Electronica Potencia1 1

Escuela Politcnica Superior. Universidad de Jan (Espaa) Departamento Ingeniera Electrnica y Automtica Juan D.
Aguilar Pea Marta Olid Moreno

jaguilar@ujaen.es http://blogs.ujaen.es/jaguilar/
Electrnica de Potencia Juan Domingo Aguilar Pea 2005
Escuela Politcnica Superior. Universidad de Jan (Espaa) Departamento Ingeniera Electrnica y Automtica
Este manual electrnico llamado ELECTRNICA DE POTENCIA tiene licencia Creative Commons
ndice General
UNIDAD N 0. INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA. EVALUACIN. Tema 0.- INTRODUCCIN ELECTRNICA DE POTENCIA
UNIDAD N 1. REPASO DE CONCEPTOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Tema 1.ARMNICOS. REPASO CONCEPTOS:
DISPOSITIVOS
POTENCIA
ELCTRICA.
Tema 2.- ELEMENTOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Tema 3.- DISIPACIN DE POTENCIA UNIDAD N 2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA Tema 4.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA UNIDAD N 3. DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS Tema 5.- TIRISTOR. Tema 6.- GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAC Y EJEMPLOS DE APLICACIONES UNIDAD N 4. CONVERTIDORES Tema 7.- CONVERTIDORES AC/DC: RECTIFICACION. Tema 8.- FILTRADO Y FUENTES REGULADAS Tema 9.- CONVERTIDORES DC/DC Tema 10.- INTRODUCCIN A LAS CONFIGURACIONES BSICAS DE LAS FUENTES DE ALIMENTACIN CONMUTADAS Tema 11.- CONVERTIDORES DC/AC: INVERSORES.
MANUAL DE USUARIO
Electrnica de Potencia
UNIDAD N 0. INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA
UNIDAD N 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

UNIDAD N 2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA UNIDAD N 3. DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS UNIDAD N 4. CONVERTIDORES
Tema 0.- Introduccin a la Electrnica de Potencia Introduccin. Concepto de electrnica de potencia. Evolucin tecnolgica y dispositivos. Convertidores. Ejemplos de aplicacin
Prof. J.D. Aguilar Pea Departamento de Electrnica. Universidad Jan jaguilar@ujaen.es http://voltio.ujaen.es/jaguilar
0.1 Introduccin 0.2 Electrnica de potencia 0.3 Campos de aplicacin 0.4 Procedimientos de conversin 0.5 Requisitos del dispositivo electrnico de potencia 0.6 Componentes de base en la electrnica de potencia 0.6.1.- Comparacin de semiconductores con capacidad de corte 0.7 Evolucin tecnolgica de los dispositivos semiconductores 0.8 Clasificacin de los convertidores de potencia 0.8.1 Segn el modo de conmutacin 0.8.2 Segn el tipo de conversin 0.8.3 Segn el tipo de energa
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TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA
0.1 Introduccin
La Electrnica de Potencia es la parte de la electrnica que estudia los dispositivos y los circuitos electrnicos utilizados para modificar las caractersticas de la energa elctrica, principalmente su tensin y frecuencia. Esta rama de la electrnica no es reciente, aunque se puede decir que su desarrollo ms espectacular se produjo a partir de la aparicin de los elementos semiconductores, y ms concretamente a partir de 1957, cuando Siemens comenz a utilizar diodos semiconductores en sus rectificadores. La Electrnica de Potencia se ha introducido de lleno en la industria en aplicaciones tales como las fuentes de alimentacin, cargadores de bateras, control de temperatura, variadores de velocidad de motores, etc. Es la Electrnica Industrial quien estudia la adaptacin de sistemas electrnicos de potencia a procesos industriales. Siendo un sistema electrnico de potencia aquel circuito electrnico que se encarga de controlar un proceso industrial, donde interviene un transvase y procesamiento de energa elctrica entre la entrada y la carga, estando formado por varios convertidores, transductores y sistemas de control, los cuales siguen hoy en da evolucionando y creciendo constantemente. El campo de la Electrnica de Potencia puede dividirse en grandes disciplinas o bloques temticos:
Electrnica de Potencia Electrnica Industrial
Electrnica de Regulacin y Control
Convertidores de Potencia
Aplicaciones a Procesos Industriales
Componentes Electrnicos de Potencia
Fig 0.1 Bloques temticos que comprende la Electrnica de Potencia
El elemento que marca un antes y un despus en la Electrnica de Potencia es sin duda el Tiristor (SCR, Semiconductor Controlled Rectifier), cuyo funcionamiento se puede asemejar a lo que sera un diodo controlable por puerta. A partir de aqu, la familia de los semiconductores crece rpidamente: Transistores Bipolar (BJT, Bipolar Junction Transistor); MOSFET de potencia; Tiristor bloqueable por puerta (GTO, Gate turn-off Thyristor); IGBT, Insulate Gate Bipolar Transistor; etc., gracias a los cuales, las aplicaciones de la electrnica de potencia se han multiplicado. Una nueva dimensin de la electrnica de potencia aparece cuando el control de los elementos de potencia se realiza mediante la ayuda de sistemas digitales (microprocesadores, microcontroladores, etc). Esta combinacin deriv en una nueva tecnologa, que integra en un mismo dispositivo, elementos de control y elementos de potencia. Esta tecnologa es conocida como Smart - Power y su aplicacin en industria, automovilismo, telecomunicaciones, etc. tiene como principal lmite la disipacin de elevadas potencias en superficies semiconductoras cada vez ms pequeas.
0.2 Electrnica de potencia

El trmino Electrnica de Potencia cubre una amplia serie de circuitos electrnicos en los cuales el objetivo es controlar la transferencia de energa elctrica. Se trata por tanto de una disciplina
Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid
comprendida entre la Electrotcnia y la Electrnica. Su estudio se realiza desde dos puntos de vista: el de los componentes y el de las estructuras. En el proceso de conversin de la naturaleza de la energa elctrica, toma vital importancia el rendimiento del mismo. La energa transferida tiene un valor elevado y el proceso debe realizarse de forma eficaz, para evitar que se produzcan grandes prdidas. Dado que se ponen en juego tensiones e intensidades elevadas, si se trabaja en la zona lineal de los semiconductores, las perdidas de potencia pueden llegar a ser excesivamente elevadas, sobrepasando en la inmensa mayora de los casos las caractersticas fsicas de los mismos, provocando considerables prdidas econmicas y materiales. Parece claro que se debe trabajar en conmutacin.
0.3 Campos de aplicacin

En general los sistemas de potencia se utilizan para accionar cualquier dispositivo que necesite una entrada de energa elctrica distinta a la que suministra la fuente de alimentacin primaria. Podemos encontrar aplicaciones de baja potencia, media y alta, con un amplio margen, desde algunos cientos de vatios hasta miles de kilovatios.
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Veamos a continuacin algunas de las aplicaciones industriales de cada uno de los convertidores:
Rectificadores:
Alimentacin de todo tipo de sistemas electrnicos, donde se necesite energa elctrica en forma de corriente continua. Control de motores de continua utilizados en procesos industriales: Mquinas herramienta, carretillas elevadoras y transportadoras, trenes de laminacin y papeleras. Transporte de energa elctrica en c.c. y alta tensin. Procesos electroqumicos. Cargadores de bateras.
Reguladores de alterna:
Calentamiento por induccin. Control de iluminacin. Control de velocidad de motores de induccin. Equipos para procesos de electrodeposicin.
Cambiadores de frecuencia:
Enlace entre dos sistemas energticos de corriente alterna no sincronizados. Alimentacin de aeronaves o grupos electrgenos mviles.
Inversores:
Accionadores de motores de corriente alterna en todo tipo de aplicaciones industriales. Convertidores corriente continua en alterna para fuentes no convencionales, tales como la fotovoltaica o elica Calentamiento por induccin. SAI Alimentacin y control de motores de continua. Alimentacin de equipos electrnicos a partir de bateras o fuentes autnomas de corriente continua.
Troceadores:
0.4 Procedimientos de conversin

En general, cualquier conversin de energa elctrica se puede realizar por procedimientos electromecnicos o por procedimientos electrnicos. La mayor flexibilidad y controlabilidad de los dispositivos electrnicos, hace que se apliquen para resolver procesos cada vez ms complejos. Un equipo electrnico de potencia consta fundamentalmente de dos partes, tal como se simboliza en la siguiente figura:
Energa Elctrica de entrada CIRCUITO DE POTENCIA Informacin Seales gobierno
carga
Alimentacin
CIRCUITO AUXILIAR Circuito Disparo y Bloqueo Circuito de Control
Fig 0.2 Diagrama de bloques de un sistema de potencia
1. Un circuito de Potencia, compuesto de semiconductores de potencia y elementos pasivos, que liga la fuente primaria de alimentacin con la carga. 2. Un circuito de mando, que elabora la informacin proporcionada por el circuito de potencia y genera unas seales de excitacin que determinan la conduccin de los semiconductores controlados con una fase y secuencia conveniente.
Diferencia entre la electrnica de seal y electrnica de potencia:

En la electrnica de seal se vara la cada de tensin que un componente activo crea en un circuito habitualmente alimentado en continua. Esta variacin permite, a partir de una informacin de entrada, obtener otra de salida modificada o amplificada. Lo que interesa es la relacin entre las seales de entrada y salida, examinando posteriormente la potencia suministrada por la fuente auxiliar que requiere para su funcionamiento. La funcin de base es la amplificacin y la principal caracterstica es la ganancia.
Fig 0.3 Caracterstica fundamental de un sistema electrnico de Seal
En la electrnica de potencia el concepto principal es la conversin de energa y el rendimiento. Partimos de una seal de gran potencia, que es tratada en un sistema cuyo control corre a cargo de una seal llamada de control o cebado, obteniendo a la salida del sistema una seal cuya potencia ha sido modificada convenientemente.
Fig 0.4 Caracterstica fundamental de un sistema electrnico de Potencia
0.5 Requisitos del dispositivo electrnico de potencia

Un dispositivo bsico de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:
Tener dos estados bien diferenciados, uno de alta impedancia (idealmente infinita), que caracteriza el estado de bloqueo y otro de baja impedancia (idealmente cero) que caracteriza el estado de conduccin. Capacidad de soportar grandes intensidades con pequeas cadas de tensin en estado de conduccin y grandes tensiones con pequeas corrientes de fugas cuando se encuentra en estado de alta impedancia o de bloqueo. Controlabilidad de paso de un estado a otro con relativa facilidad y poca disipacin de potencia. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro y capacidad para poder trabajar a frecuencias considerables.
De los dispositivos electrnicos que cumplen los requisitos anteriores, los ms importantes son el Transistor de Potencia y el Tiristor. Estos dispositivos tienen dos electrodos principales y un tercer electrodo de control. Muchos circuitos de potencia pueden ser diseados con transistores, siendo intercambiables entre s en lo que se refiere al circuito de potencia exclusivamente y siendo diferentes los circuitos de control segn se empleen Transistores o Tiristores.
0.6 Componentes de base en la electrnica de potencia.

Los componentes semiconductores de potencia que vamos a caracterizar se pueden clasificar en tres grupos de acuerdo a su grado de controlabilidad: Diodos: Estado de ON y OFF controlables por el circuito de potencia. Tiristores: Fijados a ON por una seal de control pero deben conmutar a OFF mediante el circuito de potencia. Conmutadores Controlables: Conmutados a ON y a OFF mediante seales de control.(BJT, MOSFET, GTO, IGBT's).
Diodo:
Es el elemento semiconductor formado por una sola unin PN. Su smbolo se muestra a continuacin:
Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control consiste en invertir la tensin nodo ctodo, no disponiendo de ningn terminal de control.
Tiristores.
Dentro de la denominacin general de tiristores se consideran todos aquellos componentes semiconductores con dos estados estables cuyo funcionamiento se basa en la realimentacin regenerativa de una estructura PNPN. Existen varios tipos, de los cuales el ms empleado es el rectificador controlado de silicio (SCR), aplicndole el nombre genrico de tiristor. Dispone de dos terminales principales, nodo y ctodo, y uno auxiliar de disparo o puerta. En la figura siguiente se muestra el smbolo.
La corriente principal circula del nodo al ctodo. En su estado de OFF, puede bloquear una tensin directa y no conducir corriente. As, si no hay seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo independientemente del signo de la tensin Vak. El tiristor debe ser disparado a ON aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeo instante. La cada de tensin directa en el estado de ON es de pocos voltios (1-3V). Una vez empieza a conducir, es fijado al estado de ON, aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser cortado por pulso de puerta. Solo cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, se cortar el tiristor.
Gate-Turn-Off Thyristors (GTOs):
Funcionamiento muy similar al SCR pero incorporando la capacidad de bloquearse de forma controlada mediante una seal de corriente negativa por puerta. Mayor rapidez frente a los SCR, soportando tensiones y corrientes cercanas a las soportadas por los SCRs. Su principal inconveniente es su baja ganancia de corriente durante el apagado, lo cual obliga a manejar corrientes elevadas en la puerta, complicando el circuito de disparo. Su smbolo es el siguiente:
Bipolar Junction Transistor (BJT):
La figura siguiente muestra el smbolo de un transistor bipolar NPN y PNP:
Manejan menores voltajes y corrientes que el SCR, pero son ms rpidos. Fciles de controlar por el terminal de base, aunque el circuito de control consume ms energa que el de los SCR. Su principal ventaja es la baja cada de tensin en saturacin. Como inconveniente destacaremos su poca ganancia con v/i grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenmeno de avalancha secundaria.
Metal-Oxide-Semiconductior Field Effect Transistors (MOSFET):
El control del MOSFET se realiza por tensin, teniendo que soportar solamente un pico de corriente para cargar y descargar la capacidad de puerta. Como ventajas destacan su alta impedancia de entrada, velocidad de conmutacin, ausencia de ruptura secundaria, buena estabilidad trmica y facilidad de paralelizarlos. En la siguiente figura se muestra el smbolo de un MOSFET de canal N y un MOSFET de canal P.
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs):
El IGBT combina las ventajas de los MOSFETs y de los BJTs, aprovechando la facilidad del disparo del MOSFET al controlarlo por tensin y el tipo de conduccin del bipolar, con capacidad de conducir elevadas corrientes con poca cada de tensin. Su smbolo es el siguiente:
El IGBT tiene una alta impedancia de entrada, como el Mosfet, y bajas prdidas de conduccin en estado activo como el Bipolar. Pero no presenta ningn problema de ruptura secundaria como los BJT. El IGBT es inherentemente ms rpido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutacin del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.
0.6.1.- COMPARACIN DE SEMICONDUCTORES CON CAPACIDAD DE CORTE. Elemento MOSFET BIPOLAR IGBT GTO Potencia Baja Media Media Alta Rapidez de conmutacin Alta Media Media Baja
0.7 Evolucin tecnolgica de los dispositivos semiconductores.

Durante los aos setenta, los Tiristores (SCRs), los Tiristores Bloqueables por Puerta (GTOs); y los Transistores Bipolares (BJTs) constituan los dispositivos de potencia primordiales, mientras que los Transistores MOSFETs eran todava demasiado recientes para participar en las aplicaciones de potencia. Los SCRs y los BJTs de aquella poca podan conmutar a frecuencias entre 1 y 2KHz .
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Durante los aos ochenta se consiguieron bastantes avances, tales como reduccin de la resistencia en conmutacin de los transistores MOSFETs, aumento de la tensin y la corriente permitida en los GTOs, desarrollo de los dispositivos hbridos MOS-BIPOLAR tales como los IGBTs, as como el incremento de las prestaciones de los circuitos integrados de potencia y sus aplicaciones. Se imponen los dispositivos MOSFETs, ya que poseen una mayor velocidad de conmutacin, un rea de operacin segura ms grande y un funcionamiento ms sencillo, en aplicaciones de reguladores de alta frecuencia y precisin para el control de motores. Los GTOs son empleados con asiduidad en convertidores para alta potencia, debido a las mejoras en los procesos de diseo y fabricacin que reducen su tamao y mejoran su eficiencia. Aparecen los IGBTs, elementos formados por dispositivos Bipolares y dispositivos MOS, estos dispositivos se ajustan mucho mejor a los altos voltajes y a las grandes corrientes que los MOSFETs y son capaces de conmutar a velocidades ms altas que los BJTs. Los IGBTs pueden operar por encima de la banda de frecuencia audible, lo cual, facilita la reduccin de ruidos y ofrece mejoras en el control de convertidores de potencia. Mediados los aos ochenta aparecen los dispositivos MCT que estn constituidos por la unin de SCRs y MOSFETs. En la dcada de los noventa los SCRs van quedando relegados a un segundo plano, siendo sustituidos por los GTOs. Se incrementa la frecuencia de conmutacin en dispositivos MOSFETs e IGBTs, mientras que los BJTs son gradualmente reemplazados por los dispositivos de potencia anteriores. Los C.I. (circuitos integrados) de potencia tienen una gran influencia en varias reas de la electrnica de potencia. Para concluir, decir que tecnolgicamente se tiende a fabricar dispositivos con mayores velocidades de conmutacin, con capacidad para bloquear elevadas tensiones, permitir el paso de grandes corrientes y por ltimo, que tengan cada vez, un control ms sencillo y econmico en consumo de potencia. En la figura 0.5 se pueden observar las limitaciones de los distintos dispositivos semiconductores, en cuanto a potencia controlada y frecuencias de conmutacin. Dispositivos que pueden controlar elevadas potencias, como el Tiristor (104 KVA) estn muy limitados por la frecuencia de conmutacin (orden de KHz), en el lado opuesto los MOSFETs pueden conmutar incluso a frecuencias de hasta 103 KHz pero la potencia apenas alcanza los 10 KVA, en la franja intermedia se encuentran los BJTs (300 KVA y 10 KHz), los GTOs permiten una mayor frecuencia de conmutacin que el Tiristor, 1 KHz con control de potencias de unos 2000 KVA, por ltimo los IGBTs parecen ser los mas ideales para aplicaciones que requieran tanto potencias como frecuencias intermedias.
P (KVA) 104 103 102 101 100 10-1 100 101 102 103 f (KHZ)
Fig 0.5 Caractersticas frecuencia potencia conseguidas, durante los aos 90, para los distintos tipos de semiconductores de potencia.
SCR GTO IGBT BJT MOS
Todas estas consideraciones justifican la bsqueda de nuevos dispositivos y la incesante evolucin desde la aparicin de los semiconductores, siempre buscando el estado ideal; poder controlar la
mxima cantidad de potencia, pudiendo hacer que los dispositivos conmuten a la mas alta frecuencia con el consiguiente beneficio en rapidez y en eliminacin de ruidos pues interesa conmutar a velocidades superiores a la frecuencia audible (20 kHz) En la figura 0.6 se pueden apreciar algunas de las principales aplicaciones de los distintos semiconductores, a lo largo de su historia, as como las cotas de potencia y frecuencias de conmutacin alcanzadas y su previsible evolucin futura, Destacar la utilizacin de SCRs en centrales de alta potencia; los GTOs para trenes elctricos; Modulos de Transistores, modulos de MOSFETS, IGBTs y GTOs para sistemas de alimentacin ininterrumpida, control de motores, robtica (frecuencias y potencias medias, altas); MOSFETs para automocin, fuentes conmutadas, reproductores de video y hornos microondas (bajas potencias y frecuencias medias); y por ltimo mdulos de Transistores para electrodomsticos y aire acondicionado (potencias bajas y frecuencias medias).
Fig 0.6 Aplicaciones generales de los semiconductores en la industria.[Rashid,1995]
0.8 Clasificacin de los convertidores de potencia [Bhler, 1998]

Los equipos de potencia se pueden clasificar: Segn el modo de conmutacin Segn el tipo de conversin. Segn el tipo de energa que los alimenta.
0.8.1 SEGN EL MODO DE CONMUTACIN

Cuado se intentan clasificar los convertidores segn el modo de conmutacin, hay que tener en cuenta la forma en que se provoca el bloqueo del elemento semiconductor es decir el paso de conduccin a corte; generalmente ste est provocado por la conmutacin de corriente de un elemento rectificador a otro. Se pueden distinguir tres casos: sin conmutacin, con conmutacin natural y con conmutacin forzada.
Sin conmutacin
Este tipo de convertidores se caracteriza por el hecho de que la corriente por la carga se anula a la misma vez que se anula la corriente por el elemento rectificador. Como ejemplo podemos citar un regulador de corriente interna con dos tiristores.
Conmutacin natural
El paso de corriente de un elemento rectificador a otro se provoca con la ayuda de tensiones alternas aplicadas al montaje del convertidor esttico. Como ejemplo podemos citar un rectificador controlado con SCR.
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Conmutacin forzada
El paso de corriente de un elemento rectificador a otro, est provocado generalmente por la descarga de un condensador o red LC que forma parte del convertidor. Como ejemplo podemos citar un convertidor dc-dc con tiristor.
0.8.2 SEGN EL TIPO DE CONVERSIN

Los equipos de potencia se pueden clasificar segn el tipo de conversin de energa que realizan, independientemente del tipo de conmutacin utilizada para su funcionamiento.
A. Contactor de corriente
Es un dispositivo esttico que permite conectar y desconectar la carga instalada a su salida, con la ayuda de una seal de control de tipo lgico.
Fig 0.7 Contactor de corriente
Su caracterstica fundamental es que la frecuencia a su salida es igual a la de entrada. La tensin de salida es igual a la de entrada si el contactor de corriente est cerrado (c = 1). La corriente de salida depende de la carga. Si el contactor est abierto (c = 0), la corriente de salida Is es nula. La potencia activa P se dirige de la entrada hacia la salida. Se dice entonces que el contactor funciona en el primer cuadrante del plano Is - Us con dos estados bien diferenciados. OFF - ON
B. Variador de corriente
Su funcionamiento es idntico al del contactor de corriente, la nica diferencia est en que la seal de control es de tipo analgico. Variando esta seal de forma continua, se hace variar la tensin de salida Us entre 0 y la tensin de entrada Ue.
Fig 0.8 Variador de corriente o regulador
En realidad este dispositivo es un contactor de corriente que se desconecta y conecta peridicamente, con lo que se consigue trocear la tensin de entrada. De esta manera, los valores medio y eficaz de la tensin de salida son variables. Este dispositivo se conoce tambin con el nombre de regulador.
C. Rectificador
Este dispositivo convierte las tensiones alternas de su entrada en tensiones continuas a su salida. En general, la tensin de salida es constante.
Fig 0.9 Rectificador
Es posible variar la tensin de salida de manera continua mediante una seal de control analgica. En este caso se habla de rectificador controlado. Tanto la tensin como la corriente de salida slo pueden ser positivas. La potencia activa P se dirige de la entrada a la salida.
D. Ondulador
Realiza la operacin inversa al rectificador, convirtiendo una tensin continua de entrada en una tensin alterna a la salida.
Fig 0.10 Ondulador
La seal analgica de control tiene como misin adaptar el funcionamiento del ondulador en funcin de una tensin de entrada variable, si la tensin de salida debe mantenerse constante, o para hacer variar la tensin de salida si la tensin de entrada es constante. La potencia activa P se dirige desde la entrada hacia la salida, es decir, del lado continuo al lado alterno del dispositivo.
E. Convertidor de corriente
Este dispositivo es capaz de funcionar como rectificador controlado o como ondulador. La entrada es alterna, mientras que la salida es continua.
Fig 0.11 Convertidor de corriente
Es importante hacer notar que la corriente slo puede circular en una direccin dada la presencia de elementos rectificadores que impiden el paso de la misma en sentido contrario. Si la tensin media a la salida del convertidor es negativa la potencia entregada es negativa, indicando en este caso la transferencia de energa desde la carga a la fuente primaria
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F. Convertidor de corriente bidireccional

Est formado por dos convertidores de corriente. La corriente puede circular tanto de la entrada a la salida, como de la salida a la entrada. Su polaridad y su valor, as como el signo de la tensin continua de salida pueden ser variados mediante la seal analgica de control. El convertidor de corriente bidireccional puede funcionar en los cuatro cuadrantes del plano Is - Us, por lo que la potencia activa (P), puede ser positiva o negativa.
Fig 0.12 Convertidor de corriente bidireccional
G. Convertidor de frecuencia directo

Su funcionamiento bsico consiste en proporcionar una seal alterna de frecuencia distinta a la de la seal alterna de entrada. Est constituido por un convertidor de corriente bidireccional. La potencia activa puede circular de la entrada hacia la salida o viceversa.
Fig 0.13 Convertidor de frecuencia directo
H. Convertidor de frecuencia con circuito intermedio

A diferencia del circuito anterior, ahora la conversin de la frecuencia no se realiza de manera directa, sino indirectamente. El dispositivo est formado por un rectificador a la entrada y un ondulador a la salida.
Fig 0.14 Convertidor de frecuencia con circuito intermedio
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La tensin alterna de entrada de frecuencia fe se rectifica para obtener la tensin continua Ui del circuito intermedio (con frecuencia fi = 0). Esta tensin se convierte en alterna mediante el uso de un ondulador, y la frecuencia suele ser distinta a la de la entrada. El rectificador y el ondulador estarn controlados de forma adecuada por dos seales analgicas. En el esquema de la figura se puede apreciar que la potencia activa slo puede ir de la entrada a la salida.
0.8.3 SEGN EL TIPO DE ENERGA

De manera general se puede abordar el estudio de los distintos convertidores en funcin de los cuatro tipos de conversin posibles. Desde el punto de vista real, dado que el funcionamiento del sistema encargado de transformar el tipo de presentacin de la energa elctrica viene condicionado por el tipo de energa disponible en su entrada, clasificaremos los convertidores estticos de energa en funcin del tipo de energa elctrica que los alimenta, tal y como se muestra en la siguiente figura:
Fig 0. 15 Clasificacin de los convertidores estticos segn la energa que los alimenta
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Bibliografa bsica para estudio

HART, Daniel W. Electrnica de Potencia. Ed. Prentice Hall. Madrid 2001. ISBN 84-205-3179-0 RASHID, M. H. Electrnica de Potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones. Ed. Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. Mxico 1995.
Bibliografa ampliacin
BHLER, HANSRUEDI. Electrnica industrial: Electrnica de Potencia. Ed. Gustavo Gili, 1988. ISBN: 84-252-1253-7 MOHAN, N.; UNDELAND, T. M.; ROBBINS W. P. Power electronics: Converters, Applications and design. 2 Edicin. Ed. John Wiley & Sons, Inc., 1995. SGUIER, G. Electrnica de potencia: los convertidores estticos de energa. Funciones de base. Ed. Gustavo Gili. Barcelona, 1987. ISBN: 968-8887-063-3
Enlaces web interesantes

<www.powerdesigners.com/InfoWeb/resources/links/Power_links.shtm> [Consulta: 5 de julio de 2004] Sitio web general pspice con mucha informacin <www.pspice.com > [Consulta: 5 de julio de 2004] Interactive Power Electronics Seminar (iPES). <http://www.ipes.ethz.ch > [Consulta: 5 de julio de 2004] Tutorial de electrnica de potencia de html Venkat Ramaswamy <http://www.powerdesigner.com > [Consulta: 5 de julio de 2004] www curso de electrnica de potencia ( Portugus) <http://www.dee.feis.unesp.br/gradua/elepot/principal.html > [Consulta: 5 de julio de 2004] Applet Java de Semiconductores <http://jas.eng.buffalo.edu> [Consulta: 5 de julio de 2004]
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Tema 1.- Repaso conceptos: Potencia elctrica. Armnicos Valor eficaz. Energa. Potencia media. Potencia aparente. Factor de potencia. Clculo de potencia en circuitos de alterna con seales sinusoidales. Cargas lineales y no lineales. Clculo para formas de onda peridicas no sinusoidales. Fourier. Fuente no sinusoidal y carga lineal. Carga no lineal. Armnicos y anlisis con Pspice. Efectos de los Armnicos: Amenazas, normativa, soluciones Tema 2.- Elementos semiconductores de potencia Tema 3.- Disipacin de potencia
1.1 Introduccin 1.2 Conceptos bsicos 1.2.1 Bobinas y condensadores 1.3 Potencia en circuitos de alterna con seales sinusoidales
1 1 1 2 3 3 4 5 5 6 6 7 7 7 8 9 10 15 16 16 17 17 18 19 20 22 22 22 23 23 25 28
1.3.1 Potencia instantnea y potencia media

1.3.2 Potencia reactiva 1.3.3 Potencia compleja 1.3.4 Potencia aparente 1.3.5 Valor eficaz 1.3.6 Factor de potencia 1.4 Cargas lineales y no lineales 1.5 Cargas no lineales (descomposicin armnica) 1.5.1 Definicin de armnico 1.5.2 Orden del armnico 1.5.3 Espectro armnico 1.6 Series de Fourier 1.6.1 Anlisis de Fourier Distorsin armnica total Total Harmonic Distortion(THD) Valor efectivo o valor rms Factor de cresta Valor promedio Factor de potencia y cos Factor de desclasificacin K 1.6.2 Anlisis de fourier usando pspice 1.7 Algunos equipos deformantes 1.8 Clculos con ondas peridicas no sinusoidales 1.8.1 Fuente sinusoidal y carga lineal 1.8.2 Fuente sinusoidal y carga no lineal 1.9 Efectos de los armnicos 1.9.1.- Importancia del neutro 1.10 Legislacin 1.11 Soluciones
TEMA1: POTENCIA Y ARMNICOS
1.1 Introduccin
Los clculos de potencia son esenciales para el anlisis y diseo de los circuitos electrnicos de potencia. En este tema vamos a revisar los conceptos bsicos sobre potencia, prestando especial atencin a los clculos de potencia en circuitos con corrientes y tensiones peridicas no sinusoidales.
1.2 Conceptos bsicos

Potencia instantnea
La potencia instantnea de cualquier dispositivo se calcula a partir de la tensin en bornas del mismo y de la corriente que le atraviesa.
p (t ) = v (t ) i (t )
E 1. 1
La relacin es vlida para cualquier dispositivo o circuito. Generalmente la potencia instantnea es una magnitud que vara con el tiempo. El dispositivo absorbe potencia si p(t) es positivo en un valor determinado de t y entrega potencia si p(t) es negativa.
Energa
La energa o trabajo es la integral de la potencia instantnea.
W = p(t ) dt
t2 t1
E 1. 2
Si v(t) est expresada en voltios e i(t) en amperios, la potencia se expresar en vatios y la energa en julios.
Potencia media
Las funciones de tensin y corriente peridicas producen una funcin de potencia instantnea peridica. La potencia media es el promedio a lo largo del tiempo de p(t) durante uno o ms periodos. Algunas veces tambin se denomina potencia activa o potencia real.
P=
1 t 0 +T 1 t 0 +T p(t ) dt = v(t )i(t ) dt T t0 T t0
E 1. 3
Donde T es el periodo de la forma de onda de potencia
1.2.1 BOBINAS Y CONDENSADORES

Las bobinas y condensadores tienen las siguientes caractersticas para tensiones y corrientes peridicas:
i(t + T ) = i(t ) v(t + T ) = v(t )
Bobina
En una bobina, la energa almacenada es:
Universidad de Jan. J. D. Aguilar; M. Olid
WL =
1 2 Li (t ) 2
E 1. 4
Si la corriente de la bobina es peridica, la energa acumulada al final de un periodo es igual a la energa que tena al principio. Si no existe transferencia de potencia neta:
PL = 0
La potencia media absorbida por una bobina es cero para funcionamiento peridico en rgimen permanente.
La potencia instantnea no tiene por qu ser cero. A partir de la relacin de tensin-corriente de la bobina:
1 t 0 +T VL (t ) dt + i(t 0 ) L t 0 Al ser los valores inicial y final iguales para corrientes peridicas: 1 t 0 +T i(t 0 + T ) i(t 0 ) = VL (t ) dt = 0 L t0 L y sabiendo que i(t 0 + T ) = i(t 0 ) Multiplicando por T i(t 0 + T ) =
E 1. 5
E 1. 6
med[VL (t )] = VL =
Condensador
1 t 0 +T v(t ) dt = 0 T t 0
La tensin media en extremos de una bobina es cero
En una bobina, la energa almacenada es:
WC =
1 2 cv (t ) 2
E 1. 7
Si la tensin del condensador es una seal peridica:
PC = 0
La potencia media absorbida por el condensador es cero para funcionamiento peridico en rgimen permanente.
A partir de la relacin de tensin-corriente del condensador:
v (t 0 + T ) =
1 t 0 +T i C (t ) dt + v(t 0 ) C t 0 1 t 0 +T i C (t ) dt = 0 C t 0
E 1. 8
Al ser los valores inicial y final iguales para corrientes peridicas:
v (t 0 + T ) v ( t 0 ) =
Multiplicando por
E 1. 9
L y sabiendo que i(t 0 + T ) = i(t 0 ) T 1 t 0 +T med[i C (t )] = I C = i(t ) dt = 0 La intensidad media por el condensador es cero T t0
1.3 Potencia en circuitos de alterna con seales sinusoidales

Generalmente, las tensiones y/o corrientes en los circuitos electrnicos de potencia no son sinusoidales. Sin embargo, una forma de onda peridica no sinusoidal puede representarse mediante una serie de Fourier de componentes sinusoidales.
En los circuitos lineales con generadores sinusoidales, todas las corrientes y tensiones de rgimen permanente son sinusoidales.
1.3.1 POTENCIA INSTANTNEA Y POTENCIA MEDIA

Para cualquier elemento de un circuito de alterna, supongamos que:
i(t ) = I m cos(t + )
v(t ) = Vm cos(t + )
Recordemos que la potencia instantnea de los circuitos de alterna es p(t ) = v(t ) i(t ) Y la potencia media: P =
1 t 0 +T 1 t 0 +T p(t ) dt = v(t )i(t ) dt t T 0 T t0

p(t ) = v(t ) i(t ) = [Vm cos(t + )] [I m cos(t + )]
Luego la potencia instantnea es:

E 1.10
Sabiendo que (cosA )(cosB) =
1 [cos(A + B) + cos(A B)] 2

V I p(t ) = m m [cos(2 t + + ) + cos( )] 2
E 1.11
Y la potencia media es:
P=
1 T V I T p(t ) dt = m m [cos(2 t + + ) + cos( )]dt T 0 2T 0
E 1.12
El resultado de esta integral puede obtenerse por deduccin. Dado que el primer trmino de la integral es una funcin coseno, la integral en un periodo es igual a cero y el segundo trmino es una constante. Por tanto, la potencia media de cualquier elemento de un circuito de alterna es:
V I P = m m cos( ) 2
O bien
E 1.13
P = Vrms I rms cos( )

Siendo Vrms =
E 1.14
Vm 2
, I rms =
Im 2
y cos( ) el ngulo de fase entre la tensin y la corriente.
Su unidad es el vatio (w). Esta potencia es la denominada potencia activa.
1.3.2 POTENCIA REACTIVA

La potencia reactiva se caracteriza por la acumulacin de energa durante una mitad del ciclo y la devolucin de la misma durante la otra mitad del ciclo.
Q = Vrms I rms sen ( )

La unidad es el voltio-amperio reactivo (VAR)
[1_1]
Por convenio, las bobinas absorben potencia reactiva positiva y los condensadores absorben potencia reactiva negativa.
1.3.3 POTENCIA COMPLEJA

La potencia compleja combina las potencias activa y reactiva para los circuitos de alterna:
S = P + jQ = (Vrms )(I rms ) *
E 1.15
Vrms y I rms son magnitudes complejas que se expresan como fasores (magnitud y ngulo) y (I rms ) *
es el complejo conjugado de un fasor de corriente, lo que proporciona resultados coherentes con el convenio de que la bobina absorbe potencia reactiva. Esta ecuacin de potencia compleja no es aplicable a seales no sinusoidales.
[1_2] [1_3] [1_4]
Trazar
tringulo de potencias de un circuito cuya impedancia z = 3 + j 4 y al que se le aplica un fasor de tensin V =100|30 volt.
el
es
Solucin: El fasor de intensidad de corriente es I = Mtodo 1:
V 100 30 = = 20 23,1 A z 5 53,1
P = I 2 R = 20 2 3 = 1200 W Q = I 2 x = 20 2 4 = 1600 VAR retraso S = I 2 z = 20 2 5 = 2000 VA fp = cos 53,1 = 0,6 en retraso

S = V I = 100 20 = 2000 VA P = V I cos = 2000 cos 53,1 = 1200 W Q = V I sen = 2000 sen 53,1 = 1600 VAR retraso fp = cos = 0,6 en retraso
Mtodo 3: Mtodo 2:
S = V I * = 100 30 20 23,1 = 2000 53,1 = 1200 + j1600

P = 1200 W ; Q = 1600 VAR en retraso ; S = 2000 VA ; fp = cos = 0,6 en retraso
Mtodo 4:
)(
VR = R I = 20 23,1 3 = 60 23,1 ; VX = 20 23,1 4 90 = 80 66,9

2 VR V 2 80 2 60 2 = = 1200 W ; Q = X = = 1600 VAR 3 X 4 R V 2 100 2 P S= = = 2000 VA ; fp = = 0,6 en retraso z 5 S
)(
P=
[J. A. Edminister]
1.3.4 POTENCIA APARENTE

La potencia aparente se expresa de la siguiente forma:
S = VRMS I RMS
Su unidad es el voltio-amperio (VA) La potencia aparente en los circuitos de alterna es la magnitud de la potencia compleja:
E 1.16
S = S = P2 + Q2
Potencia Activa Potencia aparente
Potencia reactiva
Fig 1.1 El smbolo de un condensador o un inductor indica de qu tipo son las cargas, capacitivas o inductivas, respectivamente.
1.3.5 VALOR EFICAZ

El valor eficaz tambin es conocido como valor cuadrtico medio o rms. Se basa en la potencia media entregada a una resistencia.
V P = cc R
E 1.17
Para una tensin peridica aplicada sobre una resistencia, la tensin eficaz se define como una tensin que proporciona la misma potencia media que la tensin continua. La tensin eficaz puede calcularse:
V P = ef R
Calculando la potencia media:
E 1.18
P=
1 T 1 T 1 T v 2 (t ) 1 1 T ( ) ( ) ( ) = = p t dt v t i t dt dt = v 2 (t ) dt 0 0 0 0 T T T R R T
Si igualamos estas dos ecuaciones:
V 1 1 T V P = ef = v 2 (t ) dt = ef R R T 0 R
2
Vef =
2
1 T 2 v (t ) dt T 0
E 1.19
2 Vef = VRMS =
1 T 2 v (t ) dt T 0
2
Del mismo modo, la corriente eficaz se desarrolla a partir de P = I RMS R

5
I ef = I 2 RMS =
2
1 T 2 i (t ) dt T 0
E 1.20
1.3.6 FACTOR DE POTENCIA

El factor de potencia de una carga se define como el cociente de la potencia media o activa y la potencia aparente:
FP =
Potencia Activa P P = = = cos( ) Potencia Aparente S VRMS I RMS
E 1.21
Esta ecuacin de factor de potencia tampoco es aplicable a seales no sinusoidales, como se ver posteriormente. El factor de potencia utiliza el valor total de RMS, incluyendo as todos los armnicos, para su clculo. f.p. 0a1 1 -1 Interpretacin No se consume toda la potencia suministrada, presencia de potencia reactiva. El dispositivo consume toda la potencia suministrada, no hay potencia reactiva. El dispositivo genera potencia, corriente y tensin en fase.
-1 a 0 El dispositivo genera potencia, adelantos o retrasos de corriente
1.4 Cargas lineales y no lineales.

Hasta ahora, la mayor parte de las cargas utilizadas en la red elctrica eran cargas lineales, cargas que daban lugar a corrientes con la misma forma de onda que la tensin, es decir, prcticamente sinusoidales. Con la llegada de la electrnica integrada a numerosos dispositivos elctricos, las cargas producen corrientes distorsionadas cuya forma ya no es sinusoidal. Estas corrientes estn compuestas por armnicos, cuya frecuencia es mltiplo de la frecuencia fundamental de 50 Hz.
CARGA LINEAL:
Una carga se dice lineal cuando la corriente que ella absorbe tiene la misma forma que la tensin que la alimenta. Esta corriente no tiene componentes armnicos. Ejemplo: resistencias de calefactores, cargas inductivas en rgimen permanente (motores, transformadores...)
CARGA NO LINEAL O DEFORMANTE:

Una carga se dice no lineal cuando la corriente que ella absorbe no es de la misma forma que la tensin que la alimenta. Esta corriente es rica en componentes armnicos donde su espectro ser funcin de la naturaleza de la carga. Ejemplo: fuentes de alimentacin, control de motores de induccin, entrehierro del transformador y en general cualquier carga que incorpore un convertidor esttico de potencia.
[1_5]
[1_6]
Fig 1.2 Las cargas lineales pueden provocar que entre la corriente y la tensin exista un desfase, sin embargo no provocan la deformacin de la forma de onda. Son cargas lineales las cargas resistivas, inductivas y capacitivas.
[1_7]
[1_8]
Fig 1.3 A diferencia de las anteriores, las cargas no lineales se caracterizan por producir una deformacin de la onda de corriente.
1.5 Cargas no lineales (descomposicin armnica)

1.5.1 DEFINICIN DE ARMNICO.
Una perturbacin armnica es una deformacin de la forma de onda respecto de la senoidal pura terica. Segn la norma UNE EN 50160:1996, una tensin armnica es una tensin senoidal cuya frecuencia es mltiplo entero de la frecuencia fundamental de la tensin de alimentacin. Podemos definir los armnicos como oscilaciones senoidales de frecuencia mltiplo de la fundamental.
1.5.2 ORDEN DEL ARMNICO

Los armnicos se clasifican por su orden, frecuencia y secuencia
Orden Frec. Sec
1 50 +
2 100 -
3 150 0
4 200 +
5 250 -
6 300 0
7 350 +
8 400 -
9 450 0
... ... ...
n n*50 ...
El orden del armnico es el nmero entero de veces que la frecuencia de ese armnico es mayor que la de la componente fundamental. Por ejemplo, el armnico de orden 7 es aquel cuya frecuencia es 7 veces superior a la de la componente fundamental, si la componente fundamental es de 50 Hz el armnico de orden 7 tendra una frecuencia de 350 Hz. En una situacin ideal donde slo existiera seal de frecuencia 50 Hz, slo existira el armnico de orden 1 o armnico fundamental. Se observa en la tabla que hay dos tipos de armnicos, los impares y los pares. Los armnicos impares son los que se encuentran en las instalaciones elctricas, industriales y edificios comerciales. Los armnicos de orden par slo existen cuando hay asimetra en la seal debida a la componente continua. En un sistema trifsico no distorsionado las corrientes de las tres fases llevan un cierto orden. Si el sistema es simtrico y la carga tambin las tres ondas de corriente tendrn el mismo mdulo y estarn desfasadas 120; diremos que la secuencia es directa si el orden con que las tres ondas pasan sucesivamente por un estado es ABC y diremos que es inversa si es ACB. Con ondas distorsionadas se puede hacer el mismo planteamiento para cada uno de los armnicos. Cuando el sistema est formado por ondas iguales en fase se denomina homopolar. Si la secuencia de las ondas fundamentales es directa, todos los armnicos de orden 3n-2 sern de secuencia directa, los de orden 3n-1 de secuencia inversa y los de orden 3n de secuencia homopolar. Si utilizamos como ejemplo un motor asncrono trifsico de 4 hilos, entonces los armnicos de secuencia directa o positiva tienden a hacer girar al motor en el mismo sentido que la componente fundamental. Como consecuencia provocan una sobrecorriente en el motor que hace que se caliente. Provocan en general calentamientos en cables, motores, transformadores. Los armnicos de secuencia negativa hacen girar al motor en sentido contrario al de la componente fundamental y por lo tanto frenan al motor, provocando tambin calentamientos. Los armnicos de secuencia neutra (0) o homopolares, no tienen efectos sobre el giro del motor pero se suman en el hilo neutro, provocando una circulacin de corriente de hasta 3 veces mayor que el 3 armnico que por cualquiera de los conductores, provocando calentamientos.
[1_9]
1.5.3 ESPECTRO ARMNICO.

