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Circuito de Manejo de Compuerta de Bajo Costo para MOSFET e IGBT

G. Ceglia, V. Guzmn, M. I. Gimnez, J. Walter
especialmente en situaciones de sobrecorriente. Adicionalmente, es imprescindible que estos circuitos estn incluidos en un circuito impreso que contenga tambin todas las fuentes de alimentacin y los componentes de interfaz necesarios, para minimizar las inductancias y capacidades parsitas y facilitar el armado del sistema de potencia. Para cumplir los objetivos arriba descritos, se han propuesto una serie de soluciones [2, 3], algunas de las cuales se ofrecen ya como productos comerciales completamente integrados, tales como los de las compaas Concept [4] y Powerex [5]. El problema de estas soluciones es su alto costo, lo que hace su uso econmicamente poco eficiente en circuitos de potencias bajas y medias. Otros fabricantes, como I.R. y H.P., ofrecen circuitos integrados que contienen algunas de las funciones bsicas de un circuito de manejo de compuerta; estos integrados son econmicos pero no pueden ser conectados directamente a los dispositivos de potencia. Es necesario construir fuentes de tensin de alimentacin independientes con aislamiento de tierra y proporcionar las funciones faltantes de proteccin o de interfaz aislada con el controlador. En cuanto a las soluciones discretas propuestas, el problema es su complejidad cuando se implementan todas las funciones en una sola tarjeta. Un elemento difcil de incluir es el transformador requerido por el conjunto de fuentes aisladas que se necesitan en el circuito de manejo de compuerta genrico. El transformador presentado en [2] se construye en el mismo circuito impreso. Esto reduce el nmero de componentes discretos a insertar en la tarjeta, pero es una solucin que difcilmente se puede generalizar, dada la complejidad del diseo del transformador y su pobre coeficiente de acople magntico. En [3] se propone un circuito de manejo de compuerta que asegura la conmutacin del dispositivo de potencia bajo una secuencia de pulsos bien sincronizados, colocado en la compuerta del dispositivo. El inconveniente principal de esta aproximacin es que el algoritmo de control debe estar en concordancia con estos pulsos, lo que lo hace intil como solucin de uso general. En este trabajo se presenta un diseo basado en el uso de circuitos integrados de mediano nivel de complejidad, complementados con otros circuitos de propsitos generales para sintetizar las dems funciones. El circuito de manejo de compuerta genrico para IGBT as diseado tiene las siguientes caractersticas:

Resumen-- Este trabajo presenta el diseo y construccin de un circuito de manejo de compuerta de bajo costo y de propsitos generales para dispositivos electrnicos de potencia de compuerta aislada, tales como MOSFET e IGBT. Se ilustra en detalle la construccin de dicho circuito de manejo de compuerta y se presentan los resultados y formas de onda de las pruebas realizadas con un circuito troceador con IGBT controlado mediante el circuito de manejo de compuerta prototipo.

Palabras clave: Circuito de disparo, circuito actuador, IGBT, MOSFET.

Abstract--This work presents the design and implementation of a general purpose low cost drive circuit for insulated gate electronic power devices such as MOSFET and IGBT. The proposed drive circuit implementation is explained in detail and the results and waveforms obtained when the drive circuit is used in a chopper circuit with IGBT are presented.

Keywords: Drive circuit, IGBT, MOSFET. I. INTRODUCCIN En todo sistema electrnico de control de potencia se requieren circuitos especializados para controlar la actuacin de los dispositivos conmutadores de potencia [1]. Estos circuitos de manejo de compuerta (drivers), deben cumplir las siguientes funciones bsicas: 1- Proporcionar aislamiento entre los circuitos de control y los altos niveles de tensin y corriente manejados por los dispositivos electrnicos de control de potencia. 2- Generar las formas de onda de voltaje y corriente necesarias para que los dispositivos de potencia operen hasta en las condiciones mximas de voltaje y corriente definidas por el fabricante. 3- Proporcionar proteccin local contra fallas,
Manuscrito enviado el 15 de febrero, 2005. Este trabajo ha sido realizado en el Grupo de Sistemas Industriales y Electrnica de Potencia, con el apoyo del Decanato de Investigacin y Desarrollo, Universidad Simn Bolvar. Gerardo Ceglia es profesor del Dpto. Electrnica, Universidad Simn Bolvar, Caracas 1080-A, Venezuela (phone: 58-212-9063682, fax: 58-2129063631, e-mail: gceglia@usb.ve). Vctor Guzmn es profesor titular del Depto. Electrnica, Universidad Simn Bolvar, Caracas 1080-A, Venezuela (phone: 58-212-9063676, fax: 58212-9063631, e-mail: vguzman@usb.ve.). Mara I. Gimnez es profesora titular del Depto. Electrnica, Universidad Simn Bolvar, Caracas 1080-A, Venezuela (e-mail: mgimenez@usb.ve). Julio Walter es profesor del Depto. Electrnica, Universidad Simn Bolvar, Caracas 1080-A, Venezuela (e-mail: jwalter@usb.ve).

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1- Bajo costo. 2- Proteccin contra corto circuito en la carga del dispositivo controlado con conmutacin suave. 3- Capacidad de aislamiento para alto dv/dt. 4- Utilidad para propsitos generales (componentes discretos o integrados en mdulos de 2 dispositivos). 5- Fcil operacin y modificacin. 6- Facilidad de prueba para verificacin de funcionamiento. 7- Fcilmente adaptable a operar en un sistema con microprocesadores.

I. CONSIDERACIONES SOBRE EL PROCESO DE CARGA DE LA COMPUERTA DEL IGBT. El IGBT es un dispositivo de potencia que puede ser modelado por dos componentes discretos fundamentales: un MOSFET de canal N en la entrada y un transistor PNP en la salida [6]. La Fig. 1 muestra el circuito de prueba bsico de carga de compuerta y la Fig. 2 muestra las curvas de carga simplificadas correspondientes con corriente constante [3, 7]. En el circuito base de prueba se considera nula la inductancia parsita del cableado.
+VDD

tensin en esta capacidad es insignificante comparado con el cambio de tensin entre los terminales de la capacidad CGE (Fig. 1). El perodo t0 t1 es el tiempo necesario para acumular la carga QGE en la capacidad CGE En t2, la corriente de colector alcanza el valor de IC, y el diodo de libre conduccin conmuta al estado de apagado. La corriente de colector, forzada por el circuito de carga, permanece constante y el voltaje de colector empieza a decrecer. Dado que la tensin de compuerta est indisolublemente relacionada con la corriente de colector por las caractersticas de transferencia intrnsecas del IGBT (regin activa), la tensin de compuerta es ahora constante, ya que la corriente de colector es constante, forzada por el circuito. VGE Tensin VGE

VG (th)
t0
t1

t2

t3

t4

VDD

Voltaje Colector

Corriente Colector
IC

IC c
RG

t
Fig. 2. Curvas bsicas de carga de compuerta.

CCG
G
CGE

VIN

Fig. 1. Circuito bsico de prueba de carga de compuerta.

En la Fig. 2, para el tiempo anterior a to, el IGBT soporta toda la tensin VDD entre sus terminales de colector y emisor, y tanto la tensin de compuerta como la corriente de colector son cero. En t0 se inicia el proceso de encendido, por lo que en t0+ la capacidad compuerta-emisor, CGE, comienza a cargarse, y la tensin compuerta-emisor (la cual est impuesta por la capacidad CGE) comienza a crecer. La corriente de colector no fluye hasta que la tensin de compuerta-emisor no alcance el voltaje de umbral, VG(th). En este intervalo la tensin entre los terminales de salida del IGBT es igual a la tensin mxima del circuito, VDD; y el potencial entre los terminales de la capacidad compuertacolector CGC, es constante; el cambio de

A partir de t2, no hay consumo de carga por parte de la capacidad CGE, ya que la tensin de compuerta permanece constante. La corriente entrante a la compuerta se desva a la capacidad de Miller, CCG, contribuyendo ahora exclusivamente a descargar dicha capacidad (efecto Miller). La excursin del voltaje de colector durante el perodo t2 t3 es relativamente larga y el total de carga entregada a la capacidad Miller es alta. Durante esta fase, la capacidad de entrada se considera infinita, ya que la tensin de entrada permanece constante a pesar de que el circuito de control de compuerta entrega corriente a la compuerta. Esto se debe a la reduccin de la tensin de colector causada por un aumento en la capacidad CCG. En t3 el efecto Miller termina, y la tensin de colector cae a un valor igual a la tensin de saturacin del IGBT (en un MOSFET esta tensin esta determinada por ID x RDS(ON)). El perodo t2 t3 representa es el tiempo necesario para acumular la carga QCG en la capacidad de Miller CCG. La carga total acumulada hasta el instante t3 es la carga requerida para conmutar la tensin VDD y la corriente IC. En t4 la tensin de compuerta alcanza su valor final, por lo que concluye el proceso de conmutacin.

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Del anlisis de las formas de onda de la Fig. 2 se pueden sacar las siguientes conclusiones: La pendiente de la corriente de colector est relacionada con la carga presente en la compuerta del transistor en la primera pendiente del voltaje de compuerta mediante la siguiente ecuacin:

flotantes; el circuito debe generar dos sistemas de fuentes aisladas entre s. La forma ms eficiente de lograr esto es mediante un conversor dc/dc con transformador. Para reducir al mnimo el nmero de componentes, se decidi emplear componentes integrados en el diseo del conversor dc/dc. C. Descripcin general. La Fig. 3 muestra el diagrama en bloques del circuito de control de compuerta propuesto, compuesto por: 1- Reloj maestro (Astable). 2- Puente H y diodos de limitacin de tensin (BR1). 3- Transformador de aislamiento. 4- Rectificador BR2. 5- Filtro. 6- Circuito de control de disparo y proteccin. 7- Activacin de las resistencias de encendido y apagado. 8- Proteccin contra sobretensin en compuerta. 9- Dispositivo controlado (externo al circuito) 10- Carga.
VDC

dI C g m I G dt C ISS

(1)

donde gm es la transconductancia, CISS es la capacidad de entrada definida como: C ISS = CGE + CCG y IG es la corriente de carga de la capacidad de entrada CGE . Durante la pendiente de la conmutacin de encendido, la tensin de colector esta relacionada con la carga que entra a la compuerta del transistor (mientras ocurre el efecto Miller) segn:

dVCE I = G ( primera _ pendiente) dt CCG (1) dVCE I = G ( segunda _ pendiente) dt CCG ( 2 )

(2a) (2b)

+Va -Va

Vin Fault
Circuito

BR1
.
.

BR2
.
.

VCC

Puente H

La corriente de compuerta puede ser controlada por la resistencia de compuerta, RG. De esta manera se llega a un compromiso entre dos metas importantes: reducir el consumo de potencia, lo cual requiere un valor de RG bajo y mantener un nivel tolerable de generacin de interferencia electromagntica (EMI), lo que requiere una RG alta. III. CIRCUITO PROPUESTO A. Objetivos a cumplir. -Proporcionar aislamiento galvnico entre el circuito de control central y la etapa de potencia. -Generar las fuentes flotantes necesarias para manejar dos dispositivos de potencia conectados en configuracin inversora. -Sintetizar una seal ptima de manejo de compuerta, tal como se present en II. -Proporcionar proteccin de sobrecorriente. -Informar al control central de condiciones de sobrecorriente. -Ocupar el menor tamao y tener el menor costo posibles. B. Filosofa de diseo. Para reducir la complejidad de un circuito de manejo de compuerta para IGBTs / MOSFETs, sin sacrificar precisin en la seal de control de la compuerta, es conveniente utilizar al mximo las funciones proporcionadas por circuitos integrados existentes en el mercado, convenientemente modificadas con circuitos externos. Dado que el circuito debe ser capaz de manejar dos dispositivos de potencia conectados en configuracin puente, las dos seales de manejo de compuerta a generar deben ser

Astable

.
.

.
.
.

de manejo comercial

OUT

(1)
+V .

(2)
A
Q1

(3)
.

(4) (5) (6)

+Vbar

OUT RB

RG(on)
.

Q2
.

RG(off)
.

-V

(7)

(8)

(9)

(10)

Fig. 3. Diagrama en bloques del circuito de manejo de compuerta propuesto.

D. Conformacin de los pulsos de disparo: Las etapas 6, 7 y 8 se encargan de generar los pulsos de control de compuerta en forma segura. La etapa 6, constituida por el circuito integrado (C.I.) HP316J [8], sealado en la Fig. 3 como circuito de manejo comercial, cumple las siguientes funciones: -Proporciona aislamiento galvnico entre las etapas de control que generan la seal de demanda de encendido, Vin, y el resto del circuito de disparo. -Conforma los pulsos de disparo, proporcionando el perfil voltaje/tiempo deseado. -Supervisa, mediante un diodo auxiliar externo, la tensin de colector del dispositivo de potencia para detectar condiciones de salida de saturacin. Cuando se detecta esta condicin, se bloquea la generacin de pulsos de disparo, lo que ocasiona el apagado de emergencia del dispositivo de potencia manejado, como proteccin de sobrecorriente. -Genera la seal de informacin sobre fallas (Fault en la Fig. 3) aislada ptimamente.

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El bloque 7 ajusta la impedancia vista por el circuito de compuerta a los valores requeridos para lograr la conmutacin ptima, tanto en el encendido como en el apagado. El bloque 8 evita que el circuito de manejo aplique tensiones que puedan daar a la compuerta del dispositivo manejado en caso de falla interna. E. Generacin de las fuentes aisladas: Los bloques 1 a 5 (Fig. 3) forman la etapa de alimentacin. La Fig. 4 muestra el circuito de generacin y conmutacin de la fuente de alimentacin aislada de doble polaridad, formado por los siguientes componentes principales: -Un oscilador astable (bloque 1), con un ciclo de trabajo de 50%, implementado con un LM555, proporciona la seal de control a la etapa de conmutacin (puente H). -Un puente H integrado (bloque 2) de la compaa Unitrode (3706) acta como etapa de conmutacin del conversor dc/dc, generando una seal de tres niveles de voltaje. El bloque BR1 (bloque rectificador) fija las tensiones de la seal de salida V1 a las tensiones de VDC de alimentacin del 3706. -Un transformador de aislamiento (bloque 4), con un primario, manejado por el puente H, y secundarios para alimentar a las etapas de rectificacin (bloque BR2) y filtrado (bloques 5 y 6 de la Fig. 3) que proporcionan las salidas de 15 V. F. Diseo del transformador de aislamiento. El transformador de aislamiento se construye con un ncleo toroidal de ferrita. La frecuencia de operacin se fija en 200 kHz; la tensin de salida en el secundario cargado debe ser de 31.4 V para obtener los 15 v nominales (descontando las cadas en los diodos rectificadores). La carga en cada fuente aislada es un circuito HP316J, cuya corriente mxima es 2.5 A; para que las fuentes no limiten la capacidad del circuito, se requiere que la corriente de diseo en el bobinado del secundario del transformador sea mayor o igual a 2.5 A. La Fig. 5 muestra la forma de onda genrica de la corriente de compuerta de un IGBT o MOSFET cuando se le aplica un tren de pulsos de encendido. Para calcular la potencia entregada por el circuito de manejo, el peor caso se produce cuando los pulsos de activacin se aplican en forma continua, y cada pulso de corriente de compuerta se aproxima con una lnea de pendiente constante, tal como se muestra en la Fig. 6. El valor aproximado de la corriente IRMS de compuerta es:

PWM
VDC=31.4V

Q 1

Q 3

+31.4V
2

-31.4V

Q 2

V1
Q 4
1

31.4V

-31.4V

VDC=31.4V VCC=5V 1 1 3 2 2 4 + 4

Astable

1 2

BR1

. =+15V +V A C 1 C 2 . =-15V -V A

Fig. 4. Esquema de las etapas de potencia de la fuente flotante.

2.5A

15V

15V

T 1

BR2

VGE IG

Fig. 5. Forma de onda aproximada de la corriente de compuerta de un dispositivo conmutador de potencia de compuerta aislada.

2.5A

15V

VGE

IG

T=1/200Khz
Fig. 6. Forma de onda aproximada de la corriente de compuerta de un dispositivo conmutador de potencia de compuerta aislada (peor caso).

Y la potencia de salida (PSalida) es:

PSalida =

1 2

V
0

Sal

I Sal = 21.6W

(4)

I RMS =
I RMS =

2 .5 2 ( t ) 2 dt 2 0
6.25 = 1.44 A 3

(3a) (3b)

La potencia mxima consumida (PEntrada) por el HP316J es: PEntrada = PSalida + Pint erna (5) Segn las especificaciones, la corriente consumida por el HP316J para su funcionamiento es 30mA. Con una tensin nominal de alimentacin de 30v (tensin total +Va y Va), la potencia de entrada (PEntrada) consumida por el HP316J es:

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PEntrada = 21 . 6W + ( 30 V 30 mA ) 22 . 5W
Las prdidas aproximadas en el rectificador (PRecf) son:

(6)

N2 =
N2 =

V2 2.5 10 s = 2 BmaxAe
31.4 2.5 10 6 10 +6 = 7vueltas 2 0.41 14.8834

(13a) (13b)

PRe cf = 1.44 A 2(0.7V ) = 2W

(7)

La potencia total aproximada de salida del secundario del transformador (PSal_Tranformador) es:

Recalculando el nmero de vueltas para una tensin de 32.4V, f=100 kHz, Bmax= 0.2 T, V2= 32.4 V, se tiene:

PSal _ Transformador = 21.6W + 2W 23.6W

(8)

31.4 5 10 6 10 +6 N2 = = 26vueltas 2 0.2 14.8834

(14)

La Fig. 7 presenta la forma de onda aproximada en el secundario del transformador.

VCC=31.4V

El primario y secundario se enrollan en forma simultnea (26 vueltas con relacin 1:1) para mejor acople.

Forma aproximada Peor caso

Fig. 7. Forma de onda aproximada de la corriente en el secundario del transformador de aislamiento.

Fig. 8. Forma de onda aproximada del flujo en el secundario del transformador.

Tomando en consideracin el valor de la potencia en (8), el clculo de la corriente pico y RMS es el siguiente:

IV. RESULTADOS EXPERIMENTALES Para las pruebas iniciales del circuito de manejo de compuerta se emple una configuracin de troceador simple formado por un IGBT modelo IRGPH40F de 17Amp / 900V, y una carga formada por 20 mH / 2 . La Fig. 9 muestra la forma de onda del secundario del transformador de la fuente dc/dc del circuito de manejo de compuerta construido. Como puede observarse, el transformador cumple con las condiciones de diseo.

1 23.6W = V2 i2 dt = V2 I 2 Pr om 2 0

(9a) (9b) (10a)

I 2 Pr om I pico

23.6W = 0.75 A 31.4V 2 I prom = 1.5 Apico

(10b) En base a esto se selecciona un alambre AWG 21 (segn manual) = 1.6 A / 155 Vueltas / cm2 , Area del conductor = 5.094x10-3cm2 = r2. Por consiguiente el dimetro del conductor es:
d = 2r = 2 A
conduct

I RMS = 0.55 I pico = 0.75 ARMS

V1

0 . 8 mm

(11)

Suponiendo el peor de los casos y dibujando una forma aproximada de la forma de onda del secundario, V2 (donde hay solo dos niveles de tensin como muestra la Fig. 8) es posible calcular la tensin del secundario del transformador:

V2 =

2 d max d2 d d = N2 = = = T dt dt dt 2 N 2 2 max N 2 2 B max = = 2 . 5 (10 6 s ) 2 . 5 (10 6 s )

(12)

Utilizando un Toroide de la marca Steward 35T0500-106 con un Bmax de 0.41 T y un rea efectiva Ae=14.8834 mm2 es posible obtener el nmero de vueltas del secundario:

Fig. 9. Forma de onda de la tensin en el secundario del transformador del conversor dc/dc, V1. (escalas: vertical, 10 V/div.; horizontal, 2 s/div.).

35

La Fig. 10 muestra la forma de onda de tensin de compuerta del IGBT cuando se aplica como seal de entrada al circuito de manejo un tren de pulsos de prueba. Se observa claramente que el circuito de manejo define con precisin tanto los niveles de la tensin de encendido, +15 V, como la tensin de apagado, -15 V, y que las transiciones son limpias y de alta velocidad. La Fig. 11 muestra las formas de onda de la corriente de colector, la tensin colector y la tensin de compuerta del IGBT durante un ciclo completo de operacin, en el cual puede observarse el proceso de encendido y apagado del dispositivo de potencia.

encendido, en la Fig. 12, una ampliacin de la Fig. 11, se muestra en forma detallada la corriente de colector, la tensin colector-emisor y la tensin de compuerta del IGBT durante el perodo de encendido. Es fcilmente observable el efecto Miller explicado en el aparte II de este trabajo. Los resultados obtenidos en esta ltima figura son similares a las formas obtenidas en forma terica en la Fig. 2, lo que demuestra que el circuito de manejo de compuerta diseado efectivamente logra que el dispositivo de potencia que controla opere en las condiciones ptimas de conmutacin desde el punto de vista de la seal de compuerta aplicada.

VCE

IC

VGE VGE

Fig. 10. Forma de onda de la tensin compuerta-emisor, VGE, en el IGBT controlado por el circuito de manejo de compuerta. (escalas: vertical, 5 V/div.; horizontal, 40 s/div.).

Fig. 12. Detalle de las formas de onda onda del voltaje de compuerta, VGE, la tensin colector-emisor, VCE y la corriente de colector, IC, en el encendido del IGBT. (escalas: vertical, VGE: 10 V/div., VCE: 50 V/div., IC: 5 A/div.; horizontal: 5 s/div.)

V. CONCLUSIONES Este trabajo presenta el diseo y las pruebas bsicas de un circuito de manejo de compuerta para dispositivos de control de potencia de compuerta aislada tipo IGBTs o MOSFET. Como lo demuestran las pruebas en el prototipo circuital, la seal de control aplicada a la compuerta produce la conmutacin del dispositivo de potencia controlado siguiendo la trayectoria ptima. De ser necesario, la pendiente de conmutacin del dispositivo controlado puede ser modificada cambiando los valores de las resistencias Rg(on) y Rg(off) en la etapa de salida del circuito de manejo de compuerta. Con esto es posible reducir la interferencia electromagntica (EMI) generada en la conmutacin. El bajo costo del circuito de manejo de compuerta propuesto, y la fcil implementacin del mismo hacen de esta propuesta una opcin de gran eficiencia, especialmente cuando el nmero de dispositivos electrnicos de potencia presentes en el conversor es significativo. El costo actual del circuito de manejo (driver) que aqu se propone es un 60% menor al circuito comercial tipo Concept encontrado en el

IC

VGE

VGE

Fig. 11. Formas de onda del voltaje de compuerta, VGE, la tensin colectoremisor, VCE y la corriente de colector, IC, en el IGBT durante un ciclo completo de operacin. (escalas: vertical, VGE: 10 V/div., VCE: 50 V/div., IC: 5 A/div.; horizontal: 5 s/div.)

Para poder analizar el funcionamiento del circuito de

36

mercado. Mediante la retroalimentacin de la seal de falla (fault) del HP316J, el circuito de manejo de compuerta propuesto posee un sistema de proteccin capaz de suspender cualquier pulso de conmutacin en la compuerta del dispositivo de potencia controlado si se presenta una condicin de cortocircuito, lo que hace la implementacin de este circuito de manejo de compuerta ms confiable a la hora de alguna falla. El circuito de manejo de compuerta de bajo costo propuesto puede ser utilizado tanto para transistores MOSFET como para IGBT manteniendo las mismas caractersticas de funcionamiento. VI. REFERENCIAS
[1] [2] B. K. Bose, Evolution of Modern Power Semiconductor Devices and Future Trends of Converters, IEEE Trans. On Industry Applications, vol. 28, No. 2, pp. 403-413, Mar./Apr. 1992. S.Y. (Ron) Hui, H. Shu-Hung Chung, and S. C. Tang, Coreless Printed Circuit Board (PCB) Transformers for Power MOSFET/IGBT Gate Drive Circuits, IEEE Trans. on Power Electronics, vol. 14, No. 3, pp. 422-430, May 1999. V. Jihn, B. S. Suh, and T. A. Lipo, High-Performance Active Gate Drive for High-Power IGBTs, IEEE Trans. on Industry applications, vol. 35, No. 5, pp. 1108-1117, Sep./Oct. 1999. Intelligent Half-Bridge Drivers for Power IGBTs / MOSFET, CTConcetp Technology Ltd, Switzerland, Data Sheet [Online]. Disponible: www.concetp.com Using Hybrid Gate Drivers and Gate Drive Power Supplies, Powerex, Incm US, [Online]. Disponible: www.powerex.com F. Mihalic, K. Jezernik, K. Krischan, and M. Rentmeister, IGBT Spice Model, IEEE Trans. On Industry Electronic, vol. 42, No. 1, pp. 98105, February 1995. S. Musumeci, A. Raciti, A. Testa, A. Galluzzo and M. Melito, Switching-Behavior Improvement of Insulate Gate-Controlled Devices, IEEE Trans. on Power Electronics, vol. 12, No. 4, pp. 645653, July 1997. Agilent HCPL-316J, 2.5 A gate drive Optocoupler with Integrated (Vce) Desaturation Detection and Fault Status Feedback, Data Sheet [Online]. Disponible: www.agilent.com

Vctor Guzmn Arguis obtuvo los ttulos de Ingeniero Electrnico (Universidad Simn Bolvar, 1975), MSc en Power Electronics and Systems (UMIST, Instituto de Ciencia y Tecnologa de la Universidad de Manchester, 1978) y Ph. D. (UMIST, Instituto de Ciencia y Tecnologa de la Universidad de Manchester, 1991). Su experiencia profesional abarca el diseo y montaje de convertidores DC-AC y AC-DC, sistemas de control e instrumentacin industrial y sistemas mecatrnicos. Desde 1975 se desempea como Profesor en la Universidad Simn Bolvar, donde ha alcanzado la categora de Profesor Titular y sus principales reas de inters son: Fuentes No Convencionales de Energa, Electrnica de Potencia y Sistemas Industriales. Mara Isabel Gimnez obtuvo los ttulos de Ingeniero Electrnico (Universidad Simn Bolvar, 1974), MSc en Power Electronics and Systems (UMIST, Instituto de Ciencia y Tecnologa de la Universidad de Manchester, 1978) y Ph. D. (UMIST, Instituto de Ciencia y Tecnologa de la Universidad de Manchester, 1991). Su experiencia profesional abarca el diseo y montaje de convertidores DC-AC y AC-DC, sistemas de control e instrumentacin industrial y tcnicas de modulacin para minimizacin de armnicas en UPS. Desde 1974 se desempea como Profesora en la Universidad Simn Bolvar, donde ha alcanzado la categora de Profesora Titular y sus principales reas de inters son: Fuentes No Convencionales de Energa, Electrnica de Potencia y Sistemas Industriales.

[3] [4] [5] [6] [7]

[8]

VII. BIOGRAFIAS Gerardo Ceglia obtuvo el ttulo de Ingeniero de Sistemas (UNEXPO, 1996), MSc en Ingeniera Electrnica (Universidad Simn Bolvar, 1994) y actualmente es candidato a Doctor en Ingeniera Electrnica (Universidad Simn Bolvar). Su experiencia profesional abarca el diseo, montaje y optimizacin de circuitos amortiguadores para inversores de potencia, convertidores multi-nivel y sistemas de control e instrumentacin industrial. Desde 2001 se desempea como Profesor en la Universidad Simn Bolvar, donde se desempea la categora de Profesor Asistente y sus principales reas de inters son: Fuentes No Convencionales de Energa, Electrnica de Potencia y Sistemas Industriales. Julio Walter obtuvo los ttulos de Licenciado en Fsica (Universidad Simn Bolvar, 1984), MSc en Ingeniera Electrnica (Universidad Simn Bolvar, 1994) y actualmente es candidato a Doctor en Ingeniera (Universidad Simn Bolvar). Su experiencia profesional abarca el diseo y montaje de convertidores DC-AC basados en tcnicas de modulacin Delta, desarrollo de transformadores de alta potencia y alta frecuencia y sistemas de potencia para Radio Frecuencia. Desde 2000 se desempea como Profesor en la Universidad Simn Bolvar y sus principales reas de inters son: Fuentes No Convencionales de Energa, Calentamiento Inductivo, Sistemas de Potencia de Radio frecuencia y Audio.