe i B RC
( 7-8 )
Para la ganancia en tensin AV, se tiene para la malla de salida ( 7-9 )
el signo negativo indica que la tensin de salida tiene una polaridad opuesta a la considerada. Por otro lado en la malla de entrada
v E = hie i B
por tanto
( 7-10 )
AV =
h fe R C vS = vE hie
( 7-11 )
En cuanto a la ganancia en corriente AI, tendremos que aplicar la regla del divisor de corriente en la malla de entrada para calcular la corriente que circula por la base
iB =
RB i hie + R B E
( 7-12 )
por tanto, la ganancia en corriente
AI =
h fe RB iS h fe iB = = iE iE hie + RB
h fe
RB !! hie
( 7-13 )
7.4.2 Ejemplo
8.11
7.4.3 Configuracin por divisor de tensin.

El circuito que se analizar es el mostrado en la figura siguiente. La sustitucin del circuito equivalente hbrido aproximado dar como resultado la red de la derecha. Debido a la existencia del condensador de desacoplo de emisor, la resistencia RE no aparecer en el circuito c.a.
Figura 7-8. Montaje por divisor de tensin. Circuito equivalente en c.a. Si llamamos RB al paralelo de R1 y R2, lo sustituimos en el circuito equivalente c.a., nos encontramos con un circuito idntico al del apartado anterior, por lo que su anlisis no se va a volver a repetir. Existe una variacin para el circuito anterior que consiste en que la resistencia de emisor RE, no est desacoplada mediante un condensador, en ese caso el circuito equivalente en c.a. quedara como indica la figura siguiente, siendo RB el paralelo de R1 y R2.
Figura 7-9. Circuito equivalente en c.a. con resistencia de emisor sin desacoplar. Aplicando la ley de Kirchoff a la malla de entrada tendremos:
v B = i B hie + (i B + iC )R E = i B hie + 1 + h fe i B R E ZB = vB 1 + h fe )RE hie + h fe RE h fe RE = hie + ( iB
( 7-14 ) ( 7-15 )
Por tanto la impedancia de entrada ser:
Z E = R B || Z B =
R B hie + h fe R E
)
( 7-17 )
R B + hie + h fe R E
( 7-16 )
En cuanto a la impedancia de salida tendremos, como en los casos anteriores
Z S = RC
Como hemos visto antes.
iB =
vE ZB
( 7-18 )
Entonces la ganancia en tensin se obtendr de la forma siguiente:
v S = h fe i B R C = h fe
por tanto
vE R ZB C
( 7-19 )
AV =
h fe RC vS h fe RC R = C vE ZB h fe RE RE
( 7-20 )
Para calcular la ganancia en corriente, tendremos que aplicar la regla del divisor de corriente en la malla de entrada, obteniendo:
iB =
entonces
RB i RB + Z B E
( 7-21 )
AI =
h fe RB iS h fe iB = = iE iE RB + Z B Z AI = AV E RC
( 7-22 )
7.4.4 Ejemplo 1.
Disear el amplificador estabilizado por divisor de tensin de la figura anterior para que trabaje en clase A, tenga una ganancia de tensin A igual a A = -4 y una frecuencia inferior de corte de aproximadamente 50 Hz. En el circuito diseado, cul es la mxima seal de entrada para una salida sin distorsin? Suponer: Vcc= 10V, hay slo condensador CB en la entrada. y el BJT de silicio con >100. Resolucin Para que el amplificador trabaje en clase A se debe cumplir
Vcc = Icq( RL + RE ) 2
Y para que la ganancia de tensin valga 4 se debe verificar A = -4 = -
RL RL = 4 RE RE
RE = 1 k
fijando Icq = 1 mA, a partir de las ecuaciones anteriores inmediatamente se obtiene RL = 4 k Con el valor de RE e Icq anteriores, la tensin en el emisor vale VE =1 V y en consecuencia la tensin en la base es VE = 1.7 V. Eligiendo la corriente ID por el divisor R1-R2 igual a ID= 0,1mA>>IE fcilmente se determina
R2 = R1 =
VB = 17 k ID Vcc VB = 83 k ID
La impedancia que ve el condensador CB es igual a la impedancia de entrada Zimp del amplificador que vale Zimp = R1//R2//( +1)RE 12.33 k En consecuencia,
1 = Zimp = 12.33k CB = 260nF CB 1

Veamos cul es la mxima amplitud posible de la seal de entrada. El BJT se cortar cuando en su emisor la tensin valga cero voltios o lo que es lo mismo, cuando en la base la tensin valga VB = 0.7 V . En consecuencia, la mxima amplitud de la seal de entrada es de 1 V.
7.4.5 Ejemplo 2.
En el circuito estabilizado por divisor de tensin de la figura anterior hallar R1 y R2 para que el circuito trabaje en clase A de alterna. Con los valores de R1 y R2 obtenidos, cul es la mxima amplitud de la salida sin distorsin? El BJT es de Ge (VBE 0) y con >100, RL=150, RE=100, Vcc=10V, CB y CE. Resolucin La ecuacin de la recta esttica de carga es VCC = Icq (RL+ RE)+ VCEQ Y la de la recta dinmica (iC - Icq) RL = - (CE - CEQ) Para una excursin mxima simtrica se debe verificar CE = 0 iC =2Icq Icq =
VCEQ ; VCC = Icq (RL+RE)+ IcqRL RL
Sustituyendo esta ltima en la primera se obtiene Icq =
VCC 2 RL + RE
De donde sustituyendo valores, Icq =25mA. Es decir, para que el circuito trabaje en la clase A de alterna, el transistor debe polarizarse mediante R1 y R2 para que la corriente de colector en el punto Q valga Icq = 25 mA. En ese caso la tensin en el emisor valdr VE = Icq. RE = 2.5 V, tensin que ser igual a la que hay en la base VE por ser VBE = 0. Fijando la corriente ID por el divisor en ID = 2.5 mA, inmediatamente se determina R1 = R2 = 3.75 V.
VCC VB 10 2.5 = = 3k ID 2.5 VB 2.5V = = 1k ID 2.5mA
La mxima amplitud de la salida, dado que el punto Q est centrado en alterna, vale IcqRL =
7.4.6 Configuracin con realimentacin de colector.

El circuito con realimentacin de colector es el que se muestra en la figura siguiente. Utiliza la resistencia RB como realimentacin del colector a la base para incrementar la estabilidad del sistema.
Figura 7-10. Amplificador con realimentacin de colector. Circuito equivalente en c.a. La sustitucin del circuito equivalente aproximado producir en resultado de la derecha. Para la ganancia en tensin, se tendr que en el punto C
v S = RC h fe i B + i1
( 7-23 )
Normalmente RB suele tener un valor elevado, de lo que se desprende que hfeib >> i1,y entonces
v S RC h fe i B
y como
( 7-24 )
iB =
vE hie
( 7-25 )
entonces, la ganancia en tensin quedara
AV =
h fe i B RC h fe vS R = vE vE hie C
( 7-26 )
La ganancia en corriente puede calcularse de la manera siguiente. Aplicando la ley de Kirchhoff alrededor del bucle de la red exterior se tiene
v E + v RB v S = i B hie + (i B i E ) R B + (i C + i1 ) RC = 0
Empleando como anteriormente que iC >> i1, se tiene
( 7-27 )
i B hie + i B RB i E R B + h fe i B RC = 0 i B hie + RB + h fe RC = i E R B
Sustituyendo iB iS / hfe se obtiene finalmente
( 7-28 )
h fe R B iS iS hie + RB + h fe R C = i E RB AI = = h fe i E hie + RB + h fe RC
En cuanto a la impedancia de entrada, observando la figura se tiene
( 7-29 )
iB = iE +
como vS >> vE,
vS v E RB
( 7-30 )
iB iE +
y como tenemos que
vS RB
( 7-31 )
vS hie v E = i B hie = i E + v hie = i E hie + RB RB S

Sustituyendo vS = AV vE, tenemos
( 7-32 )
v E = i E hie +
hie AV v E hie AV =i h vE 1 RB R B E ie
( 7-33 )
Por tanto, la impedancia de entrada ser
ZE =
vE = iE
hie AV 1 hie RB
( 7-34 )
Para el calculo de la impedancia de salida hacemos vE igual a cero, es decir cortocircuitamos sus terminales, entonces se eliminara el efecto de hie y RB aparece en paralelo con RC, por lo que
Z S = R C || RB R C 7.5 Configuracin en colector comn.
( 7-35 )
En esta disposicin la salida se toma en el terminal del emisor del transistor como muestra la figura siguiente. A este circuito tambin se le conoce con el nombre de seguidor de emisor, debido a que la tensin en el emisor sigue las variaciones de la tensin de la base. La ganancia en tensin es siempre menor que uno, debido a la cada de tensin en la base-emisor. A diferencia que en la configuracin anterior la tensin de salida est en fase con la tensin de entrada. Presenta una elevada impedancia de entrada, y una impedancia de salida baja, por eso se utiliza a menudo como adaptador de impedancias.
Figura 7-11. Configuracin en colector comn. Circuito equivalente en c.a.
La sustitucin del circuito por equivalente aproximado da como resultado la red de la derecha. La impedancia de entrada se determina del mismo modo que en el divisor de tensin del emisor comn.
Z E = R B || Z B =
R B hie + h fe R E
R B + hie + h fe R E
( 7-36 )
con ZB ya definida en apartados anteriores. La impedancia de salida se determina, como hemos visto antes, cortocircuitando las fuentes de tensin y abriendo las fuentes de corriente si stas son independientes, del circuito equivalente, obtendramos el circuito de la figura siguiente.
Figura 7-12. Circuito equivalente para el clculo de la impedancia de salida. La corriente iS puede expresarse
i S = i B + i C = i B 1 + h fe
y por tanto
)
)
( 7-37 )
iB =
vS v i S = S 1 + h fe hie hie
( 7-38 )
El signo negativo indica que la corriente tiene sentido opuesto al expresado en la figura. La impedancia vista desde el terminal de emisor hacia dentro quedara
Z' =
vS hie = i S 1 + h fe
( 7-39 )
y la impedancia de salida ser el paralelo de la anterior con RE
Z S = RE
hie 1 + h fe
( 7-40 )
Para calcular la ganancia en tensin hay que recordar que:
Z B = hie + 1 + h fe RE
( 7-41 )
En realidad si observamos la figura, la salida est tomada del divisor de tensin formado por hie y RE, identificando trminos y aplicando la regla del divisor de tensin, tendramos.
vS =
(1 + h )R h + (1 + h )R
fe E ie fe
vE
E
( 7-42 )
por lo tanto
AV =
1 + h fe R E vS = vE h + 1+ h R ie fe E
( 7-43 )
La ausencia de signo negativo indica que vS y vE se encuentran en fase, y el factor hie es la nica razn por la que vS no es igual a vE. En cuanto a la ganancia en corriente, observando de nuevo la figura, y aplicando la regla del divisor de corriente a la entrada, se obtiene
iB =
y
RB iB RB iE = RB + Z B i E RB + Z B
( 7-44 )
i S = 1 + h fe i B
componiendo ambas expresiones
iS = 1 + h fe iB
( 7-45 )
AI =
1 + h fe R B iS iS iB = = iE iB iE RB + Z B
( 7-46 )
El circuito de la figura siguiente a) es una variacin sobre el ya visto, que utiliza polarizacin por divisor de tensin. El anlisis es similar y pueden aplicarse todas las ecuaciones anteriores con solo tener en cuenta que RB es ahora el paralelo de R1 y R2.
Figura 7-13. Circuitos en colector comn. a) Con polarizacin por divisor de tensin, b) Con polarizacin por divisor de tensin y resistencia de colector. Otra variacin es la mostrada en la figura b) en la que se incluye una resistencia de colector RC. En este caso RB se sustituye de nuevo por el paralelo de R1 y R2. Ninguna de las expresiones anteriores son afectas y el nico efecto de RC ser en la polarizacin del circuito.
7.5.1 Ejemplo.
En el amplificador de la figura siguiente =50, hie=1k, VBE=0
Hallar R2 de modo que Icq = 5 mA. Hallar el mximo valor de la amplitud de la tensin de salida sin distorsin con Icq= 5 mA. Hallar el valor de R2 que hace que el amplificador trabaje en clase A de alterna y calcular en ese caso el mximo valor de la amplitud de la salida sin distorsin. Resolucin Si Icq = 5 mA, la tensin en la base debe valer VB = VE = IcqRE = 5 V Como la corriente continua de base vale IB = Icq/ = 0.1 mA R2 resulta R2 = VCC VB 12 5 = = 70k IB 0.1mA
La tensin VCEQ es igual a VCEQ = VCC - IcqRE = 7 V Por tanto, el punto Q est ms prximo a la zona de corte que a la de saturacin, y ser precisamente el corte del BJT la causa que limite la amplitud de la oscilacin. La ecuacin de la recta dinmica de carga es (iC - Icq)R = -(CE - VCEQ) Siendo R = RE//RL. Cuando el transistor se corta (iC = 0) la tensin VCE vale
CE = VCEQ + Icq R = 10.33 V

Por lo que en ese instante la tensin en el emisor vale E = C 10.33 V = VCC 10.33 = 1.67 V De donde, la mxima amplitud V0 de la seal de salida es V0 = VE - E = 5 1.67 = 3.33 V Para que el seguidor trabaje en clase A de alterna, de (1) se debe cumplir (2) CE = 0 ; iC = 2 Icq Icq =
VCEQ R
Por otro lado, la ecuacin de la recta esttica de carga es (3) VCC = Icq RE + VCEQ Combinando (2) y (3) resulta Icq =
VCC = 7.2mA RE + R
Con el valor anterior de Icq la tensin en la base es VB = 7.2 V, de donde R2 = VCC VB 12 7.2 = = 33k IB 0.144
La amplitud mxima V0 de la oscilacin de salida vale en este caso V0 = IcqR = 4.8 V
7.6
Configuracin en base comn.
La configuracin en base comn se caracteriza por tener un baja impedancia de entrada y de salida y una ganancia en corriente menor que uno. Sin embargo la ganancia en tensin puede tener un valor medio. La figura 6.14 muestra un amplificador en esta configuracin con polarizacin por divisor de tensin. Ntese que el modelo de base comn tiene la misma disposicin que la red equivalente en emisor comn, con la excepcin de que ahora los parmetros empleados son los de base comn.
Figura 7-14. Configuracin en base comn. Esquema equivalente en c.a. Del anlisis del circuito se deduce que la impedancia de entrada ser:
Z E = RE || hib =
y la impedancia de salida
R E hib R E + hib
( 7-47 )
Z S = RC v S = i C R C = h fb i E R C
y como la corriente de emisor vale
( 7-48 )
en cuanto a la ganancia en tensin, tendremos que la tensin de salida vale ( 7-49 )
iE =
sustituyendo y despejando
vE hib
( 7-50 )
AV =
h fb vS R = vE hib C
( 7-51 )
Puesto que hfb es negativo, de la expresin anterior se deduce que la tensin de entrada y la de salida estn en fase. Por otro lado para la ganancia en corriente se tendr aplicando la regla del divisor de corriente
iE =
y como
RE i RE + hib 1
( 7-52 )
i C = h fb i E = h fb
de donde finalmente quedara
RE i R E + hib 1
( 7-53 )
AI =
iC RE = h fb i1 RE + hib
( 7-54 )
7.7
Comparacin entre las configuraciones.
En la tabla siguiente se indican las caractersticas de las tres configuraciones bsicas vistas, el signo negativo indica que en la salida existe inversin del signo. Emisor Comn Impedancia de entrada media Impedancia de salida media Ganancia en corriente alta () Ganancia en tensin alta () Base Comn pequea alta menor que 1 alta Colector Comn alta pequea alta menor que 1
Tabla 7-2 . Configuraciones bsicas. De la tabla anterior se ve que la configuracin en emisor es la que posee mejores caractersticas por lo que es la ms empleada. En cambio la configuracin de base comn posee pocas aplicaciones salvo la de amplificador de tensin no inversor y como adaptador de impedancias. Por ltimo la configuracin de colector se suele utilizar como adaptador de impedancias entre una fuente de gran impedancia y una carga de baja impedancia.
7.7.1 Ejemplo.
8.12
7.8
Efectos de la carga y de la fuente de seal.
Cuando la seal de entrada al amplificador es proporcionada por una fuente de seal con un impedancia interna, la seal de entrada hacia el amplificador se reduce con respecto al valor sin carga. La figura siguiente muestra un amplificador tpico atacado por una fuente de seal con una impedancia interna.
Figura 7-15. Etapa amplificadora atacada por una fuente de seal con impedancia interna. Al conectar la fuente de seal se origina una corriente de entrada iE, hacia el amplificador, sta corriente produce una cada de tensin en la impedancia interna de la fuente ZF, por tanto la tensin efectiva de entrada del amplificador ser
vE =
ZE v ZE + ZF F
( 7-55 )
De ah que sea aconsejable disear una amplificador con la impedancia de entrada lo ms alta posible. Una vez que la tensin de entrada se determina mediante las expresiones correspondientes, los restantes clculos se realizan como se indicaron antes. En cuanto al efecto de la carga de salida, en la figura se muestra el circuito equivalente de un amplificador con una carga ZL conectada a la salida.
Figura 7-16. Etapa amplificadora con una carga a la salida. Se observa como en el caso anterior que al conectar la carga a la salida se origina una corriente iS, que produce a su vez una cada de tensin en la impedancia de salida del amplificador, por lo tanto, la tensin de salida vendr dada por
v S = AV v E
ZL Z L + ZS
( 7-56 )
Esta es la razn por la que se disean los amplificadores con una impedancia de salida lo ms baja posible, obteniendo as la mxima tensin en la carga. Veamos algunos ejemplos al respecto.
7.8.1 Ejemplo 1
Para el sistema de la figura determinar la impedancia de entrada, ZE :
Rsensor
1 k
AC
ZE
V0 = 2mV
-
Sistema de dos puertos
VE = 1.2 mV -
Solucin: IE= V 0 V E 0 .8 mV = = 0 .8 A R sen or 1 k V E 1 . 2 mV = = 1 .5 k I E 0 .8 A
Z E=
7.8.2 Ejemplo 2
Para el sistema de la figura siguiente determinar la impedancia de salida, ZS :
ZE
+
Rsensor
Sistema de dos puertos
20 k
AC
V0 = 0mV
Vs = 680mV
-
V=1V
Solucin:
I
S
V V R sen or
320 mV = 16 A 20 k
ZS=
V S 680 mV = = 42 . 5 k IS 16 A
7.8.3 Ejemplo 3
Para el amplificador BJT de la figura siguiente determinar: VE; IE; ZE ; Av
Rsensor 1.2 K
+
ZE
V0 = 40 mV
AC
VE
-
Amplificador BJT AvNL = 320 -
VS = 7.68 mV
Solucin:
a)
vNL
VS V
E
y Vi=
VS 720 V = = 24 V 320 A vNL
b)
V 0 V E 40 mV 24 mV = = 13 .33 A 20 k R sen or VE 24 mV = = 1 .8 k I E 13 .33 A Zi Av NL = 192 Z i + RS
c)
ZE=
d)
A vS =
7.9
Amplificadores multietapa.
No resulta extrao que para la amplificacin de una seal no sea suficiente la utilizacin de un slo transistor, y nos veamos obligados a utilizar una o dos etapas en cascada para buscar generalmente la mxima ganancia en tensin; y cabe preguntarse, cul de las tres configuraciones deben emplearse en el amplificador multietapa?. La conexin en colector comn no se utiliza en las etapas intermedias al poseer una ganancia en tensin menor que la unidad. Tampoco son interesantes las etapas acopladas en base, pues la ganancia en tensin total es la aportada por la ltima etapa ya que en las intermedias dicha ganancia es inferior a uno. Esto es debido a que una etapa intermedia en base comn tiene como impedancia de carga (ZL1), igual el paralelo de su impedancia de salida (Zo1) y de la de entrada de la etapa siguiente (Zi2), donde Zo1 >>Zi2 ZL1 Zi2. Al cumplirse que la ganancia en tensin es igual a la de corriente (que en base comn es <1) multiplicada por la impedancia de carga y dividida por la entrada resulta un valor inferior a uno. Partiendo de que la ganancia de corriente en cortocircuito hfe de una etapa en emisor comn es mucho mayor que la unidad, es posible aumentar la amplificacin de tensin acoplando varias en cascada. Se puede concluir diciendo que en un amplificador multietapa las etapas intermedias se conectan en emisor comn. Las etapas de entrada o salida pueden elegirse utilizando el criterio de mejor adaptacin de impedancias. Por ejemplo si la entrada es proporcionada por un transductor, estos pueden trabajar en circuito abierto o en cortocircuito por lo que se emplear colector o base comn respectivamente. Consideradas las configuraciones a utilizar queda por definir el tipo de acoplamiento, el cual puede ser: acoplamiento RC, acoplamiento directo y acoplamiento por transformador. Este ltimo acoplo se realiza con un transformador donde el primario va en el colector de la primera etapa y el secundario se conecta entre el divisor de tensin y la base de siguiente etapa. Su funcionamiento es algo ms eficiente que en los acoplamientos RC al aislar la corriente continua, ofrecer una baja resistencia, permitir la mxima transferencia de potencia entre etapas al adaptar sus impedancias de entrada y salida y no originar una perdida excesiva de potencia en corriente continua. Pero el mayor tamao de estos amplificadores, su pobre respuesta en frecuencia y su mayor coste hacen que no sean muy comunes de ver.
7.9.1 Ejemplo 1
En el circuito de la figura hallar los valores de las resistencias para que Ic2 = 10 mA e Ic1 = 2 IB2. Se sabe que 1 = 2 = 100 y hie1 = hie2 = 1 k. Cul es la impedancia de entrada Zimp y ganancia de tensin Av del circuito diseado? Los transistores son de germanio.
V CC =10V
R1 C Q1
R C2
Q2 R2 R E1 R E2 C
Resolucin Fijando la tensin en el emisor de Q2 en VE2 = 2 V y en su colector en Vc2 = 7 V inmediatamente se obtiene RE2 = RC2 =
2V VE 2 = = 200 IC 2 10mA VCC VC 2 10 7 = = 300 IC 2 10mA
Teniendo en cuenta que la tensin en el emisor de Q1 es VE1 = 2 V y que por RE1 circula IB2 = 0.1 mA, resulta RE1 =
VE1 2V = = 40 K IB 2 0.05mA
Fijando la corriente ID por el divisor R1-R2 en ID =10 IB1 = 20 A resulta R2 = R1 =
VB1 VE 2 2V = = = 100k ID ID 20 A VCC VB1 10 2 = = 400k ID 20 A
La impedancia de entrada del circuito diseado vale Zimp = RB//ZB ZB = hie1+hfe(RE1//hie2) Zimp = R1//R2// (RE1//hie2) 80k // 100k = 44k Y la ganancia de tensin es A = A1 A2 A1
100 x0.3 RC 2 = = 30 1 hie 2
hfexRE 1 hie + hfexRE
7.9.2 Ejemplo 2
Disear totalmente el amplificador de dos etapas de la figura de modo que se cumpla: Ganancia de tensin A superior a 200. Impedancia de entrada Zimp superior a 1 k. Permita una oscilacin en la carga de 15 Vpp.
Tenga una frecuencia inferior de corte del orden de 20 Hz. Los transistores son de silicio con > 100 y hie despreciable.
V CC =10V
R1 C Q1
R C2
Q2 R2 R E1 R E2 C
Resolucin Para que la oscilacin sea lo mayor posible Q2 debe disearse en clase A ( de continua). Fijando la tensin en los emisores en VE = 2 V, en los colectores en Vc =12 V, la corriente ID por los divisores R1-R2 y R3-R4 igual a ID = 0.1 mA, la corriente de colector de Q1 en Ic1 = 1 mA y como la de colector de Q2 forzosamente vale Ic2 =
VCC VC 2 20 12 = = 0.8mA RL 10 VE 2V = = 2.5k IC 2 0.8mA VE 2V = = 2k IC1 1mA
Inmediatamente se calcula RE2 =
RE1+RE2 = RC1 =
VCC VC 20 12 = = 8k IC1 1mA VCC (VE + VBE ) 20 2.7 = = 173k ID 0.1mA 2.7V VE + VBE = = 27 k 0.1mA ID
R 1 = R3 = R 2 = R4 =
La ganancia de Q2 vale A2 = -
RL = 4 R' E 2
Y la de Q1 es A1-
6k RC1 // R 4 = RE1 RE1 6k = 120 RE1 = 100 50
Que debe ser |A1|>50, por tanto, RE1<
Y en consecuencia RE2 = 2 k-100 = 1.9 k La impedancia de entrada vale
Zimp = R1//R2//( +1)RE1 7 k
7.10 Fuentes de corriente integradas. 7.10.1 Fuente de corriente de constante de transistor bipolar
Suponiendo que la impedancia de entrada de base es mucho ms grande que R1 o R2,
VB =
con
R1 (V EE ) y VE = V B 0.7V R1 + R2
IE =
VE (VEE ) VB VBE (VEE ) = IC RE RE
Donde IC es la corriente constante proporcionada por el circuito de la figura.

IC VB + V BE R2 R1 IE RE Q1
-V EE
7.10.2 Fuente de corriente transistor/zener.

Al reemplazarse el resistor R2 por un diodo Zener, como se ilustra en la figura 12.27, se proporciona una fuente de corriente constante mejorada con respecto a la red de la figura 12.25. El diodo Zener da por resultado una corriente constante que se calcula haciendo uso de la ecuacin KVL de base-emisor. El valor de I puede calcularse mediante el uso de:
I IE =
VZ VBE VB (VEE ) VBE = RE RE
Un punto importante por considerar es que la corriente constante depende del voltaje del diodo Zener, el cual permanece bastante constante, y del resistor de emisor RE. La fuente de voltaje VEE no tiene ningn efecto sobre el valor de I.
I C =I E VB + V BE
encend ido
Q1 VE RE I E =I
Vz R1
-
-V EE
7.10.3 Ejemplo
Calcule la corriente constante I en el circuito de la figura siguiente. Solucin:
I=
VZ VBE 6.2V 0.7V = = 3.06mA 3mA RE 1.8 K

I
6.2 V 2.2 K
-
1.8 K
-18 V
7.10.4 Fuente de corriente de wildar.

Debido a la alta ganancia de un amplificador operacional, las corrientes de polarizacin deben ser pequeas. Las corrientes de colector tpicas se encuentran alrededor de 5A. A menudo se requieren resistores grandes para mantener corrientes pequeas, y estas resistencias grandes ocupan reas igualmente grandes en el circuito integrado. Por tanto, es deseable reemplazar estos resistores grandes con fuentes de corriente. Uno de dichos dispositivos es la fuente de corriente Widlar, como se ilustra en la figura siguiente. Los transistores Q1 y Q2 son iguales. Se suman las tensiones alrededor del lazo de la base de los dos transistores para obtener: VBE1 VBE2 IC2R2=0 Vimos que:
I C = I 0 e
Despejando VBE, se obtiene
VBE VT
IC VBE = VT ln I 0
Sustituyendo la expresin de la ecuacin anterior en la primera, obtenemos:
I C1 IC2 VT ln I VT ln I I C 2 R2 = 0 0 0
VC C
Ire f
R1 Ic1 Q1
IE
Q2
+ +
- V B E1
VB E 2 -
R2
Se supone que los dos transistores son iguales, por lo que I0, y VT son iguales para los dos transistores. Por tanto:
I C1 VT ln I C2
= I C 2 R2
Para propsitos de diseo, en general se conoce IC1, ya que se utiliza como referencia e IC2 es la corriente de salida deseada. Esto permite resolver la ecuacin anterior para encontrar el valor requerido de R2.
7.10.5 Ejemplo.
Disese una fuente de corriente Widlar para proporcionar una corriente constante de 3A con VCC=12 V,R1= 50 K y VBE=0.7 V. Solucin. Utilizar el circuito de la figura 7.8.Aplicar la LTK al transistor Q1 para obtener:
I C1 I ref =
12 0.7 = 0.226mA 50.000
Mediante la ecuacin:
I C1 VT ln I C2
= I C 2 R2
Obtenemos:
0.0226 10 3 6 0.026 ln 3 10 6 = 3 10 R2
y R2=37.5K Como R2 es inferior a 50 K, se puede fabricar en un CI
7.10.6 Fuente de corriente Wilson.

La fuente de corriente Wilson, como se muestra en la figura siguiente, se utiliza tres transistores y su operacin es casi independiente de las caractersticas internas del transistor. La
retroalimentacin negativa del colector a la base de Q3 aumenta la resistencia de salida de esta fuente de corriente.
V CC
I ref R I C2
B I C1 I B1+I B2 I E2
I B1 Q2 + - V BE1 A
I B3 + V BE2 -
I C3 Q3
A) Se despeja IC2 para ilustrar la utilidad de este circuito. Aplicando LCK en el emisor de Q2, se obtiene:
I E 2 = I B1 + I C 3 + I B 3 IE2 = I C1 1 1+ IC3 + 3
Como se supone que los tres transistores son idnticos: 1= 2= 3=, VBE1=VBE3 Con transistores idnticos, la corriente en el trayecto de retroalimentacin se divide en forma equitativa entre las bases de Q1 y Q3, lo que conduce al resultado de que IC1=IC3 y por lo tanto:
2 I E2 = 1 + IC3
La corriente de colector en Q2 es:
IC2 =
Despejando IC3, se obtiene:
I E 2 I C 3 (1 + 2 ) = +1 +1
I C3 =
IC2 +1 = IC2 +2 (1 + 2 ) (1 + )
B) Sumando las corrientes en la base de Q2 se encuentra:
I ref = I C1 +
IC2
I C 2 = (I ref I C1 )
Como VBE1=VBE3 IB1=IB3 IC1=IC3, se sustituye IC3 por IC1 en la expresin anterior y obtenemos:
I C 2 = I ref
y despejando IC2,
( + 1) IC2 +2
IC2 =
2 + 2 2 I ref = 1 2 2 I ref + 2 + 2 + 2 + 2
En la ecuacin anterior se muestra que tiene poco efecto sobre IC2 ya que ,para valores razonables de ,
2 << 1 + 2 + 2
2
7.10.7 Espejo de corrientes

Un circuito de espejo de corriente suministra una corriente constante y se utiliza principalmente en circuitos integrados. La corriente constante se obtiene de una corriente de salida que es la reflexin en un espejo de una corriente constante desarrollada en un lado del circuito. El circuito es particularmente apropiado para la fabricacin de CI debido a que el circuito requiere que los transistores empleados tenga un decaimiento de voltaje de base-emisor y valores de beta idnticos. En la figura siguienteente Ix, establecida por el transistor Q1 y el resistor RX se reflejan en la corriente I a travs del transistor Q2.
+
V CC
Ix Rx 2I E /
IE
IE Q1 IE I E/
Q2 I E/ IE
Las corrientes IX e I se pueden obtener haciendo uso de las corrientes del circuito. Suponemos que la corriente de emisor (IE) para ambos transistores es la misma ( con Q1 y Q2 fabricados cerca uno de otro sobre el mismo chip). Entonces, la corriente de base de los dos transistores son aproximadamente:
IB =
IE I E +1
La corriente de colector de cada transistor por tanto: ICIE Por ltimo la corriente a travs del resistor RX, es decir, IX, es igual a:
Ix = IE +
2 I E I E 2 I E + 2 IE IE = + =
La corriente constante proporcionada en el colector de Q2 se refleja en el de Q1. Y ya que:
Ix =
VCC VBE RX
La corriente Ix establecida por VCC y Rx se refleja en la corriente correspondiente al colector de Q2. El transistor Q1 se conoce como un transistor conectado como diodo debido a que la base y el colector se encuentran juntos en corto circuito.
i en i o1 =i C1 i o2 =i C2
Q1
Q2
Q3
-V
7.10.8 Ejemplo
Calcule la corriente reflejada en espejo I, en el circuito de la figura 12.31. Solucin.
I = Ix =
VCC VBE 12V 0.7V = = 10.27 mA RX 1.1K

+
12 V
I 1.1 K
Q1
Q2
7.10.9 Fuentes de corriente como cargas activas.

Av = v 0 RC RC I CQ = = vi hib VT
v2 r0
i TH = i B 2 +
iB 2 +
v 2 = i TH i B 2 r0
v 2 v1 + i B2 = 0 r0 R2
v 1 = i B 2 h' ie h' ie = hie + (hib || R1 )
h' ie i TH = i B 2 1 + R 2
RTH = v TH i TH
RTH
h' r0 1 + + ie R + h' ie 2 = h' 1 + ie R2
r0 >> h' ie
RTH
1 + + h' ie R2 = r0 1 + = r0 ' 1 + h' ie 1 + h ie R2 R2
h' ie >> 1 R2 hie
VT I CQ
I CQ R 2 = r0 1 + = r0 1 + VT hie R2
RTH
I R2 RTH = r0 1 + CQ VT RTH =
r 0 2
V CC Fuente de corriente Wildar I ref
Figura 7.13 Amplificador EC con carga activa a)
I CI + + vi v0 -
b)
V CC
Q6
Q3
+ + v o1 vo2 -
Q4
I Ref1
R1
+ v en 1 -
Q1
Q2
R2
+ v en 2 -
I Ref2
Q5
Q7
-V EE
7.11 Trasladadores de nivel.

VBB = I B R B + VEE + I C R E + V0
IB =
IC RB IC I C R E VBE
V0 = VBB
v i = i b1R B + i b1hie1 + i c R E + v 0 v 0 = i c r 02
ic =
v0 r 02 v 0 RB
v en = v0 vi =
r 02
v 0 h ie1
r 02
v 0 RE r 02
+ v0
1 + (R B / + h ie1 / + R E ) / r 02
V CC
RB +
V CC
ve V BB RE VS
IC
RB + ve V BB IB
R2
RE VS
R1 R' E
-V EE
-V EE
Captulo 8
AMPLIFICADORES DE POTENCIA.
Un sistema amplificador consta normalmente de varias etapas en cascada. Las de entrada e intermedias suelen ser de pequea potencia y su misin es amplificar la pequea excitacin de entrada a un valor suficiente para atacar la etapa de salida. Esta etapa final suele atacar un transductor, un altavoz, servomotor, etc., y por tanto debe ser capaz de entregar una tensin o corriente variable, todo ello con un mnimo de distorsin y con un rendimiento mximo.
8.1
Clasificacin.
Atendiendo a las caractersticas estticas de funcionamiento, es decir, el llamado punto de reposo o Q, se distinguen: Clase A: Son aquellos por los que circula corriente en el circuito de salida en todo momento. El amplificador clase A trabaja esencialmente sobre una porcin lineal de su caracterstica. Clase B: En un amplificador de clase B su punto de trabajo est situado hacia un extremo de su caracterstica de forma que su potencia en reposo es muy pequea. Si la seal de excitacin fuera senoidal , solo habra amplificacin en un semiciclo. Clase AB: Aquellos que trabajan entre los dos extremos citados para las clases A y B. Por tanto, la seal de salida ser cero durante menos de un ciclo mas de medio ciclo de la seal de entrada. Clase C: En un amplificador clase C el punto de trabajo se elige de forma que la corriente (o tensin) de salida sea nula durante ms de medio ciclo de la seal de entrada. Clase D: Son aquellos donde se modula en anchura un tren de pulsos de frecuencia superior a los 20 Khz. Un filtrado posterior permite que solo pasen las seales de baja frecuencia.
8.2
Amplificador clase A.
Los amplificadores clase A son bsicamente idnticos a sus equivalentes de seal con la excepcin de que ahora los transistores sern del tipo de potencia.
Figura 8-1. Circuito amplificador clase A con carga acoplada directamente.

El punto de polarizacin estar situado en el centro de la recta de carga, para que la excursin de la corriente de salida sea mxima. En estas condiciones la potencia entregada a la carga es:
2 PL = VLef I Lef = I Lef RL = 2 VLef
RL
( 8-1 )
siendo VLef y ILef los valores eficaces de al tensin e intensidad de salida y RL la resistencia de carga.
Figura 8-2. Seales de corriente y tensin de salida en un amplificador clase A.

Estos valores eficaces pueden determinarse en funcin de los valores mximo y mnimo, como se indica en la figura anterior, Si IP (VP) representa el valor de pico de la corriente (tensin) senoidal, tendremos:
I Lef = Vlef =
sustituyendo quedar:
I L ( p) 2 Vl ( p) 2
I max I min 2 2
( 8-2 )
Vmax Vmin 2 2
( 8-3 )
PL =
o tambin
VL ( p ) I L ( p ) 2
2 IL ( p ) RL
VL2( p ) 2 RL
( 8-4 )
Captulo 8. Amplificadores de potencia. 3
PL =
(Vmax Vmin )( I max I min ) I L ( p. p.) RL VL ( p. p.) = = 8 8 8 RL

2 2
( 8-5 )
La potencia mxima disipada por el transistor:
PQ = VCQ I IQ
2 VCC VCC VCC = = 2 2 RL 4 RL
( 8-6 )
La potencia proporcionada por al fuente de c.c. al circuito de salida es:
PCC = VCC I CQ = VCC
2 VCC VCC = 2RL 2 RL
( 8-7 )
El rendimiento de la conversin continua alterna:
VP I P P = L = 100 2 2 VCC PCC 2RL

Examinemos cualitativamente su rendimiento en dos caso limites.
( 8-8 )
1. Pequea seal. Con pequea seal de salida, la potencia de salida es consecuentemente pequea. No obstante, la potencia consumida por la polarizacin puede tener un valor apreciable, con lo que el rendimiento de la conversin resulta extremadamente bajo. 2. Seal mxima. Con mxima seal el transistor puede llevarse desde saturacin a corte, en estas condiciones VP=0.5VCC y I P = VCC 2RL sustituyendo en (10.8):
2 VCC 8R = 100 2L = 25% VCC 2R L
( 8-9 )
Es decir por cada 1 W de potencia de salida, se consumen internamente 3 W, por tanto el amplificador clase A no resulta adecuado para amplificacin de potencia.
8.2.1 Ejemplo 1
Calcula la potencias de entrada, potencia de salida y eficiencia del circuito amplificador de la figura a para un voltaje de entrada que da como resultado una corriente de base de 10mA pico. Solucin Para determinar el punto de trabajo Q: IBq = ( VCC - 0.7 V ) / RB = 19.3 mA Icq = ! IB 0.48 A VCEq = VCC - IC! RC = 10.4 V Este punto de polarizacin est marcado en las caractersticas de colector del transistor de la figura b. La variacin de la seal de salida puede obtenerse grficamente con la recta de carga en la figura b, con
Vcc=20v Rb=1k 1000
Ic
Ib=40 mA
Rc=20 Ci = 25 Vi Vceq Icq
30 20 10
Vce Vcc=20v
Fig.a
Fig.b
VCE = VCC = 20 V, IC = VCC / RC = 1000 mA = 1 A, tal como se muestra. Cuando la corriente de base de ac de la entrada se incrementa de su nivel de polarizacin, la corriente de polarizacin aumenta en IC (p) = ! IB(p) = 250 mA pico La potencia de salida ser entonces Po(c.a.) = ( I2C (p) / 2 )! RC = 0.625 W La de entrada ser entonces Pi(c.c.) = VCC! ICq = 9.6 W Podemos ya calcular la eficiencia de potencia% = Po(c.a.) / Pi(dc) x 100% = 6.5%
8.2.2 Ejemplo 2
Calcule la potencia de ac de entrada a la bocina de 8 del circuito de la figura a. Los valores de los componentes del circuito dan como resultado una corriente dc de base de 6 mA y una seal de entrada ( Vi ) da como resultado una excursin de corriente de base pico 4mA.
Vcc=10V
279 mA
IC
I B =14 mA
R1
V1
VL
I cmax=225mA RL I cq =140 mA
Vi I B =6mA R2
N 1 / N 2 =3:1
RE
CE
I cmin =25 mA V CE V cqm in =1.7 V V CEQ =10V V c =20V V cqm ax =18.3V
Solucin La recta de carga dc se traza de forma vertical (vase figura b) a partir del punto de voltaje VCEq = VCC = 10 V Para IB = 6 mA el punto de operacin en la figura b es VCEq = 10 V e Icq = 140 mA
Luego puede trazarse la recta de carga de ac con pendiente de -1/72 a travs del punto de operacin indicado. Como ayuda para trazar la recta de carga, consideremos el siguiente procedimiento. Para una excursin de corriente de IC = VCE / RL = 10 V / 72 = 139 mA marcar un punto ( A ): ICEq + IC = 140 mA + 139 mA = 279 mA sobre el eje y Conectar el punto A pasando por el punto Q para obtener la recta de carga de ac. Para la excursin de la corriente de base dado de 4 mA pico, las corrientes de colector mxima y mnima y el voltaje colector-emisor obtenido a partir de la figura b son VCE min = 1.7 V La potencia entregada de ac Po( ac ) = (VCE max - VCE min)! (IC max - Icmin) / 8 = 0.477 W Ic min = 25 mA VCE max = 18.3 VIC max = 255 mA
8.2.3 Ejemplo 3
Para el circuito del problema anterior calcular su eficiencia y su eficiencia mxima Solucin Calculemos primero la potencia de entrada de dc y la disipada por el transistor Pi(dc) = VCC! ICq = 1.4 W PQ = Pi(dc) - Po(ac) = 0.92 W entonces % = Po(ac) / Pi(dc) x 100% = 34.1 % Para un amplificador de la clase A acoplado por transformador, llega hasta el 50 %. Con base en las seales obtenidas usando el amplificador, la eficiencia puede expresarse como % = 50! ( (VCE max - VCE min) / (VCE max + VCE min) )2 % Entre ms grande sea el valor de VCE max y ms pequeo el valor de VCE min , ms se acercar la eficiencia al lmite terico del 50 %.
8.3
Amplificadores en contrafase (push-pull) clase B2.
En el circuito de la figura siguiente, si la corriente de reposo IC=0, es por definicin un amplificador clase B. En este transistor ideal la curva de transferencia dinmica (IC=f(IB))es una recta que pasa por el origen. Obsrvese que en este circuito de clase B, la corriente de carga ILIC es senoidal durante la mitad de cada periodo y es cero durante el segundo semiciclo. Este circuito acta por tanto como rectificador. Para poder amplificar los dos semiciclo de seal de entrada es necesario emplear una etapa complementaria de salida como la de la figura siguiente. A esta configuracin se le denomina amplificador en contrafase (puhs-pull) de clase B.
Figura 8-3. Seguidor de emisor con polarizacin nula, amplificador clase B.
Figura 8-4. Amplificador en contrafase, clase B.

Con valores positivos VE de la senoide de entrada, Q1 conduce y Q2 est en corte (I2=0), de forma que I1 es la semionda positiva. Con valores negativos de VE, Q1 est en corte (I1=0) y Q2 conduce, resultando para I2 una senoide positiva desfasada 180 respecto a la anterior. Como la corriente de carga es igual a la diferencia entre la corrientes de emisor de los dos transistores.
I L = I1 I 2
( 8-10 )
En consecuencia la corriente de carga es una senoide completa. Las ventajas del funcionamiento en clase B respecto al de clase A son la siguientes: se puede obtener mayor potencia de salida, el rendimiento es mayor, y la perdida de potencia en ausencia de seal es despreciable. Los inconvenientes son: la distorsin debida a los armnicos puede ser mayor, y la fuente de tensin debe tener una buena regulacin.
8.3.1 Rendimiento
La tensin de pico de la carga es VP=IPRL, y la potencia de salida es
PL =
I PVP 2
( 8-11 )
La correspondiente corriente continua de colector en cada transistor bajo carga es el valor medio de la semionda de la figura. Puesto que ICmed=IP/ en esta forma de onda, la potencia de entrada en continua procedente de la alimentacin ser
PCC = 2
I PVCC
( 8-12 )
El factor 2 es debido a que el sistema en contrafase emplea dos transistores. El rendimiento de la conversin ser por tanto:
= 100
VP PL = 100 PCC 4 VCC
( 8-13 )
Si la cada de tensin a travs del transistor es pequea frente a la tensin de alimentacin, VPVCC, y en estas condiciones la ecuacin muestra que el rendimiento mximo posible es 78.5% para el sistema en clase B, frente al 25% de la clase A. Esta diferencia es debida al hecho de que en clase B no existe corriente de polarizacin. Podemos observar tambin que en un amplificador clase B la disipacin en los colectores es nula en el estado de reposo, aumentando con la excitacin, mientras que en el sistema clase A el calentamiento de los colectores es mximo con entrada cero y disminuye al aumentar esta. En cuanto a la potencia disipada por los transistores, tenemos que est es la diferencia entre la potencia de entrada al circuito de colector y la potencia suministrada a la carga. Como IP=VP/RL,
PQ = PCC PL =
2 VCCVP VP2 RL 2 RL
( 8-14 )
Esta ecuacin demuestra que la disipacin del colector es nula si no hay seal (VP=0) sube cuando aumenta VP, y pasa por un mximo a
PQ VP
2 VCC 2VP V = 0; VP = 2 CC R L 2 RL
( 8-15 )
La disipacin mxima es:
PQmax
2 2VCC = 2 RL
( 8-16 )
8.4
Amplificadores clase AB.
En el montaje anterior adems de la distorsin introducida por el empleo de transistores no idnticos y por la falta de linealidad de las caractersticas de colector, existe la distorsin por la fasta de linealidad de la caracterstica de entrada, por la base no circula una corriente apreciable si la unin base emisor no esta polarizada en directo a la tensin umbral V, que es 0.5 V para el silicio. En estas circunstancias una, una excitacin con tensin de base senoidal no dar una corriente de salida senoidal.
Figura 8-5. Distorsin de cruce.

En la regin de las corrientes pequeas para ( VB<V ), la salida es mucho menor de lo que sera si la respuesta fuese lineal, efecto que se denomina distorsin de cruce. Esta distorsin no existira si la excitacin se obtuviera de una verdadera fuente de corriente; en otras palabras, si la corriente de base (en lugar de la tensin) fuera senoidal.
V0 Q1
V CC -V CE(sat)
pendiente =1
-V BE Q2
VE
V CC +ABS(V CE(sat))
Para minimizar la distorsin de cruce, los transistores deben trabajar en clase AB, en la que aun con excitacin nula, circula una pequea corriente de polarizacin. El circuito de la figura siguiente es usado para tal fin, los diodos proporcionan una tensin entre las bases de los transistores aproximadamente de 2V. Conforme VE se hace negativa comienza a conducir Q2 aumentando su tensin VBE poco a poco. Debido a la existencia de los dos diodos, el transistor Q1 que sigue activo, reduce en la misma proporcin su tensin de polarizacin base emisor, con lo que proporciona una pequea corriente. Esta situacin continuar mientras /Vi/</VBE/, en otro caso el transistor Q1 dejar de trabajar. Como se observa en la figura la frontera est ahora en VBE.. Funcionando en clase AB, hay menos distorsin que en clase B, pero hay un menor rendimiento y un mayor consumo de potencia.
V CC
R1 Q1 D1 D2 + VE -V CC Q2 RL
Figura 8-6. Amplificador clase AB.
8.5
Evacuacin de calor en los semiconductores.
En general los semiconductores son muy sensibles a una temperatura interna demasiado elevada, esencialmente por las propiedades fsicas del monocristal de Ge o Si. Si bien existe una temperatura lmite terica que no debe de ser sobrepasada, otros parmetros de los semiconductores varan con la temperatura, hacindose necesario para mantener dichos parmetros dentro de los lmites aceptables que la temperatura de la unin del semiconductor no sobrepase un valor predeterminado. Hay que aadir el efecto de envejecimiento del monocristal que puede aparecer para valores de temperatura prximos al lmite terico, en especial si a la temperatura de funcionamiento elevada se superpone en ciertas zonas de la unin sobrecalentamientos localizados. Existen tres criterios que obligan a limitar la temperatura mxima de la unin en un semiconductor: Limitacin terica que permite obtener una distincin neta entre los diferentes medios P y N. Mantenimiento de ciertos parmetros dentro de lmites aceptables.
Reduccin de dilatacin-contraccin en el complejo ensamblado de elementos metlicos y semiconductores. En definitiva el fabricante del dispositivo fija, despus de reiterados ensayos, un lmite superior compatible con el buen funcionamiento del mismo y para el cual garantiza ciertos parmetros. Este valor de j es en el caso de diodos de unin: para el Ge: 80 grados centgrados, y para el Si: 200
M
grados centgrados. En el caso de tiristores el valor admisible es ms reducido siendo para el Si del orden de 125 C. Para los transistores de germanio el lmite mximo es del orden de 85 C, mientras que para los de silicio es de unos 200 C. Si bien stos valores lmites indicados para la temperatura de la unin del dispositivo semiconductor corresponden a los que aparecen en rgimen permanente, y que no deben de ser sobrepasados ni en funcionamiento normal ni en caso de sobrecargas previsibles, se admiten valores mayores en el caso de sobrecargas no previsibles durante el tiempo que sta es interrumpida por el dispositivo de proteccin. La temperatura admisible en ste rgimen transitorio est limitada por la necesidad de que no se produzca deterioro fsico permanente. La prdida de potencia se encuentra localizada al nivel de monocristal de germanio o silicio en forma de tableta de reducido espesor en el que se han creado las diferentes zonas P y N necesarias al funcionamiento del dispositivo. En semiconductores de potencia las prdidas alcanzan rpidamente varias centenas de vatios. Tngase presente que el monocristal tiene unas dimensiones reducidas cuyo volumen no alcanza el cm3, exceptuando dispositivos de elevada intensidad nominal, y en consecuencia una elevada densidad de potencia elevndose en brevsimo tiempo la temperatura del monocristal hasta valores destructivos. Es pues imprescindible canalizar la potencia perdida a nivel de monocristal hasta un medio refrigerante capaz de evacuarla permanentemente de modo que la temperatura de aquel se mantenga por debajo del valor mximo admisible, j .
M
Tecnolgicamente en un semiconductor de potencia, el monocristal se encuentra alojado en una caja(4) de forma especial que comprende una base plana o de forma hexagonal prolongada por un vstago roscado, una caperuza aislante(5) y adems de la pastilla o semiconductor propiamente dicho(1), los contraelectrodos(2)(3) y elementos intermedios necesarios(7) para asegurar las conexiones de nodo y ctodo(6) mediante soldadura o dispositivos de presin especiales. La solucin habitual utilizada para canalizar la energa disipada en un semiconductor consiste en montar la caja sobre un soporte metlico provisto de aletas, generalmente fabricado en aluminio por extrusin, denominado radiador(8) y que se encuentra a su vez en contacto con un fluido adecuado, aire, agua, aceite etc.
Figura 7. Disposicin para la evacuacin de las prdidas. La disposicin descrita puede presentar algunas variantes, pero la estructura esencial responde siempre a la idea de la figura siguiente. A partir de un nucleo central (parte activa del dispositvo semiconductor) en el que se disipa una energa a la temperatura j un radiador intimamente en contacto con dicho ncleo, permite transferirla hasta un medio refrigerante capaz de absorberla a la temperatura A partir de esta estructura bsica, es posible utilizar diferentes disposiciones contructivas o considerar el empleo de diferentes medios refrigerantes, por ejemplo:
aire ambiente utilizado en conveccin natural. aire en ventilacin forzada circulando a travs del radiador. agua en circulacin forzada al exterior de las aletas o al interior de orificios practicados en la masa del radiador.
8.5.1 Esquema elctrico equivalente del circuito trmico.