El espectro armnico permite descomponer una seal en sus armnicos y representarlo mediante un grfico de barras, donde cada barra representa un armnico, con una frecuencia, un valor eficaz, magnitud y desfase.
Fig 1.4 Espectro armnico o diagrama de barras. Cada barra representa un armnico, y para cada armnico se proporciona, en la parte superior derecha, su orden, su frecuencia, los amperios eficaces, valor porcentual de ese armnico con respecto al fundamental o al total, y el desfase con respecto a la fundamental. En este ejemplo se puede observar como los armnicos predominantes son, adems del fundamental, el 3, 5 y 9.
Es una representacin en el dominio de la frecuencia de la forma de onda que se puede observar con un osciloscopio.
Es necesario utilizar instrumentos de medida de tecnologa adecuada, capaces de medir el valor eficaz real de una seal de corriente o de tensin. El anlisis y la interpretacin de los datos medidos, en trminos de contaminacin armnica, podrn hacerse de manera clara a partir de un equipo apropiado.
Fig 1.5 Medidor Fluke 43B. (Cortesa de Fluke)
En la figura podemos ver un medidor especfico de la marca Fluke (Fluke 43B analizador de potencia). Nos permite ver representadas las formas de onda de la tensin y de la corriente, como en un osciloscopio y adems da directamente las potencias activa, reactiva y aparente, factor de desplazamiento y factor de potencia. Permite obtener la descomposicin armnica de la seal. Puedes practicar con el demo de este aparato pinchando sobre el enlace
En el resto del tema trataremos de estudiar ms a fondo los diferentes valores representados.
1.6 Series de Fourier

Los circuitos electrnicos de potencia tienen, normalmente, tensiones y/o corrientes que son peridicas pero no sinusoidales. Las series de Fourier pueden utilizarse para describir formas de onda peridicas no sinusoidales en trminos de una serie de sinusoides, o dicho de otra forma: Una forma de onda peridica no sinusoidal puede describirse mediante una serie de Fourier de seales sinusoidales.
1.6.1 ANLISIS DE FOURIER

Las funciones peridicas pueden ser descompuestas en la suma de: a) Un trmino constante que ser la componente continua. b) Un trmino sinusoidal llamado componente fundamental, que ser de la misma frecuencia que la funcin que se analiza. c) Una serie de trminos sinusoidales llamados componentes armnicos, cuyas frecuencias son mltiplos de la fundamental.
v 0 (t ) =
a0 ) + (a n Cos n t + b n Sen n 2 n =1,2,..
E 1.22
a0/2 es el valor medio de la tensin de salida, vo(t). Las constantes a0, an y bn pueden ser determinadas mediante las siguientes expresiones:
1 2 2 T v 0 (t ) dt = v 0 (t ) d t T 0 0 2 T 1 2 a n = v 0 (t ) Cos ntd= v 0 (t ) Cos ntdt T 0 0 2 T 1 2 b n = v 0 (t )Sen n t dt = v 0 (t )Sen n tdt 0 T 0 a0 =
n = 1,2,3... n = 1,2,3...
Los trminos an y bn son los valores de pico de las componentes sinusoidales. Como para cada armnico (o para la fundamental) estas dos componentes estn desfasadas 90, la amplitud de cada armnico (o de la fundamental) viene dada por:
Cn = a n + bn
2
Si desarrollamos el trmino de la ecuacin [E 1.22]:
an bn 2 2 a n Cos n t + b n Sen n t = a n + b n Cos n t + Sen n t 2 2 2 2 a n + bn a n + bn

y de esta ecuacin podemos deducir un ngulo n, que estar definido por los lados de valores an y bn, y Cn como hipotenusa:
a n Cos n t + b n Sen n t = a n + b n (Sen n Cos n t + Cos n Sen n t ) =

2 2
= a n + b n Sen (n t + n )
2 2
n donde n = tan 1 b n
Sustituyendo en la ecuacin [E 1.22], el valor instantneo de la tensin representada en serie de Fourier ser:
v 0 (t ) =
a0 + C n Sen (n t + n ) 2 n =1,2,...
E 1.23
10
Cn es el valor de pico, y n el ngulo de retardo de la componente armnica de orden n de la tensin de salida, o tambin:
v 0 (t ) =
a0 + C n Cos(n t + n ) 2 n =1,2,...
bn n = arctg a n
Computadoras. Se tiene una fuente de voltaje sin distorsin a una frecuencia de 50 Hz, v(w 0 t ) = 220 2 sen (w 0 t ) V , donde 0 = 100
rad . Una s
computadora extrae 0,6 A rms de corriente. Dicha corriente puede aproximarse utilizando la siguiente receta de Fourier:
Fundamental Tercera Quinta Sptima Novena
% fundamental 100.0 80.1 60.6 37.0 15.7
% de total 67.88 54.37 41.13 25.12 10.67
Signo del sen + + +
Aplicando la receta anterior tenemos lo siguiente: De fundamental: De tercera armnica: De quinta armnica: De sptima armnica: De novena armnica:
i1 ( 0 t ) = 0,6 0.6788 2 sen (1 0 t ), A i 3 ( 0 t ) = 0,6 0.5437 2 sen (3 0 t ), A i 5 ( 0 t ) = 0,6 0.4113 2 sen (5 0 t ), A i 7 ( 0 t ) = 0,6 0.2512 2 sen (7 0 t ), A i 9 ( 0 t ) = 0,6 0.1067 2 sen (9 0 t ), A
La suma fundamental y armnica es:
i( 0 t ) = +0,576 sen (1 0 t ) 0,461 sen (3 0 t ) + 0,349 sen (5 0 t ) 0,213 sen (7 0 t ) + 0,09 sen (9 0 t )
En la siguiente figura podemos ver las diferentes pantallas del medidor Fluke obtenidas.
11
Fig 1.6 Diferentes pantallas obtenidas en el medidor Fluke
La forma de onda y su descomposicin armnica pueden verse en la figura
Fig 1.7 Descomposicin armnica
Simetra de una funcin f (t)

Pueden reconocerse con facilidad cuatro tipos de simetra que se utilizarn para simplificar la tarea de calcular los coeficientes de Fourier: a) b) c) d) Simetra de funcin par Simetra de funcin impar Simetra de media onda Simetra de cuarto de onda
Una funcin es par cuando f (t ) = f ( t ) y es impar cuando f (t ) = f ( t ) . La funcin par slo tiene trminos coseno (bn = 0) y la funcin impar slo tiene trminos seno (an = 0).
12
En la simetra de media onda se cumple: f (t ) = f t
T y tiene la propiedad de que tanto an como 2
bn son cero para valores pares de n (solo contiene armnicos de orden impar). Esta serie contendr trminos seno y coseno a menos que la funcin sea tambin par o impar.
Determinar el desarrollo trigonomtrico en serie de Fourier para la onda cuadrada de la figura, y dibujar su espectro.
Datos:
Solucin: El intervalo 0 < t <, f(t) = V; y para < t < 2, f(t) = -V. El valor medio de la onda es cero, por lo tanto a0/2=0. Los coeficientes de los trminos en coseno se obtienen integrando como sigue:
an =
2 1 VCos n tdt + ( V ) Cos n tdt = 0 2 V 1 1 = Sen n t Sen n t = 0 para todo n 0 n n
Por tanto, la serie no contiene trminos en coseno. Realizando la integral para los trminos en seno:
bn =
2 1 VSen n t d t + ( V )Sen n td t = 0 2 V 1 1 = Cos n t + Cos n t = 0 n n V ( Cos n + Cos 0 + Cosn 2 Cosn ) = 2 V (1 Cos n ) = n n
Entonces, bn=4V/n para n = 1, 3, 5,..., y bn=0 para n = 2, 4, 6,...Por lo tanto la serie para la onda cuadrada es:
f (t ) =
4V 4V 4V Sen t + Sen 3 t + Sen 5 t + .... 3 5
y el espectro para esta serie ser el que se muestra a continuacin:
13
Contiene los armnicos impares de los trminos en seno, como pudo anticiparse del anlisis de la simetra de la onda. Ya que la onda cuadrada dada, es impar, su desarrollo en serie contiene solo trminos en seno, y como adems tiene simetra de media onda, slo contiene armnicos impares.
Las formas de onda ms comunes en electrnica de potencia son:
Fig 1.8 Forma de onda cuadrada y forma de onda pulsante
14
Fig 1.9 Forma de onda cuadrada modificada y sinusoide rectificada de media onda
Sinusoide rectificada y rectificador trifsico [1_10] [1_11] [1_12]
Distorsin armnica total Total Harmonic Distortion(THD)

Tambin se le conoce como factor armnico o factor de distorsin. Se defini como consecuencia de la necesidad de poder cuantificar numricamente los armnicos existentes en un determinado punto de medida. Es la relacin del valor rms de la distorsin y el valor rms de la fundamental. Debido a que la fundamental no contribuye a la distorsin, el valor efectivo de la distorsin es la raz de la suma de los cuadrados de los valores rms de las armnicas, de la segunda en adelante. Matemticamente se escribe:
valor rms de la distorsin THD = = valor rms de la fundamental
2 2 2 2 I2 2 + I 3 + I 4 + I 5 + ... + I nmax
I1
E 1.24
Al incluir el valor rms de la fundamental, I1, dentro del radical se obtiene:
I2 THD = I 1
el cociente
I3 I 4 I5 I nmax + I + I + I + ... + I 1 1 1 1
nmax
In n = 2 I1
E 1.25
In es el valor rms de la armnica n dividido por el valor rms de la fundamental. I1

15
Fig 1.10 Cuando una instalacin elctrica se ve afectada por numerosos armnicos es posible que la distorsin total armnica supere el 100% lo que indicara que en esa instalacin o punto de medida hay ms armnicos que componente fundamental Cuando una seal no contiene armnicos, o es casi senoidal, su THD es cercano al 0%. Por tanto se debe tratar de que el THD sea lo ms bajo posible.
Valor efectivo o valor rms

El valor efectivo o valor rms de una funcin peridica indica la energa que tiene una determinada seal y es la raiz cuadrada del valor promedio de la funcin al cuadrado. Matemticamente se escribe:
Frms =
promedio de f
(t ) =
1 T
(t )dt
E 1.26
El valor rms de una senoidal es el valor pico entre 2 . El valor rms de una funcin formada por componentes senoidales de frecuencia distinta est dado por la raiz cuadrada de los cuadrados de los valores rms de dichas componentes, esto es, el valor rms de:
i (t ) = 2 I 1 sen(1t ) + 2 I 2 sen( 2 t ) + 2 I 3 sen( 3t )

est dado por I rms = distintas.
E 1.27
2 2 I 12RMS + I 2 RMS + I 3 RMS , si las frecuencias angulares 1 , 2 y 3 son
Fig 1.11 Medicin del valor rms total
Factor de cresta:
El factor de cresta es un factor de deformacin, que relaciona el valor de pico (cresta) de una onda sinusoidal y el valor eficaz de la misma seal.
f .c. =
valor pico valor rms
E 1.28
16
Debido a que el valor rms de una senoidal es el valor pico entre senoidal es
2 , el factor de cresta de una
2.
Fig 1.12 El valor de factor de cresta CF es un indicacin de la cantidad de distorsin. Un factor de cresta elevado equivale a una alta distorsin.
Valor promedio El valor promedio de una forma de onda peridica es el rea bajo la curva de la onda en un periodo T, entre el tiempo del periodo. Tiene la siguiente expresin matemtica:
Fprom =
rea bajo la curva 1 T = f (t ) dt periodo en segundos T 0
E 1.29
El valor promedio de una senoidal es cero, el valor promedio de una senoidal rectificada es siendo V P el valor pico de la senoidal. Factor de potencia y cos
VP ,
Habitualmente se tiende a pensar que el factor de potencia y el cos son lo mismo, esto es cierto solamente cuando no hay armnicos. El factor de potencia es la relacin entre la potencia activa y la potencia aparente:
FP =
P S
E 1.30
El cos es la relacin que existe entre las componentes fundamentales de la potencia activa y la potencia aparente.
Fig 1.13 Se observa como el factor de potencia y el cos son diferentes, esto indica que en el punto donde hayamos hecho las medidas tenemos armnicos.
17
El factor de potencia y el cos slo son iguales cuando no existen armnicos.
Factor de desclasificacin K
El factor K es un factor de desclasificacin de los transformadores que indica cunto se debe reducir la potencia mxima de salida cuando existen armnicos. La expresin matemtica es la siguiente:
K=
I pico I rms 2
f .c. 2
E 1.31
Se trata de medir el valor de pico y la corriente eficaz en cada fase del secundario del transformador, calcular sus promedios y utilizar la frmula anterior. As por ejemplo, si una ve medido en el secundario del transformador de 1000 KVA se encontrara que el factor de desclasificacin K vale 1,2; entonces la mxima potencia que podramos demandar del transformador, para que ste no se sobrecalentase y no empezara a distorsionar la tensin, sera de 833 KVA (1000 KVA/1,2 = 833 KVA).
Fig 1.14 La instrumentacin de medida especializada en la medicin y anlisis de armnicos facilita este valor del factor K, evitando complejos clculos matemticos. Si esta medida se hubiera hecho en el secundario del transformador de entrada, la potencia mxima tendra que reducirse en un factor de 3,7 veces.
El Factor K de desclasificacin se debe utilizar para reducir la potencia mxima del transformador slo cuando la medida est hecha en el secundario del mismo. Cuando la medida se hace en cualquier otro punto de la instalacin, el factor K no tiene utilidad.
En el siguiente cuadro podemos observar las diferentes medidas comentadas anteriormente.
18
Fig 1.15 Medidas
1.6.2 ANLISIS DE FOURIER USANDO PSPICE (A partir de la instruccin .FOUR)
Fig 1.16 Interpretacin del listado de Fourier obtenido con la simulacin mediante Pspice
En el grfico anterior tenemos sealadas con un recuadro cada una de las partes del listado que ofreceremos en cada simulacin, donde: 1. 2. 3. 4. 5. Lnea para el nombre del archivo .Cir y ejemplo al que pertenece. Tipo de anlisis del parmetro indicado en esta misma lnea. Componente continua que tiene la seal. Columna que contiene el nmero de orden de cada armnico. Columna que nos da la frecuencia de cada uno de los armnicos.
19
6. 7. 8. 9.
Amplitud mxima de cada uno de los armnicos. Amplitud mxima normalizada o factor de distorsin de cada armnico. Fase de cada armnico con respecto al parmetro analizado. Fase de cada armnico normalizado respecto al fundamental. (Se obtienen restndole la fase del fundamental a la columna 8). 10. Distorsin armnica total que ofrece Pspice utilizando para el clculo los nueve armnicos que analiza.
Los valores que ofrece Pspice (tanto en las grficas como en el listado de componentes de Fourier) son valores de pico, por tanto, para hacer la comparacin con los datos tericos hay que tener esto en cuenta y hacer la correccin oportuna, por ejemplo:
VO1 =
VO1
VO1( RMS ) =
VO1( PSpice )
Los datos obtenidos tericamente y los que el programa ofrece son muy similares, aunque existir una pequea diferencia debida a que el programa realiza los clculos con componentes semirreales. Estos clculos se pueden aproximar ms a los reales cuanto ms complejos sean los modelos de los componentes utilizados en Pspice. La variacin existente entre la distorsin armnica total THD que proporciona Pspice por defecto con respecto a la terica se debe a que el programa, por defecto, slo tiene en cuenta los nueve primeros armnicos. Existe otra forma de representar el desarrollo de Fourier y que se conoce como espectro frecuencial. Este espectro no es otra cosa que el diagrama donde se representan las amplitudes de cada uno de los armnicos que constituyen una onda. La amplitud de los armnicos decrece rpidamente para ondas con series que convergen rpidamente. Las ondas con discontinuidades, como la onda de dientes de sierra o la onda cuadrada, tienen un espectro cuyas amplitudes decrecen lentamente, ya que sus desarrollos en serie tienen armnicos de elevada amplitud. A continuacin se muestra un anlisis del espectro frecuencial, as se pueden comparar los dos tipos de representacin mediante Pspice:
Da te/Time ru n: 01/31/96 12:53:52 Tem perature: 27.0
FUNDAMENTAL (5 0.00 0,30 .35 5)
30V
ARMONICO 3 (1 50.0 00,1 0.1 18) 20V
ARMONICO 5 (2 50.0 00,6 .07 10) ARMONICO 7 (3 50.0 00,4 .33 65)
10V
ARMONICO 9 (4 49.9 82,3 .39 09)
Fig 1.17 Espectro frecuencial de las componentes de Fourier

0V 0H V (3,0) Freq uenc y 0.2KH 0.4KH 0.6KH 0.8KH 1.0KH 1.2KH
1.7 Algunos equipos deformantes

o Rectificador cargador
Las cargas tienen su manera tpica de consumir; en particular los rectificadores cargadores totalmente controlados, tienen esta forma caracterstica de doble ojiva.
20
En este caso la ojiva es poco pronunciada, gracias a la inductancia serie que se utiliza para la atenuacin armnica. En la figura podemos observar la forma de onda de la corriente absorbida y su espectro armnico:
o Variador de velocidad
El variador de velocidad es una carga muy deformante con un alto contenido armnico, que alcanza valores de distorsin de corriente superiores al 100%, lo cual quiere decir que superan los armnicos a la corriente fundamental.
Como podemos observar en la grfica, la tasa de distorsin global se sita en el 124%, lo que nos da una idea de lo altamente contaminante que es esta carga. Sus armnicos individuales son de una magnitud elevada comenzando por el quinto, que se sita en el 81% de la corriente fundamental, seguido del sptimo con un 74%, el decimo primero con un 42% y el dcimo tercero con n valor importante. Tambin hay que destacar el elevado factor de cresta, que provoca una corriente de pico muy elevada e inestable debido a los constantes arranques y paradas.
21
1.8 Clculos con ondas peridicas no sinusoidales

1.8.1 FUENTE NO SINUSOIDAL Y CARGA LINEAL
Si se aplica una tensin peridica no sinusoidal a una carga que sea una combinacin de elementos lineales, la potencia absorbida por la carga puede determinarse utilizando superposicin. Una tensin peridica no sinusoidal es equivalente a la combinacin en serie de las tensiones de la correspondiente serie de Fourier. La corriente en la carga puede determinarse utilizando superposicin y la siguiente ecuacin:
Pav = V0 I 0 +
Vn I n cos( n n ) 2 n =1
E 1.32
1.8.2 FUENTE SINUSOIDAL Y CARGA NO LINEAL

Si una fuente de tensin sinusoidal se aplica a una carga no lineal, la forma de onda de la corriente no ser sinusoidal pero puede representarse como una serie de Fourier. Si la tensin es la sinusoide:
v(t ) = V1sen ( 0 t + 1 )
y la corriente se representa mediante la serie de Fourier:
E 1.33
i(t ) = I 0 + I n sen (n 0 t + n )
n =1
E 1.34
la potencia media absorbida por la carga se calcula a partir de la [E 1.32 ]

V I P = V0 I 0 + n max n max cos( n n ) 2 n =1 V1 I1 (0 ) I nmax cos( n n ) + 2 2 n =2
E 1.35
P = (0) (I 0 ) +
cos( n n ) = V1rms I 1rms cos(1 1 )
El nico trmino de potencia distinto de cero es el correspondiente a la frecuencia de la tensin aplicada. En el cuadro siguiente se resume lo comentado anteriormente.
Potencia activa - Significado fsico aceptado. - Promediada en un ciclo - Transportada a la frecuencia fundamental, f1 P= V1rmsI1rmscos 1 [W]
Lectura complementaria [1_13]
Potencia aparente S=VrmsIrms [VA]
Potencia reactiva - Significado fsico aceptado. - Transportada a la frecuencia fundamental, f1 Q= V1rmsI1rmssen 1 [VAr] Potencia NO activa - Ortogonal a P S2+P2 [VA] Potencia de Distorsin - Significado fsico aceptado. - Smbolo no aceptado D2=S2-P2+Q2 [VA]
22
1.9 Efectos de los armnicos

Cualquier seal que circule por la instalacin elctrica, ya sea de corriente o de tensin, y cuya forma de onda no sea senoidal, puede provocar daos en ella o en los equipos conectados a la misma. Cuando una corriente est deformada, es decir, cuando su forma de onda no es senoidal, se dice que contiene armnicos. Los efectos de los armnicos son numerosos, unos se observan a simple vista, o se escuchan, otros necesitan de medidores de temperatura para comprobar el calentamiento de cables, arrollamientos o pletinas, y finalmente otros necesitan de equipos especiales como medidores de armnicos, o analizadores para poder cuantificar la importancia de los armnicos en un punto de la instalacin. Los efectos de los armnicos son los siguientes:

Grandes corrientes por el conductor neutro (sobrecalentamiento de los cables) Sobrecalentamiento de los cables por el efecto piel (seales de alta frecuencia) Disparos indeseados de interruptores Bateras de condensadores(resonancia, amplificacin armnica) Acoplamiento lnea telefnica Sobrecalentamiento transformador (desclasificacin, aumento de K)
1.9.1.- IMPORTANCIA DEL NEUTRO

Un sistema trifsico son tres generadores de corriente alterna monofsica en los que un extremo de cada uno de los tres bobinados se han unido en un punto central, formando un generador trifsico que crea tres tensiones del mismo valor pero con un desfase mutuo de 120. Cuando el sistema esta equilibrado, la suma de las tres corrientes que en un instante dado pasan hacia dicho punto central es constantemente igual a cero, es decir, si la corriente de ida va por un conductor, la de retorno se distribuye entre los otros dos. En las redes de distribucin de baja tensin suele incluirse el conductor que corresponde al punto central de la conexin en estrella, llamado conductor de neutro, que siempre est unido a tierra. En estas redes de distribucin, la corriente que circula por el neutro es igual a la suma vectorial de las tres corrientes de fase, por lo que si las cargas de las tres fases estn correctamente equilibradas y la corriente es senoidal, la resultante por el conductor neutro es nula o muy reducida.
Esto es cierto para la frecuencia fundamental, pero cuando se presentan armnicos mezclados con la corriente fundamental, en los circuitos trifsicos con cargas no lineales, las armnicas de orden impar (3, 9, 15, etc.), no se cancelan sino que se suman en el conductor neutro, por lo que la corriente por el conductor neutro puede ser mayor que la corriente de fase. El peligro consiste en un excesivo sobrecalentamiento del cable neutro, adems de causar cadas de voltaje, entre el neutro y la tierra, mayores de lo normal.
23
Fig 1.18 Presencia de armnicos mezclados con la corriente fundamental
El valor eficaz de la intensidad de esta corriente del conductor neutro es simplemente igual a la suma aritmtica de las tres corrientes armnicas de orden 3 de cada una de las fases. La existencia de estos armnicos, que se pueden presentar incluso aun cuando los equipos cumplan con las normas de limitacin de armnicos, provoca una serie de problemas entre los que se podran destacar: un fuerte incremento de las prdidas en las instalaciones por aumento de la resistencia de los conductores por efecto piel y por efecto proximidad. Los efectos piel y proximidad consisten en que, cuando una corriente alterna pasa a travs de un conductor de un cable, se crea a su alrededor un campo magntico variable que induce una diferencia de tensin en su seno o en los conductores situados en su proximidad, lo que provoca unas corrientes que se oponen parcialmente a las que recorren estos conductores, ocasionando un aumento de su resistencia hmica y de las prdidas por efecto Joule que se generan en dichos cables.
24
Fig 1.19 Corriente por el conductor neutro: Carga no lineal
Fig 1.20 Seccin reducida
1.10 Legislacin
La magnitud del problema de los armnicos est aumentando alarmantemente como consecuencia de la proliferacin de la electrnica de potencia, en todos los niveles del sistema, desde los puntos de generacin hasta la utilizacin de la energa elctrica.
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Las empresas de suministro de energa aceptan la necesidad ineludible de establecer normativas, cuya implantacin requiere el desarrollo de sistemas de medida y control, de precisin y fiabilidad aceptables. Organizaciones internacionales tales como CENELEC, IEC o IEE mantienen Comits dedicados a la especificacin de normativas concretas en este campo.
Organismos de normalizacin
Los diferentes organismos que elaboran las normas que deben aplicar los instaladores y los fabricantes de material elctrico son los siguientes: CEI: Comisin electrotcnica internacional. Las normas relacionadas con esta comisin son reconocidas por la designacin CEI CENELEC: Comit europeo de normalizacin electrotcnica. Estas normas se identifican mediante la designacin EN, ENH o HD. AENOR: Asociacin espaola de la normalizacin y certificacin. Se identifica con la designacin UNE.
Fig 1.21 Organismos de normalizacin
Una norma es un conjunto de reglas, de descripciones o incluso de metodologas que un fabricante utiliza como referencia, con el fin de definir el producto que fabrica y de realizar las pruebas de los productos elaborados. Cuando el CENELEC desea elaborar una norma por iniciativa propia, somete el proyecto de la norma a la CEI, quien asume la elaboracin de la norma a nivel internacional. Las normas relativas a la compatibilidad electromagntica (CEM) establecidas por la CEI llevaban en otro tiempo la referencia CEI 1000-X-X y las del CENELEC, la referencia EN 61000-X-X. Actualmente, para evitar confusiones, las normas CEI y EN emplean la misma referencia: la norma CEI 1000-X-X ser entonces equivalente a la norma EN 61000-X-X.
26
Fig1.22 Principales normas relativas a los armnicos
Normas CEI
Fig 1.23 Normas CEI. Los lmites en las corrientes armnicas de los equipos informticos son establecidos a travs de las clases A y D y en funcin de la potencia absorbida por dichos equipos
27
La clase D es la ms controvertida debido a que cuenta con una forma de onda especial generada por el circuito rectificador y el condensador de filtrado, la cual es la ms utilizada en la mayora de equipos electrnicos de alimentacin. En la mayora de aplicaciones mencionadas hasta ahora los equipos utilizados se catalogarn en clase A o D, dependiendo de si la forma de onda de la corriente de entrada en un semi-periodo (referida a su valor de pico) est dentro de la mscara definida en la figura, al menos el 95% de la duracin de cada semi-periodo, donde si esto se verifica dicho equipo pertenecer a la clase D.
Norma IEE 519

La normativa ms reciente para el control del contenido armnico ha sido recopilada por el grupo de trabajo IEE-PES en el documento IEE 519. Los lmites recomendados se refieren a las condiciones ms desfavorables en rgimen permanente de funcionamiento; durante transitorios
(a) Voltaje Armnicas individuales (%) THD (%)
V < 69 kV 69kV<V<161 kV V>161kV
3.0 1.5 1.0
5.0 2.5 1.5
Lmites de distorsin para la tensin
El propsito de la IEEE 519 es el de recomendar lmites en la distorsin armnica segn dos criterios distintos, especficamente: 1. Existe una limitacin sobre la cantidad de corriente armnica que un consumidor puede inyectar en la red de distribucin elctrica. 2. Se establece una limitacin en el nivel de voltaje armnico que una compaa de distribucin de electricidad puede suministrar al consumidor.
1.11 Soluciones
Para poder atenuar o evitar que los armnicos sigan causando serios problemas y prevenir los que nos pudieran causar en el futuro, las diferentes soluciones son las siguientes:
Soluciones electrotcnicas 1) Sobredimensionamiento

Con fuentes de mayor potencia y pletinas y cables de mayor seccin se consigue que el efecto de los armnicos en las instalaciones provoque menos incidencias y tarde ms en manifestarse.
2) Transformadores con diferentes acoplamientos

Si utilizamos una transformador tringulo/estrella mantendr en ese punto de la instalacin al armnico tercero, noveno y mltiplo de 3. Si las cargas generadoras de armnicos son trifsicas, predominan principalmente los armnicos quinto y sptimo y por tanto la solucin anterior no es la adecuada. En su lugar se utilizar el transformador de doble secundario.
3) Filtros pasivos
Cuando en una instalacin se realiza un estudio porque se han detectado determinados problemas, se pueden ver qu armnicos estn presentes y observar cul de ellos tiene una magnitud mayor que el resto.
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Se puede desarrollar un filtro acorde con ese armnico en particular para atenuarlo de manera significativa y si es posible anularlo.
Compensador activo de armnicos

El compensador se intercala en paralelo entre la fuente y la carga, su funcionamiento est basado en el principio de reinyeccin de corriente. Este mtodo permite realizar un muestreo de los armnicos que hay en cada momento en la red y los corrige de forma prcticamente instantnea, pudiendo distinguir y tratar con independencia, los armnicos correspondientes a cada una de las fases en una instalacin trifsica, controlando y reduciendo tambin de manera muy eficaz, los armnicos que circulan por el neutro.
[1_14]
29

EDMINISTER, J. E. Circuitos elctricos. Ed. McGraw-Hill, 1991. FLICE, Eric. Perturbaciones armnicas. Ed. Paraninfo, 2000. HART, Daniel W. Electrnica de Potencia. Ed. Prentice Hall. Madrid 2001. ISBN 84-205-3179-0 PEREZ, A. A. Y OTROS. La amenaza de los armnicos y sus soluciones. Ed. Paraninfo, 1999.
ARRILLAGA, J; EGUILUZ, L. I. Armnicos en sistemas de potencia. Universidad de Cantabria. Elctrica Riesgo, 1994. DOVAL, J.; MARCOS, J. Potencia Elctrica y factor de potencia: Medida de las componentes con osciloscopios digitales. Mundo Electrnico. Mayo 2002. MANUAL FLUKE 43B
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Tema 1.- Repaso conceptos: Potencia elctrica. Armnicos Tema 2.- Elementos semiconductores de potencia Diodo de potencia (caractersticas estticas y dinmicas. Conexin serie, conexin paralelo), tiempos de conmutacin. Transistor bipolar (Caractersticas. Tiempos de conmutacin. Calculo de la potencia disipada. Curva SOA y fenmenos de ruptura. Ataque y protecciones) Tema 3.- Disipacin de potencia
2.1 Diodo de Potencia 2.1.1 Caractersticas estticas Modelos estticos del Diodo Simbologa Parmetros en estado de bloqueo Parmetros en estado de conduccin Potencia media disipada por el diodo en conduccin 2.1.2 Caractersticas dinmicas del Diodo de Potencia Paso de conduccin a corte, Turn off Paso de corte a conduccin, Turn on 2.1.3. Tipos de diodos de potencia 2.1.4. Asociacin de Diodos de Potencia Asociacin de diodos en serie Asociacin de diodos en paralelo 2.2 Transistor Bipolar, BJT 2.2.1 Caractersticas del transistor Bipolar 2.2.2 Tiempos de Conmutacin 2.2.3 Disipacin de potencia en conmutacin 2.2.4 Conmutacin del BJT. Circuitos de control 2.2.5 rea de funcionamiento seguro, SOA 2.2.6 Proteccin del BJT 2.2.7 Circuitos de proteccin del BJT Red snubber para el transitorio Turn on (Encendido) Red snubber para el transitorio Turn off (Apagado) 2.3 El Transistor Mosfet de Potencia 2.3.1 Regiones de trabajo del MOSFET Regin hmica. Regin Activa (Saturacin de Canal) Regin de Corte 2.3.2 Circuitos de excitacin para mosfet 2.4 Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT 2.5 Optoacopladores 2.6 Rels de Estado Slido, SSR
1 1 1 1 2 2 3 4 5 7 7 7 7 9 11 11 14 15 18 20 21 22 23 23 26 27 28 28 29 29 31 32 32
TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
2.1 Diodo de Potencia

El elemento rectificador de potencia ms comn es el diodo de potencia. Las caractersticas de los diodos de potencia son, en general, similares a las de los diodos normales, idealmente presenta dos estados bien diferenciados: corte y conduccin. El paso de un estado a otro no se realiza de forma instantnea y en dispositivos en los que el funcionamiento se realiza a elevada frecuencia, es muy importante el tiempo de paso entre estados, puesto que ste acotar las frecuencias de trabajo.
Fig 2.1 Diodo de potencia. Simbologa
En cuanto a mrgenes de funcionamiento, hay diodos que en estado de conduccin pueden llegar a soportar corrientes medias superiores a los 1.500 A llegando hasta tensiones inversas superiores a los 2.000 V. El silicio es el elemento semiconductor ms empleado puesto que es capaz de soportar elevadas intensidades en conduccin y grandes tensiones inversas con bajas corrientes de fuga en corte. El nico procedimiento de control posible, es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
2.1.1 CARACTERSTICAS ESTTICAS

Las caractersticas estticas del diodo de potencia, se estudian definiendo conceptos tales como modelos estticos y parmetros en estado de bloqueo y de conduccin.
Modelos estticos del Diodo

En estado de conduccin, tres son los modelos que podemos utilizar para el diodo semiconductor en funcin de la precisin que se requiera en los clculos. En la figura 2.2 estn representados junto con la curva tensin - intensidad que caracteriza a cada modelo.
i i i
Tensin de codo [2_1]
vD
E + vD (b)
vD
E RD + vD (c)
vD
Curva real de un dispositivo [2_2]
vD (a)
Fig 2. 2 Modelos estticos del diodo a) Modelo ideal b) Primera aproximacin c) Segunda aproximacin, modelo real
El modelo ideal asemeja el diodo a un cortocircuito, despreciando la tensin de codo E, que s es considerada en la primera aproximacin. La resistencia interna RD, junto a la tensin de codo tambin se considera en la segunda aproximacin. El modelo equivalente para el diodo de potencia en corte puede asemejarse a un interruptor abierto en el que se desprecian las corrientes de fuga del dispositivo.
Simbologa
La simbologa usada ms comnmente en electrnica de potencia se resume en el siguiente esquema, por ejemplo: VRSM Tensin inversa mxima no repetitiva
Fig 2. 3 Simbologa empleada
Parmetros en estado de bloqueo

Cuando un diodo se encuentra en estado de bloqueo, es decir, cuando no conduce existen una serie de valores de tensin que no pueden ser sobrepasados. En la figura 2.4 se han representado los valores mximos de tensin inversa nodo - ctodo que puede soportar un diodo momentneamente o de manera continuada, sin que el dispositivo semiconductor corra el peligro de destruirse.
VRWM Tensin inversa de trabajo mxima. Es la tensin que puede ser soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de calentamientos. VRRM Tensin inversa de pico repetitivo. Es la tensin que puede ser soportada en picos de 1 ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido. VRSM Tensin inversa de pico no repetitivo. Es la tensin que puede ser soportada por una sola vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10 ms. VR Tensin de ruptura. Si es alcanzada, aunque sea por una sola vez con duracin de 10 ms o menos, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas. IR Intensidad de fugas. Intensidad que circula por el dispositivo de potencia cuando est bloqueado.
Fig 2. 4 Parmetros en estado de bloqueo. Tensiones inversas en el diodo
Parmetros en estado de conduccin

Cuando el diodo conduce tambin es importante no sobrepasar los valores de corriente permitidos por el dispositivo y que son facilitados por el fabricante.
IF (AV) Intensidad en directo media nominal. Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos senoidales de 180 que el diodo puede soportar con la cpsula mantenida a determinada temperatura.
IFRM Intensidad en directo de pico repetitivo. Puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, con duracin del pico de 1 ms a determinada temperatura de la cpsula. IFSM Intensidad en directo de pico no repetitivo. Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10 ms.
Algunos fabricantes dan la intensidad nominal en valor eficaz y no en valor medio, cuestin que hay que tener en cuenta cuando se comparan diodos de distintas marcas.
Datos del diodo en corte [2_3] Datos del diodo en conduccin [2_4]
Potencia media disipada por el diodo en conduccin

La potencia instantnea que disipa un diodo ser:
p d (t) = v d (t) i d (t)
E 2. 1
Fig 2.5 Potencia instantnea disipada por el diodo en conmutacin
La potencia media responde a la integral definida, de la potencia instantnea en un periodo, dividida por la duracin del periodo T.
Pd(AV) =
1T v d (t) id (t) dt T0
E2.2
Considerando la tensin de codo, VD y la resistencia interna, RD del diodo y sustituyendo en la ecuacin [E2.2]
Pd(AV) =
1T V ( VD + i d R D ) i d dt = D T0 T
i d dt +
RD T 2 id dt T 0
E2. 3
Esta expresin consta de dos trminos; en el primero aparece la intensidad media, y en el segundo, la intensidad eficaz al cuadrado.
Pd(AV) = VD I dc + R D I 2 rms
E2. 4
La potencia media no slo depende de la intensidad media, sino tambin del valor eficaz de la seal y por lo tanto, del factor de forma, a.
a=
I RMS I DC
E2. 5
Generalmente el fabricante proporciona informacin en las hojas de caractersticas del dispositivo semiconductor, por medio de tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Tambin proporciona curvas que relacionan la potencia media con el factor de forma.
Ejemplos de curvas proporcionadas por el fabricante [2_5]
Tipos de curvas [2_6]
Sch o ttk y Re ctifie r Ab s olute M axim um Rating s * T A = 25C unles s otherw is e noted Sym b o l V RRM IF(A V ) IFSM Par am e te r Max imum Repetitiv e Rev ers e V oltage A v erage Rec tif ied Forw ard Current 500 mA Non Repetitiv e Peak Forw ard Current (Surge applied at rated load c onditions half w av e, s ingle phas e, 60 Hz ) Ts tg Tj max Storage Temperature Range Operating Junc tion Temperature -65 to +150 -65 to +150 C C V alue 20 500 5.5 Units V mA A
*Thes e ratings are limiting v alues abov e w hic h the s erv ic eability of any s emic onduc tor dev ic e may be impaired.
Th e r m al Char acte r is tics Sym b o l Par am e te r Thermal Res is tanc e Junc tion to A mbient* 340 C/W Thermal Res is tanc e Junc tion to Lead 150 C/W V alue 340 150 Units C/W C/W
R JA R JL
*FR-4 or FR-5 = 3.5 x 1.5 inc hes us ing minimum rec ommended Land Pads . Ele ctr ical Ch ar acte r is tics T A = 25C unles s otherw is e noted Sym b o l VF Forw ard V oltage Par am e te r @ IF = 100 mA , IF = 100 mA , TA = 100 C IF = 500 mA , IF = 500 mA , TA = 100 C IR Rev ers e Current @ V R = 10 V , V R = 10 V , TA = 100 C V R = 20 V , V R = 20 V , TA = 100 C V alue 300 220 385 330 75 5.0 250 8.0 Units mV mV mV mV A mA A mA
Fig 2.6 Hoja de caractersticas.
Cuestin didctica 2.1

Observar y comentar los diferentes datos e informacin que se pueden obtener a partir de las hojas de caractersticas de un diodo.
2.1.2 CARACTERSTICAS DINMICAS DEL DIODO DE POTENCIA

Cuando en el estudio del comportamiento de los dispositivos semiconductores se quiere profundizar en los transitorios provocados por la conmutacin, hay que tener en cuenta las caractersticas dinmicas, dado que los dispositivos no son ideales, se requiere un tiempo, para conseguir el paso de corte a conduccin, ton y de conduccin a corte, toff.
Paso de conduccin a corte, Turn off

Cuando un diodo se encuentra conduciendo una intensidad, Id la zona central de la unin p-n est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea dicha intensidad. Si el circuito exterior fuerza la disminucin de la corriente con una cierta velocidad, di/dt aplicando una tensin inversa, resultar que despus del paso por cero de la seal i(t), hay un periodo en el cual cierta cantidad de portadores cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus de un tiempo, ts durante el cual los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin una zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tf en pasar de un valor de pico negativo Irr a un valor prcticamente nulo, mientras se va descargando la capacidad interna de la unin. Esta capacidad se puede considerar como la suma de la Capacidad de Difusin, Cdif y la Capacidad de Deplecin o de transicin, Cj La primera es proporcional a la corriente por el diodo y slo tiene relevancia con ste polarizado en directo, mientras que la segunda, aparece con el diodo polarizado en inverso.
Fig 2. 7 Variacin de la capacidad interna en funcin de la tensin inversa. Observar que para valores mayores de tensin inversa, la capacidad vara muy poco por lo que se puede considerar constante
Fig 2. 8 En el paso de conduccin a corte, la corriente por el diodo evoluciona desde valores positivos a valores negativos hasta que finalmente se anula. El tiempo de recuperacin inverso, trr adquiere una gran importancia a la hora de trabajar en conmutacin, pues limita la mxima frecuencia de trabajo.
Tiempo de recuperacin inverso, trr Comprende el intervalo de tiempo desde que la corriente if pasa por cero en el cambio on off hasta que la corriente vuelve a adquirir el 10 % del valor Irr. Tambin se puede definir como el periodo durante el cual el diodo permite la conduccin en sentido negativo. Est compuesto por la suma del tiempo de almacenamiento, ts y el tiempo de cada, tf
t rr = t s + t f
E2. 6
Tiempo de almacenamiento, ts Es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta que se alcanza el pico negativo y es debido a la acumulacin de portadores en la regin de deplexin de la unin.
Tiempo de cada, tf Es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la corriente hasta que se alcanza el 10% de dicho valor. Carga elctrica almacenada o desplazada, Qrr Factor de suavizado, S Es la relacin entre los tiempos de cada y almacenamiento.

S=
tf ts
E2. 7
Fig 2. 9 Forma de onda de la corriente por el diodo, segn el valor del factor de suavizado, S
Para el clculo de los parmetros Irr y Qrr hay que tener en cuenta la pendiente di/dt que representa la disminucin de intensidad por el diodo y el rea de un triangulo, Qrr cuya base y altura son respectivamente trr e Irr, que representa la carga almacenada en la unin p-n, durante el paso a corte del dispositivo, puesto que normalmente ts y tf suelen ser desconocidos se pueden suponer dos casos; que tf es despreciable frente a ts con lo cual trr es igual a ts y que ambos son iguales a la mitad de trr
I rr = t s
Primera suposicin
di dt
1 Q rr = t rr . I rr 2
E 2. 8
t f = 0 t s = t rr
Segunda suposicin
t rr = 2
Q rr di dt
I rr = 2 Q rr
di dt
E 2. 9
ts = tf =
trr 2
t rr = 4
Q rr di dt
I rr = Q rr
di dt
E2.10
Una vez realizados los clculos para ambos supuestos se elige siempre el peor de los casos: mayor trr o mayor Irr segn las especificaciones del problema. Pues ste es el que puede perjudicar en mayor medida al dispositivo semiconductor.
Paso de corte a conduccin, Turn on

Por ser prcticamente despreciables los efectos provocados por el tiempo de recuperacin directa, indicar solamente que se conoce como Turn on, al tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin entre el nodo y ctodo se hace positiva y en el que dicha tensin alcanza el valor normal de conduccin. Es decir el tiempo de paso de corte a conduccin.
Caractersticas dinmicas [2_7]
PROBLEMA 2.1
El diodo de potencia BYX 71 acta inicialmente con una corriente de 2A y una temperatura ideal de la unin de 25C. El diodo opera en un circuito en el cual la corriente es inversa, de 20 Amperios/microsegundo (A/s). Determinar el tiempo de recuperacin inversa, trr, as como la corriente inversa mxima, IRM Solucin: tf = 0 trr =265ns; IRM = 5.29 A tf = ts trr =374ns;IRM = 3.74 A [Fisher]
2.1.3. TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA Diodo rectificador normal

Tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente alto, tpicamente de 25 s, y se utilizan en aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de recuperacin no es crtico. Margen de funcionamiento: desde < 1A hasta varios miles de A; 50V...5KV
Diodo de barrera Schottky

En un diodo Schottky se puede eliminar (o minimizar) el problema de almacenamiento de carga de una unin pn. Esto se lleva a cabo estableciendo una barrera de potencial con un contacto entre un metal y un semiconductor Margen de funcionamiento: 1A...300A; Son usados en rectificadores de bajo voltaje para mejorar la eficacia de la rectificacin.
Diodo de recuperacin rpida

Los diodos de recuperacin rpida tienen un tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor que 5s. Esta caracterstica es especialmente valiosa en altas frecuencias. Un diodo con esta variacin de corriente tan rpida necesitar contactos de proteccin, sobre todo cuando en el contacto exterior encontramos elementos inductivos. Margen de funcionamiento: <1A...300A; 50V...3KV
2.1.4. ASOCIACIN DE DIODOS DE POTENCIA

Las dos caractersticas ms importantes del diodo de potencia son: La intensidad mxima en directo y la tensin inversa mxima de bloqueo. Si las necesidades del circuito pueden llegar a sobrepasar la capacidad mxima del dispositivo es necesario utilizar varios diodos asociados en serie o en paralelo segn el caso.
Asociacin de diodos en serie

Para aplicaciones en las que aparecen tensiones inversas elevadas por rama, como por ejemplo en rectificadores de potencia, la capacidad de bloqueo de un nico diodo puede no ser suficiente. Ser
necesario una conexin serie de dos o ms elementos. Si los elementos estn colocados en serie, tendrn la misma corriente de fugas, sin embargo, presentan tensiones inversas diferentes. Esto podra causar que alguno de los diodos pudiera destruirse por sobrepasamiento de su tensin inversa mxima.
Fig 2. 10 Tensiones inversas y corrientes de fuga en dos diodos distintos
Este problema puede resolverse conectando resistencias en paralelo con cada diodo.
Fig 2. 11 Asociacin de diodos en serie
Para que estas resistencias sean efectivas, deben conducir una corriente mucho mayor que la corriente de fugas del diodo.
I = I S1 + I R1 = I S2 + I R2
I S1 +
Si R = R1 = R2
E 2.11
Vd1 V = I S2 + d2 R1 R2
Vd1 V = I S2 + d2 R R
E 2.12
I S1 +
E 2.13
PROBLEMA 2.2
Los dos diodos que se muestran en la figura 2.11 estn conectados en serie, un voltaje total de VD = 5 kV. Las corrientes de fuga inversas de los dos diodos son IS1 = 30 mA e IS2 = 35 mA. (a) Encuentre los voltajes de diodo, si las resistencias de distribucin del voltaje son iguales, R1
= R2 = R = 100k. (b) Encuentre las resistencias de reparticin del voltaje R1 y R2, si los voltajes del diodo son iguales, VD1 = VD2 = VD/2. (c) Utilice PSpice para verificar los resultados de la parte (a). Los parmetros del modelo PSpice son: BV = 3 kV e IS = 20 mA para el diodo D1, e IS = 35 mA para el diodo D2 Solucin: (a) VD1=2750V, VD2=2250V; (b) R1=100k, R2=125k;
Circuito para la simulacin Pspice
[Rashid]
PROBLEMA 2.2
PROBLEMA 2.3
Se pretende colocar 3 diodos, de tensin inversa mxima 40V, en serie para soportar una tensin total de 100V. Calcular las resistencias de ecualizacin necesarias sabiendo que la corriente inversa mxima de estos diodos (para 40V de tensin inversa) es de 40mA. Qu nombre recibe este tipo de ecualizacin? Solucin:
R eq =
VRRM 40 V = = 1 K I RM 40 mA
Por d1 no circula corriente inversa y por d2 y d3 circula la mxima, por lo tanto, para estos dos tenemos:
R eq R R eq + R 2 R eq R R eq R R eq + R R eq + R u 1 < VRRM = 40 V u 1 = R R+
Despejando tenemos: R = 0.3K
U Total 2 R eq R R eq + R
a=
R eq min R
(Parmetro introducido para facilitar el clculo)
Debe cumplirse que: a >
V U Total /VRRM 1 ; R < RRM U I RM n Total VRRM
U Total VRRM U Total /VRRM 1 n

[Gualda]
Asociacin de diodos en paralelo

Esta configuracin se utiliza cuando se requieren altas intensidades. Presenta como inconveniente el reparto desigual de la corriente por cada una de las ramas de los diodos debido a las distintas caractersticas de conduccin de los mismos. Este problema se puede resolver utilizando dos criterios: conectando resistencias en serie con cada diodo o bien inductancias iguales acopladas en cada rama de la red paralelo. Las resistencias conectadas en serie ayudan a estabilizar e igualar los valores de intensidad I1 e I2 Las inductancias se pueden obtener utilizando transformadores con una relacin de transformacin 1:1 conectados tal y como muestra la figura 2.12. El segundo mtodo es aplicable nicamente en condiciones de operacin en las que la alimentacin sea pulsatoria o senoidal.
Fig 2. 12 Asociacin de diodos en paralelo. Circuitos de estabilizacin de corriente por resistencias e inductancias
PROBLEMA 2.4
Se conectan dos diodos en paralelo de forma que en total tienen que conducir 100A. Determinar el valor de las resistencias para que ninguno conduzca ms de 55A. Calcular la potencia y la cada de tensin en cada rama. Datos: VD1=1.5V; VD2=1.8V
Solucin: Suponiendo que algn diodo conduzca 55A, este diodo ser el de menor tensin de codo I1 = 55A I2 = 45A Como V = R I1 + VD 1 = R I 2 + VD 2 , tenemos que la resistencia en cada rama ser:
R=
VD 2 VD 1 1.8 V 1.5 V = R = 0.03 I1 I 2 55 A 45 A
La potencia en cada rama ser:

2 2 PR 1 = R I1 = 0.03 (55 A ) PR 1 = 90.75 W
2 P = 60.75 W PR 2 = R I 2 2 = 0.03 (45 A ) R 2
La cada de tensin en cada rama ser:
V = R I1 + VD 1 = 0.03 55 A + 1.5 V V = 3.15 V

[Fisher]
PROBLEMA 2.5
Dos diodos con rango de 800V de voltaje y corriente inversa de 1mA, se conectan en serie a una fuente de AC de 980 voltios de tensin de pico (Vsmax). La caracterstica inversa es la presentada en la figura. Determinar: (a) Voltaje inverso de cada diodo. (b) Valor de la resistencia a colocar en paralelo de forma que el voltaje en los diodos no sea superior al 55% de Vsmax. (c) Corriente total y prdidas de potencia en las resistencias. Solucin: (a) VD1=700V, VD2=280V; (b) VD1=539V, VD2=441V R=140k; (c) IS=4.55mA, PR=2.54W
[Ashfaq]
10
PROBLEMA 2.6
Dos diodos tienen las caractersticas presentadas son conectados en paralelo. La corriente total es de 50A. Son conectadas dos resistencias en serie con los diodos para provocar una redistribucin de la corriente. Determinar: (a) el valor de la resistencia de forma que por un diodo no circule ms del 55% de Imax (b) Potencia total de prdidas en las resistencias. (c) Cada de tensin diodo resistencia.
Solucin: (a) R=0.06; (b) PR=75.8W; (c) V=2.95V
[Ashfaq]
2.2 Transistor Bipolar, BJT

El transistor bipolar es conocido como un elemento amplificador de seal. En el contexto de los componentes electrnicos de Potencia, es usado como un dispositivo de conmutacin, ya que, dispone de las caractersticas que lo convierten en un conmutador casi ideal.
Fig 2. 13 Transistor de Potencia. Simbologa
A diferencia del transistor bipolar normal, en el cual, la zona de trabajo ms importante es la lineal, en el transistor de potencia los estados ms importantes de funcionamiento son saturacin y corte. Estos dos estados se corresponden con los estados cerrado y abierto del conmutador ideal.
Zonas de funcionamiento [2_8] Circuito con carga resistiva [2_9]
Los transistores bipolares de alta potencia se utilizan fundamentalmente para trabajar con frecuencias por debajo de 10KHz y en aplicaciones que requieran 1.200 V y 400 A como mximo.
2.2.1 CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

El funcionamiento y utilizacin del transistor de potencia es idntico al del transistor normal, teniendo como caracterstica especial la capacidad de soportar altas tensiones e intensidades y por tanto elevadas potencias a disipar. Caractersticas a tener en cuenta en el transistor bipolar: IC = Intensidad mxima que puede circular por el Colector
VCE0 = Tensin de ruptura de colector con base abierta, (mxima tensin C-E que se puede aplicar en extremos del transistor sin provoca la ruptura) Pmax = Potencia mxima Tensin en sentido directo
11
Corriente de fugas Frecuencia de corte VCBO = Tensin de ruptura colector - base con base abierta VEBO = Tensin de ruptura emisor - base con base abierta VCEOSUS = Tensin de ruptura por un aumento excesivo de la corriente de colector y de la tensin C-E
En funcin de la polarizacin B-E, se pueden definir otras caractersticas:
VCEO = Tensin de ruptura colector emisor, con base abierta. VCER = Tensin colector emisor con resistencia de base especificada. VCEX = Tensin colector emisor con circuito especificado entre base emisor. VCEV = Tensin colector emisor con tensin especificada entre base emisor. VCES = Tensin colector emisor con unin base emisor cortocircuitada.
Parmetros en el 2N3055 [2_10]
En relacin con los parmetros definidos anteriormente, se puede decir que la VCEmx depende esencialmente de tres factores. La polarizacin base - emisor.
El gradiente de tensin (dV/dt). La estructura interna del transistor (tecnologa de fabricacin).
Los transistores bipolares de potencia presentan durante la conmutacin un fenmeno complejo conocido como efecto de segunda ruptura. Si la ruptura por avalancha se denomina primera ruptura, la segunda ruptura se puede definir como la ruptura de la unin debido a efectos trmicos localizados (creacin de puntos calientes). La primera ruptura se debe a un aumento excesivo de la tensin C - E. Sin embargo, la ruptura secundaria se produce cuando la tensin C - E y la corriente de colector aumentan excesivamente, de tal forma que sta ltima se concentra en una pequea rea de la unin de colector polarizado inversamente. La concentracin de corriente forma un punto caliente (falta de uniformidad en el reparto de la corriente) y el dispositivo se destruye trmicamente. Este tipo de ruptura podr presentarse tanto en turn on como en turn off. La figura 2.14 muestra la caracterstica tensin - intensidad de un transistor NPN bipolar de potencia. Al igual que en uno de pequea potencia, se pueden distinguir tres zonas: activa, corte y saturacin.
12
Fig 2. 14 Caracterstica V - I de un transistor NPN bipolar de potencia.
PROBLEMA 2.7
El transistor bipolar de la figura, tiene una en el rango 8 a 40. Calcular el valor de RB que resulta en saturacin con un factor de sobreexcitacin de 5, la f forzada y la prdida de potencia PT en el transistor. Datos: 840; RC=11; VCC=200V; VB=10V;VCEsat=1.0V; VBEsat=1.5V; ODF=5
Solucin: La corriente de colector en saturacin es:
I CS =
VCC VCEsat 200 V 1.0 V = I CS = 18.091 A RC 11 I CS 18.1 A = I BS = 2.263 A min 8 IB I BS
La corriente de base en saturacin es:
I BS =
Normalmente se disea el circuito de tal forma que IB sea mayor que IBS El factor de sobreexcitacin, ODF, proporciona la relacin entre ambas: ODF =
I B = I BS ODF = 2.263 A 5 I B = 11.313 A

El valor de RB se calcula a partir de la ecuacin de la corriente de base: I B =
VB VBEsat RB
13
RB =
VB VBEsat 10 V 1.5 V = R B = 0.751 IB 11.313 A I CS 18.091 A = f = 1.6 I B 11.313 A
La forzada, f, mide la relacin entre ICS e IB
f =
La prdida de potencia total, PT, es:
PT = VBEsat I B + VCEsat I CS = 1.5 V 11.313 A + 1.0 V 18.091 A

PT = 35.06 W
[Rashid]
2.2.2 TIEMPOS DE CONMUTACIN

Para aplicaciones en las cuales se usa el transistor de potencia como interruptor, es necesario hacerle cambiar de estado, on - off, reiteradamente. El paso de un estado a otro se denomina conmutacin y no se realiza de forma instantnea, sino que requiere un cierto tiempo. En funcin de la magnitud del mismo, se ver limitada la utilidad del dispositivo. Esta limitacin cobra mayor importancia a medida que aumenta la velocidad de conmutacin o lo que es lo mismo, la frecuencia de control. En el diseo se deben disminuir los tiempos de conmutacin ya que estos tiempos producen picos de potencia.
Fig 2. 15 Tiempos de conmutacin en el transistor
Cada uno de los dos tipos de conmutacin, turn on y turn off lleva asociado un tiempo de conmutacin que a su vez se puede subdividir en otros dos tiempos.
Tiempo de encendido, ton Es el tiempo que necesita el dispositivo para conmutar de corte a conduccin, turn on.
t on = t d + t r
E 2.14
Tiempo de retardo (Delay Time, td) Es el que transcurre desde el instante en que se aplica la seal de entrada al dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el 10% de su valor final. Tiempo de subida (Rise Time, tr) Tiempo que emplea la seal de salida para evolucionar desde el 10% hasta el 90% de su valor final.
14
Tiempo de apagado, toff Es el tiempo que necesita el dispositivo para conmutar de conduccin a corte, turn off.
t off = t s + t f
E 2.15
Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts) Tiempo que transcurre desde que se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor inicial. Tiempo de cada (Fall time, tf) Tiempo que emplea la seal de salida para evolucionar desde el 90% hasta el 10% de su valor inicial.
Fig 2.16 Tiempo de encendido y tiempo de apagado de un circuito con carga resistiva
Caractersticas 2N3055 [2_11]
Turn-on [2_12]
Turn-off [2_13]
2.2.3 DISIPACIN DE POTENCIA EN CONMUTACIN

La disipacin de potencia del transistor trabajando en conmutacin se puede subdividir en varias componentes: la potencia en la base, la potencia en estado de corte, la potencia en estado de conduccin y la potencia perdida en las conmutaciones. La potencia que se utiliza para controlar el terminal de control o base, viene dada por la expresin.
p B (t ) VBE I B
E 2.16
15
Otra pequea componente es la potencia disipada por el transistor, en estado de corte y viene dada por la expresin
p off (t ) = v CE (t ) i C (t ) VCC I fugas

PB y Poff normalmente son despreciables. El trmino ms importante viene dado por las prdidas de potencia en conduccin
E 2.17
p on (t ) = VCE (sat) I C(sat)
E 2.18
La energa perdida en la conmutacin de corte a conduccin se denomina Won y en la conmutacin de conduccin a corte, Woff Si los tiempos asociados a estas componentes son cortos y la frecuencia de conmutacin del BJT es alta, se deber calcular la potencia media disipada multiplicando los trminos de potencia por la frecuencia de conmutacin. Este valor es muy importante para calcular y disear el disipador de calor que deber acoplarse al dispositivo. La potencia media disipada vendr dada por la siguiente expresin.
PD [ Pon t on + (Woff + Won ) ] f
E 2.19
Si el transistor trabaja con pulsos de frecuencia y amplitud constantes, se puede hallar la energa disipada en cada ciclo para luego hallar su valor medio mediante integracin. La potencia instantnea disipada por el transistor, se obtiene multiplicando la intensidad de colector por la tensin colector - emisor en cada instante.
PD ( t ) = i c ( t ) v ce ( t )
E 2.20
Si se integra esta expresin respecto del tiempo se tendr la energa instantnea perdida por ciclo.
W( t ) = i c ( t ) v ce ( t ) dt
E2.21
La figura muestra como se puede dividir la duracin de un pulso, Ton para su posterior estudio, desde el punto de vista de la disipacin de potencia.
Paso de corte a conduccin
t 2 t1 = t on
Intervalo de conduccin
t3 t2 = tn
Paso de conduccin a corte
t 4 t 3 = t off
Duracin del pulso
Ton = t on + t n + t off
Fig 2. 17 Pulso de conduccin del transistor. Corriente de colector, ic Tensin colector emisor, vCE Potencia disipada, P Todas ellas en funcin del tiempo.
16
Por tanto la energa perdida en el pulso tambin se puede descomponer como la suma de las energas perdidas en cada intervalo: ton, tn y toff
W( t ) = Won ( t ) + Wn ( t ) + Woff ( t )
Las energas perdidas se calculan aplicando la ecuacin [E2.23] a cada intervalo considerado.
E 2.22
Won = iC ( t ) v ce ( t ) dt =
t1 t3
t2
I C(sat) VCC t on 6
E 2.23
Wn = iC ( t ) v ce ( t ) dt = IC(sat) VCE(sat) t n
t2
E 2.24
Woff = iC ( t ) v ce ( t ) dt =
t3
t4
I C(sat) VCC t off 6
E 2.25
Se puede decir, por tanto, que la energa total perdida en cada pulso ser la suma de las energas obtenidas en las ecuaciones anteriores. Si se divide dicha energa entre el periodo de la seal, T se obtiene el valor medio de la potencia total disipada por el transistor:
PTOT(AV) =
PROBLEMA 2.8
Won + Wn + Woff T
E 2.26
Las formas de onda de la Fig 2.17 corresponden a un pulso de salida en un transistor de potencia. Determinar las prdidas de potencia debidas a la corriente de colector en los siguientes instantes: (a) Durante ton (b) Durante el tiempo de conduccin, tn (c) Durante toff (d) Durante el tiempo de apagado o no conduccin, to Calcular tambin la potencia de prdidas total, PT y dibujar la potencia instantnea, PC (t) Datos: VCC = 250V; VBEsat = 3V; IB = 8A; VCEsat = 2V; ICE = 100A; ICEO = 3mA; td = 0.5s; tr=1s; ts = 5s; tf = 3s; fs = 10kHz (frecuencia de trabajo); k = 50% (ciclo de trabajo). Solucin: (a) Pd = 3.75mW; PT = 42.333W Pon = 42.337W. (b) Pn = 97W. (c) Ps = 10W; Pf=125W Poff = 135W. (d) Po = 0.315W
[Rashid]
En algunas ocasiones no es necesario realizar un anlisis tan completo como en el problema anterior. Hay algunos autores que optan por emplear un mtodo aproximado, considerando que la VCE (sat) = 0, y la ICEO = 0 y calculando nicamente las prdidas de potencia durante el tiempo de subida tr y el de bajada tf. Mediante esta aproximacin, solo se evala la prdida de potencia en los instantes en que se produce la conmutacin del dispositivo, que es cuando se produce una disipacin de potencia elevada, como se ha comprobado en el ejemplo anterior.

Como incide la VCEsat sobre las prdidas totales?
17
PROBLEMA 2.9
Repetir los clculos del problema 2.8 teniendo en cuenta las consideraciones y aproximaciones expuestas en el prrafo anterior.

Observar las diferentes prdidas de potencia debidas a los diferentes tiempos y valorar cuales de ellas se pueden despreciar.
Cuando la carga tiene fuerte componente inductiva la evolucin de las formas de onda de la tensin y de la intensidad son las representadas [Fisher]
Fig 2.18 Carga inductiva
Quedando en este caso el clculo de la disipacin de potencia:
Wt ON =
Wcond
1 V I C(sat) (t 1 + t 2 ) 2 = VC (sat ) I C (sat ) t 5
E 2.27 E 2.28 E 2.29
Wt OFF =
PTOT(AV)
1 V I C(sat) (t 3 + t 4 ) 2 Wt ON + Wt OFF + Wcond = = f (Wt ON + Wt OFF + Wcond ) T
E 2.30
2.2.4 CONMUTACIN DEL BJT. CIRCUITOS DE CONTROL

Como consecuencia de los tiempos de retardo que se producen en el transistor, la puesta en funcionamiento del mismo en el instante deseado resulta problemtica. Inicialmente interesara una corriente de base elevada, para disminuir el tiempo de retardo, y finalmente, una corriente de base negativa, para forzar el bloqueo en el menor tiempo posible. La figura muestra la forma de onda idnea de la corriente de base de un transistor bipolar para obligarle a evolucionar sin problemas, a saturacin y despus a corte de forma ptima.
18
Fig 2. 19 Forma de onda idnea de la corriente de base para forzar la conmutacin del transistor bipolar.
No es demasiado difcil imaginar la complejidad de un circuito que genere dicha corriente, si pensamos que el valor necesario, puede alcanzar varios amperios. La tendencia actual es la de intentar simplificar al mximo este problema. Por ello se han desarrollado distintos circuitos integrados (drivers), que con la adicin de muy pocos componentes exteriores logran generar la funcin de ataque, limitndose a un margen de frecuencias bajo, menor de 100 KHz y de potencias medias / bajas.
Circuito tpico [2_14]
En la figura se muestra un sencillo ejemplo de circuito de control para reducir los tiempos de conmutacin de los transistores de potencia.
Ve -Ve IBmx IBmin t1 t2 IB t

Forma de onda [2_15]
Fig 2. 20 Transitorios de tensin en la fuente, Ve y de corriente en la base, Ib Circuito para el control del transistor.
Cuando la seal de entrada pasa a nivel alto, R2 est cortocircuitada inicialmente por el condensador descargado. La corriente de base inicial:
I B1 =
Vi v BE R1
E2.31
A medida que se carga el condensador, la corriente de base disminuye y llega a un valor final de:
I B2 =
Vi v BE R 1 + R2
E2.32
19
La seal de entrada pasa a nivel bajo en la puesta a corte, y el condensador cargado proporciona un pico de corriente negativa a medida que se elimina la carga de la base. El tiempo de carga deseado del condensador es el que determina el valor de ste. Se necesitan de tres a cinco constantes de tiempo para cargar o descargar el condensador. La constante de tiempo de carga es:
1 2 = RE C1 = R +R C1 2 1
R R
E2.33
PROBLEMA 2.10
Disee un circuito de excitacin de la base de un BJT, con la configuracin de la figura 2.18, que tenga un pico de 3A durante la puesta en conduccin y mantenga una corriente de base de 0,4A mientras el transistor est activado. La tensin vi es un pulso de 0 a 50V con un ciclo de trabajo del 50% y la frecuencia de conmutacin es de 100kHz. Suponga que vBE es de 1V cuando el transistor est conduciendo.
[Hart]
2.2.5 AREA DE FUNCIONAMIENTO SEGURO, SOA

Los datos proporcionados por la curva de salida incluida en las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante del dispositivo, en las que se muestran los valores de la corriente IC en relacin con la tensin colector-emisor VCE, no son suficientes para conocer si el transistor BJT se encuentra trabajando en un punto seguro, sin sobrepasar los lmites trmicos. Para ello se suministra la curva SOA (Safe Operating Area). Esta curva est definida por aquellos puntos que cumplen que el producto IC VCE no sobrepase la mxima potencia disipable permitida por el transistor elegido, es decir, definen el rea de funcionamiento seguro del transistor. En la figura 2.21 adems de la curva para un funcionamiento continuo del transistor, se encuentran otras curvas similares, con un rea mayor. Estas curvas indican el funcionamiento seguro del transistor cuando trabaja en conmutacin en los tiempos establecidos por la grfica. Zona 1: (IC (mx) continuous). Representa el mximo valor de corriente que puede circular por el colector para una tensin colector emisor dada. El funcionamiento del transistor con corrientes mayores puede dar lugar a la ruptura del mismo. Zona 2: (DC operation dissipation limites). Este tramo indica la mxima disipacin de potencia del dispositivo. Es la zona en la cul el producto de IC y VCE proporciona la disipacin mxima del dispositivo. Si esta curva es sobrepasada se producen sobrecalentamientos y la destruccin del transistor. Zona 3: (IS/B limited). Es el lmite permitido para evitar la destruccin del dispositivo por el fenmeno de ruptura o avalancha secundaria. Zona 4: (VCEO(mx)). El ltimo tramo es el lmite debido a la tensin de ruptura primaria del transistor e indica la mxima tensin que puede soportar el dispositivo en estado de bloqueo.
20
Fig 2. 21 Curva S.O.A. del transistor de potencia BDY58R, para TC = 25C. (Cortesa de RCA Bipolar Power Devices)
2.2.6 PROTECCIN DEL BJT Sobreintensidades

Las sobreintensidades estn asociadas al periodo de saturacin del transistor. Cuando aumenta la corriente IC si la tensin VCE es elevada, la disipacin de potencia se incrementa y se puede llegar a alcanzar la mxima temperatura de la unin. Conforme la corriente IC aumenta, la potencia disipada aumenta y por tanto tambin la temperatura; la resistencia interna del transistor RCE disminuye (resistencia con coeficiente negativo de temperatura), por lo que circular ms corriente por el dispositivo se disipar ms potencia que provocar un nuevo aumento del calor y as sucesivamente. Esta realimentacin positiva puede causar la destruccin del dispositivo. (Efecto segunda ruptura). Los fusibles normalmente no se utilizan para proteger el BJT, ya que, la accin del transistor es mucho ms rpida que la del fusible.
Sobretensiones
Las sobretensiones estn asociadas al estado de corte del transistor bipolar. En este estado se debe prestar especial atencin a la posibilidad de ruptura primaria del dispositivo, tambin llamada ruptura por avalancha (cuando se sobrepasa la tensin mxima permitida). Las cargas minoritarias aceleradas por el campo de la unin, producido por la polarizacin inversa, colisionan rompiendo las uniones y produciendo ms cargas, las cuales tambin son aceleradas, producindose una realimentacin y la conduccin final del dispositivo.
21
Transitorios
Los transitorios de corriente y de tensin son eliminados de la misma forma para los transistores como para cualquier otro tipo de dispositivo semiconductor. Las inductancias serie limitan el tiempo de variacin de la corriente y los condensadores paralelo limitan el tiempo de variacin de la tensin. Las redes snubber en serie estn constituidas por una bobina LS y se usan para limitar el tiempo de subida de la corriente del transistor dic/dt en el paso a conduccin. Si la corriente IC crece muy rpidamente, conforme decrece la tensin VCE puede darse el fenmeno de ruptura secundaria. El valor de la inductancia LS puede ser calculado a partir de la relacin
di c I C Vcc = = dt tr LS
como I C = I L
LS =
VCC t r IL
E2.34
La inductancia LS se coloca en serie con la fuente de alimentacin Vcc. Para cargas inductivas, durante el paso a corte la tensin VCE no debe incrementarse muy rpidamente a medida que la corriente de colector decae, ya que, tambin podra darse el fenmeno de ruptura secundaria. Una red snubber en paralelo, formada por un condensador soluciona este inconveniente.
dVCE VCE i( t ) = = dt tf CS
E2. 35
Sabiendo que al final del paso a corte VCE = Vcc y que i I L se puede calcular el valor del condensador
CS =
IL t f Vcc
E2. 36
A continuacin vamos a ver con ms detalle estas consideraciones.
2.2.7 CIRCUITOS DE PROTECCIN DEL BJT

Con el objeto de profundizar en el funcionamiento de las protecciones del transistor, se realiza a continuacin un estudio ms detallado de la funcin de las redes snubber, as como del diseo de las mismas. Se estudiaran dos casos particulares:
Red snubber para el transitorio, turn on. Red snubber para el transitorio, turn off.
Fig 2. 22 Caracterstica de transferencia para carga inductiva con y sin red snubber. Observe que sin red snubber se sobrepasa la curva SOA en la conmutacin de conduccin a corte provocndose la destruccin del dispositivo por el efecto de segunda ruptura (zona 3)
22
Transistor con carga inductiva y las formas de onda asociadas durante la conmutacin. [2_16]
Red snubber para el transitorio Turn on (encendido)

El objetivo de esta red es hacer que la tensin VCE disminuya mientras aumenta IC Para ello se coloca una inductancia LS en serie con el diodo Df para reducir la tensin. Este tipo de red snubber no es muy usado, los semiconductores son muy rpidos para entrar en conduccin y por esta razn no es crtico el uso de circuitos de proteccin de encendido. La reduccin de la tensin viene dada por la expresin
VCE = LS
di C I = LS o dt t ri
E 2.37
Fig 2. 23
a) Proteccin snuber para turn on (encendido).
b) VCE e IC en el transistor, con red snubber para turn on. La bobina suaviza la pendiente con lo que aumenta la corriente
Durante el estado de conduccin del transistor, la corriente Io circula por la inductancia LS. Cuando el 2 ) se disipa en la resistencia transistor pasa a corte, la energa almacenada en la inductancia (1/2 LS I o RLS a travs del diodo DLS con una constante de tiempo igual a LS/RLS. Para determinar el valor de RLS se debe tener en cuenta, por un lado que esta resistencia deber ser lo suficientemente elevada para que durante toff la intensidad iLS disminuya al menos hasta el 10% de la intensidad Io
i LS (t) = I o e
- R LS t LS
haciendo i LS (t off ) < 0.1 I o
E 2.38
ln 10 <
RLS t off LS
RLS >
LS ln 10 t off
E 2.39
Red snubber para el transitorio Turn off (Apagado)

Mediante este circuito se pretende que conforme aumenta la tensin en el transistor, la corriente IC disminuya, para evitar que el producto sea elevado, limitando de este modo la disipacin de potencia del transistor. Para ello, se coloca un condensador en paralelo con el transistor. Este condensador debe absorber ms intensidad cuando la tensin empiece a crecer. Esta red: o Suaviza las formas de onda de tensin en el apagado del transistor. o Parte de las prdidas de conmutacin se trasladan a otros componentes.
23
Fig 2.24 Transistor en conmutacin con carga inductiva sin proteccin
Fig 2. 25 Red snuber para turn off.
En el intervalo de tiempo 0 < t < tf
I o = i CS + i C
VCS = VCE =
Cuando iC = 0 (t = tf) se verifica
donde i CS =
1 CS
I0 t tf
E 2.40
0 i CSdt =
Io t 2 2CS t f
E 2.41
Vd = VCS =
Io t f 2C S
CS =
Io t f 2 Vd
E 2.42
24
iC I0 iDf
iC
iC
iDf
iDf
iCs
iCs
iCs
vd vCs
tf Cs pequeo
vCs Cs = Cs1
tf
vCs
tf Cs grande
Fig 2. 26 Formas de onda de la corriente y la tensin durante el turn-off. El rea sombreada representa la carga almacenada en la capacidad snubber durante el turn - off, carga que tendr que ser disipada por el transistor. El valor Cs1 se corresponde con el valor Cs calculado en la ecuacin E2.48
Cuando el transistor pasa a conduccin, ste se comporta como un cortocircuito. CS se descarga a travs del transistor, provocando una sobreintensidad que viene limitada por RS Ntese que durante el paso de conduccin a corte (on off) el condensador se carga a travs del diodo, DS y durante el paso de corte a conduccin (off on) se descarga a travs de RS. Se elige una resistencia tal que el condensador se descargue antes de que el transistor vuelva a apagarse. Es necesario un intervalo de tiempo igual a entre tres y cinco constantes de tiempo (para limitar la descarga instantnea del condensador sobre el transistor). Suponiendo que la descarga completa sean cinco constantes de tiempo
t on > R S C S R S <
t on 5 CS
E2.43
El condensador se descarga a travs de la resistencia y el transistor cuando ste entra en conduccin. La energa almacenada, =
1 CVS2 , se transfiere mayoritariamente a la resistencia, luego la 2 1 CVS 1 = CVS2 f PR = 2 T 2
potencia absorbida por la resistencia es la energa dividida entre el tiempo, siendo ste el periodo de conmutacin.
E2.44
Tensin [2_17]
Intensidad [2_18]
A continuacin podemos ver las distintas formas de onda de tensin e intensidad para un circuito con carga RL sin proteccin, otro con carga RL y proteccin por diodo y otro con carga RL y proteccin por red Snubber.
Transistor en conmutacin con carga inductiva [2_19] Circuito con carga RL en paralelo y proteccin [2_20]
25
Comparacin de la conmutacin con carga inductiva sin proteccin, con diodo volante en paralelo con la bobina y Red Snubber RC en paralelo con el transistor (es interesante ver la escala del eje x) [2_21]
Formas de onda de tensin [2_22]
2.3 El Transistor Mosfet de Potencia

D Drenador ID
Puerta G IG Vgs S IS Surtidor
1. El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los elementos que lo componen; una fina pelcula metlica (Metal - M); oxido de silicio (xido - O); regin semiconductora (Semiconductor - S). 2. El mosfet es un dispositivo unipolar, la conduccin slo es debida a un tipo de portador.
[2_23]
Fig 2.27 Mosfet de Potencia de canal N. Simbologa.
3. Las aplicaciones ms tpicas de los transistores de potencia MosFet se encuentran en la conmutacin a altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para controlar motores, generadores de altas frecuencia para induccin de calor, generadores de ultrasonido, amplificadores de audio y trasmisores de radiofrecuencia.
4. De los dos tipos existentes de MOSFET (acumulacin y deplexin), para aplicaciones de elevada potencia nicamente se utilizan los MOSFET de acumulacin, preferiblemente de canal N. Como se puede observar en la figura 2.27 el Mosfet de canal N conduce cuando VGS > 0 Las caractersticas ms importantes que distinguen a los MOSFET de otros dispositivos son las siguientes: Alta velocidad de conmutacin, llegando a MHz. No presentan el fenmeno de segunda ruptura por lo que el rea de trabajo seguro (SOA) mejora con respecto del BJT El control se realiza mediante la tensin aplicada entre los terminales de puerta y surtidor (VGS), lo que reduce considerablemente tanto la complejidad como la potencia de los circuitos de disparo. Las tensiones mximas de bloqueo son relativamente bajas en los MOSFET de alta tensin (< 1000V) y las corrientes mximas moderadas (< 500A).
5. Tambin presentan algunos inconvenientes que interesa resaltar. Los Mosfet tienen el problema de ser muy sensibles a las descargas electrostticas y requieren un embalaje especial. Su proteccin es relativamente difcil. Son ms caros que sus equivalentes bipolares y la resistencia esttica entre Drenador - Surtidor, es ms grande, que la Colector - Emisor lo que provoca mayores perdidas de potencia cuando trabaja en conduccin. 6. El modo de funcionamiento de un MOSFET de potencia es anlogo al de pequea seal. Aplicando las tensiones apropiadas entre la puerta y el surtidor (VGS) del dispositivo se controla la anchura del canal de conduccin y en consecuencia se puede modular el flujo de portadores de carga que atraviesa el semiconductor. En modo interruptor, se aplican pulsos de tensin durante el estado ON y se retiran (o se aplican con polaridad contraria) en el estado OFF
Mosfet [2_24]
26
En el MOSFET de pequea seal, el canal de conduccin se establece en horizontal, geometra que limita las tensiones de bloqueo. Dado que en la mayora de aplicaciones de potencia se necesitan tensiones de bloqueo elevadas (> 100V), el canal de conduccin se construye siguiendo una estructura vertical (VDMOS, SIPMOS) con la que se consiguen mayores tensiones de bloqueo.
Canal de conduccin [2_25]
En la figura se observa claramente una estructura pnp, que constituye el denominado BJT parsito del MOSFET, en el cual la base est conectada al sustrato. El principal inconveniente de la presencia del BJT parsito es que podra entrar en conduccin si la tensin de base y emisor alcanza valores significativos (> 0,10V). Para evitarlo, se realiza un cortocircuito entre el sustrato y el surtidor (es decir, entre base y emisor) de manera que se evita el riesgo de conduccin del NJT parsito. Pero parecera un diodo parsito entre drenador y surtidor.
Estructura pnp [2_26]
La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en que estos ltimos son controlados por tensin aplicada en la puerta (G) y requieren solo una pequea corriente de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son controlados por corriente aplicada a la base.
PROBLEMA 2.11
El convertidor y el circuito de proteccin de la figura tienen Vs=100V e IL=5A. La frecuencia de conmutacin es de 100kHz, con un ciclo de trabajo del 50%, y el transistor se apaga en 0,5s. Determinar: (a) Las prdidas de apagado sin circuito de proteccin, si la tensin del transistor llega a Vs en 0,1s. (b) Disee un circuito de proteccin usando el criterio de que la tensin del transistor alcance su valor final al mismo tiempo que la corriente del transistor llega a cero. (c) Determine las prdidas del transistor durante el apagado y la potencia disipada en la resistencia al aadir el circuito de proteccin.
Solucin: (a) PQ = 15W; (b) 0,0125F, R = 80; (c) PQ = 2,08W, PR = 6,25W
[Hart]
2.3.1 REGIONES DE TRABAJO DEL MOSFET

La curva caracterstica aporta informacin acerca de cmo vara la intensidad del Drenador, ID para una tensin drenador - surtidor, VDS que se mantiene fija, variando la tensin aplicada entre la puerta y el surtidor Vgs.
27
Curvas caractersticas del Mosfet: [2_27]
[2_28]
Fig 2. 28 Curva caracterstica correspondiente a un Mosfet de acumulacin de canal N. Observar la divisin en tres regiones: Ohmica, Activa, Corte.
Regin hmica.
Esta regin se utiliza cuando acta el Mosfet como una resistencia dependiente de VGS en estado encendido. En esta regin el valor de VDS ser:
VDS = VGS - VGS(th)

Una definicin de la regin hmica, parte de la caracterstica que satisface la condicin que
E 2.45
VGS - VGS(th) VDS
E 2.46
Esta regin tiene una baja resistencia entre el drenador - surtidor, RDS(ON) un valor tpico para un Mosfet de potencia trabajando a 500V y 10A es de 0.5 En funcionamiento interruptor, las prdidas de potencia durante la conduccin son:
PON = R DSon I 2 DRM

Resistencia en conduccin [2_29] Ejemplos de Mosfets comerciales [2_30]
E 2.47
Regin Activa (Saturacin de Canal)

En esta regin el transistor Mos funciona como amplificador. Para un valor de VGS, que ser como mnimo VGS(th) se produce el paso de corriente entre el drenador y el surtidor. En la regin activa el valor de la tensin entre puerta y surtidor, VGS controla la magnitud de la corriente del drenador, ID as como la tensin entre el drenador y el surtidor VDS. Para esta regin se cumplen las siguientes ecuaciones.
VGS > VGS(th) I d = K (VGS - VT ) 2
VGS - VGS(th) < VDS donde K = n C ox 2L
E 2.48
E 2.49
n = movilidad de los portadores de carga Cox = capacidad de compuerta = anchura del canal L = Longitud del canal
28
Regin de Corte
Si se cierra el circuito exterior, esto no significa que se cambie el estado del dispositivo, si la tensin aplicada entre Puerta - Surtidor es inferior a Vth, el dispositivo continuar en la regin de corte. En esta regin la corriente que circula por el drenador es prcticamente nula. En los Mosfet de potencia Vth suele ser algo mayor que 2 V. Para esta regin se cumplen las siguientes condiciones:
VGS < VGS(th)
VDS 0
ID 0
E 2.50
Fig 2.29 Zona de operacin segura (SOA) en un MOSFET de Potencia (iD y VDS en escala logartmica)

Describa, dibuje y compare las zonas de funcionamiento seguro (SOA) de un transistor bipolar y un transistor MOSFET. Acote los valores tpicos de tensin e intensidad mximos.
2.3.2 CIRCUITOS DE EXCITACIN PARA MOSFET

El Mosfet es un dispositivo controlado por tensin, que resulta relativamente simple de activar y desactivar, lo cual es una ventaja repecto al transistor bipolar de unin. El estado de conduccin se consigue cuando la tensin puerta-fuente sobrepasa de forma suficiente la tensin umbral, lo que fuerza al MOSFET a entrar en la regin de trabajo hmica. Normalmente, la tensin puerta-fuente del MOSFET para el estado activado en circuitos conmutados est entre 10 y 20 V. El estado desactivado se consigue con una tensin menor que la tensin umbral. Las corrientes de puerta para los estados de encendido y apagado son muy bajas. Sin embargo, es necesario cargar la capacidad de entrada parsita para poner al MOSFET en conduccin, y descargarla para apagarlo. Las velocidades de conmutacin vienen determinadas bsicamente por la rapidez con que la carga se puede transferir hacia y desde la puerta. Un circuito de excitacin para MOSFET debe ser capaz de absorber y generar corrientes rpidamente, para conseguir una conmutacin de alta velocidad. En la figura 2.30 se pueden ver tres ejemplos de circuitos excitadores, el elemental y dos mejorados.
29
El circuito de excitacin elemental de la figura excitar al transistor, pero el tiempo de conmutacin puede que sea inaceptablemente elevado para algunas aplicaciones. Adems, si la seal de entrada proviene de dispositivos lgicos digitales de baja tensin, puede que la salida lgica no sea suficiente para poner al MOSFET en conduccin. El circuito de excitacin Ttem-Pole de la figura mejora al elemental. El doble seguidor de emisor o Totem-Pole consiste en un par de transistores bipolares NPN y PNP acoplados. Cuando la tensin de excitacin de entrada est a nivel alto, Q1 conduce y Q2 est apagado, haciendo conducir al MOSFET. Cuando la seal de excitacin de entrada est a nivel bajo, Q1 est al corte y Q2 conduce, eliminando la carga de la puerta y apagando el MOSFET. En el circuito excitador integrado, con buffer Ttem-Pole la seal de entrada proviene de un circuito TTL de colector abierto usado como circuito de control, con el Ttem-Pole utilizado como buffer para suministrar y absorber las corrientes de puerta requeridas En aplicaciones de baja potencia algunos circuitos integrados tienen salidas con circuitos preparados para absorber y generar corrientes capaces de excitar directamente a los transistores Mosfet, un ejemplo es el circuito de control PWM SG1525A, ste consta de un par de transistores NPN para cada salida. Los transistores de cada pareja son excitados como transistores de activacindesactivacin complementaria, con un transistor generando corriente y otro absorbiendo corriente.
IRF630 [2_31]
Fig 2. 30 Circuitos de excitacin del MOSFET
30
2.4 Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT

C G E
Fig 2. 31 IGBT. Simbologa
El Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT Insulate Gate Bipolar Transistor combina las ventajas de los BJT y los Mosfet. Tiene una impedancia de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en conmutacin, como los BJT, por lo que puede trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades. El circuito simplificado equivalente lo podemos ver en el siguiente enlace.
[2_32]
Los IBGT fueron desarrollados hace relativamente poco tiempo, pero su evolucin ha sido rpida debido a que han demostrado tener una resistencia en conduccin muy baja y una elevada velocidad de conmutacin (la transicin desde el estado de conduccin al de bloqueo se puede considerar de unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en el rango de los 50KHz), adems de una elevada tensin de ruptura. Los IGBT pueden soportar unas tensiones de 1400V y unas corrientes de 300A. El control por tensin hace que el IGBT sea ms rpido que el BJT, pero ms lento que el Mosfet. La energa aplicada a la puerta que activa el dispositivo es pequea con una corriente del orden de los nanoamperios, esta pequea potencia necesaria para conmutar el dispositivo, hace que pueda ser controlado por circuitos integrados. Los IGBTs son similares a los MOSFET en cuanto a requerimientos de excitacin.
Caractersticas IGBT [2_33] IGB20N120 [2_34] Comparacin IGBT-Mosfet [2_35]
En el [Enlace 2_36] se observa la comparacin entre IGBT y MOSFET con el mismo rea de semiconductor, en la que se puede ver que la cada de tensin es menor en el IGBT y por tanto tendremos menores prdidas en conduccin.
Fig 2. 32
31
El problema que plantea el IGBT es un coeficiente de temperatura negativo implicando que a mayor temperatura, menor cada de tensin y por tanto aumenta la corriente, provocando un aumento de la temperatura de la unin. Esto ser un problema cuando se quieran colocar varios en paralelo, como ocurra con el bipolar. Este elemento semiconductor est desplazando a los dems en potencia media.

Clasifique los dispositivos semiconductores de potencia que conozca en funcin de la potencia que pueden manejar y la frecuencia a la que puedan operar.
2.5 Optoacopladores
Anodo 1 Ctodo 2 3 Colector 4 Emisor
Un optoacoplador es un dispositivo semiconductor formado por un fotoemisor y un fotorreceptor. Todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.
Fig 2. 33 Optoacoplador. Simbologa
La seal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotorreceptor. Los optoacopladores son capaces de convertir una seal elctrica en una seal luminosa modulada y volver a convertirla en una seal elctrica. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento elctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida. Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotorreceptores pueden ser tiristores o transistores. Se utilizan como circuitos de corriente de excitacin de dispositivos semiconductores de potencia.
4N2X [2_36]
2.6 Rels de Estado Slido, SSR

Un rel de estado slido SSR (Solid State Relay), es un circuito electrnico que contiene en su interior un circuito disparado por nivel, acoplado a un interruptor semiconductor, un transistor o un tiristor. Un SSR es un producto construido y comprobado en una fbrica, no un dispositivo formado por componentes independientes que se han montado sobre una placa de circuito impreso.
Circuito de entrada o de control OPTOACOPLADOR Circuito de conmutacin o de salida
Acoplamiento
Tensin de control
Fotodetector de paso por cero SCR
Tensin de conmutacin
Fig 2. 34 Diagrama de bloques para un Rel de Estado Slido, SSR
32
Circuito de Entrada o de Control

Control por tensin continua. El circuito de entrada suele ser un fotodiodo, solo o con una resistencia en serie, tambin se pueden encontrar modelos con un diodo en antiparalelo para evitar la inversin de la polaridad por accidente. Los niveles de entrada son compatibles con TTL, CMOS, y con valores normalizados 12V, 24V, etc.). Control por tensin alterna. El circuito de entrada suele ser como el anterior incorporando un puente rectificador integrado y una fuente de corriente continua para polarizar el diodo led.
Acoplamiento
El acoplamiento con el circuito se realiza por medio de un optoacoplador o por medio de un transformador que se encuentra acoplado de forma magntica con el circuito de disparo del Triac.
Circuito de Conmutacin o de Salida

El circuito de salida contiene los dispositivos semiconductores de potencia con su correspondiente circuito excitador. Este circuito ser diferente segn el tipo de corriente que se necesite conmutar, cc o ca.
33

HART, Daniel W. Electrnica de Potencia. Ed. Prentice Hall. Madrid 2001. ISBN 84-205-3179-0 RASHID, M. H. Electrnica de Potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones. Ed. Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. Mxico 1995.
AHMED, Ashfaq. Power electronics for technology. Ed. Prentice Hall, 1999. ISBN 0-13-231069-4 FISHER, M. Power electronics. PWS-KENT, 1991 GUALDA, J. A.; MARTNEZ, P. M. Electrnica Industrial, Tcnicas de Potencia. Serie Electrnica de la Escuela Tcnica Superior de Ingenieros Industriales de Madrid. 2 Edicin. Marcombo, 1992. MOHAN, N.; UNDELAND, T. M.; ROBBINS W. P. Power electronics: Converters, Applications and Design. 2 Edicin. Ed. John Wiley & Sons, Inc., 1995. VELASCO, J. et al. Sistemas Electrotcnicos de Potencia: Electrnica de regulacin y control de potencia. Paraninfo, 1998.

<www.irf.com> [Consulta: 5 de julio de 2004] <www.onsemi.com> [Consulta: 5 de julio de 2004] <www.semikron.com> [Consulta: 5 de julio de 2004]
34

Tema 1.- Repaso conceptos: Potencia elctrica. Armnicos Tema 2.- Elementos semiconductores de potencia Tema 3.- Disipacin de potencia Disipacin de potencia. Equivalente elctrico. Parmetros fundamentales. Impedancia trmica. Clculo de disipadores de calor.
3.1 Introduccin 3.2 Propagacin del calor en el dispositivo semiconductor 3.3 Equivalente elctrico 3.3.1 Resistencias trmicas Resistencia Unin - Contenedor, Rjc Resistencia Contenedor - Disipador, Rcd Resistencia de disipador, Rd 3.3.2 Temperatura mxima de la unin, Tjmax 3.3.3 Potencias 3.4 Clculo de Rd de diodo rectificador 3.5 Ventilacin forzada 3.6 Impedancia Trmica Respuesta ante un nico pulso de potencia Respuesta ante una serie de impulsos al azar 3.7 Resumen
1 1 2 3 4 5 6 7 8 10 14 14 17 18 23
TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA
3.1 Introduccin
Siempre que por un elemento conductor circula una corriente elctrica, se generan unas prdidas de potencia que elevan la temperatura del mismo. Estas prdidas son debidas el efecto Joule, y cobran especial protagonismo en los elementos semiconductores de potencia, puesto que por ellos circulan elevadas intensidades, y por tanto el incremento de temperatura que se produce pone en peligro la vida del dispositivo. El calor que se produce en el interior del semiconductor debe ser evacuado rpidamente, con el fin de evitar que la temperatura interna llegue al lmite mximo permitido, lmite por encima del cual se destruir el dispositivo. En los ltimos aos, se ha experimentado un gran avance en los dispositivos electrnicos de potencia; la tendencia es integrar en pequesimas pastillas de silicio la mayor cantidad posible de funciones, tanto de control como de potencia (tecnologa Smart Power, o circuitos integrados inteligentes). El principal freno para el desarrollo de las nuevas tecnologas es precisamente la disipacin del calor que se genera en el interior de los chips. En Electrnica de Potencia la refrigeracin juega un papel muy importante en la optimizacin del funcionamiento y vida til del semiconductor de potencia. En ste tema se analizan los mtodos ms adecuados y seguros para la refrigeracin y se tratarn de mostrar los aspectos ms importantes en el clculo de disipadores de calor.
Fig 3. 1 Disipador de potencia
3.2 Propagacin del calor en el dispositivo semiconductor
(2.08 Mb) [3_1]
Fig 3. 2 La excesiva disipacin de potencia destruye el transistor por sobrecalentamiento. Utilizando un disipador se evacua parte del calor, evitando as que la temperatura de la unin exceda los lmites permitidos por el fabricante.
En todo semiconductor el flujo de corriente elctrica produce una prdida de energa que se transforma en calor. El calor generado en la unin del semiconductor, se propaga por conduccin a la cpsula o contenedor y por conveccin al aire o medio ambiente se produce un aumento de la temperatura en el dispositivo; si este aumento es excesivo e incontrolado provocar una disminucin de la fiabilidad del componente, llegndose incluso a la destruccin de las uniones. Ver figura 3.2 La capacidad de evacuacin de calor al ambiente vara segn el tipo de cpsula o contenedor del dispositivo; en los semiconductores de potencia esta evacuacin es demasiado pequea, por lo que es
Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid
necesario facilitar la transferencia de calor generado, esto se consigue mediante un dispositivo de mayor volumen y superficie llamado radiador o disipador de calor, el cual hace de puente para evacuar el calor de la cpsula al medio ambiente. Ejemplos de disipadores:
[3_2] [3_3] [3_4]
3.3 Equivalente elctrico

Aunque el diseo trmico de los elementos semiconductores podra realizarse aplicando las ecuaciones bsicas de la transferencia de calor, se ha generalizado un mtodo mas sencillo basado en una analoga entre las ecuaciones trmicas y la ley de Ohm. Por el principio de analoga se puede realizar un smil elctrico de todo el proceso trmico. La diferencia de temperatura es anloga a una diferencia de potencial (tensin) el flujo calorfico es anlogo al flujo de corriente elctrica (intensidad) y la resistencia trmica similar a la resistencia elctrica. El paso de la corriente elctrica produce un aumento de la temperatura de la unin (Tj). Si sta se quiere mantener a un nivel seguro, debemos evacuar al exterior la energa calorfica generada por la unin. El calor pasar del punto ms caliente al ms fro, con mayor o menor dificultad dependiendo de la resistencia trmica que encuentre a su paso, dicha resistencia expresa el grado de dificultad para evacuar el calor de un dispositivo y se mide en grados centgrados por vatio (C/W). El objetivo principal de este tema es determinar el tipo y longitud del disipador que se ha de colocar en el dispositivo semiconductor, para garantizar que no se supere la temperatura de la unin mxima permitida por el fabricante. Presentamos un listado con todos los parmetros que se utilizaran as como su nomenclatura. Rjc Rja Rcd Rd Rca Rdv Tjmx Tj Tc Td Ta Pd Wat F K C = = = = = = = = = = = = = = = = Resistencia trmica unin-contenedor, otras notaciones: RJC, Rth j-c , Rth j-mb, Resistencia trmica unin ambiente, otras notaciones: RJA, Rth j-a Resistencia trmica contenedor-disipador, otras notaciones: RCHS, Rth mb-h Resistencia trmica disipador-ambiente Resistencia trmica contenedor-ambiente Resistencia trmica del disipador, con ventilador. Temperatura mxima que puede soportar la unin del dispositivo. Temperatura alcanzada por la unin del transistor durante su funcionamiento. Temperatura del contenedor Temperatura del disipador Temperatura ambiente Potencia que disipa el transistor. Potencia mxima que el transistor puede disipar con una Tc = 25C Factor de correccin cuando se utiliza ventilador Coeficiente de seguridad para evitar que se alcance la Tjmx. Capacidad trmica.
El origen de estos datos es muy diverso. Algunos vendrn dados en tablas y manuales; otros, deber de establecerlos el diseador y otros, representan las incgnitas del problema y debern calcularse.
(8.93 Mb) [3_5]
Fig 3.3 Resistencias trmicas y temperaturas, localizadas en un montaje real
Aplicando el principio de analoga a las magnitudes elctricas y trmicas, se cumple:
Tj Ta = Pd (R jc + R ca )
E 3.1
Cuando aadimos un disipador aparecen unas nuevas resistencias, Rcd + Rd que se aaden en paralelo con Rca y debe de cumplirse que Rca>>Rcd+Rd quedando solo Rjc+Rcd+Rd. Como se ve la misin del radiador ha sido reducir la resistencia trmica c-a del conjunto.
Fig 3.4 Equivalente elctrico, para el estudio de la disipacin de calor. La Rca en paralelo con la suma Rcd + Rd se puede despreciar, es decir, es mucho mayor el flujo de calor desde el contenedor - radiador ambiente que desde el contenedor ambiente.
A continuacin se definen estos parmetros uno por uno, con el fin de clarificar los trminos del problema.
3.3.1 RESISTENCIAS TRMICAS

Es obvio pensar que cuanto menor sea el valor de la resistencia trmica, ms fcil ser evacuar el calor y menor el incremento de temperatura en la unin para una misma potencia elctrica disipada. La resistencia trmica global desde la unin del semiconductor hasta el medio ambiente se puede desglosar en varias resistencias trmicas
Rth 2 [3_6]
Resistencia Unin - Contenedor, Rjc
[3_7] (168 Kb)
El foco calorfico se genera en la unin del propio cristal semiconductor, de tal forma que el calor debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado. La dificultad que presenta el dispositivo para evacuar este calor se mide como resistencia trmica unin contenedor. Esta resistencia depende del tipo de encapsulado y la suministra el fabricante, bien directamente o indirectamente en forma de curva de reduccin de potencia.
R jc =
Tjmax Tc Pd
E 3. 2
Fig 3.5 Curva de reduccin de Potencia. Muestra la potencia mxima que es capaz de disipar el dispositivo en funcin de la T de la cpsula. La pendiente de la recta es la inversa de la resistencia unin contenedor.
PROBLEMA 3.1
Dados los datos correspondientes a un transistor 2N3055, comprobar que el valor de la Rjc suministrada por el fabricante cumple la ecuacin [E3.2]. Datos hoja de caractersticas: Wat=115W Tjmax=200C Rjc = 1,52C
Solucin: Rjc = 1.52C/W
Tipos de encapsulados [3_8]
TO.3 y TO.220, los ms utilizados [3_9]
Resistencia Contenedor - Disipador, Rcd
[3_10]
Es la resistencia trmica entre el contenedor y el disipador. La facilita el fabricante o se puede encontrar en tablas, siempre est condicionada por el tipo de contenedor o cpsula y por el tipo de contacto entre la cpsula y la aleta refrigeradora. El valor de la misma depende del sistema de fijacin del disipador, del grado de contacto entre las superficies e incluso de la fuerza con que se aprieten los tornillos fijadores. Para mejorar este contacto, y/o aislar elctricamente las dos superficies, se suelen interponer materiales, que pueden ser de dos tipos: pastas y lminas aislantes. Las Pastas que pueden ser conductoras, o no conductoras de la electricidad, producen una disminucin de la Rcd mejorando el contacto entre las superficies, suelen ser pastas de silicona. Lminas aislantes elctricas como mica, kelafilm, etc, que se pueden emplear solas o conjuntamente con pastas de silicona conductoras de calor. En la mayora de los transistores el contenedor hace las veces de colector, por lo que generalmente es necesario aislarlo elctricamente del disipador (normalmente, el colector suele estar a Vcc y el disipador a tierra puesto que suele colocarse en el chasis del aparato, generalmente conectado a tierra).
Lamina aislante [3_11] Sistemas de fijacin [3_12] [3_13] Montaje (584 Kb)
Por tanto esta resistencia trmica depende del tipo de contacto entre contenedor y disipador y se pueden dar las siguientes combinaciones:
Contacto directo, RD Contacto directo ms pasta de silicona, RD+S Contacto directo ms mica aislante, RD+M Contacto directo ms mica aislante ms pasta de silicona, RD+M+S
El valor de la resistencia Rcd depende bastante del tipo de contacto, a continuacin se ordenan de menor a mayor. RD+S < RD < RD+M+S < RD+M El valor de esta resistencia trmica influye notablemente en el clculo de la Rd y por tanto en la superficie y longitud necesarias en la aleta que aplicaremos al dispositivo a refrigerar. Cuanto ms baja es Rcd menor tendr que ser Rd y por tanto ms pequea la aleta necesaria.
Fig 3.6 Tabla de resistencias trmicas

Para un contenedor del tipo TO.3 se tienen los siguientes valores para la resistencia contenedor disipador en funcin del tipo de contacto: RD+S = 0.12C/W; RD = 0.25C/W; RD+M+S = 0.4C/W; RD+M = 0.8C/W. Observar la diferencia de valores e intentar razonar las causas de esta variacin.
Resistencia de disipador, Rd
[3_14]
En realidad es la resistencia disipador - ambiente y representa la oposicin al flujo de calor desde el elemento disipador al aire o medio ambiente. Depende de factores como: condiciones de la superficie, color y posicin de montaje. Para el clculo de esta resistencia, se puede utilizar la siguiente frmula (ver figura 3.4):
Rd =
Tj Ta Pd
(R jc + R cd )
E 3. 3
Una vez calculada la Rd se elige la aleta refrigeradora. En primer lugar se tendr en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a refrigerar sea el adecuado para el montaje de la aleta. En segundo lugar, para el caso de grandes radiadores, hay que calcular la longitud necesaria de disipador y cortar la adecuada. Para ello es necesario disponer de grficas que ofrecen los fabricantes de la Resistencia en funcin de la longitud del disipador.
Fig 3. 7 Resistencia trmica, Rd en funcin de la longitud del disipador.
De todos los parmetros que intervienen en el clculo de Rd, el clculo de la potencia disipada, Pd, suele ser el ms complejo. La potencia que disipa un semiconductor variar segn el tipo de dispositivo que se est utilizando y de la seal aplicada. Cuestin didctica 3.2
Disponemos de estos tres perfiles de radiadores para dispositivos semiconductores, si la Rd necesaria es de 3C/W justificar la eleccin del radiador adecuado
Fig 3.8 Radiadores
3.3.2 TEMPERATURA MXIMA DE LA UNIN, TJMAX

Esta temperatura representa el lmite superior al que no debe llegar la unin y menos sobrepasarlo si queremos evitar la destruccin del dispositivo. Este dato est disponible, normalmente, en los manuales de los fabricantes de semiconductores. En su defecto se puede adoptar uno de los valores tpicos mostrados en la tabla que se expone a continuacin, en funcin del dispositivo a refrigerar: DISPOSITIVO
De unin de Germanio De unin de Silicio JFET MOSFET Tiristores Transistores Uniunin Diodos Zener
RANGO DE Tjmx
Entre 100 y 125C Entre 150 y 200C Entre 150 y 175C Entre 175 y 200C Entre 100 y 125C Entre 100 y 125C Entre 150 y 175C
Fuente: Revista Nueva Electrnica
El objetivo principal ser mantener la temperatura de la unin por debajo de la mxima permitida. Utilizaremos un coeficiente de seguridad, K cuyo valor dar una temperatura de la unin comprendida entre el 50% y el 70% de la mxima, K estar comprendido entre 0.5 y 0.7. La temperatura de la unin que se utilizar en los clculos ser:
Tj = K Tjmx
Las condiciones de funcionamiento en funcin de K sern:
E 3. 4
Para valores de K = 0.5: dispositivo poco caliente. Mximo margen de seguridad, pero el tamao de la aleta refrigeradora ser mayor.
Para valores de K = 0.6: menor tamao de la aleta refrigeradora sin que el dispositivo se caliente demasiado. Para valores de K = 0.7: mximo riesgo para el dispositivo. El tamao de la aleta refrigeradora ser menor que en el caso anterior. Este coeficiente de seguridad exige que la aleta se site en el exterior.
3.3.3 POTENCIAS Potencia mxima disipable, Wat

La potencia mxima que puede disipar un dispositivo es un dato que proporciona el fabricante para una temperatura de contenedor de 25C.
Wat =
Tj Tc R jc
T j max 25 C R jc
E 3. 5
Caracterstica 2N3055 [3_15]
Sea un transistor con las siguientes caractersticas:
PT max = 75 W Tj max = 175 C R jc = 2 C/W

Determinar la mxima disipacin de potencia en continua permitida para una temperatura de contenedor de 80C
Fig 3.9
Solucin: Como se puede comprobar grficamente:
PT max =
Tj Tc R jc
175 C 80 C 2 C/W
PT max = 47.5 W
[Power Semiconductor Applications]
PROBLEMA 3.2
Las hojas de caractersticas proporcionadas por el fabricante del transistor 2N3055 informan que puede disipar un mximo de 116 vatios. Se corre riesgo de destruir el dispositivo si se le hace disipar 90 W? Justificar la respuesta Datos: Ta = 25C Solucin: El planteamiento inmediato es pensar que efectivamente se pueden disipar 90 vatios sin correr ningn riesgo de destruir el dispositivo, dado que el dispositivo puede disipar hasta 116 W segn el fabricante. Pero si se realizan los clculos oportunos y se consideran las verdaderas condiciones de funcionamiento la sorpresa es mayscula y las consecuencias se pueden apreciar en la figura 3.2 Sabiendo que la temperatura de la unin mxima permitida es de 200C y la Rja proporcionada por el fabricante, sin considerar aleta refrigeradora es de 35C/W, la mxima potencia disipable sin disipador es:
Pd max =
Tj max Ta R ja
200 C 25 C Pd max = 5 W 35 C/W
Este valor queda muy por debajo del indicado por el fabricante. Considerando una aleta con una buena resistencia trmica: R d = 0.6 C /W una resistencia trmica contenedor disipador: R cd = 0.12 C /W y una resistencia unin contenedor: R jc = 1.5 C/W ambos valores tambin bastante adecuados, la mxima potencia disipable con disipador es:
Pd max =
Tj max Ta R jc + R cd + R d
Pd max = 78.83 W
Ni en el mejor de los casos, con la mnima resistencia unin disipador, es posible disipar los 90W que se pretendan. Las consecuencias son conocidas, se destruira la unin. La potencia que se puede disipar con aleta disipadora es superior a la disipable sin aleta e inferior a la que suministra el fabricante. Ello es debido a que el fabricante ha calculado la Pdmx manteniendo la temperatura del contenedor a 25C, cosa que en condiciones normales de funcionamiento es imposible.
PROBLEMA 3.3
En un circuito determinado, el BD137 ha de disipar 3W. Determinar el disipador adecuado si queremos que el transistor permanezca poco caliente. Datos: Wat = 3W; Watmax = 12W para Tc = 25; Tjmax = 150 Solucin: Rd = 4.85 /W
Rjc se obtiene de las hojas de caractersticas del fabricante. Rcd depende del tipo de contacto entre el dispositivo y el radiador. Rd depende exclusivamente del radiador utilizado.
3.4 Clculo de Rd de diodo rectificador

En el caso de diodo rectificador, para calcular la resistencia trmica del disipador hay que conocer la intensidad media directa por el diodo IFAV, el factor de forma, "a" que es la relacin entre la intensidad eficaz y la intensidad media, y tambin la temperatura ambiente del entorno en que va a trabajar el dispositivo. Estos datos son propios del circuito en el cual el diodo est funcionando.
a=
I RMS I FAV
E 3. 6
En el tema 2, se calcul la potencia media disipada por un diodo, demostrndose que no slo depende del valor medio de la corriente sino que es funcin tambin de la intensidad eficaz. No obstante, esta potencia suele venir dada por el fabricante en forma de curvas para diodos de potencia. Para formas de onda cuadradas en lugar del factor de forma ser necesario conocer el ciclo de trabajo, D que es la relacin entre el tiempo de conduccin en cada periodo, ton y el periodo, T.
D=
t on T
E 3. 7
La intensidad media para la operacin con ondas cuadradas se calcula segn la expresin:
I TAV = D I RMS
Cuestin didctica 3.3 Demostrar que efectivamente para una seal cuadrada la corriente media que atraviesa el diodo es igual a la corriente eficaz multiplicada por la raz cuadrada del ciclo de trabajo, [E3.8]
E 3. 8
El clculo de la resistencia de disipador se apoya en las curvas que proporciona el fabricante, que son propias de cada diodo.
Fig 3.10 Grficas para el diodo rectificador. Potencia en funcin de la intensidad media para distintos factores de forma y temperaturas de contenedor en funcin de la temperatura ambiente para distintos valores de resistencia contenedor ambiente. Observar la interpretacin de la grfica realizada en el problema 3.4
10
Suponiendo conocidas la intensidad media y el factor de forma, la potencia que disipa el diodo se puede obtener directamente en la curva de la izquierda. Con este valor de potencia y el de la temperatura ambiente en la curva de la derecha se pueden ver tanto la temperatura de contenedor como la resistencia contenedor ambiente necesaria.
R ca = R cd + R d
E 3. 9
De esta expresin se puede obtener la resistencia de disipador buscada sabiendo que Rcd depender del tipo de contacto cpsula-disipador. Para un diodo de potencia, las prdidas totales sern la suma de las prdidas en conmutacin y las prdidas en conduccin. Las prdidas en conmutacin son significativas a altas frecuencias y aparecen como consecuencia de la recuperacin inversa. Se pueden calcular aplicando la expresin:
Pconmutacin = VR Q RR f s
E 3.10
En la que VR es la tensin en bornes del diodo en estado de bloqueo, fs es la frecuencia de conmutacin y QRR es la carga de recuperacin inversa

En la grfica de la figura 3.10, se puede observar que a medida que aumenta la potencia que se quiere disipar, eje Y de la grfica de la izquierda, disminuye la temperatura a la que se debe encontrar el contenedor, eje Y de la grfica de la derecha. Reflexionar sobre esta aparente contradiccin.
PROBLEMA 3.4
Sea un diodo rectificador de 60A del tipo BYW93 con una Rjc = 0.7 C/W y una Tjmax = 150C, que se est utilizando en un circuito que aporta una intensidad media de 30A con un factor de forma de 1.57 Sabiendo que la temperatura ambiente es de 40C, la Rcd seleccionada es de 0.3C/W y las curvas que facilita el fabricante son las de la Figura 3.10 Calcular la Rd Solucin: Rd= 3.7C/W
PROBLEMA 3.5
Para un mismo componente, un fabricante aporta dos curvas de desvataje, segn se indica en la siguiente figura. A la vista de los datos en ellas reflejados, obtngase:
Fig 3.11
(a) A una temperatura ambiente de 50C, qu potencia mxima puede disipar el componente para no requerir disipador? (b) Si la temperatura ambiente es de 40 C, en qu condiciones podra disipar 20W? (c) En un circuito en que disipa 10 w se le ha colocado un disipador de 3C/W (colocado con un aislante que introduce 1C/W), Hasta qu temperatura ambiente funcionara correctamente?
11
Solucin: (a) Sin disipador:
ja = Pmax (55 C sin disip .) = Tj max Ta ja (sin disip .) =
150 C 40 C = 55 C/W 2W
150 C 50 C Pmax (55 C sin disip .) = 1.82 W 55 C/W
(b) Si se disipan 20W:
Fig 3.12
jc =
150 C 40 C = 5.5 C/W 20 W
ca = dis + aislante
La temperatura en la cpsula ser:
Tc = Tj 20 jc = Tj 20 W 5.5 C/W = Tj 110 C

Cuando
Tj = Tj max es el caso lmite Tc = 40 C ca = 0 didipador
Como sta es la temperatura deseada para Ta, esto slo se conseguir si infinito. (c)
Fig 3.13
Tj = 10 ( jc + aislante + dis ) + Ta = 95 C+ Ta
Como
Tj Tj max
Ta Tj max 95 C = 150 C 95 C Ta = 55 C
12
PROBLEMA 3.6
La mxima temperatura de la unin de un transistor de potencia es de 180C, la resistencia trmica unin-cpsula es Rjc = 5K/W (a) Si la temperatura ambiente es de 50C y se emplea un aislante cpsula-disipador con Rcs = 1K/W, obtener la resistencia trmica mnima que debe poseer el disipador que se utilice, cuando el transistor disipa 20W. (b) Reptase el apartado anterior si el transistor disipase 25W (c) Dibjese la curva de desvataje del transistor, sabiendo que la potencia nominal est dada para 40C. Solucin: (a)
Fig 3.14
Tj = 20 W (5 C/W + 1 C/W + dis ) + Ta Tj max dis

(b)
Tj max Ta 20 W
6 C/W dis = 0.5 C/W
Fig 3.15
Repitiendo las operaciones del apartado anterior:
Tj = 25 W (5 C/W + 1 C/W + dis ) + Ta Tj max dis Tj max Ta 25 W 6 C/W dis = 0.8 C/W Imposible! No se podra disipar
esta potencia (c)
Pn = Pmax (Ta = 40 C ) =
Tj max Ta jc
180 C 40 C Pn = 28 W 5 C/W
Fig 3.16
13
PROBLEMAS PROPUESTOS
Calcular la potencia mxima que puede disipar el transistor 2N3904 si la temperatura de la cpsula no debe superar los 10C. Calcular la potencia mxima que puede disipar el transistor 2N3904 si la temperatura ambiente es de 50C. Un transistor de potencia, de silicio, tiene las siguientes especificaciones trmicas:
PD (max ) = 20 W , ja = 7 C/W , jc = 0.7 C/W

(a) Obtener la temperatura mxima de la unin. (b) El transistor est montado directamente sobre un radiador de calor de aluminio que tiene ra = 4 C/W y la resistencia trmica cpsula-radiador es de cr = 0.2 C/W . Hallar la mxima disipacin permisible.
Un transistor tiene un encapsulado TO.126 y una temperatura Tj mxima de 150C. Determinar la potencia mxima que puede disipar sin aleta, en el caso que la temperatura ambiente nunca sea inferior a 45C. En estas condiciones, indicar la resistencia trmica mxima de la aleta que permita duplicar la anterior potencia mxima. Un diodo Zener de 2W debe disipar 5W y la temperatura mxima de la unin es 175C. Calcular la ja. Si la temperatura ambiente es de 50C y jc = 15 C/W, determinar la mxima resistencia trmica entre la cpsula-ambiente que evite daar al diodo. Si el encapsulado del diodo es del tipo TO.202, proponer un tipo de aleta que verifique todos los requerimientos.
[Electrnica bsica para ingenieros]
3.5 Ventilacin forzada

Cuando la resistencia trmica obtenida en el clculo es muy baja, se puede elegir entre pocos radiadores, puesto que son pocos los que hay en el mercado que ofrecen una resistencia trmica inferior a 0.5 0.6 C/W. En estos casos, se utiliza un ventilador, el cual es capaz de reducir la resistencia trmica equivalente. Para valorar en trminos numricos la reduccin de la resistencia trmica es absolutamente necesario conocer un dato que nos proporciona el fabricante del ventilador. Este es el aire que es capaz de mover el ventilador por unidad de tiempo.
Fig 3.17 Ventilador
3.6 Impedancia Trmica

El mtodo de diseo empleado anteriormente slo es vlido en aquellos casos en los que la temperatura de pico que alcanza la unin es muy parecida a su temperatura media. El aquellos componentes que soportan pulsos nicos de potencia, pulsos de forma irregular o trenes de pulsos de baja frecuencia con ciclos de trabajo pequeos (<0.5), el factor que limita las prdidas de potencia es la temperatura de pico de la unin y no la temperatura media. La razn de esto es que el calentamiento no llega a la cpsula ni al radiador debido a la inercia trmica, y la cpsula permanece prcticamente a la temperatura ambiente.
14
El modelo anterior ( Tj = Pd R jc + Tc ) NO es vlido. El modelo trmico debe ser modificado para contar con la capacidad trmica, se deben incluir estas capacidades que simulan a las inercias trmicas de los elementos.
Fig 3.18 Modelo trmico
En este caso habra que definir una impedancia trmica Zjc<Rjc , que sirve para calcular la evolucin de la temperatura instantnea. Las prdidas de potencia prcticamente se producen en la oblea de silicio, que al tener poca masa, su inercia trmica es muy pequea y puede cambiar de temperatura rpidamente. El radiador tiene mucha masa con lo que su inercia es mucho mayor y los cambios de temperatura son mucho ms lentos. En la prctica se utiliza un mtodo simplificado, a partir de las curvas que el fabricante proporciona de impedancia trmica transitoria (ver figura 3.23). Se tratara de calcular las dos incgnitas de Tc y Rd
Fig 3.19
Qu potencia debo de tomar? Para el clculo de Tc la potencia mxima y para el clculo de Rd la potencia media.
Fig 3.20
Tenemos dos ecuaciones con dos incgnitas, Tc y Rd. En el circuito elctrico que representa la analoga con el comportamiento trmico se pueden ver una serie de grupos Rt Ct cada uno con una constante de tiempo caracterstica = Rt Ct
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El valor de la constante de tiempo determina si cada uno de los grupos Rt Ct alcanzan el equilibrio rpida o lentamente. Cada grupo produce un incremento de temperatura que viene dado por la expresin:
-t R t C t T = t 2 t 1 = R t Pd 1 e
E 3.11
Rt Resistencia trmica del grupo Rt Ct Ct Capacidad trmica del grupo Rt Ct Cuando se aplica el pulso de potencia, la temperatura va aumentando de valor con la consiguiente carga de las capacidades trmicas. Cuando stas se cargan totalmente, se alcanza el rgimen permanente para la temperatura y su aumento ya solo depende de la resistencia trmica
Fig 3.21 Temperatura de la unin en funcin del pulso aplicado. La temperatura, aumenta con la duracin del pulso, hasta que se alcanza el rgimen permanente. (Cortesa Motorola)
Si a esta red se aplica un pulso de potencia, el valor de pico para Tj depende de la amplitud del pulso de potencia y de la anchura del pulso ton. La figura 3.21 muestra la respuesta de Tj ante dos pulsos de diferentes anchuras pero con el mismo valor de pico. El pulso de menor anchura hace que la unin alcance un valor inferior de temperatura. Como se puede observar, si se aplica un pulso lo suficientemente ancho, la temperatura de la unin alcanzar el rgimen estable. Si la duracin del pulso aplicado no permite a Tj llegar al rgimen estable, es cuando la impedancia trmica cobra importancia. La variacin de la impedancia trmica Zjc(t) con la anchura de pulso la puede dar el fabricante directamente, pero lo normal es que suministre una curva como la mostrada en la figura 3.22, en la que se utiliza r(t) que es el resultado de normalizar la impedancia trmica transitoria Zjc(t) con la resistencia trmica Rjc, en rgimen estable.
r(t) =
Zjc(t) Rjc r(t)
Z jc (t) R jc
E 3.12
= Impedancia trmica transitoria. = Resistencia trmica en rgimen estable. = Impedancia trmica normalizada (inferior a la unidad).
Para pulsos de corta duracin r(t) es bastante pequeo pero al incrementarse ton, r(t) se aproxima a 1. Esto quiere decir que para pulsos de larga duracin la impedancia transitoria Zjc(t) se aproxima a la resistencia Rjc en rgimen estable. Conociendo ton se puede obtener r(t) a partir de la grfica de la figura 3.22 La impedancia trmica se obtiene despejando en [E3.12]
Z jc (t) = r(t) R jc
E 3.13
16
Fig 3. 22 Impedancia trmica normalizada, r(t) para un solo pulso, en funcin de la duracin de ste, ton
En algunas ocasiones el fabricante suministra las curvas de la resistencia trmica transitoria para trenes de pulsos en funcin del ciclo de trabajo, D tal y como se puede observar en la grfica de la figura 3.23.
Fig 3.23 Impedancia trmica normalizada para trenes de pulsos de larga duracin, en funcin del ciclo de trabajo. (Cortesa de Motorola)
Se define el ciclo de trabajo como la relacin entre la anchura del pulso y el periodo del tren de impulsos.
D=
ton = tp = Anchura del pulso aplicado T = Periodo del tren de impulsos.
t on T
E3. 14
A continuacin se ver como se utilizan las curvas de la impedancia trmica que suministra el fabricante y se aplicar al clculo de la temperatura que alcanzar la unin segn sea aplicado un nico pulso de potencia o un tren de pulsos.
Respuesta ante un nico pulso de potencia

Algunas veces el fabricante suministra en una sola grfica la curva para un nico pulso de potencia y para trenes de impulsos con diferentes ciclos de trabajo (D). En este caso la curva con D = 0 es la correspondiente a un pulso nico de potencia.
Fig 3. 24 Respuesta de la temperatura de la unin ante un nico pulso de potencia
Ante la aplicacin de un nico pulso de potencia como el que se puede observar en la figura, se puede calcular Tj mediante la curva r(t) frente a ton si se conoce, Pd, Rjc y Tc utilizando la expresin 3.15
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Tj1 = Tc + Z jc (t1 ) Pd = Tc + r(t1 ) R jc Pd

PROBLEMA 3.7
Dada la curva de la figura 3.27 de la impedancia trmica transitoria normalizada en funcin de la anchura del pulso aplicado y del ciclo de trabajo (r(ton D)) de un transistor 2N3716, determinar la temperatura de la unin al final del primer pulso bajo las siguientes condiciones: Pd = 40W; ton = 10ms; T = 50ms; Tc = 50C; Rjc = 1.17C/W
E 3.15
Fig 3.27 Impedancia trmica transitoria normalizada para el 2N3716 (Cortesa de Motorola)
En la grfica de la figura se obtiene el valor de r (ton) para un nico pulso, es decir la interseccin de la vertical para ton = 10 ms con la curva para D = 0.
r (t on ) = 0.4
La temperatura que alcanzar la unin al final del pulso se calcula mediante la ecuacin [E3.15]
T j = Tc + r (t on ) R jc Pd = 50 C+ 0.4 1.17 C/W 40 W
Tj = 68.72
Respuesta ante una serie de impulsos al azar

En una serie de impulsos de potencia al azar cada impulso tiene valores diferentes para la anchura y la altura. Para hallar el valor de los incrementos de temperatura ocasionados se debe aplicar el principio de superposicin. En la utilizacin de este principio cada intervalo de potencia que produce calor, es considerado positivo en valor y cada intervalo de refrigeracin es considerado negativo. Un intervalo de calentamiento comienza al mismo tiempo de la aplicacin del impulso y se extiende al infinito. Un intervalo de refrigeracin comienza al finalizar el impulso de potencia y tambin se extiende al infinito.
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Fig 3.28 Serie de impulsos al azar, principio de superposicin para calcular la variacin de la T de la unin. Este mtodo tambin puede ser aplicado cuando el tiempo total de calentamiento es ms pequeo que el tiempo necesario para alcanzar el rgimen permanente. (Cortesa de Motorola)
Llamando Tj a la diferencia de temperatura entre la unin y la cpsula
Tj = Tj Tc
se cumplir que el Tj considerando el primer impulso es:
Tj1 = P1 r ( t1 ) R jc
mientras que considerando hasta el tercer impulso, la expresin se complica:
Tj3 = [P1 r ( t 3 ) P1 r ( t 3 t 1 ) + P2 r ( t 3 t 2 )] R jc
y para el quinto impulso:
Tj5 = [P1 r ( t 5 ) P1 r ( t 5 t1 ) + P2 r ( t 5 t 2 ) P2 r ( t 5 t 3 ) + P3 r ( t 5 t 4 )] R jc
Como se puede observar, se hace un sumatorio, con el signo adecuado, segn se trate de calentamiento o de refrigeracin, de los efectos que tiene cada impulso sobre el instante en el que se desea saber la temperatura que alcanzar la unin Tj. Considerando un tren de impulsos de larga duracin, ste permitir alcanzar el equilibrio a la temperatura de la unin. Al final del primer impulso los clculos son iguales que para un nico pulso. Al final de un impulso en un estado estable se cumple la expresin
Tj = Pd R jc r(t on , D)
r (ton, D) se obtiene de la grfica de la impedancia trmica normalizada suministrada por el fabricante. Para poder utilizar la curva de r(t) en funcin de varios ciclos de trabajo, r(ton, D) es necesario que el producto del nmero de pulsos, n por el perodo sea al menos equivalente al tiempo necesitado por el semiconductor para alcanzar el equilibrio trmico.
19
Las curvas de resistencia trmica transitoria que facilita el fabricante son tiles para pulsos rectangulares de potencia. Los pulsos de potencia no rectangulares pueden ser analizados mediante sus equivalentes rectangulares. Para formas de onda simples como la senoidal y triangular pueden utilizarse expresiones matemticas para convertirlas en sus equivalentes rectangulares pero en cualquier caso un anlisis grfico haciendo que las energas almacenadas en ambas formas de onda sean las mismas (en la original y en la equivalente rectangular), ser una buena aproximacin.
Fig 3.25 Aproximacin de un pulso de potencia mediante pulsos rectangulares
Fig 3.26
20
PROBLEMA 3.8
Dado un transistor que requiere 3 segundos para alcanzar el equilibrio trmico. Sabemos que ton = 100 s y que el ciclo de trabajo D = 0.5. Determinar el nmero de pulsos, n para poder usar la grfica r(ton, D). Solucin:
t on 100 s = T = 2 10 4 s D 0.5 3s 3s = n = 1.5 10 4 n T = 3 s n = 4 T 2 10 s T=
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Fig 3.29 Equivalente trmico
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Fig 3.30 Impedancia trmica
Un nuevo ejemplo ilustrar mejor el clculo de Tj al aplicar un tren de impulsos de larga duracin a un transistor.
PROBLEMA 3.9
Dada la curva de la impedancia trmica transitoria normalizada en funcin de la anchura del pulso aplicado y del ciclo de trabajo (r(ton, D)) del transistor 2N3716, Fig. 3.27, encontrar el mximo valor que alcanzar la temperatura de la unin al aplicar un tren de impulsos Datos: Pd = 40W; ton = 10ms; T = 50ms; Tc = 50C; Rjc = 1.17C/W Solucin: El mximo valor de la temperatura de la unin se alcanzar cuando el nmero de impulsos sea suficiente como para dejar que la temperatura alcance el rgimen estable. Se puede calcular el ciclo de trabajo mediante la expresin E3.20
D=
t on D = 0.2 T
De la curva suministrada por el fabricante para D = 0.2 y ton = 10 ms se obtiene:
r (t on , D ) = 0.56
con lo cual la Tj ser:
Tj = Tc + r (t on , D ) R jc Pd Tj = 76.2
Se podra haber utilizado tambin el principio de superposicin, para resolver este problema, pero los clculos son largos. No tendremos ms remedio que aplicarlo si el fabricante slo nos da la curva de r(t) / ton para un solo pulso de potencia correspondiente a D = 0.
22
3.7 Resumen
A continuacin vamos a presentar un resumen de los conceptos estudiados en esta leccin para posteriormente ver algunos ejemplos de aplicacin
Funcionamiento en continua (valores medios de potencia)
R ja =
Combinando estas ecuaciones:
Tj Ta PT (AV ) Tj Ta PT (AV )
R jc =
Tj Tc PT (AV )
R da =
R jc R cd
Cuando queremos obtener valores medios de temperatura que alcanzar la unin hay que tomar Potencia media y Resistencia trmica
Funcionamiento discontinuo 1. Tren de pulsos de corta duracin
Fig 3.31 Variacin de la temperatura de la unin y temperatura contenedor cuando la duracin del pulso es pequea comparada con la constante de tiempo trmica del disipador
PTmax =
Tj Tc Z jc
Tc = Tj PTmax Z jc
Tjmax = Tc + PMAX Z jc = Ta + PT (AV ) (R cd + R da ) + PMAX Z jc

2. Un solo pulso de larga duracin
Cuando la duracin del pulso es mayor que la constante de tiempo del radiador
Fig 3.32 Pulso de larga duracin
En los ejemplos vamos a suponer que Tc = 75C
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Sea una seal rectangular peridica de potencia en un dispositivo (normalmente la podemos encontrar en convertidores conmutados). 100W son disipados cada 400s con un periodo de 20s. Calcular la temperatura mxima que alcanzar la unin del semiconductor. Solucin: Tjmax:
t p = 400 s = 4 10 4 s ; T = 2 10 5 s ; P = 100 W
Fig 3.33 Curvas de impedancia trmica. Cortesa de Philips
20 = 0.05 400
El valor de Zjc lo obtenemos para = 0.05 de las figura 3.33: Z jc 0.1 C/W
Tjc P Z jc = 100 W 0.1 C/W = 10 C Tj Tc + Tjc = 75 C+ 10 C = 85 C

Tjmax(media):
Pav = P = 100 W 0.05 = 5 W Tjc (a v ) = Pa v Z jc ( =1) = 5 W 2 C/W = 10 C Tj(a v ) = 75 C+ 10 C = 85 C

Para el caso de que la seal sea un solo pulso y con igual duracin al anterior problema:
t p = 400 s = 4 10 4 s
Solucin: Ahora: =
tp T
= 0 T = ; P = 100 W
De la grfica 3.33, para = 0 : Zjc = 0.04C/W
Tjc = P Z jc = 100 W 0.04 C/W = 4 C
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Para la forma de onda compuesta de la figura 3.34, calcular la temperatura de la unin. T = 400s
Fig 3. 34 Cortesa de Philips
La forma de onda de la figura consiste en 3 pulsos rectangulares (40W para 10s, 20W para 130s y 100W para 20s). La temperatura de la unin se puede calcular en cualquier punto del ciclo. Para el primer clculo todos los pulsos, positivos y negativos, deben terminar en tx y para el segundo clculo en ty. Pulsos positivos incrementan la temperatura de la unin, mientras que los negativos la decrementan. Hacer el clculo para tx Solucin:
Tj max = P1 Z jc ( t 1) + P2 Z jc ( t 3) + P3 Z jc ( t 4 ) P1 Z jc ( t 2 ) P2 Z jc (t 4 )
Los valores de P1, P2 y P3 son: P1 = 40 W , P2 = 20 W , P3 = 100 W Los valores de Zjc los sacamos de la figura 3.33 Por ltimo: t1 = 180s, t2 = 170s, t3 = 150s, t4 = 20s. Para t1 : =
180 = 0.45 Z jc = 0.9 K/W 400
En la siguiente tabla pueden verse los valores calculados para este ejemplo:
Realizar el clculo para ty
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PROBLEMA PROPUESTO
Un transistor MOSFET que presenta una resistencia en conduccin de valor RDSON = 100m , se coloca en un circuito de manera que, cuando conduce, lleva una corriente igual a 10A. La impedancia trmica unin-cpsula de este transistor se muestra en la figura. La resistencia trmica del radiador sobre el que va montado, presenta un valor RRA=5C/W. La temperatura ambiente es de 30C. Calcular, para los casos siguientes, la temperatura mxima que alcanza la unin del semiconductor: a) El transistor lleva pulsos de corriente de 10kHz y ciclo de trabajo 0,1. b) El transistor conduce de forma permanente. c) El transistor conduce corriente con una frecuencia de 1Hz y ciclo de trabajo 0,1. d) En el transistor se produce un nico pulso de corriente de 1ms de duracin cada 10 minutos de funcionamiento.
Fig 3.35
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Bibliografa
AGUILAR PEA, J. D.; MOLINA SALIDO, J. DE LA CRUZ; NIETO PULIDO, J.; LOPEZ MUOZ, P. Disipadores de calor para semiconductores de potencia. Cmara oficial de comercio e industria de la provincia de Jan, Jan 1994. AGUILAR J. D.; ALMONACID G. Disipadores de calor. Revista Espaola de Electrnica. JulioAgosto, 1991. AGUILAR PEA, J. D.; VALERO SOLAS, D. Amplificadores De potencia. Teora y problemas. Ed. Paraninfo, Madrid 1993. INTERACTIVE POWER ELECTRONICS SEMINAR (iPES). <www.ipes.ethz.ch> [Consulta: 5 de julio de 2005] POWER SEMICONDUCTOR APPLICATIONS, PHILIPS SEMICONDUCTOR. Tema7. Thermal management. <www.semiconductors.philips.com> [Consulta: 5 de julio de 2005] RUIZ ROBREDO, G. A. Electrnica para ingenieros. Dpto. Electrnica y Computadores. Facultad de ciencias, Universidad de Cantabria. <http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/html.files/libroWeb.html> [Consulta: 5 de julio de 2005] TIRISTOR DATA (Leccin 8: Reliability and Quality) <http://onsemi.com>
27

Tema 4.- Introduccin Introduccin y clasificacin. Distorsin. Amplificadores de potencia clase A (Acoplo directo. Por transformador). Distorsin. Contratase Clase B: Circuito bsico, clculos, rendimiento, distorsin. Amplificadores de potencia en contratase AB: Dos fuentes de alimentacin, una fuente de alimentacin. Servoamplificadores.
4.1 Consideraciones generales 4.1.1 Clasificacin de los Amplificadores 4.1.2 Tipos de Distorsin 4.1.3 Clculo de la distorsin armnica 4.2 Diseo del Amplificador 4.2.1 Situacin del punto de trabajo 4.3 Amplificador de Potencia Clase A 4.3.1 Caractersticas generales 4.3.2 Clase A con acoplo directo a la carga 4.3.3 Clase A con acoplo por transformador 4.3.4 Distorsin en clase A 4.4 Amplificador de Potencia Clase B 4.4.1 Caractersticas generales 4.4.2 Amplificador de Potencia Clase B en contrafase push-pull Disipacin de potencia y rendimiento Distorsin de cruce Reduccin de la distorsin con realimentacin 4.5 Amplificador de potencia clase AB 4.5.1 Caractersticas generales 4.5.2 Amplificador de Potencia Clase AB en contratase Caractersticas generales Diseo del amplificador Polarizacin con un multiplicador VBE 4.6 Servoamplificadores Servoamplificador controlado por corriente Amplificador PWM (modulacin de anchura de pulso) controlado por tensin Amplificador PWM controlado por corriente 4.7 Protecciones contra sobreintensidades Limitacin por corriente constante Limitacin de corriente regresiva (Foldback)
1 1 2 3 8 8 9 9 10 12 12 13 13 14 16 20 21 22 22 23 23 23 24 30 30 31 32 32 32 33
TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA
4.1 Consideraciones generales

Se puede definir amplificador de potencia como la etapa, cuyo objetivo es entregar la mxima potencia a la carga, con la mnima distorsin y con el mximo rendimiento, sin sobrepasar ni en las condiciones ms desfavorables de funcionamiento, los lmites mximos permitidos de disipacin de potencia de los elementos empleados. Las etapas de salida son diseadas para trabajar con niveles de tensin y corriente elevados. Las aproximaciones y modelos de pequea seal no son aplicables o deben de ser utilizados con las consideraciones oportunas.
4.1.1 CLASIFICACIN DE LOS AMPLIFICADORES
Segn la frecuencia de las seales a amplificar De Corriente Continua. Entre 0 y algunos hercios. De Audiofrecuencia. Entre 20Hz y 20KHz. De Radiofrecuencia. Entre 20KHz y varios cientos de MHz. De Videofrecuencia. Tambin llamados de banda ancha, entre 30Hz y 15MHz. Segn el funcionamiento de los transistores de salida Lineales. Los transistores trabajan en zona lineal. De conmutacin. Los transistores de salida trabajan en conmutacin, on - off. Atendiendo al punto esttico de funcionamiento, punto Q. Ver figura 4.1

Fig 4. 1 Tipos de amplificadores atendiendo al punto esttico de funcionamiento. Observar las formas de onda de la seal de entrada, VBE y de la seal de salida, IC
Universidad de Jan; J: D. Aguilar; M. Olid
CLASE A. La seal de salida circula durante todo un ciclo de la seal de entrada. El punto de funcionamiento Q est centrado en la Recta de carga. CLASE B. La seal de salida circula durante un semiciclo de la seal de entrada. Ic)Q = 0 CLASE AB. La seal de salida circula durante menos de un ciclo y ms de un semiciclo de la seal de entrada. Ic)Q 0 pero pequeo. CLASE C. La seal de salida circula durante menos de un semiciclo de la seal de entrada. El transistor se encuentra polarizado negativamente VBE < 0 CLASE D. Se conocen tambin con el nombre de amplificadores conmutados. Los elementos de salida trabajan en conmutacin, por lo que las prdidas de potencia son muy bajas y consecuentemente, alcanzan rendimientos prximos al 100%
4.1.2 TIPOS DE DISTORSIN.

En un amplificador ideal la seal de salida es una rplica exacta de la seal de entrada. En amplificadores reales, fundamentalmente debido a las caractersticas no lineales de los dispositivos utilizados, aparecen distorsiones que introducen modificaciones en la seal de salida. Distorsin de fase Aparece debido a que las componentes de una seal sufren distintos desplazamientos de fase a medida que van atravesando las etapas del amplificador. Estas diferencias de fase son provocadas por los elementos capacitivos e inductivos que forman parte del sistema. Distorsin de frecuencia Aparece debido a que la ganancia de los amplificadores no es la misma para todas las frecuencias, es decir, la respuesta en frecuencia no es plana, por lo que la seal de salida presentar deformaciones con respecto a la de entrada, dado que las formas de onda complejas estn compuestas por seales sinusoidales de distintas frecuencias y amplitudes. Al igual que en el caso anterior, estas deformaciones son provocadas por los elementos capacitivos e inductivos. En general, stas distorsiones aparecen conjuntamente. Distorsin de amplitud Aparecen por la falta de linealidad de los componentes de los amplificadores introducindose seales armnicas indeseadas en la seal de salida. La ganancia de los amplificadores no es la misma para todas las amplitudes de la forma de onda de la seal de entrada, por lo que pueden aparecer amplificaciones o recortes desproporcionados en la seal de salida. Estos efectos se pueden minimizar mediante una realimentacin negativa. En funcin de la seal de entrada, se definen dos tipos de distorsin de amplitud.
Distorsin armnica.
Para una seal de entrada senoidal pura, el amplificador aade frecuencias armnicas de la frecuencia de la seal de entrada, que se unen a sta, alterando su forma. Es la forma de distorsin ms caracterstica. Por ejemplo, una seal pura de 1kHz se transforma a la salida del amplificador con distorsin en otra seal que adems de tener la componente fundamental de 1kHz posee seales armnicas de 2kHz (segundo armnico), 3kHz (tercer armnico), etc.
Distorsin armnica total [4_1] Componente armnica [4_2] Componente armnica y resultante [4_3]
Distorsin por intermodulacin.
[4_4]
Tiene lugar cuando a la entrada de un amplificador se aplican simultneamente dos seales de distinta frecuencia y a la salida aparecen adems de stas, otras frecuencias no relacionadas armnicamente con ellas. Para dos seales de entrada, de frecuencias f1 y f2, se obtienen a la salida seales cuya frecuencia esta relacionada con la de las seales de entrada, f1, f2, 2f1, 2f2,... nf1,...nf2, f1+f2,... n (f1+f2), f1-f2, etc. Estos dos tipos de distorsin de amplitud se expresan en tanto por ciento. Debe quedar claro que ambas distorsiones son debidas a la falta de linealidad de los dispositivos utilizados.
Fig 4. 2 Tipos de distorsin
4.1.3 CLCULO DE LA DISTORSIN ARMNICA

Sea un circuito al cual se le aplica, como seal de entrada, una seal cosenoidal
Vi (t) = Vm Cos o t
E 4. 1
La alinealidad de la funcin de transferencia del circuito da como resultado una seal de salida distorsionada. Segn Fourier, cualquier seal peridica puede descomponerse en un cierto nmero de seales que sumadas dan como resultado la forma de onda de la seal peridica, con la particularidad de que la frecuencia de estas ondas sigue un orden armnico.
Vo(t) = VDC + V1cos(0 t + 1 ) +
n =2
Vn cos(n0 t + n )
E 4. 2
donde VDC es el valor medio o componente continua de la seal de entrada. El trmino de frecuencia 0 es el fundamental, que se correspondera con la respuesta deseada, las dems componentes para n > 1 son los trminos que producen la distorsin. Luego la falta de linealidad del circuito produce componentes armnicas:
d(t) =
n =2
Vn cos(n0 t + n )
E 4. 3
d(t) = V2 cos(20 t + 2 ) + V3cos(30 t + 3 ) + ... + Vn cos(n0 t + n )

El valor eficaz vendr dado por la siguiente expresin:
E 4. 4
VRMS
V V V = 2 + 3 + ... + N 2 2 2
2
E 4. 5
La distorsin armnica se mide en tanto por ciento y se define como
V2 V3 Vn %THD = + + ... + V V V 1 1 1
100
E 4. 6
El factor armnico del n-simo armnico mide la contribucin de cada armnico, y se define como
HFn =
Vn V1
E 4. 7
El factor de distorsin, DF indica la cantidad de distorsin armnica que queda en una forma de onda despus de que sta haya sido sometida a una atenuacin de segundo orden. Se define segn la expresin:
1 DF = V1
Vn 2 n = 2,3... n
2
E 4. 8
donde V1 es el valor eficaz de la componente fundamental y Vn es el valor eficaz del ensimo componente armnico. El factor de distorsin de un componente armnico en particular viene dado por
DFn =
Vn V1 n 2
E 4. 9
El armnico de menor orden, LOH es el componente que no presenta desfase respecto del fundamental y su amplitud es mayor o igual al 3% de la de ste. La comprobacin de que no existe desfase se puede hacer fcilmente en el listado de Fourier, obtenido mediante Pspice, en la columna Normalized phase (deg). Dada la importancia que tiene la distorsin para el conocimiento del comportamiento global de un sistema, y en electrnica de potencia la descomposicin de una onda en sus correspondientes amnicos, en la simulacin 4.1 se analizan brevemente los datos que sobre el particular se pueden obtener del listado de Fourier una vez realizada la simulacin del comportamiento del sistema mediante el programa Pspice.
SIMULACIN PSPICE 4.1

El circuito de la figura a) es un amplificador de potencia clase B en contrafase con dos fuentes de alimentacin. El circuito de la figura b) es el mismo amplificador de potencia preamplificado y realimentado para evitar la distorsin de cruce. Los transistores push-pull (simetricos complementarios) son NPN BD135 y PNP BD136. a) Obtener mediante Pspice el listado de Fourier, las formas de onda de las tensiones de entrada y salida del amplificador, para el transistor BD135 y la funcin de transferencia, cuando se aplica a la entrada la tensin vi = 1 sen(2 1000t) b) Realizar el mismo anlisis con Pspice para vi = 12 sen (2 1000t) Comparar los resultados para los apartados a y b, qu conclusin se puede sacar?
c) Introducir una realimentacin usando un preamplificador formado por un circuito operacional y realizar el mismo anlisis con Pspice.
Solucin: Se facilitan los listados para la simulacin con PsPice, los cuales incluye los modelos necesarios para los transistores complementarios as como el subcircuito correspondiente al amplificador operacional. Por razones obvias no se han reflejado todos los resultados obtenidos en la simulacin, se invita al lector para que la realice y reflexione sobre los resultados obtenidos, as como para que los compare. Tambin es interesante analizar los efectos que se producen al introducir nuevos valores en la amplitud de la seal de entrada as como el efecto de introducir la realimentacin. Apartado (a) Descripcin del circuito: Anlisis de Fourier:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(4) DC COMPONENT = -7.428562E-06 HARMONIC FREQUENCY NO (HZ) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1.000E+03 2.000E+03 3.000E+03 4.000E+03 5.000E+03 6.000E+03 7.000E+03 8.000E+03 9.000E+03 FOURIER COMPONENT 5.677E-01 3.446E-04 9.795E-02 7.385E-04 3.593E-02 1.087E-03 1.249E-02 1.201E-03 2.849E-03 NORMALIZED COMPONENT 1.000E+00 6.070E-04 1.726E-01 1.301E-03 6.330E-02 1.915E-03 2.200E-02 2.116E-03 5.019E-03 PHASE (DEG) 1.373E-01 -1.639E+02 1.792E+02 -1.576E+02 1.781E+02 -1.558E+02 1.757E+02 -1.572E+02 1.670E+02 NORMALIZED PHASE (DEG) 0.000E+00 -1.642E+02 1.788E+02 -1.581E+02 1.775E+02 -1.567E+02 1.747E+02 -1.583E+02 1.658E+02
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.852069E+01 PERCENT
En la columna correspondiente a las componentes de Fourier se puede comprobar que la amplitud de los armnicos pares es despreciable (ausencia de armnicos pares) y que la amplitud del fundamental predomina sobre la de los armnicos impares que tambin son despreciables a partir del tercero. De la columna correspondiente a las componentes normalizadas o factor armnico, se obtienen los datos HD de la expresin para el clculo de la distorsin armnica total.
2 2 THD = HD 2 2 + HD 3 + HD 4 + ... = 0.1852
THD = 18.52 %
En esta pantalla se puede apreciar la distorsin de cruce, caracterstica de los amplificadores de potencia trabajando en clase B en contrafase. As como la diferencia entre la tensin de entrada y la de salida
En esta pantalla se puede apreciar la causa de la distorsin de cruce que no es otra que la irregularidad en la amplificacin para valores pequeos de la amplitud de la seal de entrada (-0.4V , 0.4V )
Apartado (b) Anlisis de Fourier:

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(4) DC COMPONENT = -5.934254E-03 HARMONIC NO 1 2 3 4 5 6 7 8 9 FREQUENCY (HZ) 1.000E+03 2.000E+03 3.000E+03 4.000E+03 5.000E+03 6.000E+03 7.000E+03 8.000E+03 9.000E+03 FOURIER COMPONENT 1.137E+01 1.196E-02 1.495E-01 1.184E-02 8.400E-02 1.098E-02 5.556E-02 9.575E-03 4.082E-02 NORMALIZED PHASE COMPONENT (DEG) 1.000E+00 1.052E-03 1.315E-02 1.041E-03 7.388E-03 9.658E-04 4.886E-03 8.421E-04 3.590E-03 3.059E-02 -8.776E+01 1.787E+02 -8.818E+01 1.795E+02 -9.039E+01 1.799E+02 -9.207E+01 1.778E+02 NORMALIZED PHASE (DEG) 0.000E+00 -8.779E+01 1.786E+02 -8.821E+01 1.794E+02 -9.042E+01 1.799E+02 -9.210E+01 1.778E+02
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.637319E+00 PERCENT
Todos los armnicos continan siendo despreciables en amplitud frente al fundamental, igualmente el tercer armnico sigue siendo el ms importante en amplitud. La distorsin armnica ha disminuido considerablemente, su valor, teniendo en cuenta los nueve armnicos, se calcula considerando la ecuacin:
2 2 THD = HD 2 2 + HD 3 + HD 4 + ... = 0.0164
THD = 1.64 %
La seal de salida sigue a la de entrada, aunque para el valor de pico es ligeramente menor, (11.54 V) aparentemente no existe distorsin de cruce Sigue existiendo distorsin de cruce, pero a medida que aumentamos la amplitud de la seal este efecto disminuye. Apartado (c) Descripcin del circuito: Anlisis de Fourier:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(4) DC COMPONENT = 2.911615E-06 HARMONIC FREQUENCY FOURIER NO (HZ) COMPONENT 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1.000E+03 2.000E+03 3.000E+03 4.000E+03 5.000E+03 6.000E+03 7.000E+03 8.000E+03 9.000E+03 9.948E-01 5.956E-06 1.815E-04 6.541E-06 1.666E-04 9.908E-06 1.458E-04 1.801E-05 1.214E-04 NORMALIZED COMPONENT 1.000E+00 5.988E-06 1.824E-04 6.575E-06 1.674E-04 9.960E-06 1.466E-04 1.810E-05 1.221E-04 PHASE (DEG) 1.063E-02 1.869E+01 4.850E+01 -5.787E+01 2.061E+01 -1.344E+02 -6.993E+00 1.678E+02 -3.438E+01 NORMALIZED PHASE (DEG) 0.000E+00 1.868E+01 4.849E+01 -5.788E+01 2.059E+01 -1.344E+02 -7.003E+00 1.678E+02 -3.439E+01
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 3.134022E-02 PERCENT
El valor de la amplitud para todos los armnicos es despreciable y el valor del fundamental es prcticamente igual al valor mximo de la seal de entrada por lo que se puede predecir que la seal de salida seguir a la de entrada en todo su periodo. La distorsin total ha disminuido considerablemente pudindose decir que no existe
THD = 0.03 %
Se puede comprobar que no existe distorsin de cruce
4.2 Diseo del Amplificador

Para disear un amplificador, existen dos posibilidades:
Conocido el transistor y sus caractersticas de funcionamiento (PDmx, VCEmx e Icmx), se calcula la resistencia de carga RL y la tensin de alimentacin VCC que permitan obtener la mxima potencia de salida PL. Conocida la potencia de salida deseada y la carga, determinar la tensin de alimentacin y las caractersticas mnimas del transistor.
4.2.1 SITUACIN DEL PUNTO DE TRABAJO

En la figura 4.3 se pueden ver las posiciones de la recta de carga en funcin de la clase en la que trabaje el amplificador:
Fig 4. 3 Posicin del punto de trabajo, Q: interseccin de las rectas de carga dinmica y esttica para los distintos tipos de Amplificadores de potencia.
4.3 Amplificador de Potencia Clase A
Fig 4. 4 Amplificacin en clase A
4.3.1 CARACTERSTICAS GENERALES

Circula corriente en la salida durante todo el periodo de la seal de entrada. Cuando no hay seal de entrada, la prdida de potencia es mxima (IC = ICQ). Al obtener grandes potencias y trabajar con grandes seales, trabajan prximos a la zona no lineal de la caracterstica V-I, por lo que la distorsin ser significativa, aunque menor que en otras clases como la B o la C. El punto esttico de funcionamiento estar en el centro de la caracterstica de transferencia dinmica. El rendimiento mximo es del 50%, pero en la prctica est entre el 20 y el 35 %. Se pueden distinguir dos tipos, segn el acoplo con la carga, acoplo directo y acoplo por transformador. Etapa de salida clase A La etapa de salida clase A ms sencilla es el seguidor de emisor aunque su eficiencia es bastante baja (<0.25). La figura 4.5 a) muestra el esquema de este tipo de etapa polarizada con una fuente de tensin adicional (VBB) para que en ausencia de seal (vs=0) la Vo sea VCC/2; en este caso VBB=VCC/2+VBE. Es decir, la corriente de colector en continua de este transistor es
I CQ =
VCC 2RL
E 4.10
Fig 4. 5 a) Etapa de salida clase A
b) Curva de transferencia en tensin
La figura 4.5 b) presenta su curva de transferencia en tensin respecto a la seal de entrada vS. Al tratarse de un seguidor de emisor la ganancia es ~1, luego la pendiente de la recta tambin es 1. Fcilmente se comprueba que la amplitud mxima de la tensin de salida es VCC/2 limitada por la tensin de alimentacin y siempre que Q est centrada sobre la recta de carga esttica. La potencia de disipacin promedio en alterna disipada por RL se obtiene
1 V2 I PL = I R L = max R L = m 2 RL 2
2 ef
E 4.11
y esa potencia es mxima cuando Vm = VCC/2 de forma que
PLmax =
2 VCC 8RL
E 4.12
La potencia suministrada por las fuentes de alimentacin se obtiene
PCC = VBB I BQ + VCC I CQ VCC I CQ
2 VCC = 2RL
E 4.13
al ser IBQ << ICQ y sustituyendo ICQ por la ecuacin [E4.10]. La mxima eficiencia se determina por las ecuaciones [E4.12] y [E4.13]
max =
Pl max 1 = = 0.25 PCC 4
(25% )
E 4.14
4.3.2 CLASE A CON ACOPLO DIRECTO A LA CARGA

En este tipo de amplificador, la carga est acoplada directamente al circuito de colector. En este circuito concreto, la recta de carga esttica coincide con la dinmica. Se situar el punto Q en el centro de stas rectas para que la excursin de la corriente de salida sea mxima.
Fig 4. 6 Amplificador de potencia en clase A con acoplo directo. Circuito elctrico y Corriente de colector para mxima excursin. Punto Q situado en el centro de la recta de carga dinmica.
Para deducir las frmulas correspondientes a ste diseo, es importante observar la figura 4.6, en la que se supone que se obtiene la mxima excursin terica de salida. El diseo corresponde al caso del transistor trabajando en el lmite de seguridad.
VCEmx = VCC ;
VCEQ =
VCEmx ; 2
I Cmx =
VCC ; RL
I CQ =
I Cmx 2
10
El valor de RL se determina directamente
RL =
La potencia en la carga ser
VCC V = CEmx I Cmx I Cmx
E 4.15
PL =
2 I ef
V2 R I2 I I R L = mx R L = Cmx R L = Cmx R L = CC 2 L 8 8 R L 2 2 2
PL =
2 VCC 8 RL
E 4.16
Como se aprecia en la figura 4.6, la potencia mxima disipada por el transistor depende directamente del punto Q, el cual pertenece a la hiprbola de mxima disipacin de potencia
PD = VCEQ I CQ =
VCC I Cmx VCC VCC = 2 2 4 RL

E 4.17
2 VCC PD = 4RL
Cabe destacar que en clase A, cuando no existe seal de entrada, el transistor disipa la mxima potencia (VCEQ ICQ). La potencia suministrada por la fuente de alimentacin se determina segn la expresin
PCC = VCC I CQ = VCC PCC =

Finalmente se determina el rendimiento
2 VCC P 8R L = 2L = 0 ,25 PCC VCC 2 RL
I Cmx VCC VCC = 2 2 RL

E 4.18
2 VCC 2RL
25%
E 4.19
PDMX = 2 PLMX PCC = 4 PLMX

Para obtener 4 vatios en la carga, se debe disear una fuente de 16 vatios y elegir un transistor de 8 vatios mnimo.
11
4.3.3 CLASE A CON ACOPLO POR TRANSFORMADOR
Fig 4. 7 Amplificador de Potencia Clase A con acoplo por transformador. Circuito elctrico, Rectas de carga esttica y dinmica. Localizacin del punto Q
El rendimiento de un amplificador puede mejorar con una carga acoplada por transformador. En este tipo de amplificador, la carga est acoplada al transistor mediante un transformador, esto hace posible adaptar impedancias nicamente variando la relacin de espiras del transformador, "a" ya que: R 'L = a 2 R L . Al mismo tiempo, el transformador impide que la corriente continua circule por la carga, eliminando la disipacin de potencia que en el caso anterior se produca debido al paso de la corriente, IC a travs de la carga, provocando que el rendimiento pueda ser ms elevado ( 50%). Si se supone ideal el transformador, la resistencia de los arrollamientos para corriente continua ser nula, por lo que la recta de carga esttica ser una recta vertical. El punto Q esta situado en la interseccin de la recta de carga dinmica con la esttica y la hiprbola de mxima disipacin de potencia del transistor.
4.3.4 DISTORSIN EN CLASE A.

Factores que provocan la distorsin:
No linealidad de las caractersticas del transistor. Situar la recta de carga dinmica prxima a la zona de ruptura por avalancha. Disminucin de la ganancia de corriente, hFE con el aumento de la corriente de colector, IC. En la caracterstica de entrada, debido a que la respuesta es del tipo diodo.
En definitiva, siempre existir distorsin, cuyo grado ser determinado mediante la aplicacin del teorema de Fourier. El clculo de la distorsin armnica se suele hacer experimentalmente, aunque se puede calcular de manera aproximada mediante la utilizacin de las curvas del dispositivo ante una seal de entrada senoidal. Una consecuencia directa de la distorsin es que la potencia total de salida ser mayor que la debida solo al fundamental, aunque tal y como se demuestra a continuacin no se comete mucho error al considerar para el clculo de la potencia de salida total, slo la componente fundamental.
P1 =
2 I ef
2 I1 RL = RL 2
E4. 20
12
Considerando todos los armnicos, la potencia total de salida ser:
PLtotal = PLtotal =
2 I ef
2 2 + I2 I1(mx) I2 2(mx) + ... + I n(mx) mx RL = RL = RL 2 2

E4. 21
2 I1(mx)
R L 1 +
I2 2(mx) 2 I1(mx)
+ ... +
I2 n(mx) I2 n(mx)
= 1 + THD 2 P 1
En la expresin anterior, THD representa la distorsin armnica total en tanto por uno. Por ejemplo, para una distorsin total del 10% (valor elevado) La diferencia entre considerar o no, todos los armnicos es tan solo del 1%
4.4 Amplificador de Potencia Clase B

La mayor desventaja de la etapa de salida clase A es el consumo esttico de potencia incluso en ausencia de seal de entrada. En muchas aplicaciones prcticas existen largos tiempos muertos (standby) a la espera de seal de entrada o con seales intermitentes. Etapas de salida que desperdician potencia en periodos standby tienen efectos perniciosos importantes. En primer lugar, se reduce drsticamente el tiempo de duracin de las bateras de los equipos electrnicos. En segundo lugar, ese consumo de potencia continuado provoca un incremento de temperatura en los dispositivos que limita su tiempo medio de vida dando lugar a una mayor probabilidad de fallar con el tiempo el sistema electrnico. La etapa de salida clase B tiene consumo esttico de potencia en modo standby prcticamente cero.
La seal de salida circula durante medio ciclo de la seal entrada El transistor se polariza en el lmite de corte, por lo que en ausencia de seal de entrada, la corriente de colector es nula. El rendimiento terico mximo es del 78.5%; en la prctica se obtiene entre el 50% y el 65%. Admiten seales de entrada de mayor amplitud que en clase A. Introducen mucha distorsin por lo que no se suelen utilizar en amplificadores de potencia con un nico transistor; si se suelen utilizar en montajes de contrafase.
Fig 4. 8 Amplificacin en clase B. Corriente de colector en funcin de la corriente de base. Localizacin del punto Q en la recta de carga dinmica. Observese que el transistor est polarizado al corte.
13
4.4.2 AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE B EN CONTRAFASE PUSHPULL
Fig 4. 9 Amplificador de Potencia Clase B en Contrafase con Transistores Simtricos Complementarios
Utiliza dos transistores, uno NPN y otro PNP (simtricos complementarios), en contrafase que conducen alternativamente en funcin de si la seal de entrada es positiva o negativa (de ah el nombre de push-pull)
Fig 4. 10 Formas de onda para un nico transistor, polarizado en Clase B
Cuando se atacan, con una seal senoidal, las bases de los transistores, se observa que si uno de ellos est polarizado en directo, el otro est en inverso, por lo que cada uno de ellos amplificar un semiperiodo de la seal de entrada. Para calcular el rendimiento del amplificador, se supone que las caractersticas de los transistores estn idealizadas, por lo que la curva de transferencia dinmica es una lnea recta. Tambin se supone que la corriente mnima es cero. Si se observan las figuras 4.10 y 4.11 los clculos resultan ms comprensibles.
14
Para realizar la construccin de la figura 4.11, se parte de las formas de onda para un solo transistor, polarizado en clase B de la fig 4.10. Para una excitacin senoidal, la salida es senoidal durante el primer semiperiodo y cero durante el segundo.
Fig 4. 11 Recta de carga compuesta utilizada para el diseo de un Amplificador Clase B en contrafase
La forma de onda para el segundo transistor ser una serie de impulsos senoidales desfasados 180 respecto de los del primer transistor. Como el circuito en contrafase es simtrico, el estudio realizado para un transistor, es vlido tambin para el otro. La corriente de carga, proporcional a la diferencia de las dos corrientes de colector, ser una onda senoidal perfecta, para las condiciones ideales inicialmente supuestas, como se puede apreciar en la figura 4.11.
Fig 4. 12 Caracterstica de transferencia en la etapa de salida clase B
La figura 4.12 muestra la curva de transferencia en tensin de este circuito. Para vi=0, ambos transistores se encuentran en corte (vo=0) y el consumo esttico de corriente es nulo (modo standby). Si se incrementa la tensin de entrada hasta que Q1 entra en conduccin, vi>VBE1(on), entonces aparece niveles apreciables de corriente en Q1 que circularn por la resistencia de carga; en este caso Q2 est en corte al verificarse VBE2> 0. A partir de ahora, Q1 opera en la regin lineal hasta alcanzar la saturacin (vi>VCC+VBE1-VCE1(sat)). Similares resultados se obtienen para vi< 0 siendo ahora Q2 el transistor que entra en la regin lineal con una tensin mxima de salida limitada por la regin de
15
saturacin (vi<-VCC-VEB2+VCE2(sat)), estando siempre Q1 en corte. Resumiendo, con vi>VBE1(on) Q1 est en conduccin y Q2 en corte y con vi<VEB2(on) Q1 est en conduccin y Q2 en corte. Adems, existe una zona muerta -VEB2(on)<vi <VBE1(on) que ambos transistores estn en corte. Esta caracterstica introduce una distorsin de salida, denominada distorsin de cruce (crossover),
Fig 4. 13 Formas de onda de corriente y de voltaje para una etapa de salida clase B en contrafase. a) Tensin de entrada b) Tensin de salida c) Corriente de colector para T1 d) Corriente de colector para T2
Disipacin de potencia y rendimiento

Potencia de salida o potencia en la carga, PL
PL = Vef I ef =
Vmx I mx 2 2
E4. 22
Potencia mxima que puede entregarse a la carga, se obtiene cuando Vmx = Vcc Ver la fig 4.11
PLmx
2 Vcc = 2 RL
E4. 23
Potencia suministrada por la fuente, PCC
PCC = PCC1 + PCC2 = VCC1
I C1max I + VCC2 C 2 max
E4. 24
16
PCC = 2
I mx VCC
E4. 25
En la figura 4.10 se puede ver que ICC con carga es el valor medio para un semiciclo. Rendimiento, (cuando la potencia en la carga es mxima)
PL = 78.5% Pcc
E4. 26
El rendimiento es bastante mayor que en los amplificadores en clase A. El valor elevado del rendimiento se explica porque en un sistema clase B no circula corriente si no hay excitacin, mientras que en clase A, la fuente de alimentacin entrega corriente incluso si la seal es cero. En clase B, la potencia disipada en el colector es cero en reposo y aumenta con la excitacin. En realidad:
PLmax
1 (VCC VCEsat ) = 2 RL
VCC VCEsat 4 VCC
La potencia disipada en ambos transistores es la diferencia entre la potencia suministrada y la potencia entregada a la carga (suponiendo prdidas nulas en el resto del circuito), como Imx=Vmx/RL resulta la siguiente expresin:
PD(2 T) = PCC PL =
2 2 VCC Vmax Vmax RL 2 RL
E4. 27
Supuesta Vmx = Vcc se obtiene la potencia que disiparn los dos transistores cuando la potencia en la carga sea mxima.
PD(2T)
2 Vcc (4 ) = R L 2
E4. 28
Derivando la ecuacin [E4.27] se puede determinar el valor de Vmx que hace que la potencia media disipada en los transistores sea mxima
dPD =0 dVmx
Vmx =
2 Vcc
E4. 29
Resumiendo, la potencia disipada en los transistores es cero sin seal (Vmx = 0), aumenta conforme lo hace Vmx, y llega al valor medio mximo cuando Vmx = 0.636 Vcc. El valor mximo de PD(2T) se halla sustituyendo el valor obtenido para Vmax
[E4.27] [E4.29]
en la expresin
PD(2T)mx =
2 2 2Vcc 4 VCC = = 0.4 PLmx 2 R L 2 2 R L
E4. 30
PD(1T)mx = 0.2 PLmx
E4. 31
17
Fig 4. 14 Relaciones de Potencias. Para el amplificador en contrafase Clase B.
Fig 4. 15 Formas de onda a salida mxima para un transistor en una etapa de salida Clase B. a) Corriente de colector b) Tensin colector-emisor c) Disipacin de potencia instantnea en el transistor
Potencia instantnea disipada en el transistor
Pc ( t ) = v ce ( t ) i c ( t ) v ce ( t ) = VCC i c ( t ) R L Pc ( t ) = (VCC i c ( t ) R L ) i c ( t )
2 Pc ( t ) = VCC i c ( t ) i c (t) R L
E4. 32
18
Potencia instantnea mxima en el transistor
dPc ( t ) = VCC 2 i c ( t ) R L di( t ) VCC 2 i c ( t ) R L = 0 V i c ( t ) = CC 2 RL V Pc max = CC 4 RL
E4. 33
Fig 4. 16 Amplificador clase B en contratase
Si se desea entregar 10W con un amplificador en contrafase clase B, la potencia media mxima a disipar en los dos transistores ser 4W. (PDmx = 4W), es decir, se deben elegir transistores que sean capaces de disipar cada uno 2W de potencia media, aproximadamente. Se puede obtener una salida de cinco veces la disipacin de potencia especificada para un solo transistor, mientras que si se quieren obtener los 10W de potencia en clase A, con un solo transistor, ste deber disipar 20W. Cuando en el circuito de la figura 4.9 se suprime una de las fuentes de alimentacin y se aade un condensador de gran capacidad, que la sustituye durante el semiciclo en el que conduce el segundo transistor, la excursin mxima de salida se reduce a Vcc/2. Este circuito se muestra en la figura 4.17.
VCC T1 VCC 2 ve
+C -
T2
RL
Fig 4. 17 Amplificador de Potencia en contrafase, Clase B con simetra complementaria, utilizando una sola fuente de alimentacin La capacidad se carga durante la conduccin de T1 y se descarga durante la conduccin de T2
Al introducir el condensador, se hace al circuito dependiente de la frecuencia. Conforme disminuye la frecuencia de la seal, aumenta la tensin en el condensador y disminuye en la carga, reduciendo la ganancia del amplificador. El punto de media potencia, o de 3 dB, especifica la frecuencia ms baja de corte. Esta es la frecuencia que provoca una cada de 3 dB, Av = 0.707 en la amplitud de salida.
19
El punto est especificado por la siguiente expresin.
RL =
1 j C 1
1 R L C1
E4. 34
La impedancia del condensador disminuye con el aumento de la frecuencia, por lo que el peor de los casos se produce a frecuencias bajas. Si se supone que la frecuencia ms baja (frecuencia de corte) es fL, el valor para el condensador ser:
C1 =
1 2 f L R L
E4. 35
PROBLEMA 4.1
El montaje de la figura es un amplificador clase B en contrafase realizado con transistores complementarios. Para una seal de excitacin Ue = A sen t, y considerando un comportamiento ideal del sistema. Calcular la Potencia mxima de la seal de salida, la disipacin de potencia en cada transistor y el rendimiento de la conversin de potencia para las condiciones expresadas. La mxima disipacin de potencia media en los transistores y el rendimiento de la conversin de potencia para estas condiciones. Si se sustituye la fuente doble simtrica por una sola fuente de alimentacin, qu valor debe tener sta para obtener la misma potencia en la carga? Datos: UC = 15 V; RL = 4.
Solucin: PLtotal = 28.125W; PD1T = 3.842; = 78.54%; PD1Tmax = 5.7W; = 50%
Distorsin de cruce
Los armnicos pares desaparecen como consecuencia del montaje en contrafase. La principal fuente de distorsin es el tercer armnico, aunque no se considerar por no influir de manera significativa en la potencia de salida. La distorsin que s se debe considerar en este tipo de montajes es la debida a la alinealidad de las caractersticas de entrada de los transistores. Se conoce como distorsin de cruce (crossover). Si se aplica una entrada senoidal a la entrada de un amplificador en contrafase clase B, no habr salida hasta que la entrada supere la tensin de umbral (V 0 .5 ... 0.7 voltios para el silicio). Esto se puede apreciar en la figura 4.18 Para evitar este tipo de distorsin se aplica una ligera polarizacin a las bases de los transistores. Para ello se colocan diodos de compensacin en serie con unas resistencias, encargadas de hacer que ICQ se encuentre ligeramente por encima de cero, (esto provoca que los transistores amplifiquen la seal de entrada en alterna de manera simultnea en la regin de paso por cero, compensando as la baja amplificacin en dicha zona, por tanto el nuevo funcionamiento ser en clase AB que se estudiar posteriormente, dentro de este mismo captulo.
20
Fig 4. 18 Distorsin de cruce En la figura se aprecia la evolucin de la seal de salida, conforme aumenta el nivel de la seal de entrada. La distorsin de cruce disminuye segn aumenta la entrada, pero llega un momento en que la seal se recorta como consecuencia de trabajar en la zona de saturacin de los transistores.
Reduccin de la distorsin con realimentacin

Una forma de reducir la distorsin de cruce en los amplificadores clase B en contrafase, consiste en introducir un lazo de realimentacin y colocar un preamplificador con una gran ganancia en lazo abierto. Este preamplificador suele ser un amplificador operacional. El circuito as configurado tiene una aplicacin fundamental en el caso de los servoamplificadores, que sern tratados con mayor profundidad mas adelante. Cuestin didctica 4.1
Estudiar con ms detalle, como afecta a la distorsin introducida por el propio amplificador, el hecho de colocar un preamplificador de gran ganancia.
21
Sabras deducir y comentar porqu esta configuracin reduce la distorsin?
PROBLEMA 4.2
El circuito de la figura tiene VCC= 15V, RL=2k, VBE(on)=0.6V y VBE(sat)=0.2V. (a) Dibuje la caracterstica de transferencia de Vi a Vo suponiendo que los transistores se activan abruptamente para Vbe = VBE(on) (b) Dibuje la forma de onda del voltaje de salida y la forma de onda de la corriente de colector en cada dispositivo para un voltaje de entrada senoidal de amplitud 1V, 10V, 20V. (c) Verifique (a) y (b) al utilizar PSpice con IS=10-6A, F=100, rb=100 y rc=20 para cada uno de los dispositivos. Utilice PSpice para determinar la distorsin en segunda y tercera armnica e Vo para las condiciones indicadas en (b)
[Gray]
PROBLEMA 4.3
Para el circuito del problema 4.2 suponga que VCC= 12V, RL=1k y que vCE(sat)=0.2V. Suponga que existe un voltaje de entrada senoidal suficiente disponible en Vi para excitar a Vo hasta sus lmites de recorte de onda. Calcule la potencia mxima promedio que se puede entregar a RL antes de que ocurra el recorte de onda, la eficiencia correspondiente y la disipacin mxima instantnea del dispositivo. Desprecie la distorsin por cruce. Solucin: PL = 69.6mW; c = 77.2%; Pc= 36mW
4.5 Amplificador de potencia clase AB

La seal de salida circula ms de un semiciclo y menos de un ciclo de la seal de entrada. Es un caso intermedio entre la clase A y la B. Se configura en contrafase. Con seales de alto nivel, su comportamiento tiende al de clase B con menor rendimiento. En reposo circula una pequea corriente esttica. Cuando se trabaja en contratase clase AB se elimina la distorsin de cruce.
22
Fig 4. 19 Amplificacin en clase AB. Corriente de colector en funcin de la corriente de base. Localizacin del punto Q en la recta de carga dinmica. Obsevese como el transistor est polarizado en una zona prxima al corte.
4.5.2 AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE AB EN CONTRAFASE. Caractersticas generales

La distorsin de cruce que se produce en los amplificadores en contrafase clase B, puede eliminarse si previamente se polarizan ligeramente ambos transistores. De esta forma, la seal de entrada oscilar en torno a un nivel de polarizacin distinto de cero y se conseguir eliminar la zona muerta situada en las proximidades del origen.
Reduccin de la distorsin de cruce [4_5]
Diseo del amplificador
Fig 4. 20 Etapa clase AB con polarizacin por a) diodos y b) multiplicador VBE
En esta figura se muestra la polarizacin basada en dos diodos. En ausencia de seal, vi = 0, la cada de tensin en diodo D1 hace que el transistor Q1 tenga una ligera polarizacin de base-emisor con una corriente de colector baja y lo mismo sucede a Q2 con el diodo D2; es decir, ambos transistores conducen. Cuando se aplica una tensin a la entrada uno de los transistores estar en la regin lineal y el otro cortado, funcionando de una manera similar a la etapa clase B anterior pero con la ausencia de distorsin de cruce. En este caso la potencia promedio suministrada por una fuente de alimentacin es: PCC =
VCC VO + I Q VCC RL
23
En general, el segundo trmino es despreciable frente al primero y el valor de la eficiencia indicada en las ecuaciones anteriores siguen siendo vlidas. El circuito de la figura 4.21 es un circuito en el que se emplea el condensador Cs cuando queremos alimentar el amplificador con una sola fuente de alimentacin. Los diodos proporcionan una pequea polarizacin a las bases de los transistores, que evita la distorsin de cruce. Adems, su pequea resistencia dinmica junto con su coeficiente negativo de temperatura, aportan mayor estabilidad trmica frente a variaciones de temperatura, los diodos adems reducen las fluctuaciones de la VBE de los transistores con la temperatura. Estos diodos deben tener caractersticas similares a las del transistor y se deben montar en el mismo disipador de calor.
(4.45MB) [4_6]
Fig 4. 21 Amplificador de potencia clase AB en contrafase En el cual una fuente de alimentacin ha sido sustituida por el condensador CS
Cuando se alimenta la entrada con una seal senoidal, se puede observar que durante el primer semiciclo de la misma conduce el transistor Q1. El condensador se carga hasta una tensin igual a Vcc/2. Durante el semiciclo negativo de la tensin, el condensador acta de alimentacin para el transistor Q2. El precio que se paga por evitar la distorsin de cruce es un pequeo consumo de potencia en ausencia de seal, que repercute en una disminucin del rendimiento. Polarizacin con un multiplicador VBE.
[E4_7]
Otro procedimiento para obtener la diferencia de tensin 2VBE entre la base de los transistores necesaria para eliminar la distorsin de cruce es utilizar lo que se denomina multiplicador de VBE. Este circuito consiste en un transistor (Q3) con dos resistencias (R1 y R2) conectadas entre su colector y emisor con la base. Si se desprecia la corriente de base (para ello R1 y R2 deben ser de unos pocos k) entonces la corriente que circula por R1 es VBE3/R1 y la tensin entre el colector y emisor de ese transistor es
VCE 3 =
R2 VBE 3 (R 1 + R 2 ) = VBE 3 1 + R R1 1
E 4.36
es decir, la tensin VCE3 se obtiene multiplicando la VBE3 por un factor (1+R1/R2). En el diseo de cualquier amplificador de simetra complementaria, se deben tener en cuenta tres factores importantes.
24

La distorsin de cruce, que se puede reducir fcilmente colocando resistencias de pequeo valor, en serie con los diodos, para hacer que ICQ se encuentre ligeramente por encima de cero. La posibilidad de falla trmica, que puede producirse si los dos transistores complementarios no tienen las mismas caractersticas o si una VBE descompensada se reduce por las altas temperaturas. Esto conducira a una corriente de colector mayor, que originara disipacin de potencia y calentamientos adicionales. Este proceso contina hasta que se calienta y falla. Este problema se reduce colocando pequeas resistencias en serie con el emisor para aumentar el nivel de polarizacin en continua.
Mantener los diodos de polarizacin en conduccin todo el tiempo para evitar la

distorsin.
El diseo del amplificador de la figura 4.21 requiere conocer la resistencia del diodo en directo, que suele ser inferior a 100 . Tambin es importante que la corriente de polarizacin del diodo sea bastante grande para mantener los diodos en la zona lineal de su regin de polarizacin directa para todas las tensiones de entrada. La mxima corriente de pico negativa a travs del diodo debe ser menor que la corriente de polarizacin en directo. Es decir, la componente de cc debe ser mayor que la de ca, de modo que cuando se suman, la corriente resultante no se vuelva negativa. Si esto no fuese as, el diodo se polarizara en inverso.
I D > i dp
donde idp es la amplitud del componente de ca de la corriente del diodo.
E4. 37
Notese la utilizacin de un subndice adicional (p) para indicar que se est utilizando el valor de pico de la variable. El circuito equivalente en ca se muestra en la figura 4.22 donde ib es la corriente en ca de la base del transistor y v'L es la tensin en ca a travs de la carga RL + jXCS, a baja frecuencia.
Fig 4. 22 Circuito equivalente en corriente alterna para el estudio del amplificador de potencia clase AB en contrafase.
El valor de la corriente continua a travs del diodo, ID
VCC 0.7 ID = 2 R2
El valor de pico de la corriente alterna a travs del diodo en sentido inverso, idp
E4. 38
25
i dp = i bp + i R2p = i bp +
vLp R2
E4. 39
Se ha supuesto que la ganancia en tensin del amplificador es la unidad. Es decir, la tensin en ca a travs de R2 es igual que la tensin de emisor, v L La condicin lmite para el funcionamiento del diodo en la regin de polarizacin directa se establece igualando ID con idp. Para simplificar, se considera que R1 = R2. El valor de las resistencias se determina despejando en la expresin resultante.
VCC 0.7 v Lp 2 = i bp + R2 R2
VCC 0.7 v Lp R2 = 2 i bp
E4. 40
Por ser el amplificador un seguidor de emisor de ganacia unidad se tiene que vi v L . A frecuencias medias, la tensin a travs de CS es cero, por tanto la tensin v'L aparece en extremos de la resistencia de carga, RL siendo v'L = vL A la frecuencia de corte, -3 dB, la potencia de salida cae a la mitad de la potencia a frecuencias medias, y la tensin a travs de RL es igual a la tensin a travs de CS. Cada una de estas tensiones es igual a v L / 2 La tensin de pico entre los extremos de CS y RL es v'Lp
Lp
vL vL = = vL + 2 2
E4. 41
v'Lp = R L i bp = R L i cp
La resistencia de entrada se determina del circuito equivalente mostrado en la figura 4.22 para la condicin de ZL = RL a frecuencias medias, donde XC1 = 0.
R en = (R f + R 2 )
[R + (R
f
R L )]
E4. 42
Se ha supuesto que a frecuencias medias el condensador es un cortocircuito. Ntese que RL se refleja como RL y que el diodo tiene una resistencia en directo, Rf, y otra en inverso, Rr.
Fig 4. 23 Circuito equivalente para el clculo de la resistencia de entrada.
26
La ganancia de intensidad, se calcula observando la figura 4.23, de la cual se deducen las expresiones para la tensin atravs del diodo, vD1 con el transistor Q1 en conduccin, de la corriente por el diodo, iD2 y de la corriente de entrada, ien que es la suma de las corrientes por el dido D2, la corriente de base del transistor Q1 y la corriente por la resistencia R2
vL + v D1 = R f i bp R2 v v + vL i en = D1 + i bp + L R2 Rf + R2
i D2 =
v D1 + v L Rf + R2 ib i en
E4. 43
Ai =
E4. 44
El condensador CS ser de gran capacidad, de forma que su reactancia es despreciable a las frecuencias normales de trabajo. El rendimiento terico viene dado por la expresin:
PL = 78.5% PCC
E4. 45
Para determinar el rendimiento real, se considera la existencia de prdidas, que por lo general se cuantifican entre un 10% y un 35% de la potencia terica calculada. La fuente deber suministrar una potencia real dada por la expresin:
PCC(real) = PCC(teorica) + 20%PCC(terica)

PROBLEMA 4.4
Disear un circuito amplificador de clase AB a) Disear el circuito amplificador de clase AB de la siguiente figura, que pueda abastecer el mximo voltaje de salida, con una carga de resistencia RL=50, con una corriente. IQ=210-3 y Vcc = 12V que asegure la conduccin. b)Hallar la cada de tensin en los diodos, VBB, para vo = 0 y para vo =11.8V DATOS: Los parmetros del diodo: Is = 10-13A; VD1 = 0.7V; VD2 = 0.7V; IDmin = 1mA Los parmetros del transistor son: f = 50; VBE = 0.7V; VCEsat = 0.2V; VT = 25.8mV
E4. 46
27
PROBLEMA PROPUESTO
El circuito de la figura 4.20 (a) es una clase AB polarizado con diodos para eliminar la distorsin de cruce. Se pide: (a) Calcular el rendimiento de la etapa si vi=5Vsenwt despreciando el efecto IQ. (b) Repetir el apartado (a) incluyendo a las fuentes de corriente. (c) Si vi=7.5Vsenwt calcular la potencia promedio de las fuentes de alimentacin, de la resistencia de carga y de cada uno de los transistores. Obtener el valor de la corriente de colectorpico de un transistor. (d) Una caracterstica sorprendente de esta etapa es que la potencia de disipacin mxima de un transistor no se produce para una tensin mxima de salida como en principio parece lgico, sino cuando la tensin de salida toma el valor de v o =
2 VCC = 0.636 VCC
Demostrar esa condicin y determinar la potencia promedio de disipacin mxima de un
PROBLEMA 4.5
Disear un circuito con simetra complementaria compensado por diodos (Ver figura 4.21) para un amplificador de audio con una respuesta en frecuencia de 60Hz a 20KHz y una potencia de salida de 0.5W en un altavoz de 8. La fuente de alimentacin es de 12V. Determinar: (a) La ganancia de corriente. (b) La potencia proporcionada por la fuente. (c) Potencia mxima disipada por cada transistor. Solucin: Apartado (a) Se determina primero el valor de ICmax necesario para alcanzar la carga especificada, usando la ecuacin:
PL =
2 IC max R L
= 0.5 W
I C max =
El voltaje de carga mximo es:
1W = 0.354 A RL
v L = R L I C max = 2.828 V
La razn entre la corriente de colector y la corriente de base es , por tanto, la corriente de base pico debe ser:
ib =
Como:
I C max
= 5.9 mA
v' L = v L
El valor de R2 es:
Vcc 0.7 V v'L R2 = 2 = 419.44 ib
28
Rin y la corriente de entrada se determinan a la frecuencia media
vL VD 1 = R f ib + R = 0.1 V 2
La corriente de entrada es:
i in =
VD 1 + v L v + i b + L = 19 mA Rf + R2 R2 R 2 R L = 223.8 R 2 + R L
El paralelo de R2 y RL es: R 2 //R L = Luego la resistencia de entrada es:
R in =
(R f + R 2 ) (R f + R 2 //R L ) = 150.3 (R f + R 2 ) + (R f + R 2 //R L )

i = ib i = 18.141 i in
La ganancia de corriente se obtiene de la razn entre las corrientes de entrada y de salida:
Apartado (b) La potencia para el amplificador:
Pcc =
Apartado (c)
Vcc I C max
2 Vcc Pcc = 1.52 W 2 Rf + 2R2
El valor nominal de la potencia de cada transistor es:
Ptrans =
2 Vcc Ptrans = 0.45 W 4 2 R L
[Savant]
PROBLEMA 4.6
Disear un amplificador push-pull clase B con simetra complementaria compensado por diodos para excitar una carga de 4 a +3V para un intervalo de frecuencias de 50Hz a 20KHz. Suponer que los transistore NPN y PNP poseen una =100 para cada uno y VBE=+-0.7V. Los diodos
tienen una resistencia en directo Rf = 10. Determinar todas las tensiones y corrientes en reposo para una tensin de alimentacin Vcc=16V. Determinar la mxima potencia que se extrae de la fuente de alimentacin, la potencia desarrollada en la carga y disipacin de potencia en los transistores. Solucin: Pcc = 404W; PL = 1.13W: PT = 1.62W
[Savant]
29
4.6 Servoamplificadores
El servoamplificador es la etapa de potencia encargada de actuar sobre un servomotor para efectuar por ejemplo, un control de velocidad o de posicin. Son empleados en robots industriales as como en otros equipos de control numrico. Bsicamente se pueden enumerar dos tipos: lineales (los transistores bipolares trabajan en la zona lineal) y PWM (los transistores bipolares o Mosfet trabaja en conmutacin). En la figura 4.24 se muestra el servoamplificador ms simple, usado para controlar los dos sentidos de giro de un motor. El control se efecta mediante un amplificador clase B en contrafase.
Fig 4. 24 Servoamplificador bipolar controlado por tensin, que utiliza un amplificador en contrafase funcionando en clase B, el giro del motor no es uniforme debido a la distorsin
Sabido es que el amplificador en clase B presenta el problema de la distorsin de cruce, lo que provoca que el giro del motor no sea uniforme, por lo que se hace necesario configurar la entrada en clase AB. Para ello, se incluyen dos diodos en serie con otras tantas resistencias que se encargarn de polarizar ligeramente a los transistores as como de estabilizarlos trmicamente, ver la figura 4.25
Fig 4. 25 Servoamplificador con amplificador en contrafase, clase AB, los diodos y las resistencias son compensadoras con el objeto de eliminar la distorsin de cruce
Servoamplificador controlado por corriente

Hay aplicaciones en las que interesa que la corriente que circula por el motor est controlada directamente por la seal de entrada, porque el par desarrollado en el motor es el factor principal. El par instantneo generado en el motor viene dado por la siguiente expresin: m = KT im m = par instantneo, im = corriente por el motor, KT = constante del par del motor El control de la corriente se realiza introduciendo un detector de corriente y un amplificador operacional como se puede ver en la figura 4.26 La resistencia Rs se emplea para detectar la intensidad como resistencia Shunt.
E4. 47
30
Fig 4. 26 Servoamplificador bidireccional controlado por corriente
El amplificador operacional est configurado en modo inversor, siendo la tensin de salida
vs =
R2 vi R1
vs = i m R s
E4. 48
La corriente que circula por el motor, en funcin de la tensin de entrada es:
im =
R2 vi R1 R s
E4. 49
Amplificador PWM (modulacin de anchura de pulso) controlado por tensin

En la figura 4.27 se muestra el principio en el cual se basa el control por tensin de amplificadores PWM. El comparador tiene dos entradas. En la entrada positiva (+) se aplica la tensin de control y en la entrada negativa (-), la seal triangular. La seal a la salida del comparador ser una relacin entre las dos seales de entrada. La tensin aplicada al motor en cada momento se puede ver en la figura 4.27
Fig 4. 27 Servoamplificador bsico controlado por tensin. Circuito y formas de onda de tensin e intensidad aplicadas al motor.
31
Cuando vi es mayor que la seal triangular, la tensin de salida es igual a + Vcc, el transistor Tr1 est en conduccin y Tr2 en corte. La tensin aplicada al motor es E. Cuando vi es menor a la seal triangular, la tensin de salida es VDD, el transistor Tr2 est en conduccin y Tr1 en corte. En este caso, la tensin aplicada al motor es E. La velocidad del motor depende de la tensin media aplicada en funcin del ciclo de trabajo de la seal, es decir, la relacin entre los tiempos de conduccin y corte de los transistores
Amplificador PWM controlado por corriente

En la figura 4.28 se muestra el esquema de este tipo de amplificador. En el cual la seal de referencia es la diferencia entre la intensidad de mando y la intensidad de salida, sensada en extremos de RS.
Fig 4. 28 Servoamplificador PWM controlado por corriente.
4.7 Protecciones contra sobreintensidades.

Un problema que se plantea en las salidas de los amplificadores es la proteccin de los transistores frente a posibles cortocircuitos accidentales, con el fin de evitar la destruccin de los mismos. En estos casos, la proteccin mediante fusibles no es acertada, dada la lentitud de actuacin de los mismos. Se estudian a continuacin una serie de circuitos limitadores de corriente.
Limitacin por corriente constante
Fig 4. 29 Limitacin por corriente constante: Circuito y Caracterstica Tensin - Corriente
Se emplea con niveles bajos de corriente. Si se produce un cortocircuito accidental (RL = 0 ) y est conduciendo el transistor T4, la cada de tensin en la resistencia de emisor aumentar y provocar la conduccin del transistor limitador T3,
32
que absorber parte de la corriente de la base del transistor de salida T4. Esto provoca que disminuya la tensin de salida y por lo tanto una limitacin de la corriente total suministrada a la carga. El otro transistor de salida (T5) es protegido por T1 en conexin con T2. El efecto de la limitacin por corriente constante se puede ver en la caracterstica tensin-corriente de la figura 4.29 El valor de la resistencia de emisor es funcin de la corriente de cortocircuito, ISC
RE =
VBE I SC
E4. 50
Con este mtodo siempre se dispone de corriente de carga, pero su valor queda limitado y la eliminacin de la causa que provoca el cortocircuito vuelve a producir el funcionamiento normal del circuito. El principal inconveniente es que en caso de cortocircuito, la potencia que debe disipar el transistor de salida T4 es muy elevada al estar aplicada en l toda la tensin de entrada y circular la mxima corriente de cortocircuito. En la eleccin del transistor se debe tener en cuenta este valor de la potencia, para no superar las limitaciones de la curva SOA. El valor de la potencia disipada por el transistor T4 en caso de cortocircuito ser
PD = (VCC VBE ) I SC
Limitacin de corriente regresiva (Foldback)
E4. 51
En esta configuracin se limita el valor de la corriente de cortocircuito a un valor inferior al de la mxima corriente permitida. El funcionamiento es similar al de la limitacin de corriente constante. Los transistores limitadores T2 y T3 estn normalmente bloqueados; si se produce un cortocircuito, aumenta la corriente entre los terminales de salida del amplificador, aumentando la tensin base emisor de los transistores limitadores. Al llegar esta tensin a un valor prefijado mediante el potencimetro R3, los transistores entran en conduccin, restando parte de la corriente a la etapa de salida formada por los transistores T4 y T5.
Fig 4. 30 Proteccin por limitacin de corriente regresiva (Foldback): Circuito y caracterstica tensin corriente
33
La corriente mxima, Imx se calcula segn las ecuaciones:
VR3 = Vsal + VBE
VR3 = R 3
V1 R2 + R3
V1 = Vsal + I mx R E
I mx = VR 3
R 2 + R 3 Vsal RE R3 RE
R3 R2 + R3
E4. 52
Llamando M al factor de realimentacin del divisor de tensin formado por R2 R3
M=
E4. 53
Relacionando las expresiones anteriores, se tiene una nueva expresin para Imax
I mx = I SC +
(1 M ) Vsal
M RE VBE M RE
E4. 54
El valor de la corriente de cortocircuito viene dada por:
I SC =
E4. 55
La resistencia de emisor en funcin de la corriente mxima, se obtiene despejando M en la expresin [E4.55], sustituyendo en la [E4.54] y despejando
Vsal ISC RE = Vsal I mx 1 + V I BE SC PD = (VCC Vsal V1 ) ISC V1 = R E ISC
E4. 56
La potencia disipada en los transistores de salida es menor que en el caso del apartado anterior, y viene dada por la expresin:
E4. 57
donde:
En la figura 4.30 se puede ver la caracterstica de salida en la que se observa que la corriente de cortocircuito es menor que la mxima que proporciona el circuito. En la figura 4.31 se aprecian los puntos de funcionamiento cuando se usa este mtodo de limitacin. Como la mxima potencia se disipa durante el cortocircuito, y en este caso es menor que la que puede entregar la fuente, el aprovechamiento del rea de funcionamiento seguro (SOA) es mayor, lo que permite la utilizacin de transistores de salida ms pequeos.
Fig 4. 31 Disipacin de potencia con protecciones contra cortocircuito para los casos de corriente constante y corriente regresiva. En el segundo caso no se sobrepasa la curva SOA
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Bibliografa
AGUILAR PEA, J. D.; DOMENECH MARTNEZ, A.; GARRIDO SNCHEZ, J. Simulacin Electrnica con PsPice. Ed. RA-MA. Madrid, 1995. AGUILAR PEA, J. D.; VALERO SOLAS, D. Amplificadores De potencia. Teora y problemas. Ed. Paraninfo, Madrid 1993. GRAY, PAUL R.; MEYER, ROBERT G. Anlisis y diseo de Circuitos Integrados Analgicos. Ed. Prentice Hall, cop, Mxico 1995. RASHID, M. H. Circuitos microelectrnicos. Anlisis y diseo. Thomson, 2000. RUIZ, ROBREDO, G. A. Electrnica bsica para ingenieros. Dpto. Electrnica y Computadores. Facultad de ciencias, Universidad de Cantabria. <http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/html.files/libroweb.html> [Consulta: 21 de enero de 2005] SAVANT, C. J. et al. Diseo electrnico. Addison Wesley iberoamericana, 1992.
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Tema 5.- Tiristores Introduccin. Tiristor: Estructura y caractersticas, principios de funcionamiento. Nomenclatura. Caractersticas estticas y dinicas. Mtodos de disparo: Disparo por puerta, otros mtodos de disparo. Limitaciones de frecuencia. Lmites de pendientes de tensin. Limitaciones trmicas. Extincin del SCR: Conmutacin natural, conmtacin forzada Tema 6.- Gobierno de tiristores y triac y ejemplos de aplicaciones
5.1 Introduccin 5.2 Estructura 5.3 Principio de funcionamiento 5.3.1 Tensin nodo ctodo negativa, VAK < 0 5.3.2 Tensin nodo ctodo positiva, VAK > 0 5.4 Nomenclatura y Caractersticas 5.4.1 Nomenclatura 5.4.2 Caractersticas Caractersticas estticas Caractersticas de control Construccin de la curva caracterstica de puerta Caractersticas de conmutacin Caractersticas trmicas 5.5 Mtodos de disparo 5.5.1 Disparo por puerta 5.5.2 Disparo por mdulo de tensin 5.5.3 Disparo por gradiente de tensin 5.5.4 Disparo por radiacin 5.5.5 Disparo por temperatura 5.6 Limitaciones del Tiristor 5.6.1 Frecuencia de funcionamiento 5.6.2 Pendiente de tensin, dv/dt 5.6.3 Pendiente de intensidad, di/dt 5.6.4 Proteccin contra sobrecarga de larga duracin (cortocircuito) 5.6.5 Limitaciones de la temperatura 5.7 Extincin del Tiristor. Tipos de conmutacin 5.7.1 Conmutacin natural 5.7.2 Conmutacin forzada
1 2 2 2 3 5 5 8 8 9 9 15 17 18 18 20 20 20 21 21 21 22 25 28 29 32 32 33
5.8 Tipos de Tiristores 5.8.1 Triac 5.8.2 GTO 5.8.3 MCT
42 43 45 47
TEMA 5: TIRISTOR
5.1 Introduccin
El tiristor (tambin llamado SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la disposicin PNPN. Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. El instante de conmutacin (paso de corte a conduccin), puede ser controlado con toda precisin actuando sobre el terminal de puerta, por lo que es posible gobernar a voluntad el paso de intensidades por el elemento, lo que hace que el tiristor sea un componente idneo en electrnica de potencia, ya que es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez como se comprobar con posterioridad. El tiristor es un elemento unidireccional y slo conduce corriente en el sentido nodo ctodo, siempre y cuando el elemento est polarizado en sentido directo (tensin nodo ctodo positiva) y se haya aplicando una seal en la puerta. Para el caso de que la polarizacin sea inversa, el elemento estar siempre bloqueado. En la curva caracterstica idealizada del SCR, se pueden apreciar tres zonas Zona 1. VAK positiva (nodo con mayor potencial que ctodo). La IA (intensidad de nodo) puede seguir siendo nula. El dispositivo se comporta como un circuito abierto (se encuentra en estado de bloqueo directo).
Fig 5.1 Smbolo y curva caracterstica ideal del tiristor.
Zona 2. VAK positiva. En este instante se introduce una seal de mando por la puerta que hace que el dispositivo bascule del estado de bloqueo al estado de conduccin, circulando una IA por el dispositivo, intensidad que estar limitada slo por el circuito exterior. El elemento est en estado de conduccin. El paso de conduccin a corte se hace polarizando la unin nodo - ctodo en sentido inverso provocando que la intensidad principal que circula se haga menor que la corriente de mantenimiento (IH).
Fig 5.2 Curva caracterstica real del tiristor.
TEMA 5: TIRISTOR
Zona 3. VAK negativa. La IA es nula, por lo que el dispositivo equivale a un circuito abierto, encontrndose en estado de bloqueo inverso.
5.2 Estructura
Fig 5.3 Modelo de Tiristor: Cuatro capas. Tres diodos. Distintos tipos de encapsulado para el tiristor
El tiristor (SCR), est formado por cuatro capas semiconductoras P y N, ver figura 5.3 Estas cuatro capas forman 3 uniones PN: U1 (P1-N1), U2 (N1-P2) y U3 (P2-N2), que se corresponden con 3 diodos. El comportamiento de estos diodos no es independiente, ya que hay capas comunes entre ellos, y por tanto habr interacciones que determinan el comportamiento final.
5.3 Principio de funcionamiento

En este apartado se estudian las diferentes situaciones que se pueden presentar dependiendo de la seal de puerta y de la polaridad de la tensin aplicada entre nodo y ctodo.
5.3.1 TENSIN NODO CTODO NEGATIVA, VAK < 0

En estas condiciones los diodos U1 y U3 de la figura 5.3 quedan polarizados en sentido inverso y el diodo U2 en sentido directo. Las corrientes en las uniones U1 y U3 estn producidas por el transporte de portadores minoritarios, es decir, en dichas uniones los huecos pasarn de N a P a la vez que los electrones pasarn de P a N. Dado que el nmero de electrones y de huecos puestos en juego es muy pequeo, la corriente inversa ser tambin muy pequea. Ver figura 5.4
I A = IS1 = IS3 = IS e qv
kt
1 IS
E5. 1
La corriente IA obtenida mediante esta ecuacin es muy pequea, y por lo tanto, idealmente, se puede considerar que es nula para cualquier valor de VAK inferior a VRSM (tensin inversa mxima). En estas condiciones de trabajo, el dispositivo se comporta como un circuito abierto.
Fig 5.4 Distribucin de huecos y electrones en el tiristor para VAK <0
TEMA 5: TIRISTOR
5.3.2 TENSIN NODO CTODO POSITIVA, VAK > 0
Tensin nodo-ctodo negativa [5_1]
Tensin nodo-ctodo positiva [5_2]
Fig 5.5 Flujo de electrones y huecos en el tiristor.
Sin excitacin de puerta

En estas condiciones, si no se aplica ninguna seal en la puerta (G), las uniones U1 y U3 estarn polarizadas en sentido directo, estando la unin U2 polarizada en sentido inverso, y por el mismo razonamiento anterior, se llega a la conclusin de que la nica corriente que circula por el dispositivo es la corriente inversa de saturacin, IS2 del diodo formado en la unin U2.
Con excitacin de puerta.

Si se aumenta la corriente a travs de la unin U2 inyectando corriente por la base, disminuye la polarizacin inversa de U2. En estas condiciones una vez disparado el tiristor, idealmente, se comporta como un cortocircuito. La tensin nodo ctodo, VAK en conduccin es del orden de 1 a 2V. Podemos utilizar el modelo equivalente de dos transistores para analizar el funcionamiento del tiristor. Estos transistores estn conectados de forma que se obtiene una realimentacin positiva.
Fig 5.6 Modelo equivalente
Suponiendo que la regin P1 tenga aplicada una tensin positiva con respecto a la zona N2, las uniones U1 y U3 emiten portadores de carga positivos y negativos respectivamente hacia las regiones N1 y P2 respectivamente. Estos portadores tras su difusin en las bases de los transistores llegarn a la unin U2 donde la carga espacial crea un intenso campo elctrico. Si 1 es la ganancia de corriente de Q1 (fraccin de la corriente de huecos inyectada en el emisor y que llega al colector del transistor NPN) y 2 es la ganancia de corriente de Q2:
TEMA 5: TIRISTOR
I C1 = 1 I E 1 + I CO1 I C 2 = 2 I E 2 + I CO 2 IK = IE 2 = IA + IG
I A = I E1
I A = I C1 + I C 2 = (1 I E 1 + I CO 1 ) + ( 2 I E 2 + I CO 2 ) I A = 1 I A + 2 I K + I COX = 1 I A + 2 (I A + I G ) + I COX
IA = 2 I G + I COX 1 ( 1 + 2 )
La corriente de nodo depende de la corriente de puerta y de 1 y 2 (ICOX es muy pequea). En algunos transistores de Si, la ganancia es baja para valores reducidos de corriente, pero aumenta cuando lo hace la corriente. Para IG = 0, ICO1 + ICO2 es reducida, el denominador se acerca a la unidad (tiristor OFF). Por el contrario, cuando por cualquier motivo aumenta la corriente de fugas (ICO1 + ICO2) lo hace tambin la corriente y la ganancia (1+2)1 y la corriente de nodo tiende a infinito (tiristor ON). Cuando aumenta la corriente de fugas debido a un aumento de la tensin nodo-ctodo puede dispararse el SCR y este mtodo es desaconsejado en la mayora de los casos.
Modos de disparo.
Se pueden deducir dos modos de disparo para el SCR

Por tensin suficientemente elevada aplicada entre A K, lo que provoca que el tiristor entre en conduccin por efecto de "avalancha" (Efecto no deseado) Por intensidad positiva de polarizacin en la puerta.
Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de polarizacin inversa, existen unas pequeas corrientes de fugas.
5.4 Nomenclatura y Caractersticas

5.4.1 NOMENCLATURA
Fig 5.7 Simbologa empleada
La nomenclatura utilizada para designar los diferentes parmetros es: (V, v) para la tensin, (I, i) para la intensidad y (P) para la potencia. En funcin del parmetro que en cada momento se quiera identificar, se aaden unos subndices que se desglosan a continuacin.
Caractersticas del SCR [5_3]
TEMA 5: TIRISTOR
VDRM Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo directo. (Repetitive peak off-state voltage). Expresa el valor mximo de voltaje repetitivo para el cual el fabricante garantiza que no hay conmutacin, con la puerta en circuito abierto. VDSM Tensin de pico no repetitivo en estado de bloqueo directo. (Non -repetitive peak off - state voltage). Valor mximo de tensin en sentido directo que se puede aplicar durante un determinado periodo de tiempo con la puerta abierta sin provocar el disparo. VDWM Tensin mxima directa en estado de trabajo. (Crest working off - state voltage). Valor mximo de tensin en condiciones normales de funcionamiento. VRRM Tensin inversa de pico repetitivo. (Repetitive peak reverse voltage). Valor mximo de tensin que se puede aplicar durante un cierto periodo de tiempo con el terminal de puerta abierto. VRSM Tensin inversa de pico no repetitivo. (Non - repetitive peak reverse voltage). Valor mximo de tensin que se puede aplicar con el terminal de puerta abierto. VRWM Tensin inversa mxima de trabajo. (Crest working reverse voltage). Tensin mxima que puede soportar el tiristor con la puerta abierta, de forma continuada, sin peligro de ruptura. VT Tensin en extremos del tiristor en estado de conduccin. (Forward on - state voltage). VGT Tensin de disparo de puerta. (Tensin de encendido). (Gate voltage to trigger). Tensin de puerta que asegura el disparo con tensin nodo - ctodo en directo. VGNT Tensin de puerta que no provoca el disparo. (Non - triggering gate voltage). Voltaje de puerta mximo que no produce disparo, a una temperatura determinada. VRGM Tensin inversa de puerta mxima. (Peak reverse gate voltage). Mxima tensin inversa que se puede aplicar a la puerta. VBR Tensin de ruptura. (Breakdown voltage). Valor lmite que si es alcanzado un determinado tiempo en algn momento, puede destruir o al menos degradar las caractersticas elctricas del tiristor. IT(AV) Corriente elctrica media. (Average on - state current). Valor mximo de la corriente media en el sentido directo, para unas condiciones dadas de temperatura, frecuencia, forma de onda y ngulo de conduccin. IT(RMS) Intensidad directa eficaz. (R.M.S. on state current). ITSM Corriente directa de pico no repetitiva. (Peak one cycle surge on - state current). Corriente mxima que puede soportar el tiristor durante un cierto periodo de tiempo.
TEMA 5: TIRISTOR
ITRM Corriente directa de pico repetitivo. (Repetitive peak on - state current). Intensidad mxima que puede ser soportada por el dispositivo por tiempo indefinido a una determinada temperatura. IRRM Corriente inversa mxima repetitiva. (Corriente inversa). (Reverse current). Valor de la corriente del tiristor en estado de bloqueo inverso. IL Corriente de enganche. (Latching current). Corriente de nodo mnima que hace bascular al tiristor del estado de bloqueo al estado de conduccin. IH Corriente de mantenimiento. (Holding current). Mnima corriente de nodo que conserva al tiristor en su estado de conduccin. IDRM Corriente directa en estado de bloqueo. (Off - state current). IGT Corriente de disparo de puerta. (Gate current to trigger). Corriente de puerta que asegura el disparo con un determinado voltaje de nodo. IGNT Corriente de puerta que no provoca el disparo. (Non-triggering gate current). ITC Corriente controlable de nodo. (Controllable anode current). (Para el caso de tiristores GTO). I2t Valor lmite para proteccin contra sobreintensidades. (I2t Limit value). Se define como la capacidad de soportar un exceso de corriente durante un tiempo inferior a medio ciclo. Permite calcular el tipo de proteccin. Se debe elegir un valor de I2t para el fusible de forma que: I2t (fusible) < I2t (tiristor) PGAV Potencia media disipable en la puerta. (Average gate power dissipation). Representa el valor medio de la potencia disipada en la unin puerta-ctodo. PGM Potencia de pico disipada en la puerta. (Peak gate power dissipation). Potencia mxima disipada en la unin puerta-ctodo, en el caso de que apliquemos una seal de disparo no continua. Ptot Potencia total disipada. (Full power dissipation). En ella se consideran todas las corrientes: directa, media, inversa, de fugas, etc. Su valor permite calcular el radiador, siempre que sea preciso. Tstg Temperatura de almacenamiento. (Storage temperature range). Margen de temperatura de almacenamiento. Tj Temperatura de la unin. (Juntion temperature). Indica el margen de la temperatura de la unin, en funcionamiento. Rth j-mb ; Rj-c; R JC Resistencia trmica unin-contenedor. (Thermal resistance, Junction to ambient) Rth mb-h; Rc-d Resistencia trmica contenedor - disipador. (Thermal resistance from mounting base to heatsink).
E5. 2
TEMA 5: TIRISTOR
Rth j-a; Rj-a; R JA Resistencia trmica unin - ambiente. (Termal resistance juntion to ambient in free air). Zth j-mb; Zj-c; ZJC(t) Impedancia trmica transitoria unin - contenedor. (Transient thermal impedance, juntion - to case). Zth j-a; Zj-a; Z JA(t) Impedancia trmica transitoria unin - ambiente. (Transient thermal impedance, juntion - to ambient). td Tiempo de retraso. (Delay time). tr Tiempo de subida (Rise time). tgt; ton Tiempo de paso a conduccin. (Gate - controlled turn on time). tq; toff Tiempo de bloqueo, (Circuit - commutated turn - off time). Intervalo de tiempo necesario para que el tiristor pase al estado de bloqueo de manera que aunque se aplique un nuevo voltaje en sentido directo, no conduce hasta que haya una nueva seal de puerta. di/dt Valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen puntos calientes. dv/dt Valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo de la cual no se produce el cebado sin seal de puerta. (dv/dt)C Valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo de la cual no se produce el nuevo cebado del SCR cuando pasa de conduccin a corte.
5.4.2 CARACTERSTICAS
El tiristor posee una serie de caractersticas que lo hacen apto para su utilizacin en circuitos de potencia:
Interruptor casi ideal. Amplificador eficaz (pequea seal de puerta produce gran seal A K). Fcil controlabilidad. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (Memoria). Soporta altas tensiones. Capacidad para controlar grandes potencias. Relativa rapidez.
Las caractersticas de los tiristores pueden dividirse en cuatro grupos: estticas, de control, dinmicas y trmicas.
Caractersticas estticas
Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que colocan al elemento en el lmite de sus posibilidades. Su anlisis permite seleccionar, en una primera aproximacin, el tiristor que mejor se ajusta a las necesidades del problema que se trata de resolver.
TEMA 5: TIRISTOR
En general, bastar con observar los valores de los siguientes parmetros de entre los ofrecidos en las hojas de caractersticas del fabricante para seleccionar el elemento: VRWM, VDRM, VT, ITAV, ITRMS, IFD, IR, Tj, IH.
Fig 5.8 Caractersticas estticas
SKT10 [E 5_4]
Caractersticas de control.
Determinan la naturaleza del circuito de mando que mejor responde a las condiciones de disparo. En la prctica, las corrientes y tensiones necesarias para el basculamiento son sensiblemente las mismas en la mayora de los casos. Para la regin puerta - ctodo los fabricantes definen entre otras las siguientes caractersticas: VGFM, VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT, VGNT, IGT, IGNT Entre los parmetros ms importantes cabe destacar los siguientes: VGT e IGT que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor. VGNT e IGNT, muy importantes porque dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no basculan a conduccin.
Fig 5.9 Curva caracterstica de puerta del tiristor (Cortesa de Philips)
TEMA 5: TIRISTOR
La figura 5.9 muestra la curva caracterstica de puerta del tiristor. En ella se relacionan los distintos parmetros de puerta, destacndose el rea central que asegura el disparo del dispositivo por lo que se conoce con el nombre de rea de disparo seguro.Dentro de ste rea deben quedar incluidos todos los valores de corriente o tensin capaces o apropiados para poder producir el disparo. El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en aspectos tales como una cada de tensin en sentido directo ms elevada y una mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.
Construccin de la curva caracterstica de puerta

Como ya se ha dicho, la unin puerta ctodo se comporta como un diodo, por lo que se puede representar la caracterstica directa de dicho diodo. Para una misma familia de tiristores existe una gran dispersin, por lo que es necesario dibujar un determinado nmero de curvas pertenecientes a cada una de las uniones de las familias anteriormente mencionadas para as poder prever cada una de las posibles variaciones particulares. Para no complicar demasiado el proceso, se dibujan nicamente las dos curvas extremas, puesto que todas las dems quedan comprendidas entre ambas. En la figura 5.10 se observan las curvas de dispersin, y en trazo ms oscuro las dos curvas ms extremas.
VFG (V) VFG (V)
(a)
(A) IFG
(b)
(A) IFG
Fig 5.10 Zona de disparo por puerta (b) calculada a partir de las curvas de dispersin de la unin G-K (a)
Para analizar de manera grfica el concepto de disipacin mxima, se coge un tiristor tpico con los valores nominales y las caractersticas de puerta siguientes: VRGM max = 5V; PGAV max = 0.5W; PGM max = 5W; VGT > 3.5V; IGT > 65mA Si se coloca la curva de mxima disipacin de potencia de pico sobre la figura 5.10a se completa la curva caracterstica de puerta del tiristor. Esta curva representa el lugar geomtrico de V e I, de manera que:
PMAX = V I
De la misma forma se puede obtener la curva de potencia media. Se define ciclo de trabajo () como el cociente entre la potencia media y la potencia de pico
PG(AV) PGM
E 5. 3
De todo lo visto hasta ahora, se deduce que las tensiones e intensidades vlidas para producir el disparo deben estar comprendidas en la zona rayada de la figura 5.10b Dentro de esta zona cabe destacar un rea en la cual el disparo resulta inseguro y est determinado por el mnimo nmero de portadores necesarios en la unin puerta - ctodo para llevar al tiristor al estado de conduccin. Esta corriente mnima disminuye al aumentar la temperatura, tal y como se puede ver en la figura 5.11
TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.11 Zona de disparo inseguro del tiristor.
Fig 5.12
10
TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.13 Curva caracterstica de puerta. (Tened en cuenta que el eje x es logartmico, de ah la diferencia con la figura 5. 9)

Identificar en la tabla y la curva los parmetros estudiados para el tiristor SKT10 de Semikron.
SKT10 [E 5_4]
PROBLEMA 5.1
Sea una fuente de alimentacin de 220V de tensin eficaz, con picos de tensin de 220 2 = 311V, determinar las caractersticas mnimas que debe reunir el tiristor. Solucin: Para disponer de un margen de seguridad del 50%, se elige un tiristor que se dispare con una tensin superior a 311V 1.5 = 470V. Se elegir un tiristor con un valor de VDRM > 470 V y VDSM >>> VDRM
Sea una seal alterna que alimenta a un circuito formado por un SCR y una carga: La corriente y la tensin media que un tiristor dejar pasar a la carga variarn en funcin del instante en el que se produzca el disparo, del que van a depender factores tales como la potencia entregada y la potencia consumida por el dispositivo, de forma que cuanto mayor sea el ngulo de conduccin, mayor potencia se tendr a la salida del tiristor, ver figura 5.14 Como se deduce directamente de la figura 5.14, cuanto mayor sea el ngulo de bloqueo (ngulo de disparo), menor ser el ngulo de conduccin 180 = ngulo de conduccin + ngulo de disparo
E5. 4
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TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.14 ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor cuando la seal de entrada es alterna senoidal
Es muy importante conocer la variacin de la potencia total en el elemento semiconductor debido a las prdidas del mismo en funcin de los diferentes ngulos de conduccin, para as poder determinar la temperatura, tanto en la unin de montaje, como en la cpsula, y as poder calcular las protecciones (disipadores) oportunos para la proteccin del circuito. A continuacin vamos a ver un ejemplo de funcionamiento, el clsico rectificador controlado de media onda.
PROBLEMA 5.2
Para el circuito simple de control de potencia con carga resistiva de la figura, calcular: La tensin de pico en la carga, la corriente de pico en la carga, la tensin media en la carga y la corriente media en la carga. Realizar tambin un estudio del circuito mediante el programa Pspice, obteniendo las formas de onda para un ngulo de retardo = 60. Comprobar que los apartados calculados en el ejercicio, coinciden con las simulaciones. Datos: Ve (RMS) = 120V, f = 50Hz, = 60, RL = 10
Fig 5.15 Circuito para la simulacin con Pspice
Solucin: - Tensin de pico en la carga Se corresponde con el valor de la tensin mxima suministrada por la fuente:
Vp (carga ) = Vmx = 2 Ve (RMS ) Vp (carga ) = 169.7 V

- Corriente de pico en la carga Se obtiene a partir del valor de la tensin de pico en la carga
I p (carga ) =
Vp (carga ) RL
I p (carga ) = 16.67 A
12
TEMA 5: TIRISTOR
- Tensin media en la carga
Vmed =
Vmx V V sen (wt ) dwt = mx [ coswt ] = mx (1 + cos ) Vmed = 40.5 V 2 2 2
- Corriente media en la carga Se calcula utilizando la ecuacin anterior, pero sustituyendo el valor de Vmx por el valor de Imx
I med =
I mx (1 + cos ) I med = 4.05 A 2
A continuacin se realiza la simulacin del circuito mediante Pspice, gracias a la cual se obtienen las seales de tensin en la carga y en el tiristor. Se insta al lector a que simule el circuito y compruebe los resultados obtenidos.
*Problema5_2.CIR *E.P.S. JAEN DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA * CIRCUITO DE CONTROL SIMPLE DE POTENCIA; *FUENTE DE TENSION VS 1 0 SIN ( 0 169.7V 50Hz ) VG 4 2 PULSE ( 0V 10V 3333.3US 1NS 1NS 100US 20MS ) VI 3 0 DC 0V *RESISTENCIA DE CARGA RL 2 3 10OHM *SEMICONDUCTOR XT1 1 2 4 2 SCR; ANODO CATODO PUERTA CATODO *SUBCIRCUITO DEL TIRISTOR; MODELO DE M. H. RASHID (Power electronics 2 edicion, Prentice Hall) .SUBCKT SCR 1 2 3 2 S1 1 5 6 2 SMOD .MODEL SMOD VSWITCH (RON = 0.0125 ROFF = 10E+5 VON = 0.5V VOFF = 0V) RG 3 4 500HM VX 4 2 DC 0V VY 5 7 DC 0V DT 7 2 DMOD .MODEL DMOD D ( IS = 2.2E-15 BV = 1800 TT = 0V ) RT 6 2 1OHM CT 6 2 10UF F1 2 6 POLY(2) VX VY 0 50 11 .ENDS SCR *ANALISIS A REALIZAR .TRAN 20US 50MS .PROBE .OPTIONS ABSTOL = 1.0N RELTOL = 1.0M VNTOL = 1.0M ITL5 = 10000 .END
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TEMA 5: TIRISTOR
Modificar en Pspice el valor del ngulo de retardo del SCR y observar la tensin instantnea de salida V (2). Utiliza RMS ( ) y AVG ( ) para el clculo
PROBLEMA 5.3
En el circuito de la figura 5.16 comentar el funcionamiento del circuito desde 0 a 2, determinar el valor de la tensin y corriente eficaz en la carga.
Fig 5.16 Circuito
Solucin: 1) 0 wt . El SCR est bloqueado. En estas condiciones no circula ninguna corriente por la carga (IL = 0) y la VAK = Vm sen 2) wt < . En el instante wt = el circuito de disparo aplica un pulso que hace entrar el SCR en conduccin. Aparece una corriente por la carga de valor IL = Vmsen/ZL, si se desprecia la cada de tensin en el SR (VAK ~ 0V). En estas condiciones,
VS = VL + VAK
3) wt < 2. En el instante = el SCR conmuta a corte de forma natural. En el semiperiodo negativo el SCR se mantiene a corte porque la tensin del nodo es inferior a la del ctodo. La corriente es nula (IL = 0) y la VAK = Vm sen
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TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.17 Formas de onda para el circuito de la figura 5.16

2
I RMS =
1 2
(I )
L 0
dwt =
1 (Vm sen )2 dwt = 2

2 2 (VL ) dwt = 0
1 2 sen 2 Vm 2 4 2
VRMS =
1 2
2 Vm sen 2 2 4 2
Prms =
2 2 Vrms 1 I V d wt = V I = = I2 L L rms rms rms Z L 2 0 ZL
Caractersticas de conmutacin
Los tiristores, al no ser interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar del estado de bloqueo al estado de conduccin y viceversa. Para frecuencias inferiores a 400 Hz se pueden ignorar estos efectos. En la mayoria de las aplicaciones se requiere una conmutacin ms rpida (mayor frecuencia), por lo que ste tiempo debe tenerse en cuenta. Se realiza el anlisis por separado del tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin o tiempo de encendido, ton y el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte o tiempo de apagado, toff Tiempo de Encendido, ton El tiempo de encendido o tiempo en pasar de corte a conduccin, tON se puede dividir en dos tiempos: Tiempo de retardo, td y Tiempo de subida, tr
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TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.18 Representacin grfica del tiempo de encendido, tON.
El tiempo de retardo, tambin llamado tiempo de precondicionamiento, td es el tiempo que trascurre desde que el flanco de ataque de la corriente de puerta alcanza la mitad de su valor final (50%) hasta que la corriente de nodo IA alcanza el 10% de su valor mximo para una carga resistiva, ver figura 5.18 El tiempo de retardo depende de la corriente de mando, de la tensin nodo - ctodo y de la temperatura, td disminuye si estas magnitudes aumentan. El tiempo de subida, tr es el tiempo necesario para que la corriente de nodo IA pase del 10% al 90% de su valor mximo para una carga resistiva. Este tiempo se corresponde tambin con el paso de la cada de tensin en el tiristor del 90% al 10% de su valor inicial. Ver figura 5.18 La amplitud de la seal de puerta y el gradiente de la corriente de nodo, juegan un papel importante en la duracin del tr que aumenta con los parmetros anteriores. El tiempo de cebado o tiempo de encendido, debe ser lo suficientemente corto, como para no ofrecer dificultades en aplicaciones de baja y de mediana frecuencia. La suma de los dos tiempos anteriores, td y tr es el tiempo de cierre tON, trascurrido el cual el tiristor se satura comenzando la conduccin. Otro factor, de gran importancia, que se debe tener en cuenta es el hecho de que durante el cebado del dispositivo, el impulso slo afecta a la parte vecina del electrodo de puerta, con lo cual el paso del tiristor del estado de corte a conduccin est limitado en principio a esta superficie inicialmente cebada. Como la cada de tensin en el tiristor no se efecta de una forma instantnea, simultneamente se pueden presentar valores altos de tensin y de corriente, alcanzndose valores muy altos de potencia. La energa ser disipada en un volumen muy reducido, en las cercanas de la puerta que es donde comienza la conduccin, dando lugar a un calentamiento considerable. Si se alcanzase en algn momento el lmite trmico crtico, podra destruirse la zona conductora por fusin de la pastilla de silicio. Esto se conoce con el nombre de destruccin por dI/dt. Sobre los tiempos anteriores (td y tr) pueden influir una serie de parmetros entre los que cabe destacar los que influyen sobre td : Tiempo de subida, Amplitud de la corriente de nodo y tensin de nodo.
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TEMA 5: TIRISTOR
Tiempo de apagado, toff Para comprender mejor el estudio del tiempo de apagado (extincin) del tiristor, es decir el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo (toff), hay que tener en cuenta las formas de onda caractersticas que aparecen en la figura 5.19
Fig 5. 19 Tiempo de apagado.
La extincin del tiristor se producir por dos motivos: Por reduccin de la corriente de nodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo. El tiempo de apagado, toff se puede subdividir en dos tiempos parciales: el tiempo de recuperacin inversa, trr y el tiempo de recuperacin de puerta, tgr
t off = t rr + t gr
E5. 5
Si la tensin aplicada al elemento cambia de sentido y lo polariza inversamente, la corriente directa se anula, alcanzndose un valor dbil de corriente inversa, ir. Las cargas acumuladas en la conduccin del tiristor se eliminan entonces parcialmente, pudindose definir un tiempo de recuperacin inversa, trr, desde t1 a t3 en la figura 5.19. El resto de las cargas almacenadas se recombinan por difusin. Cuando el nmero de cargas es suficientemente bajo, la puerta recupera su capacidad de gobierno: puede entonces volver a aplicarse la tensin directa sin riesgo de un nuevo cebado. Este tiempo se denomina tiempo de recuperacin de puerta, tgr. Los parmetros que influyen sobre el tiempo de apagado, toff son: Corriente en estado de conduccin, IT Elevados picos de corriente implican mayores tiempos de apagado.
Tensin inversa, VR Pequeos valores de VR implican grandes tiempos de extincin. Para limitar esta tensin aproximadamente a un voltio, se coloca un diodo en antiparalelo con el tiristor. Velocidad de cada de la corriente de nodo, dI/dt. Altos valores de dI/dt implican bajos tiempos de apagado.
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TEMA 5: TIRISTOR
Pendiente de tensin, dVD/dt. Elevados valores de pendiente de tensin implican mayores toff. Temperatura de la unin, Tj o del contenedor, Tc. Altas temperaturas implican mayores toff. Codiciones de puerta. La aplicacin de una tensin negativa de puerta durante la recuperacin inversa reduce el toff. Es importante no aplicar un valor excesivo de tensin inversa en la puerta.
Fig 5.20 Caractersticas dinmicas del tiristor BT151
Caractersticas trmicas
Para proteger a los dispositivos de este aumento de temperatura, los fabricantes proporcionan en las hojas de caractersticas una serie de datos trmicos que permiten determinar las temperaturas mximas que puede soportar el elemento sin destruirse y el clculo del disipador adecuado que ya se estudiaron en el tema 3.
Fig 5.21 Caractersticas trmicas del tiristor BT151
Fig 5.22 Estructura de un tiristor

Identificar en las caractersticas del SCR BT151 cada uno de los parmetros estudiados.
BT151 [E 5_5]
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TEMA 5: TIRISTOR
5.5 Mtodos de disparo

Para que se produzca el cebado (disparo) de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en sentido directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que la corriente de enganche, IL corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que el tiristor, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular a travs de l una corriente mnima de valor IH (corriente de mantenimiento), que limita el estado de conduccin y el estado de bloqueo directo. Los distintos modos de disparo de los tiristores son: Disparo por puerta, Disparo por mdulo de tensin (V), Disparo por gradiente de tensin (dV/dt), Disparo por radiacin y Disparo por temperatura. Normalmente se usa el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados, por lo que han de ser evitados.
5.5.1 DISPARO POR PUERTA

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad (generalmente), mediante la conexin de un generador adecuado entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que se mantiene una tensin positiva entre nodo y ctodo. Cuando se aplica una tensin VG, se consigue bajar el potencial (A - K) necesario para disparar al tiristor, hasta un valor inferior al de VAK aplicado en ese momento.
Fig 5.23 Circuito de control por puerta de un tiristor. Curva caracterstica y curva de mxima disipacin de potencia.
En el SCR tradicional, una vez disparado el dispositivo, se pierde el control por puerta. En estas condiciones, si se quiere bloquear al elemento, se debe hacer que la VAK sea menor que la tensin de mantenimiento VH y que la IA (Intensidad de nodo), sea menor que IH (corriente de mantenimiento). Al disparar el elemento se debe tener presente que el producto entre los valores de corriente y tensin, entre puerta y ctodo, deben estar dentro de la zona de disparo seguro y no exceder los lmites de disipacin de potencia de puerta. Para poder asegurar que se est dentro de sta zona, se monta el circuito de la figura anterior. El valor de la resistencia, R vendr determinado por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia de la curva caracterstica de puerta del tiristor; su valor responde a la siguiente expresin, ver figura 5.23
R=
VFG I FG
E5. 6
Una vez delimitado el valor mximo que resulta apropiado para el disparo, se debe tener en cuenta que existe un nivel mnimo por debajo del cual el disparo resulta inseguro, puesto que no se alcanzara el mnimo nmero de portadores, necesarios para producir el cebado del tiristor y por tanto su paso a conduccin.
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TEMA 5: TIRISTOR
PROBLEMA 5.4
El circuito de la figura, representa un circuito simple de control de potencia que utiliza un tiristor como elemento de control de una carga resistiva. Determinar el valor de V necesario para producir el disparo del tiristor. Suponiendo que se abre el interruptor, una vez disparado el tiristor, calcular el valor mnimo de tensin, VE que provoca el apagado del mismo. Datos: VE = 300V, R = 500, RL = 20 SCR: VH = 2V, IH = 100mA, VG = 0.75V, IG = 10mA
Fig 5.24 Circuito de control de potencia
Solucin: Aplicando las leyes de Kirchoff a la malla de puerta del circuito de la figura anterior, se obtiene el siguiente valor para la tensin en la fuente
V = VG + R I G = 5.75 V
Cuando el tiristor se dispara, la tensin entre nodo y ctodo no ser nula (conmutador ideal), sino que cae una tensin dada por VH = 2V La corriente que circula por la carga una vez que ha sido disparado el tiristor ser
IL =
VE VH = 14.9 A RL
Esta corriente debe ser menor que la corriente de mantenimiento para que el tiristor conmute a apagado, por lo tanto
VE < I H R L + VH = 4V
5.5.2 DISPARO POR MDULO DE TENSIN

El disparo por mdulo de tensin se puede explicar mediante el mecanismo de multiplicacin por avalancha. Este mtodo de disparo se puede desarrollar basndose en la estructura de un transistor, as si se aumenta la tensin colector - emisor, se alcanza un punto en el que la energa de los portadores asociados a la corriente de fugas es suficiente para producir nuevos portadores en la unin de colector, que hacen que se produzca el fenmeno de avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar el tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocado por sobretensiones anormales en los equipos electrnicos.
5.5.3 DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN

A un tiristor se le aplica un escaln de tensin positiva entre nodo y ctodo con tiempo de subida muy corto (del orden de microsegundos), la capacidad se carga a:
i=C
dv dt
[5_6]
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TEMA 5: TIRISTOR
Si esta intensidad de fugas es lo suficientemente grande, tanto como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor entrar en estado de conduccin estable, permaneciendo as una vez pasado el escaln de tensin que lo dispar. Para producir este tipo de disparo bastarn escalones de un valor final bastante menor que el valor de la tensin de ruptura por avalancha, con tal de que el tiempo de subida sea suficientemente corto. En la figura 5.25, est representada la zona en la que el tiristor se dispar por una variacin brusca y positiva de la tensin de nodo
[5_7]
Fig 5.25 Zona de disparo por gradiente de tensin.
En tiristores de baja potencia es aconsejable conectar entre puerta y ctodo una resistencia por la que se derive parte de la intensidad de fugas antes comentada.
5.5.4 DISPARO POR RADIACIN

El disparo por radiacin est asociado a la creacin de pares electrn - hueco por la absorcin de luz por el elemento semiconductor. La accin de la radiacin electromagntica de una determinada longitud de onda provoca la elevacin de la corriente de fugas de la pastilla por encima del valor crtico, obligando al disparo del elemento. Los tiristores preparados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles (llamados LASCR o Light Activated SCR) son de pequea potencia y se utilizan como elementos de control todo - nada.
Fig 5.26 Estructura interna de un fototiristor
5.5.5 DISPARO POR TEMPERATURA

El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados en las uniones del semiconductor.
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TEMA 5: TIRISTOR
Resumiendo
Disparo
Polarizacin positiva nodo - ctodo. (nodo positivo respecto a ctodo). El electrodo de control (puerta), en el momento en que se desee provocar el disparo, debe recibir un pulso positivo (respecto a la polarizacin que en ese momento exista en el ctodo) durante un tiempo suficiente como para que IA sea mayor que la intensidad de enganche.
Circuitos de disparo de SCR [5_8]
Corte En el momento en que el tiristor se dispara, se pierde el control por puerta. Para desactivarlo se deber realizar uno de los siguientes procesos
Anular la tensin que se tiene aplicada entre nodo y ctodo. Incrementar la resistencia de carga hasta que la corriente de nodo sea inferior a la corriente de mantenimiento, IH o forzar de alguna otra manera que IA < IH.
5.6 Limitaciones del Tiristor

Las limitaciones ms importantes de los tiristores son debidas a la frecuencia de funcionamiento, a la pendiente de tensin (dv/dt), a la pendiente de intensidad (di/dt) y a la temperatura.
5.6.1 FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO

Dependiendo del tiempo de apertura, los tiristores se pueden clasificar en dos grupos: Tiristores de corto tiempo de apertura (tiristores rpidos) y tiristores que no exigen, por sus condiciones de utilizacin, caractersticas especiales de apertura. El tiempo de apertura puede superar los 100 s. A estos tiristores se les define como tiristores lentos. Incluso si se trabaja con tiristores rpidos, no se pueden superar ciertos valores de frecuencia. Estos valores lmite vendrn impuestos por la propia duracin del proceso de apertura y cierre del dispositivo, condiciones intrnsecas imputables al dispositivo. As la frecuencia, rara vez, podr superar los 10 KHz. El hecho de trabajar a frecuencias altas, impone al tiristor restricciones de di/dt; se puede decir que el dispositivo "conserva en la memoria" el calentamiento producido por esta di/dt. Esto es debido a la imposibilidad del elemento semiconductor para poder disipar el exceso de calor producido en su interior. Por todo lo expuesto anteriormente, se puede afirmar que para valores muy altos de di/dt y con frecuencias crecientes, se denota una fuerte disminucin de la capacidad de conduccin del elemento.
Fig 5.27 a) Respuesta de la temperatura de la unin a un pulso de corriente b) Aumento de la temperatura de la unin por una frecuencia de trabajo elevada
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TEMA 5: TIRISTOR
5.6.2 PENDIENTE DE TENSIN, dv/dt

Los picos transitorios de tensin que aparecen a travs de un semiconductor son generalmente de corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento. Una velocidad excesiva del crecimiento de la tensin aplicada entre nodo y ctodo, dv/dt amenaza con provocar el cebado indeseado del tiristor, anteriormente bloqueado, en ausencia de seal de puerta. Este fenmeno se debe a la capacidad interna del tiristor que se carga con una corriente i = Cdv/dt la cual, si dv/dt es grande, puede ser suficiente para provocar el cebado. Entre las principales causas que pueden provocar este aumento transitorio de la tensin, se pueden destacar tres:
Los contactores existentes entre la fuente de alimentacin y el equipo. La conmutacin de otros tiristores cercanos. La alimentacion principal.
Cuando el equipo est alimentado mediante un transformador, sta acta como un filtro respecto a los parsitos que se producen en la red de alimentacin. Ahora bien, se presenta el inconveniente de tener que anular los transitorios introducidos por el propio transformador.
Protecciones contra dv/dt

El buen funcionamiento de los equipos no slo depende de la calidad de los tiristores elegidos, sino tambin de las precauciones tomadas para proteger a estos dispositivos de situaciones desfavorables presentadas durante el funcionamiento. El diseo de las redes de proteccin depender en gran medida de los lmites de los semiconductores, as como de los fenmenos permanentes y transitorios a los que estn sometidos. En circuitos donde el valor de dv/dt sea superior al valor dado por el fabricante, se pueden utilizar circuitos supresores de transitorios para proteger a los tiristores del cebado por dv/dt, estos circuitos se conectan en bornes de la alimentacin, en paralelo con el semiconductor o en paralelo con la carga. Los circuitos supresores de transitorios se pueden clasificar fundamentalmente en dos grupos:
Grupos RC o grupos L (Red Snubber) Resistencias no lineales
Una solucin muy utilizada en la prctica es la que se muestra en la figura 5.28. Se trata de conectar en paralelo con el tiristor un circuito RC (Red SNUBBER), para evitar variaciones bruscas de tensin en los extremos del dispositivo semiconductor. Este procedimiento puede presentar el inconveniente de que la energa disipada en la resistencia de la red SNUBBER sea muy importante.
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TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.28 Estructura, smbolo de circuito y fotografa de SVS.
En la figura se puede ver la proteccin del SCR con un elemento supresor de voltaje SVS y una red RC en paralelo. Hace el efecto de dos diodos Zener conectados en antiparalelo, entrando en conduccin si se supera la tensin lmite, protegiendo los dispositivos contra sobretensiones.
Ejemplo rpido de clculo de la red RC En el circuito de la figura, el SCR est capacitado para soportar un valor de dVAK/dt = 50V/s. La descarga inicial del condensador sobre el SCR debe ser limitada a 3A. En el momento en que se cierra el interruptor S es conectada la fuente de tensin VS al circuito. Si en ese momento se aplica un impulso apropiado a la puerta del elemento. Calcular el valor del condensador de la red de proteccin y el valor de la resistencia de proteccin. Datos: dv/dt = 50V/s R = 20 Imx = 3
Fig 5.29
24
TEMA 5: TIRISTOR
Solucin: Cuando la fuente de tensin alcanza el valor mximo (VSmx = 2202 = 311V) se cierra el interruptor S. El circuito equivalente est formado por la resistencia RL en serie con el condensador y la fuente de tensin. Suponiendo que en el instante inicial, el condensador est descargado, el valor de la intensidad ser:
I C (0) =
VS mx 311V = = 15.55A RL 20
IC = C
dV dt
C=
15.55A = 0.311F 50V / s
El valor de la constante de tiempo de la red formada por la resistencia de carga y por el condensador es de 6.22s. El tiempo para que se estabilice el valor de la tensin en el SCR estar comprendido entre 15 y 20s. Este tiempo es suficientemente corto para que la fuente de tensin no cambie apreciablemente los valores de pico. Si el SCR es disparado en el momento en que se tiene la tensin mxima, con el condensador cargado a 311V, el valor necesario de la resistencia para limitar la corriente a 3A ser:
R=
311V = 103.6 = 100 3A
Clculo de los elementos de proteccin

Para determinar los valores de los elementos que forman la red RC existen diversos mtodos entre los que se pueden destacar dos:
Mtodo de la constante de tiempo. Por ser el ms utilizado, es el nico que se va a desarrollar. Mtodo resonante. Mtodo de la constante de tiempo
Con ste mtodo se trata de buscar el valor mnimo de la constante de tiempo, de la dv/dt del dispositivo. Ver figura 5.30 El valor de la constante de tiempo responde a la expresin:
0.632 VDRM dV dt min
E5. 7
= Constante de tiempo VDRM = Tensin directa de pico repetitivo
Fig 5. 30 Grfica para determinar el valor de la constante de tiempo.
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TEMA 5: TIRISTOR
En condiciones normales, se tomar VDRM = Vmx A partir del valor calculado para se determina el valor de los elementos que forman la red RC (red Snubber) del circuito del ejemplo anterior
C=
R=
RL
E5. 8
VAmx (I TSM I L ) K
E5. 9
VA mx = Tensin de nodo mxima. IL = Intensidad en la carga. K = Factor de seguridad. (0.4...0.1) La misin de la resistencia calculada es proteger al SCR cuando se produce la descarga instantnea del condensador al inicio de la conduccin. En el peor de los casos, si el valor de ton es igual a cero, el valor que debe tener la resistencia viene dado por la ecuacin:
R min =
VAmx dI C dt
E5. 10
5.6.3 PENDIENTE DE INTENSIDAD, dI/dt

Una variacin rpida de la intensidad puede dar lugar a la destruccin del tiristor. Durante el cebado (disparo), la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo vecina al electrodo de mando. Si el circuito exterior impone durante esta fase un crecimiento rpido de la intensidad, la densidad de corriente en la zona de cebado puede alcanzar un valor importante. Al principio el rea de conduccin estar limitada al rea de la puerta, por lo que la unin entera no conduce instantneamente. Tambin ocurre que como el cristal no es totalmente homogneo existen zonas donde la resistividad es ms baja y por tanto la concentracin de intensidad es mayor (puntos calientes). En la figura 5.30 se muestra el proceso de conduccin en funcin del tiempo.
Fig 5.31 rea de conduccin del tiristor en funcin del tiempo.
El descenso de la cada de tensin en el tiristor durante el paso del estado de bloqueo al de conduccin, no se efecta de forma instantnea, por lo que habr momentos en que se presenten simultneamente valores elevados de corriente y de tensin. Un procedimiento para evitar la formacin de puntos calientes durante el proceso de disparo del elemento, es introducir una corriente por puerta mayor de la necesaria. Para ello, se inyecta mayor cantidad de portadores con lo que la superficie de la unin que conduce aumenta rpidamente. Esta solucin es parcial, porque estar limitada por la necesidad de que la corriente de puerta no sobrepase un valor mximo dado en las hojas de caractersticas del dispositivo semiconductor.
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TEMA 5: TIRISTOR
Otro procedimiento posible es aadir algn elemento al circuito exterior de nodo para conseguir que la pendiente de la intensidad, dI/dt no sobrepase el valor especificado en las caractersticas del estado de conmutacin. Uno de los elementos susceptibles de ser incorporados al circuito de nodo sera una inductancia, L como se puede ver en la figura 5.32 Este circuito bsico de proteccin, es un circuito tpico de frenado, en el cual la inductancia controla el efecto provocado por la dI/dt.
Fig 5.32 Circuito para la limitacin de dI/dt.
Si se estudia el caso ms desfavorable se ve que ste se produce cuando se aplica una tensin continua. Si ahora el tiristor entra en conduccin la intensidad por nodo, IA se regir por la expresin
IA =
R t V L 1 e R
E5. 11
Derivando la expresin anterior, para t = 0 se obtiene el valor mximo y despejando se obtiene el valor de L. El valor obtenido debe ser menor al expresado en la hoja de caractersticas.
L=
V dI A dt
mx
E5. 12
PROBLEMA 5.5
Para el circuito de proteccin del SCR contra dI/dt de la figura 5.32 calcular el valor de la inductancia L, para limitar la corriente de nodo a un valor de 5 A/s. Datos: VS = 300V; RL = 5 Solucin:
dI A VS = = 5 10 6 A / s dt L
L= VS 300 V = = 60 10 6 H dI A 5 10 6 A / s dt
L = 60 H
27
TEMA 5: TIRISTOR
PROBLEMA 5.6
Para el circuito con tiristor de la figura. Calcular aplicando el mtodo de la constante de tiempo el circuito de proteccin contra dv/dt y di/dt. Adoptar un factor de seguridad K = 0.4. Datos: VRMS = 208V, IL = 58A, R = 5 SCR: VD = 500V, ITSM = 250A, di/dt = 13.5A/s , dv/dt = 50V/s
Fig 5.33
Solucin: Valor mximo de tensin
VA mx = 208 2 = 294 V
Constante de tiempo
0.632 VD = 6.32 s dv dt min
Valor del condensador
C=
Valor de la resistencia
= 1.264 F R VA mx
RS =
(I TSM I L ) K
VA mx dI C dt
= 3.83
El valor mnimo para la resistencia ser:
R min =
= 4.15
Como el valor obtenido para RS es inferior a la Rmin que se debe colocar, se elige esta ltima para el circuito dado
R = 4.15
El valor mnimo de la inductancia L para dI/dt se calcula segn la expresin:
L=
VA mx = 21.7 F dI dt
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TEMA 5: TIRISTOR
5.6.4 PROTECCIN (CORTOCIRCUITO)
CONTRA
SOBRECARGA
DE
LARGA
DURACIN
Ante un cortocircuito, al tratarse de un mal funcionamiento, debe detenerse la operacin del dispositivo hasta que se repare la causa. Podemos utilizar fusibles rpidos y disyuntores. Al seleccionar un fusible es necesario calcular la corriente de fallo y tener en cuenta lo siguiente: 1. El fusible debe conducir de forma continua la corriente nominal del dispositivo 2. El valor de la energa permitida del fusible i 2 t c debe ser menor que la del dispositivo que se pretende proteger 3. El fusible debe ser capaz de soportar toda la tensin una vez que se haya extinguido el arco 4. La tensin que provoca un arco en el fusible debe ser mayor que la tensin de pico del dispositivo
( )
Fig 5.34 Proteccin completa con fusible
5.6.5 LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.

En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el funcionamiento que se traducen en un calentamiento del dispositivo. Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la potencia media disipada en un tiristor ser:
PAV =
1 T VAK I A dt T 0
+ Potencia de puerta.
E5. 13
29
TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.35 Curva caracterstica del tiristor en la zona de conduccin.
La potencia disipada en los tiristores durante el tiempo de conduccin, es mucho mayor que la potencia disipada durante el tiempo que est bloqueado y que la potencia disipada en la unin puerta - ctodo. Por tanto se puede decir que las prdidas en un dispositivo semiconductor, con una tensin de alimentacin dada y una carga fija, aumentan con el ngulo de conduccin. Si se supone que para un semiconductor, la conduccin se inicia para cada semiperiodo en un tiempo t1 y termina en un tiempo t2, la potencia media de perdidas ser:
PAV =
1 t2 VAK I A dt T t1
En la figura 5.35 se representa la VAK en funcin de la IA a partir de esta curva se puede deducir la siguiente expresin
VAK = V0 + I A R
E5. 14
donde V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada familia de tiristores y para una determinada temperatura de la unin. En ste caso se trabaja dentro de la zona directa de la curva caracterstica. Operando con las ecuaciones anteriores:
PAV
2 1 2 1 1 t2 2 = (V0 + R I A ) I A dt = V0 I A dt + R (I A ) dt T t1 T T t1 t1
PAV = V0 I A(AV) + R (I A(RMS) )
Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para distintas formas de onda (sinusoidal, rectangular,...) y para distintos ngulos de conduccin en la figura 5.36 Con estas curvas, y partiendo del valor medio de la corriente y de la forma de onda, se puede calcular el valor de PAV.
30
TEMA 5: TIRISTOR
En la ecuacin anterior se aprecia que la potencia disipada, no slo depende del valor medio de la corriente, sino que tambin depende del valor eficaz. Por tanto se puede decir que depender del factor de forma, parmetro que fue definido en el captulo 2 y que responde a la siguiente expresin:
a=f =
I A(RMS) I A(AV)
Una vez elegido el tiristor, a partir de los parmetros ms importantes como son la potencia total disipada y la temperatura, y una vez calculada la potencia media que disipa el elemento en el caso ms desfavorable, se procede a calcular el disipador o radiador ms apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento semiconductor al medio ambiente. Esta potencia disipada ser una potencia de prdidas que tender a calentar al tiristor. El equilibrio trmico se obtendr cuando el calor generado sea cedido al medio ambiente, lo cual ha de realizarse sin que las uniones del tiristor alcancen la temperatura mxima permitida (Tj). Esta temperatura ser aproximadamente de 125C para la mayora de los dispositivos. El calor producido en las uniones PN del tiristor, es cedido a la cpsula, de sta pasar al disipador y de ste al medio ambiente.
Fig 5.36 Curva de relacin entre IT(AV) y PT(AV)
El clculo de las resistencias trmicas y de las temperaturas fue estudiado con profundidad en el tema 3. Se recomienda al lector una revisin de dicho tema. Para refrescar esos conceptos se realiza a continuacin el clculo de un disipador para el tiristor del siguiente ejercicio
PROBLEMA 5.7
Un SCR (BTY 91) con Rjc = 1.6C/W y con Rcd = 0.2C/W, alimenta a una carga resistiva de 10 a partir de una seal alterna de 220VRMS. Si la conduccin del SCR es completa ( = 0). Calcular el disipador para una temperatura ambiente de 40C utilizando la grfica representada en la figura.
31
TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.37 Relacin de la potencia con los valores mximos permitidos de temperatura.
Solucin: En primer lugar se calcula el ngulo de conduccin ():
= 180 ngulo de disparo = 180 - 0 = 180

El valor medio de la intensidad ser:
I TAV =
1 2
Vmx senwt dwt R
Sustituyendo los valores y resolviendo resulta:
I TAV =
220 2 (1 + cos ) = 10A 2 R
En la grfica de la figura, se identifica el valor de la potencia media, PAV. El ngulo de conduccin est relacionado directamente con el factor de forma. = 180 f = 1.6
Partiendo del eje x, para un valor de ITAV = 10A, se traza una vertical hasta cortar la curva que representa un factor de forma, f = 1.6, a continuacin se lleva una horizontal hasta el eje de potencia y se comprueba que lo corta en un valor de 16.7 W. Sustituyendo en las ecuaciones los valores dados para el tiristor del circuito.
Rd =
Tj Ta PAV
(R jc + R cd ) =
125 40 (1.6 + 0.2) = 3.29 C/W 16.7
Se elige un disipador con una resistencia trmica menor de la calculada:
R d 3.29 C/W
32
TEMA 5: TIRISTOR
Este clculo se puede hacer grficamente de la siguiente forma. En primer lugar se siguen los mismos pasos que anteriormente para calcular la potencia media; a partir de aqu se lleva una horizontal hacia la derecha de la figura hasta cortar con la vertical que se levanta desde los 40 C que en los datos se expres como valor de la temperatura ambiente. Estas dos rectas se cortan en un punto que se corresponde con una Rca = 3.35C/W. Despejando de la siguiente expresin se puede calcular el valor de la Rd:
R ca = R cd + R d R d = R ca R cd = 3.35 0.2 = 3.15 C/W 3 C/W

Si se trabaja en rgimen transitorio, por ejemplo en rgimen de impulsos, la temperatura de la unin sobrepasa los valores de las frmulas empleadas anteriormente. En este caso es necesario el uso de la impedancia trmica, Zth para que el clculo del disipador sea correcto.
Montaje (1.37 Mb) [5_9]
5.7 Extincin del Tiristor. Tipos de conmutacin

Se entiende por extincin del tiristor, el proceso mediante el cual, se obliga al tiristor que estaba en estado de conduccin a pasar al estado de corte. Recuerdese que en el momento en que un tiristor empieza a conducir, se pierde completamente el control sobre el mismo. Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo se pueden agrupar en dos grandes grupos: conmutacin natural y conmutacin forzada

Conmutacin natural

Conmutacin libre Conmutacin asistida Por contacto mecnico Por circuito resonante
Ej. Regulador alterna Ej. Rectificador trifsico
Conmutacin forzada

Serie Paralelo
Por carga de condensador Por tiristor auxiliar
5.7.1 CONMUTACIN NATURAL.

En los circuitos de conmutacin natural, la conmutacin del tiristor se produce de forma espontnea debido a la propia alimentacin principal.
33
TEMA 5: TIRISTOR
Conmutacin libre
La conmutacin natural libre se produce cuando la intensidad por el tiristor se anula por si misma, debido al comportamiento natural de la fuente de tensin. Para poder comprender mejor este tipo de conmutacin observar el circuito de la figura 5.38
Fig 5.38 Circuito de conmutacin libre y sus formas de onda
La fuente de tensin es alterna y la carga resistiva pura, por lo que no se produce desfase alguno entre la tensin y la intensidad. En la figura 5.38 se pueden observar las formas de onda correspondientes a este circuito. Para un tiempo wt >, la intensidad que circula por la carga se anula, al mismo tiempo que la tensin que cae en extremos de T1 comienza a ser negativa produciendo la conmutacin del mismo. Para un tiempo wt = +, comienza a conducir T2, hasta que para un tiempo wt = 2 se produce la conmutacin del mismo. En este instante se repite de nuevo el ciclo descrito anteriormente.
Conmutacin asistida
La conmutacin natural asistida, se caracteriza por la aplicacin sobre el tiristor de un voltaje negativo entre el nodo y el ctodo. Este voltaje inverso aparece de una forma natural debido a la secuencia lgica de funcionamiento de la fuente primaria, por ejemplo, en el caso del rectificador trifsico.
5.7.2 CONMUTACIN FORZADA.

En algunos circuitos con tiristores, la tensin de entrada es de carcter continuo, por lo tanto el tiristor no podr pasar a corte de forma natural, siendo necesario recurrir a un circuito auxiliar para as provocar la conmutacin del tiristor. Para provocar la conmutacin del tiristor, ser necesario anular la corriente andica durante un tiempo suficiente para que el tiristor pueda pasar a corte. Este intervalo de tiempo tiene una gran importancia, puesto que si su duracin es inferior a un valor determinado por toff no tendr lugar la conmutacin del dispositivo.
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TEMA 5: TIRISTOR
Conmutacin por contacto mecnico

Este mtodo de conmutacin produce la extincin del semiconductor por medio de un interruptor en paralelo con los terminales de nodo y ctodo del tiristor. En la prctica la utilizacin de este circuito no es nada viable, puesto que el proceso de apagado del tiristor resulta extremadamente lento. Para evitar este inconveniente se realiza una pequea modificacin en el circuito, que consiste en colocar un condensador en serie con el interruptor. En el circuito de la figura 5.39 se logra desviar la corriente que circula por el tiristor y por tanto el apagado del mismo cerrando el interruptor S.
Fig 5.39 Circuito de conmutacin del tiristor por aplicacin de tensin inversa mediante condensador.
En este circuito, el interruptor (S) se encuentra abierto, estando el condensador cargado inicialmente con la polaridad indicada en la figura 5.39 Si en un instante determinado se cierra el interruptor, el condensador queda conectado en paralelo con el tiristor provocando dos procesos diferentes en el circuito:
La corriente que circula por el tiristor, ser transferida temporalmente al condensador, con lo que la corriente que circula por el tiristor quedar reducida a cero. La tensin que inicialmente tena el condensador constituir una tensin inversa para el tiristor que ir disminuyendo conforme se descarga el mismo.
Este proceso de conmutacin est representado grficamente en las curvas de la figura 5.40 En la mayora de los circuitos, se requiere que la carga y descarga del condensador tambin se produzca de forma cclica. Por tanto, es fcil deducir que el tiempo para cargar y descargar el condensador afectar a la mxima frecuencia de funcionamiento del circuito. La importancia de este mtodo de conmutacin depender en gran medida del tamao y del voltaje del condensador, as como del turn - off del tiristor. El condensador se descarga a un ritmo determinado por el valor de la intensidad de carga, por lo que la carga almacenada en el condensador deber ser capaz de mantener inversamente polarizado el tiristor, hasta transcurrido un perodo de tiempo "toff".
Fig 5.40 Curvas de conmutacin del tiristor por aplicacin de una tensin inversa mediante condensador.
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TEMA 5: TIRISTOR
PROBLEMA 5.8
En el circuito de la figura, para un tiempo de apagado del tiristor toff = 15s, determinar si se podr producir la conmutacin ptima del mismo para el valor de capacidad adoptado. Datos: E = 100V; R0 = 5 ; C = 5 F
Fig 5.41
Solucin: Para este circuito se verifica que:

t R 0 C t R 0 C + E 1 e
VC = VC e
E5. 16
Sabiendo que VC (0) = VC = - E y observando las curvas representadas en la figura 5.40 se puede afirmar que la tensin en el condensador, que es la misma que la que existe en extremos del tiristor, vara exponencialmente desde un valor negativo inicial hasta que se alcanza el valor nominal de la batera (+ E). El tiempo para el cual la tensin en el condensador es negativa se denominar tq. El valor de este intervalo de tiempo tiene una gran importancia, ya que si es lo suficientemente grande permitir el paso de conduccin a corte del tiristor, es decir, slo si el valor del tiempo tq es mayor que el valor del tiempo toff, se producir la conmutacin del tiristor. Igualando a cero el valor de la tensin en el condensador para un tiempo tq,
tq R 0 C 0 = E e + E 1 e t q = 0.693 R 0 C tq R 0 C
E5. 16
t q = 0.693 5 5 10-6 = 17.33s t off = 15s t q > t off
Como el valor del tiempo tq es mayor que el valor de toff, el tiristor pasar a corte sin ninguna dificultad.
Fig 5.42 Circuito equivalente. Suponiendo IA = 0
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TEMA 5: TIRISTOR
Conmutacin por circuito resonante

En primer lugar se debe recordar el principio bsico de un circuito resonante La figura 5.43 muestra un circuito conformado por 2 tiristores, una bobina y un condensador inicialmente cargado con la polaridad indicada. Se parte de la premisa de que ambos tiristores se encuentran inicialmente en corte. Si en estas condiciones se dispara T1, entonces se producir la descarga del condensador a travs de la malla conformada por C T1 L. Obsrvese que la corriente circulante por sta sigue una curva sinusoidal. Cuando la corriente se anule, el condensador quedar cargado en sentido contrario al inicial. La extincin de la corriente circulante provocar el paso a corte de T1. La energa almacenada en el condensador ha sido transferida temporalmente a la bobina, para luego ser devuelta de nuevo al condensador. Esta nueva carga en el condensador se puede mantener ya que no existe ninguna otra va de descarga (T1 se encuentra bloqueado).
Fig 5.43 Conmutacin del tiristor mediante el uso de una estructura resonante. Circuito y formas de onda.
Si a continuacin T2 se dispara, se repetir de forma idntica lo expuesto anteriormente, con la nica salvedad de que el sentido de la corriente ser contrario a la etapa anterior, ahora a travs de la malla configurada por C T2 L. El condensador se descargar y cargar de nuevo, siguiendo una forma de onda sinusoidal, hasta volver a su condicin inicial, antes de que se disparara T1, con lo que se estar en condiciones de comenzar un nuevo e idntico ciclo. Para que el circuito entre en resonancia, se debe verificar:
1 Lw =0 wC
E5. 17
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TEMA 5: TIRISTOR
Por lo que la frecuencia de resonancia ser:
f=
1 2 LC
E5. 18
Por otro lado, para hallar los valores de intensidad circulante por el tiristor, as como la tensin en extremos del condensador, se deber recurrir a la siguiente ecuacin diferencial donde se han despreciado la resistencia interna del circuito, as como las cadas de tensin adicionales producidas en los tiristores. Tambin se ha supuesto que inicialmente no circula ninguna intensidad por la bobina.
di 1 + idt + v C (t = 0) = 0 dt C
E5. 19
Si vC(t = 0) = +VC, entonces:
i(t) = + VC
C senwt L
E5. 20
v C (t) = + VCcoswt
E5. 21
Donde VC representa la carga inicial del condensador. T1 se puede constituir como el tiristor principal del circuito, mientras que T2 puede ser, en la prctica, el tiristor auxiliar, cuyo principal objetivo ser el de apoyar la conmutacin del tiristor principal. De esta forma, permitir que el condensador se cargue de nuevo a su tensin inicial, estando de nuevo en condiciones de provocar la conmutacin de T1 en el siguiente ciclo. En los circuitos de conmutacin forzada hay que considerar que los condensadores que participan en la conmutacin deben ser cargados antes de que se recurra a ellos para provocar el paso a corte del tiristor. Una carga insuficiente en el condensador tendr como consecuencia el fracaso en el intento de apagar el tiristor. El circuito resonante puede ser serie o paralelo, para ms informacin ver este anexo
Circuito resonante serie y paralelo .pdf [5_10]

El tiristor T1 de la figura 5.43 entra en conduccin para t = 0. A partir de los siguientes datos: L = 100 H. C = 10 F. VC (0) = 100 V. IL (0) = 0 A. Determinar: TON del tiristor T1. Tensin existente en el condensador en t = TON. Corriente de pico del circuito. Tensin en extremos del condensador si se supone que en el tiristor se produce una cada de tensin en conduccin de 0.8 voltios. Obtener con PsPice las formas de onda de la intensidad circulante por el circuito, as como la tensin en el condensador y en la bobina.
Fig 5.44 Circuito para la simulacin mediante Pspice
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TEMA 5: TIRISTOR
Descripcin del circuito:

*CD5_3.CIR *E.P.S. JAEN DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA *CIRCUITO RESONANTE LC VG1 3 0 PULSE (0 1V 0 1NS 1NS .103MS 0.5MS) VG2 4 0 PULSE (0 1V .3MS 1NS 1NS .103MS 0.5MS) C 1 2 10uf ic=100v L 2 0 100uh XT1 1 0 3 0 SCR; TIRISTOR T1 XT2 0 1 4 0 SCR; TIRISTOR T2 * MODELO DEL TIRISTOR EN CONTINUA .SUBCKT SCR 1 2 3 4 DT 5 2 DMOD ST 1 5 3 4 SMOD .MODEL DMOD D .MODEL SMOD VSWITCH (RON =.1 ROFF=10E+6 VON=1V VOFF=0v) .ENDS SCR *ANALISIS
.PROBE .TRAN 1.000u .45m 10u .END uic ; *ipsp*
Solucin: Ton = 0.1ms; vc = -100V; IMX =31.62A; vc = -98.4V
Conmutacin por carga de condensador
Fig 5. 45 Circuito de conmutacin por carga de condensador.
En este circuito se pueden distinguir dos partes bien diferenciadas:
El circuito de potencia constituido por la fuente E, el tiristor T1 y la carga Ro (resistiva pura) El circuito auxiliar de bloqueo formado por la resistencia R, el condensador C y un tiristor T2 auxiliar.
El circuito representado en la figura 5.45 puede ser comparado con un biestable asimtrico de potencia, en el que los tiristores conducen de forma alternada. Nunca estarn al mismo tiempo los dos en conduccin o en estado de bloqueo; De ello se encargar, como se ver ms adelante, el condensador C. La principal ventaja de este circuito, es que el valor del tiempo Ton no estar sujeto, como en los casos anteriormente estudiados, a los parmetros intrnsecos del sistema, sino que puede variar segn se precise. Solo depender del instante en el que se produzca el disparo del segundo tiristor.
T1 en conduccin y T2 al corte (0 < t < Ton)
Se supone que para t = 0 no conduce ninguno de los tiristores, en este momento se dispara el tiristor T1 establecindose en la malla principal formada por la fuente E, el tiristor T1 y la resistencia Ro , una corriente de valor
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TEMA 5: TIRISTOR
Io =
E RL
E5. 22
El condensador, C se cargar a travs de la resistencia, R hasta un valor de tensin, E dado por la fuente de tensin de la entrada. Para que el circuito presente un funcionamiento correcto, el condensador debe disponer de un tiempo hasta alcanzar el 100% del valor de carga antes comentado
R C <<< TON
La intensidad por la resistencia R, despus del primer ciclo verificar la siguiente expresin:
E5. 23
iR =
2E RC e R
0 < t < TON
E5. 24
Por tanto, la tensin en el condensador se puede expresar como

t RC v C = E Ri R = E 1 2e
E5. 25
Fig 5. 46 Circuito equivalente para 0 < t < TON.
Observando la figura 5.48 se pueden comprender mejor los conceptos y el funcionamiento para el circuito conmutador por carga de condensador T1 al corte y T2 en conduccin. Ton < t < T Un instante posterior a Ton se dispara T2 pasando a conducir. Como consecuencia de la carga alcanzada anteriormente por el condensador, el ctodo de T1 se hace ms positivo con respecto al nodo, provocando la conmutacin del mismo. En este momento es la resistencia R la que estar conectada a la batera, mientras que a travs de Ro se produce la nueva carga del condensador hasta un valor de -E.
Fig 5.47 Circuito equivalente para TON < t < T.
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TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.48 Formas de onda del circuito de conmutacin por carga de condensador.
Los valores respectivos de la intensidad en la carga, as como la tensin en el condensador son los siguientes:
2E R 0C i0 = e R0
t v C = E1 2e R 0C
E5. 26
E5. 27
41
TEMA 5: TIRISTOR
Para que durante este intervalo de tiempo, Ton < t < T, el condensador disponga del tiempo necesario para la carga del mismo a una tensin vC = -E, se deber verificar:
CR 0 << T - Ton
E5. 28
Por otro lado, para conseguir una perfecta conmutacin del tiristor T1, el intervalo de tiempo tq durante el cual la tensin nodo ctodo de T1 es negativa debe superar el tiempo de apagado del mismo, toff , de lo contrario se provocara un autocebado del tiristor, permaneciendo ste en estado de conduccin. A pesar de que ya se ha efectuado con anterioridad, a continuacin se va a calcular el valor de tq ya que el conocimiento de este parmetro reviste de una gran importancia en la eleccin del tiristor apropiado. La tensin nodo-ctodo de T1 ser:
t R 0C = v C = E 1 2e
v T1
E5.29
Para t = tq la tensin en extremos del tiristor ser nula, VT1 = 0. Por tanto, se puede calcular tq a partir de la expresin anterior
t R 0C 0 = E 1 2e
t q = R 0 Cln2 = 0.69 R 0 C
Como R0 = E/I0, siendo I0 la corriente media de carga
E5. 30
t q = 0.69 C
E I0
E5. 31
Para que tq resulte mayor que toff deber colocarse un condensador de conmutacin que verifique
t off I 0 I = 1.45 t off 0 0.69 E E
E5. 32
En la eleccin del condensador deber tenerse en cuenta la mxima corriente de carga. Al cumplirse el perodo del circuito de conmutacin para t = T, se dispara de nuevo a T1, mientras que T2 conmutar debido a la tensin inversa del condensador, inicindose un nuevo ciclo igual al anteriormente descrito. Cuestin didctica 5.4
Realizar la simulacin del circuito de conmutacin por carga de condensador mediante PsPice y comprobar el funcionamiento anteriormente comentado. Obtener las formas de onda de la intensidad en la puerta de cada uno de los tiristores, as como la intensidad directa y la tensin entre A K. Obtener de igual modo la tensin en extremos del condensador, la intensidad por el condensador, por la resistencia de carga, R0 por la resistencia, R y la intensidad, IE. Determinar el tiempo para el que la tensin del tiristor es negativa, tq Visualizar primero para un valor de 3 tratando de identificar las diferentes formas de onda con las planteadas en la figura 5.48 y posteriormente estudiar el comportamiento para distintos valores de R (1, 3 y 10)
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TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.49
Descripcin del circuito

*CD5_4.CIR *E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA *CIRCUITO DE CONMUTACION POR CARGA DE CONDENSADOR *COMPONENTES DEL CIRCUITO VE 1 0 DC 100V RO 1 2 5OHM R 1 3 {RESIS} C 2 3 10UF .PARAM RESIS = 5 *IMPULSOS DE DISPARO VG1 4 0 PULSE (0 10V 0 1US 1US 0.1MS 0.2MS) VG2 5 0 PULSE (0 10V 0.1MS 1US 1US 0.1MS 0.2MS) *SEMICONDUCTORES XT1 2 0 4 0 SCR; TIRISTOR T1 XT2 3 0 5 0 SCR; TIRISTOR T2 *MODELO DEL TIRISTOR EN CONTINUA; MODELO DE M. H. RASHID (Power Electronics 2 Edicin, Prentice Hall) .SUBCKT SCR 1 2 3 4 DT 5 2 DMOD ST 1 5 3 4 SMOD .MODEL DMOD D .MODEL SMOD VSWITCH (RON = 0.1 ROFF = 10E+6 VON = 1V VOFF = 0V) .ENDS SCR *ANALISIS A REALIZAR .STEP PARAM RESIS list 1 3 10; *ipsp* .TRAN 1.0US 1.5MS 0 0; *ipsp* .PROBE .END
5.8 Tipos de Tiristores

En el estudio de la electrnica se pueden encontrar un amplio nmero de semiconductores genricamente llamados tiristores, pero con rasgos caractersticos que diferencian a unos de otros. En este apartado se comentarn algunos de ellos: TRIAC, GTO, MCT y SITH
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TEMA 5: TIRISTOR
5.8.1 TRIAC E1 G
El triac es un semiconductor de tres terminales, dos principales (E1, E2) y otro de control denominado puerta (G). Este dispositivo tiene la capacidad de controlar el paso de corriente en ambas direcciones, por tanto se puede decir que se trata de un dispositivo bidireccional, por lo que es muy utilizado en la regulacin de corriente alterna. En la figura, aparece representado su smbolo electrnico.
E2
El triac presenta la ventaja de poder pasar al estado de conduccin, tanto para tensiones negativas como positivas. Una forma simple de describir su comportamiento, es comparndolo con dos tiristores conectados en antiparalelo como se ve en la figura.
E1 G
G Es ms fcil controlar a un triac que a dos tiristores, pero cuando la potencia que se
debe controlar es excesiva para las caractersticas del triac (la potencia mxima que puede disipar es reducida), se puede sustituir por dos tiristores, colocados en antiparalelo como se representa en la figura.
E2
El triac es sensible a bajos valores de dV/dt y dI/dt, por tanto se puede decir que el dispositivo tiene baja velocidad de conmutacin, (frecuencia de trabajo entre 50 y 60Hz). El lmite de frecuencia para este tipo de dispositivos est en torno a los 400Hz. La caracterstica V-I la vemos representada en la figura 5.50, en ella se observa la simetra del dispositivo
Fig 5.50 Caracterstica V-I
Existen cuatro modos de disparo segn se aprecia en la figura 5.51
Fig 5.51 Modos de disparo
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TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.52 Hay cuatro posibilidades de funcionamiento. No todas son igual de favorables
En la figura siguiente podemos ver un regulador de corriente alterna con Triac
Fig 5. 53 Regulador de corriente alterna

A partir de las caractersticas del BT138 identificar los principales parmetros con los estudiados anteriormente en el triac.
Hoja de caractersticas BT138 [5_11]
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TEMA 5: TIRISTOR
5.8.2 GTO A
El GTO (Gate - Turn - Off), es un dispositivo semiconductor de potencia que combina las caractersticas ms deseables de un tiristor convencional con las caractersticas de un transistor bipolar, presentando la ventaja de poder pasar del estado de conduccin al estado de bloqueo mediante la aplicacin de un impulso negativo a la puerta. El smbolo electrnico del GTO es similar al de un tiristor como se puede ver en la figura.
Caracterstica V I
La caracterstica V - I del GTO, es similar a la de un tiristor convencional. La tensin nodo ctodo, VAK cuando el dispositivo est conduciendo ser aproximadamente de 3 V y la corriente que circula, solo est limitada por la carga exterior colocada en el circuito.
Caracterstica inversa
La caracterstica inversa del GTO es equivalente a una resistencia la cual es incapaz de bloquear voltaje o de conducir una corriente significativa. Para continua el dispositivo no presenta ningn problema, no obstante, si se quiere bloquear cualquier voltaje inverso, se deber conectar en serie con el GTO un diodo. Si se quiere que pase la corriente, se debe conectar un diodo en antiparalelo con el dispositivo. Esto se puede ver representado en la figura 5.54
Fig 5.54 GTO a) Sin funcionamiento inverso b) Bloqueo inverso c) Conduccin inversa
Caracterstica de disparo.
Se estudia esta caracterstica sobre un posible circuito de disparo de puerta que incluye, adems, un sistema de proteccin contra sobretensiones y sobreintensidades del GTO, similar al utilizado con los tiristores.
Fig 5.55 Circuito de disparo para GTO
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TEMA 5: TIRISTOR
Para limitar la velocidad de crecimiento de la tensin (dV/dt) en el transitorio on off se utiliza el circuito formado por RS, DS y CS, mientras que para limitar la velocidad de crecimiento de la corriente (dI/dt) en el mismo transitorio se utiliza el circuito formado por LS, RLS y DLS En este circuito de disparo, durante un tiempo t1 conduce Q1 y Q2 (Q3 off) y la intensidad que circula por la puerta del GTO ser IGM = 12A. Una vez transcurrido dicho tiempo slo conducir Q2, siendo la intensidad ahora IGM = 2A. Las resistencias R5 y R6 se colocan para controlar (fijar) las intensidades de Q1 y Q2, mientras que R1, R2, R3 y R4 se colocan para conseguir que Q1 y Q2 trabajen en conmutacin. Por el contrario, durante el transitorio off on, ser el mosfet Q3 (de baja tensin) el que conduzca, mientras que Q1 y Q2 estarn cortados. La inductancia LG, en serie con el drenador del mosfet, se utiliza para controlar la pendiente de decrecimiento de la intensidad negativa de puerta.
PROBLEMA 5.9
Para el circuito de control de potencia con GTO, de la figura, calcular: La potencia en la carga, la ganancia de corriente en el proceso de corte a conduccin y la ganancia de corriente en el proceso de conduccin a corte. Datos: VS = 600V; R = 30
GTO: VGTO(ON) = 2.2V; PG =10W; IG(ON) = 0.5A; IG(OFF) = -25A
Fig 5.56
Solucin: PL = 11.91KW; corte-conduccin: I = 39.9; conduccin-corte: I = -0.8
5.8.3 MCT
El Most Controlled Thyristor (MCT), es un tiristor o un GTO integrado en una pastilla junto con dos transistores mosfet. Uno de estos mosfet pasa al tiristor de corte a conduccin; el otro mosfet lo pasa de conduccin a corte. La frecuencia de conmutacin del dispositivo puede ser superior a los 20KHz. En consecuencia, el funcionamiento es similar al del IGBT. No obstante, se deber observar que la cada de tensin en conduccin del MCT es baja, estando alrededor de 1.1V.
A G G A
El MCT tiene una serie de propiedades que cubren un amplio rango de aplicaciones. La principal desventaja es que la capacidad de bloqueo inverso del dispositivo ser sacrificada en favor de la velocidad de conmutacin. En la figura se representa el smbolo electrnico del MCT.
MCT
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TEMA 5: TIRISTOR

LILEN, HENRI. Tiristores y triacs. Ed. Marcombo, 1988. THYRISTOR DEVICE DATA: on semiconductor <http://www.onsemi.com> [Consulta: 4 de julio de 2005] DL 137/D. Mayo 2000.
VELASCO J.; ORIOL M.; OTERO J. Sistemas Electrnicos de Potencia: Electrnica de regulacin y control de potencia. Ed. Paraninfo, 1998.
AGUILAR PEA, J. D.; DOMENECH MARTNEZ, A.; GARRIDO SNCHEZ, J. Simulacin Electrnica con PsPice. Ed. RA-MA. Madrid, 1995. COUDIC, Marc. Circuitos integrados para tiristores y triacs. Ed Marcombo, 1999. FINNEY, DAVID. The Power Thyristor and its applications. Ed. McGraw Hill, cop, Londres, 1980. GAUDRY, M. Los tiristores: funcionamiento y utilizacin. Paraninfo, 1969. LANDER, C. Power electronics. Ed. McGraw-Hill,1993. POWER SEMICONDUCTOR APPLICATIONS. Philips semiconductors. (Capitulo 6: Power control with thyristors and triac) <http://www.semiconductor.philips.com> [Consulta: 4 de julio de 2005] RAMSHAW, R.S. Power electronics semiconductor switches. Ed. Chapman & Hall, 1993. RASHID, M. H. Electrnica de Potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones. Ed. Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. Mxico 1995. RASHID, M. H. Spice for power electronics and electric power. Prentice Hall, 1993.

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48

Tema 5.- Tiristores Tema 6.- Gobierno de tiristores y triac y ejemplos de aplicaciones Introduccin. Disparo por cc. Disparo por ca. Disparo por impulsos o trenes de ondas. Circuitos de mando: Todo o nada, ngulo de conduccin, TCA 785, disparo sincronizado. Disparo por diac. Disparo por optoacopladores. Circuitos de disparo
6.1 Introduccin 6.2 Gobierno de Tiristores y Triacs. Principios 6.2.1 Disparo por corriente continua 6.2.2 Disparo por corriente alterna 6.2.3 Disparo por impulsos o trenes de ondas 6.3 Circuitos de mando 6.3.1 Circuitos todo o nada 6.3.2 Control de disparo por ngulo de conduccin. Control de fase 6.4 Disparo mediante circuitos semiconductores 6.4.1 Disparo por UJT 6.4.2 Disparo por put 6.4.3 Disparo por diac 6.5 Utilizacin de optoacopladores 6.6 Circuitos aplicados
1 1 1 4 7 10 10 16 24 26 40 44 48 51
TEMA 6: GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAC Y EJEMPLOS DE APLICACIONES
6.1 Introduccin
En los temas anteriores, se han estudiado los Tiristores y los Triacs, habindose analizado sus principios de funcionamiento y sus formas de cebado. En este tema se analizarn los diferentes sistemas de disparo mediante la aplicacin de distintas seales a la puerta de los mismos, as como los diversos elementos semiconductores utilizados en el disparo de estos dispositivos como el UJT o el PUT.
6.2 Gobierno de Tiristores y Triacs. Principios

Dependiendo del tipo de seal que se aplique a la puerta del Tiristor o del Triac, se pueden distinguir las siguientes modalidades de disparo:
Disparo por corriente continua. Disparo por corriente alterna. Disparo por impulsos o trenes de ondas.
6.2.1 DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA

Las condiciones requeridas por el dispositivo se pueden encontrar en las curvas de las caractersticas de puerta, como el de la figura 6.1, en el cual se representa la tensin puerta ctodo en funcin de la corriente de puerta. La curva est referida al 1er cuadrante. En el tercer cuadrante, la tensin de puerta no debe nunca exceder los valores lmites impuestos por el fabricante, pues una corriente inversa de puerta podra daar al Tiristor.
VFG (V)
10
VFGM mx = 10 V
C
8
PGM mx = 5W
6
D
4
Zona preferente de cebado
B
Fig 6.1 Tensin puerta - ctodo en funcin de la corriente de puerta. Hoja de caractersticas del Tiristor 2N681. Cortesa de General Electric.
0 .5
1 .5
IFG (A)
Para todos los Tiristores de una misma familia, los valores lmites estn comprendidos entre las curvas A y B. La parte C, de la curva representa la tensin directa de pico mxima admisible por la puerta, VGT mientras que la parte D, indica la potencia de pico mxima admisible por el dispositivo, PGM max En la figura 6.2 se representa un circuito tpico de disparo por C.C. La recta de carga definida por el circuito de disparo, debe cortar a la caracterstica de puerta en la regin marcada "zona preferente de cebado", lo ms cerca posible de la curva D, como se puede apreciar en la figura 6.1. La variacin de la corriente de puerta, IG respecto al tiempo, debe de ser del orden de varios amperios por segundo con el fin de reducir al mnimo el tiempo de respuesta. En la figura 6.3 se puede observar con mayor claridad la zona de funcionamiento del circuito en la regin de puerta.
Fig 6.2 Circuito de disparo de SCR por corriente continua.
En el clculo prctico de los circuitos de mando se deben tener muy en cuenta las consideraciones hechas anteriormente. Para una mejor comprensin de este apartado, en el ejemplo 6.1 se realiza el clculo real de un sencillo circuito de disparo con corriente continua.
Fig 6.3 Punto de funcionamiento del Tiristor en el cebado.
PROBLEMA 6.1
En el circuito de la figura, determinar si la fuente de tensin continua de 6V, es apropiada para el disparo del Tiristor BTY79.
Fig 6.4
Solucin: La resolucin del ejercicio requiere examinar las hojas de caractersticas del Tiristor BTY79. Para establecer el intervalo de valores admisibles para VS, se calculan los valores mximos y mnimos admisibles para el disparo del elemento, segn la caracterstica de puerta del dispositivo.
Fig 6.5 Tiristor BTY79
La potencia media mxima de puerta que no se debe sobrepasar es PGAV = 0.5W, Los valores mnimos de disparo, son: Vo = 2V e Io = 75mA. El valor mnimo para la tensin del generador, VS viene dado por:
VS min = R S mx I o + Vo = 4.25V
donde, segn la grfica, RSmx = 30
E 6.1
El valor VSmx se obtiene para un valor de PGAV = 0.5W. La potencia mxima disipada en la puerta del dispositivo, cuando RGMAX > RSMIN ser:
PGM
VS(mx) = R G (mx) R R + S (mn) G (mx)
E 6. 2
Haciendo PGM = PGAV y despejando VSmx
P VSmx = GAVmx (R Smn + R Gmx ) = 7 V R Gmx

Donde, segn la grfica, RSmn = 24 y RGmx = 32
E 6. 3
La impedancia mxima de puerta del Tiristor, RGmx se corresponde con el valor de la pendiente media, dV/dI de la caracterstica de puerta del Tiristor Se puede afirmar que la fuente de 6V es apropiada para el correcto funcionamiento del circuito.
6.2.2 DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA
Fig 6.6 Circuito bsico para el disparo por corriente alterna.
Se debe prestar atencin a dos parmetros importantes
La excursin inversa de la tensin de puerta, VG que debe permanecer por debajo del valor mximo admisible, lo cual justifica la presencia del diodo de proteccin. La potencia de pico mxima, PGM que puede aumentarse a condicin de no sobrepasar la potencia media de puerta permitida por el fabricante.
PROBLEMA 6.2
Para el circuito de la figura, en el que se representa un control bsico de potencia con disparo por corriente alterna; Calcular el ngulo de disparo y la tensin media entregada a la carga para distintos valores de R; 5K, 8K y 10K. Comparar estos clculos con los datos obtenidos simulando el circuito con PsPice.
Datos: Ve (RMS) = 28.4 V; RL = 20; IGT = 2mA; VGT = 0.7 V; VD = 0.7 V; D 1N4148; SCR 2N1595
Ve = 2 Ve(RMS) senwt
Fig 6.7
Solucin: (para R = 5K) Aplicando las leyes de Kirchoff se calcula Ve
Ve = (R L + R ) I G + VD + VGK
Para R = 5K: Ve = (20 + 5 K ) 2 10
3
A + 0.7 V + 0.7 V = 11.44 V
Para cada valor de Ve se calcula el ngulo de disparo a partir de la expresin
wt = arcsen
Ve 2 Ve (RMS )
11.44 28.4 2
17
La tensin media entregada a la carga, depende del ngulo de disparo
VDC
180 V 1 = Vm senwt = m ( cos180 + cos17) = 12.5 V 2 17 2
Aplicando las ecuaciones anteriores se obtienen los siguientes valores para los dems valores en la carga RL = 8K RL = 10K Ve = 17.44V Ve = 21.44 V Wt 26 wt 32 VDC = 12.14 V VDC = 11.82 V

*Problema6_2.CIR * E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA * CONTROL BASICO DE POTENCIA. DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA VE 1 0 SIN (0 40.16V 50HZ) RL 1 2 20 *DEPENDIENDO DE LA SIMULACION QUE SE DESEE REALIZAR EL LECTOR DEBERA *CAMBIAR EL ASTERISCO R 2 3 5K *R 2 3 8K *R 2 3 10K D 3 4 D1N4148 XT1 2 4 0 2N1595 .LIB NOM.LIB *ANALISIS .TRAN 100US 40MS .PROBE V(2) V(1,2) V(1) .END
Fig 6.8 Seal de entrada, Ve, Tensin nodo-ctodo, VAK, tensin en la carga, VRL para RL =5K
Fig 6.9 Curva obtenida mediante la simulacin Pspice para el caso de RL = 5K
El valor de la tensin media en la carga se obtiene segn la expresin AVG(V(1,2)) Valores obtenidos en la simulacin. RL = 5K RL = 8K RL = 10K Ve = 11.10 V Ve = 16.12 V Ve = 20.30 V wt 16 Wt 25 wt 31 VDC = 11.96 V VDC = 11.65 V VDC = 11.35 V

El circuito de la figura 6.10, utiliza un Tiristor para realizar el control por ngulo de fase, de la potencia aplicada a una carga. Determinar el valor del ngulo de disparo del SCR, el valor instantneo de la tensin de entrada que produce el apagado del SCR. Dibujar las formas de onda asociadas al circuito y compararlas con las obtenidas con Pspice. DATOS: VE = 17 V; RL = 100; R1 = 5.5 K; R2 = 500; VD = 0.7 V SCR: IGT = 2mA, VGT = 0.7V ; VTM = 1.1V ; IH = 5mA ...
...
Fig 6.10

*CD6_1.CIR *E.P.S. JAEN (DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA) *CONTROL DE POTENCIA POR ANGULO DE FASE VE 1 0 SIN (0 24V 50HZ) R1 1 5 5.5K R2 5 4 500 RL 1 2 100 D 4 3 D1N4148 XT1 2 3 0 2N1595 .LIB NOM.LIB .TRAN 100US 20MS .PROBE V(2) V(1) V(1,2) .END
6.2.3 DISPARO POR IMPULSOS O TRENES DE ONDAS

En el proceso de paso de corte a conduccin de Tiristores y Triacs, se podr aplicar un nico pulso o un tren de impulsos a la puerta del dispositivo. Una ventaja al introducir un pulso frente a introducir una seal continua, ser la menor potencia que deba disipar la puerta, as como poder ampliar las tolerancias entre las que se puede mover, aunque lo ms apropiado es realizarlo mediante la introduccin de un tren de impulsos, como posteriormente se ver. La seal de puerta debe ser aplicada el tiempo necesario hasta que la corriente por el semiconductor alcance el valor de la corriente de enganche. Posteriormente se analizar los distintos dispositivos de disparo (DIAC, UJT, PUT y Acopladores pticos con Tiristores).
Disparo por impulso nico

Esta modalidad de disparo, proporcionar a la vez una disminucin en la potencia disipada, as como un aumento de la precisin de disparo. El disparo por impulso nico, como se podr ver seguidamente, presenta tres razones que explican la preferencia que se le concede, cuando es posible su utilizacin.
El cebado por impulsos, permite una potencia de pico superior a la potencia media de puerta admisible, pudiendo aplicarse criterios de tolerancia ms amplios al circuito de disparo. Es posible reducir a un valor mnimo el retardo que existe entre la seal de puerta y la subida de la corriente de nodo, lo que permite obtener una sincronizacin muy precisa. Se reduce la disipacin de potencia debida a la corriente residual en las proximidades del nivel de cebado.
7
El tiempo de retardo, td disminuye cuando se aumenta la amplitud del impulso de mando
Fig 6.11 Impulso de corriente de puerta. IGT = Corriente de mando, mnima
En la prctica, es conveniente tener en cuenta los siguientes principios para obtener unos resultados ptimos.
El circuito de puerta debe ser atacado, preferentemente, con un generador de corriente. La corriente de mando, debe ser mayor que la corriente especificada como mnima. El tiempo de subida, debe ser lo ms corto posible, entre 0.1s y 1s, sobre todo si el Tiristor debe soportar una fuerte rampa de corriente tras el cebado. La duracin del impulso debe ser tal que la corriente de mando permanezca por encima de IGT, en tanto no se alcance la corriente de enganche andica (IL). Conviene adems reservar un margen de seguridad en el caso de circuitos con carga inductiva, en los que existe un retardo de la corriente de nodo.
Disparo por trenes de ondas

En el funcionamiento para corriente alterna con cargas inductivas y un Triac (o dos Tiristores montados en antiparalelo), la corriente en el elemento inductivo persiste algn tiempo despus del paso por cero de la primera semionda de tensin en la que se produjo el cebado del semiconductor. Puede suceder entonces que esa corriente no se anule hasta despus de pasado el siguiente impulso de disparo del Triac, por consiguiente, el Triac permanecer cortado, no existiendo entonces posibilidad alguna de un nuevo disparo antes de la llegada de la siguiente semionda, de igual polaridad que la primera. Resulta pues, una rectificacin de corriente que puede llegar a deteriorar los circuitos conectados en la rama. Ver figura 6.12. Para evitar este fenmeno, se tendrn dos opciones:
Ampliar la duracin de cada pulso. Curva C. Enviar trenes de impulsos repetitivos hasta el trmino de cada semiciclo. Curva D.
Esta segunda opcin, presenta la ventaja de consumir poca energa, en valor medio, del circuito de mando. Adems de facilitar el ataque del triac (o del Tiristor) colocando un transformador de impulsos, con lo que se consigue aislar el circuito de control de la parte de potencia (separacin galvnica). Ver figura 6.13
Fig 6.12 Curvas de disparo por trenes de ondas.
Distintos tipos de disparo de tiristores [6_1]
Fig 6.13 Circuito de transferencia de pulsos a la puerta del Tiristor, basado en un amplificador con transformador de impulsos
La duracin mxima, tmax del impulso transmitido por el transformador de impulsos puede calcularse a partir de la ley de induccin.
U2 = N S
dB dt
E 6. 4
N = Nmero de espiras (igual para los arrollamientos primario y secundario). S = Seccin del circuito magntico. B = Induccin. Despejando el valor de la induccin de la ecuacin anterior
B=
U U2 dt 2mx t N S N S
E 6. 5
La induccin de saturacin, Bmax se alcanza despus de un periodo de tiempo, tmax La duracin mxima de un impulso ser:
t mx =
N S B mx U 2mx
E 6. 6
No obstante, los fabricantes en sus hojas de caractersticas indican el siguiente valor, expresado en Vs
t mx U 2mx = N S B mx
E 6. 7
6.3 Circuitos de mando

Los circuitos con Tiristores y Triacs se emplean en aplicaciones en las que el elemento realiza funciones de conduccin:
Todo o nada. Control de fase.
Fig 6.14 Control todo o nada. Permite poner bajo tensin una carga alterna a su paso por cero. (Disparo sincronizado), tambin se puede modular la potencia consumida por un receptor entregando grupos de periodos enteros
Fig 6.15 a) Control por ngulo de fase (SCR mediaonda)
b) Control por ngulo de fase (TRIAC onda completa)
6.3.1 CIRCUITOS TODO O NADA

En un gran nmero de ocasiones, los rels son sustituidos por Tiristores por Triacs, debido a las grandes ventajas que presentan frente a stos
10
Mayor rapidez de repuesta. Menor tamao. Ausencia de chispas entre contactos.
Hay circuitos que permiten a un Tiristor Triac funcionar como un interruptor aleatorio, es decir, circuitos que permiten que el elemento permanezca cerrado en tanto que dure una orden de cierre aplicada al mismo, y que se abra al desaparecer dicha orden. Esta funcin es similar a la que desempea un rel electromagntico (de aqu el nombre de rel esttico, con el que se designa frecuentemente a estos circuitos). El montaje de interruptores aleatorios es el descrito a continuacin: la orden de cierre para el dispositivo de mando aleatorio se aplica mediante un pequeo interruptor, S segn el montaje de la figura 6.16.
Fig 6.16 Rel esttico con Tiritor alimentado con c.a.
En el caso del Tiristor, la tensin de mando ha de ser positiva con relacin al ctodo. Si la tensin de alimentacin que se pretende interrumpir procede de una rectificacin, el Tiristor se extinguir por s mismo una vez abierto el interruptor, S en cuanto se anule la corriente. Si la tensin de alimentacin es continua, o si no se anula en cada perodo la corriente de carga, habr que incorporar un circuito de extincin (denominado E en la figura 6.17), el cual forzar al Tiristor a pasar a corte cuando se abra el interruptor S.
Fig 6.17 Rel esttico con Tiristor alimentado con Corriente continua y circuito de extincin.
Mando sncrono
Si permanece la corriente de puerta, el semiconductor se cebar de nuevo en cuanto empiece el semiperiodo siguiente, sin crear parsitos de conmutacin. No obstante, existe un cierto riesgo de generacin de parsitos en el instante de cierre del interruptor, S si se hace de forma aleatoria (riesgo de poner al triac en conduccin en el momento en que la tensin presenta un valor importante). En la figura 6.18 se representa el esquema de un circuito de uso muy corriente, el cual permite realizar la funcin de mando sncrono. El circuito en este caso debe de incorporar un circuito detector de paso por cero de la tensin o corriente de alimentacin.
11

Sea el circuito de control de potencia de la figura 6.20. Dibujar la seal de salida en la carga, para una tensin Ein de 2.5 voltios dc y una seal rampa Vref de 5 voltios de amplitud
Fig 6.20 Circuito de control de potencia
Demostrar que: VRMScarga = VRMS D , siendo D =
Ton T
Circuitos integrados de disparo

Como se ha comentado anteriormente, cuando la conmutacin se realiza a tensiones distintas de cero, se producen transitorios que generan interferencias a altas frecuencias. Lo mismo ocurre al bloquearse los triacs y los Tiristores si la carga es inductiva. Por eso es conveniente realizar las conmutaciones en los puntos de cruce por cero. Actualmente, la mayor parte de los fabricantes ofrecen soluciones a este problema comercializando distintos circuitos integrados: CA3059 / CA3079 de RCA o VAA216 de MOTOROLA. La misin de todos los circuitos anteriores, es conseguir que la conmutacin se realice antes de que la tensin de lnea exceda de un determinado valor. Circuito integrado VAA2016 Es un circuito integrado utilizado en control de Potencia sincronizado al paso por cero, se alimenta directamente de la tensin de red. El diagrama de bloques est representado en la figura 6.21.
12
Fig 6.21 Diagrama de bloques del Circuito Integrado VAA216. Cortesa de Motorola
Como ejemplo de aplicacin vemos un control de temperatura cuyo diagrama esquemtico es la figura 6.22, correspondiente a un regulador de temperatura, permitiendo reducir el consumo de energa por la noche en determinadas estancias o cuando se producen ausencias de corta duracin.
Fig 6.22 Esquema de aplicacin
Antes es conveniente recordar algunos conceptos, como el control todo o nada con margen proporcional. Este tipo de control combina el control todo o nada y el proporcional. Sustituye adecuadamente al todo o nada con histresis, regulando de una manera ms fina la magnitud a controlar. La figura 6.23 compara la regulacin de temperatura entre un sistema con histresis y un control con margen proporcional.
13
Fig 6.23 Comparacin entre la regulacin con banda proporcional y con histresis
La histresis sirve para evitar las conmutaciones frecuentes (oscilaciones) de un sistema todo o nada, generadas a la menor perturbacin, es decir, para estabilizarlo. El control con margen proporcional tiende hacia la estabilidad electrnica y de la temperatura. La entrada en el margen proporcional se traduce en una disminucin progresiva de la potencia entregada a la resistencia de carga. La potencia se restablece anticipndose al lmite superior de temperatura y tambin cuando sta decrece. En la figura 6.24 se representa el diagrama de un circuito todo o nada con margen proporcional. Se observa que la banda proporcional est creada aadiendo la tensin de consigna a la tensin triangular (o diente de sierra) para ser comparada con la temperatura. El resultado de esta comparacin y el impulso de paso por cero es lo que permite al circuito lgico generar la seal de puerta.
Fig 6.24 Diagrama de un control todo o nada con banda proporcional
Volviendo al circuito integrado (figura 6.21), el circuito de sincronizacin, adems de controlar el circuito lgico de ondas completas, proporciona el reloj necesario para el convertidor D/A que genera la rampa de tensin. (El periodo est preajustado a 40.96s. Su amplitud corresponde a 1C de margen de regulacin). El fabricante nos suministra los datos y grficos necesarios para el diseo.
14
La resistencia Rsync fija el valor de la anchura del pulso.
Fig 6.25 Resistencia de sincronizacin en funcin de la duracin del impulso de puerta
La duracin del pulso, como sabemos, es funcin de la corriente de enganche IL del triac (Figura 6.26)
Fig 6.26 Duracin del impulso en funcin de la corriente de enganche del triac
La intensidad de salida de ataque a la puerta del triac viene determinada por la curva de la figura 6.27
Fig 6.27 Resistencia de puerta en funcin de la corriente IGT del triac UAA2016 [6_2]
15
Circuitos integrados CA 3059 / CA 3079 de RCA

12 Rs 5 Cx Limiter
0 crossing detec
Power supply 3
RL
VAC
MT 2
Triac geting circuit
2 1 Rp
100 F 15V
INV. Fall safe

On/Off sensing amp
MT 1
14 13 8 7
NTC sensor
9 10 11
Fig 6.28 Circuito Integrado CA3059: Diagrama de bloques (Cortesa RCA).
Estos dos circuitos tienen una gran importancia en la conmutacin de Tiristores a tensin nula. Por tanto, se puede denominar a los circuitos integrados CA 3059 / CA 3079, conmutadores a tensin cero. Son utilizados para el control de Tiristores en aplicaciones de conmutacin de potencias en C.A. comprendidas entre 24 y 227V y frecuencias entre 60 y 400Hz. El circuito integrado consta de 4 bloques funcionales, ver figura 6.28
Limitador de potencia: Permite alimentar al circuito integrado directamente de una lnea de C.A. Amplificador diferencial: Recibe las seales de un sensor externo u otro tipo de seal de mando. Detector de cruce cero: Sincroniza los pulsos de salida del circuito en el momento en que la tensin alterna pasa por cero. Circuito de disparo: Proporciona impulsos de una elevada corriente con la suficiente potencia para disparar el tiristor de control.
6.3.2. CONTROL DE DISPARO POR NGULO DE CONDUCCIN. CONTROL DE FASE.

La forma ms simple de disparo de un Tiristor o de un Triac, es por medio de corriente continua, como ya se estudi al principio del tema. Este tipo de control, presentaba el inconveniente de que, la puerta estaba disipando energa constantemente y el control solo se poda realizar entre 0 y 90.
Circuitos de control de puerta.

Para disparar un Tiristor, es necesario aplicar una serie de impulsos a su puerta. Estos impulsos deben tener un cierto ngulo de retardo del disparo, respecto al paso por cero de las tensiones alternas que alimentan el convertidor. Para poder variar este ngulo, ser necesaria la ayuda de una tensin de control continua, Ucm La tensin de control, Ucm se compara con una tensin de referencia cosenoidal (Ur).
16
Los impulsos de disparo tendrn la misma frecuencia que la tensin de referencia, Ur y estn desplazados un ngulo respecto al paso por el valor de pico de Ur, como se puede ver en la figura 6.29
U r = Valor de pico de U r
U r cos = U cm
E 6. 8
= arccos
U cm
E 6. 9
Ur
A fin de que el angulo obtenido en la ecuacin [E6.9] se corresponda con el ngulo de retardo del disparo, es indispensable que la tensin de referencia, Ur posea una posicin de fase bien determinada respecto a las tensiones de alimentacin del convertidor. Muy a menudo debe filtrarse la tensin de referencia cuando la tensin representa armnicos superpuestos. Un ejemplo de este tipo de circuitos est representado en la figura 6.30. A veces, en lugar de una tensin de referencia senoidal se utiliza una tensin en dientes de sierra que debe estar sincronizado con la red de alterna que alimenta al convertidor. En este caso existe una relacin lineal entre el ngulo de retardo y la tensin de control Ucm. Ver figura 6.31
Fig 6.29 Funcionamiento de un dispositivo de control de puerta.
Fig 6.30 Circuito de control de puerta con tensin de referencia senoidal.
Siempre es necesario limitar el campo de variacin de la tensin de control, Ucm en correspondencia con una limitacin del ngulo entre los lmites min y max. Se puede ver que entre y Ucm existe una relacin, es decir, se comprueba que min corresponde con Ucm max y que max corresponde con Ucm min.
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Un ejemplo de este tipo de circuitos es el circuito representado en la figura 6.32

Ejemplo de control de un sistema trifsico [6_3]
Fig 6.31 Generador de dientes de sierra para la sincronizacin con la red de alterna.
Fig 6.32 Circuito de control de puerta con tensin de referencia de dientes de sierra.
Circuito integrado TCA 785 de SIEMENS Este circuito es muy empleado en el control de fase. Los pulsos de disparo pueden variar entre 0 y 180. Los circuitos ms tpicos en los que se utiliza son convertidores ac/dc y control de corriente alterna.
GND Q2 QU Q1 VSYNC I QZ VSTAR 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 VS Q2 Q1 L C12 V0 C10 R0
Fig 6.33 Patillaje del circuito integrado TCA 785. (Cortesa SIEMENS).
18
Fig 6.34 Diagrama de bloques del integrado TCA 785. (Cortesa de SIEMENS).
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Fig 6.35 Formas de onda en cada una de las patillas del C.I TCA 785
La seal de sincronismo es obtenida a travs de una resistencia desde la patilla de voltaje, V5. El detector de voltaje cero evala el paso por cero y la transferencia hacia el registro de sincronismo. El registro de sincronismo controla el generador de rampa. Si el voltaje de rampa obtenido de la patilla V10 excede del voltaje de control obtenido de la patilla, V11 (determina el ngulo de disparo), la seal es procesada por el control lgico. Dependiendo de la magnitud del voltaje de control, V11 el ngulo de disparo puede controlarse dentro de un rango comprendido entre 0 y 180. Para cada media onda, un pulso positivo de aproximadamente 30s de duracin aparece en la salida Q1 (patilla 14) y en la salida Q2 (patilla 15). La duracin del pulso puede ser prolongada por encima de 180 a travs del condensador C12. Si la patilla 12 se conecta a masa, se obtendrn pulsos con una duracin entre un valor de y 180. Las salidas Q1 y Q2 (invertidas), suministran la seal inversa de Q1 y de Q2. Una seal de valor +180 puede ser usada para controlar por lgica externa al dispositivo. Esta seal puede ser tomada de la patilla 3. La entrada inhibidora es usada para desconectar las salidas Q1, Q2, Q1 (invertida), Q2 (invertida). La patilla 13 es usada para ampliar el valor de las salidas Q1 (invertida) y Q2 (invertida). A continuacin vemos dos ejemplos de aplicacin de este circuito integrado, un regulador de alterna con triac y un regulador de alterna con dos SCR con acoplamiento por transformador de impulsos atacando directamente a su puerta con el CI
20
Fig 6.36 Control de la potencia alterna entregada a una carga, por ngulo de fase. Aplicacin control de iluminacin, motores, etc.
Fig 6.37 Control de la corriente alterna con dos SCR por ngulo de fase
21

Se propone estudiar un ejemplo de circuito de control de puerta construido con elementos discretos. Concretamente, se trata de un puente rectificador monofsico totalmente controlado. Dado el circuito rectificador en puente totalmente controlado de la figura, obtener mediante PsPice las formas de onda comprendiendo cada una de ellas y la funcin que desempea cada elemento del circuito.
Fig 6.38 Circuito rectificador en puente totalmente controlado
Explicar el funcionamiento del circuito de control

[6_4]
El esquema general del circuito de control de puerta es el siguiente.

DISPARADOR DE SCHMITT INTEGRADOR ACONDICIONADOR SEAL DE RESET
Fig 6.39 Esquema general
TRANSFORMADOR
CIRCUITO DE POTENCIA
A continuacin presentamos el circuito a simular con pspice (versin completa, pues no funciona en la versin de evaluacin debido al elevado nmero de nudos)
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Esquema del circuito de control
Esquema del circuito de potencia
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CD6_3: TRANSFORMADOR TOMA MEDIA, TOMA MUESTRA SEAL DE RED *PARA LA SINCRONIZACION AL PASO POR CERO VI1 4 0 SIN(0 17 50) VI2 0 5 SIN(0 17 50) *DIODOS RECTIFICADORES D1 4 6 D1n4148 D2 5 6 D1n4148 *POLARIZACION TRANSISTOR Q1 ENCARGADI DE OBTENER LOS IMPULSOS DE *SINCRONIZACION DE PASO POR CERO DE LA SEAL DE RED R1 6 9 18K Q1 8 9 0 BC547A Q2 10 8 11 BC547A ; DESCARGA EL CONDENSADOR CADA VEZ QUE LA SEAL DE RED PASA POR CERO *RED RC ENCARGADO DE CREAR LA INTEGRACION PARA LA LA SEAL RAMPA R2 7 8 10K R3 77 12 100K RP1 12 11 10k C1 10 11 100N RP2/ 7 13 4k; SEAL DE REFERENCIA POTENCIOMETRO RP2// 13 0 1k D3 14 15 D1n4148 R4 15 17 180 *AMPLIFICADORES OPERACIONALES XU1A 0 11 7 77 10 TL082 XU2A 10 13 7 77 14 TL082 .LIB NOM.LIB .lib c:/ps50/linear.lib *TENDSIONES DE ALIMENTACION DEL CIRCUITO V+ 7 0 DC 10 V- 0 77 DC 10 *SUBCIRCUITOS PARA LOS TIRISTORES xT3 4 19 20 BT151AC xT4 18 4 23 BT151AC xT6 18 5 22 BT151AC xT5 5 19 21 BT151AC .LIB c:/ps50/EPSJAEN.LIB *SUBCIRCUITOS DE LOS OPROACOPLADORES XOP1 17 25 24 20 OPTO XOP2 25 0 26 23 OPTO XOP3 17 28 55 21 OPTO XOP4 28 0 27 22 OPTO R7 18 26 1K R6 4 24 1K R8 5 55 1K R9 18 27 1K *CARGA; CON POSIBILIDAD DE SER INDUCTIVA Rout 19 18 10 *Lout 40 18 100m .TRAN 0.1M 20M *.four 100h v(19,18) .probe
Las libreras deben de estar referenciadas al directorio correspondiente
6.4 DISPARO MEDIANTE CIRCUITOS SEMICONDUCTORES

Los circuitos de disparo RC presentan la ventaja de la sencillez, pero tambin tienen dos inconvenientes importantes
La red debe ser adaptada a cada tipo de Tiristor. Toda la corriente de cebado pasa por la resistencia, disipando una potencia que no siempre ser despreciable.
24
PROBLEMA 6.3
En el circuito de disparo mediante red RC de la figura 6.40, el condensador se carga a travs de las resistencias R1 y R2 retardando el momento en que se alcanza la tensin de cebado. El diodo, D descarga al condensador durante el semiperiodo negativo evitando la aplicacin de una fuerte tensin negativa a la puerta. Calcular, suponiendo que no estuviera conectada la puerta del semiconductor al diodo, el ngulo de retardo introducido por el condensador. DATOS: Ve = 220V/50Hz; R1 = 200K; R2 = 500; C = 0.1F
Fig 6.40 Circuito de disparo mediante red RC
Solucin: La impedancia del condensador
XC =
1 C
XC =
La resistencia equivalente
1 = 31830.9 2 50 0.1 10 6
R = R 1 + R 2 = 200.5K
Por tanto el desfase introducido por el condensador ser
= arctg
XC = 9 R
Una solucin consiste en ir acumulando la energa til para as suministrarla en forma de impulso en el momento deseado. Esto se logra acumulando la energa necesaria en un condensador que se descargar sobre el circuito de puerta del Tiristor. Por lo general, este ltimo circuito ser un oscilador de relajacin que aprovecha los fenmenos de resistencia negativa. Una configuracin tpica del oscilador de relajacin se encuentra en la figura 6.41
Fig 6.41 Esquema de un circuito oscilador de relajacin.
25
6.4.1 DISPARO POR UJT.

El Transistor Uniunin, UJT es un popular dispositivo usado en los osciladores de relajacin para el disparo de Tiristores. El UJT est constituido por una resistencia de silicio tipo N, terminada en dos electrodos o bases denominadas B1 y B2. El valor de esta resistencia est comprendido entre 4 y 9 K. En un punto de ella se crea un diodo PN que realiza la funcin de emisor del UJT.
Fig 6.42 Circuito de regulacin de voltaje eficaz aplicado a la carga
Para que el UJT trabaje correctamente, es necesario polarizarlo de forma adecuada. Si los terminales B1 y B2 estn polarizados en directo con una tensin VBB, se crea un divisor de tensin entre el contacto de la regin P y los terminales B1 y B2, tal que el voltaje entre la regin P y el terminal B1 ser:
VRB1 =
donde
R B1 VBB = VBB R B1 + R B2
E 6.10
R B1 R B1 + R B2
E 6.11
El valor tpico del coeficiente, lo suministra el fabricante y est comprendido entre 0.5 y 0.8
Fig 6.43 Esquema de polarizacin y circuito equivalente del UJT.
Si con esta configuracin se aplica una tensin VE < VC, el diodo se polariza en inverso y no conducir. Pero si por el contrario, se aplica una tensin VE tal que se verifica que VE VP, (siendo VP = VC + VD y VD la tensin directa de saturacin del diodo), el diodo quedar polarizado en sentido directo, circulando una corriente entre el emisor E y la base B1. Esta corriente inyecta en la zona de resistencia R1 una corriente de portadores (huecos). La nueva concentracin de portadores en esa zona hace que la resistencia R1 disminuya haciendo a su vez que baje el voltaje VC, con lo que aumentar la intensidad IE. De esta manera, se crear una zona de resistencia negativa inestable. Esta zona de resistencia negativa as como los dems parmetros est representada en la figura 6.44.
26
Si se disminuye la tensin VEB1, entonces disminuye IE. Cuando el dispositivo alcance un valor inferior a la corriente de valle, IV aumentar el valor de VEB1 pasando a polarizar el diodo en sentido inverso.
Obtencin de caractersticas UJT:
[6_5]
[6_6]
Fig 6.44 Caracterstica V-I del UJT
La secuencia de trabajo del oscilador de relajacin con UJT se puede comprender mejor observando la figura 6.45 El condensador se carga a travs de la fuente hasta alcanzar un valor que depende de la constante de tiempo aproximada del circuito, T
T R T CT
La frecuencia del oscilador depende del valor del condensador, CT y de la resistencia, RT
E 6.12
Cuando la tensin del condensador se iguala al valor VE (VE = VC + VD), se llega a la tensin de pico VP. La resistencia entre el emisor y la base B1 baja rpidamente descargndose el condensador a travs de la resistencia R1, apareciendo un pulso en la puerta del Tiristor. Cuando el UJT no conduce la tensin en extremos de R1 debe ser menor que la tensin de disparo del SCR ( I BB R 1 < VGT ).
I BB =
VBB R B1 + R B 2 + R 1 + R 2
Fig 6.45 Circuito y formas de onda de un oscilador de relajacin con UJT
27
Es importante escoger una tensin VBB de alimentacin adecuada, y un UJT con la suficiente capacidad de impulso VOB1. Si el pulso cae hasta alcanzar un valor cero, el UJT recupera el estado de bloqueo, volviendo el condensador a cargarse para repetir de nuevo el ciclo. La resistencia R2 se incluye para mejorar la estabilidad del UJT frente a la temperatura. En la mayora de los casos, el valor de esta resistencia puede ser calculado aproximadamente utilizando la siguiente expresin
R 2 = 0.15 rBB
El UJT es un dispositivo muy utilizado para el disparo de los Tiristores.
E6. 13
Fig 6.46 Caracterstica interbase del UJT para distintos valores de IE
Nomenclatura del UJT

A la hora de manejar las hojas de caractersticas para aplicaciones prcticas y durante el desarrollo de problemas, es muy importante conocer la nomenclatura especfica usada para determinar los parmetros principales del UJT
2N2646 [6_7]
IE Corriente de emisor. IEO Corriente inversa de emisor. Medida entre el emisor y la base 2 para una tensin dada y la base 1 en circuito abierto. IP Intensidad de pico de emisor. Mxima corriente de emisor que puede circular sin que el UJT alcance la zona de resistencia negativa. IV Intensidad de valle de emisor. Corriente que circula por el emisor cuando el dispositivo est polarizado en el punto de la tensin de valle. rBB Resistencia interbase. Resistencia entre la base 1 y la base 2 medida para una tensin interbase dada. VB2B1 Tensin entre la base 2 y la base 1, tambin llamada tensin interbase. VP Tensin de pico de emisor. Mxima tensin vista desde el emisor antes de que el UJT alcance la zona de resistencia negativa.
28
VD Cada de tensin directa de la unin de emisor. Tambin llamada VF(EB1) VF. VEB1 Tensin de emisor en al base B1. VEB1(sat.) Tensin de saturacin de emisor. Cada de tensin directa entre el emisor y la base B1 con una corriente mayor que IV y una tensin interbase dada. VV Tensin de valle de emisor. Tensin que aparece en el punto de valle con una VB2B1 dada. VDB1 Tensin de pico en la base B1. Tensin de pico medida entre una resistencia en serie y la base B1 cuando el UJT trabaja como un oscilador de relajacin. Relacin intrnseca. rBB Coeficiente de temperatura de la resistencia interbase. Variacin de la resistencia B2 y B1 para un rango de temperaturas dado y medido para una tensin interbase y temperatura con emisor a circuito abierto dadas.
Simulacin con Pspice 6.1

Simular con Pspice el circuito de la figura , obtener las formas de onda de la tensin en el condensador y en la salida.
[6_8]
Fig 6.47

*SIM6_1.CIR * E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA * OSCILADOR DE RELAJACIN CON UJT VCC 1 0 DC 15V; TENSION DE ALIMENTACION RT 1 2 20K CT 2 0 .2U IC=0V RB2 1 3 100 RB1 4 0 20 XT1 3 2 4 2N4851; SEMICONDUCTOR UJT .LIB NOM.LIB .TRAN 0.2ms 12ms .PROBE V(2) V(4) .END
29
Este circuito solo funcionar en la versin completa de DOS 5.0 o en la versin completa de windows
Tensin en el condensador, vCT Tensin de salida, vsal

1 10V 2 10V
vCT
0V
5V
vsal
- 10V
>> 0V 0s 1
4ms
V( 2) 2 V( 4)
8ms
12ms
Ti me
En el siguiente problema se disea un oscilador de relajacin con UJT.
PROBLEMA 6.4
Para el circuito oscilador de relajacin con UJT de la figura 6.48. Calcular los valores mximo y mnimo de la resistencia R1 + R2, para una correcta oscilacin del circuito, calcular tambin el valor de los dems componentes del circuito y simularlo mediante PsPice. DATOS: VBB = VCC = 20V; CA = 1F; RB1 = 100 UJT: = 0.6; IV = 10mA ; VV = 2V; IP = 5A ; TD = 0.01... 0.1s
Fig 6.48
Solucin: A partir de la grfica V-I del UJT se pueden determinar los lmites mximo y mnimo de la resistencia de carga del condensador, R1 + R2. Estas expresiones representan la condicin de oscilacin
30
Fig 6.49 Curva V-I del UJT
R max
VBB VP IP
VBB VV IV
E 6.14
R min
E 6.15
V VV VBB VP R BB IP IV
La tensin de disparo, VP
E 6.16
VP = VBB + VD
VP = 12.5V.
E 6.17
Sustituyendo valores en las expresiones anteriores Rmx = R1 + R2 = 1.5 M ; Estos valores de resistencia aseguran la oscilacin. Determinando la expresin de carga de un condensador, se podr calcular el valor de la resistencia que falta. Para los requerimientos de oscilacin TD = 0.01 0.1s Si se llama ttotal al periodo de carga y descarga del condensador, se puede descomponer en: ttotal = tON + tOFF donde tOFF = Tiempo o periodo de carga del condensador, el UJT est bloqueado. tON = Tiempo o periodo de descarga del condensador. Normalmente, tOFF >> tON, por tanto se puede despreciar el valor de tON (comprobndolo posteriormente). Si se parte de la solucin de la ecuacin diferencial de carga de un condensador a partir de una tensin continua
Rmn = R1 = 1.8 K
31
VC (t) = VC (final) + [VC (inicial) VC (final)] e R C

Resolviendo la ecuacin anterior Para t = tOFF Vc (t) = VP Vc(0) = Vv Vc() = VBB
E 6.18
t OFF = R C ln
VBB VV VBB VP
E 6.19
Para las especificaciones del ejemplo, se van a determinar los valores de Rmin y Rmx: TD = 0.01s TD = 0.1s Rmn = 11.4 K Rmx = 113.6 K
Valores que se encuentran dentro del rango calculado anteriormente Sabiendo que: VBB >>> Vv; VP = VBB + VD VBB
La expresin anterior queda definitivamente
t OFF = T = R C ln
1 1
E 6.20
Esta es la aproximacin para el clculo del periodo de oscilacin del circuito con UJT. Se debe hacer notar que cuando > 0.6, la ecuacin anterior queda reducida
T = R C
E 6.21
A continuacin se facilita el listado para la simulacin con Pspice, se recomienda al lector que lo simule y analice los resultados. Descripcin del circuito
*Problema6_4.CIR *E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA *OSCILADOR DE RELAJACION VBB 1 0 DC 20V R1 1 2 10K * Seleccionar valores del potenciometro *R2 2 3 10K ;R1+R2 mnima R2 2 3 100K ;R1+R2 mxima CA 3 0 1UF ic=2V RB1 5 0 100 RB2 1 4 500 XT1 4 3 5 2N4851; UJT .LIB NOM.LIB .TRAN .2ms 0.4 .PROBE .END
Este circuito solo funcionar en la versin completa de DOS 5.0 o en la versin completa de windows
En muchas aplicaciones, en las que se utilizarn Tiristores, no se dispone de una fuente de alimentacin de C.C para alimentar el circuito de disparo, y la nica fuente es la de C.A correspondiente a la etapa de potencia del circuito.
32
PROBLEMA 6.5
Mediante el circuito de la figura 6.50, se trata de controlar la potencia entregada al motor de un limpiaparabrisas. Calcular la variacin del nmero de movimientos del limpiaparabrisas por minuto y el tiempo de descarga aproximado del condensador. Suponer que cada oscilacin del UJT produce un movimiento del motor y que el SCR vuelve al estado de corte mediante algn procedimiento adecuado no representado en este circuito. DATOS: VBB = Vcc = 20V; RB1 = 100; C = 50F UJT: IP = 16A; IV = 0.4mA; VV = 1V; = 0.6; rBBo = 5K; VD = 0.5V
Fig 6.50
Solucin: Rango de ajuste de variacin del movimiento: 2.62 < n < 26.2 ton = 12.4ms
Sincronizacin con la red de C.A. ; disparo de SCR
Fig 6.51 Circuito de sincronizacin de pulsos con la red c.a.
El circuito presentado se utiliza para alimentar al UJT a partir de la seal alterna de red. Es interesante notar que la tensin inicial de la que parte el condensador al inicio de cada semiciclo coincide con la tensin VV del UJT, lo que indica que el tiempo que tarda en alcanzar la tensin de disparo y por tanto el impulso inicial, siempre est sincronizado con el paso por cero de la red.
33
Fig 6.52 Formas de onda del circuito de sincronizacin de pulsos con la red
El circuito bsico para conseguir el sincronismo del oscilador con UJT, con la red de alimentacin est representado en la figura 6.51. En la figura 6.52 se pueden observar las distintas formas de onda obtenidas del circuito de sincronizacin con la red. Los impulsos marcados con 1 y 9, son los impulsos que provocan el disparo del Tiristor en perodos sucesivos. Los impulsos marcados con 2, 3, 4, 10, 11, 12, que se producen al final de cada semiperiodo, aunque son aplicados a la puerta del Tiristor, en principio no provocan ninguna perturbacin puesto que el Tiristor se encuentra en estado de conduccin. Estos impulsos indeseados podran ser eliminados mediante el diseo de un circuito auxiliar. Otra forma de eliminar estos impulsos indeseados, sera tomando la tensin Vi directamente entre el nodo y el ctodo del Tiristor. En el siguiente problema se realizar un estudio ms detallado de este tipo de circuitos de sincronizacin, mediante el diseo de un oscilador con UJT Cuestin didctica 6. 4
Trata de comentar el funcionamiento del circuito de la figura y la particularidad que presenta, en cuanto a la alimentacin y la sincronizacin con respecto del paso por cero de la seal de red.
CD6_4.cir
34
Para las figuras presentadas, Sabras demostrar en los dos casos presentados que el periodo es el indicado, sealar en las figuras el valor de Vp y comparar con su clculo terico?
Valor de Rp =100k
Valor de Rp =10k
Datos utilizados en la simulacin del UJT (ver .CIR): =0,655; Rbb=7k; Vv=1,77V
PROBLEMA 6.6
En la figura, se muestra el esquema de un regulador de corriente alterna de onda completa. Observar como en este montaje es posible controlar una seal alterna con un SCR mediante la configuracin del puente y del propio SCR. Disearlo y simular el circuito mediante PsPice.
Fig 6.53
35
DATOS: Ve = 220V; f = 50Hz; PL = 180W; C = 0.2F; RB1= 20; RB2= 100; fOSCILAC. = 100 . . . 900Hz ZENER: Vz = 25V; IF = 2mA Solucin: Inicialmente ser necesario estudiar las grficas de la intensidad de pico, IP intensidad de valle, IV y tensin de valle, VV Para un valor VB1B2 = VZ = 25V, IP = 1A;
Ip
IV = 8.5mA;
VV = 1.72V
Ip, PEAK POINT EMITTER CURRENT ( A)
3.0 2.5 2.0 1.5
1.0
0.5
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
24
25
27
30
VB2B1
VB2B1 INTERBASE VOLTAGE (VOLTS)
Iv
Iv, VALLEY POINT CURRENT (mA)
16 14 12 10
8.5
6.0 4.0
2N4871
2N4870 2.0 0 3.0 6.0 9.0 12 15 18 21 24 27 30
25
VB2B1
Vv 1.8 Vv, VALLEY VOLTAGE (VOLTS)
1.72
1.6
1.5
1.4
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
24
27
30
25
VB2B1
...
36
El valor de la tensin de pico, VP se determinar aplicando la ecuacin [E6.17]
VP = VBB + VD = 19.75V
Sustituyendo en las expresiones [E6.15] y [E6.14] se calculan los valores mximo y mnimo de la resistencia, R = R1 + R2 que garantizan la oscilacin del circuito
R mn = 2.74K
R mx = 5.25M
Planteando la ecuacin de la constante de tiempo, [E6.20
TD = 1.5 R C
Para los mrgenes de frecuencia especificados, se calculan los valores del potencimetro, R1+R2
f1 = 100 Hz
f 2 = 900 Hz
TD1 =
1 = 1.5 R C R mx = R 1 + R 2 = 33.3K f1 1 TD2 = = 1.5 R C R mn = R 1 = 3.7K f2

R1 = 4K; R2 = 30K
Tomando valores normalizados
El diseo del circuito adaptador de tensiones se resume en el clculo de la resistencia R3. La tensin de salida del rectificador debe estar siempre por encima de la tensin marcada por el diodo zener, ocurriendo esto para un determinado ngulo de conduccin. Fijando ste en unos 15 aproximadamente
Ve = V0 senwt = 311 sen15 = 80.5V

El valor de la tensin a travs de la resistencia R3 ser el valor necesario para la correcta polarizacin del diodo zener (IZ = 2mA) y para el UJT IUJT = 4mA. El valor de la intensidad ser, por tanto, 6mA. Calculando el valor de R3, se tiene:
R3 =
V0 VZ 80.5 25 = = 9.25K I 6mA
A continuacin se simula el circuito para el mximo valor de R1+R2, con el que se consigue el primer disparo para t = 6.35 ms, esto implica un ngulo de disparo de 114.3 o lo que es lo mismo un ngulo de conduccin de 65.7

Problema6_6.cir
37
[1] Tensin zener, vZ [2] Tensin en el condensador, vC

1 26V 2 34V
vZ
0V
17V
vC
- 26V
>> 0V 0s 1
6.35 ms
V( 5) - V( 4) 2 V( 6) - V( 4) Ti me
40ms
El condensador tiende a cargarse hasta alcanzar un valor de tensin fijado por el diodo zener. Sin embargo, cuando C alcanza el valor de la tensin de disparo del UJT, hace que ste se dispare. En este preciso momento se obtiene en la base 1 del UJT un impulso que provoca el disparo del Tiristor haciendo que pase del estado de bloqueo al de conduccin.
[1] Impulsos de disparo, vG

10V 312V
[2] Tensin en el SCR, vSCR
vSCR
0V
vG
0V >> - 312V 0s 1
6.35 ms
V( 8) - V( 4) 2 V( 2) - V( 4) Ti me
40ms
En el circuito se puede observar que la disposicin del SCR, es tal que se puede controlar una potencia alterna, es decir los dos semiciclos con un solo SCR. En este caso se ha de tener en cuenta que por el puente de diodos va a circular la misma intensidad que por la carga. El proceso de disparo se repetir cada semiciclo de la seal de entrada, puesto que, gracias al puente de diodos, en extremos del Tiristor siempre se tendr aplicada una seal positiva. Por tanto la seal estar controlada y en la carga se tendr una seal como la representada en la pantalla obtenida con Pspice.
[1] Impulsos de disparo, vG [2] Tensin de entrada,ve

1 50V 2 312V
Tensin en la carga, vRL
ve vRL
0V
0V
>> - 312V 0s 1
vG
6.35 ms 10ms
v( 8) - v( 4) 2 V( 3) V( 1) Ti me 20ms 30ms 40ms
38
Si se vara el potencimetro al valor mnimo de resistencia se observa como el disparo del Tiristor se produce mucho antes con lo que la potencia entregada a la carga es mucho mayor, se invita al lector a comprobarlo utilizando Pspice.
Circuito de aplicacin: Rectificador onda completa controlado [6_9]
Enlace6_9.cir
Circuito de control de potencia por "Rampa - Pedestal"
Fig 6.54 Principio de control de potencia por rampa pedestal o rampa - escaln.
En el control de potencia por "rampa pedestal", el valor del escaln es fijado por una tensin de referencia, de nivel ajustable, siendo la rampa una tensin de referencia que se superpone al valor del escaln necesario para disparar al Tiristor en un punto umbral fijo. Si se hace una breve descripcin del funcionamiento del circuito de disparo, figura 6.55 se puede decir que cuando el valor de tensin VE es mayor que la tensin VD, el condensador C, se carga a travs del potencimetro R fundamentalmente ya que se verifica que el valor de R es menor que el valor de R2, y por tanto con una constante de tiempo muy pequea. Cuando el nudo D alcanza un valor de tensin, tal que VD VE, el diodo D1 deja de conducir y el condensador C pasa a cargarse a travs de la resistencia R2 con una constante de tiempo mayor, de valor R2C , hasta que alcance el valor de disparo del UJT.
Fig 6.55 Circuito de disparo por el mtodo de rampa pedestal Ondas obtenidas con Pspice
Seal obtenida en laboratorio [6_10]
39
T1 P2 A C1
T2 (P1 + R 1 ) C1
T1 << T2
Fig 6.56 Sistema de control de temperatura.
El voltaje para el cual VD = VE se denomina voltaje pedestal y la variacin del voltaje a partir de este momento se denomina rampa. De aqu surge el nombre de este sistema de control Rampa Pedestal. En la figura 6.56 se muestra un ejemplo de aplicacin de un circuito de control de disparo por rampa - pedestal para un sistema de control de temperatura interior recubierto de papel de aluminio. Se hace un agujero en la caja y se inserta un tubo de cartulina. La fotoclula se monta en el otro extremo del tubo de forma que no reciba luz del ambiente. La resistencia de la fotoclula es la resistencia de realimentacin del circuito denominada T.
6.4.2 DISPARO POR PUT

El Transistor Uniunin Programable, PUT es un dispositivo de disparo muy usado en los circuitos de disparo por puerta para los Tiristores. Tiene tres terminales que se identifican como: ctodo (K), nodo (A) y puerta (G). El PUT, es un pequeo Tiristor con puerta de nodo, presentando unas caractersticas de disparo parecidas a las del UJT, cuando es utilizado en los osciladores de relajacin, pero presenta la ventaja de poder ser programado para determinar el valor de los parmetros , VP e IV mediante un sencillo circuito externo de polarizacin. (En el caso del UJT, viene predeterminado; VP = VBB + VD una vez fijada la tensin de alimentacin tambin es cte; IV es cte.) El PUT permite variar estos parmetros y por tanto se pueden obtener periodos de mayor duracin.
Fig 6.57 Montaje y circuito equivalente de un PUT
40
La operacin del PUT, depende de la tensin que se tenga aplicada entre el nodo y la puerta del dispositivo, figura 6.57 El voltaje de puerta es fijado por un divisor de tensin que es utilizado para programar el disparo del dispositivo. Si el voltaje de puerta es mayor que el voltaje de nodo, el PUT queda en estado de corte. Si se incrementa el voltaje de nodo hasta un punto alrededor de 0.7V (Voltaje de barrera de la unin P-N), el voltaje de puerta hace que el PUT pase a conducir en un periodo de tiempo muy corto (menos de 1s). La tensin de nodo (VP) que hace que el dispositivo se dispare, es ajustada cambiando el voltaje de puerta, es decir, alterando la relacin:
RB RA + RB
En la figura 6.58 se representa un circuito oscilador con PUT. Las resistencias R1, R2 y el condensador C, actan ajustando el retraso del voltaje de pico VP. En el paso de corte a conduccin, aparece un pulso de tensin VG (mayor de 6 V) en el ctodo del PUT. Este ser el pulso que apliquemos a la puerta del Tiristor. El condensador se descargar a travs de la resistencia de ctodo haciendo que la corriente caiga hasta cero, cortando de esta manera al PUT. En este momento el voltaje de nodo se hace menor que el voltaje de puerta, comenzar a cargarse de nuevo el condensador hasta alcanzar un voltaje VP, repitindose de nuevo el ciclo. Cuando la tensin de nodo, VA es superior a VG + VGA, comienza a conducir y tiene una caracterstica similar a la del UJT como se puede observar en la curva caracterstica V-I del PUT Tanto IP como IV dependen del valor de las resistencias RA y RB, es decir, del valor de RG, siendo:
RG =
RA RB RA + RB
E 6.22
Es especialmente importante el hecho de que IP pueda reducirse hasta valores muy bajos usando valores grandes de RG. Esta caracterstica es muy til en circuitos con tiempos de retardo largos. (No hay que olvidar que se vio en el caso del UJT que Rmx dependa de IP). Los lmites de resistencia de carga del condensador RT se determinan de la misma forma que para el UJT. En el problema siguiente se tratar de disear el oscilador de relajacin con PUT a partir de las caractersticas dadas por el fabricante y para una determinada frecuencia.
Fig 6.58 Oscilador de relajacin con PUT. Curva caracterstica V-I del PUT
41
PROBLEMA 6.7
Disear el circuito oscilador de relajacin con PUT, representado en la figura 6.59. Datos: VBB = VCC = 10V; C = 10nF; fosc. = 1.5KHz PUT: VD = 0.6; VV = 1V
Fig 6.59
Solucin: Para un periodo completo de oscilacin, el tiempo es el inverso de la frecuencia y viene dado por la suma del tiempo de corte, toff y el tiempo de conduccin, ton TD = toff + ton = 666 s El condensador se carga exponencialmente desde la tensin de valle a la tensin de pico, con una constante de tiempo dada por el producto RT C
t off = C R T ln
Donde
VBB VV VBB VP
VP = VD + VS = VD + VBB = 5.6 V VS = VG = 5 V
Sustituyendo en la ecuacin anterior:
t off = C R T ln
Cumplindose que VBB >> VV
VBB VV VBB (1 ) VD
VBB >> VD
Siendo = 0.5 y considerando R1 = R2
t off = C R T ln
Considerando
1 R + R2 C R T ln 1 (1 ) R2
ton <<< toff TD toff.
t off 0.7 C R T
Despejando el valor de RT
RT =
t off = 100 K 0.7 C
42
El valor de la resistencia de puerta se fija en RG = 10 K.
RG =
Tambin se fijan valores para
R1 R 2 R1 + R 2
R1 = R2 = 20K VS = VBB = 5V
Fig 6.60 Caracterstica V-I del PUT
En la caracterstica V-I del PUT, se determinan los lmites entre los que puede oscilar el valor de la resistencia de carga del condensador, RT Las intensidades de pico y de valle se determinan con ayuda de las curvas VS - IP y de las curvas VS - IV IP = 3A;
R Tmx = R Tmn
VBB VP = 1.45 M IP V VV = BB = 90 K IV
IV = 100A
90 K < RT < 1.45 M
Fig 6.61
43
2N6027 PUT [6_11]
Bajo condiciones de operacin fijas, la variacin en el voltaje de valle respecto a la corriente de valle es bastante pequea para asegurar el apagado. Por ello, la resistencia RT deber ser al menos dos o tres veces mayor que el valor mnimo. RT 3 RTmn 270 K < RT < 1.45 M
El valor de la resistencia RT debe encontrarse entre dos valores elevados, lo que implica que para mantener las especificaciones dadas, se debera disminuir la capacidad del condensador. Otra alternativa es reducir el valor de la resistencia de puerta. Por tanto, si se fija el valor de esta resistencia en RG = 1K, Las resistencias R1 y R2 toman el valor 2K. Tomando valores normalizados Recalculando IP = 10 A; IV = 400A R1 = R2 = 2.2K RTmax = 440 K RTmin = 22.5 K
El valor de la resistencia RT se ajustar a los valores normalizados comprendidos en el intervalo (27K, 390K) 27 K < RT < 440 K
6.4.3 DISPARO POR DIAC A1

El DIAC (Diode Alternative Current) es un dispositivo formado por tres capas de silicio con la estructura (npn pnp) y dos terminales principales de conduccin. No tiene terminal de control.
La caracterstica V - I del dispositivo no es lineal, aunque es simtrica en ambos sentidos de circulacin, Es decir, se trata de un dispositivo bidireccional y simtrico. En la figura 6.40 puede verse que, cuando el voltaje es positivo o negativo, pero inferior a un voltaje VS, llamado tensin de ruptura, el elemento se comporta como un circuito abierto. Sin embargo cuando se sobrepasa esta tensin, la pendiente de la caracterstica se hace negativa, aumentando la intensidad y disminuyendo el voltaje hasta el punto en que llega a comportarse casi como un cortocircuito.
A2
Fig 6.62 Caracterstica V-I del Diac
La figura 6.63 muestra un oscilador de relajacin, en el circuito: disparo de TRIAC con DIAC. Cuando se conecta la fuente de tensin, el condensador comienza a cargarse a travs del
44
potencimetro y de la resistencia en serie. Cuando el condensador alcanza el valor de la tensin de disparo del DIAC (aproximadamente 30V) ste se hace conductor y el condensador se descarga sobre el circuito de puerta del TRIAC, que se dispara permitiendo la alimentacin de la carga. Cuanto ms baja sea la resistencia de carga, en serie con el condensador, ms rpidamente se alcanzar la tensin de 30V, y antes se disparar el TRIAC. Inversamente, cuanto mayor sea esta resistencia, mayor ser el ngulo de disparo y menor la potencia recibida por la carga. Este circuito sufre un fenmeno de histresis: para una misma potencia, el ajuste del potencimetro difiere segn se est reduciendo o aumentando la potencia en la carga. Este fenmeno es producido por la carga residual del condensador.
Fig 6.63 Circuito de disparo de TRIAC con relajacin.
DIAC: Oscilador de
Fig 6.64 Formas de ondas en extremos del condensador y del TRIAC en el oscilador de relajacin.
Fig 6.65 Tensin en extremos del triac y del condensador con doble cte de tiempo
45
Las curvas representadas en la figura anterior se han obtenido con el circuito de disparo de TRIAC con DIAC por el mtodo de la doble constante de tiempo de la figura 6.66. Ntese la presencia de los componentes que proporcionan la segunda constante de tiempo, de forma que cuando C2 dispara al DIAC, C3 le suministra un refuerzo de tensin que acerca los puntos de disparo deseado y real, mediante P2 se ajusta la doble constante para eliminar el efecto de histresis.
Fig 6.66 Circuito de disparo de TRIAC con DIAC, mtodo de la doble constante de tiempo.
Para el diseo de una red de temporizacin se deber calcular el valor de los componentes RC para que el ngulo de conduccin C pueda variar entre los lmites deseados. La resolucin analtica de este tipo de circuitos es laboriosa, por lo que se han confeccionado una serie de curvas para poder llevar a cabo el diseo. Un ejemplo de estas curvas se muestra en la figura 6.67 Estas curvas de diseo, expresan la relacin existente entre el nivel de tensin con que se carga el condensador C, normalizada respecto al valor eficaz de la tensin de lnea en funcin del ngulo de conduccin y del parmetro = 2RCf, siendo f la frecuencia (expresada en hercios) de la tensin de lnea. En el problema 6.8 se hace un estudio sobre este tipo de curvas. Conocida la tensin de disparo VP del elemento de disparo, se obtendr la relacin existente entre la diferencia VP Vq(0) y la tensin eficaz de lnea. Con el valor obtenido y conocidos los ngulos de conduccin deseados, se obtendr los valores de , (C1) y (C2). Teniendo en cuenta estos valores y fijando un determinado valor para el condensador, C se podr determinar el valor de R1 y el valor de R2, partiendo de las siguientes relaciones:
( C1 ) = 2 (R 1 + R 2 ) C f ( C 2 ) = 2 R 1 C f
E 6.23
E 6.24
46
Fig 6.67 Tensin del condensador en funcin del ngulo de conduccin cuando se carga a partir de una tensin ca.
PROBLEMA 6.8
Disear el circuito de control de potencia de onda completa con DIAC de la figura 6.68, sabiendo que presenta doble constante de tiempo. Datos
TRIAC (MAC3020) IDRM = 2mA VDRM = 400V MT2 (+), G(+) IGT = 30mA MT2 (-), G(-) IGT = 30mA DIAC ( DB3 ) V(BR) 12 = V(BR) 21 = 32V;
VTM = 2V IH = 40mA; VGT = 2V VGT = 2V
V12 = V21 = 5V
El control de la luminosidad de la lmpara se realiza a travs de R2 y de C2. La misin de la red formada por R1 - C1, es cargar al condensador C2 a travs de la resistencia variable R, de forma que se compense la cada de tensin que se produce en el condensador C2 al dispararse el DIAC, mantenindose as unos potenciales constantes, tanto positivos como negativos, desde los cuales el condensador C2 se carga hasta que se produce el prximo disparo.
Fig 6.68
47
Solucin: Fijando un valor para el condensador C2 de 0.1 F, y siendo la tensin de disparo del DIAC VS = 32V, con V = 5V, se obtiene la relacin normalizada de tensiones:
VNormalizada =
VP ( VP + V) 32 (32 + 5) = = 0.223 VRMS( Linea ) 220
Si los ngulos de conduccin C1 = 30 y C2 = 150, se llevan a la curva de la figura 6.46, se tiene: (C1) 3.5 El valor de la resistencia R2 ser (C2) 0.25
R2 =
R2 =
( C1 )
2 C2 f
3.5 = 350K 2 0.1 10 6 50
( C2 )
2 C2 f
0.25 = 25K 2 0.1 10 6 50
El potencimetro R2, debe variar hasta 350K para alcanzar un ngulo de Ampliacin final de 150. Como se desea que en el momento del disparo la carga del condensador C1 sea un poco mayor que la carga del condensador C2, se elige C1 = C2 = 0.1F. El valor de R1 debe ser menor que la valor mximo de R2, por lo que R1 tomar un valor de 100 K.
6.69 Ampliacin de la figura 6.46 para encontrar los valores de (C1) y (C2)
6.5 Utilizacin de optoacopladores

Un acoplador ptico, est constituido por la asociacin dentro de una misma cpsula de un fototiristor o fototransistor y un diodo LED. Este tipo de dispositivos va a permitir un buen aislamiento entre el circuito principal (circuito de potencia) y el circuito de control.
48
La intensidad de disparo necesaria es del orden de 50 mA, obtenindose aislamientos de unos 2000V En algunos casos se puede encontrar por separado el fototiristor y el diodo luminiscente con el fin de poder usarlo como detector de posicin o un captador.
Fig 6.70 Esquema de un acoplador ptico con Tiristores.
Los optoacopladores MOC3040 y MOC3041 de Motorola son un claro ejemplo de este tipo de dispositivos.
Aplicaciones en c.a.
Una de las aplicaciones de los Optoacopladores es el control de disparo de Tiristores y Triacs de potencia que conmutan cargas que consumen una gran potencia, puesto que con el empleo de este tipo de dispositivos se garantiza un perfecto aislamiento entre el circuito de disparo y el circuito de potencia. Un caso usual de aplicacin, es la conmutacin de cargas resistivas puras tales como lmparas incandescentes y elementos calefactores, como se puede ver en la figura 6.71 El dispositivo semiconductor de potencia debe ser elegido de tal modo que soporte los picos de potencia originados en la conmutacin de estas cargas, que con frecuencia suelen ser elevados.
Fig 6.71 Circuito de control de potencia, para una carga resistiva pura, con optoacoplador.
Para los Optoacopladores que se estn tratando (MOC3040 y MOC3041), Motorola presenta los Triacs de potencia de las series MACXXXX para que se usen conjuntamente en el control de potencia. Para el diseo de un circuito de control de potencia utilizando un Optoacoplador y un Tiac, se estudia el circuito de la figura 6.72
Fig 6.72 Circuito de control de potencia utilizando optoacoplador con triac.
49
La resistencia denominada RC en el circuito, limita la corriente a travs del Optoacoplador. El mximo valor de la corriente permitida a travs del Optoacoplador, es decir, la corriente de pico ITSM, determina el valor mnimo de RC. Considerando una tensin de red de 110V, cabe esperar un pico de tensin VIN(pk).
VIN(pk) = 1.2 110V 2 = 187V

Con lo cual, se obtiene el valor de RC (min)
R Cmn =
VIN(pk) I TSM
187 = 155.8 1.2
E 6.25
El valor ITSM = 1.2 A se obtiene en las hojas de caractersticas El valor mximo de RC se calcula de forma que permita el paso de la corriente de disparo del triac IGT, asegurando entre los extremos de este, la tensin mxima de pico en estado de conduccin, VTM y para la tensin por encima de la cual no se produce el disparo del dispositivo VIH. En las caractersticas dadas para el Optoacoplador MOC3040 y para el Triac MAC3030 - 25, se tiene que el valor de VIH = 40V, VTM = 1.8V y que IGT = 40mA. Por lo tanto:
R C (mx) =
VIH VTM = 957.75 I GT
E 6.26
En la prctica, el valor de la resistencia RC suele estar comprendido entre los valores 310 y 460. La tensin de lnea necesaria para que se produzca el disparo es:
VL = R C I GT + VTM (Optoacoplador) + VGT (Triac)

Para este caso, de las hojas de caractersticas se tomarn los siguientes datos: VGT = 2V, IGT = 40mA, VTM = 1.8V, RC = 310V Sustituyendo los valores en la ecuacin anterior, se tiene VL = 16.5V
E 6 27
En el caso de Optoacopladores con Triac, el uso de cargas inductivas tales como motores, rels e imanes, crearn ciertos problemas para el funcionamiento correcto del circuito. El problema mayor reside en que la corriente de carga a travs del Triac est retrasada con respecto a la tensin de red un determinado ngulo. Despus de la desactivacin de las seales de potencia permanece en conduccin hasta que la corriente de carga haya cado por debajo del valor de su corriente de mantenimiento.
50
6.6 Circuitos aplicados

Arrancador esttico de motor de corriente alterna
Fig 6.73 Arrancador esttico de motor corriente alterna
Este circuito se utiliza para arrancar el motor de corriente alterna suministrando progresivamente tensin en cada una de las fases del motor mediante los diferentes triac. (Cuando la potencia del motor es elevada, se utilizan normalmente dos tiristores en cada rama)
Arrancador esttico con cambio de giro

En este caso existe la posibilidad de intercambiar las fases provocando un cambio de giro en el motor.
Fig 6.74 Arrancador con cambio de giro
51
Cargador de bateras basado en un UJT
Fig 6.75 Cargador de bateras usando un UJT
Es un circuito simple que utiliza un oscilador de relajacin con UJT para el control del SCR. El circuito no opera cuando la batera est completamente cargada o la polaridad de conexin de la batera no es la correcta. El funcionamiento del circuito reflejado en las formas de onda de la figura 6.76 es el siguiente. El oscilador de relajacin nicamente est activo cuando la tensin de la batera es baja. En este caso, el UJT dispara al SCR con una frecuencia variable en funcin de las necesidades de corriente de carga. El oscilador de relajacin dejar de funcionar cuando la VP sea mayor que la tensin zener del diodo de referencia 1N4735. En este caso la tensin del condensador CE ser constante al valor fijado por la tensin zener.
Fig 6.76 Formas de onda del cargador de batera de la figura 6.75
Control de calor con sensor de la temperatura

El circuito de control de calor mostrado en la figura 6.77 ha sido concebido para controlar la temperatura de una habitacin. El circuito de disparo se realiza a travs de un UJT que introduce un ngulo de conduccin de los triacs que va a depender de la temperatura de la habitacin medida a travs de una resistencia trmica RT. Un incremento en la temperatura disminuye el valor de RT, y por consiguiente, disminuye el valor de corriente de colector del transistor aumentando a su vez el tiempo de carga del condensador (disminuye el ngulo de conduccin).
52
Fig 6.77 Circuito de control de calor
Control de potencia mediante microcontrolador

En este caso se utiliza el circuito de interfase de entrada/salida de un microcontrolador. El aislamiento entre el circuito de control y el circuito de potencia se realiza mediante optoacopladores MAC301. Para evitar una falta de sincronizacin entre la seal de control digital y la fase de la lnea se aade un detector de paso por cero.
Fig 6.78 Control de potencia mediante un microprocesador
Lecturas de consulta recomendada: DL137-D_SCR [6_12] Tuto_SCR [6_13] Control_fase [6_14] an1008 [6_15]
53

AGUILAR PEA, J. D.; RIVERA JUREZ, R; SNCHEZ GONZALEZ, J. L. Tiristores: Fundamentos y Elementos de Disparo. Universidad de Jan. Servicio de Publicaciones e Intercambio Cientfico, Jan 1994. HONORAT, R. V. Dispositivos electrnicos de potencia: tiristores, triacs y GTO. Ed. Paraninfo, 1995. THYRISTOR DEVICE DATA: on semiconductor <http://www.onsemi.com> [Consulta: 4 de julio de 2005] DL 137/D. Mayo 2000.
AGUILAR PEA, J. D.; DOMENECH MARTNEZ, A.; GARRIDO SNCHEZ, J. Simulacin Electrnica con PsPice. Ed. RA-MA. Madrid, 1995. AN1003. Nota de aplicacin, Phase Control Using Thyristor. Teccor Electronics. <http://www.teccor.com> [Consulta: 4 de julio de 2005] AN1008. Nota de aplicacin, Explanation of maximum Rating for Thyristors. <http://www.teccor.com> [Consulta: 4 de julio de 2005] BRADLEY, D. A. Power Electronics. Ed. Chapman & Hall, Londres 1995. COUDIC, Marc. Circuitos integrados para tiristores y triacs. Ed Marcombo, 1999. GAUDRY, M. Rectificadores, Tiristores y Triacs. Biblioteca Tcnica Philips. Ed. Paraninfo, Madrid, 1972. HART, Daniel W. Electrnica de Potencia. Ed. Prentice Hall. Madrid 2001. ISBN 84-205-3179-0 J. MICHAEL JACOB. Power electronics. Principies & Applications. Delmar, Thomson earning 2002 POWER SEMICONDUCTOR APPLICATIONS. Philips semiconductors. (Capitulo 6: Power control with thyristors and triac) <http://www.semiconductors.philips.com> [Consulta: 4 de julio de 2005] RASHID, M. H. Electrnica de Potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones. Ed. Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. Mxico 1995. RUIZ, ROBREDO, G. A. Electrnica bsica para ingenieros. Dpto. Electrnica y Computadores. Facultad de ciencias, Universidad de Cantabria. <http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/html.files/libroweb.html> [Consulta: 4 de julio de 2005]
54

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Escuela Politcnica Superior. Universidad de Jan (Espaa) Departamento Ingeniera Electrnica y Automtica Juan D.

Aguilar Pea Marta Olid Moreno

Electrnica de Potencia Juan Domingo Aguilar Pea 2005

UNIDAD N 0. INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA. EVALUACIN. Tema 0.- INTRODUCCIN ELECTRNICA DE POTENCIA

UNIDAD N 1. REPASO DE CONCEPTOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Tema 1.ARMNICOS. REPASO CONCEPTOS:

UNIDAD N 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Electrnica de Potencia Electrnica Industrial

Electrnica de Regulacin y Control

Aplicaciones a Procesos Industriales

Componentes Electrnicos de Potencia

Fig 0.1 Bloques temticos que comprende la Electrnica de Potencia

0.2 Electrnica de potencia

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

0.3 Campos de aplicacin

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

0.4 Procedimientos de conversin

CIRCUITO AUXILIAR Circuito Disparo y Bloqueo Circuito de Control

Fig 0.2 Diagrama de bloques de un sistema de potencia

Diferencia entre la electrnica de seal y electrnica de potencia:

Fig 0.3 Caracterstica fundamental de un sistema electrnico de Seal

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Fig 0.4 Caracterstica fundamental de un sistema electrnico de Potencia

0.5 Requisitos del dispositivo electrnico de potencia

0.6 Componentes de base en la electrnica de potencia.

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Gate-Turn-Off Thyristors (GTOs):

Bipolar Junction Transistor (BJT):

La figura siguiente muestra el smbolo de un transistor bipolar NPN y PNP:

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Metal-Oxide-Semiconductior Field Effect Transistors (MOSFET):

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs):

0.7 Evolucin tecnolgica de los dispositivos semiconductores.

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

SCR GTO IGBT BJT MOS

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Fig 0.6 Aplicaciones generales de los semiconductores en la industria.[Rashid,1995]

0.8 Clasificacin de los convertidores de potencia [Bhler, 1998]

0.8.1 SEGN EL MODO DE CONMUTACIN

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

0.8.2 SEGN EL TIPO DE CONVERSIN

Fig 0.7 Contactor de corriente

Fig 0.8 Variador de corriente o regulador

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Fig 0.9 Rectificador

Fig 0.10 Ondulador

Fig 0.11 Convertidor de corriente

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

F. Convertidor de corriente bidireccional

Fig 0.12 Convertidor de corriente bidireccional

G. Convertidor de frecuencia directo

Fig 0.13 Convertidor de frecuencia directo

H. Convertidor de frecuencia con circuito intermedio

Fig 0.14 Convertidor de frecuencia con circuito intermedio

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

0.8.3 SEGN EL TIPO DE ENERGA

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA