INTRODUCCIN

Flujo de Potencia

TEMA 9. CIRCUITOS DE DISPARO PARA INTERRUPTORES DE POTENCIA

9.1. INTRODUCCIN 9.2. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN PARALELO 9.2.1. Circuitos de Control con Acoplamiento DC 9.2.1.1. Salida Unipolar 9.2.1.2. Salida Bipolar 9.2.2. Circuitos de Control con Aislamiento Elctrico 9.2.3. Alimentacin en los Circuitos de Disparo 9.2.3.1. Alimentacin con circuitos de Bombeo de Carga por Condensador 9.2.3.2. Alimentacin con circuitos Bootstrap 9.2.4. Circuitos de Puerta para SCRs 9.3. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN SERIE 9.4. PROTECCIONES DEL INTERRUPTOR DE POTENCIA INCORPORADAS EN EL CIRCUITO DE CONTROL 9.4.1. Proteccin contra Sobrecorriente 9.4.2. Proteccin contra Cortocircuitos en Montajes Tipo Puente 9.4.3. Conmutacin sin Snubbers

Fuente de Energa Elctrica

Convertidor de Estado Slido

Carga

Objeto de este tema

Aislamiento galvnico de las seales (deseable)

Elementos de clculo

Esquema de un convertidor de potencia. En este tema estudiaremos circuitos amplificadores (Drivers) siguientes caractersticas: con las

Toman seales procedentes de un sistema digital (5V, 3.3V...) y las amplifican a niveles adecuados para la conmutacin de dispositivos de potencia. Dependiendo de las caractersticas del dispositivo a controlar, podrn ser de baja o media potencia. Deben generar seales adecuadas para garantizar: La conmutacin rpida con prdidas mnimas. La entrada en conduccin segura del dispositivo, con prdidas en conduccin mnimas. El corte seguro evitando que entre en conduccin espontneamente. Deben incluir las protecciones adecuadas para evitar la destruccin del dispositivo que controlan: Sobrecorriente. Tiempos muertos en ramas de puentes.
Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 2 de 27

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 1 de 27

Circuito de Mando

Amplificadores de potencia

CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN PARALELO. Acoplamiento DC. Unipolares

Circuito de Disparo
Seal digital

CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN PARALELO. Acoplamiento DC. Unipolares

Dispositivo de Potencia

V BB I2 TB
Comparador

VBE (TA )
Circuito de VBB Disparo
Comparador

Vcc
Carga

VBB R1

R1 R2

ts

Circuito de Disparo

Vcc
Carga

I1

TA

I B (TA )

R1 R2 CGS

Comparador

M1

T1 R G T2 CGS

M1

(a) Circuito de Control de la Corriente de Base de un BJT. (b) Formas de Onda de Tensin y Corriente durante el Corte

R2 =

V BE almacenamiento I Balmacenamiento

a) Bajas Frecuencias de Trabajo

(9-1) (9-2) (9-3)

b) Altas Frecuencias de Trabajo

VBB

R2 = VCE sat (TB ) + R1 I 1 + VBEon (TA )

Diseo del circuito disparo:

I Bon = I 1

VBEon (TA )

Circuitos de Control de Puerta de un Interruptor MOSFET o IGBT de Potencia En el circuito a): on=(R1+R2)CGS y off= R2CGS ; Problemas: Si se necesita conmutar a alta velocidad, deben ser ambas resistencias de valor pequeo. Aparece una disipacin de potencia importante durante toff debido al 2 pequeo valor de R1: Poff(toff/T)(VBB /R1). En el circuito b): on= off= RGCGS. No se presenta el problema de disipacin, al conducir slo uno de los dos transistores a la vez. Puede hacerse RG muy pequea (incluso cero). La carga y descarga de la capacidad de puerta podr hacerse mucho ms rpido y por tanto la conmutacin del dispositivo (MOS o IGBT). Existen en el mercado numerosos CI con salida anloga a esta ltima, por ejemplo DS0026 UC1707 que pueden suministrar hasta 1Amp.

1. Se parte de una velocidad de corte deseada, a partir de la cual se estima el valor de la corriente negativa que debe circular por la base durante el tiempo de almacenamiento (corte del BJT de potencia, ecuacin 9-1). 2. Conocido el valor de la corriente de base y de tensin base-emisor con el BJT en estado de conduccin, se determina I1 de la ecuacin 9-2. 3. Se calcula R1 de la ecuacin 9-3, suponiendo que VBB vale unos 8 Volt. Un valor pequeo de VBB disminuye las prdidas (del orden de VBB.I1) en el circuito de base pero, un valor excesivamente pequeo de VBB aumenta la influencia de VBEon en el circuito de base (ecuacin 9-3).

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CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN PARALELO. Acoplamiento DC. Bipolares

Para acelerar la conmutacin al corte de transistores con puerta tipo Bipolar MOS puede aplicarse una tensin negativa en la puerta, as: En los BJT, aparece una corriente de base negativa que disminuye drsticamente el tiempo de almacenamiento. En los MOS e IGBT se acelera la descarga de la capacidad de puerta como se observa en la siguiente figura:

CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN PARALELO. Acoplamiento DC. Bipolares

Limitacin de corriente en BJTs

Circuito de Disparo
Comparador Tensin de Referencia

VBB + Con
RB

Vcc

Circuito de control
+

Tb + TA Tb
BJT MOS Divisor de tensin capacitivo

Circuito Bipolar de Control de Base de Interruptor de Potencia

Circuito de Disparo

Vcc

VBB
Tb +
A
VBB 2

La tensin Vcc vale 55Volt., la resistencia de puerta es de 50 Ohmios y la tensin VGS vale inicialmente +20Volt. cambiando a 0Volt. en el caso Unipolar y a 20Volt. en el caso Bipolar. El retraso que se observa entre ambos casos es de unos 35nS.

Tb

IB
VBB 2

TA

Resto del circuito de Potencia

Se puede comprobar, que gracias al divisor de tensiones capacitivo, se puede aplicar al transistor de potencia (MOS o IGBT) una tensin negativa a su entrada (al saturar el transistor Tb- cuando se corta el transistor Tb+ ).

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Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 6 de 27

CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO ELCTRICO

Fuentes de alimentacin V0 auxiliares
V1 V2
Fase

CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO ELCTRICO. OPTOACOPLADORES

Alimentacin DC-aislada Capacidad parsita

VBB

Optoacoplador
Salida hacia el driver

Aislamiento Circuito de la seal de Base Circuito de Control

Neutro Tierra

Seal digital de control

Referencia Digital

Referencia del interruptor de potencia

Aislamiento Circuito de la seal de Base

Tierra

Seal de Control Optoacoplada El fotoacoplador permite conseguir un buen aislamiento elctrico entre el circuito de control y el de potencia. Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la posibilidad de disparos espreos en las conmutaciones del interruptor de potencia, debido a la capacidad parsita entre el LED y el fototransistor. Otro problema se debe a la diferencia de potencial entre las tierras del fotodiodo y del fototransistor que no debe superar la tensin de ruptura. Para minimizar estos dos inconvenientes se pueden usar fibras pticas, (inmunidad al ruido EMI, aislamiento de alta tensin y evitan el efecto inductancia de los cables largos). No permiten transportar potencia, slo seal, por lo que ser necesario una fuente de alimentacin auxiliar y un amplificador.

Alimentacin de Potencia

Entradas de control

Necesidad de aislamiento de la Seal Lgica de Control: Tensiones elevadas (lineas rojas). Necesidad de proteccin del personal que maneja los equipos de control. Diferentes niveles de tensin dentro del convertidor y por tanto diferentes referencias para las salidas Base-Emisor (Puerta-Fuente) de los drivers. Se necesitan diferentes fuentes de alimentacin auxiliares para los diferentes niveles de tensin. Existen diferentes mtodos que se estudiarn en los prximos apartados. El aislamiento galvnico se consigue empleando optoacopladores o transformadores de pulsos.

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Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 8 de 27

CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO ELCTRICO. OPTOACOPLADORES

VBB
Circuito de Potencia

CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO ELCTRICO. OPTOACOPLADORES

+15 V

DA

Circuito Integrado CMOS

RG

VBB
Optoacoplador

Optoacoplador
Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de Control Este circuito es til para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de salida alta).
Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con

Circuito de Control de Base, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de Control El diodo DA sirve para evitar la saturacin completa del BJT de potencia y as acelerar su conmutacin.

impedancia de salida mucho menor, por ejemplo IXLD4425, 3Amp y 15Volt.

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CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO ELCTRICO. TRANSFORMADORES

Entrada al driver o seal de disparo Circuito de control

CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO ELCTRICO. TRANSFORMADORES

Vo

Vd

Referencia del circuito de control Inductancia de Magnetizacin

Referencia del interruptor de potencia

Seal digital de Vc control (baja frecuencia)

Seal de Control de Alta Frecuencia, Aislada con Transformador de Pulso El transformador de pulsos permite transportar una seal de cierta potencia, y a veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentacin auxiliar. El problema es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a la inductancia de magnetizacin. Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con D0.5 pueden conectarse directamente, conectndose bien a la puerta de transistores de potencia, o en circuitos anlogos a los vistos sustituyendo a fotoacopladores.

Modulador

Demodulador

Seal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso La frecuencia del oscilador podra ser por ejemplo de 1MHz, y los diodos rectificadores sern de alta frecuencia, pero de seal.

Vc Q /Q Vo Vd

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Entrada al driver

Q Oscilador de alta frecuencia /Q

CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO ELCTRICO. TRANSFORMADORES

V BB
Rp ip
Lm

CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO ELCTRICO. TRANSFORMADORES

Demodulador Modulador
Buffer

Circuito de potencia Cp

ic N1
BJTPotencia

Q
Oscilador

ib N2

T2

R2
Buffer

Vcontrol

C2

C1
RG

Buffer Schmitt-trigger

Seal Digital de Control

T1

Circuito de disparo

DB
N3

vi

vo

Circuito de Base con Seal de Control Aislada mediante Uso de Transformadores de Pulso. Aplicacin para Frecuencias de Trabajo Elevadas y Ciclo de Trabajo Aproximadamente Constante. Evita Fuente de Alimentacin. Si T1 est conduciendo, ib sera negativa y por tanto, T2 se cortar. La corriente de magnetizacin por el transformador (por Lm) ser transcurrido un tiempo: ipVBB/Rp. Al cortar T1 cuando por Lm circula ip, se hace circular una corriente por la base, y por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 ser: ib=icN3/N2. Adems, durante el tiempo que est cortado T1 Cp se descargar por Rp. Si en estas condiciones se vuelve a saturar T1, la tensin aplicada al devanado 1 es VBB y la corriente ip por el transformador podr ser muy alta, de forma que: ib= icN3/N2- ipN1/N2 Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformacin, podr hacerse la corriente de base negativa y se cortar el transistor de potencia.

Vcontrol Q
Q

vi

vo

Circuito de Puerta con Seal de Control Aislada con Transformador de Pulso. Aplicacin para Bajas Frecuencias de Trabajo Si Vcontrol=1, aparece una seal de AF en el transformador, cargando una vez rectificada los condensadores C1 y C2 Vi=0 y el CI est alimentado, al ser inversor dar una salida Vo=1 , haciendo que el MOS de potencia conduzca. Si Vcontrol=0, no hay tensin de AF en el transformador y C2 se descarga por R2 Vi=1, mientras que C1 se mantiene en carga (DB impide que se descargue), luego Vo=0. Si el circuito integrado es de bajo consumo (p.ej. 7555) se puede mantener cargado C1 hasta el prximo disparo.

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ALIMENTACIN EN LOS CIRCUITOS DE DISPARO

CIRCUITO DE DISPARO CON BOMBEO DE CARGA POR CONDENSADOR

Circuito de bombeo de carga VCC+VBB VCC

Vcc
Circuito de disparo

Vcc 2
Carga

C2 D2 D1 VBB C1

VBB

VBB1 VBB2

Circuito de disparo

Vcc 2

CD-1

Osc.

VBB

VBB
CD-2

Montaje Semipuente

Vcc
VBB1
CD-1

Circuito de Disparo con Bombeo de Carga por Condensador Simplifica el circuito total, al evitar tres fuentes auxiliares en los puentes trifsicos. No se ve afectado por el rgimen de disparo de los interruptores de potencia. Los transistores MOS, y dems componentes auxiliares deben trabajar a altas tensiones (aunque con corrientes bajas). Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior de cada rama deben ser de alta tensin.

VBB2
CD-3

VBB3
CD-5

VBB
CD-2 CD-4 CD-6

Esquema de un Inversor Trifsico Son necesarias dos fuentes auxiliares de alimentacin para un montaje semipuente y cuatro para un puente trifsico. La complejidad y el costo es elevado, pero no hay restricciones respecto al rgimen de disparo de los interruptores de potencia.

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ALIMENTACIN EN LOS CIRCUITOS DE DISPARO

D D +

CIRCUITOS DE PUERTA PARA SCRs

VCC
+

VBB
Driver

VBB
C Driver

VBB
C Driver

VBB
Driver

Fase A Driver

Fase B

Fase C

VBB
Driver

VBB

Tierra de Potencia
VGK + VGGL

Inversor Trifsico con Circuitos Bootstrap El circuito resultante es bastante simple, al conseguirse las tensiones requeridas con un diodo y un condensador. Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior de cada rama deben ser de alta tensin. El rgimen de disparo de los interruptores debe tenerse en cuenta para que no se descarguen los condensadores. Al iniciar el funcionamiento, deben dispararse todos los interruptores de la mitad inferior de cada rama para arrancar con los condensadores cargados.

RG VGGH

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Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 18 de 27

CIRCUITOS DE PUERTA PARA SCRs

CIRCUITOS DE PUERTA PARA SCRs

D1 15v VGK D2 RG

Vcontrol

VD

Circuito de Control de Puerta del Tiristor con Amplificacin del Pulso de Corriente

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CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN SERIE

PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTES

VGS=20V (mx. permitido por la tecnologa) VGS=15V (recomendado)

V BB

RBSO

4*iDnom

Seal de Control

Conmutacin

iDnom

log iD

ic

v CE
Circuito de Control en Serie con el Emisor del Interruptor de Potencia Para circuitos de disparo de BJTs puede aprovecharse que si se provoca el corte anulando IE el rea de operacin segura ser la correspondiente al diodo C-B (no avalancha secundaria) luego ser cuadrada y con un valor lmite de VCE casi el doble (BVCB02*BVCE0). El transistor MOS empleado no necesita ser de alta tensin.

vDS

El problema que se plantea al intentar proteger contra sobrecorrientes a dispositivos tipo BJT, MOS o IGBT, es que la corriente no sube a valores lo bastante altos para que actuen a tiempo los fusibles, por ello debe realizarse la proteccin desde el circuito de disparo, as en los IGBTs: Al aplicar la tensin VGS de 15 voltios (recomendada por los fabricantes) en caso de cortocircuito la corriente se multiplica por cuatro y el circuito de control tiene entre 5 y 10 s para quitar la tensin de puerta (si la temperatura inicial es menor que 125C). Si se aplicase la tensin mxima permitida por el espesor del xido (20V), la corriente de cortocircuito subira mucho ms y el fabricante no garantiza el corte del dispositivo a tiempo. En un cortocircuito, pueden darse dos casos: a) Cierre del interruptor cuando ya se ha producido un cortocircuito b) Se produce un cortocircuito cuando el dispositivo est conduciendo.

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Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 22 de 27

PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTES.

a) Cierre del dispositivo sobre un cortocircuito
vDS iD 4*iDnom iD vDScc vDS

PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTES.

b) Se produce un cortocircuito cuando est conduciendo el dispositivo (cont.)
CGD RG VGG

VGS=RG*CGD*dVDS/dt+VGG

Al cerrar el IGBT sobre un cortocircuito, la tensin VDS cae ligeramente, pero se mantiene a un valor muy alto, lo que permite al circuito de control detectar el malfuncionamiento y dar orden de cortar al dispositivo. b) Se produce un cortocircuito cuando est conduciendo el dispositivo
vDS iD 4*iDnom iD iDnom t vDScc vDS

El problema se agrava en este caso, ya que al subir la tensin de drenador, se acopla la subida a travs de la capacidad Miller y se polariza la puerta con una tensin mayor, con lo cual la corriente de drenador puede subir hasta valores que impidan el corte del dispositivo. Se debe limitar la tensin de puerta a 15 voltios empleando un par de diodos Zener:
CGD RG VGG

Tambin es necesario emplear para cortar el IGBT una tensin de puerta negativa (al menos 5V, mejor 15V), porque: Se acelera el corte disminuyendo las enormes prdidas debidas a las elevadas tensiones y corrientes del cortocircuito. Se asegura el corte, ya que la tensin umbral de corte disminuye en unos 10mV por cada grado de temperatura que suba la temperatura de la unin, de forma que durante un cortocircuito dicha tensin puede valer casi 2V menos que el valor que da el fabricante a 25C. Debido a que la derivada de la corriente de drenador es muy alta, aparecen cadas de tensin extra en las inductancias parsitas internas y del cableado externo, la tensin que ve la puerta es menor que la esperada.

Al producirse un cortocircuito cuando el IGBT est conduciendo, la corriente sube hasta aproximadamente 4 veces la corriente nominal y la tensin sube hasta prcticamente el valor de corte. Se produce una subida muy rpida de la corriente y de la tensin.

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Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 24 de 27

PROTECCIN CONTRA CORTOCIRCUITOS EN MONTAJES TIPO PUENTE

Generacin de retrasos
V1
Control T+

PROTECCIN CONTRA PULSOS DE CORTA DURACIN

VCC
Entrada de Control

Interr. Cerrado

Interr. Abierto

T+
Control

D+

t a)
Control T-

T-

D-

V2

b)

t t

Control

tmin

tmin

tmin

V1 V2 T+ T

a) Eliminacin de pulsos estrechos b) Alargamiento de pulsos estrechos

Si algn pulso generado por el circuito de control (apertura o cierre) es demasiado estrecho, el circuito de disparo deber evitar que dicho pulso llegue a la puerta del dispositivo por las siguientes razones: Un pulso estrecho no conseguir que el interruptor entre en conduccin o se corte totalmente por lo que las prdidas subirn innecesariamente. Muchos circuitos incluirn circuitos auxiliares, p. ej. amortiguadores, que necesitan de un tiempo mnimo para disipar la energa almacenada. Tiene el inconveniente de distorsionar ligeramente las formas de onda generadas.

tc

tc

Circuito de Control con Generacin de Tiempos Muertos Si est circulando corriente por T+ (I saliente de la rama), cuando se da la orden de corte a T+ debe esperarse un tiempo (tc) antes de dar orden de cierre a T- para que d tiempo a cortarse a T+ y evitar un cortocircuito entre VCC , T+ y T-. El tiempo tc debe ser mayor que el tiempo de almacenamiento de T+. Si la corriente circula por T- (I entrante en la rama), el efecto es el mismo debiendo retrasarse el cierre de T+.

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CONMUTACIN SIN SNUBBERS

Los circuitos auxiliares empleados como amortiguadores de encendido o de apagado, suponen una complejidad y un coste aadidos al circuito que deben evitarse si es posible. Es decir, no se usarn si el propio circuito garantiza que no se superarn los lmites de derivadas de la corriente y tensin mximas ni las sobretensiones inducidas en las bobinas. Dispositivos con rea de operacin segura casi cuadrada como el IGBT son buenos candidatos. Dispositivos cuya velocidad de conmutacin pueda controlarse fcilmente como el MOS y el IGBT tambin son buenos candidatos, ya que haciendo que el dispositivo conmute ms lento, se pueden controlar las derivadas de la corriente y tensin mximas y las sobretensiones inducidas en las bobinas. Al hacer que los dispositivos conmuten con tiempos de subida o bajada mayores las prdidas de conmutacin suben. Para compensar estas prdidas es necesario trabajar a frecuencias ms bajas.

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