Basndonos en las analogas anteriormente es posible establecer un esquema elctrico equivalente del circuito trmico para elementos semiconductores de potencia. Supongamos que la evacuacin de las prdidas se efecta por la cara inferior del monocristal y consideremos nicamente los siguientes elementos constitutivos de un diodo o tiristor de potencia, suponiendo que todos ellos sean cilndricos. El monocristal de silicio, S; El contraelectrodo inferior de molibdemo, M; La base de cobre de la caja, C; El contacto entre caja y radiador, co; El radiador de cobre o aluminio, R. El esquema elctrico equivalente del circuito trmico del dispositivo semiconductor se representa en la figura 21.5. Este esquema es vlido nicamente cuando el dispositivo parte del estado de reposo en el que la temperatura en todo el conjunto es homognea e igual a la temperatura ambiente.
c R M s
a
Silicio Molibdeno Cobre(Caja) Contacto
A
Wp s ( j) R thS C thS
Radiador
R thM C thM
R thC C thC
R thco
R thR C thR a C tha R tha
B
Wp R thS R thM R thC R thR R tha C tha a
C thS s ( j)
C thM
C thC
C thR
Figura 8. Representacin esquemtica de una pastilla de silicio. CthS representa la capacidad trmica de monocristal de silicio, CthM representa la capacidad trmica del electrodo de molibdeno, CthC representa la capacidad de la base de la caja, CthR representa la capacidad del radiador, RthS representa la resistencia trmica del monocristal de silicio, RthM representa la resistencia trmica del contraelectrodo de Molibdeno, RthC representa la resistencia trmica de la caja del dispositivo.
Rthco representa la resistencia trmica del contacto entre la caja y el radiador (depende de la presin de contacto, de la calidad del mecanizado y de la utilizacin eventual de un producto -grasa de silicona, grafito en suspensin). RthR representa la resistencia trmica propia del radiador o ms bien incluye la de ste y la existente entre ste y el medio ambiente. La capacidad trmica del medio refrigerante se supone por definicin infinita, el medio refrigerante debe ser capaz de absorber sin elevacin de temperatura cualquier cantidad de calor. Esto se representa en el esquema elctrico equivalente por un cortocircuito. razones: El esquema elctrico de la figura A no es ms que aproximado. Entre otras por las siguientes
Se ha supuesto que la energa disipada se originaba en su totalidad en la unin P-N siendo as que todos los elementos constructivos del dispositivo presenta una cierta resistencia hmica perdindose en ellos una determinada potencia que tambin es necesario disipar, Por otra parte el esquema supone que la temperatura a (masa trmica es uniforme para todos los elementos lo que es cierto en el instante inicial pero no as cuando las diferentes superficies de contacto van alcanzando temperaturas superiores a a . El esquema debera sustituirse por el de la figura B.
8.6
, Casos prcticos de evacuacin de calor.
Al cabo de un cierto tiempo, desde el instante de comienzo del paso de la corriente elctrica por el dispositivo semiconductor, se llega a un equilibrio trmico en el que la potencia disipada en el monocristal semiconductor es igual a la que cede todo el conjunto semiconductor al aire ambiente. Se ha alcanzado el rgimen permanente trmico. Dos problemas fundamentales se pueden presentar al proyectista; a saber: 1. Partiendo de un semiconductor determinado, en unas condiciones de funcionamiento elctrico particulares, definir cul ha de ser la resistencia trmica del radiador a utilizar. 2. Para un semiconductor de caractersticas determinadas montado en un radiador de resistencia trmica conocida, calcular la potencia mxima disipables en unas condiciones de refrigeracin prefijadas y en consecuencia definir la intensidad de corriente admisible en el semiconductor. En la prctica las temperaturas que se consideran en el sistema semiconductor radiador, son las siguientes:
j temperatura de la unin o ms correctamente temperatura virtual o terica de la unin. c :temperatura de la caja, medida en un punto especificado de la caja del dispositivo. r temperatura del radiador, medida en un punto especificado del mismo. a :temperatura ambiente, tomadas en las inmediaciones del radiador.
Se ha sustituido convencionalmente la nocin de las temperaturas en las fronteras entre dos elementos constructivos por la temperatura medida en una partre del dispositivo. Las resistencias trmicas no sern ahora las propias de cada elemento constructivo, sino una resistencia trmicas convencionales existentes entre cada dos puntos de medida de temperatura. Cabe distinguir: Resistencia trmica unin-caja. Los fabricantes de dispositivos semiconductores facilitan para Rthjc: cada uno de ellos, el valor de la resistencia trmica entre unin y caja que en los dispositivos de potencia alcanza valores del orden de una fraccin de grado centgrado por vatio. Vara ligeramente con la forma de la onda de potencia perdida en el semiconductor. Rthcr: Resistencia trmica de contacto entre caja y radiador. Variable con las condiciones de montaje: contacto seco, o utilizacin de un producto especfico para facilitar el contacto trmico. Rthra: Resistencia trmica radiador-ambiente. Facilitada igualmente por los fabricantes para los diferentes modelos de radiadores, utilizados en convencin natural o en ventilacin forzada. En este caso el valor de la resistencia trmica vara con la velocidad del aire en las proximidades de la aleta del
radiador. Rthja: Resistencia trmica total entre la parte activa del semiconductor y el ambiente.
8.6.1 Ecuaciones base.

Consideremos un diodo o tiristor montado en un radiador de aluminio segn el esquema de disposicin de la figura 22.7. Sea Pp la potencia disipada en su parte activa. De lo expuesto antes se deduce que la diferencia de temperatura entre la unin y el ambiente es la suma de las elevaciones parciales medidas entre las parte unin, caja, radiador, y ambiente. Por tanto:
ja = j a = jc + cr + ra
La temperatura virtual o terica de la unin ser:
( 17 )
j = a + Rthja Pp
( 18 )
El punto ms fcil de acceder en un semiconductor es su caja (adems de la temperatura ambiente), por lo que es til expresar :
c = j Rthjc Pp
y
( 19 )
c = j + ( Rthra + Rthcr ) Pp
( 20 )
La representacin de ambas rectas permite resolver grficamente problemas relativos a la disipacin de potencia en un semiconductor.
8.6.2 Resolucin de problemas.

Calculo de la resistencia trmica del radiador. Generalmente para el clculo del radiador se dispone de los siguientes datos: Temperatura mxima admisible de la unin, j Temperatura ambiente estimable, a ; Prdidas directas medias o intensidad de corriente media; Resistencia trmica unin-caja, Rthjc; Resistencia trmica caja-radiador, Rthcr. Con el dato de partida de la intensidad de corriente media se calculan las prdidas de potencia segn lo indicado anteriormente o mediante las curvas Pp = f(Im) facilitados por el fabricante del dispositivo. Debe tenerse muy en cuenta la forma de onda (rectangular, sinusoidad, etc.) y la duracin de conduccin, con objeto de calcular correctamente el factor de forma si se sigue el procedimiento analtico o de seleccin la curva adecuada si se opera grficamente. Conocida la Pp, tendremos:
M
Rthra =
jM a
Pp
( Rthjc + Rthcr )
( 21 )
Para no superar la temperatura mxima de la unin la resistencia trmica del radiador seleccionado tiene que ser menor a la calculada. Del valor Rthra obtenido depender la necesidad de utilizar ventilacin forzada o no. Si el valor no se puede conseguir hay que escoger el semiconductor de mayor calibre y un radiador ms grande.
Ejemplo. Un diodo de Si, tipo WR 620, tiene una caracterstica directa definida por los parmetros siguientes: tensin de umbral UFS: 0,84 V, resistencia diferencial Rdif = 0.94 10 3 , Rthjc = 0,07 C/W (refrigeracin por ambos lados del diodo),Rthcr=0,02 C/W (contacto lubrificado) Determinar cal ha de ser la resistencia trmica del radiador a utilizar para que conduciendo una intensidad de corriente semionda sinusoidal de valor medio 220 A, con una temperatura ambiente a = 30 C, la temperatura de la unin no sea superior a j = 150 C.
M
Solucin: Comprobado el factor de forma, la potencia perdida se calcula:

k
f
PF = I m U
FS
+ R d if k 2 f Im
]=
= 2 2 0 ( 0 .8 4 + 1.5 7 2 0 .9 4 1 0 3 2 2 0 ) = 2 9 7 W .
La resistencia trmica total ser:

R th ja =
j a
Pp
150 30 = 0 .4 0 4 C / W 297
y la resistencia trmica del radiador

Rthra = Rthja ( Rthjc + Rthcr ) = 0404 . (0070 . + 0020 . ) = 0314 . C/W
Esta resistencia corresponde a un radiador de aluminio con ventilacin natural. Clculo de la temperatura de unin. Son conocidas en este caso, los datos que se relacionan: Intensidad de corriente media, Im o las prdidas medias; resistencia trmica unin-ambiente Rthja, suma de las resistencias trmicas, Rthjc, Rthcr y Rthra Temperatura ambiente, a . Para la determinacin de la potencia perdida, si no se conoce, se procede como en el caso anterior. La temperatura terica de funcionamiento de la unin se calcula por la expresin 22.4. Ejemplo. Supongamos ahora que con el diodo del ejemplo anterior se utilizara el mismo radiador con ventilacin forzada, de forma que su resistencia trmica se redujera a 0,1 C/W. Cul ser la temperatura de la unin?. La nueva resistencia trmica unin-ambiente vale:
' Rthja = 0.070 + 0.020 + 01 . = 019 . C /W
La temperatura de la unin es:
j' = a + Rthja Pp = 30 + 019 . 297 = 86.4 C

Evidentemente muy por debajo del valor mximo admisible para este tipo de diodo. Clculo de la intensidad media admisible en un montaje determinado. Conocido los datos de un montaje, se puede obtener la intensidad media admisible prefijadas la temperatura de trabajo de la unin y el ambiente. Normalmente los datos de partida son: Resistencia trmica total unin-ambiente, Rthja; Temperatura de la unin, j Temperatura ambiente, a . Determinar en primer lugar la potencia media que es posible disipar. Conocido este dato es posible obtener grficamente la intensidad media admisible, si se dispone de la curva Pp = f(Im) para el
semiconductor considerado (forma de onda y duracin de conduccin deseada). La resolucin de forma analtica se hace utilizando la siguiente ecuacin:
Im =
2 U FS U FS + 4 Pp Rdif k 2 f
2 Rdif k 2 f
( 22 )
Ambas soluciones son reales pero nicamente una es positiva y corresponde al valor buscado. Ejemplo. Cul podra ser ahora la intensidad de corriente a travs del mismo, montado sobre un radiador de resistencia trmica 0,1 C/W para que la temperatura virtual de la unin alcance el valor tolerado de 150 C ?. La prdida de potencia admisible ser en estas condiciones
Pp =
120 = 6316 .W 019 .
Lo que en onda senoidal corresponde a una intensidad de corriente media, tal que se verifique:
6316 . = 0.84 I m + 0.94 10 3

2 = 0.84 I m + 0.00232 I m
2 2 I = 4 m
La solucin a esta ecuacin de segundo grado nos da Im = 371,2 A. Resolucin grfica. La resolucin de los problemas planteados resuelta en rgimen estacionario muy fcil. Algunos fabricantes de semiconductores de potencia disponen de nomogramas que facilitan el clculo rpido de las condiciones de funcionamiento. Para un tiristor o un diodo el diagrama de la figura permite relacionar entre s la intensidad de corriente, prdidas y magnitudes trmicas en un semiconductor. La curva A debe trazarse para cada valor del factor de forma y representa Pp=f(Im). La escala de ordenadas superpuestas a la izquierda responde a la ecuacin La curva B tiene como pendiente la resistencia trmica unin-ambiente, es decir corresponde a la suma de todas las resistencias trmicas incluida la de contactos y permite establecer la relacin Partiendo de la temperatura ambiente a (punto 1) para una forma de onda y resistencia trmica determinada, el diagrama permite obtener: La prdida de potencia admisible Pp para que no se sobrepase la temperatura mxima de la unin
j M , (punto 7 o punto 5).
La intensidad de corriente media admisible en las mismas condiciones, (punto 4). La temperatura mxima admisible en la caja del dispositivo c (punto 6). Con otros datos de partida el baco permite igualmente resolver el problema. Ejemplo. Para un transistor de potencia cuando la frecuencia a la que trabaja es baja as como los valores de modulacin, la temperatura de la unin oscila alrededor del valor medio, en este caso es necesario elegir un radiador teniendo en cuenta el valor mximo de esta temperatura j , para ello se
M
utilizan las siguientes expresiones :
PpM =
(W
on
+ Wcon + Woff tp
( 23 ) ( 24 )
jM = c + Rthjc PpM
En el caso de que la frecuencia sea suficientemente elevada >3kHz y con altos ndices de modulacin es usual aproximar la temperatura de la unin por su valor medio sin que existan diferencias, para ello se recurre al clculo de la potencia media, de manera que:
Ppmedia = f Won + Wcon + Woff
( 25 ) ( 26 )
jmedia = c + Rthjc Ppmedia
Ejemplo. Supongamos un transistor MOSFET del que se conocen los siguientes datos :
f = 20kHz; t p = 10s; = 0.2
c = 80 C; Won + Wcond + Woff = 10mJ .

Rthjc = 018 . C / W;
De la figura del catlogo del componente obtenemos el valor de la impedancia Z(thjc)p=0.036C/W PpM=1000W ;Ppmedia=200W
jmedia = 80 + 200 018 . = 116 C jM = 80 + 1000 0.036 = 116 C

Consideremos ahora las siguientes nuevas condiciones:
f = 100 Hz; t p = 10ms; = 01 .
c = 80 C; Won + Wcond + Woff = 2 J .

Rthjc = 018 . C / W;
De la figura anterior obtenemos el valor de la impedancia Z(thjc)p=0.025C/W PpM=2000W ;Ppmedia=200W
jmedia = 80 + 200 018 . = 116 C jM = 80 + 2000 0.025 = 130 C
Captulo 9
TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO.

Los transistores de unin bipolares (BJT) descritos en los captulos anteriores basan su funcionamiento en dos tipos de portadores: electrones y huecos. Existen otros transistores cuyos portadores son de un solo tipo por lo que se denominan unipolares; son los transistores de efecto campo, llamados as porque el control de la corriente se ejerce mediante un campo elctrico. El trmino FET es genrico. Existen otros trminos ms especficos, como son el JFET (Junction Field Effect Transistor) y el MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Transistor).
9.1
JFET.
En su configuracin ms simple, el FET est constituido por una barra de semiconductor tipo N llamada canal, con materiales tipo P difundidos en l, como muestra la figura siguiente. Las conexiones llamadas fuente y drenador estn conectadas al semiconductor tipo N y la conexin de puerta est conectada a los materiales tipo P. Cuando el canal es de semiconductor tipo P y las regiones laterales tipo N recibe el nombre de FET canal P. Los terminales citados son: Fuente o Surtidor S (source): Terminal por donde se introducen los portadores provenientes de la fuente externa de polarizacin. Drenador D (drain): Terminal por donde salen los portadores procedentes de la fuente y que atraviesan el canal. Puerta G (gate): Terminal constituido por regiones fuertemente impurificadas a ambos lados del canal y que controla en ste la cantidad de portadores que atraviesan la barra de semiconductor.
Figura 9-1. Estructura y smbolo: a) fet canal N, b) fet canal P La forma de polarizar un FET se muestra en la figura siguiente, tambin se indican las tensiones y corrientes, desprecindose IG, ya que la unin puerta-surtidor est polarizada inversamente, de lo que se deduce que, la corriente de puerta es despreciable.
Figura 9-2. Polarizacin de un FET. Tensiones y corrientes.
9.1.1 Funcionamiento.
El funcionamiento se basa fundamentalmente en los efectos que se producen en la zona de transicin (regin carente de portadores libres y por tanto incapaz de permitir la conduccin) que se crea en las proximidades de toda la unin P-N (canal N) cuando sta se polariza inversamente. Si aplicamos una tensin positiva VDS a travs del canal y la tensin VGS la hacemos cero, los electrones sern atrados hacia el terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la direccin definida en la figura siguiente, adems se observa que las corrientes de drenaje y surtidor son equivalentes. Bajo estas condiciones el flujo de carga es relativamente permitido y limitado nicamente por la resistencia del canal. Es importante observar que la zona de transicin es ms ancha cerca del extremo superior de ambos materiales tipo P.
Captulo 9. Transistores de efecto campo. 3
Figura 9-3. JFET en la regin de VGS=0 V y VDS > 0 V. En cuanto la tensin VDS se aumenta de 0 a unos cuantos voltios, la corriente aumentar segn se determina por la ley de Ohm, y la grfica de ID frente a VDS aparecer como se ilustra en la figura siguiente. Observando dicha grfica se establece que existe un relativa linealidad para la regin de valores pequeos de VDS, es decir la resistencia es esencialmente constante. A medida que se incrementa la tensin VDS y se aproxima a un nivel denominado VP, las zonas de transicin se ampliarn, ocasionando una notable reduccin de la anchura del canal, lo que originar a su vez un aumento de la resistencia. Si VDS se incrementa hasta un nivel donde las dos zonas de transicin se toquen, como se ilustra en la figura siguiente, se tendra que el canal se habra cerrado o estrangulado. El nivel de tensin VDS que establece dicha condicin se denomina tensin de estrangulamiento (pinch-off), designada por VP. En realidad, el trmino estrechamiento es inapropiado en cuanto que sugiere que la corriente ID disminuye, al estrecharse el canal, a 0A. Sin embargo, como se muestra en la figura siguiente, ID mantiene un nivel de saturacin definido como IDSS, es decir, en realidad existe todava un canal muy pequeo, con una corriente de muy alta densidad. A medida que VDS incrementa su valor ms all de VP, la regin de estrechamiento entre las dos zonas de transicin aumentar en longitud a lo largo del canal, pero el nivel de ID seguir siendo el mismo. Por tanto, esencialmente, una vez que VDS > VP el FET posee las caractersticas de una fuente de corriente. La corriente est fijada en ID=IDSS, pero la tensin VDS (para niveles > VP) se determina por la carga aplicada.
Figura 9-4. Estrechamiento (VGS = 0 V, VDS = VP). ID frente a VDS para VGS = 0 V.
La tensin de la puerta a al surtidor se denomina VGS, y es la tensin del control para el JFET, pueden por tanto, desarrollarse curvas de ID en funcin de VDS para varios niveles de VGS. Para un dispositivo de canal N la tensin de control se hace mas negativa con respecto al nivel VGS = 0V. En la figura siguiente se ha aplicado una tensin negativa entre los terminales de puerta y fuente para un nivel bajo de VDS. El efecto de la polarizacin negativa aplicada a VGS es el de establecer zonas de transicin semejantes a las obtenidas con VGS = 0 V pero ahora cuando VDG = VP se llegar al estrechamiento. Como VDG = VDS -VGS = VP , esto ocurre cuando VDS = VP +VGS, o sea a menores niveles de VDS. Por tanto, el resultado de aplicar una polarizacin negativa a la puerta es el de alcanzar el nivel de saturacin a un nivel menor de VDS, como se ilustra en la figura siguiente. El nivel de saturacin ID resultante se ha reducido y continuar disminuyendo en tanto VGS contine hacindose ms negativo.
Figura 9-5. Aplicacin de tensin negativa a la puerta y VDS>0 a un JFET. Caractersticas para varios valores de VGS. Finalmente, cuando VGS = -VP, VGS ser lo suficientemente negativo para establecer un nivel de saturacin que es esencialmente de 0 A., y para todos los fines prcticos el transistor se habr cortado. En resumen: Corte VGS VP ( negativo ) Ohmico VDG VP NJFET Conduccin VGS > VP (negativo ) Z.Activa VDG > VP Para el canal P cambia el sentido de las desigualdades.
9.1.2
Caractersticas de transferencia.
Obtengamos la ecuacin que relaciona la corriente con VDS, es decir, las ecuaciones de las curvas dibujadas. Recordando lo que vimos en el diodo:
Vd
Densidad de carga,
N p -W p -Np 0 Wn N A >> N D x
Intensidad de campo, W W p 0 W x n
=
W p << W
Potencial, V
Vj
Figura 9-6. Densidad de carga, intensidad de campo elctrico y potencial en una unin PN. Puesto que en el equilibrio la carga neta total debe ser cero: ND Wn = NA Wp ( 9-1)
En la zona abrupta: NA >>> ND Wp <<< Wn WLa ecuacin de Poisson:

qN D d 2V = = 2 dx
( 9-2)
Integrando la ecuacin anterior con la condicin: fuera de la regin de carga el campo es nulo. (x) = dV qN D (x W ) = dx
dV =0 dx
para x = Wn ya que
( 9-3)
Anlogamente volvemos a integrar para calcular el potencial, eligiendo: V(x) = 0 para x = 0. V = qN D 2 ( x 2Wx ) 2 ( 9-4)
Para x = W tenemos: V (W ) = qN DW 2 = V0 2 ( 9-5)
Que es el potencial de contacto de la unin. Si aplicamos una tensin externa V, la expresin quedara: 2 Vo W = qN D
1/ 2
( 9-6)
D
VDS N P
VGS W(x) 2b W(x)
2a
X z
Figura 9-7. Polarizacin y zonas de transicin en un JFET. Si queremos saber la distancia que penetra la zona de carga espacial o de agotamiento al aplicar una tensin inversa VR(x): 2 W(x) = a-b(x) = (V0 + VR (x)) qN D
1/ 2
( 9-7)
Podemos determinar la tensin de contraccin haciendo b(x) = 0: V0 + VR ( x ) = qN D 2 a VR ( x ) 2 ( 9-8)
esta tensin la hemos llamado tensin de contraccin: Vp qN D 2 a 2 ( 9-9)
Teniendo en cuenta la tensin VGS y la existente en cualquier punto x V(x) debida a la aplicada VDS. La tensin inversa aplicada es: V = VGS V(x). Por tanto la penetracin W(x) ser:
2 W (x) = (V0 VGS + V ( x )) qN D Incluyendo la tensin de contraccin Vp: 1 W (x) = a (V0 VGS + V ( x )) 2 qN D a / 2 Como W(x) = a b(x), tenemos:
1/ 2
1/ 2
( 9-10)
V VGS + V ( x ) = a 0 Vp
1/ 2
( 9-11)
V V + V(x) 1/ 2 GS b(x) = a 1 0 V p Si la ley de Ohms en cualquier punto entre x = 0 y x = 2 es: dV = ID dR que: ( 9-13)
( 9-12)
y como dR = ! ( dx/S) con S = 2 b(x) z y con la conductividad 1/! = = q n ND, diremos

dx 2q n N D zb( x )
dR =
( 9-14)
donde ID dx = 2 q n ND z b(x) dv, integrando:
I
0
VDS D
dx =
2 q
0
N D zb( x )dV
( 9-15)
V 2qn N D z VDS 2qn N D za DS V0 VGS + V ( x ) 1 ID = bdV = L L V p 0 0 3/ 2 V 2q n N D za 2 (V0 VGS + V ) DS ID = V = 1/ 2 L 3 V p 0
1/ 2
dV
( 9-16)
2q n N D za 2 (V0 VGS + VDS ) (V0 VGS ) = VDS L 3 Vp1 / 2

3/ 2
3/ 2
( 9-17)
Se introduce Vp =
qN D a 2 en la ecuacin anterior y obtenemos: 2

3/2
2 V + V0 VGS z n q 2 N D a 3 VDS 2 ID = DS Vp L Vp 3
V VGS + 0 Vp
3/2
( 9-18)
Esta ecuacin se corresponde con las curvas ID = f(VDS, VGS) vistas en la pregunta anterior. En la regin de saturacin, ID es casi independiente de VDS, y su valor se puede determinar sustituyendo VDS = Vp + VGS :
V 2 V0 + Vp I D = G0 1 + GS Vp 3 Vp I DSS
VGS = 0
3/2
2 V0 VGS + 3 Vp
3/2
3/2
( 9-19)
2 V0 + Vp = G0 1 3 Vp
2 V + 0 3 Vp
3/2
( 9-20)
Donde hemos llamado: G0 =
2 3 z n q 2 N D a L
Si se utilizan las dos ecuaciones anteriores, normalizando ID a IDSS se representan frente a VGS/Vp. Y es la figura siguiente izquierda. Esta representacin se suele aproximar por la ecuacin:
VGS I D = I DSS 1 V p
( 9-21)
El trmino cuadrado de la ecuacin dar como resultado una relacin no lineal entre ID y VGS, produciendo una curva que crece exponencialmente con el incremento de VGS.
Figura 9-8. Caracterstica de transferencia. En resumen: Cuando VGS = 0 V, ID = IDSS. Cuando VGS = VP, la corriente de drenaje es nula.
9.1.3 Resistencia controlada por tensin.

La regin a la izquierda de la curva de estrechamiento de la caracterstica del JFET se conoce como regin hmica o regin de resistencia controlada por tensin. En esta regin, el JFET puede emplearse como una resistencia variable. Advirtase que la pendiente de cada curva y, por tanto, la resistencia del dispositivo entre el drenaje y la fuente para VDS<VP es una funcin de la tensin aplicada VGS. A medida que VGS se vuelve ms negativo, la pendiente de la curva se hace ms horizontal, en correspondencia con un nivel ascendente de resistencia. La ecuacin siguiente proporcionar una buena aproximacin inicial, en funcin de la tensin de puerta VGS. rd = VDS V I DSS 1 GS Vp
2
ro 1 VGS V P
2
( 9-22)
Donde ro es la resistencia con VGS=0 V y rd la resistencia a un nivel particular de VGS.
9.1.4 Circuito equivalente en pequea seal.

La figura siguiente muestra el circuito equivalente de un dispositivo JFET. Se puede definir:
dI D =
I D VGS
dVGS +
VDS =cte
I D VDS
dVDS = g m vGS +
VGS =cte
1 v DS = i D rd
( 9-23)
La tensin c.a. aplicada puerta-fuente, vGS, produce una corriente de drenaje, iD, de valor gm*vGS. gm puede obtenerse de la expresin:
gm =
I D VGS
=
VDS = cte
id v gs
=
VDS = cte
2 I DSS VP
VGS 1 V P
( 9-24)
para VGS = 0
g mo =
2I DSS VP
( 9-25)
Ntese que el parmetro es la inversa de la resistencia, siendo sus unidades el Siemens o Mho. El parmetro representa la tangente a la curva en un punto determinado, y tendr por tanto, un valor distinto en cada punto, lo que implica que gm no es cte.. El valor de gmo es el valor de la transconductancia en el punto de polarizacin VGS = 0 V y representa la ganancia mxima del dispositivo. Para cualquier punto de polarizacin en la regin de operacin, se obtiene un valor gm ms pequeo mediante la expresin:
VGS g m = g mo 1 V P
2 I DSS ; donde g mo = V P
( 9-26)
Figura 9-9. Circuito equivalente en c.a. del JFET. El modelo c.a. podra tambin incluir la resistencia de salida del JFET, como se muestra en la figura. Esta resistencia de salida suele venir definida en las hojas de caractersticas como yos (admitancia de salida), siendo entonces la resistencia de salida
rd =
1 y os
( 9-27)
Figura 9-10. Modelo completo de JFET en c.a.
9.1.5 Hoja de especificaciones.

Algunos de los parmetros ms importantes proporcionados por los fabricantes son: Valores mximos: VDS: Drain-Source Voltaje. Mxima tensin aplicable entre drenador y fuente. VDG: Drain-Gate Voltaje. Mxima tensin aplicable entre drenador y puerta. VGS: Gate-Source Voltaje. Mxima tensin permitida entre puerta y fuente. IG: PD : TJ: Gate Current. Mxima corriente de puerta permitida. Power dissipation. Potencia mxima disipable a una temperatura determinada. Junction Temperatura Rage. Rango de temperatura en la unin.
Tstg: Storage Channel Temperatura Range. Rango de temperaturas de almacenamiento Otras caractersticas: VDS=0. V(BR)GSS: Gate-Source Breakdown Voltaje. Potencial de ruptura entre puerta y fuente con IGSS: Gate-reverse current, output shorted. Corriente de puerta con salida cortocircuitada. IDSS: ( Zero gate voltaje drain current. gate shorted ) Corriente de drenador con la puerta en cortocircuito con la fuente. Se especifica para una tensin VDS determinada. Gm o yfs : Transconductancia o transadmitancia y expresa la relacin entre un incremento de la corriente de drenador y la tensin puerta-fuente, manteniendo constante VDS.
9.2
Polarizacin del JFET.
Como en el caso de los transistores bipolares, polarizar un FET es llevarlo a un punto de trabajo definido por unos determinados valores de tensiones y corrientes en el circuito. Existen por tanto, como en el caso de los BJT, varios circuitos capaces de realizar esto, a continuacin vamos a ver los ms significativos. A contrario de lo que ocurre en el BJT, en el JFET la relacin no lineal entre VGS y ID, expresada por la ecuacin de Shockey, puede complicar el diseo de las redes de polarizacin. Otra diferencia importante con relacin a los transistores bipolares, es que la variable de control es una tensin, mientras que el BJT es un nivel de corriente. Sin embargo en los dos casos la variable salida controlada es el nivel de corriente que tambin define los niveles de tensin del circuito de salida. Las relaciones generales que pueden aplicarse al anlisis de c.c. para todos los amplificadores FET son:
I G = 0A ID = IS ID VGS = I DSS 1 VP
2
( 9-28) ( 9-29)
( 9-30)
El los esquemas de los circuitos se incluyen los condensadores de desacoplo, los cuales no tienen efecto en el anlisis de c.c.
9.2.1 Configuracin de polarizacin fija.

Es el ms simple de los circuitos de polarizacin, es una de las pocas configuraciones que puede resolverse directamente. El esquema est representado en la figura 10.1, la resistencia RG est presente para asegurar que ve aparezca a la entrada del amplificador.
Figura 9-11. Configuracin de polarizacin fija. Para el anlisis de c.c., se tiene
V RG
por lo que
IG = 0A = I G RG = (0 A) RG = 0
( 9-31)
VGS = VGG
( 9-32)
Puesto que VGG es una fuente constante de c.c., la tensin VGS es de magnitud fija, de ah la denominacin configuracin de polarizacin fija. El nivel resultante de corriente de drenaje ID se controla ahora por la ecuacin de Shockley:
VGS I D = I DSS 1 VP
( 9-33)
Ya que VGS es una magnitud fija para esta configuracin, su signo y magnitud simplemente se sustituyen en la ecuacin anterior, y puede de esta forma calcularse el valor de ID. En el circuito de salida se tiene, aplicando la ley de Kirchhoff:
V DS + I D R D V DD = 0 V DS = V DD I D R D 9.2.2 Autopolarizacin por resistencia de fuente.
( 9-34)
La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad de tener dos fuentes, el circuito utilizado es el mostrado en la figura siguiente. La tensin de control puerta-fuente se determina por la tensin a travs de la resistencia RS.
Figura 9-12. Configuracin de autopolarizacin. La corriente a travs de RS es la corriente de fuente IS, pero IS =ID y
VRS = I D RS
( 9-35)
Para la malla cerrada del circuito de puerta, encontramos que VGS + VRS = 0 VGS = I D RS ( 9-36)
La ecuacin anterior y la ecuacin Shockley relacionan las variables de entrada y de salida. Una solucin podra obtenerse simplemente al sustituir la ecuacin 10.9 en la ecuacin de Shockley como se muestra a continuacin:
VGS I D RS = I DSS 1 + I D = I DSS 1 VP VP

operando, puede obtenerse una ecuacin de la forma
2 I DSS RS 2 VP
( 9-37)
I DSS RS 2 + 1 I D + I DSS = 0 ID VP
( 9-38)
La tensin VDS puede determinase aplicando la ley de Kirchhoff al circuito de salida, y teniendo en cuenta ID = IS, se obtiene:
V RS + V DS + V RD V DD = 0 V DS = V DD I D ( RS + R D ) 9.2.3 Polarizacin por divisor de tensin.
( 9-39)
Este tipo de polarizacin reduce el efecto de variacin del punto de polarizacin, cuando varan las caractersticas de transferencia mxima y mnima, y produce un mayor ajuste, permite a su vez, utilizar valores ms altos RS. El circuito utilizado es el que muestra la figura a) siguiente. Para poder analizar el circuito ser necesario utilizar el equivalente Thvenin para el circuito de puerta.
Figura 9-13. a) Circuito de polarizacin por divisor de tensin. b) Equivalente Thvenin. Obteniendo
RG = R1 || R 2 = VGG = VDD
R1 R 2 R1 + R 2 R2 R1 + R 2
( 9-40)
( 9-41)
Para la malla del circuito de puerta, teniendo en cuenta que IG = 0, encontramos:
VGG VGS VRS = 0 ; VGS = VGG I D RS

o
( 9-42)
VGS = V DD
R2 I D RS R1 + R2
( 9-43)
Ntese que, como la corriente de puerta es cero, no existe cada de tensin a travs de RG. Si volvemos a aplicar la ley de Kirchhoff en el circuito de salida, obtenemos
VDD = VDS + I D (R D + R S )
( 9-44)
y por ltimo, podemos obtener otra ecuacin de la relacin entre las variables de entrada y las de salida.
ID
V = I DSS 1 GS VP
( 9-45)
Debido a la gran dispersin de las caractersticas de transferencia de los FET, en muchos casos no es posible fijar un punto exacto de polarizacin, sino que es necesario fijar un rango de valores de ID (IDmax e IDmin) , para la curva de transferencia mxima y mnima. Si se considera el circuito de polarizacin de la figura anterior la cada de tensin en R2 es
VR2 = I D RS + VGS
( 9-46)
para los valores mximos de VP e IDSS, las ecuaciones anteriores dan lugar a
VGSmax = V Pmax 1
I Dmax I DSSmax
( 9-47)
V R" = I Dmax RS + VGSmax

si se toman los valores mnimos de VP e IDSS resulta
VGSmin = V Pmin 1
I Dmin I DSSmin
( 9-48)
V R2 = I Dmin RS + VGSmin
resulta Teniendo en cuenta que no hay corriente de puerta, la tensin en R2 es constante, restando
0 = RS ( I Dmax I Dmin ) + (VGSmax VGSmin )

( 9-49)
RS =
VGSmin VGSmax VGS = I D I Dmax I Dmin
Ecuacin que permite determinar el valor de la resistencia de fuente necesaria para estabilizar el punto de trabajo. Uno de los inconvenientes de este circuito, si observamos la figura anterior, es que VGG se obtiene a partir de VDD, mediante el divisor de tensin R1, R2. As VGG debe ser una fraccin de VDD, siendo R2 << R1. La impedancia de entrada es R1 || R2 R2, si interesa que sta tenga un valor elevado, tendremos que escoger R2 muy grande, lo que obligara a R1 >> R2, presentndose ahora el problema de que los valores altos de resistencia no tienen buena estabilidad. Para corregir este problema, y poder utilizar resistencias de valores ms bajos, sin disminuir la impedancia de entrada, se utiliza el circuito mostrado en la figura siguiente.
Figura 9-14. Esquema mejorado para polarizacin del JFET. Donde R3 puede tener un valor elevado para obtener un Zi muy alta, sin afectar a la polarizacin.
Para este circuito se tiene que
Z i = R 3 + (R 2 || R1 ) R 3
( 9-50)
Con lo que los valores de R1 y R2 pueden ser mucho ms bajos.
9.3
Amplificadores con JFET.
Cualquier circuito tpico de amplificador con FET incluye no solo las resistencias de polarizacin, sino que adems incluye unos condensadores denominados de desacoplo. El circuito equivalente c.a. puede emplearse para el anlisis de las diferentes configuraciones de amplificadores con FET, tambin tendremos que sustituir todos los condensadores por un cortocircuito (impedancia del condensador = 0 para c.a.) y conectar todas las fuentes de alimentacin de continua a tierra.
9.3.1 Amplificador en fuente comn.

La figura siguiente muestra un circuito de este tipo en el que se incluye una resistencia de autopolarizacin RS para ajustar la polarizacin, tambin se incluye en la misma figura el circuito equivalente en c.a. La resistencia RS cortocircuitada mediante el condensador CS y no aparece en el circuito equivalente, y la resistencia RD conectada a VDD aparece conectada ahora a tierra. El FET se ha sustituido por su modelo en c.a.
Figura 9-15. Circuito amplificador en fuente comn. Circuito equivalente en c.a. La tensin de salida en c.a. es
v S = i D R D = g m v GS
rd R D rd + R D
( 9-51)
teniendo en cuenta que vE = vGS, la ganancia en tensin del circuito es
AV =
vS rd R D = gm vE rd + R D
( 9-52)
La impedancia de entrada en c.a. vista hacia el amplificador es
Z E = RG
y la impedancia de salida vista desde la carga es
( 9-53)
ZS = 9.3.2 Ejemplo.
rd R D rd + RD
( 9-54)
Calcule la ganancia en tensin, la impedancia de entrada y la de salida de un amplificador autopolarizado con los siguientes datos: VDD = 9V., RD = 2.2kOhm, RG = 10Mohm, RS = 750 Ohm, Vp = -4V, IDSS = 8mA, Yd = 40S, C1 = C2 = C3 = 0.05"F Solucin: g mo El punto de trabajo es: VGS + ID RS = 0 VGS = -ID RS Llevando esto a la ecuacin del JFET 2mA IDRS ID 750 2 3 I D = I DSS 1 + I D 500 I D + 1 = 0; I D = = 8 10 1 + VP 4 499mA VGS = I D RG = 2 !10 - 3 ! 750 = -1,5 V
VGS g m = g m o 1 = 2.5 mS Vp rd = 1 1 = = 25k Yd 4 10 6
2 2
2IDSS 2 8 10 3 = = 4mS Vp 4
En el modelo en pequea seal de la figura anterior la ganancia en tensin es:

Rdrd Vo gmVgs Rd +rd = = 5.05 Av = Vgs Vi
Y las impedancias de entrada y de salida respectivamente: Zo =
Rdrd = 2.0 K# Rd + rd
Zj = RG = 10M#
9.3.3 Amplificador con resistencia en el terminal de fuente.

Si el amplificador se construye con parte de la resistencia de fuente sin condensador la ganancia en tensin puede determinarse empleando el circuito equivalente en c.a. de la figura siguiente. Despus de convertir la fuente de corriente en fuente de tensin, el circuito de salida quedara como se indica en la figura.
Figura 9-16. Circuito amplificador con resistencia de fuente. Modelo en c.a. La tensin de salida sera entonces
vS =
RD g r v rd + RS1 + R D m d GS
( 9-55)
puesto que v GS = v E v RS 1
vS =
RD g r v v RS 1 rd + R S1 + R D m d E
( 9-56)
De la figura anterior se desprende que v RS 1 = i D R S1 =
vS R , por lo tanto: R D S1
( 9-57)
vS =
g m rd R D vS RS1 vE + rd + R D + RS1 RD
Figura 9-17. Circuito equivalente para el circuito de salida.
Operando puede obtenerse la expresin de la ganancia en tensin de la forma
AV =
vS = vE
g m RD R D + RS1 1 + g m R S1 + rd
( 9-58)
9.3.4 Amplificador en drenaje comn.

Una segunda configuracin de amplificador es la de drenaje comn o seguidor de fuente que se muestra en la figura siguiente. El circuito es semejante a la configuracin seguidor de emisor del BJT. La ganancia en tensin es tambin menor que la unidad sin inversin de polaridad, y proporciona una elevada resistencia de entrada y una resistencia de salida ms baja que en la configuracin de fuente comn.
Figura 9-18. Circuito amplificador en drenador comn. Circuito equivalente en c.a. Si se toma la salida desde el terminal de la fuente, no hay inversin de polaridad, y la amplitud de la tensin se reduce. La ganancia en tensin se determina como sigue
v GS = v E v S
Puesto que
( 9-59)
v S = g m v GS
la ecuacin puede expresarse
RS rd R S + rd
( 9-60)
v GS = v E g m v GS
despejando
RS rd R S + rd
( 9-61)
RS rd v v E = 1 + g m R S + rd GS
La ganancia en tensin del montaje es entonces
( 9-62)
AV =
vS = vE RS rd 1 + g m RS + rd
gm
R S rd RS + rd
( 9-63)
La ganancia en tensin no se invierte y es menor que la unidad, acercndose a la unidad a medida que el paralelo de RS y rd se hace mayor. La impedancia de entrada del amplificador es
Z E = RG
( 9-64)
en tanto que la impedancia de salida se obtiene de la siguiente expresin
ZS =
vS vS + gmvS rd || RS
rd || R S 1 + g m rd || RS
( 9-65)
9.4
Transistor MOSFET.
El transistor de efecto campo puede construirse con el terminal de puerta aislado del canal, este dispositivo es conocido entonces como MOSFET. Existen fundamentalmente dos tipos el MOSFET de deplexin y el MOSFET de acumulacin. En el modo de deplexin se construye un canal y la corriente entre drenaje y fuente ser el resultado de la tensin aplicada entre el drenaje y fuente. Sin embargo, el MOSFET de acumulacin no tiene canal formado cuando se construye. La tensin debe aplicarse en la puerta para generar un canal de portadores de carga, de modo que se produzca una corriente cuando se aplique una tensin entre drenaje y fuente.
9.4.1 MOSFET de deplexin.

La estructura de un MOSFET de deplexin canal n es la mostrada en la figura siguiente.
Figura 9-19. Construccin y smbolo del MOSFET de deplexin canal n. Se forma sobre un sustrato de tipo p, y los terminales de fuente y drenaje se conectan mediante un metal (aluminio) a las regiones de fuente y drenaje con impurezas de tipo n, las cuales son conectadas internamente con un canal de impurezas tipo n. Por ltimo se deposita encima del canal un contacto metlico sobre una capa de dixido de silicio (SiO2). Esta combinacin de puerta metlica sobre una capa de xido y sobre un sustrato semiconductor forma el dispositivo MOSFET de deplexin. Las tensiones negativas puerta-fuente expulsan los electrones de la regin del canal, y una tensin suficientemente elevada debe cerrar el canal. Sin embargo una tensin positiva puerta-fuente originar un aumento de la conductividad del canal, atrayendo ms portadores de carga, y por tanto, una corriente ms elevada en el canal. En la figura siguiente se muestra la caracterstica de transferencia del dispositivo, como puede observarse opera con tensiones positivas y negativas de puerta, los valores negativos de VGS reducen la corriente de drenaje hasta que a un nivel VP se llega a la oclusin.
Figura 9-20. Caractersticas del MOSFET de deplexin canal n. La caracterstica de transferencia es la misma que la del JFET para valores negativos de VGS, pero a diferencia de sta continua para valores positivos de VGS. La relacin entre ID y VGS viene definida por la expresin:
VGS I D = I DSS 1 VP
( 9-66)
Pero ahora VGS pude tomar valores positivos. Puesto que la puerta se encuentra aislada del canal tanto para valores positivos como negativos de VGS la corriente de puerta es despreciable. El smbolo se muestra en la primera figura de este apartado, y se observa un terminal de sustrato, sobre el que se indica el dispositivo, la flecha indica un sustrato p y, por tanto, se trata de un dispositivo de canal n. Para el MOSFET de canal p, es aplicable todo lo anterior, salvo que las tensiones y corrientes tiene signos opuestos.
9.4.2 MOSFET de acumulacin.

El MOSFET de acumulacin no tiene canal entre el drenaje y la fuente como parte de la construccin del dispositivo. La aplicacin de una tensin positiva puerta-fuente expulsar los huecos en la regin del sustrato bajo la puerta dejando una zona de transicin. Cuando la tensin de puerta VGS es suficientemente elevada y se hace mayor que una tensin Vt umbral, se produce una inversin local de la capa en material N. Aumentar VGS por encima de este valor proporciona electrones adicionales reduciendo la resistencia del canal y aumentando la corriente.
Figura 9-21. Canal formado en un MOSFET de acumulacin canal n. Smbolo. Si ahora se contempla la tensin VDS, los valores altos de VDS reducen la tensin en canal en las cercanas del drenador, con lo que se reduce la conductividad y por lo tanto disminuye la pendiente de la curva ID VGS=k= f (VDS). En ltimo extremos llegar al estrangulamiento del canal. Esto ocurrir cuando: VDS VGS - Vt ; -VDS Vt VGD Vt ; VDG -Vt As los estados sern:
Corte VGS Vt > 0 Ohmico VDG Vt NMOSFET Conduccin VGS Vt Saturacin VDG > Vt Para los dispositivos de canal P invertimos las desigualdades. La caracterstica de transferencia del MOSFET de acumulacin de canal n se muestra en la figura siguiente, en ella se observa que no hay corriente de drenaje hasta la tensin de puerta-fuente supera el valor umbral VT. Las tensiones positivas sobre este valor de umbral producen un incremento de la corriente de drenaje, la cual viene dada por la expresin anterior.
Figura 9-22. Caracterstica de transferencia del MOSFET de acumulacin canal n. En el MOSFET de acumulacin no puede asociarse ningn valor de IDSS, ya que no existe corriente para VGS = 0 V. A pesar de que el MOSFET de acumulacin est ms restringido que el de deplexin en el intervalo de operacin, el primero resulta muy til en los circuitos integrados. El smbolo esquemtico est representado en la primera figura de este apartado y muestra una lnea interrumpida entre le drenador y fuente, as mismo, la flecha del terminal de sustrato muestra un sustrato p y un canal n.
9.4.3 Caracterstica de transferencia del MOSFET de acumulacin.

VGS VG VDS S D y
x N+ Q'(x) N+
dx V(x)
x L
Recordando que:
dR = ( x )
1/ = qnN
dx dx 1 = S q n n( x ) zy ( x )
( 9-67)
Donde S = z y(x) es el rea de la seccin transversal y q n(x)y(x)=QI(x) es la carga de inversin contenida en el canal x. A una distancia x a lo largo del canal, la tensin respecto a la fuente es V(x) y en dicho punto la tensin puerta-canal es VGS-V(x). Si esta tensin supera a Vt umbral: QI(x)= Cox [VGS-V(x)-Vt ], siendo Cox la capacidad asociada a la estructura MOS. Por tanto: dR = dx z nQI(x) ( 9-68)
Luego la cada de tensin a lo largo del canal de longitud dx. Es: dV = I D dR = I D Integrando: dx znQI ( x ) ( 9-69)
I
0
VDS D
dx = zn C0 x
z nC0 x L
(V
0
GS
V Vt )dV
( 9-70)
ID =
2 VDS ( ) V V V GS t DS 2
( 9-71)
ID =
z nC0 x 2 2 VGS Vt VDS VDS 2L
[(
] ]
( 9-72)
ID =
k 2 VDS VDS 2(VGS Vt ) 2
( 9-73)
Regin hmica: Si VDS se mantiene tan pequea que el trmino cuadrado es despreciable: ID = k(VGS-Vt)VDS, expresin que define la zona hmica del MOSFET de acumulacin, siendo la resistencia lineal controlada por tensin:
R NMOS =
k (VGSS Vt ) )
D
( 9-74)
G VGS
IDS = f(VGS ,VDS)
Figura 9-23. Circuito equivalente regin ohmica Regin Activa : En este caso se verifica que VDG = -Vt, lo que implica que VDS = VGS-Vt, luego la expresin de la intensidad quedara:
ID =
k 2 VGS Vt ) ( 2
( 9-75)
D ID G VGS
Vt
VGS
Figura 9-24. Circuito equivalente regin activa. Como en el caso del JFET o del MOSFET de deplexin, tambin puede obtenerse un valor de transconductancia para un MOSFET de acumulacin, siendo la relacin en este caso:
gm =
K (VGS VT ) 2
( 9-76)
9.4.4 Polarizacin del MOSFET de acumulacin.

El MOSFET de acumulacin requiere una tensin puerta-fuente mayor que la tensin umbral necesaria para activar el dispositivo. Un circuito comn de polarizacin se muestra en la figura siguiente. La resistencia RG cumple la misin de proporcionar una tensin adecuada para llevar el MOSFET a conduccin. La corriente de drenador se incrementa hasta que se alcance el equilibrio entre la tensin drenador-fuente (puerta-fuente) y la corriente de drenador.
Figura 9-25. Circuito de polarizacin de un MOSFET de acumulacin canal n. La tensin de puerta determina la corriente de drenaje del MOSFET, que viene dada por la expresin
ID =
K (VGS VT )2 2
( 9-77)
la corriente ID tambin produce una cada de tensin a travs de RD, por lo que
V DS = V DD I D R D
( 9-78)
Ya que la corriente de puerta es despreciable, la tensin VGS = VDS, de modo que puede escribirse:
ID =
K (VDS VT )2 2
( 9-79)
La caracterstica de drenaje del MOSFET puede obtenerse grficamente para valores determinados de VT y K, se eligen los valores de VDS calculando el valor resultante de ID.
Figura 9-26. Caracterstica del MOSFET y recta de carga. La figura anterior muestra una caracterstica de drenaje tpica de un MOSFET, junto a la recta de carga. La interseccin de las dos curvas proporciona los valores de polarizacin. Si por razones de linealidad se desea que VGS VDS, puede emplearse el circuito de la figura siguiente.
Figura 9-27. Circuito de polarizacin para MOSFET canal n con VGS VDS. Para este caso la tensin de puerta ser
VGS =
VDS R R1 + R f 1

2
( 9-80)
ID =
K VDS R1 VT 2 R1 + Rf
( 9-81)
para la malla de salida tendremos como en el caso anterior
V DS = V DD I D R D
( 9-82)
Con ambos circuitos de obtiene un efecto de estabilidad debido a la realimentacin a travs de la resistencia que une el drenador con la puerta.
9.4.5 Ejemplo 1
Determinar las tensiones y corrientes del MOSFET en el circuito polarizado con realimentacin de drenador ( apartado de polarizacin del MOSFET de acumulacin) si est activo. Con los siguientes datos: VDD = 10V., RD = 160 kOhm, RG = 10Mohm, RS = 0 Ohm, VEE = -10V. K = 0.05 mA/V y Vt = 2V.
Solucin Siempre se tendr que para la compuerta del FET la corriente IG ser prcticamente nula. Es por eso que la magnitud de RG ser de M, puesto que lo que interesa es slo el voltaje que induce la compuerta. Debido a esta consideracin se puede escribir que VG = VD. Por otro lado, suponiendo estado activo: ID = (VGS - Vt) $ K/2 VDD = IDRD + VDS +VEE; Como VG = VD VDS = VD VS = VG VS = VGS ; VDS = VGS De manera que: VDD = IDRD+ VGS+VEE ; ID = ( VGS Vt) $ K/2 ; VDD = (VGS-Vt) RDK/2 + VGS + VEE VGS K RD/2 + Vt RD K/2 + VGS(1-2Vt RDK/2 + VEE = VDD VGS 15VGS 4 = 0 VGS = - 0.25V, 4V Como el mosfet est activo, la solucin correcta es aquella que verifique VGS>Vt. Como Vt = 2V, la solucin correcta es VGS = 4V. De esta forma: ID = (VGS Vt)K/2 = 0.1mA VD = VG = -6V Observamos que VDS = VD VS = VD VEE = -6-(-10) = 4V. O sea, se tiene que VDS>0 para el fet. Veamos si VDS>VDSsat. VDSsat = VGS Vt = 4 2 = 2V Efectivamente, se verifica que VDS>VDSsat, lo cual nos indica que nuestra consideracin inicial de que el mosfet estaba en la suposicin correcta.
9.4.6 Ejemplo 2.
Determinar las tensiones y corrientes del MOSFET en polarizacin por divisor de tensin si est activo. Tngase en cuenta que VDD=12V, R1=3.3Mohm, R2=1.5Mohm, RD=3.9kOhm, RS=3.9kOhm, K = 0.5mA/V y Vt = 2V. Solucin Como la corriente de compuesta debe considerarse nula, la corriente que pasa por la RG y Rl se considera la misma y, por tanto, se llega a que: VDD = I ( RG + Rl) ; VG = I R1 = VDD Rl/(RG + R1) = 8V =VG Como IS = ID, podemos hallar VS, pero hallaremos en primer lugar ID. Si suponemos que el transistor est en estado activo: ID = (VGS Vt) 3K/2; VDD= IDRD + VDS + ISRS ; VG = VGS + ISRS VDD = ID(RD + RS) + VDS ; ID =(VGS Vt) 3K/2; VG = VGS + ISRS VG =(VGS Vt) RS K/2 + VGS VGS K RS/2 + Vt RS K/2 + VGS(1 2VtRSK) = VG VGS 3VGS 4 =0 VGS = -1V,4V La solucin correcta si suponemos que el mosfet est en estado activo es: VGS> Vt = 2V VGS = 4V VGS = VG VS VS = VG VGS = 8V 4V = 4V= VS ID = VS/RS = 4/4000 = 1mA VDD VD = IDRD VD = VDD IDRD = 20 . 0.01 $ 10000 = 10V = VD
Comprobamos que VDS = VD VS = 10 4 = 6V> 0, por lo que el mosfet est encendido. Veamos ahora si se encuentra en estado hmico o activo. VDsat = VGS Vt = 4 2 = 2V Como VDS> VDSsat, est en estado activo.
9.4.7 Ejemplo 3
Para el MOSFET de acumulacin en configuracin autopolarizada, calcular la ganancia en tensin en los casos: a) b) con Rs con condensador con Rs sin condensador
con los siguientes datos: VDD = 9V., RD = 1.5kOhm, RG = 10Mohm, RS = 750 Ohm, Vp = 3.5 V, IDSS = 10 mA, , IDQ = 1.3mA y VGSQ =-1.8V.Yd = 40S, C1 = C2 = C3 = 0.05"F Solucin: gm = V 2I DSS 1 GSQ Vp Vp 2 10 10 3 1.8 = = 5.7ms 0.486 = 2.77ms 1 3 .5 3.5
Los circuitos en pequea seal son:

G
G RG gm Vgs RD D
D gm Vgs RD
RG Rs
Fig. 1: Correspondiente al apartado a).
Fig. 2: Correspondiente al apartado b).
a) La ganancia en tensin cuando tenemos una Rs con condensador es: Av = -gm RD = - 2.77ms $ 1.5 K# = -4.155 b) Mientras que la ganancia en tensin cuando tenemos una Rs sin condensador: Vds = -gm Vgs $ RD = V0 Vi = Vgs (1 + Rs $ gm)
AV = 9.4.8 Ejemplo 4
g m RD 4.155 = = 135 . 1 + RS g m 1 + 2.77ms 0.75k
Calclese la tensin de salida para el circuito de la figura Datos: Vts=-3 V Yd=20"S VGSP=-6.1 V ID=2.9mA K=0.6 10-3 A/V2
-12 V PMOS
2K
10 M
V i =10 mV
Calculemos el punto de trabajo: VD=VDD-ID RD VGS = VDS = VD = VDD IDR D= -12 + 2 ID Como I D =
k (V Vt ) 2 ,tenemos: 2 GS
VGS + 12 = 0.3 10-3(VGS+3)2 2000

Expresin de la que despejamos VGS: VGS=-6.1V Una vez conocida VGS, podemos calcular ID: ID= Calculamos rd y gm: rd =
VGS + 12 6.1 + 12 = =2.9 mA 2000 2000 1 1 = =50K# yd 20
gm=K(VGSQ-Vt)=1.86 10-3S Y como el modelo en pequea seal:

RG
Vgs Vi
gm Vgs rd
Vo
RD
Y calculando la ganancia en tensin: V0=- como Vgs = Vi, tenemos: V0 1
V 0 Vi RDrd + gmvgs RG RD + rd
R Drd R D + rd
=Vi
1 RDrd gm RG RD + rd
RDrd (1 gmRG ) V0 RD + rd = = [gmRG Vi RG + RDrd RD + rd
RDrd RD + rd = RG >>> rd = >>> 1]= RG >>> RD RDrd RG + RD + rd gmRG
RDrd RD + rd 2 50 AV = 186 . 10 3 = 3.6 2 + 50

=-gm Obtenemos fcilmente la tensin de salida, que es lo que nos pedan. V0=Av Vi=-36mV
9.5
MOSFET de potencia.
El transistor de efecto campo puede construirse con el terminal de puerta aislado del canal, este dispositivo es conocido entonces como MOSFET. Un MOSFET de potencia est orientado verticalmente en una estructura de cuatro capas alternando dopados tipo p y tipo n como se muestra en la figura siguiente para una celda simple de las muchas que componen un dispositivo completo. La estructrura n+pn-n+ se denomina MOSFET de canal n. Evidentemente, tambin se puede fabricar una estructura con el perfil de dopado opuesto, denominndose MOSFET canal p. El dopado de las dos capas n+ extremas, denominadas fuente y drenador, es prcticamente el mismo en ambas capas y es bastante grande, normalmente de 1019 cm-3. La capa media tipo p se llama cuerpo y es la regin en la que se establece el canal entre fuente y drenador siendo su dopado del orden de 1016 cm-3. La capa nes la regin de deriva del drenador y se dopa entre 1014 y 1015 cm-3. Esta regin de deriva va a determinar la tensin de ruptura del MOSFET.
Figura 9-28. Estructura vertical del MOSFET de potencia. En un primer momento, parecera que no hay ninguna forma de que la corriente pueda fluir entre los terminales de drenador y fuente del dispositivo ya que una de las uniones pn (bien la unin cuerpo-fuente bien la drenador-cuerpo) estar polarizada en inverso por la polaridad de la tensin aplicada entre el drenador y la puerta. No puede haber inyeccin de portadores minoritarios en la regin de cuerpo por el terminal de puerta ya que esta est aislada del cuerpo mediante una capa de dixido de Silicio que es un buen aislante y de ah que no haya funcionamiento del BJT parsito. Sin embargo, una aplicacin de tensin que polarizara la puerta positiva respecto a la fuente convertir la superficie de Si por debajo del dixido de puerta en una capa tipo n o canal, conectando as la fuente al drenador y permitiendo el flujo apreciable de corrientes. El espesor del xido de puerta, la anchura de sta y el nmero de regiones puerta/fuente conectadas elctricamente en paralelo son importantes al determinar cunta corriente fluir para una tensin puerta-fuente dada. La estructura mostrada en las figuras anteriores se llama VDMOS por la doble difusin del MOSFET verticalmente. El nombre describe la secuencia de fabricacin del dispositivo: el sustrato inicial es normalmente el drenador n+ en el que la regin de deriva n- de espesor especfico crece epitaxialmente, entonces el cuerpo central tipo p se difunde en la oblea desde el lado de la fuente de la oblea seguido de la difusin de la fuente n+. Estas dos difusiones se enmascaran lo que significa que partes de la oblea se protegen mediante el dixido de Si para que los dopantes no puedan alcanzar la oblea donde se ha puesto el SiO2. Los pasos que quedan incluyen el depsito de las metalizaciones de puerta y fuente, siendo el paso final el empaquetamiento. Un MOSFET VDMOS es una pastilla simple de silicio formada por un gran nmero de celdas hexagonales apiadas muy cerca unas de otras. El nmero de celdas vara de acuerdo con las dimensiones de la pastilla. Por ejemplo, una pastilla de 120 mm2 contiene alrededor de 5000 celdas; mientras que una de 240 mm2 tiene ms de 25000 celdas. En la estructura se muestran otros aspectos importantes del MOSFET:
Se construye la fuente formada por numerosas reas en forma de polgono que se conectan en paralelo y rodean la regin de puerta. Uno de los fines de la construccin de mltiples celdas es minimizar el parmetro caracterstico del MOSFET rDS(on) o resistencia de drenador a fuente cuando el dispositivo est en estado conductor. La forma geomtrica de estas regiones influye de alguna manera en la resistencia en estado de conduccin del MOSFET. La razn bsica de las numerosas regiones de fuente de reducido tamao es maximizar la anchura de la regin de puerta comparada con su longitud. La anchura de puerta W del MOSFET es la periferia de cada clula por el nmero de clulas que forman el dispositivo. Cuando rDS(on) es mnima, el dispositivo proporciona un funcionamiento superior en la potencia de conmutacin debido a que la cada de tensin de drenador a fuente es tambin mnima para un valor dado de la corriente de drenador a fuente. Se puede suponer que cada celda del dispositivo contribuye en una cantidad RN a la resistencia total, a mayor nmero de celdas puestas en paralelo, menor ser el valor de rDS(on) tal y como se ve en la expresin:
=R N r DS(ON) N
( 83 )
Donde N es el nmero de celdas. Hay un BJT parsito entre los contactos de fuente y drenador como se muestra en las figuras con el cuerpo central tipo p sirviendo como base del BJT parsito. Para minimizar la posibilidad de que este transistor se encienda, el cuerpo central se reduce a la regin de fuente mediante solapamiento de la metalizacin de fuente en el cuerpo central. Como consecuencia de esta reduccin del cuerpo hay un diodo parsito conectado entre en drenador y la fuente del MOSFET como se muestra. Este diodo se puede usar en los convertidores de medio puente y puente completo. Hay un solapamiento de la metalizacin de puerta a travs de la regin de deriva n- que sobresale de la superficie de la oblea. Este solapamiento sirve para dos fines: primero, tiende a intensificar la conductividad de la regin de deriva en la entre cara n--SiO2 al formar una capa de acumulacin, de modo que ayude a minimizar la resistencia en estado de conduccin. Segundo, la metalizacin tiende a actuar como un campo cuando el MOSFET est bloqueado que mantiene el radio de curvatura de la regin de deplexin de la unin pn drenador-cuerpo pequeo y, as, reduce la tensin de ruptura del dispositivo.
9.6
El MOSFET en conmutacin
En aplicaciones de electrnica de potencia, el MOSFET se usa como un conmutador para controlar el flujo de corriente a la carga de manera anloga a la usada por el BJT. En estas aplicaciones, el MOSFET atraviesa las caractersticas ID - VDS desde la regin de corte a travs de la regin activa hasta la regin hmica cuando el dispositivo es puesto en conduccin y vuelve de nuevo cuando se bloquea. La regin de corte, la activa y la hmica de las caractersticas se muestran en la figura siguiente. El MOSFET est en corte cuando la tensin puerta-fuente es menor que la tensin umbral VP V GS(TH), que es de unos pocos voltios en la mayora de los MOSFETs. El dispositivo es un circuito abierto y debe esperar a que se suministre una tensin al circuito. Esto significa que toda la tensin es soportada por el semiconductor entre drenador-fuente, por consiguiente el dispositivo debe tener una tensin de ruptura drenador-fuente mayor que la anterior. Cuando el dispositivo est conduciendo por una gran tensin puerta-fuente, lo hace en la regin hmica donde la tensin drenador-fuente (VDS) es pequea. En esta regin la potencia disipada se puede mantener dentro de unos lmites razonable al minimizar VDS incluso si la corriente de drenador es relativamente grande.
Figura 9-29. Caractersticas tensin intensidad del MOSFET.
VGS VGS ( TH ) > VDS > 0
( 9-84)
En la regin activa, como hemos visto, la corriente de drenador es independiente de la tensin drenador-fuente y depende tan slo de la tensin puerta-fuente. La corriente se dice algunas veces que est saturada y, en consecuencia, esta regin se llama a veces regin de saturacin. Aqu se denominar a esta regin, regin activa para evitar confusiones.
9.6.1 Conmutacin.
Los MOSFETs son intrnsecamente ms rpidos que los dispositivos bipolares ya que no tienen exceso de portadores minoritarios que deban moverse dentro o fuera del dispositivo cuando se enciende o se apaga. Las nicas cargas que se deben moverse son las que estn en las capacidades parsitas y en las capacidades de la capa de vaciamiento. Estas capacidades se pueden representar en el circuito equivalente de la figura siguiente.
Figura 9-30 Capacidades parsitas en el MOSFET. Variacin con VDS. Existen tres tipos de capacidades parsitas: Capacidad puerta-fuente CGS. Su dielctrico es la capa aislante de xido de puerta fuente. Esta capacidad se mantiene relativamente costante con las variaciones de tensin VDS. Capacidad puerta-drenador CGD. Esta vara considerablemente con la tensin VDS, desde un valor similar a CGS cuando el transistor est en conduccin has un valor despreciable cuando el transistor est en corte. Capacidad drenador-fuente CDS. Esta es menos importante y su efecto es enmascarado por CGD. La suma de CGD y CGS se llama capacidad de entrada Ci. Se examinar el comportamiento de conexin del MOSFET con una carga por la que circular una corriente IDO, una vez finalizado el transitorio. La puerta se dirige mediante una tensin de fuente ideal, que se supone que es una tensin abrupta entre 0 y VGG en serie con una resistencia de puerta externa RG.
Figura 9-31 Circuito para el estudio de los tiempos de conmutacin. Las formas de onda de la puesta en conduccin se muestran en la figura siguiente, donde la puerta dirige los cambios de tensin de forma abrupta en t = 0 desde 0 a VGG, que est por encima de VGS(TH) debido a las corrientes que fluyen a travs de CGS y CGD. La proporcin de subida de VGS en esta regin es casi lineal aunque es parte de una curva exponencial, que tiene una constante de tiempo: 1 = RG(CGS + CGD1). Ms all de VGS(TH), VGS continua elevndose igual que antes, y la corriente de drenador comienza a aumentar. La tensin drenador-fuente permanece en VDD mientras que ID < IDO. El tiempo necesario para que ID se eleve de 0 a IDO es el tiempo de subida de la corriente tRI.
Figura 9-32 Fenmenos de conexin y desconexin. Una vez que el MOSFET est llevando la corriente de carga total IDO pero est an en la regin activa, la tensin puerta-fuente llega a unirse temporalmente a VGSO que es la tensin puertafuente necesaria para mantener ID = IDO. La corriente de puerta IG, fluye a travs de CGD , esto hace que la tensin drenador-fuente caiga. La disminucin de VGD se produce en dos intervalos de tiempo distintos. El primer intervalo de tiempo corresponde al paso a travs de la regin activa donde CGD = CGD 1 . El segundo intervalo de tiempo corresponde a la terminacin del transitorio en la regin hmica donde CGD = CGD2. Una vez que la tensin drenador-fuente a cado hasta el valor en el estado de conduccin IDO rDS(ON) , la tensin puerta-fuente continua su crecimiento exponencial hasta VGG. Esta parte del crecimiento ocurre en un tiempo constante 2 = RG (CGS + CGD2) y, simultneamente, la corriente de puerta cae a cero con la misma constante de tiempo. El transitorio de bloqueo del MOSFET, comprende la sucesin inversa de sucesos que ocurren durante el transitorio de encendido. Se puede usar la misma aproximacin analtica bsica
usada para encontrar las formas de onda en el transitorio de encendido y los intervalos de tiempo asociados para los correspondientes al transitorio de apagado. Para un cambio abrupto en la tensin de puerta para t = 0 desde VGG a 0. Los valores actuales de los tiempos de conmutacin variarn dependiendo de si la corriente de puerta se hace cero o si se hace negativa para hacer el transitorio ms corto. Adems, el valor de RG usado durante el transitorio de apagado puede ser diferente al usado durante el de encendido. Como hemos visto los cambios de nivel de las seales no se producen instantneamente. Genricamente estos tiempos se llaman de subida y de bajada y se miden de la siguiente forma: Tiempo de subida tr : Tiempo que transcurre desde que la seal alcanza el 10 por ciento del valor mximo hasta que alcanza el 90 por ciento del mismo valor. Tiempo de bajada tf : Tambin llamado tiempo de cada y es el que transcurre desde que la seal toma un valor del 90 por ciento del mximo hasta que alcanza un valor del 10 por ciento. En resumen los tiempos de conmutacin se denominan tiempo de conexin y tiempo de desconexin. Tiempo de conexin tCON que se divide en dos: - Tiempo de retardo td. - Tiempo de subida tr. Tiempo de desconexin tOFF que tambin se divide en dos: - Tiempo de retardo td. - Tiempo de bajada tf.
Figura 9-33. Tiempos de conmutacin.
9.7
Prdidas de potencia en el MOSFET.
Excepto para frecuencias de conmutacin muy altas, casi toda la potencia disipada en un MOSFET en aplicaciones de potencia en modo de conmutacin se produce cuando el dispositivo est en el estado de conduccin. La disipacin de potencia instantnea en el estado de conduccin viene dada por:
2 Pd = I D RDS ( on )
( 85 )
La resistencia en el estado de conduccin tiene varias componentes. Para tensiones de ruptura ms bajas (unos pocos cientos de voltios o menos), todas estas componentes de la resistencia contribuyen ms o menos igual en la resistencia total en estado de conduccin. El fabricante del dispositivo debe intentar minimizar todas las contribuciones al usar el dopado ms fuerte en cada regin pero teniendo en cuenta otros requerimientos del dispositivo tal como la tensin de ruptura. Un ejemplo de la importancia que se da a estas contribuciones de la resistencia total viene dada por la
extensin de la metalizacin de puerta sobre la regin de deriva del drenador que sobresale a la superficie de Si entre las regiones del cuerpo tipo p. El importante progreso que se ha hecho al reducir las prdidas en estado de conduccin en los MOSFETs con tensin de ruptura baja se pone de manifiesto por el hecho de que, excepto a niveles de corriente muy altos, los MOSFETs pueden tener prdidas en conduccin ms bajas que los BJTs para valores de la tensin de ruptura por debajo de unos pocos cientos de voltios. Dos componentes de la resistencia, la resistencia del canal y la de la capa de acumulacin, se alteran por la polarizacin de puerta-fuente, adems de por las consideraciones de dopado y dimensionales. En ambas componentes, los valores ms grandes de la polarizacin de puerta-fuente harn ms bajas estas componentes. De ah que, es deseable usar tensiones de mando puerta-fuente de valor tan grande como sea posible siempre y cuando esto sea compatible con otras consideraciones. La resistencia en estado de conduccin aumenta significativamente con el aumento de la temperatura en la unin. Esto significa que la disipacin de potencia en conduccin aumentar con la temperatura en la mayora de las aplicaciones. El coeficiente de temperatura positivo de la resistencia en estado de conduccin se eleva a causa de la disminucin de la movilidad de portadores cuando la temperatura del semiconductor aumenta. Entonces las prdidas en conduccin directa se expresan normalmente en trminos de su resistencia directa, con la aproximacin siguiente:
Pd = I
2 D
R ds ( 25 C ) { 1 + ( T j 25 C ) } (W )
( 86 )
Donde es el coeficiente de temperatura de la resistencia en conduccin;
9.7.1 Perdidas producidas durante el estado de bloqueo

Durante el estado de no-conduccin una pequea corriente dependiente exponencialmente de la temperatura I1 circula por el semiconductor. La prdida de potencia ser entonces:
P1 = I 1U S (1 )(W )
( 87 )
Normalmente su influencia es despreciable en los clculos globales.
9.7.2 Perdidas debidas a la conmutacin

Se pueden presentar principalmente dos casos: En el primer caso, la tensin de alimentacin continua durante todo el periodo de transicin. Este es la peor situacin, dando las mayores prdidas de potencia en la puesta en conduccin y en el bloqueo (este es el caso, general con carga inductiva).
i= I CM t 1 t on Pon = T v s = VS
ton
1 P ( t ) dt = T
ton
I
0
CM
I V t t V dt = f CM S on t on S 2
( 88 )
Durante el bloqueo tendremos igual que antes:

Poff = f I CM V S t off 2
( 89 )
En el segundo caso, la tensin de alimentacin cae en la misma proporcin en que la corriente de conduccin directa sube durante todo el periodo de transicin. Este es el caso, general con carga resistiva.
i=
ton fI CMVS t on 1 P = P(t )dt = t T 0 6 v s = VS VS t on I CM t t on
( 90 )
Durante el bloqueo tendremos igual que antes:
i = I CM (1
t ) t t off fI oVS t off 1 r P = P(t )dt = t T0 6 v s = VS t off
( 91 )
9.7.3 Prdidas en la unin puerta-ctodo.

Una porcin de la potencia de puerta es disipada en la unin puerta-ctodo o en el caso del MOSFET o IGBT en la resistencia interna de puerta. En la mayora de los casos esta prdida es muy pequea en comparacin con las restantes, por lo que puede ser ignorada. Una excepcin cabe en el caso de los transistores de potencia cuando conducen corrientes elevadas, donde la ganancia directa es relativamente pequea. La elevada corriente de base asociada con la tensin base-emisor en saturacin lleva a ste a una situacin en la que sea una tensin mayor que la colector-emisor en saturacin, por lo tanto habr que calcular:
Pg = ib v besat (W )
( 92 )
9.8
reas de trabajo seguro en el MOSFET.
El rea de funcionamiento seguro de un MOSFET de potencia se muestra en la Fig.13.6. Hay tres factores que determinan la SOA del MOSFET: la corriente de drenador mxima IDmax, la temperatura interna de la unin Tj, que se regula mediante la disipacin de potencia en el dispositivo, y la tensin de ruptura BVDSS. Estos factores de limitacin ya se han estudiado en el apartado anterior y son anlogos a los del BJT de modo que no es necesaria una mayor profundizacin en ellos. El MOSFET no tiene limitaciones de la segunda ruptura como el BJT y, por tanto, no se muestra en el rea de funcionamiento seguro. Para aplicaciones en modo de conmutacin, la SOA del MOSFET es cuadrada, como se indica en la figura. No hay distincin entre la polarizacin directa y la inversa de las reas de funcionamiento seguro para el MOSFET; son idnticas.
Figura 9-34. reas de funcionamiento seguro.
9.9
El IGBT.
En trminos generales el IGBT es un compendio del MOSFET, el transistor bipolar y el GTO. El dispositivo, cuyo smbolo se ve en la figura, tambin es conocido como MOSIGT,
COMFET GEMFET, pero su nombre original fue IGT ("Insulated Gate Transistor"). El IGBT presenta en la actualidad marcadas ventajas frente al transistor bipolar y el MOSFET en convertidores de frecuencias (hasta los 50 KHz.) y potencias medias ( entre el kilovatio y los cientos de kilovatios). Si la tensin puerta-emisor es positiva (G-E), entre +10 y +15 V, el dispositivo entra en conduccin; mientras que si esta tensin es nula, el disposivo no conduce, provocando una cada de tensin significativa, que para convertidores alimentados en tensin es inadmisible, siendo necesario conectar un diodo en antiparalelo con el dispositivo. El tiempo de puesta en conduccin del dispositivo es similar, aunque algo ms lento, al del MOSFET, pero el tiempo de bloqueo es complejo y marcadamente superior al resto de los dispositivos. La impedancia de la puerta del IGBT presenta valores tan elevados como en un MOSFET, por lo que se requiere muy poca tensin para ponerlos en conduccin. Como el transistor bipolar, el IGBT presenta una cada de tensin pequea en conduccin incluso cuando se trabaja con tensiones altas. Al igual que los GTO los IGBT pueden soportar tensiones de bloqueo inverso altas. Un convertidor con IGBT puede utilizar un control de puerta en circuito integrados, donde las seales de lgicas de entradan suelen ser controladas con disparadores de Schmitt. Las aplicaciones del IGBT son recientes y entre ellas destacan: control de motores de CC y CA, fuentes de alimentacin y controladores para solenoides, rels y contactores. Se espera que en el futuro el IGBT supere y reemplaze al transitor bipolar en todos los campos de potencia. Los mdulos actuales llegan hasta los 1700 V. y 1200 A.
Figura 9-35. Estructura del IGBT
9.9.1 Estructura bsica del IGBT.

La seccin vertical de un IGBT de canal n se muestra en las figuras anteriores. Esta estructura es similar a la del MOSFETs difundido verticalmente (VDMOSFET), con la excepcin de que un sustrato. p+ altamente dopado sustituye al drenador n- del VDMOSFET convencional. De esta manera se forma una unin pn, llamada J1 en la Figura anterior, que inyecta portadores minoritarios, huecos en este caso, en la zona n- (regin de deriva) que aparecera como drenador del supuesto MOSFET. Se puede decir que el IGBT funciona como un MOSFET cuya zona de deriva del drenador fuera modulada en conductividad mediante la inyeccin de portadores minoritarios. Tambin es posible hacer un IGBT de canal p cambiando el tipo de dopado en cada capa del dispositivo. La regin de deplexin de la unin J2 se extiende principalmente en la regin de deriva n-, ya que la regin de cuerpo tipo p se dopa mucho ms fuertemente que la regin de deriva. Si el espesor de la regin de deriva es lo suficientemente grande como para alojar la capa de deplexin de modo que el lmite de esta capa no toque la capa de inyeccin p+, no es necesaria la capa amortigadora n+ mostrada en la figura anterior. Este tipo de IGBT se llama a veces simtrico y puede bloquear en inversa tensiones tan grandes en magnitud como las tensiones directas que se disean para bloquear. Sin embargo, es posible reducir el espesor necesario de la regin de deriva a un factor aproximadamente de 2 si se usa una estructura asimtrica similar al diodo de potencia. En esta geometra, la capa de deplexin se puede extender en todas las direcciones a travs de la regin de deriva con tensiones significativamente por debajo del lmite de la tensin de ruptura deseada. El contacto de la capa de deplexin a la capa p+ se evita insertando una capa amortiguadora n+ entre la regin de deriva y la regin p+ como se muestra en la figura. Este tipo de estructura del IGBT se denomina a veces IGBT asimtrico. La longitud de la regin de deriva ms corta, significa prdidas ms bajas en conduccin pero la presencia de esta capa amortiguadora trae como consecuencia que la capacidad de bloqueo inverso de esta geometra asimtrica sea bastante baja (unas pocas decenas de voltio) y, por consiguiente, no existe hasta que interese en los circuitos de aplicacin.
El IGBT est diseado para tener la alta impedancia de entrada de puerta del MOSFET de potencia. Esto permite controlar tanto el tiempo de encendido como el de bloqueo. Se han diseado dispositivos con tiempos de apagado (turn-off) entre los 0.2 y los 20 s. La disminucin del tiempo de apagado exige el sacrificio de disminuir la densidad de corriente.
9.9.2 Funcionamiento fsico del IGBT.

En el bloqueo, la inyeccin de portadores reduce la resistencia de la zona de deriva y por tanto su cada de tensin en estado de conduccin, aumentando significativamente la densidad de corriente de portadores sobre los MOSFET de potencia o los transistores bipolares. Para una cada directa de 2 V, la densidad de corriente es cinco veces mayor que la del BJT y veinte veces superior a la del MOSFET. Puesto que el IGBT es bsicamente un MOSFET, la tensin puerta-fuente controla el estado del dispositivo. Cuando vGS es menor que VGS(th), no hay inversin en la capa creada al conectar el drenador a la fuente y, por tanto, el dispositivo est en el estado de bloqueo. La tensin drenadorfuente aplicada cae a travs de la unin denominada J2 y slo fluye una muy pequea corriente de fuga. Este funcionamiento en bloqueo es prcticamente idntico al del MOSFET. Cuando se aplica una tensin negativa al drenador con respecto a la fuente, la unin J1 se polarizar inversamente estando el dispositivo bloqueado. Cuando se aplica una tensin positiva al drenador respecto a la fuente, la unin J1 estar directamente polarizada, pasando a soportar la tensin inversa fuente-drenador la unin J2 circulando una ligera corriente. Si en estos trminos vGS es menor que VGS(th)no hay zona de inversin que conecte el drenador y la fuente, por lo que el dispositivo seguir bloqueado. Debido al intenso dopado de la zona P central, la zona de deplexin de la unin J2 se extiende a la zona n- de deriva.
Figura 9-36. Seccin vertical del IGBT mostrando las corrientes. Para la conduccin, cuando la tensin puerta-fuente excede a la de umbral, se forma una inversin de capa debajo de la puerta del IGBT. Esta inversin de capa une la regin de deriva n- a la regin de fuente n+ como en el MOSFET, A travs de esta inversin de capa fluye una corriente de electrones como se ve en las figuras anteriores que vuelve a producir una inyeccin de huecos importante de la capa del contacto de drenador p+ a la regin de deriva n-, como se indica tambin en estas figuras, y se extiende al cuerpo central tipo p que rodea la regin de fuente n+. Tan pronto como los huecos estn en el cuerpo central tipo p, su carga espacial atrae a los electrones de la fuente que estn en contacto con el cuerpo central recombinndose rpidamente los huecos en exceso. La unin formada por el cuerpo central tipo p y la zona n- de deriva acta como el colector de un transistor pnp. Este transistor, dibujado en la figura anterior, estar formado por la zona p de drenador como emisor, la zona n- de deriva como base y la zona p+ del cuerpo central como colector. De este modo, se podr establecer el IGBT como el modelo equivalente de la figura en el que se encuentra un transistor principal conducido por el MOSFET.
Figura 9-37. Circuito equivalente del IGBT
9.9.3 Curvas caractersticas del IGBT.

La caracterstica i-v de un IGBT de canal n se muestra en la figura siguiente. En directa son similares a las de un transistor de unin bipolar bsico excepto que el parmetro que se controla es una tensin de salida, la tensin puerta-fuente, en vez de una corriente de salida. Las caractersticas de un IGBT de canal p seran lo mismo pero las polaridades de las tensiones y corrientes estaran invertidas.
Figura 9-38. Caractersticas estticas del IGBT. La unin denominada J2 bloquea cualquier tensin directa cuando el IGBT est bloqueado. La tensin inversa de bloqueo indicada en la caracterstica i-v se puede hacer tan grande como la tensin directa de bloqueo si el dispositivo se fabrica sin la capa amortiguadora n+. Esta capacidad de bloqueo inverso es til en algunos tipos de aplicaciones. La unin denominada J1 es la unin de bloqueo inverso. Sin embargo, si la capa amortiguadora n+ se usa en la construccin del dispositivo, la tensin de ruptura de esta unin se reduce significativamente a unas pocas decenas de voltio debido al fuerte dopado que presentan ahora las caras de esta unin y el IGBT no tiene ninguna capacidad de bloqueo inverso. La curva de transferencia iD - vGS mostrada en la figura anterior es idntica a la del MOSFET de potencia. La curva es prcticamente lineal para la corriente de drenador donde la tensin puertafuente se aproxima a la umbral. Si vGS es menor que la tensin umbral VGS(th), el IGBT est en el estado de bloqueo. La tensin mxima que se aplicara a los terminales puerta-fuente estar normalmente limitada por la corriente de drenador mxima que se permite que fluya en el IGBT.
9.9.4 Tiristor parsito en el IGBT.

Como se ve en la estructura del IGBT los transistores NPN y PNP un tiristor parsito. El encendido de este tiristor es indeseable y, para evitar su activacin, se han estudiado diversas estructuras, basadas principalmente en la modificacin de la zona central p que forma las uniones J2 y J3 de manera que la resistencia base emisor del NPN, conocida como resistencia lateral, sea lo menor posible. En esta linea, como en el MOSFET de potencia, se conserva la extensin de la metalizacin de la fuente sobre la regin central p. La unin cuerpo-fuente en el IGBT ayuda a minimizar el posible encendido del tiristor parsito, como se explicar ms adelante. No obstante desde el punto de vista del diseador para un IGBT con una geometra especfica, hay un valor crtico de la corriente de deriva que producir una cada de tensin lateral lo suficientemente grande como para activar el tiristor. Por tanto, los fabricantes de dispositivos especifican el pico permisible de la corriente de Colector ICM que
puede fluir sin que se produzca la falta de control. Tambin hay una tensin puerta-fuente que permite que este flujo de corriente no se exceda.
9.9.5 Corriente de cola en el IGBT.

Como la seccin de MOSFET est bloqueada y no hay tensin inversa aplicada en los terminales del IGBT, la cual podra originar una corriente de drenador negativa, no hay posibilidad de traslado de la carga almacenada. La nica forma de que estos portadores en exceso se puedan trasladar, por lo menos en un IGBT sin la capa amortiguadora n+ mostrada en la geometra del IGBT, es por recombinacin dentro de la regin de deriva n-. Como es deseable que la vida media de los portadores en exceso en esta regin sea grande para que la cada de tensin en el estado de conduccin sea baja, la duracin del intervalo de apagado ser largo. Sin embargo, un largo intervalo es indeseable porque la disipacin de energa en este intervalo ser ms grande ya que la tensin de drenador-fuente est en su valor en estado de bloqueo. Este tiempo aumenta con la temperatura, como el tiempo de cola en un BJT de potencia. As, se debe establecer una relacin entre las prdidas en el estado de conduccin y los tiempos de apagado ms rpidos en el IGBT, lo cual es bastante similar a las hechas con dispositivos de portadores minoritarios como los BJTs, los tiristores, los diodos. Con frecuencia, se utiliza la irradiacin de electrones del IGBT para que la vida media en la regin de deriva tenga el valor deseado. El traslado de la carga almacenada desde la regin de deriva por difusin de huecos a la capa p+ puede reducir significativamente el intervalo de bloqueo si el flujo de difusin de huecos se puede hacer grande. En la estructura de un IGBT sin la capa amortiguadora n+, tal difusin no puede producirse ya que el gradiente de la distribucin de huecos est en la direccin equivocada, es decir, la densidad de huecos en el lado p+ es mayor que la densidad de huecos en exceso en la regin de deriva. De ah que, los huecos en exceso se quedan en la regin de deriva. Sin embargo, la presencia de una capa amortiguadora n+ diseada convenientemente, modifica notablemente esta situacin. Esta capa tiene una vida media de portadores mucho menor y, de este modo acta como sumidero para los huecos en exceso. La mayor proporcin de recombinacin de huecos en la capa amortiguadora eleva el gradiente de la densidad de huecos en la regin de deriva durante el apagado el cual produce un gran flujo de difusin de huecos hacia la capa amortiguadora. Esta eleva enormemente la proporcin de huecos trasladados desde la regin de deriva y, por tanto, se reduce el intervalo de bloqueo. Los IGBTs estn disponibles comercialmente con tensiones de bloqueo de 1000 V y capacidades de corriente en estado de conduccin de 200 A con tiempos de apagado de 1 s o menos. Se han presentado dispositivos prototipo con tiempos de apagado similares pero con tensiones de bloqueo y corrientes en estado de conduccin mayores (1800 - 2000 V). Se observar que este mtodo para reducir el tiempo de apagado no necesita la reduccin de la vida media del portador en la regin de deriva, por lo que no hay un aumento significativo en las prdidas por conduccin en el estado de conduccin.
9.9.6 reas de trabajo seguro del IGBT.

Las reas de funcionamiento seguro o SOAs, son un mtodo muy conveniente y compacto para resumir los valores mximos de corriente y tensin que el transistor no sobrepasara en ningn caso. Se usan dos reas de funcionamiento seguras distintas en las hojas de caractersticas: rea de trabajo segura en directa FBSOA Se activan varios mecanismos fsicos diferentes al determinar los lmites de este rea. La corriente es la mxima corriente de drenador y est relacionada con la corriente que pueden soportar las metalizaciones de la oblea. La temperatura interna de la unin TJ, que se regula mediante la mxima potencia disipada permitida en el dispositivo. El lmite impuesto por la segunda ruptura que solo se presenta en dispositivos de portadores minoritarios como el BJT. La parte final del lmite del FBSOA es el lmite de la tensin de ruptura. La expansin del SOA se da para el funcionamiento en el modo de conmutacin ya que la oblea de silicio y su empaquetamiento tiene una capacidad trmica y, por tanto, una habilidad para absorber una cantidad finita de energa sin que la temperatura de la unin se eleve a niveles excesivos. Si el transistor se enciende en unos pocos microsegundos o menos, la cantidad de energa que se absorbe es demasiado pequea para causar cualquier aumento apreciable en la
temperatura de la unin y, como resultado, la FBSOA es prcticamente cuadrada, estando limitada slo por I D y V DS .
Figura 9-39. Areas de trabajo seguro: directa e inversa. De forma similar, se construye el rea de funcionamiento seguro en inversa RBSOA. Esta comprende la mxima corriente (despus del bloqueo) Este rea es algo diferente a la FBSOA, como se ilustra en la Fig.7.b. La esquina superior derecha de la RBSOA se corta progresivamente y la RBSOA se hace ms pequea cuando el valor del cambio de la tensin de drenador a fuente dvDS/dt reaplicada se hace ms grande. La razn de esta restriccin en la RBSOA como funcin de la dvDS/dt reaplicada es para evitar la falta de control en el IGBT.
Captulo 10
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
El Amplificador Operacional es un amplificador con realimentacin que se encuentra en el mercado como una pastilla de circuito integrado. Es difcil enumerar la totalidad de las aplicaciones de este circuito. De modo general, podemos decir que sus aplicaciones estn presentes en los sistemas electrnicos de control industrial, en instrumentacin nuclear, en instrumentacin mdica, en los equipos de telecomunicaciones y de audio, etc. El que utilizaremos normalmente ser el LM741.
10.1 Generalidades
La figura siguiente muestra las funciones de cada una de las patillas del A. O. integrado, indicar que la alimentacin se har a 15V como valor normal pudindose alimentar entre 3V y 22V.
Figura 10-1. LM741. Simbologa de un Operacional.

En la siguiente figura se presenta el circuito equivalente de un amplificador operacional, con ella se pueden ver las caractersticas ms importantes de los amplificadores operacionales:
Figura 10-2. Circuito equivalente de un A.O.

La ganancia en tensin que en cualquier circuito se define como la relacin entre las tensiones de salida y entrada se puede considerar Av=Vs/Ve-.
El ancho de banda tambin se puede considerar como infinito. Aunque en la realidad en lazo abierto la ganancia cae con una pendiente de 20db/dcada y para cada frecuencia existe un valor mximo de Vs (Slewrate). La impedancia de entrada Re por lo que no acta como carga (no consume corriente) y V1-V2=Ve. La impedancia de salida es Rs0 por lo que la tensin Vs es independiente de la existencia de carga y Vs=AvVe. Puede trabajar en un amplio margen de temperaturas.
10.2 Circuitos bsicos con A. Operacionales.

A continuacin se vern las configuraciones ms empleadas con los Amplificadores Operacionales.
10.2.1 Configuracin en lazo abierto.

Tambin es conocida como sin realimentacin. En ella la ganancia viene determinada por el propio fabricante y sobre ella no se tiene ningn control. Esta configuracin se utiliza para circuitos comparadores.
Figura 10-3. Montaje en lazo abierto.
10.2.2 Configuracin con realimentacin positiva.

Este tipo de configuracin se denomina en bucle cerrado y tiene el inconveniente de desestabilizar el circuito. Una aplicacin prctica de la realimentacin positiva se da en los circuitos osciladores, que se vern ms adelante.
Figura 10-4. Montaje con realimentacin positiva.
10.2.3 Configuracin con realimentacin negativa

Es la configuracin en bucle cerrado ms importante en circuitos con operacionales, y sus aplicaciones ms comunes pueden ser: amplificador no inversor, amplificador inversor, sumador amplificador diferencial, diferenciador, integrador, filtros activos, etc.
Captulo 10. Amplificadores Operacionales. 3
Figura 10-5. Montaje con realimentacin negativa.

Las corrientes de polarizacin son del orden de nA, por lo que se pueden considerar nulas y podremos escribir I1+I2=0. Aplicando Kirchhoff tenemos:
V1 Va AvVe Va + =0 R1 Rs + R2
( 10-1)
Sustituyendo Ve = Vb-Va en la ecuacin anterior obtendremos:
V1 (Rs + R2 ) Va (Rs + R2 ) + AvVb R1 AvVa R1 Va R1 =0 R1 (Rs + R2 ) V (A R + Rs + R1 + R2 ) V1 (Rs + R2 ) Vb = a v 1 Av R1 lim(Vb ) A
( 10-2)
Tomando el lmite de Vb para Av tendiendo a infinito

v
= Va
Ve = 0
( 10-3)
Hemos llegado a la conclusin de que existe un cortocircuito virtual entre las entradas inversora y no inversora en el montaje con realimentacin negativa, es decir, que en dicho montaje las dos entradas se encuentran a la misma tensin. Dentro de esta configuracin podemos distinguir las siguientes.
10.2.4 Configuracin inversora

En este montaje R3 es igual al paralelo de R1 y R2. La ganancia de este amplificador es:
Ve V2 Vs V2 + = 0; R1 R2 V2 = 0; Av = Vs R = 2 Ve R1
( 10-4)
( 10-5)
As, si introducimos una seal senoidal de amplitud B por la patilla inversora y medimos la seal de salida, veremos que esta es tambin senoidal de amplitud BR2/R1 y desfasada 1800 con la de entrada.
Figura 10-6. Montaje inversor.
10.2.5 Configuracin no inversora:

Al igual que en el anterior R3 es igual al paralelo de R1 y R2. Para el anlisis debemos de tener en cuenta que en el circuito de entrada inversora lo que existe es un circuito serie de dos resistencias alimentadas a la tensin Vs, ya que no se desva ninguna corriente por el operacional:
Figura 10-7. Montaje no inversor.
I=
Vs R1 + R2
( 10-6)
Por otro lado sabemos que la tensin en la entrada inversora es Ve ya que por la no inversora no existe corriente y por tanto en R3 no hay c.d.t., luego:
Ve = IR1
La ganancia del montaje ser:
( 10-7)
Ve =
Vs R R1 + R2 1
Av =
Vs R1 + R2 R2 = = 1 + Ve R1 R1
( 10-8)
10.2.6 Seguidor de tensin.

si para la configuracin anterior hacemos R1= y R2=0 obtenemos el seguidor de tensin o Buffer. Este circuito presenta las caractersticas de impedancia de entrada y salida ms prximas a las ideales
Figura 10-8. Buffer o seguidor de tensin.

En algunos casos, el seguidor de tensin recibe la seal a travs de una resistencia en serie, con el terminal no inversor. Entonces, con el fin de equilibrar la ganancia y las corrientes, se coloca otra resistencia del mismo valor en el circuito de realimentacin. Esto no es necesario cuando la tensin de entrada es relativamente alta. Este montaje se utiliza como adaptador de impedancias, como por ejemplo entre un generador de seal y un amplificador de baja impedancia de entrada.
10.2.7 El amplificador sumador inversor.

Partiendo de los montajes con realimentacin negativa se obtiene el montaje sumador:
Figura 10-9. Sumador inversor.

Para este montaje Re=Rs//R1//R2//R3. Aplicando las leyes de Kirchhoff en el punto a
V1 V2 V3 Vs + + + =0 R1 R2 R3 Rs
es decir
( 10-9)
V1 V2 V3 V s = Rs + + R1 R2 R3
Podemos considerar los siguientes casos particulares: a) Si R1=R2=R3=Rs obtendramos el sumador inversor
( 10-10)
Vs = (V1 + V2 + V3 ) V1 + V2 + V3 Vs = 3 10.2.8 El amplificador sumador no inversor.
( 10-11))
b) Si R1=R2=R3=3Rs podramos obtener un circuito que proporciona la media aritmtica negativa
( 10-12)
V0
V 1 R 1 V 2 R 2
. . . .
V N R N
Figura 10-10. Sumador no inversor.
V0 =
R + R V R
La tensin V la obtenemos por superposicin de las tensiones parciales. Supongamos que V2 a V N son cero, por lo tanto la situacin quedar:
R
V1
V0
V 1
R 1
R 2
. . . .
R N
Figura 10-11. Sumador no inversor. La tensin V1 debida a V1 ser:
V1 =
V1 R p1 R1 + R p1
siendo R p1 el paralelo de todas las resistencias ahora a tierra. Si todas las resistencias son iguales:
p1
R1` = N 1 V R
1 p1
V1 =
R1 + R p1
R1` V1 R1` V1 1 N = = ` = R1` R1 ( N 1) + R1` N R1 + N 1 V1
Procediendo lo mismo para las otras:
1 (V1 + V2 + .... + V N ) N R + R R + R 1 (V1 + V2 + .... + V N ) V0 = V= R R N V=

Si R1=R2=R3 y Rs=0, aplicando las leyes de Kirchhoff en el punto b de la figura siguiente y despejando de la ecuacin Vb obtendramos un circuito que proporciona la media aritmtica
Figura 10-12. Sumador no inversor.
V1 Vb V2 Vb V3 Vb + + =0 R1 R2 R3 V + V2 + V3 Vs = 1 3 10.2.9 Amplificador sustractor.
( 10-13)
( 10-14)
Este circuito permite obtener en la salida una tensin igual a la diferencia de las seales aplicadas multiplicada por una ganancia.
Figura 10-13. Montaje sustractor o diferencial.

Aplicando al igual que antes las leyes de Kirchhoff en el punto a y b:
V1 Va Vs Va + =0 R1 R2 V2 Vb Vb R3 = 0 Vb = R4 R3 R3 + R4
( 10-15)
( 10-16)
En este circuito como ya se expuso anteriormente las tensiones Va y Vb son iguales, luego podemos sustituir Vb en la anterior
R3 R3 V2 Vs V V1 R3 + R4 R3 + R4 2 + =0 R1 R2
( 10-17)
Si en esta ecuacin hacemos R1=R4 y R2=R3 la tensin de salida tendr la expresin.
Vs = 10.2.10
R2 (V V1 ) R1 2
( 10-18)
Convertidor corriente tensin.
El circuito permite obtener una tensin que es proporcional a una corriente, presentando una impedancia de entrada nula (es decir, no perturba el camino de la corriente).
R
V0
i
+
Obsrvese que se cumple V0=-iR El cortocircuito virtual hace que la caida de tensin entre los terminales de entrada sea nula como otras veces. Por tanto, la impedancia de entrada vista desde el terminal de entrada es nula.
10.2.11
Convertidor tensin corriente.
La corriente en la carga ZL es i=V1/R independientemente del valor de ZL.
A ZL
-
V1
i
El circuito se comporta, por tanto, como una fuente de corriente constante entre los terminales A y B. El convertidor tensin corriente puede tambin construirse con un A.O. no inversor. El circuito sera:
R i
ZL
Una vez ms, debido a la tierra virtual la corriente i es independiente de la carga ZL. La impedancia de entrada es muy alta debido a la configuracin no inversora.
10.2.12
Amplificador de C. Alterna
10.2.13
Integrador
Este circuito, utilizado generalmente como regulador, realiza una integracin de la tensin de entrada. Si analizamos el circuito llegamos a la expresin donde v es la tensin inicial en el condensador. V0 = Idt V Q 1 Vi = i t + v = = C C RC RC
( 10-19)
Fig.1.11 Regulador I
Si nos trasladamos al campo frecuencial, la funcin de transferencia de este circuito es la expresada en 1.5, su mdulo se exprea en 1.6. Esta ltima se representa en la Fig.1.13. donde f1 corresponde a la frecuencia en que la ganancia es de 0db. La frecuencia f2 corresponde a la frecuencia en que el regulador se encuentra saturado y su ganancia vale 20log(15).
G( s) =
V0 ( s ) 1 = Vi ( s ) RCs 1 G( s) = wRC
( 10-20) ( 10-21)
10.2.14
Regulador Proporcional-Integral.
Como su nombre indica este regulador se comporta inicialmente como un escaln, y superpuesto a el una componente integral como en el caso anterior. Seguidamente en Fig.1.14 se muestra su esquema elctrico:
,
Fig.1.14 Regulador PI
Si se realiza un estudio detallado del circuito, su respuesta a una entrada escaln viene dada por la expresin 1.7 y es representada en Fig.1.15
t R' V0 = + Vi R RC
( 10-22)
G( s) =
1 + Tn s V0 ( s ) 1 + R ' Cs = = Vi ( s ) Ti s RCs
2 2
( 10-23)
R' 1 G( s) = + R RCw
( 10-24)
La frecuencia f0 es la frecuencia de corte, en la que la ganancia es 3db superior a la ganancia constante 20logR/R. El valor de dicha frecuencia de corte es:
f0 = 10.2.15 Derivador
1 1 = 2Ti 2RC
( 10-25)
Un circuito derivador sera el representado en figura siguiente. A continuacin se representan sus respuestas temporal y frecuencial.
Fig1.17 Regulador D
Las expresiones que definen estos comportamientos se indican a continuacin:
V0 = RC
dVi dt
( 10-26)
G( s ) = RCs G( s ) = RCw
El derivador prctico es el del esquema siguiente:
( 10-27)
La funcin de transferencia del circuito es:
G ( s) =
R2 C1 s ( R2 C2 s + 1) * ( R1C1s + 1) R2 C1 w R C w + 1 * R12 C12 w 2 + 1

2 2 2 2 2
( 10-28)
G( s ) =
( 10-29)
Los valores aconsejables para el mejor funcionamiento son: R2C1 > R1C1 > R2C2. La respuesta en frecuencia de este circuito viene dada por Fig.1.21 donde las pusaciones que determinan los extremos de funcionamiento son (w=2f):
w1 =
1 , R2 C1
w2 =
1 , R1 C1
w3 =
1 , R2 C2
w4 =
1 R1 C2
( 10-30)
La ganancia en amplificador ser 20logR2/R1.
10.2.16
Regulador Proporcional-Derivador.
El funcionamiento de este regulador se muestra en las siguientes figuras y ecuaciones:
Fig.1.22: Regulador PD.
R' dVi V0 = Vi + R ' C R dt R' G( s ) = + R ' Cs R R' 2 G( s ) = + ( R ' Cw ) R

2
( 10-31)
( 10-32)
f0 = 10.2.17
1 2R ' C
( 10-33)
Regulador Proporcional-Integral-Derivador.
Las ecuaciones de este regulador son:
t Tn + Tv t RC + R ' C2 RC1R ' C2 dVi Tn Tv dVi V0 = + 1 Vi + Vi + = + ( 10-34) RC2 dt Ti Ti dt RC2 RC2 Ti G(s) =
( R' C2 s + 1)( RC1s + 1)

RC2 s 1 1 + T1 w T2 w
T2 = RC1 + R ' C2
2
( 10-35)
G(s) = G0 RR ' C1C2 RC1 + R ' C2
( 10-36)
T1 =
G0 =
R ' C1 + R C2
( 10-37)
Fig.1.25: Regulador PID.
10.2.18
Resolucin de ecuaciones diferenciales con A. Operacionales.
Como ejemplo vamos a resolver alguna ecuacion diferencial utilizando los circuitos vistos. Deseamos disear un circuito capaz de resolver la ecuacin diferencial
d2y dy m 2 +C + ky = f (t ) dt dt
dividiendo por m la escribimos en la forma
( 10-38)
d2y 1 C dy k = f (t ) y 2 m m dt m dt
( 10-39)
El circuito que resuelve el problema y que pasamos a analizar es el siguiente:
A
2
R
dy (t) /d t 2
A1
+
C
A2 R
A4
1/m 1/C
-
A3
f(t)
Supongamos que en el punto A se introduce una tensin V A que vara con el tiempo en la forma:
VA =
d2y dt 2
( 10-40)
El integrador A1 integra V A y obtiene a la salida:
1 1 dy (t ) V A dt = RC RC dt
( 10-41)
Si hacemos que su constante RC valga 1 quedar a la salida
VB =
dy (t ) dt
( 10-42)
a la salida de A2 se obtiene la integral de V B con RC tambin igual a 1, luego,
VC = y (t ) A3 es un sumador donde se suma la seal VB que es la primera derivada dy (t ) dt

con la
seal externa f(t). Si se toman para las resistencias los valores indicados la seal de salida V D de A3 es:
VD =
1 C dy f (t ) + m m dt
( 10-43)
y en A4 se suman VC y V E de modo que tenemos:
VE =
1 C dy k f (t ) y m m dt m
( 10-44)
Vemos que esta tensin es el segundo miembro de la ecuacin diferencial, es decir:
VE =
d2y dt 2
( 10-45)
Los puntos E y A deben unirse para resolver el problema. La seal f(t) es una seal de excitacin segn se quiera (sinusoide, escaln, etc). Las condiciones iniciales se fijan mediante las bateras que aparecen en los integradores.
10.3 Circuitos no lineales con A. Operacionales. 10.3.1 Amplificador logartmico. i D = I S (eVD / VT 1) I S eVD / VT VD = VT (ln i D ln I S ) VT 26mV
Vd Id D Vi R Vo
( 10-46)
V0 = VD = VT (ln i D ln I S ) = VT (ln
Vi ln I S ) R
( 10-47)
10.3.2 Amplificador exponencial.

R
Vi
Vd Vo
Id
Vd
vi = v D iD = I S e
vi VT vi
( 10-48)
VT
v0 = RI S e 10.3.3 Amplificador multiplicador.
R1
V1
SUMADOR NO IN VERSOR gananci a 1
R3
-
+
A. ANTILOGARITMICO
R2
+ A. LOGARITMOS
v0 = v1 v 2 ln(v1 v 2 ) = ln v1 + ln v 2 10.3.4 Rectificador de precisin.
( 10-49)
Un diodo rectificador comn no consigue rectificar seales de niveles muy bajos ya que no conduce cuando est polarizado con tensiones inferiores a su tensin umbral. Sin embargo, en ocasiones, se necesita rectificar seales de decenas de milivoltios o menos, por ejemplo cuando stas provienen de sensores o transductores utilizados en instrumentacin industrial o bioelectrnica. Estudiaremos a continuacin los rectificadores de precisin de media onda y onda completa. En la figura siguiente se encuentra el rectificador de onda completa.
Fig.4.2: Rectificador onda completa de precisin.
El circuito anterior consta, en realidad, de un rectificador de media onda al que se le asocia un sumador. Pasemos a analizar el circuito considerando al A.O. ideal.
Fig.4.3: Seales en un rectificador de onda completa.
Cuando Ve<0 en el nodo de D1 tenemos +Ve y en el ctodo (debido a la tierra virtual) tenemos una tensin nula. En esta situacin D2 est bloqueado y V0=0. Cuando Ve>0 sucede todo lo contrario, D1 est bloqueado al tener entre nodo y ctodo una tensin prcticamente igual a -Ve; luego V0=-Ve. El segundo operacional esta en montaje sumador para dos seales: una de ellas es la tensin de entrada a rectificar y la otra seal es V0. Se puede comprobar que por la red de resistencias utilizadas que la tensin V0 est siendo amplificada al doble. En la Fig.4.3 se puede comprobar que Vs=(Ve+2V0) =-(Ve-2Ve)=Ve.
10.3.5 Comparadores
A veces se necesita comparar dos magnitudes, o sea, dos tensiones, para obtener dos estados perfectamente definidos, que nos determinen si la seal a comparar es mayor o menor que la tensin o seal llamada de referencia. Como muestra podemos pensar en la siguiente aplicacin prctica: por medio de sensores de nivel podemos detectar el estado de un recipiente de combustible lquido. Tomamos como referencia el nivel normal y ajustamos una seal de tensin correspondiente al mismo. Cuando el nivel est por encima (o por debajo) de lo normal (referencia), el comparador deber dar una seal de salida al sistema controlador, de forma que se
restablezca de inmediato el nivel normal. Evidentemente, la seal de referencia se conecta a una de las entradas del comparador recibiendo la otra la seal de la variable controlada (en este caso, el nivel del recipiente). Al igual que en otros montajes descritos tendremos comparadores inversores y no inversores, en las figuras se muestra sencillos comparadores llamados detectores de paso por cero. El funcionamiento de este comparador es bastante sencillo: la ganancia del A.O. ser la mxima al estar en lazo abierto, luego en el caso de existir una diferencia de potencial entre las entradas la salida del comparador pasar al estado de saturacin independientemente de que la citada diferencia sea pequea. + V sat , Vs = V sat , cuando cuando Ve > 0 Ve < 0
( 10-50)
Figura 10-14. Comparador no inversor .
Figura 10-15. Comparador inversor. + V sat , Vs = V sat , cuando V e < 0 cuando V e > 0 ( 10-51)
En los dos tipos de comparadores estudiados la seal de referencia era nula por estar conectada a masa; ahora mostraremos un circuito en el que podemos variar la tensin de referencia. Se observar que en este caso la conmutacin de estados de saturacin tiene lugar cuando el nivel de la seal que se quiere comparar alcanza el valor de referencia.
Figura 10-16. Comparador con tensin de referencia variable.

+ V sat , Vs = V sat , cuando cuando V e < V ref V e > V ref
( 10-52)
En este montaje no existe una relacin obligada entre las resistencias R1 y R2, si bien es aconsejable que sean de igual valor para la compensacin de las corrientes de polarizacin. Por la misma razn, se ha de procurar que la resistencia del potencimetro sea mucho menor que R2, al menos diez veces menor, ya que de lo contrario influira excesivamente en la resistencia equivalente apoyada en la patilla no inversora. A la hora de proyectar un comparador suele ser habitual la utilizacin de dos diodos en antiparalelo, colocados entre los terminales de entrada, para proteger contra posibles sobretensiones o sobrecorrientes que puedan daar el integrado.
Tambin se suele conectar a la salida una red formada por una resistencia y dos diodos zener en serie con el nodo o el ctodo comn, esta disposicin nos permitir ajustar la tensin de salida al valor que deseemos (de lo contrario Vs=Vsat). Si se eligen los diodos zener de distintos valores las amplitudes positiva y negativa de salida sern diferentes. La diferencia entre la tensin de los zener y la de saturacin del comparador ser absorbida en la resistencia de salida R2.
Figura 10-17.Montaje con proteccin y limitacin de salida.
10.3.6 Comparador realimentado, regenerativo o de Schmitt.

Uno de los problemas que presentan los comparadores en lazo abierto es que los cambios de su salida se producen ante cualquier variacin (por pequea que sea) en la entrada. Si los cambios en la entrada son debidos a una seal de ruido superpuesta a la entrada, la salida nos puede una informacin falsa sobre los citados cambios. Con los comparadores realimentados conseguimos fijar un intervalo de valores entre los cuales no se consideran los cambios habidos a la entrada, a este fenmeno se le denomina histresis. A continuacin se muestran los resultados de los comparadores sin y con realimentacin.
a)
b)
c)
Figura 10-18. a) Seal de entrada, b) salida comparador sin realimentacin, c) salida comparador con realimentacin.
Para la construccin de un comparador regenerativo se deben establecer dos niveles de referencia, denominados tensin de disparo superior (VDS) e inferior (VDI), separados por una cierta banda de tensin que
depender del valor de pico estimado para la seal de ruido. La diferencia entre estos dos niveles se denomina margen de tensin de histresis (VH). Las conmutaciones de salida se producen cuando la seal a comparar alcanza los citados niveles de disparo. En primer lugar analizaremos el comparador inversor regenerativo, representado en la figura siguiente.
Figura 10-19. Comparador de Schmitt inversor con referencia ajustable. Curva de histresis.
Si los diodos zener son del mismo valor, la tensin de salida ser igual a la tensin zener de uno de ellos ms la tensin directa del otro: Vs=(Vz+Vd). En el caso de que Ve<Vb la salida ser +Vs, por tanto la tensin Vb ser igual:
Vb = VR +
R2 (V VR ) VDS R1 + R2 s
( 10-53)
Expresin que nos da el valor de la tensin de disparo superior. Si ahora aumenta Ve, la salida se mantendr constante en +VS hasta que Ve=VDS. Cuando se cumpla esta ltima igualdad la salida cambiar a -Vs, permaneciendo en este valor mientras Ve>VDS. La tensin en el terminal no inversor ser ahora:
Vb = VR
R2 (V + VR ) VDI R1 + R2 s
( 10-54)
En la figura anterior se muestra la caracterstica de histresis de este montaje para el caso particular de VR=0. En dicha caracterstica se puede ver que para valores negativos de Ve superiores en mdulo a VDI , la salida del comparador estar en +Vs y la tensin de disparo (referencia) ser VDS. Al alcanzar Ve a VDS, la salida cambia de +Vs a -Vs y la tensin de disparo para la prxima conmutacin pasa a ser VDI, situacin que se mantiene mientras Ve sea superior a VDS. Si Ve toma valores comprendidos entre VDI y VDS (margen de histresis), la salida permanecer inalterada. No obstante, si Ve disminuye hasta alcanzar VDI, la salida conmutar nuevamente a +Vs volviendo a ser VDS la tensin de disparo. Vemos, pues, que existe un cierto retardo de conmutacin cuando la seal de entrada se halla dentro del margen de histresis (VH ).
Figura 10-20. Comparador no inversor.

En el caso de querer construir un comparador no inversor, bastara con intercambiar la localizacin de Ve y VR en Fig.3.6. En este caso las tensiones de disparo seran:
Vb = Ve +
R2 (V Ve ) R1 + R2 s
( 10-55)
R1 + R2 R2 V DI = R V R R V s 1 1 para Vb = V R + R R R 2 V = 1 V R 2 Vs DS R R1 1
(V
=V sat ) (Vs = V sat )

s
( 10-56)
Para terminar, indicar unas relaciones importantes para el diseo de los comparadores: VDS - VDI representa el ancho de la histresis y la semisuma representa el valor central de la histresis.
10.4 Amplificador diferencial.

El par de emisor acoplado o diferencial se muestra en la siguiente figura y es la configuracin de transistores ms importante que se emplea en C.I. (circuitos integrados).
V cc
RC
RC
Ic 1 + + -
V0 V 01
Ic 2 +
V 02
-
Q1
Q2
V1
V2
I EE
El circuito utiliza una fuente de corriente constante que puede ser como la que hemos visto anteriormente o similar. Q1 y Q2 son dos transistores idnticos y las dos resistencias tambin son iguales. Vamos a ver que este circuito puede emplearse como amplificador o como interruptor. Para ello vamos a obtener la caracterstica de transferencia en c.d. a partir de las mallas de base se puede poner:
V1 = VBE1 VBE 2 + V2
(*)
( 10-57)
Si el transistor va a polarizarse en la zona activa, vamos a despreciar la corriente inversa de saturacin en la unin colector-base. De las ecuaciones de Ebbers-Moll podemos escribir para IC1 e IC2:
(1) I c1 = F I ES eVBE1 / VT (2) I c 2 = F I ES eVBE 2 / VT
( 10-58)
donde hemos supuesto para estas ecuaciones (diodo en directa) que:
eVBE1 / VT >> 1
Dividiendo (1) y (2) queda:
(3)
I c1 = e (VBE1 VBE 2 ) / VT = eVd / VT I c2
( 10-59)
Siendo Vd=VBE1-VBE2=V1-V2 de (*). Aplicando Kirchoff al nudo de emisor se tiene,
(4) I E1 + I E 2 = I EE =
I C1 I C 2 + F F I C1 queda: F
( 10-61)
( 10-60)
dividiendo ambos miembros de (4) por
(5)
sustituyendo (3) en (5):
F I EE I C 2 = +1 I C1 I C1
F I EE = 1 + e Vd / VT I C1
(6) I C1 =
( 10-62)
F I EE 1 + e Vd / VT
Procediendo igual para Ic2 se obtiene:
(7 ) I C 2 =
F I EE 1 + eVd / VT
( 10-63)
El objetivo para obtener la caracterstica de transferencia ha sido expresar IC1 e IC2 en funcin de la tensin diferencia Vd.
I c2
I c1 F I EE I c1
I c2
1 F I EE 2
Vd
-4 4V T -3VT - 2V T
- VT
VT
2V T
3V T
4V T
Vemos que aumentando Vd alrededor de 4VT entonces,
I C1 F I EE IC2 0
( 10-64)
y simultaneamente si hacemos Vd < -4VT,
I C 2 F I EE I C1 0
( 10-65)
Se puede obtener la caracterstica de transferencia utilizando las tensiones de salida V01 y V02. V01 = VCC IC1RC V02 = VCC IC2RC en donde basta sustituir IC1 e IC2 por sus expresiones (6) y (7). Asimismo se puede obtener la caracterstica V0 = V01 V02. Estas grficas se muestran a continuacin y pueden interpretarse de la forma siguiente: Si Vd > 4VT por tanto quedar,
I C1 F I EE I C 2 0
V02 = Vcc V01 = Vcc F I EE RC

La salida de V01 puede hacerse pequea eligiendo adecuadamente RC. V0 = V01 V02 = FIEERC. Podemos aproximar la salida de Q1 a un interruptor cerrado y Q2 a uno abierto. El estado de Q1 y Q2 se invierte evidentemente si hacemos Vd < -4VT. La salida diferencial V0 tendr tambin dos niveles distintos, uno positivo y otro negativo al variar Vd alrededor de 4VT. Una observacin importante es que en la zona 4VT < Vd < 4VT, IC1, IC2,V01, V02 y V0 tienen una dependencia paracticamente lineal con Vd. En esta zona el circuito puede funcionar como un amplificador (diferencial). Estas propiedades de funcionamiento hacen que este circuito se emplee ampliamente como interruptor en circuitos integrados digitales y como amplificador en circuitos analgicos.
V02
V01 V0 Vcc
V02
V01
F I EE RC
Vd
-4 4V T -3V T
--2V T
- VT
VT
2V T
3V T
VCC F I EE RC
4V T
V0
- 4V T
- 2V T V 0 = f (V d )
2V T
4V T
F I EE RC
10.4.1 Ganancia en modo comn y modo diferencial.

La funcin de un Amplificador diferencial es en general amplificar la diferencia entre dos seales de entrada V1 y V2. Sin embargo en un amplificador prctico la salida depende en alguna medida de la suma de estas entradas. Considerese el A.D. de la figura siguiente: v1 v0 v2 A. D.
La salida V0 ser igual a: V0 = Ad(v1 v2) Siendo Ad la ganancia en modo diferencial. Cualquier seal comn a ambas entradas no afectar a la salida. Pero como se ha dicho ya, en los A.D. prcticos la salida no solo depender de la seal diferencia Vd sino que en cierta medida depende del valor medio, denominado seal de modo comn vC donde:
vd = v1 v2 vC = v1 + v 2 (2) 2
( 10-66)
Con el objetivo de valorar esta situacin ha sido defino un parmetro de mrito del A.D. conocido como: factor de rechazo en modo comn. La salida de la figura anterior puede ser expresada como: V0 = A1v1 + A2v2 Donde A1 (A2) son las ganancias en tensin de las entradas 1 (2) a la salida, con la condicin de que la entrada 2 (1) est conectada a tierra. De (2):
1 / 2Vd = 1 / 2V1 1 / 2V2 Vc = 1 / 2V1 + 1 / 2V2 Vc + 1 / 2Vd = V1 V1 = VC + 1 / 2Vd V2 = VC 1 / 2Vd

con lo que: V0 = ACVC+AdVd Siendo la ganancia diferencial y comn: Ad = 1/2 (A1 A2) AC = (A1 + A2) Para medir Ad se puede hacer V1= V2 = 0.5 V de manera que Vd = 1V y VC = 0, as el valor medido en la salida V0 es la ganancia Ad. Igualmente para medir AC se hace V1 = V2 = 1V, entonces Vd = 0, VC = 1V y V0 = AC. Evidentemente lo que se quiere es que Ad sea grande y Ac idealmente nulo. Se define por tanto el factor de rechazo en modo comn como: F.R.M.C. = = ( 10-68) ( 10-67)
V0 = A1(VC + 1/2Vd) + A2(VC -1/2Vd) = VC(A1 + A2) + 1/2Vd(A1 A2)
Ad Ac
( 10-69)
Volviendo a la ecuacin de salida V0 = AcVc + AdVd quedar:
V0 = Ad Vd (1 +
1 Vc ) Vd
( 10-70)
10.4.2 Anlisis en pequea seal.

Obtengamos el valor del F.R.M.C. en un amplificador diferencial real en funcin de sus parmetros. Sea el circuito de la figura.
V cc
RC
RC
V 01
V 02
V1 V2
RE
Estudiemos primero el modo comn, para ello vi=v2=vc. Como las dos entradas son iguales y los transistores idnticos, las tensiones base emisor sern iguales. Por tanto las corrientes de colector deben ser idnticas. Como las corrientes de emisor son iguales, no hay corriente entre ambas partes del circuito. Entonces, siguiendo el teorema de Barttet, se puede analizar solo la mitad del circuito. Ntese que la resistencia en el emisor se duplica, ya que la corriente real en esa resistencia es el doble.
VC C
V0 h ie
V0
RC
h fe
Vi
V 1 =V 2= V i 2R E
RC 2R E
-V EE
v0 = h fe ib Rc
Como:
( 10-71)
ib =
Queda:
vi hie + 2(h fe + 1) RE
( 10-72)
v0 = h fe
vi RC hie + 2(h fe + 1) RE
( 10-73)
AC =
h fe RC v0 RC = 2 RE vi hie + 2(h fe + 1) RE
( 10-74)
Para estudiar la ganancia en modo diferencial se utiliza otra vez el teorema de Barttet para dividir el circuito en dos partes y analizar solo el semicircuito de la figura siguiente. Como la entrada es simtrica v1=-v2=vd/2 las corrientes entre ambas partes del circuito son iguales y contrarias por lo que las tensiones entre nodos comunes sern nulas.
V CC
V0 h ie Vi
V0
RC
h fe
V 1=-V 2=V d/2 -V EE
RC
v0 = Ad =
Rc h fe vi hie v0 Rc h fe = vi hie
( 10-75)
Como v1=
vd/2 Ad =
v0 Rc h fe = 2hie vd
( 10-76)
Tambin podemos expresar la FRMC en forma logartmica (por definicin) como sigue:
FRMC = 20 log10 =
Ad Ac
( 10-77)
10.5 Parmetros caractersticos en un A.O.

Tensin offset de salida: el hecho de que los transistores de la etapa diferencial de entrada no sean idnticos provoca un desequilibrio interno del que resulta una tensin (del orden de mV) en la salida, denominada tensin de Offset de salida, aun cuando las entradas estn puestas a tierra. Para la correccin de esta tensin de offset se coloca un potencimetro entre las patillas 1 y 5 del LM741 y el cursor se lleva a la patilla 4. La importancia de este ajuste se aprecia en las aplicaciones en que se trabaja con seales pequeas como en instrumentacin (en el rea petroqumica, nuclear, electromedicina, etc). Tensin offset de entrada (Veo): es la tensin que debe aplicarse entre los terminales de entrada para que la tensin de salida sea cero Corriente offset de entrada (Ieo): es la diferencia entre las corrientes de entrada de un amplificador equilibrado:
I eo = I b1 I b 2
cuando Vs = 0
Es importante conseguir, para un funcionamiento correcto de los montajes, que las corrientes de polarizacin sean iguales para poderse compensar. Para ello es necesario que el paralelo de las resistencias conectadas a cada una de las entradas sean iguales. Corriente de polarizacin de entrada (Ib): se define como la semisuma de las corrientes de entrada en un amplificador equilibrado:
Ib =
Ib1 + Ib 2 2
cuando VS = 0
Tensin de saturacin: es la tensin mxima que puede dar un operacional a la salida. Este valor mximo es del orden del 90% del valor de la tensin de alimentacin. As, si alimentamos a 15V la tensin de saturacin ser 13,5V.
10.6 Amplificador operacional prctico.

Como hemos dicho el amplificador operacional es un amplificador directamente acoplado de gran ganancia para llevar a cabo una gran variedad de funciones.
V0 = AvVi
R2
R1
+
I
+
I V1
V 1 =0
Av>0
V1
+
Vi
V 0= -A v V i
V2
Etapa de Amplificador Operacional inversora La siguiente figura (A) representa el circuito equivalente de una etapa inversora empleando Amp-Op practicos. Para demostrar los efectos de las desviaciones respecto al ideal, hallaremos el equivalente Thevenin de la etapa vista por la resistencia de carga RL (B). Obsrvese que cuando Ri>>R1 , como es usual, estas magnitudes se reducen a V1 y R1 respectivamente. As pues el efecto de la resistencia de entrada del Amp-Op puede despreciarse supuesto que Ri>>R1. En lo que queda del anlisis supondremos que este es el caso.
R1 R2
V1
Vi
Ri
R0 + -A VV 1 RL
Etapa Inversora Prctica:

R' 1 R2
V' 1 -
R0 RL -A vV 1 +
v 0 = A v v i + IR v i = IR
2
+ v0
v1 = I ( R1 + R 2 + R 0 ) Av v i
( 10-78)
V0
Esta tercera ecuacin sale aplicando Kirchhoff
v 0 = Av ( IR 2 + v 0 ) + IR 0 v 0 (1 + Av ) = I ( R 0 Av R 2 ) v1 = I ( R1 + R 2 + R 0 ) Av ( IR 2 + v 0 ) v1 = I ( R1 + R 2 (1 Av ) + R 0 ) Av v 0
Combinaremos las ecuaciones y despejaremos V0/V1
( 10-79)
I =
v 0 (1 + Av ) ( R 0 Av R 2 )
v 1 + Av v 0 v (1 + Av ) = 0 I = ( R1 + R 2 (1 Av ) + R 0 ) ( R 0 Av R 2 )
( 10-80)
Av 1 + Av v1 = v0 + ( R1 + R 2 (1 Av ) + R 0 ) ( R1 + R 2 (1 Av ) + R 0 ) R 0 Av R 2 1 ( R1 + R 2 (1 Av ) + R 0 ) v0 1 = = Av 1 + Av ( R + R 2 (1 Av ) + R 0 )(1 + Av ) v1 + Av + 1 ( R1 + R 2 (1 Av ) + R 0 ) R 0 Av R 2 R 0 Av R 2
Operando la ganancia nos queda:
Av =
v0 R0 Av R2 = v1 R1 (1 + Av ) + R0 + R2
( 10-81)
Haciendo las aproximaciones:Av>>1; AvR1>>R2+R0:
Av =
R2 R1
( 10-82)
Si Av es suficientemente grande tendr el mismo valor que en el caso ideal. El efecto de R0 es despreciable siempre que AvR1 y AvR2 sean cada una de ellas mayor que R0. Podemos llegar a la conclusin de que si Av es muy grande, la tensin de Thvenin es virtualmente independiente de las desviaciones respecto al ideal del Amp-Op.
Captulo 11
RESPUESTA EN FRECUENCIA.
Se puede definir sistema como un conjunto de componentes fsicos, unidos o relacionados de tal manera que forman y/o actan como una unidad completa. Un sistema de regulacin es un sistema cuyos componentes fsicos mandan, dirigen o regulan al mismo sistema o a otro. Es importante sealar que los sistemas de regulacin o control incluyen tambin los existentes en la naturaleza, los que se componen de componentes fabricados y naturales, y aquellos formados por componentes exclusivamente fabricados.
11.1 Definiciones bsicas.

En todo sistema de control se distinguen dos partes fundamentales: la entrada o estmulo y la salida o respuesta. Existen modelos de control con varias entradas y salidas; mientras que es posible que un sistema tenga entradas no definidas introducidas por agentes externos.
Entradas
Sistema
Salidas
Figura 1.Sistema genrico. De otro lado, segn la naturaleza del control se pueden distinguir dos tipos de sistemas: sistemas de control en lazo abierto y en lazo cerrado. En el primer caso la accin de control es independiente de la salida, mientras que el segundo sta influye de alguna forma en la salida. El sistema de control en lazo abierto genera menos problemas de estabilidad y los criterios de diseo necesarios para hacer el sistema estable son mucho ms sencillos. Adems no requieren las seales de realimentacin tan precisas de los sistemas en lazo cerrado. Sin embargo, el control en lazo cerrado presenta otras ventajas. Al depender la seal de referencia de la salida, la respuesta del sistema es ms sensible a variaciones de los parmetros y se atenan los efectos de los ruidos y las distorsiones. Otro concepto importante es la realimentacin. La realimentacin es la propiedad de los sistemas de control en lazo cerrado que permite que la salida (o alguna variable controlada) se compare con la entrada del sistema (o una entrada de algn otro componente o subsistema) de tal forma que la accin de control apropiada se puede formar como alguna funcin de la entrada y la salida.
Regulador
Planta
Figura 2. Sistema regulado en lazo abierto. Por ltimo, las seales de un sistema de control son funciones de alguna variable independiente, generalmente el tiempo. Bajo este punto de vista se distinguen entre sistemas de control continuos o discretos. El primer caso las seales del sistemas sern dependientes en todo momento de la variable independiente t; la seal se denomina continua o analgica. Los sistemas de control discretos poseen seales de inters slo en instantes determinados de la variable independiente t; tales seales se denominan discretas en el tiempo, de datos discretos, de datos muestreados o digital. Existen tambin sistemas hbridos de ambos sistemas de control
11.2 Terminologa de los sistemas regulados.

Generalmente los sistemas de control se representan haciendo uso de los llamados diagramas de bloques. Un diagrama de bloques es una representacin grfica de la relacin causa-efecto entre la entrada y la salida de un sistema fsico. La forma ms simple de un diagrama de bloques es un slo bloque con una entrada y una salida, tal y como se muestra en la figura siguiente.
R(s) +
E(s)
G(s)
C(s)
Regulador+Planta R'(s) H(s)
Transductor
Figura 3. Sistema regulado en lazo cerrado Usualmente en el interior del bloque contiene la descripcin o el smbolo de la operacin matemtica que se va a efectuar sobre la entrada para producir la salida, las flechas representan la direccin de la informacin o flujo de la seal. De otro lado, las operaciones de adicin y substraccin tienen una representacin especial: se representa con un crculo al que se le aaden a las flechas que entran en el crculo su correspondiente signo + -.En general el diagrama de bloques representa un sistema de una nica entrada y una nica salida, en el dominio de la transformada de Laplace. La seal de entrada es R(S), la salida C(S), la seal de realimentacin R(S) y la seal de error es E(S). La funcin de transferencia del sistema es G(S) y la funcin de transferencia de la realimentacin H(S).Esto significa que el lazo de realimentacin se considera abierto a su entrada. La funcin de transferencia del sistema en lazo cerrado es: C(s)/R(s)=G(s)/(1+G(s)H(s)). A la ecuacin 1+G(S)H(S) = 0 se la denomina ecuacin caracterstica del sistema y sus races determinan la respuesta transitoria del sistema en lazo abierto. A continuacin se exponen algunas definiciones relacionadas con los sistemas de control en lazo cerrado: Planta, proceso o sistema controlado: es el sistema, subsistema, proceso u objeto comandado por el sistema de control. Salida controlada: es la variable de salida de la Planta. Trayectoria directa: es la trayectoria seguida del punto de suma a la salida controlada. Elementos anticipativos: son los componentes de la trayectoria directa que generan las seales de control aplicadas a la planta. Suelen ser controladores, compensadores y/o amplificadores. Seal de control: es la salida de los elementos anticipativos.
Captulo 11. Respuesta en frecuencia. 3
Trayectoria de realimentacin: es la ruta de transmisin de la salida controlada al punto de suma. Elementos de realimentacin: son los que se disponen en la trayectoria de realimentacin estableciendo la relacin funcional entre la salida controlada y la seal primaria de realimentacin. Son sensores, compensadores y/o elementos controladores. Entrada de referencia: es una seal externa aplicada al sistema de control con realimentacin, usualmente situada en el primer punto de suma, para ordenar una accin especfica a la planta. Error: es la seal de entrada de referencia ms o menos la seal primaria de realimentacin. Realimentacin positiva o negativa: simboliza que la entrada de la seal de realimentacin en el punto de suma es positiva o negativa respectivamente. Otros conceptos suplementarios: Transductor: es un dispositivo que convierte una forma de energa en otra. Estmulo o entrada de prueba: es cualquier seal de entrada introducida externamente que afecta a la salida controlada. Perturbacin o ruido de entrada: es un estmulo no deseado que afecta al valor de la salida controlada. Puede entrar en la planta, en el primer punto de suma o en cualquier punto intermedio. Respuesta en el tiempo: es la salida de un sistema, subsistema o elemento en funcin del tiempo. Sistema multivariante: es aquel que tiene ms de una entrada (multientrada), ms de una salida (multisalida) o ambas. Servomecanismo: es un sistema de control con realimentacin de amplificacin de potencia, en el cual la variable controlada es una posicin mecnica o una derivada respecto al tiempo, tal como la velocidad o la aceleracin. Regulador: es un sistema de control con realimentacin en el cual la entrada de referencia es constante por largos perodos de tiempo. Un regulador se diferencia de un servomecanismo en que la funcin primaria de un regulador es generalmente mantener una salida controlada constante, mientras que la de un servomecanismo es, casi siempre, hacer que una entrada variable en el sistema ocasione una salida.
11.3 La transformada de Laplace.

La resolucin de los problemas en ingeniera utiliza tcnicas para reemplazar las funciones de variable real por ciertas representaciones dependientes de la frecuencia o por funciones de una variable compleja que depende de la frecuencia. Un ejemplo tpico es el uso de las series de Fourier para resolver ciertos problemas elctricos. En esta seccin se presenta la transformada de Laplace, cuya misin es relacionar funciones de tiempo con funciones dependientes de la frecuencia de una variable compleja. El empleo de la transformada de Laplace, reduce considerablemente los clculos en los sistemas de control, produciendo adems diagramas de bloques sencillos que se aproximan en gran medida al modelo real del sistema.
11.3.1 Definicin matemtica.

Sea f(t) una funcin real de variable real t, definida para t>0. Entonces la transformada de Laplace de f se define como:
F ( s) = T lim f ( t ) e st d t = f ( t )e st d t T 0+ 0
(1)
donde s es una variable compleja definida por: s = + j . Definicin: Existe la transformada de Laplace de f(t) siempre que se cumple la condicin de convergencia:
/ f (t ) / e
0
rt
dt <
Siendo r real y positiva. Si se cumple que f(t) es de orden exponencial, y existe una funcin oscilante, con rc real y positiva tal que: e-rt/f(t)/ < M t>0 La integral converger para r>rc. La regin de convergencia ser rc<r< y rc es conocido como la abcisa de convergencia absoluta. Inversa de la Transformada de Laplace: el xito de la transformada de Laplace en la resolucin de problemas de sistemas fsicos, radica tanto en la facilidad de resolver los problemas en la variable s, como en su posterior paso al dominio del tiempo. Al encontrar la solucin de un problema, es necesario encontrar la llamada inversa de la transformada de Laplace, es decir, pasar del dominio de s a t. Matemticamente la transformada inversa de Laplace se define como:
f (t) = 1 c+ j F ( s)e st ds 2 j c j
(2)
Donde j= 1 y c>r (de la definicin anterior). Todos estos puntos justifican matemticamente la Transformada de Laplace, aunque en la prctica se harn uso de las propiedades y tablas que se detallan ms abajo. Propiedades: 1. Siendo F1(s) y F2(s) las t.d.l. de f1 y f2 respectivamente, entonces a1F1(s)+a2F2(s) es la t.d.l. de a1f1(t)+a2f2(t), donde a1 y a2 son constantes arbitrarias. La inversa de sta propiedad tambin es vlida.
df 2. L = sF ( s ) f ( 0 + ) dt
3. Teorema del valor inicial: f ( 0 + ) = lim f ( t ) = lim sF ( s )

t s 0
4. Teorema del valor final: f ( 0 ) = lim f ( t ) = lim sF ( s )

+ t0 s
5. Funcin retardo de tiempo:

f ( t T ), t > T 0, t T
L [ f ] = e sT F ( s )
Funcin f(t) Impulso unitario Escaln unitario 1(t) Rampa unitaria t Polinomio tn Exponencial e-at Senoidal sent Cosenoidal cost Senoidal Amortiguada e-at sent
Transformada de Laplace 1 1/s 1/s2 n!/sn+1 1/(s+a) /(s2+2) s/(s2+2)

(s + a) 2 + 2
Cosenoidal Amortiguada e-at cost
s+a (s + a) 2 + 2
Tabla 1. Valores resumidos de la Transformada de Laplace
11.4 Representacin interna.

Un sistema lineal e invariante en el tiempo puede ser representado mediante un conjunto de ecuaciones diferenciales de primer orden, que puestas en forma matricial podran expresarse como:
& = Ax + Bu x y = Cx + Du
donde: u es el vector de seales de entrada. x es el vector de variables de estado. y es el vector de seales de salida.
(3)
11.5 Funcin de transferencia.

Se define la funcin de transferencia, como la relacin de la transformada de Laplace de la salida (funcin respuesta) con la transformada de Laplace de la entrada (funcin excitadora), bajo la suposicin de que todas las condiciones iniciales son nulas.
Entradas
Sistema
Salidas
Figura 4.Sistema genrico. Si existe un sistema lineal invariable en el tiempo, del que slo se conoce los valores de su salida para cada valor de la entrada, su respuesta se puede representar por una ecuacin de trminos derivativos (o integrales) como:
a0 y+ a1 y +...+ an1 y+ an y =b0 x + b 1 x +...+ b m1 x+ b mx
(n) (n1) (m) (m1)
(4)
Con nm, siendo y la salida del sistema, x la entrada y los coeficientes ai y bi constantes. Si se aplica transformada de Laplace a ambos miembros y suponiendo las condiciones iniciales nulas:
(a
s n + a 1 s n 1 + ...+ a n 1 s + a n ) Y ( s) = ( b0 s m + b1 s m 1 + ...+ bm 1 s + bm ) X ( s)
(5)
La funcin de transferencia ser:

G (s) = Y ( s ) b 0 s m + b1 s m 1 + ...+ b m 1 s + b m = X ( s ) a 0 s n + a 1 s n 1 + ...+ a n 1 s + a n
(6)
Esta expresin expresa la relacin entre la entrada y la salida de un sistema independientemente de su estructura fsica, luego puede servir para analizar un sistema distinto pero con igual relacin entrada-salida y trabajando slo con relaciones algebraicas en s. Si partimos de la representacin interna se tendr que:
G ( s ) = C ( sI A ) 1 B + D
(7)
En el caso ms general H(s) es una matriz tridimensional, estaremos hablando de un sistema MIMO.
11.5.1 Representacin factorizada.

Otra forma de inters para los sistemas SIMO y SISO es la factorizada, es decir, ganancia, polos y ceros:
H ( s) = K ( s + z (1)) + ( s + z ( 2 )) + ....+ ( s + z ( n )) ( s + p (1)) + ( s + p ( 2 )) + ...+ ( s + p ( n ))
(8)
En general se pueden encontrar los siguientes casos: 1. 2.
f (s) A B C + + ( s + a)( s + b)( s + c) s+a s+b s+c
f ( s) A B C N + + + ... + n 2 3 s + a (s + a) ( s + a) ( s + a) ( s + a) n
f (s) As + b 2 as + bs + c as + bs + c
2
3.
Factores cuadrticos con races imaginarias en el denominador a)
f ( s) As + B C 2 + (as + bs + c)( s + d ) as + bs + c s + d
2
Si hay adems algn factor lineal en el denominador:
11.5.2 Ejercicio1
Calcular la antitransformada de Laplace de la funcin:
s+5 s = 2, s = 1 s + 3s + 2 s+5 A B A(s + 2) + B(s + 1) = + = (s + 2)(s + 1) s + 1 s + 2 (s + 2)(s + 1)

2
A(s + 2) + B(s + 1) = s + 5 ( A + B )s + 2 A + B = s + 5 A+B =1 2A + B = 5 A = 4, B = 3 4 3 s +1 s + 2 4 3 L1( ) L1( ) = 4e t 3e 2t s +1 s+2
11.5.3 Ejercicio 2
Calcular la transformada inversa de Laplace de:
F (s ) =
s 2 + 2s + 3 A B C F (s ) = + + 3 3 2 s +1 (s + 1) (s + 1) (s + 1)
A + B(s + 1) + C(s + 1)2 = A + B(s + 1) + C (s 3 + 2s + 1) = s 2 + 2s + 3 C =1 B + 2C = 2 A = 2, B = 0,C = 1 A+B +C = 3 F (s ) = 2 1 + Antitransformadas : 3 s +1 (s + 1)
2 1 L1 = 2 t 2 e t = t 2 e t 3 2 (s + 1) 1 t L1 =e s 1 + f (t ) = (t 2 e t + e t )u o (t ) = (1 + t 2 )e t u o (t )
11.5.4 Ejercicio 3
Calcular la transformada inversa de Laplace de:
F (s ) =
s +1 1 1 4 1 3 = j ;s = 2 2 2 s(s + s + 1)
2
A Bs + C + 2 s s + s +1 A + B = 0 B = 1 2 2 , donde.As + As + A + Bs + Cs = s + 1 A + C = 1 A =1 C =0 F (s ) = F (s ) = wn = 1 , s2 + s + 1 s 1 2 ; 2 2 s s + s + 1 s + 2w n + w n = 0 , = 1/ 2 s s + 2w n + w n
2 2
s +1 s + 2w n + w n
2 2
1 s + 2w n + w n
2 2
1 1 1 2 1 1 1 1 t s +1 4) 2 2 1 L 2 e sen( 1 t + ); = arctg ( = 4 s + s + 1 1 1 1 1 4 2 1 1 L1 2 ; L1( 1 ) = 1 Escalon Unitario. s s + s + 1 1 1 4

1
11.6 Impedancias complejas.

En las redes elctricas se define la impedancia como la relacin entre la tensin en extremos y la corriente que circula; en cambio, hablaremos de impedancia compleja como la relacin antes mencionada se de mediante la transformada de Laplace. Como ejemplo las impedancias complejas de los elementos pasivos ms usuales sern:
a) Resistencia R
e( t ) = Ri( t )
b) Capacidad C
E ( s) = RI ( s)
Z ( s) =
E ( s) =R I ( s)
(9)
e(t ) =
1 1 I ( s) i(t )dt E ( s) = + C C s
( i(t )dt )
E ( s) 1 Z ( s) = = t =0 I ( s) Cs
( 10 )
siempre y cuando las condiciones iniciales sean nulas.
c) Inductancia L
e( t ) = L
di( t ) dt
E ( s) = L sI ( s) + i ( 0)
Z ( s) =
E ( s) I ( s)
= Ls
( 11 )
con condiciones iniciales nulas. Con esta nueva herramienta el clculo de la funcin de transferencia de un circuito podr realizarse bien por el empleo de ecuaciones diferenciales o de impedancias complejas.
Figura 5. Circuito en cascada y equivalente complejo. As, en un circuito como el representado, de dos circuitos RC en cascada, las ecuaciones diferenciales que lo definiran seran:
1 1 ( ) i i dt R i i dt e + = = 2 1 2 2 2 o C1 C2 1 C1
(i
i2 )dt + R1i1 = ei
( 12 )
Tomando transformadas de Laplace en ambas y suponiendo nulas las condiciones iniciales, se obtienen las expresiones:
1 [I1 (s ) I 2 (s )] + R1 I1 (s ) = Ei (s ) C1 s 1 [I 2 (s ) I1 (s )] + R2 I 2 (s ) = Eo (s ) C1 s 1 I 2 (s ) = E o (s ) C2
( 13 )
Si de estas tres igualdades despejamos en dos de ellas las corrientes y sustituimos en la tercera obtendremos:
1 C + R1 I 1 (s ) 2 E o (s ) = Ei (s ) C1 C1 s 1 1 + R 2 C 2 s E o (s ) I 1 (s ) = E o (s ) C1 s C1 s
Si se desarrolla la inferior y se sustituye en la superior:
( 14 )
1 2 I 1 (s ) = C1 s C s + R2 C 2 s + 1 E o (s ) = C1C 2 R2 s + C 2 s + C1 s E o (s ); ( 15 ) 1
1 C + R1 C1C 2 R2 s 2 + C 2 s + C1 s E o (s ) 2 E o (s ) = Ei (s ); C1 C1 s
( 16 )
Quedar finalmente:
Eo ( s) 1 = 2 Ei ( s) R1C1 R2 C2 s + ( R1C1 + R2 C2 + R1C2 ) s + 1
( 17 )
En el caso de operar con impedancias complejas el planteamiento que haremos ser el siguiente:
Eo ( s) E2 ( s) Eo ( s) Z5 ( s) Z4 ( s) = = Ei ( s) Ei ( s) E2 ( s) Z1 ( s) + Z5 ( s) Z2 ( s) + Z4 ( s)
( 18 )
siendo Z5 = Z2 ( s) + Z4 ( s) Z3 ( s) . Operando nos resulta la misma ecuacin 7.9 con lo que nos hemos ahorrado el paso de 7.7 a 7.8 y el planteamiento de 7.7. En 7.9 se muestra que el hecho de estar en cascada hace que la funcin de transferencia total no sea igual al producto de las funciones de transferencias parciales de cada una de las redes RC:
Eo ( s) 1 1 Ei ( s) R1C1s + 1 R2 C2 s + 1
( 19 )
Esto es debido a que el segundo circuito acta como carga del primero, esto no sucedera si el acoplamiento de los dos circuitos se hiciera por medio de un amplificador (de ganancia unidad). En este caso la igualdad de 7.11 si sera correcta.
11.7 Conexin de sistemas.

Existe una serie de reglas que es necesario utilizar para simplificar los diagramas de bloques formados por las funciones de transferencia de los sistemas. Se resumen en la siguiente tabla.
Transformacin 1. Combinacin de bloques en cascada
Diagrama original
Diagrama equivalente
2. Movimiento de un punto de suma anterior a un bloque 3. Movimiento de un punto de separacin posterior a un bloque 4. Movimiento de un punto de separacin anterior a un bloque 5. Movimiento de un punto de suma posterior a un bloque 6. Eliminacin de un circuito de retroalimentacin
Tabla 2. Transformacin de diagramas de bloques.
11.8 Respuesta temporal.

Un sistema genrico de primer orden presenta un diagrama de bloques como el representado en la figura siguiente.
E(s) +
1 Ts
S(s)
E(s)
1 Ts + 1
S(s)
Figura 6. Sistema genrico de primer orden.
La relacin entre la entrada y la salida vendr dada por la expresin:

S (s) 1 = E ( s ) Ts + 1
( 20 )
Fsicamente este sistema puede representar un circuito RC, con T=RC. A continuacin, analizaremos la respuesta de este tipo de sistemas ante las diversas seales aperidicas de prueba.
11.8.1 Respuesta impulso unitario.

Como la transformada de Laplace del impulso unitario es 1, reemplazando E(s) por 1 en la ecuacin anterior se obtiene:
S (s) = 1 1/ T = Ts + 1 s + 1 / T
( 21 )
Tomando Transformadas inversas en la ecuacin anterior:

S (t ) = 1 t/T e T
( t 0)
( 22 )
1 0.9 0.8 0.7

Amplitud
0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 1 2 3 Tiempo (s) 1/T 4 5
Figura 7. Respuesta impulso unitario.
11.8.2 Respuesta al escaln unitario.

Como la transformada de Laplace del escaln unitario es 1/s, se obtiene:
S (s) = 1 1 Ts + 1 s
( 23 )
Desarrollando S(s) en fracciones parciales podemos expresar:

S (s) = 1 T 1 1 = s Ts + 1 s s + (1 / T )
( 24 )
Tomando transformadas inversas en la ecuacin anterior:

S (t ) = 1 e t/T
( t 0)
( 25 )
La funcin temporal deducida establece que inicialmente la salida, S(t), es nula y alcanza un valor final unitario. Para un instante t=T el valor de S(t) ser:
S ( t ) = 1 e 1 = 0 .6 3 2
( 26 )
De lo que se deduce que la constante de tiempo del sistema, es el tiempo que tarda la salida S(t) en alcanzar el 63% de su valor final. Cuanto ms pequea es la constante del tiempo del sistema, mas rpida es la respuesta de este. Anlogamente, puede demostrarse que la pendiente de la tangente en t=0 es 1/T.
Figura 8. Respuesta al escaln unitario. Slo se alcanza el estado estacionario tras un tiempo infinito. Sin embargo, en la prctica una estimacin razonable de la respuesta temporal es el tiempo que necesita la curva de respuesta para alcanzar la banda del 2% del valor final, o sea, cuatro veces la constante de tiempo.
11.8.3 Respuesta a la rampa unitaria.

Como la transformada de Laplace de la rampa unitaria es la 1/s2, tendremos:
S (s) = 1 1 Ts + 1 s 2
( 27 )
Desarrollando S(s) en fracciones parciales:

S (s) = A B C 1 1 = 2 + + A = 1; B = T ; C = T 2 2 Ts + 1 s s Ts + 1 s
( 28 )
es decir:
S ( s) =
1 T T2 1 T T + = 2 + 2 s Ts + 1 s s s + 1/ T s
( 29 )

S (t ) = t T + Te t/T
t0
( 30 )
Figura Captulo 11-9 Respuesta a la rampa unitaria. En la figura anterior se representa la entrada rampa unitaria E(t) y la salida S(t), expresada anteriormente. El error D(t), es la diferencia instantnea entre las seales de entrada y salida, ser:
D ( t ) = E ( t ) S ( t ) = t ( t T + Te t / T ) = T Te t / T = T (1 e t / T )
( 31 )
Conforme t tiende a infinito, e-t/T tiende a cero, y de este modo la seal de error D(t) tiende a T:
D ( ) = T
( 32 )
El error en seguir a la entrada rampa unitaria es igual a T para t suficientemente grande. Es decir, cuanto menor es la constante de tiempo T, menor ser el error estacionario o permanente al seguir la entrada rampa. Establecamos que la respuesta S(t) ante una entrada rampa unitaria era de la forma:
S ( t ) = t T + Te t / T ( t 0)
( 33 )
Anlogamente, para una entrada escaln unitario, que es la derivada de la entrada en rampa unitaria, la salida S(t), era:
S ( t ) = 1 e t/T
( t 0)
( 34 )
Finalmente, para una entrada impulsiva unitaria, que es la derivada de la entrada escaln unitarios, la salida S(t), era:
S (t ) = 1 t/T e ( t 0) T
( 35 )
Comparando estas respuestas del sistema ante tres entradas, se deduce una propiedad importante de los sistemas lineales invariantes en el tiempo, pues puede comprobarse que la respuesta a la derivada de una seal entrada, puede obtenerse derivando la respuesta del sistema a la seal original.
11.9 Transitorio de Sistemas de segundo orden.

Considerando el circuito representado en la figura siguiente formado por una inductancia L (henrios), una resistencia R (ohmios) y una capacidad C (faradios).
Figura 10 Circuito RLC. Aplicando las leyes de Kirchhoff al sistema se obtiene:

L 1 di + Ri + dt C
1 C
idt = V
s
(36)
id t = V
(37)
Tomando transformadas de Laplace en ambos miembros de las ecuaciones anteriores, y suponiendo nulas las condiciones iniciales se establecen las expresiones:
L sI ( s ) + R I ( s ) + 1 1 I (s) = Ve (s) C s (38)
1 1 I ( s) = Vs ( s) C s (39)
De ambas se deduce:
V e ( s ) V s ( s ) = I ( s )( R + Ls ) I ( s ) = Ve (s) Vs (s) R + Ls (40)
Vs (s) = I (s)
1 C s ( 41)
Considerando Ve como entrada y Vs como salida, el diagrama de bloques del sistema ser el representado en la figura siguiente.
E (s) +
1 R + Ls
1 Cs
S(s)
E (s) +
1 S (s) ( R + Ls ) Cs
Figura 11 Diagrama de bloques del circuito RLC. Operando en el bloque representado en la figura anterior:
1 1 1 LC LC = = Cs ( R + Ls ) s ( s + R / L ) R C s s + 2 2 L
LC 1
(42)
En bucle cerrado la funcin de transferencia quedara:

Vs (s) = Ve (s) 1 LC 1 1 C s + L LC LC
R s2 + 2 2
(43)
Si designamos:
n =
=
R 2
1 LC
frecuencia natural no amortiguada.
C = L coeficiente de amortiguamiento.
Simbologa cuya relacin es evidente en electrotecnia, se obtiene los diagramas de bloques genricos de un sistema de segundo orden, esquematizados en la figura siguiente.
V e ( s )+
n2 ( 2 n + s ) s
V s(s)
V e(s)
n2 s 2 + 2 n s + n 2
V s(s)
Figura 12 Diagrama de bloques de un sistema genrico de segundo orden.
11.9.1 Respuesta al escaln unitario.

Segn hemos establecido, el diagrama de bloques genrico de un sistema de segundo orden ser el indicado en la figura anterior. Las races del denominador de la funcin de transferencia en cadena cerrada son:
s 2 + 2 n s + n2 = 0 s = n
( )
2 n
2 n
= n
2 1
( 44)
De acuerdo con el valor de comprendido en tres categoras:
Sistemas subamortiguados, correspondientes a valores de comprendidos en el rango 0<

<1.
Sistemas crticamente amortiguados, en los que =1. Sistemas sobreamortiguados, caracterizados por >1.
Veamos la respuesta del sistema ante una entrada escaln, para las tres categoras mencionadas.
11.9.1.1
Sistemas subamortiguados.
Para entrada escaln unitario, Ve(s)=1/s. Sustituyendo este valor y despejando se obtiene:
Vs (s) =
2 n 2 s ( s + 2 n s + 2 n)
( 45)
n2 = V s ( t ) = L 1 2 2 s s + s + 2 ( ) n n A Bs + C = L 1 + 2 2 s s + 2 n s + n
Fcilmente se deduce:
A = 1; B = 1; C = 2
n
( 46)
Es decir:
1 s + 2 n V s ( t ) = L 1 2 2 = s s + 2 n s + n 1 n s + n = L1 2 2 2 s + 2 n s + n2 s s + 2 n s + n ( 47)
Las races de la ecuacin caracterstica, expresin (3.9), sern en este caso (0<e<1):
s = n = n
2 1 =
( 1)(1 2 ) = n j 1 2
] (48)
Es decir, los polos de lazo cerrado son conjugados, y se encuentran en el semiplano s izquierdo. Si hacemos:
d = n 1
2
(49)
Las races sern:

s = n j
d
(50)
Es decir:
= ( s + n + j d )( s + n j d ) = = ( s + n ) + d2
2
s 2 + 2 n s + n2 =
( 51)
=
La ecuacin podr expresarse, entonces, en la forma:

1 n s + n V s ( t ) = L1 2 2 s ( s + n ) + d ( s + n ) 2 + 2 d 1 s + n = L1 s ( s + n ) 2 + 2 d
1 2 ( s + n )
dn
2
+2 d ( 52)
Finalmente la respuesta ser:
V s (t ) = 1 e n t cos d t + = 1
1
2
sen d t =
1
2
e n t sen ( d t + )
(53)
1
siendo t 0 y:
= a rc . tg.
2
(54)
De acuerdo con su expresin matemtica nos encontramos ante una respuesta oscilatoria de frecuencia wd y cuya amplitud disminuye exponencialmente con el tiempo. Del hecho de que la frecuencia de la oscilacin transitoria sea d, y de su dependencia del amortiguamiento , se deriva la denominacin de d como frecuencia natural amortiguada.
11.9.1.2
Sistemas con amortiguamiento crtico.

2 n 2 s ( s + 2 n s +
2 n
Para entrada escaln unitario, Ve(s)=1/s. Sustituyendo este valor y despejando se obtiene:
V s ( s) =
2 n
) (s + )
n
( 55)

n2 V s ( t ) = L 1 2 s( s + n ) = (56)
A B C = L1 + + s s + n (s + n )2
A = 1; B = 1; C =
n
Es decir:
1 1 V s ( t ) = L1 2 n2 = s s + n (s + n ) = 1 e n t (1 + n t ); ( t 0 )
( -57)
Las races de la ecuacin caracterstica sern en este caso (=1):
s = n (58)
Es decir, los dos polos de la funcin de transferencia son iguales, reales y negativos.
11.9.1.3
Sistemas sobreamortiguados.
2 n 2 ) ( 59) s ( s 2 + 2 n s + n
Sustituyendo igual que antes y despejando se obtiene:

Vs =
Las races de la ecuacin caracterstica, (3.9), sern en este caso:

s=
n
2 1 = n
2 1
(60)
Dado que e>1 las races sern reales, distintas y negativas. Es decir:
s 2 + 2 n s + n2 = = s + n + n 2 1 s + n n 2 1
)(
) (61)
Tomando transformadas inversas.
n2 Vs (t ) = L 2 = 2 s( s + 2 n s + n )
1
n2 = L s s + + 2 1 s + 2 1 n n n n
1
)(
A B C = L + + s s + n n 2 1 s + n + n 2 1
1
) (
(62)
A = 1; B= C= 2 1 2 1
2
2 2 1 + 2 1
Finalmente, calculando la antitransformada, la respuesta ante la entrada escaln unitario ser:

V s (t ) = 1 + e s1t e s2 t s2 2 2 1 s1
; ( t 0) (63)
Siendo:
s1 = +
s2
( = (
2 1
2
) 1 )
( 64)
( 65)
Comparando las expresiones de s1 y s2 con las correspondientes a las races de la ecuacin caracterstica indicadas vemos que s1 y s2 coinciden, cada una de ellas, con una de las races en valor absoluto, diferencindose nicamente en el signo. Vemos pues que la respuesta contiene dos sumandos formados por exponenciales decrecientes. Para valores suficientemente elevados de , una de las
s1t exponenciales decrece mucho ms rpidamente que la otra, pues si >>1 s1>>s2 e decrece
mucho ms rpidamente que e , pudiendo despreciarse el efecto del trmino correspondiente a s1 para una solucin aproximada. Es decir, una vez desaparecido el trmino exponencial de cada ms rpida, la respuesta es similar a la de un sistema de primer orden. Por tanto, puede escribirse como sigue:
V s ( t ) = 1 e s2 t
s2 t
( t 0) ( -66)
Las curvas obtenidas correspondientes a los distintos valores de , se representan de forma conjunta en la figura siguiente. De esta ltima figura y del estudio realizado para las diferentes formas de funcionamiento, pueden deducirse, a modo de resumen, las siguientes conclusiones:
Si el amortiguamiento es nulo el sistema es oscilatorio no amortiguado y su frecuencia se denomina frecuencia natural.
Si el sistema es subamortiguado presenta una respuesta oscilatoria con amplitud exponencialmente de creciente con el tiempo. La frecuencia es ahora menor que la natural, tanto menor cuanto mayor es el amortiguamiento, y se denomina frecuencia natural amortiguada. Si el amortiguamiento toma el valor 1, el sistema presenta una respuesta no oscilatoria. Este valor =1, marca la frontera entre las respuestas oscilatorias y no oscilatorias, de ah la denominacin de amortiguamiento crtico. Si el sistema es sobreamortiguado la respuesta es no oscilatoria, siendo progresivamente mas lenta conforme aumenta el valor de e. Si >> 1 el sistema puede aproximarse por uno de primer orden, el correspondiente a la raz dominante.
1.8 1.6 1.4 1.2 Amplitud 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0
0.1
0.3 0.5 0.7 0.9
1.9
10 Tiempo (s)
15
20
Figura 13 Respuesta temporal para distintos valores de .
11.10
Especificaciones de respuesta transitoria.
Aunque los sistemas de control pueden someterse a entradas muy diversas dependiendo de su cometido, pueden juzgarse sus caractersticas de funcionamiento, con suficiente exactitud, si se conocen determinados parmetros de su respuesta transitoria ante una entrada escaln unitario. En la figura siguiente se muestra una respuesta tpica ante una entrada escaln unitario.
Figura 14 Especificaciones de la respuesta temporal. En general, la respuesta se caracteriza mediante las siguientes especificaciones:
Tiempo de retardo, td, es el tiempo invertido por la salida hasta alcanzar el 50% de su valor final. Tiempo de crecimiento o tiempo de subida, tr, es el transcurre desde que la respuesta pasa de un valor del 10% al 90% de su valor final. A veces, estos limites se toman entre el 5% y el 95%, o bien, entre el 0 y el 100%, dependiendo de los sistemas. Para sistemas de segundo orden subamortiguados, frecuentemente se emplea el criterio de 0 al 100%, utilizndose los lmites inicialmente definidos (10-90%) para los sobreamortiguados. Tiempo de pico, tp, es el tiempo requerido por la seal para alcanzar la primera cresta de sobreimpulso. Tiempo de establecimiento, ts, es el tiempo que precisa la respuesta para alcanzar y mantenerse dentro de un porcentaje determinado (usualmente 5% 2%) de su valor final. Este parmetro se relaciona con la mayor constante de tiempo del sistema. Mximo sobreimpulso, Mp, tambin denominado sobreelongacin o rebase, indica la mxima diferencia existente entre la respuesta y su valor estacionario. Usualmente se expresa porcentualmente en la forma:
M p = 100 V s ( t p ) V s ( ) V s ( )
Evidentemente el conocimiento de estos parmetros determina la curva de respuesta y, por otra parte no todos ellos son aplicables a cualquier sistema. As, un sistema sobreamortiguado no presenta sobreelongaciones y no se aplican las especificaciones tp y Mp. Las especificaciones de respuesta transitoria para un sistema subamortiguado son las siguientes:
Tiempo de crecimiento, tr: corresponder al tiempo en que la salida alcanza su valor final.
C (t r ) = 1 = 1 e n t r cos d t r + sen d t r 1 2
e n t r cos d t r + sen d t r = 0 1 2
Como e n t r no es cero, tenemos:
cos d t r +
1 2
sen d t r = 0
sen d t r 1 2 = cos d t r tg d t r = 1 2
tr =
1 2 n arctg
1
2
1 2 si = arctg
tr =
tr =
arctg d
Tiempo de pico, tp: puede estimarse derivando Vs(t) con respecto al tiempo e igualando a cero la derivada.
dc w t w t = 0 = wn e n p (cos wd t p + sen wd t p ) e n p ( wd sen wd t p + wd cos wd t r ) 2 dt t = t p 1 1 2 como wd = wn 1 2 2 wn w t e n p (2 + 1 2 ) sen wd t p = 0 1 2 wn w t e n p sen wd t p = 0 2 1 w es0 sen wd t p = 0 wd t p = n t p =

con n=0,1,2,.....
wd
Mximo sobreimpulso, Mp:

wn t p
M p = c( t p ) 1 = e tp =
(cos wd t p +
d
1 2 1
2
sen wd t p ) sen ) = e
wn
wd
M p = e
wn w
wd
(cos +
=e
12
1 0.6
0 0.6
t = tp =
con lo que el sobreimpulso porcentual ser.
Tiempo de establecimiento, ts: Para e comprendido entre 0 y 0.9 los valores de ts son: 4 criterio 2%: t s 4T =
n
3
criterio 5%:
t s 3T =
11.10.1
Ejemplo
Para el sistema de la figura, determinar k y kh para que el mximo sobreimpulso Mp ante una entrada en escaln sea 0.2, y el tiempo de pico sea 1 s. Con estos valores de k y kh obtngase el tiempo de crecimiento tr y el de establecimiento ts.
Mp = e
1 2
= 0.2

1 2
= 161 .
= 0.456
R(S) K/ S ( S + 1 )
+ -
C(S)
1 + KnS
tp =
=1 d
d = 314 .
n =
d
1 2
= 353 .
k C ( s) k k s ( s + 1) = = = 2 k ( s + k h s) s ( s + 1) + k (1 + k h s) s + ( k k h + 1) s + k R ( s) 1+ s ( s + 1)
2 n = k k h + 1
kh =
2 k n 1 k
= 0178 .
n 2 = k = 12.5
11.11 Respuesta de la variable regulada.
A pesar de que todos los sistemas estn diseados para realizar diferentes funciones, todos ellos tienen requerimientos comunes. Las principales caractersticas de un sistema tpico de control son la estabilidad, precisin, velocidad de respuesta y sensibilidad de las salidas ante variaciones en el medio ambiente y en los componentes de sistema. La prioridad de cada una de estas caractersticas las establece el diseador en funcin de la naturaleza del sistema y su aplicacin. Veamos ms detenidamente cada una de estas caractersticas:
Estabilidad: Un sistema se dice estable si sus salidas alcanzan un cierto valor en un tiempo finito despus de aplicarle una entrada. Una vez que la salida del sistema permanece constante y no
cambia en funcin del tiempo, se dice que ha alcanzado el valor de rgimen permanente. Un sistema se dice inestable si nunca alcanza este valor. En general los sistemas con tiempos de retardo y tiempos muertos tienden a ser inestables, por lo que se suele usar sistemas con realimentacin.
Precisin: Estudia la desviacin entre la salida real del sistema y su valor deseado. La exactitud se suele obtener mediante mtodos de control basados en reguladores proporcionales o PI. Adems, los sistemas en lazo cerrado son en general ms exactos que los sistemas en lazo abierto. Velocidad de respuesta: Es la medida de la rapidez con que las salidas alcanzan el rgimen permanente despus de aplicar la entrada. En la prctica la respuesta de un sistema en el dominio del tiempo consta de una parte transitoria y otra permanente. Los sistemas de ms de segundo orden son difciles de analizar, por lo que se aproximan a uno de segundo orden y se analiza su respuesta al escaln. Sensibilidad: Mide lo sensibles que son las respuestas del sistema ante cambios en los valores de sus componentes fsicos o en las condiciones ambientales.
Los sistemas controlados presentan una respuesta temporal, esto es, si se aplica una seal cualquiera en funcin del tiempo en la entrada, el sistema responder con una salida temporal dependiente de la entrada, aunque diferente. Se pueden encontrar seis tipos diferentes de respuestas:
Respuesta Estable
I) Peridica
II) Aperidica
Lmite de estabilidad
Inestable
11.12
Criterios de estabilidad
1 2 s + b(s) 2 2s + 1 = H (s) = = 2 a (s) s + 3 s + 2 (s + 1 ) (s + 2 )
Raices que hacen que H(s) son aquellos a(s) = 0 , se denominan polos. Races que hacen que H(s) 0 son aquellos b(s) = 0 , se denominan ceros.
s = -1, s = -1/2
s = -2
Excepto las constantes multiplicadoras (2) los polos y los ceros proporcionan una completa descripcin de H(s).
Si atacamos H(s) por una entrada impulso, la respuesta temporal ser la F-1(s) de H(s), estaremos ante la respuesta natural del sistema. Si hacemos la expansin en fracciones parciales:
H ( s) =
2s + 1 3 1 + = 2 s + 3s + 2 s + 1 s + 2 h ( t ) = e t + 3e 2 t b 0
h(t) = 0
2s + 1
t<0
Sus componentes de la respuesta temporal est determinada por los polos s = -1 y s = -2 , mientras que los ceros influencian los factores multiplicadores de cada componente. Para el ejemplo: Los polos son: s = -1 j2
H ( s) =
s 2 + 2s + 5
Siendo la respuesta temporal
h( t ) = A e t cos( 2t )
En general:
Polos de 1er orden:
s = -a
e-at
Par de polos complejos:
s = j e-t cos(t+)
La parte real del polo en cualquier caso si es positiva supone una respuesta natural que crece y podemos aventurar que el sistema es inestable. Si la parte real es negativa la respuesta natural decae y el sistema ser estable. Si la parte real es cero tendremos en la frontera una inestabilidad. Un sistema lineal invariante en el tiempo es estable si:
Todos los polos de su funcin de transferencia tienen parte real negativa. Su respuesta impulsorial tiende a cero Ante una entrada acotada responde una salida acotada.
11.12.1
Criterio de ROUTH-HURWITZ.
Ejemplo 1.
2s + 1 s + 2 s + 3s 2 + 4 s + 1
4 3
s4 s3 s2 s1 s0
1 2 1 2 1
3 1 4 0 1 0 0
Como todos los elementos de la 1 columna son positivos Sistema Estable. Ejemplo 2.
2s + 1 s + s + s 2 + 4s + 1
4 3
s4 1 1 1 s3 1 4 s2 3 1 s 1 13 3 s0 1
En la 1 columna hay un n negativo sistema inestable. Hay dos cambios de signo, con lo que hay dos polos con parte real positiva. Ejemplo 3. Determinar los valores de k para que el sistema sea estable.
s 3 + 4 s 2 + 8s + k = 0
1 s3 2 4 s 1 s1 8 k 4 s0 k
8 k 0
Para que el sistema sea estable: 0 < k < 32
k>0, 8-1/4 > 0, 8 > K , 32>k
11.13
Sistemas de orden superior.
Cualquier sistema de orden superior se puede establecer por la siguiente funcin de transferencia. Nos encontramos con los ceros, los polos reales y los complejos conjugados genricos.
G ( s) = = K ( s z1 )( s z 2 )... ( s z m )
(1 p )(1 p )... (1 p )
1 2 n
Km j =1 ( s z j )
2 2 s ( qj = 1 ( s p j ) r k = 1 ( s + 2 k k s + k ) )
(67)
La respuesta al escaln unitario del sistema sera entonces:
c(t ) = A + B j e pjt + Bk e k t cos k 1 k2 t +

j =1 k =1
+ C k e k t sen k 1 k2 t ;(t 0)
k =1
Para que las exponenciales sean decrecientes, la parte real de los polos debe ser negativa, esto definira la estabilidad absoluta. Adems las races ms prximas al eje j se amortiguan ms lentamente en el periodo transitorio que las ms alejadas, por esto se llaman races dominantes. En muchos casos se puede simplificar el orden de un sistema despreciando las races menos dominantes.
11.14
Rgimen permanente.
La medida de la respuesta de un sistema en rgimen permanente es el error estacionario, que se define como la diferencia entre las magnitudes de las variables de referencia y controlada, en instantes alejados del momento de variacin de la magnitud de referencia.
11.14.1
Coeficientes de error.
Sera deseable que este error fuese nulo, pero esto no podr cumplirse totalmente y existir en todo sistema de regulacin una desviacin entre el valor real de la variable controlada y el valor deseado para ella en rgimen permanente. Supongamos el diagrama de la figura siguiente, se podr decir que el error es :
R( s)
E(s) G (s)
C( s)
R'(s)
H (s)
E ( s ) = R ( s ) C ( s ) H ( s); E ( s) C ( s) H ( s) = 1 ; R ( s) R ( s) E ( s) G ( s) H ( s) = 1 ; R ( s) 1 + G ( s) H ( s) E ( s) 1 = ; R ( s) 1 + G ( s) H ( s)
Figura 1 Sistema realimentado As segn esta definicin y aplicando el teorema del valor final:
e ss = lim e ( t ) = lim E ( s ) = lim
t s 0 s 0
sR (s) 1 + G ( s ) H ( s ) ( 1)
Entradas Escaln
1 R (s) = s
e s s = li m
s 1 = s 0 1 + G ( s) H ( s) s 1 = 1 + l im G ( s ) H ( s )
s 0
Coeficientes estticos de error. De Posicin: K p = lim G ( s ) H ( s )

s 0
Rampa
1 R ( s) = 2 s
e s s = lim
s 1 2 = s 0 1 + G ( s ) H ( s ) s 1 = lim s G ( s ) H ( s )
s 0
De velocidad :
s 0
K v = lim s G ( s ) H ( s )
Parbola
1 R ( s) = 3 s
e ss = lim
1 s 3 = s 0 1 + G ( s ) H ( s ) s 1 = 2 lim s G ( s ) H ( s )
s 0
De aceleracin :
K a = lim s 2 G ( s ) H ( s )
s 0
Para un sistema genrico ser:

1 1 1 1 + s 1 + s ... 1 + s z1 z2 zm 1 1 1 1 + s ... 1 + s s i 1 + s p1 p2 pn (2)
G ( s) H ( s) =
donde -z1,-z2,....-zn son los ceros de la fraccin en s y -p1,-p2,....-pn los polos de la misma. Con independencia del valor de los polos y los ceros, el tipo del sistema coincide con el n de polos en el origen, es decir slo depende del exponente i . As un sistema es de tipo 0 si i=0, si i=1 es de tipo 1, sucesivamente. Si atacamos con una seal genrica:
R ( s) = 1 s j + 1 ( 3)
El error estacionario ser :
e ss = lim
s 1 j +1 = s 0 1 + G ( s ) H ( s ) s 1 = j +1 lim s G ( s ) H ( s )
s 0
( 4) El coeficiente de error :
K
j
= lim s jG ( s ) H ( s )
s 0
( 5)
Si se tiene en cuenta la expresin general de la funcin de transferencia, la constante de error esttica, agrupando los ceros y los polos en G1(s), valdr:
1 G ( s ) = lim s s 0 si 1
= lim s j G ( s ) H ( s ) = lim s
s 0 s 0
ji
( 6)
En resumen:
Kj ess 0 K 1/K 0 Es obvio que los valores de los coeficientes estticos de error son nmeros de mrito, siendo el sistema tanto ms preciso cuanto mayores sean, ya que menores sern los errores estticos originados.
Ejemplo 1.-El Coeficiente de error de Posicin para el sistema definido ser:
i,j i<j i=j i>j
G ( s) =
2 ; H ( s) = 30 ( s + 3 ) ( s + 1 )( s + 4 ) 2 K p = lim 30 = 5 s 0 ( s + 3 )( s + 1 ) ( s + 4 ) 1 1 e ss = = 1+ 5 6
Ejemplo 2.-Los Coeficientes de error para el sistema definido ser:
G ( s) = K
p
Kv
5( s + 2 ) 2 ; H ( s) = ( s + 3 )( s + 1 ) s 5( s + 2 ) 2 = lim = s 0 ( s + 3 )( s + 1 ) s 5( s + 2 ) 2 20 = lim s = s 0 s ( s + 3 )( s + 1 ) 3
3( s + 2 ) 20 ; H ( s) = s ( s + 5 )( s + 1 )( S + 6 ) s+ 4 3( s + 2 ) 20 = lim = s 0 s ( s + 5 )( s + 1 )( S + 6 ) s+ 4 3( s + 2 ) 20 3 = lim s = s 0 s ( s + 5 )( s + 1 )( S + 6 ) s+ 4 2 3( s + 2 ) 20 = lim s 2 = 0 s 0 s ( s + 5 )( s + 1 )( S + 6 ) s+ 4
Ejemplo 3.-Los Coeficientes de error para el sistema definido ser:
G ( s) = K
p
Kv Ka
Por lo tanto si se supone una entrada de excitacin genrica como la siguiente, se podr obtener el error estacionario.
r (t ) = 3 + 2 t + 2 t 2 3 2 4 e ss = + + = 3 1+ 0 2
11.15
Dominio del tiempo y de la frecuencia.
La descripcin del comportamiento de un sistema en funcin del tiempo corresponde a la representacin en el dominio del tiempo. Si dicho sistema se alimenta con una variable de entrada
sinusoidal cualquiera, la descripcin de su comportamiento en funcin de la frecuencia corresponde a la representacin en el dominio de la frecuencia. As, la tensin que aparece en una inductancia L recorrida por una corriente, es:
u (t ) = L di ( t ) ( 7 ) dt
Si i(t) es la corriente alterna senoidal, la tensin ser: ) i ( t ) = I e jw t (8) ) u ( t ) = jw L I e jw t Si se represe la corriente en su notacin compleja, quedar:
) I = Ie
jw t
U = jw L I
t
(9)
Igualmente para un condensador:

u(t ) = u(t ) =
i ( t ) dt
0
j C 1 U = I j C
) ( 10 ) I e j t
Con lo que se puede decir:
Dominio del tiempo
d dt
j
dt
0
Dominio de la frecuencia
1 j
Para un elemento de retardo de primer orden, formado por un circuito RL:

u ( t ) = Ri ( t ) + L u(t ) R u(t ) R di ( t ) dt L di ( t ) ( 11 ) = i (t ) + R dt di ( t ) L = i (t ) + T =T dt R
Si se vuelve al plano fasorial:
) i ( t ) = I e jw t ) ) ) u(t ) = I e jw t + jw T I e jw t = I e jw t (1 + jw T ) ( 12 ) R U = I R (1 + jw T )
Se podr obtener la funcin de transferencia:
Funcin de transferencia I F ( j ) = = U 1 = R(1 + jwT )
Parte real, imaginaria

Re[ F( j)] = Im [ F( j)] =
Mdulo
1 R (1 + 2 T 2 )
Argumento
T R(1+2T2)
1 R(1+2T2)
( ) = arctg
Re[ F ( j )]
Im[ F ( j )]
= arctg(T ) = arctg(T )
A partir de estas ecuaciones se puede obtener el diagrama de Bode. Consiste en presentar las salidas que un sistema fsico continuo va a generar, en funcin de una entrada dependiente de la frecuencia f o w. Los diagramas del Bode constan de dos grficas: el mdulo o amplitud, que se calcula como 20log F ( j ) (dB), y la fase o argumento del sistema. A parte del reconocimiento de la respuesta ante una entrada determinada las diagramas de Bode son tiles en el clculo de la estabilidad de un sistema de control.
Ganancia dB
0 -10 -20 -30 -1 10 0 10 Frequencia (rad/seg)

0
10
Fase
-30 -60 -90 10

-1
10 Frecuencia (rad/seg)
10
Figura 2. Diagrama de Bode, ganancia y fase.
11.16
Respuesta en frecuencia.
En el apartado anterior se ha mostrado como se llega al clculo de la funcin de transferencia que caracteriza a un sistema. Mediante dicha funcin se puede conocer la respuesta del sistema ante diferentes entradas tipo. Un camino alternativo para el anlisis y diseo de sistemas es el mtodo de la respuesta en frecuencia. Definicin: La respuesta en frecuencia de un sistema se define como la respuesta del sistema en estado estacionario a una seal sinusoidal de entrada. Ventajas: Disponibilidad de seales de prueba sinusoidales para diversos intervalos de frecuencia y amplitud. Desventaja: El vnculo entre el dominio del tiempo y de la frecuencia.
F (s) = L{ f (t )} =
f (t ) e
0

st
dt
F ( j ) = F { f (t )} =
f (t ) e
jt
dt
Si f(t) t 0 los lmites inferiores coinciden . Las dos ecuaciones slo difieren en la variable compleja. Si Lf1(t) = F1(t) La transformada de Fourier ser haciendo S = j F f1(t) = F1(j)
11.16.1
Diagrama de bode
Vo(s) = R I(s)
Supnganse el circuito RC.
Z ( s) =
1 +R cs
Vj ( s) 1 +R cs
I ( s) =
Supongamos que RC =
V0 (s) R RCS = = 1 Vi (s) 1 + RCS +R cs V0 ( j ) jRC j = G ( j ) = = Vi ( j ) 1 + jRC j + 4

Amplitud
A( ) = G ( j ) =
j = 2 j + 4 + 16
4
Fase
( ) = G ( j ) = 90 arctg
Si la entrada al sistema es vi(t) = 3cos(7t+30) , su salida es una sinusoide de la misma frecuencia 7 rad/s, pero con amplitud y fase diferente.
A( ) = 7 = 7 4
7 72 + 16
7 = 0,87 65
vo= 2,6 cos(7t+60)
( ) = 7 = 90 arctg = 90 60 = 30
En general para un sistema:
bm sm + bm 1sm1 + bm 2 sm 2 +...+b1s + bO G ( s) H ( s ) = an sn + an 1sn 1 + an 2 sn 2 +...+ a1s + aO

Su respuesta en alta frecuencia ser:
b lim G ( j )H ( j ) = m j m n m n am
Por ejemplo si
G ( s) H ( s) =
6s 3 + 2s 2 + 3s s 5 + 4s 4 + 2s 3 + s 2 + 10
6 G ( j ) 3 lim G ( j ) H ( j ) = 5 A( ) = G ( j ) H ( j ) ( j ) 2
( ) = G ( j )H ( j ) 180
Su respuesta en baja frecuencia ser:
3 3 j A( ) = G ( j )H ( j ) = 10 G ( j )H ( j ) 10 ( ) = G ( j )H ( j ) 90
En este apartado veremos la respuesta de los sistemas ante entradas peridicas para conocer su poder de amplificacin y de desfase con respecto a la entrada. Para ello veremos los factores bsicos que pueden presentarse.
11.16.2
Ganancia K
Si la ganancia es mayor que la unidad su magnitud en decibelios es positiva, correspondiendo los valores negativos a las inferiores a uno. El variar la ganancia en una funcin de transferencia slo significa desplazar sta hacia arriba o hacia abajo, sin influir en el argumento.
G ( s) = K G ( s ) = 20 log K = constante = arg K = 0
30 Ganancia dB 20 10 0 2 10 1 Fase
(K
> 0)
( 1)
10 Frequencia (rad/seg)
10
Figura 1 Respuesta en frecuencia de S ( s ) = K
11.16.3
Factores derivativos e integral.
Estos trminos se diferencian entre si por el signo de las pendientes y del argumento, que respectivamente tomarn valores mltiplos de 20 db/dcada y 900.
G (s) = =
( jw T ) n n arg ( w T ) =
G ( s ) = n 2 0 lo g w T
( 2)
n 90
100 Ganancia dB 50 0 -50 -1 10 91 Fase
10
10 10 Frequencia (rad/seg)
10
10
90
89 -1 10
10
10 10 Frecuencia (rad/seg)
10
10
Figura 2 Respuesta en frecuencia de S ( s ) = Ts Igualmente se pueden obtener las siguientes grficas del factor integral, donde hemos representado tambin las asntotas
20 Ganancia dB
-20 -1 10 -89 Fase
10 Frequencia (rad/seg)
10
-90
-91 -1 10
10 Frecuencia (rad/seg)
10
Figura 3 Respuesta en frecuencia de S ( s ) = 1
Ts
En estos trminos se denomina pulsacin de corte a la pulsacin de ganancia 0db, es decir, cuando la curva corta al eje de pulsaciones.
11.16.4
Factores de primer orden.
n (1 + j w T ) n 2 0 l o g (1 + j w T ) = n 2 0 l o g 1 + w T n 1+ jw T n 2 0 l o g (1 + j w T ) = n 2 0 l o g 1 +
0db si w T << 1 = n 2 0 l o g w T d b s i w T > >1

2
( 3)
(w T )
0d b si w T << 1 = n 2 0 l o g w T d b s i w T > >1
Figura 4 Respuesta en frecuencia de S ( s ) =
1 Ts + 1
Figura 5 Respuesta en frecuencia de S ( s ) = Ts + 1 La pulsacin de corte ser la interseccin entre las asntotas de ganancia 0db y de pendiente 20db/dc. En la curva real este punto corresponde al punto de ganancia 3db. El clculo del argumento ser:
n (1 + jw T ) n (1 + jw T ) wT = a rg 1
n
= n a rc tg w T
n
( 4)
1 = a rg wT
= n a rc tg w T
Como en el caso anterior, los trminos se diferencian entre s por el signo de las pendientes y del argumento, que respectivamente tomarn valores mltiplos de 20 db/dc. y 900. Como resumen, un polo establece en la ganancia una transicin negativa de pendiente de +1 a 0, de 0 a -1, de -1 a -2 o de -2 a -3. Asociado con un retraso de fase en cada caso de 90 por dcada. Los ceros por su lado causan una transicin positiva de pendiente de -1 a 0, de 0 a +1, de +1 a +2 o de +2 a +3. Asociado con un adelanto de fase en cada caso de 90 por dcada.
11.16.5
Factores cuadrticos.
2
jw jw 20 log 1 + 2 + wc wc
w 2 2 w = 20 log ( 5) 1 2 + w wc c
0 db si w << w c w 40 log w db si w>> w c c 0 db si w << w c = w 40 log w db si w>> w c c
2 jw jw 20 log 1 2 + + = wc wc 2 1 jw jw 20 log 1 + 2 + wc wc
( 6)
Al igual que en el caso anterior la representacin est formada por dos asntotas, una nula y otra de una pendiente de 40db/dc. La interseccin de ambas define la pulsacin de corte, en la curva real dicho pulsacin ser la que haga la ganancia igual a 3db. Los argumentos para estos trminos sern:
2 w 2 wc 1 + 2 jw + jw = arctg 2 wc wc w 1 ( 7) wc 2 w 2 1 jw jw wc 1 + 2 + = arctg 2 wc wc w 1 wc
Las asntotas son independientes del valor de pero la curva real tiene una forma distinta en los puntos prximos a =c debido a los diferentes valores que puede tomar el factor de amortiguamiento. Para 0<<0.7 existe un mximo de ganancia a la pulsacin de valor = c 1 2 2 . A dicho valor mximo se le denomina pico de resonancia. Dicho valor es:
w 2 2 w 20 log 1 2 + wc wc
= 20 log 2 1 2 ( 8)
w = wc 1 2 2
Para valores >0.7 no existe pico de resonancia
20 Ganancia dB 0 -20 -40 -1 10 0 Fase 0.9
0.1 0.3 0.9
10 Frequencia (rad/seg) 0.1 0.3
10
-90
-180 10
-1
10 Frecuencia (rad/seg) w/wn

2
10
Figura 6 Respuesta en frecuencia de s
n2 + 2 n s + n2
En los diagramas de Bode se suelen definir los siguientes conceptos: el margen de ganancia (margen entre 0db y la ganancia a la frecuencia en que la fase es de -1800) y el margen de fase (margen entre la fase de la frecuencia de ganancia 0db y -1800).
11.17
Respuesta en frecuencia en los amplificadores.
CC ,C E ;AV (s) =
h fe(RC||R L )(RB||hie ) V L(s) =VS (s) 1 hie RS + C s + R B||hie S
v L = h feib(RC||R L ) v L (RB||hie ) 1 + R B||hie RS + CS s h fe(RC||R L ) AV (s) = 1 hieib hie RS + C s + RB||hie S = hieib v S = RB||hie
vb =
R B hie CS s h fe(RC||R L )RB C S s h fe(RC||R L )RB RB + hie CS s = = (RS + RB||hie )C S s + 1 (RB||hie )(1 + (RS + RB||hie )C S s ) 1 + s(RS + R B||hie ) R B||hie R B||hie RS + R B||hie j j +
h fe(RC||R L )RB AV (j) = 1
(RS + RB||hie )C S
Operando con Avm:

Avm = h fe (RC||R L )R B R B hie (R B + hie ) RS + R + h B ie = h fe R B (RC||R L )(R B + hie ) R B (RC||R L ) = h fe (RS R B + (RS + R B )hie ) (R B + hie )(RS (R B + hie ) + R B hie )
Ganancia a frecuencias medias Esta expresin (puede comprobarse) coincide con la ganancia en tensin sin considerar CS, es decir, haciendo CS =inf. La representacin de
CS =
1 1 = T (RS + R B || hie )C S
20 log V L ( j ) V S ( j )
tiene un cero en el origen y un polo en
Clculo de la ganancia a frecuencias medias:
v L = hfe i b (R c || R L ) i b hie = v s (R b || hie ) R s + (R b || hie ) hfe (R c || R L ) R b hie R b + hie hfe R b (R c || R L ) = (R s + (R b || hie ))(R b + hie ) hie (R s + (R b || hie ))
v L hfe (R b || hie )(R c || R L ) = = vs hie (R s + (R b || hie ))
CE
Cs Cc
Z E = R E ||
1 CE s
En ambos circuitos (equivalentes) se conserva la tensin en VB I.
VB = hie i b + Z E i b (hfe + 1) II . VB = hie (1 + hfe )i b + Z E i b (1 + hfe ) 1 + hie
Se conecta el resto del circuito:
Equivalente Thevenin: Quedara finalmente:
Av =
v L vL ic v i = L e vs ic vs ie vs
vL = R c || R L ie ie = v s RB R B + RS R' B 1 + hfe 1 hie + + ZE 1 + hfe ie vs
R ' B = R B || R S RE CE s RE 1 Z E = R E || = = CE s RE CE s + 1 1 + RE CE s CE s
RB Rs + RB 1 (RC || R L ) hie + + ZE 1 + hfe
AV =
R'B 1 + hfe
llamando:
K= A= B=
RB (RC || R L ) Rs + RB R' B 1 + hfe hie 1 + hfe

1 A+B+ RE 1 + RE CE s = k 1 + RE CE s 1 + RE CE s = k = ( A + B )(1 + R E C E s ) + R E D + R E + DR E C E s 123
D
AV = k
1 + RE CE s k DR E C E s D + RE 1+ D + RE DR E C E D + RE
llamamos : T1 =
AV =
k 1 + RE CE s D + R E 1 + t 1s 1 4 2 4 3
AV Bajas
Cero simple en : c1 = Polo simple en: c 2 =
1 RE CE
1 T1
C1 << c 2
AV = AVb
1 + j / c1 1 + j / c 2
d = A+B =
hie R 'B + 1 + hfe 1 + hfe
R 'B +hie R E CE (R 'B +hie )RECE 1 + hfe T1 = = R 'B + hie R 'B +hie + RE (1 + hfe ) + RE 1 + hfe
c 2 =
1 R 'B + hie + RE (1 + hfe ) = (R 'B +hie )RECE T1
Veamos la ganancia a frecuencias bajas: RB RS + R B R B (R c || R L ) k = = = AVbajas = R ' B + hie D + RE R R 1 S B + R E (R + R ) + hie + RE S B 1 + hfe 1 + hfe R S + R B R B (R c || R L ) R B (R c || R L )(1 + hfe ) = = = R S R B hie (R S + R B ) R S R B + hie (R S + R B ) + R E (R S + R B )(1 + hfe ) + + R E (R S + R B ) 1 + hfe 1 + hfe = R B (1 + hfe )(R E || R L ) R S R B + (R S + R B )[hie + (1 + hfe )R E ]
A frecuencias medias CE = 0 R B (hfe + 1)(RC || R L ) R S R B + (R S + R B )hie
AVmedias =
CC
Como el primer caso: Av = AVm j j + 1 CC (R C + R L )
Cuya frecuencia de corte es:
c =
1 CC ( RC + R L )
EFECTOS COMBINADOS:
j Av = AVm j + Cs j + C1 j j + j + C 2 Cc
11.17.1
Ejemplo 1.
Dibujar el diagrama de Bode del amplificador de la figura siguiente, suponiendo que la resistencia en la fuente es cero.
Solucin.
RB = R1 || R2 =
20k 2.2k 44k = = 1.98 k 20k + 2.2k 22.2k
Calculemos la ganancia a f. Medias: VL = - hfeib(Rc||RL) ib =
VS (hie + (hfe + 1) RE
R || R2 V L hfe ( RC || R L ) 500 C = = 4 = hie VS hie + (hfe + 1) R E 9.8 + 100 + RE hfe

RC||RL = 500 Impedancia de entrada. Frecuencia de corte CS. Ren = RB || (hie+(hfe+1)RE) = 1.98K || (1.96K + (200+1)100) = 1.82 k
CS =CS Ren = 50 10-6 1.82k = 0.091 s

WCS = 1/CS = 11 rad/s Frecuencia de corte de CC.
Cc = CC (RC + RL) = 5 10-6 2k = 0.01 s

WCc = 1/Cc = 100 rad/s Av = Avm
jw jw ( jw) 2 = Avm ( jw + Wcs )( j `w + wcc ) ( jw + 11)( jw + 100)
Wcs = 11 rad/s Wcc = 100 rad/s
11.17.2
Ejemplo 2.
CE = 20F R1 = 40 k CC = 1F R2 = 10 k RE = 2 k RC = 4 k
Determinar la frecuencia inferior de corte para una amplificador E.C. sabiendo que : CS = 10F RS = 1k RL = 2.2 k
= 100 r0 =
VCC = 20 V
Dibuje su respuesta en frecuencia.
Solucin.
Ganancia f. medias
hfe RB ( RC || RL ) 100 8k 1.41k 1.128 109 Avm= = = = 50.8 51 1k 8k + (1 + 8)k 1.576k 2.22 107 RS RB + ( RS + RB )hie
40k 10k = 8k 50k
Ren = RB || hie 1.32 k fcs =
RC || RL =
CS
1 1 = = 6.96 Hz 2 ( Rs + Ren )C s 2 (1k + 1.32k ) 10 10 6
CC fCC = CE fc1 = fc2
1 1 = = 25.68Hz 2 ( RC + RL )C C 2 (4k + 2.2k )10 6 1 1 = = 3.97 Hz 2RE C E 2 2k 20 10 6

R B + hie + R E (1 + hfe) = 330 Hz 2 ( R B + hie) RE C E
Captulo 12
REALIMENTACIN Y ESTABILIDAD.
En todo sistema de control se distinguen dos partes fundamentales: la entrada o estmulo y la salida o respuesta. Existen modelos de control con varias entradas y salidas; mientras que es posible que u sistema tenga entradas no definidas introducidas por agentes externos. De otro lado, segn la naturaleza del control se pueden distinguir dos tipos de sistemas: sistemas de control en lazo abierto y en lazo cerrado. En el primer caso la accin de control es independiente de la salida, mientras que el segundo sta influye de alguna forma en la salida.
12.1 Generalidades.
El sistema de control en lazo abierto genera menos problemas de estabilidad y los criterios de diseo necesarios para hacer el sistema estable son mucho ms sencillos. Adems no requieren las seales de realimentacin tan precisas de los sistemas en lazo cerrado. Sin embargo, el control en lazo cerrado presenta otras ventajas. Al depender la seal de referencia de la salida, la respuesta del sistema es ms sensible a variaciones de los parmetros y se atenan los efectos de los ruidos y las distorsiones.
Regulador Planta
Figura 1. Sistema regulado en lazo abierto. La funcin de transferencia del sistema en lazo cerrado es: C(s)/R(s)=G(s)/(1+G(s)H(s)). A la ecuacin 1+G(S)H(S) = 0 se la denomina ecuacin caracterstica del sistema y sus races determinan la respuesta transitoria del sistema en lazo abierto.
R(s) + E(s) G(s) Regulador+Planta R'(s) H(s) C(s)
Transductor
Figura 2. Sistema regulado en lazo cerrado Usualmente en el interior del bloque contiene la descripcin o el smbolo de la operacin matemtica que se va a efectuar sobre la entrada para producir la salida, las flechas representan la
direccin de la informacin o flujo de la seal. De otro lado, las operaciones de adicin y substraccin tienen una representacin especial: se representa con un crculo al que se le aaden a las flechas que entran en el crculo su correspondiente signo + -.En general el diagrama de bloques representa un sistema de una nica entrada y una nica salida, en el dominio de la transformada de Laplace. La seal de entrada es R(S), la salida C(S), la seal de realimentacin R(S) y la seal de error es E(S). La funcin de transferencia del sistema es G(S) y la funcin de transferencia de la realimentacin H(S).Esto significa que el lazo de realimentacin se considera abierto a su entrada. La realimentacin es la propiedad de los sistemas de control en lazo cerrado que permite que la salida (o alguna variable controlada) se compare con la entrada del sistema (o una entrada de algn otro componente o subsistema) de tal forma que la accin de control apropiada se puede formar como alguna funcin de la entrada y la salida. Por ltimo, las seales de un sistema de control son funciones de alguna variable independiente, generalmente el tiempo. Bajo este punto de vista se distinguen entre sistemas de control continuos o discretos. El primer caso las seales del sistemas sern dependientes en todo momento de la variable independiente t; la seal se denomina continua o analgica. Los sistemas de control discretos poseen seales de inters slo en instantes determinados de la variable independiente t; tales seales se denominan discretas en el tiempo, de datos discretos, de datos muestreados o digital. Existen tambin sistemas hbridos de ambos sistemas de control
12.2 Clasificacin de los amplificadores.

La clasificacin que aqu hacemos se basa en el valor de las impedancias de entrada y salida del amplificador en relacin con las impedancias de la fuente y de la carga respectivamente. Se distinguen cuatro tipos: Amplificador de tensin Amplificador de corriente Amplificador de transconductancia Amplificador de transresistencia.
12.2.1 Amplificador de tensin.

El amplificador se representa por el circuito equivalente de Thevenin de un cuadripolo. Dar una tensin de salida proporcional a la tensin de entrada y el valor del factor de proporcionalidad es independiente de la resistencia de la fuente y de la carga. Debe cumplir que Ri >> Rs , R0<<RL por lo tanto se cumple que vVi V0 vVs y la ganancia en tensin en lazo abierto es
v =
Si el sistema fuera ideal se cumplira que
V0 Vi
Ri = R0 = 0
Captulo 12. Realimentacin y estabilidad. 3
Rs
R0
+ Vs Vi
+ Ri -
+ RL Av Vi
V0 -
Figura 12.1.1
12.2.2 Amplificador de corriente.

Se representa por el equivalente Norton de un cuadripolo.
I 0 =I L Ii
IS
Rs
Ri
R0
RL
Ai
Ii
Figura 12.1.2
En este caso se debe cumplir que R0 >> RL , Ri<<Rs. En el caso de que fuera ideal se dara que R i = 0 y R0 = . Vemos que con las condiciones anteriores se cumple que:
I L Ai I i Ai I s
Es decir, aumenta la salida principal a la corriente de la seal (fuente).
12.2.3 Amplificadores de transconductancia.

Se representan por el equivalente Thevenin en la entrada del cuadripolo y el equivalente Norton a la salida.
RS I 0 =I L
+ VS Vi Ri R0 RL
GmV i
Figura 12.1.3
R0 = .
En este caso se debe cumplir que R0 >> RL y Ri >> Rs. si fuera ideal se cumplira que Ri = y La conductancia viene dada por Gm =
I0 con RL = 0 (caso de cortocircuito). Vi
Con las condiciones anteriores se cumple que:
I L = I 0 GmVi GmVs
Luego la corriente de salida es proporcional a la tensin de la fuente.
12.2.4 Amplificador de transresistencia.

Ii
+ IS RS Ri
R0
RL R m Ii
V0
Figura 12.1.4
Se representa por el equivalente Norton en la entrada y el equivalente Thevenin en la salida. En el caso ideal se dara que Ri = 0 y R0 = 0. Y adems el valor de Rm viene dado por Rm =
VL con RL= (circuito abierto). Ii
Con las condiciones anteriores vemos que se cumple que:
VL = V0 Rm I i Rm I s
Y vemos que la tensin de salida es proporcional a la corriente de la fuente. En el siguiente cuadro se resume lo anterior para amplificadores ideales.
PARMETRO Ri R0 Transferencia Circuito entrada Circuito salida TENSIN 0 V0 = AV Vs Thevenin Thevenin CORRIENTE 0 IL = Ai Is Norton Norton TRANSCONDUCTANCIA IL = Gm Vs Thevenin Norton TRANSRESISTENCIA 0 0 V0 = Rm Is Norton Thevenin
Debe observarse que el hecho de que para cada amplificador (por ejemplo el de tensin ) se utilice el equivalente Thevenin, no significa que los generadores no puedan por ejemplo pasarse a corriente como ya sabemos. Sin embargo, esto no afectar a las caractersticas del amplificador (Ri y R0 en relacin a Rs y RL ). Slo sucede que las representaciones utilizadas son las adecuadas a cada tipo.
12.3 Concepto de Realimentacin.

Este concepto ya lo comentamos al poner algunos ejemplos en el tema anterior. Bsicamente la realimentacin consiste en tomar una muestra de la seal de salida y aplicarla a la entrada previo paso por el bloque de realimentacin. En la figura siguiente se muestra un esquema general de un amplificador con realimentacin.
Ii I I 0 =I L
Fuente de seal
Red comparadora o mezcladora
+ V if -
Amplificador bsico Trans. directa A
+ V if -
Red de muestreo
+ V0 f -
Carga
If
+ Vf -
Red de realimentacin Trans. inversa
AMPLIFICADOR REALIMENTADO
Figura 12.2
12.3.1 Realimentacin de tensin en serie.

+ VS + Vi RL + V0 -
+ V 0= V f -
V0
Figura 12.2.1
La ganancia viene dada por: =
Vo V f = o . Como conocemos que Vs = Vi + V f y Vi Vs
adems se cumple que
V Vi = 0 A entonces vemos que la ganancia tiene por expresin: V f = V0
Af =
V0 V0 V0 A = = = Vs V f + Vi V0 1 + A + V0 A Af = A 1 + A
12.3.2 Realimentacin de tensin en paralelo.

Ii +
IS
A=V 0 /I i
-
V0
RL
I f= V 0
+ V 0= V f -
V0
Figura 12.2.2
La ganancia en este caso viene dada por: =
Vo Ii
f =
Vo . Se ve que I s = I i + I f Is
V Ii = 0 y se cumple que A entonces: I = V0 f
Af =
V0 V0 V0 A = = = I s I f + I i V0 1 + A + V0 A Af = A 1 + A
12.3.3 Realimentacin de corriente en serie.

I0= L
Vi
A= I 0 /V i
RL
=V f /I 0
Figura 12.2.3
La ganancia viene dada por: f =
Io . Como conocemos que Vs = Vi + V f Vs
y adems se
I Vi = 0 cumple que A entonces vemos que: V = I0 f
Af =
I0 I0 I0 A = = = I0 Vs V f + Vi 1 + A + I 0 A Af = A 1 + A
El valor de A es el definido por la transconductancia.
12.3.4 Realimentacin de corriente en paralelo.

Ii I 0 =I L
IS
A=I 0/I i
RL
If
=I f/I 0
Figura 12.2.4 En este caso : f =
Io . Con Is
I s = Ii + I f
y de nuevo se cumple que
entonces vemos que la ganancia tiene por expresin:
I Ii = 0 A I I0 = f
Af =
I0 I0 I0 A = = = I0 Is I f + Ii 1 + A + I 0 A Af = A 1 + A
El valor de A viene definido por el amplificador de corriente.
12.4 IMPEDANCIA DE ENTRADA CON REALIMENTACIN.
12.4.1 Realimentacin en serie.

Ii
R0 R if Vi Ri AV i V0 RL
Vf
=V f /V 0
Figura 12.3.1
La impedancia de entrada viene dada por
Vi + V f = Vs entonces
Vs . Como nosotros conocemos que Ii Vi + V f = Vs = I i Ri + V0 = I i Ri + I i Ri = (1 + )I i Ri por lo if = Z if = Vs = Ri (1 + ) Z if = Ri (1 + ) Ii
tanto el cociente viene dado por
12.4.2 Realimentacin en paralelo.

Ii + R0 IS AI i V0 RL
I f = V 0
=I f /V 0
Figura 12.3.2
Vi . Como nosotros conocemos que Ii + I f = I s entonces Is V Ri V V V V I i + I f = I s = i + V0 = i + i = (1 + ) i por lo tanto Z if = i = R Ri Ri Ri I s 1 +
if =
Z if =
Ri 1 +
12.5 IMPEDANCIA DE SALIDA CON REALIMENTACIN.
12.5.1 Realimentacin de tensin.

I
R0 Vi Ri AV i V0 RL
Vf
=V f/V 0
Figura 12.4.1
Para poder obtener el valor de al impedancia de salida hacemos Vs = 0 por lo que nos queda la relacin siguiente:
Vi = V f = V0 .
La
expresin
de
la
impedancia
es
Z0 f =
V0 . I
Como
V0 = IR0 + AVi = IR0 AV0
Z0 f =
V0 R0 = I 1 + A Z0 f = R0 1 + A
12.5.2 Realimentacin de corriente.

I I0
VS
Vi
Ri
AV i
R0
RL
Vf
=V f/I 0
Figura 12.4.2 Haciendo la tensin de entrada igual a cero , como antes, y considerando que Vi = V f = I 0 = I tenemos que la impedancia de salida viene dada por:
Z0 f =
V V V V donde I = AVi = AI y de aqu sacamos que I (1 + A ) = R0 R0 I R0 Z 0 f = R0 (1 + A )
12.6 EFECTO DE LA REALIMENTACIN SOBRE EL ANCHO DE BANDA.

Hasta ahora nosotros hemos visto que se cumple que A f = Si nosotros
A . 1 + A
lo que tenemos es un amplificador operacional se cumplir que
1 A f =
A 1 = , es decir que slo depende de la red pasiva. A

A0 1 + jwT
donde A0 es la ganancia en frecuencias
Si por otro lado sabemos que A( jw) = medias y 1/T es la frecuencia de corte, entonces 0
De aqu podemos deducir que al ganancia en frecuencia s medias A0f se ha reducido en
1 y la frecuencia de corte es wc1 = 1 / T1 que desplaza a la antigua wc (1 + A0 ) . 1 + A0

Se cumple entonces que A0 f wc1 = A0 w0 de banda.
A0 f A0 donde se ve incrementado el ancho wc1 wc
12.7 DESENSITIVACIN.
La sensitividad de una funcin de transferencia Af respecto a un parmetro x se define como:
dA f ( jw) Sx f =
A
A f ( jw) x
dx
A f ( jw)
dA f ( jw) dx
en general la ganancia en lazo abierto A(w)
vara en funcin de al temperatura y dispersin de los dispositivos semiconductores. El amplificador realimentado apenas las detecta.
Af =
A
A 1 + A
como
dA f dA
(1 + A ) A (1 + A )2
1 (1 + A )2
sustituyendo nos queda que
Sx f =
A dA f A(1 + A ) 1 1 = = 2 A f dA A (1 + A ) 1 + A
12.7.1 Ejemplo 12.5.1.

Si A = 100, = 1 entonces A f =
100 = 0.990 . 101 200 = 0.995 . 201
Si aumentamos A = 200, = 1 entonces A f =
Ante un salto en la linealidad Af es prcticamente lineal.
12.8 Circuitos prcticos de realimentacin 12.8.1 Amplificador operacional

+ Vi VS V0
R1
Vf
R2
R2 R1 + R2
Si A =100.000 y R1= 1,8k, R2= 200,
R2 200 = = 0,1 R1 + R2 200 + 1800 A 100.000 100.000 = = = 9,999 1 + A 1 + 0,1100.000 10.001 Af
Realimentacin de tensin en serie:
Af =
Como A>>1 entonces:
1 1 = = 10 0,1
12.8.2 Seguidor de tensin
RB
RC
V0 VS Vf RE
A=
V0 R ib = E = Vi Vi Vf V0 =1
RE
Vi hie = R E Vi hie
Realimentacin de tensin en serie
hie re ib Vf=0 RB V0 RE RC V0 RB Vi hie
RE RE A Af = = hie = 1 RE >> hie RE hie + RE 1 + A 1+ hie

12.8.3 Emisor comn.
V cc
RB
RC
C + Vi VS Vf RE I0
V0
A=
I0 ib = = Vi hieib hie Vf I0 = I 0 RE = RE I0
=
Realimentacin de corriente en serie
I0 S i n R e a li m e n t a c i n
Ib
hie re RC
VS
RB
ib
V0
C o n R e a l i m e n ta c i n
RE
A Af = = 1 + A Z i = RB || hie hie Z 0 = RC
hie = 1 re + RE 1+ RE hie
RE Z if = Z i (1 + A) re 1 + r = re + RE = (re + RE ) e RE Z 0 f = Z 0 (1 + A) = RC 1 + r e 12.8.4 Amplificador operacional ideal

R0
If R1 Vi -
Ii +
V0
A=
V0 = Ii If V0 = If I f R0 = 1 R0
=
Realimentacin de tensin en paralelo
Af =
A 1 = = R0 1 + A
Si buscamos:
Avf =
V0 I i R 1 = 0 , que es lo mas usual. = ( R0 ) I i Vi R1 R1
12.9 DIAGRAMAS POLARES. 12.9.1 Factores integral y derivativo G ( jw) = ( jw)

G ( jw) = ( jw)
1
1 1
Vamos a estudiar cada uno de estos factores mediante los diagramas polares.
G ( jw) = ( jw) =
1 1 1 = j = ( 90 ponindolo en mdulo y argumento. jw w w
Vamos a estudiar su valor en dos casos importantes: * w = 0 G ( jw) = * w = G ( jw) = 0 Su diagrama polar es en el eje imaginario negativo:
Im
1/ j
Re
Figura 12.7.1.1
G ( jw) = jw
G ( jw) = jw = w | 90
De nuevo volvemos a estudiar los dos casos significativos: * w = 0 G ( jw) = 0 * w = G ( jw) =
Im
=0
Re
Figura 12.7.1.2
12.9.2 Factores de primer orden (1 + jwT ) .

1
G ( jw) = (1 + jwT )
G ( jw) = (1 + jwT ) =
1
1 1 1 jwT = | arctg ( wT ) = 2 2 1 + jwT 1 + w 2T 2 1+ w T 1

2 2 2
G ( jw) =
(1 + w T ) (1 + w T )
2
w 2T 2
2 2
| arctg ( wT )
* w = 0 G ( jw) = 1 | 0 * w = G ( jw) = 0 | 90 *w = 1
G ( jw) = 1
| 45
Im
1/2 |
=0 Re
=1/
Figura 12.7.2.1
G ( jw) = 1 + jwT
G ( jw) = 1 + jwT = 1 + w 2T 2 | arctgwT

* w = 0 G ( jw) = 1 | 0 * w = G ( jw) = | 90
Im
=0 1 Re
=1/
Figura 12.7.2.2
12.9.3 Factores cuadrticos.

En este caso vemos que se cumple que:
1
w G ( jw) = 1 + 2 jw n G ( jw) = 1
w + j wn
w w 1 + 2 jw + jw n n w 1 w n w 1 w n
2 2
= 1
1 2w w + j 2 wn wn
2
G ( jw) =
2w + w n
2w wn
w 1 w n
2
2w 2 + w n
y el mdulo viene dado por:
G ( jw) =
1
2 1 w + 2w 2 w wn n 2
lim w0 G ( jw) = 1 j 0 = 1 | 0 lim w G ( jw) = 0 | 180

Podemos concluir que no depende de . El corte con el eje imaginario es
1 ww n w 1 w n
2 2
2 + 2 w wn
= 0 w = wn
y este punto y es igual a:
2 y w= w =
n
w wn
2
w 1 w n
+ 2 w w n
2 1 = 4 2 2
w = wn
Im
1 n
=0 Re
aumenta
Figura 12.7.3.1
12.10
CRITERIO DE ESTABILIDAD DE NYQUIST.
Cuando un sistema es atacado por una entrada senoidal, la salida ser senoidal de igual frecuencia angular pero con diferente amplitud y con diferencia de fase. El mtodo de Nyquist establece que: Un sistema da lazo cerrado es inestable ante una entrada senoidal cuando en lazo abierto para un retraso de fase de 180,la ganancia es mayor que 1. Esto es, si el sistema ocasiona un cambio de fase de 180, la seal de realimentacin estar en fase con la entrada y se sumar a ella en lugar de restarse. Si la amplitud es menor que la entrada, podemos alcanzar el rgimen permanente, pero si es mayor que la entrada, al pasar a travs del sistema continuar creciendo.
Im
Inestable
(1 ,j )
=180
Re
Estable
Figura 12.8
12.10.1
Margen de ganancia.
Es el factor en que puede incrementarse la ganancia antes de que ocurra la inestabilidad.
1 = MG G ( jw) =180
En decibelios:
MG = 20 log 1 20 log G ( jw) =180

Cuanto ms negativo, ms estable es. Si la curva nunca corta al eje de abcisas el MG =, mientras que si la curva corta al eje de abcisas antes que 1 el MG es positivo , cuando rodea al punto (-1 + j0) ser negativo o puede ser 0.
12.10.2
Margen de fase.
G ( jw) = 1
Es el ngulo que hay que girar para que la magnitud alcance el punto (-1 + j0), o sea, que
| G(j )| =1 80 MG
1=| G(j )|
Figura 12.8.2
12.11
Osciladores
vi +v f
+ +
vi
v0
vf
Figura 12.9.a
v0 = A(vi + v f ) = A(vi + v0 )
v0 (1 A) = Avi A f =
v0 A = vi 1 A
Queremos que v0 0 siendo vi = 0 , de forma que obtenemos: 1 A = 0
Re( A ) = 1 A = 1 Im( A ) = 0
Si A no es reactivo, entonces:
1 Re( ( jw0 )) = A Im( ( jw0 )) = 0

Esta condicin se conoce como criterio de Barkhausen, y es suficiente para que se produzcan oscilaciones autosostenidas, aunque lo que realidad sucede es que:
Re( A ) > 1
El sistema empieza a oscilar amplificando la tensin de ruido que siempre est presente.
Figura 12.9.b
RLC E V0 E V0 1 1 I = = 2 V0 = idt R 1 L S + 2wn S + wn C L S 2 + S + L CL

... donde
i (t ) =
R C , y wn = 2 L wn 1
2
1 LC
E V0 1 L wn
e wnt sen wn 1 2 t
12.11.1
Oscilador senoidal
V amp V0
R0 + Z1 AvV 13 Z1
Z3
Z3
Z2
Z2
V=0
v amp
v0
Av
-
Z L /(R 0 +Z L )
Z 2 /(Z 1 +Z 2 )
Figura 12.9.c
A=
Av Z 2 R0 + Z L Z2 Z1 + Z 2
Z1 Z2 Z3 Colpitts C C L Hartley L L C Se puede utilizar tambin etapas con BJT o FET.
12.11.2
Z1 =
1 SC1
Oscilador Colpitts
Z2 =
1 SC 2
Z 3 = SL
1 1 SC + SC 2 SL SL 1 SC + SC S 2 C1C 2 L(SC1 + SC 2 ) LS 2 ZL = 1 = = = 2 2 1 1 C1C 2 SC1 + SC 2 + SL S C1C 2 C1 + C 2 + S LC1C 2 2 SL + + S L +1 SC1 SC 2 C1 + C 2 S 2 C1C 2
ZL =
LS S LC eq + 1
2
Ceq =
C1C 2 C1 + C 2
1 1 Z2 SC 2 SC 2 SC1 C1 = = = = = 1 1 SC1 + SC 2 SC1 + SC 2 C1 + C 2 Z1 + Z 2 + SC1 SC 2 S 2 C1C 2 LS LS S LC eq + 1 Av Z L R0 = Av A= = Av LS LS Z L + R0 S 2 LC eq + + R0 +1 2 R0 S LC eq + 1

2
A = Av
C1 AL LS C1 + C 2 2 S LC eq + +1 R0
LS R0
en donde AL es la ganancia del lazo.
En este circuito existe un amortiguamiento debido a la parte negativa de los polos, por lo tanto, si se aade R+ de manera que aumente R0 y L
R0
0 , entonces:
LS R0 C1 AL = 2 C1 + C 2 S LC eq + 1 Av
f oscilacin =
1 2 LC eq
Se utiliza en los sintonizadores no electrnicos de televisin, donde los condensadores son fijos y variamos L para sintonizar cada emisora.
12.11.3
Oscilador en puente de Wien.
Fig.5.3: Puente de Wien para medida de frecuencias.
1
R4 R3
R2 R1 C2
2
Fig.5.4: Generador senoidal en puente de Wien.
Se desconecta P y se aplica V0| entre los puntos 3 y 4.
V0 AvVi = | = Av V0| V0 = Vi V2 V1 V2 V1 Z2 R4 = = | | = | | V0 V0 V0 V0 Z 1 + Z 2 R3 + R4 R CS Z2 = Z1 + Z 2 R+ R+ 1 CS R CS R+ 1 CS = 1 1 R + CS 1+ R CS
2
1 + CS
V0
3
V' 0 C1
1 RCS + 3 + 1 RCS
Sustituyendo S=j, obtengo:
Z2 = Z1 + Z 2
1 jwRC + 3 + 1 jwRC
1
w w0 3 + j w w 0
, con w0
1 RC
De esta forma obtengo:
1
w w0 3 + j w w 0
Figura 12.9.2.1
R4 R3 + R4
Af =
Re( A ( jw)) = 1 A 1 A = 0 1 A Im( A ( jw)) = 0
Si A es no reactivo, entonces:
Re( ( jw)) = R3 >2 R4
1 R4 1 A 3 R3 + R4
1 R4 R4 1 1 1 = A R +R = 3 A R +R < 3 3 4 3 4
R3 debe ser algo superior a 2R4 para que se autodispare el oscilador.
Im( ( jw)) = 0 Im 3 +
1 =0 w w0 j w w 0
w = w0
El circuito final se presenta en la figura siguiente donde los diodos llevan a cabo el control automtico de la ganancia. Si la tensin de salida aumenta, la resistencia del diodo que est conduciendo disminuye por incrementarse la corriente instantnea que circula por l. En consecuencia, el factor de realimentacin negativa disminuye y la ganancia toma un valor inferior a 3, amortiguando la amplitud de la oscilacin. En la situacin contraria (si disminuye la salida) la resistencia del diodo aumentar y la ganancia sobrepasar el valor de 3, provocando en la salida oscilaciones de amplitud creciente.
Fig.5.5: Generador senoidal prctico.
Por ltimo haremos algunas consideraciones de orden prctico. Segn la expresin anterior el ajuste de la frecuencia de oscilacin puede hacerse a travs de R o de C. Normalmente es preferible variar las dos resistencias R de forma continua e idntica mediante un potencimetro doble. La variacin de C debe hacerse con valores discretos dentro de los disponibles en el comercio, evitando utilizar condensadores electrolticos. Es habitual la colocacin de un BUFFER a la salida del oscilador para proteger el circuito de posibles sobrecargas y permitir la alimentacin de cargas de baja impedancia de entrada. Sealar por ltimo que utilizando un operacional ms rpido se conseguiran mejorar los resultados y ampliar el margen de frecuencias con que disear los circuitos.
12.12
Multivibrador astable (onda cuadrada).
Un multivibrador es un circuito que presenta solamente dos estados de salida: alto y bajo. El primero de una cierta amplitud en relacin al segundo, que normalmente est en el nivel cero, o sea, en la tensin de referencia. La forma de la seal de salida tiene como patrn un impulso rectangular (o cuadrado). Los multivibradores se clasifican en tres tipos:
monoestable: posee un nico estado estable de salida al que siempre vuelve biestable: conmuta entre dos estados estables si se cumplen ciertas condiciones astable: conmuta constantemente de estado entre los dos posibles, dando lugar a un tren de impulsos de determinada frecuencia, es decir, no existen estados estables. El multivibrador astable que veremos ser el representado en Fig.5.1:
Fig.5.1: Generador onda cuadrada y seales de salida. El circuito anterior genera una seal cuadrada cuya amplitud varia entre Vsat y cuya frecuencia puede ser seleccionada a travs de R1. Al alimentar el operacional a V su salida se encontrar inicialmente en uno de los estados de saturacin. En la entrada no inversora existe una frccin de esta tensin de salida:
Vi = Vc Vb = Vc
R3 Vsat = Vc Vsat R2 + R3
Si Vi < 0 V S = +Vsat Si Vi > 0 VS = Vsat Consideremos un instante en el que Vi < 0 o bien Vc < V sat . El condensador se va cargando exponencialmente hacia Vsat . La salida VS = Vsat hasta que Vc = Vsat , momento en el que la salida VS = Vsat , y Vc se carga hacia Vsat .
t R1C Vc = Vsat 1 (1 + )e
Se cumple que VS = Vsat cuando t=T/2 :
Vsat
T /2 1+ = Vsat 1 (1 + )e R1C T = 2 R1CLn 1
2 R3 T = 2 R1CLn 1 + R 2
R E
Figura 12.9.3.2
E = Ri + RI ( S ) +
1 idt C q I (S ) U 0 E 1 + = donde U 0 = idt = 0 , y q0 es la carga inicial. t = 0 CS S S C C
E/S resulta de hacer la transformada de Laplace al potencial escaln.
1 E U0 C I ( S ) R + I ( S ) = (E U 0 ) = CS S RCS + 1
I (S ) =
E U0 R
1 S+ 1 RC
Hacindole la transformada inversa:
i (t ) =
E U 0 RC e R
t
U R = Ri (t ) = (E U 0 )e
t RC
U C = E U R = E (E U 0 )e
En este caso:
t RC
U 0 = Vsat E = Vsat
t RC U C = Vsat 1 (1 + )e
Para obtener una salida de un valor distinto al de Vsat podemos utilizar a la salida la red de resistencia y diodos zener mostrada en la Fig.3.4, aunque tambin podemos reducir la tensin de alimentacin al valor que nos convenga.
12.13
Generador de onda tringular.
Mostramos a continuacin un generador de onda tringular que requiere dos A.O.: uno para generar una rampa mediante la carga de un condensador (generador de rampa o integrador) y otro que conmute el signo de la tensin de carga (un comparador). El primero se encuentra en configuracin inversora y el segundo en no inversora, esto significa que en cada semiperiodo cada una de las salidas evolucionan a signo opuestos.
Fig.5.2: Generador de onda tringular y seales de salida. Como ya se vio cuando estudiamos el comparador, ste se encuentra siempre en uno de los estados de saturacin. Y dependiendo de dicho estado, el condensador del integrador se cargar a una tensin positiva o negativa. Con los valores de resistencias nos podemos ir a la ecuacin 3.7 y calcular las tensiones de disparo o mrgenes de la histresis:
1 1 V DI = 1 + V R ( + V sat ) n n nR ' siendo n = R 1 1 V DS = 1 + V R ( V sat ) n n
(5.6)
Estas expresiones son las generales para el caso de que se aplicase una tensin de referencia en la entrada no inversora del integrador. En este montaje estamos en el caso particular de VR=0. Partiendo de los primeros instantes de funcionamiento del circuito podemos suponer que inicialmente la salida del comparador VS2 est en saturacin positiva, y que el condensador esta descargado. En estas condiciones VS1 tendera a -Vsat (por ser un montaje en inversor), el condensador se cargar a dicha tensin pero slo lo podr hacer hasta el valor VDI, pues al alcanzar dicho valor el comparador bascular a +Vsat, e igualmente bascular el sentido de carga del condensador. Para el clculo de la frecuencia estudiamos la seal de salida del integrador representada en la figura 5.2, considerando el origen de estudio t0=0:
V S1 (t ) =
1 V 1 t t Vsat dt = sat t + V DS = Vsat R1C t 0 = 0 R1C n R1C
(5.7)
junto con 5.6 y 5.7 obtenemos que para t1 :
1 1 t1 t1 1 = V DI Vsat = Vsat V S 1 (t 1 ) = Vsat n n R1C n R1C

simplificando :
(5.8)
2 R1C t1 2 1 n = t1 = f = = (5.9) 2t 1 4 R1C R1C n n
En este mismo montaje podemos obtener simultneamente ondas cuadradas (VS2) y ondas triangulares (VS1).
12.14
El C. Integrado 555.
Para aplicaciones tales como: osciladores, generadores de pulso, generadores de rampa u onda cuadrada, multivibradores de un disparo, y alarmas de robo, requieren circuitos capaces de producir seales a intervalos de tiempo concretos. El circuito temporizador integrado ms popular es el 555. Este es en realidad una aplicacin de los A.O., ya que su circuito interno consta: de dos comparadores, un transistor de descarga, un biestable RS, una etapa de potencia y tres resistencias de 5K (de ah su nombre). La Fig.6.1 muestra su diagrama de bloques.
Fig.6.1: Diagrama de bloques funcional del 555. Terminales de suministro de alimentacin (1-8): El terminal 1 es el de tierra, y el terminal 8 es el de suministro de tensin positiva Vcc, dicha tensin puede estar comprendida entre +5V y +18V (apreciar que con estos valores la salida de los comparadores slo puede ser positiva). La circuitera interna requiere cerca de 0.7mA por voltio suministrado para establecer las corrientes internas de polarizacin. La disipacin mxima de la pastilla es de 600mW. Terminal de salida (3): El terminal de salida puede actuar como fuente o drenador de corriente segn la salida est a alta o a baja. Tolera corrientes de salida de hasta 200mA y por tanto puede accionar diversas cargas TTL, as como pequeos altavoces y rels conectados directamente. El nivel alto de tensin de salida es (Vcc0.5) y el nivel bajo es de 0.1V para cargas de corriente de 25mA. Terminal de restablecimiento o reset (4): Este terminal permite poner a cero el 555. Cuando dicho terminal no se utiliza debe conectarse a Vcc, para poner la salida a baja independientemente del valor de entrada es necesario reducir el potencial de este terminal por debajo de 0.4V. Terminal de descarga (7): permite la descarga de un condensador externo durante el tiempo que la salida est a baja. Cuando la salida esta a alta, dicho terminal acta como un circuito abierto y permite que el mencionado condensador se cargue. Terminales de disparo y de umbral (2-6): El 555 posee dos estados posibles de operacin y de memoria. Estn determinados tanto por la entrada de disparo (2), como por la entrada de umbral (6). La entrada de disparo es comparada con una tensin igual a Vcc/3. Por otro lado la entrada de umbral es comparada con una tensin 2Vcc/3. Cada salida tiene dos niveles posibles de tensin, ya sea por encima o por debajo de su referencia. Por tanto, con dos entradas hay cuatro combinaciones posibles que causarn cuatro estados diferentes.
Estado de Oeracin A B C D
Terminal 2 <1/3Vcc <1/3Vcc >1/3Vcc >1/3Vcc
Terminal 6 <2/3Vcc >2/3Vcc <2/3Vcc >2/3Vcc
Estado de terminales Salida 3 Descarga 7 alta abierta recuerda el ltimo estado recuerda el ltimo estado baja tierra
Se puede apreciar viendo los estados A y D que el 555 acta como un inversor. Tambin se aprecia que existen dos estados de memoria : B y C. Terminal tensin de control (5): generalmente se le suele conectar un condensador de 0.01F entre dicho terminal y tierra, con el se deriva a tierra el posible ruido. Tambin puede utilizarse para cambiar ambos niveles de umbral y disparo. Por ejemplo, la conexin de una resistencia de 5K entre los terminales 5 y 8 cambia la tensin de umbral a 0,8Vcc y la tensin de disparo a 0.4Vcc. Una tensin externa aplicada a este terminal cambiar tanto la tensin umbral como la de disparo y tambin puede usarse para modular la forma de onda de salida. Para comprender mejor los diferentes montajes que se expondrn describiremos brevemente el funcionamiento interno del 555: La existencia de las tres resistencias internas de 5K fija unos valores de tensin de referencia para cada uno de los comparadores: COM-1 bascula en 2/3Vcc y COM-2 en 1/3Vcc. Dicho basculamiento hace que sus salidas estn a Vcc o a 0V, es decir a 1 o a 0, lo que har que el biestable cambie su salida y con ello cambiar tambin el estado del transistor pasando de corte a saturacin y viceversa. A continuacin mostramos la tabla correspondiente al biestable RS: R 0 0 0 0 1 1 1 1 S 0 0 1 1 0 0 1 1
Q( t )
Q( t + 1)
Q( t + 1)
0 1 0 1 0 1 0 1
0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 0 1 indeterminacin indeterminacin
12.14.1
Funcionamiento como monoestable.
En este modo de funcionamiento el circuito tiene un nico estado estable y mediante una seal de disparo el circuito realiza una transicin desde dicho estado a otro inestable en el que se mantiene durante un periodo de tiempo controlable con una red exterior, transcurrido este vuelve al estado estable por si slo. Un circuito igual al descrito se representa a continuacin.
Fig.6.2: Montaje monoestable con el 555. Analizando conjuntamente las figuras 6.1 y 6.2 se puede ir analizando el funcionamiento: Si la seal aplicada en el terminal 2 es una tensin <1/3Vcc (un flanco de bajada) tendremos a la salida de COM-1 0V y en COM-2 Vcc, es decir, R=0 y S=1 Q=1 con lo que el transistor est en corte y el condensador puede comenzar a cargarse. La salida est a alta.
t RC Vc = Vcc 1 e
(6.1)
Al estar el transistor en corte el condensador C ya no est cortocircuitado y puede cargarse a Vcc, cuando alcanza 2/3Vcc COM-1 pasa a Vcc: R=1 Q=0 lo que pone en este caso al transistor en saturacin y el condensador se cortocircuita a masa anulndose su tensin. La salida est a baja.
Talta 2 Vcc = Vcc 1 e RC , RC Talta = RC ln 3 = 11 3
(6.2)
Debe observarse que la situacin R=1 y S=1 no debe darse, por ello antes de que R haya pasado a 1, S (que estaba a 1) ha de pasar a 0, para ello la seal de entrada debe de ser >1/3Vcc antes de que le tensin del condensador sea 2/3Vcc. Si la carga del condensador es muy lenta puede que entre dos flancos de bajada consecutivos el condensador no llegue a cargarse hasta 2/3Vcc, con lo que no se produce ninguna variacin a la salida, hasta que llegue el tercer flanco. Esto quiere decir que la seal de salida no ser de la misma frecuencia que la de entrada y habremos obtenido un divisor de frecuencia.
12.14.2
Funcionamiento como astable.
Para este modo de funcionamiento el 555 oscila permanentemente, para analizar su comportamiento trabajaremos con las figuras 6.1 y 6.3:
Fig.6.3: 555 en modo astable. Supongamos que para un instante inicial (t=0) el condensador C se encuentra cargado a una tensin >2/3Vcc, en estas condiciones la salida de COM-1 es Vcc y la de COM-2 0V, es decir, R=1 y S=0 lo que corresponde a una salida Q=0. El transistor conduce y C se descarga a travs de RB. Salida en baja. Para t=T1 (desde que comenz la descarga) la tensin del condensador habr decrecido hasta 1/3Vcc, lo que hace que COM-2 cambie a Vcc y COM-1 a 0V. R=0 y S=1 siendo por tanto Q=1, el transistor entra en corte y C puede volver a cargarse. La salida pasa a alta. Analizando matemticamente la descarga tenemos :
t
2 Vc = Vcc e RB C 3
para t = T1
1 2 Vcc = Vcc e RB C 3 3
T1
(6.3) (6.4)
T1 ( descarga) = R B C ln 2 = 0.693R B C
Para t=T2 C habr llegado a 2/3Vcc y con ello COM-2 estar a 0V y COM-1 a Vcc, encontrndonos como al comienzo. En la carga influye RA y RB, y en la descarga RB, dependiendo de los valores de dichas resistencias y evidentemente del valor de C, se puede variar el periodo, y los tiempos en nivel alto T2 y bajo T1. Para calcular el tiempo de carga t=T2-T1=T tendremos que plantear la ecuacin que representa dicha carga, para ello debemos considerar que el condensador est inicialmente cargado a una tensin igual a 1/3Vcc. Por tanto la carga ser la superposicin de un efecto de carga entre [0, Vcc] (primer sumando de 6.5)y otro de descarga entre [1/3Vcc, 0] (segundo sumando):
t t 1 R A + RB ) C R A + RB ) C ( ( Vc = Vcc 1 e + V e 3 cc
(6.5)
tomando como origen de tiempos t=T1, cuando t=T Vc=2/3Vcc:

T T 1 2 R R C R + ( ) ( Vcc = Vcc 1 e A B + Vcc e A + RB ) C 3 3
(6.6)
T = T2 T1 = ( R A + R B )C ln 2 = 0.693( R A + R B )C
por otro lado nos puede ser til saber las siguientes relaciones entre niveles:
(6.7)
T1 RB = ; T R A + R B
la frecuencia de la seal ser:
T1 RB = ; T R A + 2 RB
RB T =1 T R A + 2 RB
(6.8)
T = T1 + T = ( R A + 2 R B )C ln 2 f =
( R A + 2 R B )C
144 .
(6.9)
Fig.6.4: Un periodo del 555 como astable.
CAPTULO 13
FILTROS ACTIVOS
8.0. OBJETIVOS.
Proyecto y anlisis del funcionamiento de filtros paso alta, baja, banda y rechazo de banda.
8.1. CONCEPTO DE FILTRO, VENTAJAS DE LOS FILTROS ACTIVOS.

Un filtro elctrico es un cuadripolo capaz de atenuar determinadas frecuencias del espectro de la seal de entrada y permitir el paso de las dems. Se denomina espectro a la representacin de las amplitudes de los armnicos de una seal en funcin de la frecuencia. Experimentalmente se puede obtener mediante un analizador de espectros. Obsrvese que mientras el osciloscopio es un instrumento que analiza la seal en relacin con el tiempo, el analizador lo hace con relacin a la frecuencia. En el presente tema estudiaremos los filtros activos que estn construidos con circuitos electrnicos basados en los amplificadores operacionales. Las ventajas que se pueden enumerar de los filtros activos sobre los pasivos seran: Permiten eliminar las inductancias que, en bajas frecuencias, son voluminosas, pesadas y caras. Facilitan el diseo de filtros complejos mediante la asociacin de etapas simples. Proporcionan una amplificacin de la seal de entrada (ganancia), lo que es importante al trabajar con seales de niveles muy bajos. Permiten mucha flexibilidad en los proyectos. Por otro lado se podran enumerar una serie de inconvenientes: Exigen una fuente de alimentacin. Su respuesta de frecuencia est limitada por la capacidad de los A.O.s utilizados. Es imposible su aplicacin en sistemas de medida y alta potencia (por ejemplo, en los filtros que emplean los convertidores e inversores construidos con tiristores que se utilizan en la industria).
8.2. CLASIFICACIN.
La clasificacin de los filtros depender del aspecto diferenciador elegido, as, podemos considerar aspectos como: - frecuencias atenuadas - tecnologa empleada - funcin matemtica o aproximacin utilizada para proyectar el filtro Segn las frecuencias atenuadas, nos encontramos con:
58 AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Filtros paso bajo: slo permite el paso de las frecuencias inferiores a una determinada fc (frecuencia de corte). Las frecuencias superiores resultan atenuadas. Filtro paso alto: deja pasar las frecuencias inferiores a una determinada fc, atenuando las inferiores. Filtro pasabanda: permite el paso de las frecuencias situadas dentro de una banda delimitada por una frecuencia de corte inferior y otra superior. Las frecuencias que estn fuera de esta banda son atenuadas. Filtro de rechazo de banda: permite el paso de las frecuencias que se encuentren fuera de la banda delimitada por dos frecuencias de corte, atenuando las que se encuentren dentro de la banda.
Fig.8.1: Respuesta ideal de los diferentes filtros: a) paso bajo, b) paso alto, c) paso banda, d) rechazo de banda. Si consideramos la tecnologa empleada, tenemos: Filtros pasivos: estn construidos exclusivamente con elementos pasivos como resistencias, condensadores y bobinas. Estos filtros son inviables en bajas frecuencias al exigir inductancias muy grandes. Filtros activos: constan de elementos pasivos asociados a otros activos (A.O.). Filtros digitales: estos filtros llevan componentes digitales. La seal analgica es convertida en digital mediante un sistema de conversin A/D. La seal binaria resultante se trata en el filtro digital y a continuacin se convierte en analgica en un conversor D/A. Estos filtros son tiles para procesar simultneamente muchos canales de transmisin. Se pueden definir como programas software. En el caso de la funcin matemtica utilizada, no creemos interesante entrar en el anlisis matemtico y nos limitaremos a exponer las funciones de transferencia de los tipos ms comunes: Butterworth y Chebyshev.
FILTROS PASIVOS
Filtros pasa-baja La figura 1 representa el esquema de un filtro elctrico pasa-baja utilizando una resistencia y un condensador. Suponiendo que la impedancia de carga del condensador el elevada, se puede suponer que i2 0,
R + i1 V1 C i2 V2
FILTROS ACTIVOS 59
Aplicando las leyes de Kirchhoff, a las mallas de entrada y de salida, se obtienen las ecuaciones:
V V
= R + I = j C
1 j C
La ganancia de tensin introducida por el filtro es:
1 V2 1 jC = = 1 V1 jC (R + 1) R+ jC 1 G( j ) = (CR )2 + 1
Tomando los valores crecientes a la frecuencia, se obtiene la curva de variacin de la tensin de salida V2 del filtro, figura 2. Como se observa, al crecer f la tensin de salida disminuye y con ella disminuye la ganancia de tensin del sistema, es decir, la atenuacin introducida por el filtro aumenta. Se denomina frecuencia de corte del filtro, al valor de f que hace que la tensin de salida
V2 V1 V 2 = ( f )
V1 2
BP 0 fc f
V2 del filtro sea igual a 1
de la tensin de entrada V1.
Por consiguiente, para que el filtro elctrico acte como un filtro pasa-baja de banda pasante:
f = f c 0
es necesario disear la resistencia y el condensador de tal manera que cumplan las ecuaciones:
V2 1 = V1 2 fc =
Ejemplo 1:
Disear un filtro pasa-baja de frecuencia de corte fc = 100 Hz.
1 Hz 2RC
Solucin: Adoptando como resistencia el valor R = 1 k, la capacidad que debe tener el condensador viene dada por la ecuacin
1 2 1000C 10 C= F 2
100 =
Ahora presentamos la configuracin de un filtro elctrico pasabaja utilizando como componentes una resistencia y una bobina:
L + i1 V1 R i 2 =0 V2 +
Las ecuaciones del filtro son:
V1 = I (R + jL ) V2 = IR V2 R = = V1 R + jL 1 jL 1+ R
La ganancia de tensin introducida por el filtro es:
G( j ) =
1 L 1+ R
2
La frecuencia de corte ser aquella que haga G(j) = 1/2
c =
R L
Ejemplo 2:
Disear un filtro pasa-baja de frecuencia de corte 100 Hz, a base de una resistencia y una bobina. Solucin: tomando como resistencia el valor R= 1k, el valor de la inductancia de la bobina viene dada por la ecuacin:
100 =
1000 2L
L=
5 H
Filtros pasa-alta disipativos.
La figura siguiente representa el esquema de un filtro elctrico pasa-alta utilizando como componentes una resistencia y un condensador:
FILTROS ACTIVOS 61
C + i1 V1 R i 2 =0 V2
Aplicando las leyes de Kirchhoff, a las mallas de entrada y salida, se obtienen las ecuaciones:
1 V1 = I R + jC V2 = IR
La ganancia de tensin introducida por el filtro es: V2 R jCR = = 1 V1 1 + jCR R+ jC

Dando valores crecientes a la frecuencia, se obtiene la curva de variacin de la tensin de salida V2 del filtro, figura 5:
V2 V1 V 2 = ( f )
V1 2
BP 0 fc f
Como se observa, al crecer la frecuencia, la tensin de salida crece hasta alcanzar el valor de V1 para f=. La frecuencia de corte del filtro elctrico ser aquella que hace que la tensin de salida V2 sea igual a 1/2 de la tensin V1. Por consiguiente, para que el filtro elctrico acte como un filtro pasa-alta, de banda pasante
f = fc V2 1 = V1 2
es necesario disear la resistencia y el condensador de tal manera que cumpla la ecuacin:
de forma que la frecuencia de corte ser:
c =
Ejemplo 3:
1 RC
Para disear un filtro elctrico pasa-alta, se han elegido los componentes R= 500, C =
10 F. Determinar la frecuencia de corte del filtro. 2
Solucin: La frecuencia de corte del filtro pasa-alta es:
1 = 200 Hz 10 6 2 500 10 2
fc =
Si se adoptan como componentes del filtro una resistencia y una bobina, la composicin del filtro pasaalta ser la representada en la figura 6.
R + i1 V1 L i 2 =0 Las tensiones del filtro son:
V2
V1 = I (R + jL ) V2 = IjL V2 jL = = V1 R + jL jL R jL 1+ R
de forma que la frecuencia de corte ser:
fc =
R 2L
EJEMPLO 4: Supongamos que el filtro de la figura 6 disipa 100 vatios, que el ampermetro mide una corriente I1= 1 A y que L=1/2 H, determinar la frecuencia de corte y la tensin v1. Solucin: Como I2 0 e I1= 1, el valor de la resistencia viene dado por la ecuacin:
Al ser L=1/2 H, la frecuencia de corte ser:
RI 2 = 100 R = 100
fc =
El valor eficaz de la tensin v1 es:
R 100 = = 100 Hz 1 2L 2 2
2
1 2 V1 = 1 (100 ) + 2 100 = 100 2V 2

El valor instantneo de la tensin v1 a la frecuencia de corte es:
v 1 = 200sen100t
Filtros pasa-banda disipativos.
FILTROS ACTIVOS 63
La figura 7 representa el esquema de un filtro elctrico pasa-banda, utilizando una resistencia, una bobina y un condensador.
L + i1 V1 R i 2 =0 V2 +
Aplicando las leyes de Kirchhoff, a las mallas de entrada y de salida, se obtienen las ecuaciones:
1 V1 = I jL + jC + R V2 = IR V2 R = V1 jL + 1 + R jC
Dando valores crecientes a la frecuencia, se obtiene la curva de variacin de la tensin de salida V2 del filtro, figura 8.
V2 V1
V1 2
BP 0 f c1 fr f c2
V 2 = ( f )
Como se observa, a medida que crece la frecuencia, la tensin de salida crece hasta alcanzar el valor de V1 para una frecuencia, denominada frecuencia de resonancia, que haga
2f r L 2f r =
1 =0 2f r C 1 LC
Para valores de f>fr, la tensin de salida del filtro comienza a disminuir hasta hacerse cero para f=. Se denominan frecuencias de corte inferior fc1 y superior fc2, a los valores de f que hacen que la tensin de salida sea igual a 1/2 de la tensin de entrada. Por consiguiente, para que el filtro acte como un filtro pasa-baja, de banda pasante
f = fc 2 fc1
es necesario disear sus componentes de tal manera que se cumpla la ecuacin
V2 1 = V1 2
Hora bien, como para fc1<fr
1 > 2fc1L 2fc1C

se debe resolver la ecuacin
1 1 R2 + 2f C 2fc1L c1
La expresin de la frecuencia de corte inferios es:
2
1 2
fc1 =
ahora bien, como para fc2>fr
1 R + 4L 4
4 R + LC L
1 < 2f c 2 L 2fc 2C
La expresin de la frecuencia de corte superior es:
f c1
1 R = + 4L 4
4 R + LC L
R 2L Hz
El ancho de banda del filtro elctrico pasa-baja es:
f = f c 2 f c1 =
Al suponer que la corriente i2 es despreciable, el filtro elctrico pasa-banda se comporta como un circuito serie resonante RLC. El factor de calidad o de sobretensin del filtro, tiene por valor:
Qs =
r L 1 = R r RC
EJEMPLO 5: Disear un filtro elctrico pasa-banda que tenga un factor de sobretensin Qs= 50, entre en resonancia a la frecuencia de 1000 Hz, sabiendo que las lecturas del ampermetro y del vatmetro en la resonancia son A=0.25 A W=50 W. Determinar las frecuencias de corte, el ancho de anda y las tensiones de salida a las frecuencias de corte. Solucin:
L +
C +
V1 R A -
V2
De las expresiones
50 =
2 1000L 1 = 2 1000RC R 2 50 = R 0.25
FILTROS ACTIVOS 65 se obtiene:
R = 400 10 L= H 1 C= F 40 fc1 = 400 4

10
Las frecuencias de corte son:
1 + 4
400 + 4 10 = 900 10 1 10 40 400 + 4 10 = 1010 10 1 10 40

2
fc 2 =
El ancho de banda es:
400 4
10
1 + 4
f = fc 2 fc11010 900 = 20 Hz
A la frecuencia de resonancia
r L =
se tiene
1 r C
V1 = V2 = RI1 4000.25 = 100 V

Por consiguiente, a las frecuencias de corte tendremos:
V2fc 2 = V2fc 1 =
100 2
= 50 2 V
8.3. RESONANCIA, FACTOR QO Y SELECTIVIDAD.

Utilizando el circuito serie RLC veremos algunos puntos que nos van a ser de utilidad para el estudio de filtros activos. En dicho circuito la relacin (o funcin de transferencia) entre la tensin en la resistencia y la de entrada vendr dada por la expresin :
G( s) =
VR IR R = = Ve IZ Z
(8.1)
Donde Z (impedancia compleja) viene dada por la expresin:
1 Z i = R + j wL wC
decir:
(8.2)
Se dice que el circuito est en resonancia cuando en al anterior expresin slo existe parte real, es
wL
1 =0 wC
w = w0 =
1 LC
(8.3)
y tendremos la mxima corriente en el circuito. En Fig.8.2 se muestra la variacin de fase y de ganancia de este circuito. Ntese que se produce una atenuacin de la ganancia por encima y por debajo de la frecuencia de resonancia w0. Si consideramos los puntos en los que la ganancia a descendido en 0,707 o 3db (pulsaciones de corte), tendremos una banda cuyo ancho viene dado:
BW = w c 2 w c1 o BW = f c2 f c1
Para el clculo de estos puntos partiremos de :
(8.4)
G( s) =
R 1 R 2 + wL wC
2
1 2
= 0.707 (8.5)
Fig.8.2: Ganancia y fase del circuito RLC serie.
Se define el factor de calidad para el circuito RLC serie cuando est en resonancia, como Q0=w0L/R. o Q0=1/(w0CR) Ahora las pulsaciones de corte pueden expresarse en trminos de los elementos del circuito, o de w0 y Q0, de la manera siguiente:
1 1 wc 2 = w 0 1 + + 2 2 Q 4 Q 0 0 1 1 1 + wc1 = w0 2 2 Q 4 Q 0 0
Restando miembro a miembro las anteriores expresiones se tiene:
(8.6)
BW =
w0 2f 0 = Q0 Q0
(8.7)
lo que indica que cuando mayor sea el factor de calidad, tanto ms estrecho ser el ancho de banda, o sea, mayor ser la selectividad del circuito. Advirtase que Q0 es un factor adimensional.
8.4. DISEO DE FILTROS.

El diseo o clculo de filtros consiste en calcular los valores de los componentes que asociados a un A.O. nos permitirn realizar un filtrado a partir de una frecuencia de corte predeterminada. Las operaciones para calcular dichos componentes dependern : de la utilizacin de clulas (o circuitos base) de 1 o 2 orden; que dicha clula sea de Rauch o de Sallen y Key; y por ltimo de las caractersticas que se desea que tenga la respuesta del filtro, por lo que nos encontraremos con filtros : Butterwoth, Chebyshev, Thomson, elpticos, Cauer, etc. La clula de 2 orden de un filtro paso bajo posee la siguiente expresin :
FILTROS ACTIVOS 67
H ( s) =
H0 s + 2 +1 2 w0 w0 s
2
(8.8)
donde si consideramos la relacin w0 escribir la anterior ecuacin del modo :
2 = bwc (siendo wc la pulsacin de corte deseada) podramos
H ( s) =
H0 s
2 2 bw c
+ 2
s bw c
(8.9)
+1
El parmetro b determinar que el filtro sea Butterworth o Chebyshev si b=1 o b1 respectivamente. En la anterior ecuacin el polinomio en s del denominador es el que caracteriza a los filtros y define su comportamiento, operando sobre 8.9 quedara :
H ( s) =
2 H 0 bwc 2 s 2 + 2 bwc s + bwc
(8.10)
Para el punto en que wc=1rad/s el polinomio del denominador queda :
s 2 + 2 bs + b s 2 + as + b
(8.11)
polinomio al que se le conoce como polinomio normalizado. Existen tablas de polinomios normalizados donde se dan para cada orden de filtro los parmetros a y b. Por otro lado 2=1/Q0 que nos relaciona el factor de amortiguamiento y de calidad. Si deseamos construir un filtro de 3er orden utilizaremos uno de 1 y otro de 2 en serie; para construir uno de 4 orden conectaremos dos de 2 orden en serie. Esto quiere decir que para el diseo de un filtro de cualquier orden nos basta conocer dos montajes bsicos o clulas, una de 1 y otra de 2 orden. Para el clculo de cada una de ests clulas deberemos conocer los polinomios de su denominador, para esto nos serviremos de las tablas 8.1 y 8.2. Para un filtro Butterworth de 3er orden su denominador sera: [(s+1)(s2+1s+1)] . Si deseamos construir un filtro Chebyshev de 4 orden y amplitud de rizado de 0.1db, su denominador sera: [(s2+0.528313s+1.330031)(s2+1.275460s+0.622925)] . Con estos coeficientes podremos calcular los componentes de cada una de las clulas.
Tabla 8.1: Parmetros a y b para filtros Butterworth hasta el octavo orden. Tabla 8.2: Parmetros a y b para filtros Chebyshev hasta el sexto orden con rizado de 0.1db, 0.5db, 1db, 2db y 3db de amplitud. Pueden encontrarse tablas ms completas en textos especficos sobre filtros activos.
n 2 3
a 1.414214 1 1/w0 0.765367 1.847759 0.618034 1.618034 1/w0 0.517638 1.414214 1.931852 0.445042 1.246980 1.801938 1/w0 0.390181 1.111140 1.662939 1.961571
b 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
n 2 0.1 0.5 1.0 2.0 3.0 3 0.1 0.5 1.0 2.0 3.0
a 2.372356 1.425625 1.097734 0.803816 0.644900 0.969406 1/w0 0.626456 1/w0 0.494171 1/w0 0.368911 1/w0 0.298620 1/w0 0.528313 1.275460 0.350706 0.846680 0.279072 0.673739 0.209775 0.506440 0.170341 0.411239
b 3.314037 1.516203 1.102510 0.823060 0.707948 1.689747 0.969406 1.142448 0.626456 0.994205 0.494171 0.886095 0.368911 0.839174 0.298620 1.330031 0.622925 1.063519 0.356412 0.986505 0.279398 0.928675 0.221568 0.903087 0.195980
n 5 0.1
0.5
1.0
2.0
3.0
a 0.333067 0.871982 1/w0 0.223926 0.586245 1/w0 0.178917 0.468410 1/w0 0.134922 0.353230 1/w0 0.109720 0.287250 1/w0 0.229387 0.626696 0.856083 0.155300 0.424288 0.579588 0.124362 0.339763 0.464125 0.093946 0.256666 0.350613 0.076459 0.208890 0.285349
b 1.194937 0.635920 0.538914 1.035784 0.476767 0.362320 0.988315 0.429298 0.289493 0.952167 0.393150 0.218308 0.936025 0.377009 0.177530 1.129387 0.696374 0.263361 1.023023 0.590010 0.156997 0.990732 0.557720 0.124707 0.965952 0.532939 0.099926 0.954830 0.521818 0.088805
6 0.1 4 0.1 0.5 1.0 2.0 3.0
0.5
1.0
2.0
3.0
8.5. FILTROS DE BUTTERWORTH.
FILTROS ACTIVOS 69
En general se cumple que el mdulo de la funcin de transferencia de un filtro paso bajo Butterworth viene dado por :
G0 G( jw) = 2n w 1+ wc n = 1,2,3,...
(8.12)
Dicho mdulo nos sirve para conocer su representacin de Bode, consta de un factor constante G0 que nos indica la ganancia ante una seal de entrada continua (w=0), el valor wc es la pulsacin de corte y n el orden del filtro (cuanto mayor sea el orden del filtro, ms se aproximar a la curva ideal a) de la Fig.8.1). Si en la ecuacin 8.12 w>>wc tendremos:
n wc G( jw) G0 w (8.13) w 20 log G( jw) 20 log G0 20n log wc
donde el segundo trmino nos permite saber su grado de atenuacin en la banda de corte [wc, +]. As un filtro Butterworth de paso bajo y de primer orden (n=1) tendra una pendiente de atenuacin de 20db/dcada en dicho intervalo; uno de segundo orden de 40db/dcada, etc. Otra caracterstica de los filtros que nos ocupa es la forma plana de su banda pasante debido a que al ser b=1 todas las clulas colocadas en serie poseen la misma pulsacin.
8.6. FILTROS DE CHEBYSHEV.

Un filtro de Butterworth para frecuencias prximas a la de corte comienza a atenuar, pero de modo progresivo; si deseamos una respuesta que se acerque ms a la ideal podemos recurrir a los filtros de Chebyshev. Este filtro siendo de igual orden que el de Butterworth, posee una respuesta mejor, presentando una mayor pendiente decreciente. Sin embargo presenta un rizado en la banda pasante. El mdulo de la funcin de transferencia de un filtro paso bajo Chebyshev es:
G( jw) =
G0
2 1 + E 2 Cn
( )
w wc
n = 1,2,3,... (8.14) ( 0 < E 1)
donde G0 es la ganancia del filtro paso bajo para seal de entrada continua (w=0), wc es la pulsacin de corte, E es una constante que determina la amplitud del rizado en la banda pasante, n el orden del filtro y Cn(w/wc) el polinomio de Chebyshev definido de la siguiente forma :
Cn
( )
w wc
w w 1 cos n arccos para 0 wc wc = w w para n cosh arccosh >1 wc wc
(8.15)
Se puede comprobar fcilmente en la expresin anterior que para una entrada continua (w=0), la funcin G(jw) tomar el valor G0 si el orden es impar y en el caso de ser par el valor alcanzado ser G0/ 1 + E 2 . De la ecuacin 8.15 se desprende que en la banda de paso existe un rizado a diferencia de la banda de paso en los filtros Butterworth que es plano, como ya se ha comentado. Dicho rizado pos los valores mximos y mnimos indicados en el prrafo anterior, de donde se puede deducir su amplitud en decibelios :
G0 (db) = 20 log G0 20 log = 1+ E2 = 20 log 1 + E 2 E = 10
(8.16)
10
Tras estas expresiones se puede concluir que la amplitud del rizado slo depende del parmetro E; que el rizado en la banda de paso depende del orden del filtro, y que dicho nmero de orden indicar el nmero de mximos y mnimos que se alcanzan en la banda de paso. El valor de caracteriza al filtro, su valor mximo permitido es de 3db y se da para un valor de E0.99763. El diseo de un filtro Chebyshev tiene la particularidad de que a mayor amplitud del rizado, mayor atenuacin en la banda de corte. Por lo que el diseador se ve en la necesidad de elegir lo que mejor se adapte a sus necesidades dependiendo de la repercusin en el circuito de tal amplitud de rizado en la banda de paso. La razn de dicho rizado se encuentra en que al tener dos o ms valores distintos de b en un filtro, ocasiona que existan dos o ms pulsaciones distintas. El porcentaje de atenuacin del filtro Chebyshev en decibelios es, en la mayora de los casos, superior a n20db/dcada. Su valor aproximado viene dado por la expresin:
w 20 log G( jw) 20 log G0 20 log( E ) 6(n 1) n20 log wc
(8.17)
FILTROS ACTIVOS 71
Fig.8.3: Bode de filtros Chebyshev para diferentes ordenes y 1db de rizado. Detalle para n=3.
8.7. CLULAS DE 1ER Y 2 ORDEN PARA FILTROS PASO BAJO Y ALTO. 8.7.1. Clula de 1er orden para filtros paso bajo.
La estructura de la clula, es la representada en la siguiente figura:
Fig.8.4: Filtro de 1er orden, paso-bajo.
Su funcin de transferencia es :
R3 R2 H ( s) = R1Cs + 1 1+
de esta expresin se desprende :
(8.18)
ganancia del circuito:
H0 = 1 +
R3 R2
1 = bwc . El valor de C deber de ser fijado por el R1C
pulsacin de corte: wc = 2f c ; w 0 =
diseador. para anular los efectos de la tensin de offset es necesario que R1 sea igual al paralelo de R2 y R3: R1
R2 R3 R2 + R3
H 0 R1 ; R = H 0 R1 . H0 1 3
se puede deducir R2 y R3: R2 =
En el caso de H0=1 las ecuaciones seran otras: la pulsacin de corte sera la misma pero R2 sera un circuito abierto y R3 sera un cortocircuito.
8.7.2. Clulas de 2 orden para filtros paso bajo.

Podemos utilizar dos tipos de clulas, ambas con buena estabilidad, baja impedancia de salida, facilidad de ajuste de la ganancia y frecuencia, necesidad de pocos componentes externos, etc. CLULA DE RAUCH O DE REALIMENTACIN MULTIPLE
FILTROS ACTIVOS 73
Fig.8.5: Filtro de 2 orden paso-bajo (de Rauch).
Con una funcin de transferencia:
H ( s) =
R2 R1
1 1 1 s R2 R3 C1C2 + sR2 R3 C1 + + +1 R1 R2 R3
2
(8.19)
equivalente a
H ( s) =
H0
s 1 1 1 s + + + w0 R2 R3 C1 + 1 R R R w0 w0 1 2 3
2
(8.20)
el signo negativo indica que la salida est invertida respecto de la entrada ganancia del circuito: del
termino
H0 =
R2 R1
de 8.17 deducimos que la pulsacin de corte es :
independiente
1 2 2 = = bwc w0 wc = 2f c R2 R3 C1C2 1 de la expresin anterior : R3 = 2 bwc C1C2 R2

para calcular R2 conocemos la relacin: 2
2
1 1 1 b = a = bwc R2 R3 C1 + + R1 R2 R3
operando : R2 =
( H 0 + 1) a a 4 bC1 bC1C2 bC1

2 wc
deber comprobarse que el radicando de R2 es 0, de lo contrario debern variarse los valores que no deban ser fijos
CLULA DE SALLEN Y KEY
Fig.8.6: Filtro de 2 orden paso-bajo (de Sallen y Key).
Funcin de transferencia:
H ( s) =
1+
R4 R3
C R C R R1 R2 C1C2 s 2 + R1C2 1 + 1 + 2 1 1 + 4 s + 1 R3 C2 R1C2
(8.21)
equivalente a :
H ( s) =
H0 s s C1 R2 C1 + H0 + 1 + w0 R1C2 1 + C2 R1C2 w0 w0
2
(8.22)
entrada y salida tienen igual signo ganancia del circuito: H 0

2 w0 =
=1+
R4 R3
R2 =
1 2 wc = 2f c = bwc R1 R2 C1C2 1
2 bwc C1C2 R1
C R C 2 b = a = bwc R1C2 1 + 1 + 2 1 H 0 C2 R1C2 2 operando : R1 = C a a 2 4b 1 + 1 H 0 wc C2 C2

para calcular R1 tenemos la relacin:
R4: R3
para anular los efectos de la tensin de offset es necesario que R1 mas R2 sea igual al paralelo de R3 y
H 0 ( R1 + R2 ) H0 1
(H 0 > 1)
R4 = H 0 ( R1 + R2 )
FILTROS ACTIVOS 75
deber comprobarse que el radicando de R1 es 0, de lo contrario debern variarse los valores que no deban ser fijos
Con la combinacin de las tres clulas vistas de filtros paso bajo, se puede construir un filtro paso bajo de orden cualquiera.
8.7.3. Clula de 1er orden para filtros paso alto.

Su estructura sera la vista en Fig.8.5 pero intercambiando las posiciones de R1 y C, como se representa a continuacin :
Fig.8.7: Filtro paso-alto de 1er orden.
Funcin de transferencia :
H ( s) =
Ecuaciones :
R3 R Cs 1 + R2 1 R1Cs + 1
(8.23)
H0 = 1 +
R3 R2 R3 H 0 R1 1 1 ; w0 = bwc = ; R1 = = ; R3 = H 0 R1 ; R2 = ( H > 1) R2 R1C w0 C R2 + R3 H0 1 0
8.7.4. Clulas de 2 orden para filtros paso alto.

Como en los filtros paso-bajo nos encontramos con dos clulas posibles, que para el caso de filtros paso alto se diferenciaran de los de paso bajo: en cambiar las resistencias por condensadores y viceversa, en la rama de entrada de la seal a filtrar.
Fig.8.8: Filtro de 2 orden paso alto (de Rauch).
H ( s) =
Equivalente a :
s 2 R1 R2 C2 C3 + sR1 ( C1 + C2 + C3 ) + 1
s 2 R1 R2 C1C3
(8.24)
H ( s) =
C1 s C 2 w0
2
s s + w0 R1 (C1 + C2 + C3 ) + 1 w0 w0
(8.25)
donde:
H0 =
C1 C + C2 + C3 a ; R1 = ; R2 = 1 ; w0 = C2 aC2 C3 wc (C1 + C2 + C3 )bwc
1 R1 R2 C2 C3
= bwc
Fig.8.9: Filtro de 2 orden paso alto (de Sallen y Key).
H ( s) =
Equivalente a :
s 2 R1 R2 C1C2 + s R2 ( C1 + C2 ) + R1C2 (1 H 0 ) + 1
R s 2 R1 R2 C1C2 1 + 4 R3
(8.26)
H ( s) =
R s 1 + 4 R3 w0
2
s s + w0 R2 (C1 + C2 ) + R1C2 (1 H 0 ) + 1 w0 w0
(8.27)
donde
FILTROS ACTIVOS 77
R4 ; R1 = H0 = 1 + R3 1 = R ; 2 2 bwc C1C2 R1
(C + C2 )( H 0 1) a a 2 + 4b 1 wc C1C2 C1 H R R3 = 0 1 ( H 0 > 1); R4 = H 0 R1 ; w0 = H0 1
2(C1 + C2 )
1 R1 R2 C1C2
= bwc
8.8. FILTROS PASO-BANDA.

Este tipo de filtro se obtendr colocando en cascada un filtro paso bajo de orden n y un filtro paso alto de igual orden. Sus frecuencias de corte debern guardar la siguiente relacin:
f c2
filtro paso bajo
> f c1
filtro paso alto
8.9. FILTROS RECHAZO DE BANDA.

Este tipo de filtro se obtendr colocando en paralelo un filtro paso bajo de orden n y un filtro paso alto de igual orden. Las frecuencias de corte de dichos filtros debern guardar la siguiente relacin:
f c1
filtro paso bajo
< f c2
filtro paso alto
8.10. RECOMENDACIONES.
Pasamos a dar una serie de recomendaciones para el diseo de filtros:
En cada una de las clulas descritas, el valor de uno de los condensadores debe de ser fijado por el proyectista, una norma prctica aconseja que el valor elegido sea prximo a 10/fc(Hz), siendo dicho valor en F. En filtros de orden superior a dos, cada clula se proyectar individualmente atendiendo a los valores de a y b para dicho orden. Las clulas a conexionar podrn ser MFB o de Sallen y Key pero evitando mezclarlas entre s. En un filtro de m etapas, la ganancia es el resultado de multiplicar las ganancias parciales de cada una de las clulas que lo componen. Es conveniente que dicha ganancia est repartida por igual entre ellas.
Por ello si la ganancia del filtro final es de KT, la ganancia parcial de cada etapa ser: K
KT
8.11. EJERCICIO EXPERIMENTAL. 8.11.1. Material.
- Fuente de alimentacin- Osciloscopio - 1 LM741
- 1 resistencia de 1K - 1 resistencia de 10K - 2 condensadores de 10nF
8.11.2. Proceso I.
1.- Se desea disear un filtro paso alto con clula de Sallen y Key de 2 orden y ganancia 1. Banda de paso plana y frecuencia de corte de 5KHz. Escribir polinomio, calcular componentes y dibujar el filtro indicando los valores calculados.
2.- Montarlo y representar su diagrama de Bode utilizando la siguiente tabla :
Ve
Vs
G=
Vs Ve
20Log|G|
FILTROS ACTIVOS 79
8.11.3. Proceso II.

1.- Se desea construir un filtro de 5 orden paso bajo para una fc=6.6KHz, una H0=8 repartida por igual entre las distintas clulas, dichas clulas darn una banda pasante lo ms plana posible y no originarn inversin del signo. Indicar el nmero, tipo, ganancia (en db) y pulsacin de corte de cada etapa o clula.
2.- Escribir los polinomios de los denominadores de las distintas clulas que componen el filtro, as como la funcin de transferencia total del filtro de 5 orden. 1er polinomio: 2 polinomio: 3er polinomio:
3.- Calcular los componentes de la primera clula sabiendo que slo se dispone del siguiente material : 1 condensador de 10nF y resistencias de 1.5K, 1.8K, 2.2K, 3.9K, 4.7K. Indicar su pulsacin de corte real.
4.- Calcular los componentes de la segunda clula con las mismas consideraciones que en el apartado 3. Indicar su pulsacin de corte real.
5.- Calcular los componentes de la tercera clula con las mismas consideraciones que en el apartado 3. Indicar su pulsacin de corte real.
6.- Con ayuda de los aparados anteriores dibujar el esquema completo del filtro, indicando el valor de los componentes.
7.- A continuacin representar el Bode ideal de este filtro. Sealar la escala en db.
FILTROS ACTIVOS 81
8.11.4. Proceso III.

1.- Se desea construir un filtro rechazo de banda de 3 orden Chebyshev, para aproximadamente fc1=1KHz y fc2=30KHz, con ganancia 1, amplitud de rizado de 1db y con clulas de Rauch. Indicar el nmero y caractersticas de las etapas que compondrn el filtro, la ganancia de cada una de ellas.
2.- Escribir los polinomios de los denominadores de las distintas clulas que componen el filtro, as como la funcin de transferencia total del filtro. filtro paso bajo 1er polinomio: 2 polinomio: filtro paso alto 1er polinomio: 2 polinomio:
3.- Calcular las clulas que componen el filtro de paso bajo sabiendo que se dispone para el montaje total del filtro de : 5 condensadores de 470pF y otros dos de 47nF, la resistencia R1 de la clula de primer orden del filtro paso bajo (fig.8.4) debe ser igual a 6.8K.
4.- Calcular las clulas que componen el filtro de paso alto con el material que reste del apartado anterior.
5.- Con ayuda de los apartados anteriores dibujar el esquema completo del filtro, indicando los valores de los componentes. Representar su respuesta frecuencial aproximada:
6.- Si se desea un filtro de rechazo de banda de 2 orden, de ganancia 4db, cul ser la ganancia de cada una de las clulas ? Por qu?
PROBLEMAS: TEMA 1. PROBLEMA 1 Dado la malla siguiente averiguar su equivalente Thevenin.
-j5
5 50|0 j5
1) Hallamos la impedancia thevenin Z, que es la impedancia de entrada entre los terminales AB con todas las fuentes internas iguales a cero: Z = (5 + j 5)( j 5) = 5-5j 5+5j 5j
2) Hallamos la tensin equivalente thevenin V, que es la tensin entre los terminales AB con todas las fuentes internas iguales a cero: Necesitamos la intensidad en la malla: I = 500 = 100 (5 + j 5 j 5)
V = VAB = I (5+j5) = 100 7,0745 = 70,745
PROBLEMA 2 Sustituir la malla dada por su equivalente Norton.
-j5
5 50|0 j5
1) La fuente de corriente I es la corriente de cortocircuito aplicado a los terminales del circuito activo AB: I = 500 = 1090 ( j 5)
2) L impedancia Z es como antes: Z = 5-j5
PROBLEMA 3 Resolver el siguiente circuito.
R1=1k R3=2k 6V 1
R2=9k
-14V
Aplicando las leyes de Kirchhoff: 1) Elijo (n-1) nodos, siendo n el nmero total de nodos de nuestro circuito y aplico a 1 Ley de Kirchhoff obteniendo (n-1) ecuaciones linealmente dependientes. Como criterio consideramos las corrientes que entran en el nodo sealado positivas: I1 + I2 + I3 =0 ; I3 = -( I1 + I2 ) 2) Necesitamos r (n-1) ecuaciones ms que obtenemos de la 2 Ley de Kirchoff, siendo r el nmero de ramas del circuito. Como criterio consideramos el signo positivo como el de las flechas semicirculares del circuito y para las fuentes si la corriente entra por su ctodo: 1 malla: I1 - 2I3 6 = 0 2 malla: 9I2 -2I3 + 14 = 0 Junto con la anterior se forma un sistema de 3 ecuaciones de cuya resolucin se obtiene que las intensidades son: I1 = 0.758 mA; I2 = 1.83 mA; I3 = - 2.588 mA
Si resolvemos ahora el mismo circuito con el mtodo de mallas con el signo positivo para las intensidades el indicado en el dibujo y para las fuentes si entran por el ctodo:
1
R1=1k
R2=9k R3=2k
+ 6V -
I1
I2
-14V +
-6 + I1 R1 + ( I1 - I2 ) R3 = 0 -14 + ( I2 - I1 ) R3 + I2 R2 = 0
-6 + 3I1 - 2I2 = 0 -14 + 11I2 +2I1 = 0
6 I1 - 4I2 = 12 -6 I1 + 33I2 = 42
Resolviendo este sistema por reduccin obtenemos los mismos resultados que antes. Para hallar I3 restamos ambas intensidades, siendo su direccin la de la intensidad mayor.
PROBLEMA 4 Resulvase el siguiente circuito, utilizando el principio de superposicin.

1
I1 R 1 =1k I3
6V
I2 R 2 =9k R 3 =2k
4
-14V
Tomamos primero la fuente de 6V. La resistencia equivalente a R2 y R3 en paralelo es: R2! R3 92 = = 1.636k R2 + R3 9 + 2
Las intensidades que circulan por cada rama son: 6 I '1 = = 2.276mA 1 + 1.636 I '2 = I '1! R3 2.276 2 = = 0.414mA R2 + R3 9+2 I '1! R2 2.276 9 = = 1.862mA R2 + R3 9+2
I '3 =
Por otro lado, tomamos la fuente de -14V. La resistencia equivalente a R1 y R3 en paralelo es: R1 ! R3 1 2 2 = = k R1 + R3 1 + 2 3 Las intensidades que circulan por cada rama son: 1.448 2 I ' '1 = = 0.9655mA 1+ 2 14 I ' '2 = = 1.448mA 9 + 0.667 1.448 1 I ' '3 = = 0.4826mA 1+ 2 As, finalmente: I1 = I1 + I1 = 2.276 + 0.9655 = 3.2415 mA I2 = I2 + I2 = -0.414 - 1.448 = -1.862 mA I3 = I3 + I3 = -1.862 + 0.4826 = -1.3794 mA
PROBLEMAS: TEMA 3. PROBLEMA 5 Obtener la corriente de colector en la figura siguiente. +5V
8k 5k
+1V
F=10
-10V
Transistor en estado desconocido.
Suponemos el caso en que el transistor est funcionando en activo directo dado que hay tensin positiva en serie con la base y negativa en serie con el emisor, con lo que probablemente el transistor est conduciendo. En este caso la figura es la siguiente +5V
8k C 5k +1V IB B 10IB
0.7
E -10V
Circuito equivalente suponiendo el estado activo directo.
Aplicando Kirchhoff al circuito de base obtenemos IB: 1 ( 5 K ) ( I B ) 0.7 = -10 IB = 2.06 mA
Dado que la corriente de base es positiva, lo nico que queda por comprobar es VCE VC = 5 ( 8 K ) ( 10 ) ( 2,06 mA) = -159.8 V VCE = -159.8 ( -10 ) = -149.8 V como VC = -10 V
( solucin en el 2 cuadrante )
Vemos que la suposicin hecha no es vlida pues VCE < 0.2 V.
La posibilidad de soluciones incorrectas como son debidas a que usamos modelos lineales simples para representar dispositivos no lineales. Probemos la saturacin. La siguiente figura es el circuito a que obliga la saturacin
+5V
8k C 5k +1V IB B 0.2
0.7
-10V
Circuito equivalente suponiendo saturacin.
La corriente de base es todava 2.06 mA. La corriente de colector es IC = 5 (10 + 0.2) = 1.85 mA 8K
La inecuacin F IB = 20.6 mA > 1.85 mA = IC confirma que el transistor est saturado. ( funcionamiento en el 1 cuadrante )
PROBLEMA 6 Probar que el transistor del problema anterior permanece saturado cuando la resistencia de base cambia a 50 k. Obtener entonces la resistencia de base RB que lleva el transistor al borde del funcionamiento activo. Respuesta: F IB = 2.06 mA > 1.85 mA = IC ; RB = 55.7 k.
PROBLEMA 7 Hallar el estado del transistor de la siguiente figura
+15V
8k
551k
F=10
VBB=11V
10k
0.2
Circuito original.
Debido a la elevada tensin positiva en el circuito de base, suponemos que el transistor est saturado. Sin embargo, cuando sustituimos el transistor por su modelo de saturacin y aplicamos el teorema de Thvenin, obtenemos la siguiente figura
+15V
8k 9.82k IB 0.196 C B
IC
0.2
0.7
Circuito suponiendo el transistor saturado.
En este circuito es obvio que IB es negativa, contradiciendo la hiptesis de saturacin y sugiriendo el corte. La siguiente figura muestra el circuito con el modelo de corte sustituyendo al transistor. Se observa que VBE = 0.196 V, un valor considerablemente menor que la tensin de codo. Por lo tanto, el transistor est en corte.
PROBLEMA 8 Si se incrementa lentamente VBB en la figura del anterior problema a valores mayores que 11 V, el transistor comienza a dejar el corte. Obtener el valor de VBB donde esto ocurre. Solucin. VBB = 28.1 V.
PROBLEMA 9 Uno de los transistores de la siguiente figura est cortado y el otro activo directo. Verificar el corte del primero y obtener el punto de trabajo para el ltimo.
300
300
-1.0V
Q1
Q2 =80 1.2k -5.2V
-1.3V
Circuito original.
Excepto por las fuentes de tensin aplicadas a las bases, el circuito es simtrico respecto a un eje que pase por el centro del diagrama. Como la tensin de base de Q1 es ms positiva que la de Q2 , suponemos que Q1 est activo y Q2 cortado y dibujamos la siguiente figura
+ 300 C1 80IB1 E1 C2 E2 B2 -1.3V 300
-1.0V
B1 0.7 IB1
IE1
1.2k -5.2V
Circuito equivalente suponiendo Q1 activo y Q2 cortado.
El diagrama muestra que IE1 = ( 80 +1 ) IB1 , por lo tanto IB1 = 36 A. Como la corriente de base es positiva, establecemos que Q1 conduce; sin embargo podr estar saturado. Como IC1 = 80 IB1 = 2.88 mA VC1 = 0 ( 300 ) ( 2,8810-3 ) = -0.864 V por lo tanto VCE1 = -0.864 (- 1.7 ) = 0.836 Como VCE > 0.2 V, Q1 est activo, no saturado.
PROBLEMA 10 Realizar los siguientes apartados: a) Dibuje la salida y determine el nivel de cd de la salida para la red de la figura. b) Repita el inciso a) si el diodo se sustituye por un diodo de silicio. c) Repita los incisos a) y b) si se incrementa a 200 V y compare las soluciones usando las ecuaciones: Vcd = 0.318!Vm Vcd = 0.318!(Vm - VT)
vi 20V vi 0 T 2 T t R 2k
a) En esta situacin, el diodo conducir durante la parte negativa de la entrada, como se ilustra en la figura de abajo, y v0 aparecer como se muestra en la misma figura. Para el periodo completo, el nivel de cd es: Vcd = -0.318!Vm = -0.318 ! 20 V = -6.36 V El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad definida en la figura anterior.
vi 20 +
vi
0 T 2 T 20 v0 t +
2k
T 2
T
20V
b) Al emplear un diodo de silicio, la salida tiene la apariencia de la figura siguiente, y: Vcd = -0.318!(Vm - 0.7 V) = -0.318 ! 19.3 V = -6.14 V La cada resultante en el nivel de cd es de 0.22 V o de aproximadamente 3.5%.
v0
T 2
T 20V-0.7V=19.3V
c) Las ecuaciones en nuestro caso son: Vcd = -0.318!Vm = -0.318 ! 200 V = -63.6 V Vcd = -0.318!(Vm - VT) = -0.318!(200 V - 0.7 V) = -0.318 ! 199.3 V = -63.38 V Esta diferencia puede, sin duda, despreciarse para la mayora de las aplicaciones. Para la parte c), el desplazamiento y la cada en la amplitud debida a VT no seran perceptibles en un osciloscopio comn y corriente si se visualizara el patrn completo.
PROBLEMA 11 Determnese la forma de onda de salida para la red de la figura, y calcule el nivel de salida de cd y el VPI requerido para cada diodo.
Vi 10
vi
2k
T 2
v0
t
2k
2k
La red aparecer como se presenta en la figura siguiente para la regin positiva del voltaje de entrada. Al redibujar la red, se obtendr la configuracin de la figura, donde v0 = vi Vomax = Vimax = !10 V = 5 V. En la parte negativa de la entrada se intercambiarn los papeles de los diodos, y v0 aparecer como se indica.
Vi 10V
vi 2k v0
T 2
t
2k
2k
+
2K vi
+
v0 v0
2K
2K
5V
5V
T 2
T 2
El efecto de eliminar los dos diodos de la configuracin puente consisti, por tanto, en la reduccin del nivel de cd disponible al valor siguiente: Vcd = 0.636 ! 5 V = 3.18 V o al nivel disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. Sin embargo, el VPI determinado es igual al voltaje mximo en R, que es de 5 V o la mitad del que se requiere para el rectificador de media onda con la misma entrada.
PROBLEMA 12 Determinar la tensin de salida v0 en el circuito de la figura con las tensiones de entrada siguientes: a) v1 = v2 = 5 V b) v1 = 5 V; v2 = 0 c) v1 = v2 = 0 Se usa un diodo de silicio que tiene Rt = 30 , V = 0.6 V, It = 0 y Rt .
+5V D1 4.7k 270 270 v1 D1 V0 + V1 270 v2 D2 + 270 V2 4.7 + 5V V0 D2
Observemos que en la figura no estn sealadas las referencias (tierra). Todas las tensiones indicadas estn medidas respecto a la referencia con cadas de tensin consideradas positivas. El circuito de la figura est reproducido a la derecha con el punto de referencia incluido. a) Con v1 = v2 = 5 V, supondremos que D1 y D2 estn en corte. Podemos sustituir los diodos de manera que quede el circuito de la figura siguiente. La observacin de este circuito pone en evidencia que no circula corriente alguna. En consecuencia, la cada de tensin a travs de cualquier resistencia es nula, y por la ley de Kirchhoff, VD1 = VD2 = 0, confirmando as la primera suposicin.. Por tanto, v0 = 5 V.
V D1
+ +
V D2 270k 270k
+ +
4.7k
+
VO
5V
5V
5V
b) Supongamos que D1 est en corte y D2 en conduccin, con v1 = 5 V y v2 = 0. Obtenemos el circuito:

V D1 + + I D2 270k + 5V 5V 30 0.6V 4.7k + + VO
270k
Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo interior, tendremos que: de donde, despejando ID2: 4700!ID2 + 30!ID2 + 270!ID2 = 5 - 0.6 5 0.6 = 0.88mA 4700 + 30 + 270
I D2 =
Como ID2 es positiva (en sentido directo), la suposicin de que D2 est en conduccin es correcta. En el lazo exterior no hay corriente, por lo que: v0 = 5 - 4700!ID2 = 5 - 4700 ! 0.00088 = 0.864 V Tambin puede calcularse de: v0 = 0.6 + 270!ID2 + 30!ID2 = 0.6 + 300 ! 0.00088 = 0.864 V
Al no existir corriente en el exterior: VD1 = v0 - 5 = 0.864 - 5 = -4.136 V El valor negativo de VD1 confirma nuestra suposicin de que D1 est en corte. As, el ltimo circuito representa las condiciones del circuito y el valor calculado de v0 = 0.864 V es la tensin de salida. Si en lugar de suponer que D2 est en conduccin hubiramos supuesto que est en corte, ID2 hubiera sido cero. Sin corriente en ningn diodo, v0 = 5 V, haciendo que VD2 = 5 V. Como este valor es mayor que V = 0.6 V, nuestra suposicin hubiera sido errnea. De igual forma, si se considera D1 en conduccin y D2 en corte, la ley de Kirchhoff aplicada al lazo exterior nos dara un valor negativo de ID1, y el supuesto sera falso. c) El circuito equivalente que sigue es aplicable cuando v1 = v2 = 0, suponiendo ambos diodos D1, D2, en conduccin. Por razones de simetra, en ambos diodos existe la misma corriente I. La ley de Kirchhoff exige suministrar una corriente 2I a estas ramas.
30 I 270k 270k + 5V I + + 30 0.6V 4.7k + 2I + VO 0.6V
5V
Para el lazo interior, la expresin es: 4700 ! 2I + (30 + 270)!I = 5 - 0.6 de donde, despejando la I: I= 5 0.6 = 0.454mA 9400 + 300
El valor positivo indica que la suposicin es correcta, y por tanto: v0 = 0.6 + (30 + 270)!I = 0.6 + 300 ! 0.000454 = 0.736 V Hemos observado, en este ejercicio, que existen valores dispares de V0 que dependen del estado de los diodos. Cuando ambas entradas son altas (por ejemplo, de 5 V), la salida tambin es alta. La salida es baja cuando una o las dos entradas son tambin bajas. Los circuitos con este tipo de comportamiento se denominan puertas AND.
PROBLEMA 13 Necesitamos un medidor analgico para medir tensiones senoidales con valores de pico entre 0 y 400 V. El circuito es el de la figura, con R = Rx + rm, donde rm es la resistencia de 10 k de un mecanismo de medida disponible y Rx es una resistencia en serie desconocida. El diodo es ideal. Hallar el valor de R, si la senoide de 400 V genera una medida de corriente continua de 2 mA. +
R v o (t)
+ v i (t)
v i (t)=V M sen o t
Cuando aplicamos una senoide de VM = 400 V, aplicando la ecuacin: 1 Vdc = T

T /2
V
0
sen 0tdt +
T /2
0dt =
VM
la tensin continua en R es 400 / = 127.3 V. La corriente medida de 2 mA viene de: 0.002 = De donde despejamos Rx = 53.7 k 127.3 Rx + 10000
PROBLEMA 14 Disear un cargador de bateras para entregar IDC = 4 A a una batera de 12 V. Disear implica hallar las especificaciones de los diodos, TIP y corriente de pico, adems de R y VM. Suponer que nuestras ecuaciones basadas en un diodo ideal son suficientemente precisas.
R + v i (t) + i(t)
V BB
Si conocisemos 1 y 2, podramos usar la ecuacin VM sen i = VBB para hallar VM, ya que VBB = 12 V. As, con los valores conocidos para VM e IDC, podramos resolver la ecuacin: 1 2 VM sen VBB I DC = d 2 R 1
y hallar R. La siguiente figura muestra que 1 y 2 son simtricos respecto a 90:

i(t) I pico I DC
t=
As que podemos seleccionar arbitrariamente 1 = 20 y 2 = 160, por ejemplo. Con VBB = 12V nos queda: VM sen 20 = 12 de donde obtenemos VM = 35.1 V. Para una corriente de carga 4A, tenemos que: R= 1 4 ! 2
2.79
0.349
(35.1sen 12)d =8 (35.1cos 12 )
2.79 0.349
= 1.46
con los ngulos expresados en radianes. Este valor es menor que el que encontramos normalmente en circuitos electrnicos, pero razonable para una aplicacin de potencia. A continuacin, hallamos las especificaciones para el diodo rectificador. Vemos que el pico de la corriente por el diodo ocurre cuando vi es mxima, a 35.1 V. Con el diodo ideal en cortocircuito: I pico = 35.1 12 = 15.8 A 1.46
La siguiente figura muestra que en este circuito, el diodo debe resistir una tensin inversa de VM + VBB = 35.1 + 12 = 47.1 V. Un diseador prudente aade un 20% o ms a los valores de TIP e Ipico como factor de seguridad. Esto completa el diseo inicial:
A C R +
E +
V BB
Examinemos ahora la decisin arbitraria que hicimos acerca de los ngulos de conduccin. Como la corriente debe ser de 4A, elegir un intervalo de conduccin menor incrementa la corriente de pico ya que el rea encerrada por la curva de la corriente debe ser la misma. Pero con VBB = 12 V esto implica un valor mayor de VM, incrementando el TIP que debe soportar el diodo. En general, un intervalo de conduccin menor necesita diodos ms caros. El ngulo de conduccin original parece ser un compromiso satisfactorio.
PROBLEMA 15 Disear el regulador bsico de la figura, para una salida de 10 V y 20 A.

R 10V 20mA
21+1V -
a) Funcionamiento del circuito. El circuito es el regulador bsico con diodo zener. Omitiendo el rizado, por la resistencia R circula una corriente constante I. Dicha corriente se divide en dos, la que circula por la carga, IL, y la que circula por el zener, IZ, de forma que en todo momento se cumple: IL + IZ = I As pues, el zener proporciona tensin constante a la salida del regulador y ello obliga a que absorba la corriente que no quiere la carga. Omitiendo el condensador C, el rizado a la salida del regulador, VRS, vale: VRS = VRe ! rz R + rz
siendo VRe el rizado a la entrada y rz la resistencia dinmica del diodo zener.. El papel del condensador C aparece, pues, claro; forman junto con R y rz un filtro de paso bajo para rechazar el rizado. El valor de C puede calcularse tericamente para una atenuacin del rizado deseada. Sin embargo, en un diseo prctico suele tomarse C = 2.500 F o mayor. b) Mtodo de diseo. Se trata de elegir la resistencia R y diodo zener conforme a las especificaciones deseadas. La tensin de ruptura del zener debe ser la tensin de salida deseada. La corriente que como mnimo deber poder soportar ser la mxima corriente que circule por R, y la potencia que debe de ser capaz de disipar ser la mxima corriente por R multiplicada por la tensin de ruptura. R debe disearse de forma que con las condiciones ms desfavorables de funcionamiento (tensin mnima de entrada y mxima corriente a la carga), provea la corriente de carga y la necesaria para polarizar al zaner (del orden de 1 mA).
c) Diseo. De lo que precede, R se calcula por la frmula: R= Vemin Vz 20 10 = = 470 I Lmax + I zmin 21
El zener ser uno de tensin de ruptura Vz = 10 V que deber poder soportar una corriente Iz max dada por: I zmax = y una potencia Pz: Pz = Iz max ! Vz = 255 mW Finalmente, se elige C = 2.500 F. d) Tabla de valores estndar. Vz = 10 V R = 470 C = 2.500 F Vemax Vz 22 10 = = 25.5mA R 470
PROBLEMA 16 Determine V0 para la red de la figura. D1
E=10V
D2
R=1k
Note en primer trmino que slo hay un potencial aplicado (10 V en la terminal 1). La terminal 2 con una entrada de 0 V se encuentra en esencia en un potencial de conexin a tierra, como se muestra en la red dibujada. Esta figura sugiere que es probable que D1 est en el estado encendido debido a los 10 V aplicados, en tanto que es posible que D2, con su lado positivo en 0 V, est en estado apagado. La suposicin de estos estados dar como resultado la configuracin siguiente:
VD=0,7V
V0=E; VD=VR=IR E=10V I R=1k
El siguiente paso consiste slo en verificar que no hay contradicciones en nuestras suposiciones. Esto es, note que la polaridad en D1 es tal que debe encender y que la polaridad en D2 es mantenerlo apagado. En D1 el estado encendido establece V0 a: V0 = E - VD = 10 V - 0.7 V = 9.3 V Con 9.3 V en el lado ctodo (-) de D2 y 0V en el lado del nodo (+), D2 se encuentra definitivamente en el estado apagado. La direccin de la corriente y la trayectoria continua que resulta para la conduccin confirman an ms nuestra suposicin de que D1 est conduciendo. Nuestras suposiciones parecen confirmarse por los voltajes y la corriente resultantes, y puede considerarse correcto nuestro anlisis inicial. El nivel de voltaje de salida no es de 10 V como se defini para una entrada de 1, pero el valor de 9.3 es lo suficientemente grande como para considerarse un nivel 1. La salida, por tanto, se encuentra en un nivel 1, con slo una entrada, lo que sugiere que la compuerta es una compuerta OR. Un anlisis de la misma red con dos entradas de 10 V dar como resultado que ambos diodos estn en el estado de conduccin y que la salida sea de 9.3 V. La entrada de 0 V en ambas entradas no brindar los 0.7 V que se requieren para que conduzcan los diodos y la salida ser igual a 0 al nivel de salida de 0 V. En la red de la figura 2, el nivel de corriente se determina mediante: I= E VD 10V 0.7V = = 9.3mA R 1k
PROBLEMA 17 Determine el nivel de salida para la compuerta AND de lgica positiva de la figura. D1
D2 R=1k E=10V
Observe en este caso que una fuente independiente aparece en la conexin a tierra de la red. Por razones que pronto sern obvias, se elige al mismo nivel que el nivel lgico de entrada. La red se encuentra redibujada abajo, con nuestras suposiciones iniciales en cuanto al estado de los diodos. Con 10 V en el lado del ctodo de D1 se supone que ste se encuentra en el estado encendido, aun cuando haya una fuente de 10 V conectada al nodo de D1 a travs del resistor. Sin embargo, recuerde que sealamos que el empleo de un modelo aproximado sera una ayuda para el anlisis. Para D1, de dnde provendrn los 0.7 V si la entrada y los voltajes de la fuente se encuentran al mismo nivel y crean presiones opuestas? Se supone que D2 se encuentra en el estado encendido debido al bajo voltaje en el ctodo y a la disponibilidad de la fuente de 10 V a travs del resistor de 1 k.
VD=0,7V E=10V I E=10V + V0=VD=0,7V R=1k
En esta red, el voltaje en V0 es 0.7 V a causa del diodo D2 polarizado directamente. Con 0.7 V en el nodo de D1 y 10 V en el ctodo, D1 se encuentra definitivamente en el estado apagado. La corriente I tendr la direccin indicada, y una magnitud igual a: I= E VD 10V 0.7V = = 9.3mA R 1k
De este modo se confirma el estado de los diodos y nuestro anlisis anterior fue correcto. Aunque no se defini el valor de 0 V para el nivel 0 como antes, el voltaje de salida es suficientemente pequeo como para considerarse un nivel 0. Para la compuerta AND, en consecuencia, una sola entrada producir una salida de nivel 0.
PROBLEMA 18 El diodo de la figura es ideal. Obtener VA. +12V R=10k VA
-8V La figura introduce un tipo de circuito ampliamente utilizado en electrnica. Las flechas indican el sentido de las tensiones respecto a una referencia de masa de cero voltios. Esta referencia es explcita, pero a menudo se omite en el diagrama. La figura que viene a continuacin es la notacin ms convencional del mismo circuito. La notacin compacta muestra cmo se conectan los componentes a los terminales de alimentacin y masa.
R=10k VA +12V 8V
+12V R=10k A C VA
ID
-8V Se espera que la corriente fluya del terminal de +12 V a travs del diodo, en sentido positivo, hacia la fuente de -8 V; por lo tanto suponemos que el diodo est en conduccin. A la derecha se muestra el modelo del circuito resultante. De este circuito equivalente se obtiene:
iD =
12 (8) = 2mA 10000 VA = -8 V
Vemos que nuestra suposicin inicial era correcta. Podemos concluir que:
PROBLEMA 19 El diodo de la figura es ideal. Hallar VC. +10V R=5k VC ID R=5k R=5k 6V 5V 6V
R=2,5k A C
VC R=5k
Supongamos el diodo en conduccin. Se obtiene la figura de la derecha. Est claro que iD es negativa, as que la suposicin inicial es incorrecta. Suponer que el diodo est cortado genera la figura de abajo. Como circula corriente nula por el circuito, vA = 5 V y vC = 6 V; por lo tanto vD = vA - vC = -1 V. Del diagrama, VC = 6 V. R=2,5k
A C + VD -
VC R=5k
5V 6V
PROBLEMA 20 Hallar Ii en la figura de la izquierda cuando: a) Vi = +12 V b) Vi = -6 V Suponer ideales los diodos. D1 A ID C D1 Ii + Vi 2k D2 12V 5k Ii + 2k D2 5k A C
a) Cuando Vi > 0, esperamos una corriente positiva Ii que se divide en dos partes, una por el diodo y otra por la resistencia de 5 k, as que suponemos el diodo D1 en conduccin. Esta corriente continuara a travs de la resistencia de 2 k, con D2 cortado, puesto que la conduccin inversa es imposible. La figura de la derecha muestra nuestro modelo de circuito. Como D1 cortocircuita la resistencia de 5 k, Ii = 12 / 2000 = 6 mA. Para D1, iD1 = +6 mA porque la tensin en la resistencia de 5 k es cero. D2 est cortado porque vD2 = -12 V. Por lo tanto, las suposiciones iniciales se verifican. b) Cuando Vi = -6 V, esperamos una corriente negativa en nuestro circuito. Esto sugiere que D1 est cortado y D2 conduce, dando la figura siguiente. De este circuito, Ii = -6/5 mA. Como iD2 es positiva y vD1 negativa, no hay contradiccin. A C D1
Ii + 6V -
5k 2k A D2 C
PROBLEMAS DIODOS ZENER. Procedimiento sugerido: Similar al de diodos semiconductores normales. 1) Se determina el estado del diodo. 2) Se sustituye por un modelo apropiado y una determinacin de las otras cantidades desconocidas de la red. Anlisis para el caso de Vi y R fijas: 1) Determinar el estado del diodo Zener extrayndolo del circuito y calculando el voltaje a lo largo del circuito abierto resultante. 2) Sustituir el circuito equivalente apropiado y resolver para las incgnitas deseadas.
PROBLEMA 21 (a) Para la red de diodo Zener de la siguiente figura, determinar VL, VR, IZ y PZ. (b) Repita la parte (a) con RL = 3 k.
+ VR R 1 -
V V i 16 V
=10 V
RL
1.2 K
=30 mW P ZM
(a) Calculamos el voltaje a travs del circuito abierto: V= RLVi 1.2k(16V ) = = 8.73 V R + RL 1k + 1.2k
Dado que V = 8.73 V es menor que VZ = 10V, el diodo est en estado de no conduccin, como se ve en la representacin de iz frente a VZ que se muestra a continuacin; con lo que lo sustituimos por un circuito abierto:
I R 1 K V
L R
V L
(mA) Z
I I
+
Z
V Z -
16 V V
-
1 K
V =10 V Z V 8.73 V Z
Donde hallamos que: VL = V = 8.73 V dado que estamos en paralelo
VR = Vi - VL = 16 V 8.73 V = 7.27 V IZ = 0 A y PZ = VZ IZ = VZ ( 0 A ) = 0 W
(b) Hallamos la tensin en vaco del diodo Zener: V= RLVi 3k(16V ) = = 12 V R + RL 1k + 3k
Dado que V = 12 V es mayor que VZ = 10 V, el diodo est en el estado de conduccin y se tendr la red de la siguiente figura:
+ VR R IZ -
1 K
+ V i 16 V V Z 10 V R L 3 k V -
Dado que los voltajes a travs de los elementos en paralelo deben ser los mismos, encontramos que: VL = VZ = 10 V y con VR = Vi VL = 16 V 10 V = 6 V IL = VL 10V = = 3.33 mA RL 3k VR 6V = = 6 mA R 1k
IR =
de modo que mediante la ley de corrientes de Kirchhoff IZ = IR - IL = 6 mA 3.33 mA = 2.67 mA La potencia disipada es PZ = VZ IZ = (10 V ) ( 2.67 mA ) = 26.7 mW La cual es menor que el valor especificado de PZM = 30 mW
Anlisis para el caso de Vi fijo, RL variable: Por causa del voltaje VZ, hay un intervalo de valores del resistor y, por tanto, de la corriente de carga, que asegurarn que el Zener est en estado de conduccin. Una resistencia de carga demasiado pequea RL originar un voltaje VL en el resistor de carga menor que VZ y el dispositivo Zener se encontrar en el estado de corte.
PROBLEMA 22 (a) Para la red de la figura siguiente, determinar el rango de RL e IL que dar como resultado a VRL mantenido a 10 V. (b) Determinar el voltaje nominal del diodo.
1 K + R IR I I Z L
= 50 V i
V = 10V Z I ZM =32 mA
R L
(a) Para determinar el valor de RL que llevar el diodo Zener al estado de conduccin, basta con calcular RL tal que produzca un voltaje de carga VL = VZ. Esto es, VL = VZ = RLVi ; R + RL RLmn = RVZ (1k)(10V ) 10k = = = 250 Vi VZ 50V 10V 40
El voltaje en el resistor R, que permanece fijo ahora que estamos en el estado de conduccin, se determina mediante VR = Vi VZ = 50 V 10 V = 40 V e IR permanece fijo en IR = VR 40V = = 40 mA R 1k
Dado que la corriente Zener IZ = IR - IL , vemos que IZ mnimo cuando IL es mximo, y viceversa, dado que IR es constante. Con lo que el nivel mnimo de IL viene dado por ILmn = IR - IZM = 40 mA- 32 mA = 8 mA
y la resistencia de carga mxima RLmx = VZ 10V = = 1.25 k ILmn 18mA
En las siguientes figuras se muestra una grfica de VL versus RL y VL versus IL.

VL V L
10 V
250
1.25 k
R L
8 mA
40 mA
IL
(b) Pmx = VZ IZM = (10 V ) ( 32 mA ) = 320 mW
Anlisis para el caso de RL fijo, Vi variable:
PROBLEMA 23 Determinar el intervalo de valores de Vi que mantendrn en el estado de conduccin al diodo Zener de la siguiente figura.
R + 220 K IR I I Z + V i V = 20V Z I ZM =60 mA R L 1.2 K V L L
El mnimo voltaje para activar Vi = Vimn se determina mediante VL = VZ = RLVi ( RL + R)VZ (1200 + 220)(20V ) ; Vimn = = = 23.67 V R + RL RL 1200
IL =
VL VZ 20V = = = 16.67 mA RL RL 1.2k
El valor mximo de Vi est limitado por la corriente Zener mxima IZM. Puesto que IZM = IR IL IRmx = IZM + IL = 60 mA + 16.67 mA = 76.67 mA Como IL se fija a VZ/RL e IZM es el valor mximo de IZ, el Vi mximo se define mediante Vimx = VRmx + VZ = IRmx R + VZ = ( 76.67 mA ) ( 0.22 k ) + 20 V = = 16.87 V + 20 V = 36.87 V En la siguiente figura se presenta una grfica de VL versus Vi
V 20 V L
10
20 23.67 V
40 36.87 V
PROBLEMA 24 En el circuito de la figura: Determinar la tensin en la resistencia RL, La cada de tensin en el diodo VD y la resistencia en continua equivalente del diodo. Suponer el modelo lineal con Vr = 0.7 V, Rd = 30 .
+ E=20V -
RL=2k
Sustituyendo el diodo por un modelo equivalente
V + + -
Rd
RL
i=
E Vr 20 0.7 = = 9.5 mA Rd + RL 2030
VL = RLi = 19 V La tensin en los bornes del diodo es: VD = Vr + Rd id = 0.7 + 9.510-3 30 = 0.98 V Rcc = VD 0.98 = = 103 ID 0.0095
PROBLEMA 25 Determinar la tensin de salida VL utilizando el modelo equivalente del diodo anterior y ( ? ) un diodo ideal. Vi = 5 sen wt.
002= L R
Vi
VL
En directo tendremos el siguiente circuito:
Rd
Vi
RL
La conduccin comienza a partir de Vi = Vr 5 sen X1 = 0.7 Vi Vr Rd + RL X1 = arcsen 0.7 = 8.04 5
i=
cuando Vi >Vr
i=
5senwt 0.7 ; 230 ?
VL = i RL = 4.34 sen wt 0.6 ) se muestra a continuacin:

Vi VL=i!RL
Las grficas i, VL (
x1=8,04 x1
0,7
x=t
En el ciclo negativo, ms exactamente en X = - X1 el diodo se polariza inversamente siendo un circuito abierto Rr = y VL = 0
PROBLEMA 26 Obtener la tensin Vd en los extremos del diodo, con el montaje de la figura. Vr = 0.7 V, Rd = 4, Vpp = 0.026 sen wt, E = 2V.
R=100
Vpp=26mV E=2V i Vd
Sustituimos el diodo por su modelo para polarizacin directa R V i Vd Rd
Vpp E
Para que comience la conduccin deber ser: E + Vpp Vr Vd = VAC = VA VC = Ri - = Rd i + Vr i = E + Vpp Vr 2 + 0.026 senwt 0.7 = = ( 0.0125 + 2.510-4 sen wt ) A R + Rd 104
Vd = Vr + Rd I = 0.7 + (0.0125 + 2.510-4 sen wt ) 4 = 0.75 +110-3 sen wt = = 0.75 V + 1 sen wt (mV)
Vd 0,75V 1mV
PROBLEMA 27 En el circuito de la figura. Calcular: a) Corriente en el diodo. b) Tensin en el diodo y a la salida. Vi = Vm sen wt, Vr = 0 V. Rf finita, Rr =
D
Vm
Vi
RL
VS
x=t
a) 0 < X < ; < X < 2;
i=
VmsenX Im senX Vm = = RL + Rf RL + Rf ?
i =0
El valor medio de la corriente ser Imedia = 1 2
I
0
senXdX =
Im Im cos X ]0 = [ 2
b) VL = VS = RL i = Im RL sen X VL = VS = 0
0 < X< < X < 2
Media VLmedia = Imedia RL = Im RL
La tensin en bornes del diodo ser conduccin bloqueo 0<X< < X < 2
i Im
Vd = i Rf = Im Rf sen X Vd = Vi = Vm sen X ya que VL = 0
0 VL ImRL
0 Vd
ImRf 0
-Vm
El valor medio de la tensin en el diodo Vd ser 2 1 Vd medio = I R senXdX VmsenXdX = f m + 2 0 = ( ? 1 [Im Rf Im( Rf + RL )] = - Im RL ) Vm = Im ( RL + Rf )
Obsrvese que el valor medio es negativo tal como aparece en la figura.
PROBLEMA 28 Se tiene un diodo de unin cuya caracterstica corresponde a la figura adjunta. Determinar para el circuito de la figura V2 en funcin de V1, utilizando la grfica V I del diodo, en el intervalo 5 < V1 < +5. Supongase RS = 100 y trazar la grfica V2. El clculo debe hacerse (
I(mA) 100 80 60 40 20 0 0,1 0,2 0,3 0,4 V(Voltios)
) vista de la caracterstica.
RS
V1
D1
D2
V2
V1 = 0 V. Ningn diodo conduce, no cae tensin en RS al ser i = 0 y V2 = V1 = 0 V. V1 = 0.1 V No hay conduccin V2 = 0.1 V. V1 = 0.2 V No hay conduccin V2 = 0.2 V. V2 = 0.3 V ( ? ) como D1 conduce. D2 bloqueado, es decir, para que comience la conduccin se precisa una tensin en bornes de ( ? ) segn la grfica. Es decir V2 = 0.3V. En la grfica determinamos la corriente aproximadamente Id = 6 mA; de aqu a la vista del circuito podemos obtener la tensin V1. V1 = RS Id + VD1 = RS Id + V2 = 610-3 100 + 0.3 = 0.9 V V2 = 0.35 V Id 15 mA V2 = 0.4 V Id 40 mA V1 = 1510-3 100 + 0.35 = 1.4 V V1 = 4010-3 100 + 0.4 = 4.4 V
Para valores negativos sucede algo smilar y el diodo que conduce es D2 V1 = 0 V V2 = 0 V V1 = -0.1 V V2 = - 0.1 V V1 = -0.2 V V2 = -0.2 V V1 = -0.9 V V2 = -0.3 V V1 = -1.4 V V2 = -0.35 V V1 = -4.4 V V2 = -0.4 V
V2 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 -0,1 -0,2 -0,3 -0,4 -0,5 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 V2
V2 V1 V1 1 0,5 0 -0,5 -1 t
PROBLEMA 29 Las corrientes de saturacin de los diodos D1 y D2 son 1 y 2 A. La tensin de ruptura es la misma en ambos e igual a 100 V. Calcular la corriente y la tensin en cada diodo si V = 90 V y V = 110 V. Repetir lo anterior si a cada diodo se le coloca en paralelo una R = 10 k.
D1 D2
Debemos suponer que la caracterstica ( ? ). Se mantiene en la corriente de saturacin I0 cte hasta que se alcanza la tensin de ruptura.
Id
Vi=100V
I0 Vd
IL
En esta situacin los dos diodos estn inversamente polarizados y circular la corriente inversa menos ( ? ) ambos. I = I01 = 1 A Como por el diodo D2 circula la corriente inversa I01, se tendr I2 = I02 ( eV2/VT 1 ) = -I01 I 01 Despejando V2 queda V2 = VT ln 1 I 02 =2 Considerando los diodos de Si VT = 0.026 V V2 = 2 0.026 ln( 1 0.5 ) = -36 mV V1 = V V2 = 90 - 3610-3 = -89.964 V Obsrvese como el diodo que posee menos corriente inversa es el que soporta prcticamente toda la tensin. En la grfica siguiente puede apreciarse lo anterior. Se ha supuesto para verlo ms claro una cierta dependencia de la corriente inversa con la tensin:
I
VR=VZ=100V
V1
V2
0 V I01
D1 D1
Vemos que la tensin V2 < V1 para un I01 en ambos diodos. Supongamos ahora V = 110V. Segn el apartado anterior vemos que D1 ha alcanzado la tensiin de ruptura zener. V2 = -10 V ( V = V1 + V2 ) Luego VD1 = VZ = -100 V Pasar la corriente inversa de saturacin de D2, I02 = 2 , ya que D2 no ha llegado a la zona de ruptura. ( V2 = -10 V )
PROBLEMAS: TEMA 4. PROBLEMA 30 a) Calcular el punto de reposo. b) Factores de estabilidad.

V = 10 V
CC
R1
90 K
R = 7 K
C
RE= 1 K R2 10 K
a)
RC= 7 K RB
V BB
R E= 1 k
R1R 2 900 10 6 = = 9103 = 9k RB = 3 R1 + R 2 100 10 VBB = VCC R2 10 10 3 = 10 = 1V R1 + R 2 100 10 3
VBB = IBRB + VBE + IERE VBB = ICRB / + VBE + ICRE
IC =
1 0.6 4 10 1 4 10 4 VBB VBE = = = = 0.4 mA 1.09 RE + RB / 1 10 3 + 9 10 3 / 100 1.09 10 3
VCC = ICRC + VCE + IERE VCC = IC (RC + RE) + VCE VCE = VCC - IC (RC + RE) = 10 410-4 (7103 + 1103) = 10 410-4 8103 = 10 3210-1 = 10 3.2 = 6.8 V (VBB VBE )( RB + RE ) (1 0.6)(9 10 3 + 1 10 3 ) 0.4 10 4 b) S = = = 2 [RB + RE (1 + )]2 9 10 3 + 1 10 3 (100) 1.09 10 5
4 10 5 = = 4 10 7 10 1 10
= 410-7 = 410-4 mA
PROBLEMA 31 Calcular la red de polarizacin de este circuito para que el punto de reposo sea Q(SC,VCE)(4mA,7V) Datos: a) SIco = 17 b) I1 = 10IB = 200
CC
= 15 V
R1
I1
I IB R2 I2
IE RE
a) VCC = ICRC + VCE + IERE VCC = IC (RC + RE) + VCE RC + RE = RC = 4RE SI = 1 + VCC VCE 15 7 = = 2 10 3 = 2k 3 IC 4 10
RE = 0.4 k ; RC = 1.6 k
RB RB = 1.7 RB = 6.4 k =1+ RE 0.4
VB = VBE + VE = 0.7 + 410-3 0.4105 = 2.3V VB = VCC R2 R1 + R 2 2.3 = 15 R2 R1 + R 2 R1 R 2 R1 + R 2 R1 = 41.58 k R2 = 7.56 k
6.4 = b) VCC = ICRC + VCE + IERE
RC + RE = 2 k RC = 1.6 k
RC = 4RE RE = 0.4 k IB = 4 IC = 0.02 mA = 200
I1 = 10 IB = 0.2 mA; VCC VB = I1R1
VB = 2.3V R1 = 15 2.3 = 63.5 R1 = 63.5 k 0.2 R2 = 12.7 k
VB = I2R2 = (I1-I2) R2 = (0.2-0.002) R2
PROBLEMA 32 Hallar R1 y R2 del circuito de la figura, para que trabaje en el punto: Q(IC,VCE)(3.75mA,4.5V)
+ 9V R1 RC = 1 K
= 100
RE= 200 K R2
Datos: VBE = 0,7 V VB = VBE + IERE VB = VBE + ICRE VB 0.7 + 3.75 0.2 = 1.45 V
RC= 1 K RB + 9 V
VBB
R = 200 k
E
VBB = VB = 1.45 V VBB = VCC R2 VBB 1.45 = = = 0.161 R1 + R 2 VCC 9
Como RB << ( +1) RE RE = 100 RE = 20k RB << 20k R1 R 2 = 2 10 3 ; R1 + R 2 R2 = 0.161 ; R1 + R 2 RB = 2k R1R2 = 2103 (R1+R2) = 2103 R1 + 2103 R2
R2 = 0.161R1 + 0.161R2
R2 0.839 = 0.161 R1
R2 = 0.192 R1 R1 0.192 R1 = 2103R1 + 2103 0.192 R1 0.192 R12 = 2103R1 + 0.384103R1 0.192 R1 = 2.384103; R1 = 2.384 10 3 = 12.4 10 3 = 12.4 k 0.192
R2 = 0.192 12.4103 = 2.4103 = 2.4 k
PROBLEMA 33 Hallar el punto de reposo para: a) RB = 1k b) RB = 10k Datos: VBE = 0.7 = 0.99 ICBO = 0
RC= 1 K RB + 10 V
+ 1 V
RE = 100 k
PROBLEMA 34 Hallar R1 y R2 conociendo ICQ = 10 mA segn los siguientes criterios: a) Para que sea estable frente a variaciones de . b) Imponiendo la estabilidad frente a ICBO. c) Asegurando la estabilidad de VBE. Datos: VBE = 0.6 V = 100
+ 10 V RC = 150 K
R1
RE= 50 K R2
PROBLEMA 35 Calcular el punto Q de reposo del transistor del siguiente circuito. Caso de que el factor SI no est entre11 y 21, disear de nuevo la red ( R1 y R2 ) para que cumpla esta condicin, sin variar el punto de polarizacin.
V = 10 V
CC
R = 1 K R1 9 K
C
R2 1 K
RE= 1 K
PROBLEMA 36 Calcular la red de autopolarizacin de un transistor de ganancia 100 < < 200 para alimentarlo a 20 V y que d trabajo en el punto Q(6mA,5.5V); sabiendo que RC ha de ser de valor 1k, por necesidades del diseo.
PROBLEMA 37 Calcular el valor de VBB necesaria para que el transistor trabaje en saturacin. Datos: = 15 VBE = 0.7 VCesat = 0.1 V
+ 10 V
R = 1K
C
RB= 10 K
R =1 K
E
PROBLEMA 38 Hallar el punto de reposo del amplificador de la figura, para: a) RB = 1k b) RB = 10k Datos: VBEQ = 0.7V = 0.99 ICBO = 0
+ 15 V
1K RB
1V 100
PROBLEMA 39 Hallar R1 y R2 para que VCEQ = 5V, teniendo en cuenta que ICQ no debe variar ms de un 10% cuando vare entre 20 y 60. Datos: VBE = 0.7V.
+ 25 V R2 1'5 K
1 K R1
PROBLEMA 40 Calcular R1 y R2 de un circuito de autopolarizacin para que ICQ = 10 mA, de forma que ste sea muy estable frente a las variaciones de .
PROBLEMA 41 En el circuito de autopolarizacin RE = 4.7 k y RB = 7.75 k, la tensin de alimentacin y RC se ajustan para que ICQ = 1.5 mA: a) Calcular las variaciones de ICQ en el margen de temperaturas de 65C a +175C. b) Si R1 = 1k, calcular VCC, RC y VCE para que el punto de reposo permita la mxima excursin simtrica en tensin.
T-2.CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES. Transistor = dispositivo de 3 capas

C I I
COLECTOR N
BASE P I
B
I EMISOR
N N
IC
+
IC
+
IB B V
CE
IB B
IE
E E
IE
E
+
VEB
VCB
E
+
VEB
VCB
Componentes de la corriente del transistor.
N I
I pE I
E
PC1
IpE -I pC E I
nE
IC I CD I
PCD
I nCD
IB
A)
IE = IPE + INE
Como el emisor est ms drogado IPE >> INE esto es deseable porque los electrones que atraviesan la unin desde la Base al Emisor no contribuye con portadores que alcacen el colector. No todos los huecos IPE alcanzan el colectro, IPC1. B) C) IPE IPC1 se recombinan con los electrones que entran en el circuito del exterior. Si abrimos el circuito emisor por colector ICO saturacin -ICO = INCO + IPCO As: IC = ICO IPC1 = ICO - IE Donde representa los huecos del emisor que atravesando la base llegan al colector. IPC = IPC1 + IPCO En un NPN las corrientes tendrn sentido contrario. desde el corte IE = 0 IC = ICO Puede definirse = IC ICO IE 0 hasta IC IE Ganancia corriente para grandes seales.
PROBLEMAS: TEMA 5. Ejemplo de circuito con polarizacin fija. PROBLEMA 42 Determine las siguientes cantidades para la configuracin de polarizacin fija de la siguiente figura a) IBQ e ICQ. b) VCEQ. c) VB y VC. d) VBC.
V CC =+12V
R B =240k Entrada de ca C 1 =10 F IB
IC +
R C =2.2k Salida de ca C 2 =10 F =50
V CE -
a) Consideramos primero la malla circuito base-emisor y aplicando Kirchhoff +VCC IBRB VBE = 0; IBQ = VCC V BE 12V 0.7V = = 47.08 RB 240k
En realidad, la expresin es slo la ley de Ohm. Consideramos ahora la seccin de colector-emisor a partir de ahora. La magnitud de la corriente de colector se relaciona directamente con IB ICQ = IBQ = (50)(47.08 A) = 2.35 mA b) Aplicando Kirchhoff a la malla colector-emisor en el sentido de las manecillas del reloj VCE + ICRC VCC = 0; VCEQ = VCC ICRC =
= 12V (2.35 mA)(2.2k)= 6.38 V c) Recordamos brevemente que VCE = VC VE donde VCE es el voltaje colector emisor y VC y VE son los voltajes de colector y emisor a tierra, respectivamente. Nos damos cuenta que en este caso VE = 0V VC = VCE = 6.83V
Adems, puesto que VBE = VB VE VE = 0V VB = VBE = 0.7V d) VBC = VB VC = 0.7V 6.83 V = -6.13 V
PROBLEMA 43 Determine el nivel de saturacin para la red del problema anterior. Para un transistor que opera en la regin de saturacin, la corriente es un valor mximo para el diseo particular. Si se vara el diseo, este nivel se elevar o caer. Para conocer la corriente mxima de colector aproximada (nivel de saturacin) para un diseo en particular, se inserta un corto circuito equivalente entre el colector y el emisor del transistor y se calcula la corriente de colector resultante. Es decir hacemos VCE = 0V, ocasionando que el voltaje a travs de RC sea el voltaje aplicado VCC. Por tanto, ICsat = VCC 12V = = 5.45 mA RC 2.2k
Fijmonos que en el ejemplo anterior ICQ = 2.35 mA que est alrededor de la mitad del valor mximo para el diseo.
Ejemplo de circuito de polarizacin estabilizada de emisor. PROBLEMA 44 Para la red polarizada de emisor de la figura siguiente, determine: a) IB b) IC c) VCE d) VC e) VE f) VB g) VBC Este circuito tiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad sobre el de la configuracin de polarizacin fija.
+20V
430k vi 10 F 1k
2k v0 =50 10 F
40 F
a) Consideremos la malla de base a emisor. Aplicando Kirchhoff en direccin de las manecillas del reloj +VCC IBRB VBE IERE = 0 operando obtenemos IB = VCC VBE 20V 0.7V 19.3V = = = 40.1A RB + ( RC + RE ) 430k + (51)(1k) 481k y recordando IE = ( +1) IB
b) IC = IB = (50)(40.1 ) 2.01 mA c) Consideremos a partir de ahora la malla de colector-emisor. Aplicando Kirchhoff para dicha malla +IERE + VCE + ICRC VCC = 0 y sustituyendo IE IC y agrupando trminos
VCE = VCC IC(RC+RE) = 20V ( 2.01 mA)(2k + 1k) = 20 V 6.03 V = = 13.97 V d) Mientras que el voltaje del colector a tierra se puede determinar a partir de VC = VCE + VE = VCC ICRC = 20 V (2.01 mA) (2k) = 20V 4.02V = 15.98 V e) VE = VCE VC = 15.98 V 13.97 V = 2.01 V
o bien se puede hallar as f) g) VE = IERE (2.01 mA)(1k) = 2.01 V VB = VBE + VE = 0.7 V + 2.01V = 2.71 V VBC = VB VC = 2.71 V 15.98 V = -13.27 V (polarizado inversamente como se se requiere)
PROBLEMA 45 Determine la corriente de saturacin para la red del ejemplo anterior. Mediante el mismo enfoque usado en la configuracin de polarizacin fija, se aplica un corto circuito entre las terminales colector-emisor y se calcula la corriente del colector resultante ICsat = VCC 20V 20V = = = 6.67 mA RC + RE 2k + 1k 3k
La adicin del resistor de emisor reduce el nivel de saturacin del emisor debajo del nivel que se obtiene con una configuracin de polarizacin fija por medio del mismo resistor del colector. Fijmonos que es ms de dos veces el nivel de ICQ para el ejemplo anterior.
PROBLEMA 46 La configuracin con polarizacin de emisor de la figura siguiente tiene las siguientes especificaciones ICQ = 1 2 ICsat, ICsat = 8 mA, VC = 18 V y = 110. Determine RC, RE y RB.
28 V RB RC V C =18V =110 RE
ICQ = RC =
1 2
ICsat = 4mA
VRC VCC VC 28V 18V = = = 2.5 k ICQ ICQ 4mA VCC RC + RE VCC 28V = = 3.5 k ICsat 8mA
ICsat =
R C + RE =
RE = 3.5 k - RC = 3.5 k - 2.5 k = 1 k IBQ = ICQ 4mA = = 36.36 A 110 VCC VBE RB + ( + 1) RE VCC VBE I BQ
IBQ =
RB + ( + 1) RE =
con
RB =
VCC VBE 28V 0.7V - (+1)RE = - (111)(1k) = I BQ 36.36 A
27.3V - 111 k = 639.8 k 36.36 A
Para valores estndar RC = 2.4 k RE = 1 k RB = 620 k
PROBLEMA 47 Determine los valores de los resistores para la red de la figura siguiente, para la fuente de voltaje y el punto de operacin indicados.
V CC =20V
RB Entrada de ca C 1 =10 F
I C =2mA
Q
R C C 2 =10 F V CE =10V
Q
Salida de ca
VB =150 RE
C E =50 F
VE = RE =
1 10
VCC =
1 10
(20 V) = 2 V
VE VE 2V = = 1 k IE IC 2mA VRC VCC VCE VE 20V 10V 2V 8V = = = = 4 k IC IC 2mA 2mA IC 2mA = = 13.33 A 150 VRB VCC VBE VE 20V 0.7V 2V = = = 1.3 M IB IB 1.33A
RC =
IB =
RB =
PROBLEMA 48 Estudiemos ahora el diseo de un circuito de ganancia en corriente estabilizada (independiente de ) Determine los niveles de RC, RE, R1 y R2 para la red de la siguiente figura, para el punto de operacin indicado.
V CC =20V
R1 Entrada de ca C 1 =10 F
I C =10mA
Q
R C C 2 =10 F V CE =8V
Q
Salida de ca
VB (min)=80 RE
C E =100 F
El valor de las cuatro resistencias se obtiene para un punto de operacin especificado. Como tal se suele elegir un valor para el voltaje emisor, VE, que conduce a una solucin directa para todos los valores de las resistencias. Todos los pasos de diseo se muestran a continuacin: VE =
1 10
VCC =
1 10
(20 V) = 2 V
RE =
VE VE 2V = = 200 IE IC 10mA VRC VCC VCE VE 20V 8V 2V 10V = = = = 1 k IC IC 10mA 10mA
RC =
VB = VBE + VE = 0.7 + 2 V = 2.7 V Para el clculo de R1 y R2 obtendremos una ecuacin usando el voltaje de base, VB, y el voltaje de la fuente, VCC, y otra ecuacin sabiendo que para que el circuito opere con eficacia la corriente a travs de estos dos resistores debe ser aproximadamente igual y mucho mayor que la corriente de base (al menos en proporcin 10:1). Este hecho y la ecuacin de divisor de voltaje son las dos relaciones necesarias para determinar los resistores de base: R2 VB =
1 10
RE
R2 VCC R1 + R 2
1 10
La sustitucin conduce a R2 VB = 2.7 V =
(80)(0.2k) = 1.6 k
(1.6k)(20V ) R1 + 1.6k
2.7R1 + 4.32 k = 32 k 2.7R1 = 27.68 k R1 = 10.25 k (10 k en nmeros redondos).
PROBLEMA 49 Determine el voltaje polarizado de cd VCE y la corriente IC para la configuracin con divisor de voltaje de la figura siguiente.
+ 22V
39 K Vi 10 F
10 K + V CE 1'5 K V0 10 F =140
3'9 K
50 F
Vamos a buscar el equivalente Thevenin. La fuente de voltaje se reemplaza por un cortocircuito equivalente y hallamos la resistencia Thevenin: RTH = R1 < R2 RTH = Hallamos la tensin Thevenin: ETH = Hallamos ahora las intensidades: IB = ETH VBE 2V 0.7V 1.3V = = = 6.05A RTH + ( + 1) RE 3.55k + (141)(1.5k) 3.55k + 211.5k R2 VCC 3.9 22 = = 2V R1 + R2 39 + 3.9 39 3.9 = 3.55k 39 + 3.9
donde hemos puesto en el numerador la diferencia de los dos niveles de voltaje, y en el denominador la resistencia de base ms el resistor de emisor reflejado por ( + 1). I C =I B = (140)(6.05A) = 0.85mA El voltaje polarizado de cd es: VCE = VCC - IC(RC + RE) = 22 V - (0.85 mA)(10 + 1.5)k = 22 V - 9.78 V = 12.22 V
PROBLEMA 50 Repita el anlisis del problema anterior utilizando la tcnica aproximada y compare las soluciones para ICQ y VCEQ.
+ 22V
39 K Vi 10 F
10 K + V CE 1'5 K V0 10 F =140
3'9 K
50 F
La aproximacin mencionada consiste en tomar RE 10!R2. Probmoslo en nuestro caso: 140 ! (1.5 k) 10 ! (3.9 k) 210 k 39 k (resultado satisfactorio)
En este caso, podemos calcular la tensin VB utilizando la ecuacin: VB = R2 VCC (3.9k)(22V ) = = 2V R1 + R2 39k + 3.9k
Ntese que el nivel de VB es el mismo que el de ETH determinado en el problema 1. Por consiguiente, la principal diferencia entre las tcnicas exacta y aproximada es el efecto de RTH en el anlisis exacto que separa a ETH y VB. VE = VB - VBE = 2 V - 0.7 V = 1.3 V I CQ I E = VE 1.3V = = 0.867 mA RE 1.5k
comparada con 0.85 mA correspondiente al anlisis exacto. Por ltimo: VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 22V - (0.867mA)(10k + 1.5k) = 22V - 9.97V = 12.03 V contra los 12.22 V obtenidos en el problema anterior. Los resultados para ICQ y VCEQ realmente estn muy cercanos y, tomando en consideracin la variacin real en los valores de los parmetros, se puede considerar con certeza que uno es tan preciso como el otro. Cuanto mayor sea el nivel de Ri en comparacin con R2, ms cercana ser la aproximacin a la solucin exacta.
PROBLEMA 51 Repita el anlisis exacto del problema anterior si se reduce a 70, y compare las soluciones para ICQ y VCEQ.
+ 22V
39 K Vi 10 F
10 K + V CE 1'5 K V0 10 F =140
3'9 K
50 F
Este ejemplo no es una comparacin de los mtodos exacto y aproximado, sino ms bien una prueba de qu tanto se trasladar el punto Q si el nivel de se trunca a la mitad. RTH y ETH son iguales: RTH = 3.55 k IB = ETH = 2 V
ETH VBE 2V 0.7V 1.3V = = = 11.81A RTH + ( + 1) RE 3.55k + (71)(1.5k) 3.55k + 106.5k I CQ =I B =70 11.81A =0.83mA
VCEQ =VCC I C ( RC + RE ) = 22V (0.83mA)(10k + 1.5k) = 12.46V Si tabulamos los resultados para los dos valores de : 140 70 ICQ (mA) 0.85 0.83 VCEQ (V) 12.22 12.46
Los resultados muestran claramente la relativa insensibilidad del circuito al cambio en . Aun cuando se trunca en forma drstica a la mitad de su valor, de 140 a 70, los niveles de ICQ y VCEQ son esencialmente los mismos.
PROBLEMA 52 Determine los niveles de ICQ y VCEQ para la configuracin de divisor de voltaje de la figura siguiente, utilizando las tcnicas exacta y aproximada, y compare las soluciones. En este caso, las condiciones de la ecuacin RE 10!R2 no se satisfacen, pero los resultados revelarn la diferencia en la solucin si se ignora el criterio de esta ecuacin.
18 V
82 K Vi 10 F
5'6 K I CQ + V CEQ 1'2 K 10 F =50 V0
3'9 K
Errata: no son 3.9 k, sino 22 k
- Anlisis exacto: RE 10!R2 (50)(1.2 k) 10(22 k) 60 k 220 k, lo cual no es cierto. Buscamos el equivalente Thevenin: RTH = R1 || R2 = 82 k || 22 k = 17.35 k ETH = R2VCC 22k 18V = = 3.81V R1 + R2 82k + 22k
Con lo que obtenemos los resultados pedidos: IB = ETH VBE 3.81V 0.7V 3.11V = = = 39.6 A RTH + ( + 1) RE 17.35k + (51)(1.2k) 78.55k I CQ =I B = (50)(39.6 A) = 1.98mA VCEQ = VCC I C ( RC + RE ) = 18V (1.98mA)(5.6k + 1.2k) = 4.54V -Anlisis aproximado: VB = ETH = 3.81 V VE = VB - VBE = 3.81 V - 0.7 V = 3.11 V
VE 3.11V = =2.59mA RE 1.2k VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 18 V - (2.59 mA)(5.6 k + 1.2 k) = 0.388 V I CQ I E =
PROBLEMA 53 Determine los niveles quiescentes de ICQ y VCEQ para la red de la figura siguiente.
10 V
4'7 K 250 K
10 F
V2
Vi 10 F
=90 1'2 K
Usaremos la ecuacin de una malla de base a emisor: IB = VCC VBE 10V 0.7V 9.3V 9.3V = = = =11.91A RB + ( RC + RE ) 250k + (90)(4.7 k + 1.2k) 250k + 531k 781k I CQ =I B =(90)(11.91A) = 1.07mA VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 10 V - (1.07 mA)(4.7 k + 1.2 k) = 3.69 V
PROBLEMA 54 Repita el ejemplo anterior empleando una beta de 135 (50% ms que en el anterior caso).
10 V
4'7 K 250 K
10 F V2 =90
Vi 10 F
1'2 K
Es importante advertir que en la solucin para IB en el ejemplo anterior, el segundo trmino en el denominador de la ecuacin es mayor que el primero. Recordemos que cuanto mayor sea este segundo trmino comparado con el primero, menor ser la sensibilidad a los cambios con beta. En este ejemplo, el nivel de beta aumenta en un 50%, lo que incrementar la magnitud de este segundo trmino an ms en comparacin con el primero. Sin embargo, es ms importante notar en estos ejemplos que una vez que el segundo trmino es relativamente grande comparado con el primero, la sensibilidad a los cambios en beta es significativamente menor. Resolviendo para IB, obtenemos:
IB = VCC V BE 10V 0.7V 9.3V = = 8.89 A = R B + ( RC + R E ) 250k + (135)( 4.7 k + 1.2k ) 250k + 796.5k
I C = I B = (135)(8.89 A) =1.2mA VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 10 V - (1.2 mA)(4.7 k + 1.2 k) = 2.92 V Aun cuando el nivel de se ha incrementado en un 50%, el nivel de ICQ solamente aument un 12.1%, mientras que el nivel de VCEQ disminuy cerca de un 20.9%. Si la red fuera un diseo de polarizacin fija, un aumento del 50% en habra resultado en un 50% de aumento en ICQ y en un cambio dramtico en la localizacin del punto Q.
PROBLEMA 55 Para la red de la figura, calcular ICQ, VCEQ, VB, VC, VE, y VBC.
V CC=20 V
R c =4'7 K RB C1 Vi 10 F 250 K
10 F V2 C2 =120
La ausencia de RE reduce la reflexin de los niveles resistivos a simplemente el nivel de RC, y la ecuacin para IB se reduce a: V VBE 20V 0.7V 19.3V I B = CC = = = 23.7 A RB + RC 250k + (120)(4.7k) 814k I CQ =I B =(120)(23.7 A) = 2.84mA VCEQ = VCC - ICRC = 20 V - (2.84 mA)(4.7 k) = 6.65 V VB = VBE = 0.7 V VC = VCE = 6.65 V VE = 0 V VBC = VB - VC = 0.7 V - 6.65 V = -5.95 V
PROBLEMA 56 Determine VCEQ e IE para la red de la figura siguiente.

C1 10 F RB 240K RE V EE
Vi
=90 C2 10 F 2 K -20 V
V0
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada, obtenemos: pero y con IB = VEE V BE 20V 0.7V 19.3V 19.3V = = = = 45.73A RB + ( + 1) R E 240k + (91)(2k) 240k + 182k 422k I C = I B = (90)(45.73A) = 4.12mA Aplicando la ley del voltaje de Kirchhoff al circuito de salida, tenemos: pero y -VEE + IERE + VCE = 0 IE = ( + 1)IB VCEQ = VEE - ( + 1)IBRE = 20 V - (91)(45.73 A)(2 k) = 11.68 V IE = (91)(45.73 A) = 4.16 mA -IBRB - VBE - IERE + VEE = 0 IE = ( + 1)IB VEE - VBE - ( + 1)IBRE - IBRB = 0
PROBLEMA 57 Determine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuracin de base comn de la figura siguiente.
=60 Vi V0
RE V EE
1.2 K 4V
RC V CC
2.4K 10 V
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada, llegamos a: VEE + IERE + VBE = 0 IE = VEE VBE 4V 0.7V = = 2.75mA RE 1.2k
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida, tenemos: -VCB + ICRC - VCC = 0 VCB = VCC - ICRC con IC IE
VCB = VCC - IERC = 10 V - (2.75 mA)(2.4 k) = 3.4 V IB = I C 2.75mA = = 45.8A 60
PROBLEMAS: AMPLIFICADORES. PROBLEMA 58 Calcular la ganancia en tensin del amplificador CASCODE. hie = 760 hfe = 200
v1 ib
1
E2
C2
v 02
R B2 ||R B3
h ie
h ie
h fbie
RC
Base Q 2 V CC =18V
R B1=6.8k C 1 =10 F Q2 R B2 !4.7k C S =5 F Q1 R B3 !4.7k
R C =1.8k V 02 C=5 F V 01
R E =1.1k
C E =5 F
AV1 (emisor comn) =
hfeZE 2 200 3.782 = = -0.99 hie 760
ZE2 = hib2 =
hie 760 = = 3.78 1 + hfe 1 + 200
AV2 = hfb =
hfb 0.99 1 8 10 3 RC = = 471.4 hiRb 3.78 hfe = 0.99 1 + hfe
AV = AV1AV1 = -466.6
PROBLEMA 59 Amplificador Multietapa (anlisis) Caso en que los amplificadores se conectan en serie (cascada): La carga en el primero es la resistencia de entrada del segundo. La ganancia en una etapa se determina por la carga de sta, que se gobierna por la resistencia de entrada a la siguiente etapa. As, al disear o analizar amplificadores multietapa, se empieza por la salida y se contina hacia la entrada. Determnese las ganancias de tensin y corriente para el amplificador de dos etapas acoplado por condensador que se muestra en la siguiente figura. Todos los condensadores son suficientemente grandes para considerarse cortocircuitos de la seal de ca.
12V
i R 2 =7k V1 2k R 2 =1k 50k 50k 600k 10k
500k V0 is
2
R L =600
Se desarrolla el circuito equivalente hbrido para el amplificador multietapa de la figura dada. El circuito hbrido es el siguiente.
iE i s1 i s2 i c2
i b1
i c1
Las variables prima denotan cantidades de salida de la etapa, mientras que las variables normales denotan cantidades de entrada a ella. Los clculos para la etapa de salida son: RB = 10000 2000 = 1.67 k 10000 + 2000 12 2000 =2 V 10000 + 2000
VBB =
ICQ =
VBB VBE 2 0.7 = = 22 mA R/ + RE 1670 / 200 + 50 hie = 235.17
hib = 26 mV / |ICQ| = 1.17 Para la etapa de entrada: RB = 7000 1000 = 8.75 7000 + 1000 12 2000 = 1.5 V 7000 + 1000 VBB VBE 1.5 0.7 = = 1.47 mA R/ + RE 875 / 200 + 50 26mV = 1.77 14.7 mA
VBB =
ICQ =
hib =
hie = 355.77
La resistencia de entrada se determina usando la ecuacin siguiente: Ren =RB || (hib + RE) = 875 200 (1.77 + 50) = 807 875 + 10354
La ganancia de corriente, Ai, se encuentra de la siguiente forma ib = RB ien 875in = = 0.078ien RB + (hib + RE ) 875 + 200(1.77 + 50)
La resistencia de entrada de la segunda etapa es Ren = RB || hie = 205 La corriente Ren es iL y est dada por iL = 15.6 ien 600 = 11.63 ien 805
Nuevamente, iL se divide en la entrada de la segunda etapa. Entonces, ib = 1670(11.63ien RB i L = = 10.38ien R B + hie (1670 + 205)
La corriente de salida: io = 10.38ien 200 500 = 941 ien 500 + 600
La ganancia de corriente es Ai = 941 Y la ganancia en tensin es Av = 941 600 = 700 807
PROBLEMA 60 Calcule la ganancia en tensin, la tensin de salida, la impedancia de entrada y de salida para un amplificador de dos etapas en E. C. Ambos autopolarizados con divisor de tensin y acoplados por condensador. VCC = 20 V, hie = 1260 , hfe = 200, VE = 25 V, RL = 10 k, R1 = 15 k, R2 = 4,7 k, RC = 2.2 k, RE = 1 k, CE , Cacoplo.
20V
15k =200 V 1 =25 V + 4.7k
2.2k V0 1 F + 1k C E =20 F RL
ZB1 = hie1 (RE est cortocircuitada) ZE1 = RB1 || ZB1 = R11 || R22 || hie1 = 15 k || 4.7 k || 1.26 k = 932 ZE2 = R21 || R22 || hie2 = 15 k || 4.7 k || 1.26 k = 932 2.2 0.932 200 hfe ( RC || ZE 2) 2.2 + 0.932 = AV1 = = -103 hie1 1.26 hfeRC 200 2.2 = = -349.2 hie 1.26
AV2 =
AV = AV1AV2 = 84507 ZS = RC 2.2 k La tensin de salida VS = AV VE = 845072510-6 = 2.1 V Si ahora se conecta una resistencia RL:
ib
1
ib
RB
h ie
h fbie
Rc
RB
h ie
h fbie
RC
RL
En este caso se cumple que (RC || RL) = 1.80 k AV2 = hfe ( RC || RL ) = -186.24 hie
AV = AV1AV2 = 36281.8 VS = AV VE = 0.74 V.
PROBLEMA 61 Determinar la ganancia en corriente del siguiente circuito.

12V
i R 2 =7k V1 2k R 2 =1k 50k 50k 600k 10k
500k V0 is
2
R L =600
Dibujamos primero el circuito hbrido equivalente
iE
i s1
i s2 i c2
i b1
i c1
Calculamos primero RB1 y RB2 del circuito hbrido equivalente: RB1 = 7000 1000 = 875 4000 + 1000 10000 2000 = 1.67 k 10000 + 2000
RB2 =
A continuacin calculamos los siguientes parmetros: ZB1 hie1 + hfe1 RE1 = 355.77 + 200 50 = 10356 ZE1 = RB1 || (hie + hfe RE) = 875 10356 = 807 875 + 10356
ZE2 = RB2 || hie2 = 1.67 k || 355.77 = 205 Ai =

=
i s 2 i s 2 ib 2 i s1 ib1 = = i E ib 2 i s1 ib1 i E
h fe1 Rc1 Rc1 + Z E 2 R B1 = 823 R +h +( 1 + h fe1 R E1 ) ie1 B1
h fe 2 Rc 2 RB 2 + Rc 2 + R L R B 2 + hie 2
PROBLEMA 62 Para la red de la figura, sin CE (sin derivacin) determine: a) re b) Zi c) Z0 d) Av e) Ai
20V I0 270k 5.6k
C1=10F Vi Ii Zi 1.2k .=120
C2=10F
Z0 CE=10F
a) CD. IB = VCC V BE 20V 0.7V = = 46.5A RB + ( + 1) RE 270k + (121)1.2k I E = ( + 1) I B = (121)(46.5A) = 5.63mA re = b) Zb = re + ( + 1)RE = (120)(4.62) + (121)1.2k = 145.75k contra 144 k utilizando Zb RE Zi = RB || Zb = 270k || 145.75k = 94.65k contra 93.91 k empleando Zi RB || RE 26mV 26mV = = 4.62 IE 5.63mA
c) Z0 = RC = 5.6k d) Av =
RC (120)(5.6k) = = 4.61 Zb 145.75k contra -4.67 utilizando Av -RC / RE
e) Ai = o bien Ai = Av Zi 94.65k = (4.61) = 77.92 RC 5.6k
RB (120)(270k) = = 77.93 RB + Z b 270k + 145.75k
PROBLEMA 63 Repita el problema anterior con CE colocado en su sitio. a) El anlisis de cd es el mismo, y re = 4.62 . b) RE es cortocircuitado por CE para el anlisis de ca. Por consiguiente: Zi = RB || Zb = RB || re = 270 k || (120)(4.62 ) = 270 k || 554.4 = 553.26 c) Z0 = RC = 5.6 k d) Av = RC 5.6k = = 1212.12 re 4.62
lo cual es un incremento significativo con respecto al caso anterior. e) Ai =
RB (120)(270k) = = 119.75 RB + Z b 270k + 554.4
PROBLEMA 64 Para la red de la figura, determine (empleando aproximaciones apropiadas): a) re b) Zi c) Z0 d) Av e) Ai
16V I0 2.2k 90k C1 Vi Ii Zi 10k 0.68k =210 C2 + Z0 V0 CE a) Al probar RE > 10R2: (210)(0.68 k) > 10(10 k) 142.8 k > 100 k se satisface VB = R2 10k VCC = 16V = 1.6V R1 + R2 90k + 10k
V E = V B V BE = 1.6V 0.7V = 0.9V
IE =
VE 0.9V = = 1.324mA RE 0.68k
re =
26mV 26mV = = 19.64 IE 1.324mA
b) El circuito de ca equivalente se proporciona en la figura siguiente:
Ii + Zi Vi 10k 90k 0.68k I0
+ Z0 V0 2.2k
R'
La configuracin resultante tiene ahora R = R1 || R2 = 9 k. Al utilizar las aproximaciones adecuadas, llegamos a: Zb RE = (210)(0.68 k) = 142.8 k Zi = RB || Zb = 9 k || 142.8 k = 8.47 k c) Z0 = RC = 2.2 k d) Av = e) Ai = Av Zi 8.47 k = (3.24) = 12.47 RC 2.2k RC 2.2k = = 3.24 RE 0.68k
PROBLEMA 65 Repita el problema anterior con CE en su sitio. a) El anlisis de cd es el mismo, y as, re = 19.64 . b) A partir del circuito de ca equivalente de la segunda figura: Zb = re = (210)(19.64 ) = 4.12 k Zi = RB || Zb = 9 k || 4.12 k = 2.83 k c) Z0 = RC = 2.2 k
d) Av = RC 2.2k = = 112.02 re 19.64 lo cual es un incremento significativo.
e) Ai = Av Zi 2.83k = (112.02) = 144.1 RC 2.2k
PROBLEMA 66 Para la red de la figura, determine: a) Zi b) Z0 c) Av d) Ai
8V I0 2.7k 330k V0 Vi Ii Zi
a) Zi = RB || hie = 330 k || 1.175 k = 1.171 b) r0 = 1 1 = = 0.05M = 50k h0 e 20 A / V (vemos que Zi hie)
hfe=120 hie=1.175k hfe=20A/V
Z0
Z0 =
1 || RC = 50k || 2.7 k = 2.56k RC h0 e
c) Av = d) Ai hfe = 120 h fe RC hie = (120)(2.7 k) = 276.69 1.171k
PROBLEMA 67 Para la red de la figura, determine: a) Zi b) Z0 d) Av e) Ai
Ii + I0 Zi 2.2k Vi 4V a) Zi = RE || hib = 2.2 k || 14.3 = 14.21 b) r0 = 1 1 = = 2 M h0b 0.5A / V (vemos que Zi hib)
+ Z0 hfb=-0.99 hib=14.3 hob=0.5A/V 3.3k 10V V0
Z0 = c)
1 || RC = 2 M || 3.3k = 3.3k RC h0b
Av = d) Ai hfb = -1
h fb RC hib
(0.99)(3.3k) = 229.91 14.21k
PROBLEMA 68 Disear el amplificador estabilizado por divisor de tensin de la figura para que trabaje en clase A, tenga una ganancia de tensin Av = -4 y una frecuencia inferior de corte de aproximadamente 50 Hz. En el circuito diseado, cul es la mxima seal de entrada para una salida sin distorsin? Suponer el BJT de silicio con > 100.
VCC=10V
RL CB + Vi R1
R2 RE
Para que el amplificador trabaje en clase A, se debe cumplir: VCC = ICQ (RL + RE) y para que la ganancia de tensin valga -4, se debe verificar: Av = -4 = -RL / RE RL = 4RE Sustituyendo en la primera ecuacin, y fijando ICQ = 1 mA, inmediatamente se obtiene: VCC = ICQ 5RE 5V = 1 mA!5RE RE = 1 k con lo que: RL = 4 k Con los valores de RE e ICQ anteriores, la tensin en el emisor vale VE = 1 V, y en consecuencia, la tensin en la base es VB = 1.7 V. Eligiendo la corriente ID por el divisor R1 - R2 igual a ID = 0.1 mA >> IB, fcilmente se determina: R2 = VB / ID = 17 k R1 = (VCC - VB) / ID = 83 k La impedancia que ve el condensador CB es igual a la impedancia de entrada Zinp del amplificador, que vale: Zinp = R1 || R2 || ( + 1)RE = 12.38 k y, en consecuencia: Zinp = (CB1)-1 = 12.38 k CB = (12.38 k ! 2!50 Hz)-1 = 257 nF
Veamos cul es la mxima amplitud posible de la seal de entrada. El BJT se cortar cuando en su emisor la tensin valga cero voltios o, lo que es lo mismo, cuando en la base la tensin valga VB = 0.7 V. En consecuencia, la mxima amplitud de la seal de entrada es de 1 V.
PROBLEMA 69 En el circuito de la figura, hallar R1 y R2 para que el circuito trabaje en clase A de alterna. Con los valores de R1 y R2 obtenidos, cul es la mxima amplitud de la salida sin distorsin? El BJT es de Ge (VBE 0) y con > 100.
VCC=10V
RL=150 CB R1
R2
RE 100
CE
La ecuacin de la recta esttica de carga es: y de la recta dinmica: VCC = ICQ (RL + RE) + VCEQ (iC - ICQ)RL = -(vCE - vCEQ) Para una excursin mxima simtrica se debe verificar: vCE = 0 ic = 2ICQ ICQ = VCEQ / RL Sustituyendo el este valor en VCC: VCC = ICQ(RL + RE) + ICQRL I CQ = VCC 10V = = 25mA 2 RL + RE 2 150 + 100
Es decir, para que el circuito trabaje en la clase A de alterna, el transistor debe polarizarse mediante R1 y R2 para que la corriente de colector en el punto Q valga ICQ = 25 mA. En ese caso, la tensin en el emisor valdr VE = ICQ!RE = 2.5 V, tensin que ser igual a la que hay en la base VB por ser VBE = 0. Fijando la corriente ID por el divisor en ID = 2.5 mA, inmediatamente se determina: R1 = VCC VB 10V 2.5V = = 3k ID 2.5mA R2 = VB 2.5V = = 1k I D 2.5mA
La mxima amplitud de salida, dado que el punto Q est centrado en alterna, vale: ICQRL = 3.75 V
PROBLEMA 70 En el amplificador de la figura, hallar: a) R2 de modo que ICQ = 5 mA. b) El mximo valor de la amplitud de la tensin de salida sin distorsin con ICQ = 5mA c) El valor de R2 que hace que el amplificador trabaje en clase A de alterna y calcular en ese caso el mximo valor de la amplitud de la salida sin distorsin.
VCC=12V BJT R2 CB CE + Vi RE 1k RL 2k hfb=-0.99 hib=14.3 hie=1k
a) Si ICQ = 5 mA, la tensin en la base debe valer: VB = VE = ICQRE = 5 V
Como la corriente continua de base vale IB = ICQ / = 0.1 mA, resulta: R2 = b) La tensin VCEQ es igual a: VCEQ = VCC - ICQRE = 12 V - 5 mA ! 1 k = 7 V por tanto, el punto Q est ms prximo a la zona de corte que a la de saturacin, y ser precisamente el corte del BJT la causa que limite la amplitud de la oscilacin. La ecuacin de la recta dinmica de carga es: (iC - ICQ)R = -(vCE - VCEQ) siendo R = RE || RL. Cuando el transistor se corta (iC = 0) la tensin vCE vale: vCE = VCEQ + ICQR = 7 V + 5 mA ! 2/3 k = 10.33 V por lo que, en ese instante, la tensin en el emisor vale: vE = vC - 10.33 V = VCC - 10.33 V = 12 V - 10.33 V = 1.67 V de donde, la mxima amplitud V0 de la seal de salida es: V0 = VE - vE = 5 V - 1.67 V = 3.33 V c) Para que el seguidor trabaje en clase A de alterna, vCE = 0 y iC = 2ICQ por lo que nos queda: (iC - ICQ)R = -(vCE - VCEQ) ICQR = VCEQ Por otro lado, la ecuacin de la recta esttica de carga es: VCC = ICQRE + VCEQ Combinando estas dos ltimas ecuaciones: I CQ = VCC 12V = = 7.2mA RE + R 1k + 0.67 k VCC VB 12V 5V = = 70k IB 0.1mA
Con el valor anterior de ICQ, la tensin en la base es VB = 7.2 V, de donde: R2 = VCC VB 12V 7.2V = = 33k IB 0.144mA
La amplitud mxima V0 de la oscilacin de salida vale en este caso: V0 = ICQR = 7.2 mA ! 0.67 k = 4.8 V
PROBLEMA 71 Determnese el punto Q para el circuito mostrado en la figura si R1 = 1.5 k y R2 = 6 k. Se utiliza un transistor 2N3903, con = 140, RE = 100 y RC = RL = 1k.
VCC=5V
R2
RC=1k C 2N3903 VBE=0.7V v0
Vi -
R1
RE 100
RL 1k
VBB =
R1VCC 1500 5V = = 1V R1 + R2 1500 + 6000 RB = R1 R2 = 1200 R1 + R2
Se determina si el amplificador tiene estabilidad con cambios en mediante a verificacin de RB < 0.1RE = 0.1(140)(100 ) = 1400 . Como la desigualdad se cumple, se tiene estabilidad. Se encuentra el punto Q como sigue: I CQ = VBB V BE 1V 0.7V = = 2.76mA RB / + RE 1200 / 140 + 100
Se encuentran Rca = RC || RL = 500 , y Rcd = RC + RE = 1.1 k
Calculamos VCEQ: VCEQ = VCC - ICQRcd = 5 V - 2.76 mA ! 1.1 k = 1.96 V Entonces: VCC = VCEQ + ICQRac = 1.96 V + 2.76 mA ! 500 = 3.34 V Como el punto Q se halla en la mitad inferior de la lnea de carga de ca, la mxima excursin simtrica en la tensin de salida es: 2ICQ(RC || RL) = 2(2.76 mA)(500 ) = 2.76 V En este ejemplo, el punto Q no se encuentra en la mitad de la lnea de carga, de manera que la excursin en la salida no es mxima. Sin embargo, si la seal de entrada es pequea y no se requiere mxima salida, se puede utilizar una ICQ pequea para reducir la potencia disipada en el circuito.
PROBLEMA 72 Seleccinese R1 y R2 para mxima excursin en la tensin de salida en el circuito del ejemplo anterior. Determinamos la ICQ: I CQ = VCC 5V = = 3.13mA Rca + Rcd 500 + 1100 pues Rca = RC || RL = 500 , y Rcd = RE + RC = 1100 . Para mxima excursin: VCC = 2VCEQ Entonces, VCEQ est dado por: VCEQ = (3.13 mA)(500 ) = 1.56 V La interseccin de la lnea de carga de ca con el eje vCE es VCC. As: VCC = 2VCEQ = 3.12 V De las especificaciones del fabricante, = 140, luego: RB = 0.1(140)(100) = 1400 VBB = 3.13 mA (1400 / 140 + 100) + 0.7 = 1.044 V
Con esto, se encuentra R1 y R2: R1 = RB 1 VBB / VCC = 1400 = 1.77 k 1 1.044 / 5
R2 =
RBVCC 1400 5V = = 6.7 k VBB 1.044V
La mxima excursin en la tensin de salida, ignorando las no linealidades de saturacin y corte, sera entonces: 2ICQ(RC || RL) = 2(3.13 mA)(500 ) = 3.13 V

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Captulo 1

Bases Dispositivos electrnicos reas

Fsica de Estado Slido

T de Seales MOS Electrnica digital Funciones bsicas en tecnologa integrada 5

Funciones del rea

! Electrnica de potencia Diseo y utilizacin de las funciones bsicas en tecnologa discreta 1, 4

Tabla 1.1. Contenido de la electrnica.

Funciones bsicas de la electrnica.

Martinez Bernia y Asoc.

Sensores Mundo Analgico Acondicion. y Conversin A/D

Acondicion. y Conversin A/D

Acondicion. y Conversin A/D

Figura 1-1. Flujo generalizado del tratamiento electrnico de la informacin.

Clasificacin de los semiconductores.

Martinez Bernia y Asoc.

Captulo 1. Introduccin a la Electrnica. 3

1.3.1 Caractersticas deseables en un dispositivo controlable.

Martinez Bernia y Asoc.

Pcon = 1 Vd I o t con ; 2 t con = t ri + t fv ;

Io Vc tdc tri tfv tcon tdb trv tfi tdes

Pdes = 1 Vd I o t des ; 2 t des = t rv + t fi ;

Martinez Bernia y Asoc.

Captulo 1. Introduccin a la Electrnica. 5

Evolucin de estos semiconductores.

Martinez Bernia y Asoc.

Captulo 1. Introduccin a la Electrnica. 7

100.000 20.000 algunos kHz 70.000

Muy alto 2.000 900 Muy alto

Martinez Bernia y Asoc.

Tensin en conduccin (V)

MCT 1000V 65A Tensin

9. Corriente Inversa (mA)

Tabla 2. Datos comparativos de diferentes semiconductores

Martinez Bernia y Asoc.

Repaso de teora de circuitos.

1.5.1 Constitucin de un circuito elctrico

1.5.2 Sentidos y polaridades de corrientes y tensiones

Martinez Bernia y Asoc.

Captulo 1. Introduccin a la Electrnica. 9

1.5.3 Elementos activos

1.5.4 Formas de onda

Martinez Bernia y Asoc.

f (t) = f (t +T) = f (t + nT)

Martinez Bernia y Asoc.

Captulo 1. Introduccin a la Electrnica. 11

1.5.5 Valor medio y valor eficaz

Vm [ cos t ]0 = Vm [( cos ) ( cos 0 )] = 2 Vm = 0.637 Vm

El factor de forma de una seal alterna es:

El factor de amplitud de una seal alterna es:

Martinez Bernia y Asoc.

Martinez Bernia y Asoc.

Captulo 1. Introduccin a la Electrnica. 13

Por otro lado, despejando la corriente de la ecuacin anterior, tenemos:

Martinez Bernia y Asoc.

La potencia en una inductancia es:

La energa en la inductancia se encuentra almacenada en el campo magntico.

Integrando entre i(t0) e i(t), se tiene:

Generalmente se selecciona t 0 = y a menudo la corriente i() = 0 . Entonces, se tiene:

La tensin que presenta un condensador depender por tanto de la carga acumulada:

Sustituyendo, tenemos la tensin del condensador en funcin de la intensidad de corriente:

Martinez Bernia y Asoc.

Captulo 1. Introduccin a la Electrnica. 15

Despejando i(t) de la ecuacin, tenemos: