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PROGRAMA DE CAPACITACIN MULTIMEDIAL

LAS CIENCIAS EN EL MUNDO CONTEMPORNEO

CIENCIAS NATURALES

MATERIALES CRISTALINOS

Introduccin. Slidos cristalinos | Propiedades elctricas de los materiales | Conductores electrnicos | Conductores inicos | Materiales piezoelctricos y derivados | El color de los materiales | Absorcin de la luz | Emisin de la luz | El lser | Lo nuevo
Autores: Dra. Sara Aldabe Bilmes (UBA y CONICET) y Dr. Fabio Doctorovich (UBA y CONICET) | Coordinacin Autoral: Dr. Alberto Kornblihtt (UBA y CONICET)

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INTRODUCCIN. SLIDOS CRISTALINOS

DoITPoMS Micrograph Library, University of Cambridge / Gran Bretaa

Na
Visualizacin de dominios cristalinos en un acero por microscopa electrnica.

Mg

Si

Cl

Ca

Ti

Fe

Cu

Ga

Ag

Ba

Re

Pb

Cdigo para las imgenes 3D.

l mundo de los slidos cristalinos es muy amplio. Los encontramos en la naturaleza, en los minerales y rocas, donde algunos cristales son particularmente grandes, como en las piedras preciosas. Tambin los encontramos en muchos de los objetos que nos rodean, en el acero o en el aluminio, en los que el material es un conjunto de dominios cristalinos "pegados" entre s, como se ve en la imagen microscpica del acero. Un slido cristalino puede pensarse como un arreglo peridico de un grupo representativo de tomos, molculas o iones. Esto nos permite construir un cristal mediante una estructura mnima, llamada celda unidad, que trasladamos por el espacio como si construyramos una pared azulejada a partir

de un nmero mnimo de azulejos que se repiten, y enfocarnos en un nmero pequeo de tomos, molculas o iones para describir sus propiedades. La importancia tecnolgica de los slidos cristalinos est en relacin con sus propiedades elctricas, pticas o magnticas que son distintivas de las estructuras peridicas y en base a las cuales se fabrican muchos dispositivos de la vida actual: lseres, dispositivos emisores de luz (LED), fotmetros, celdas solares, transistores, chips, pantallas de TV, transformadores, sensores de temperatura o de humedad. Todas estas propiedades estn relacionadas con la estructura del material y con la distribucin de los electrones de valencia de los tomos que forman parte del cristal. Lo ms interesante de

los slidos cristalinos es que sus propiedades se pueden alterar o sintonizar controlando, mediante la sntesis, la cantidad de defectos o de impurezas en el cristal. Si bien los slidos cristalinos tienen muchos usos por sus propiedades mecnicas, trmicas o magnticas, en este fascculo nos referiremos slo a las propiedades elctricas y pticas. Esta eleccin se basa en que en estas propiedades es donde ms se manifiesta la importancia de la cristalinidad y de la sintona por medio de la sntesis. En ambos casos mostraremos la relacin entre la propiedad, la estructura y la composicin del slido y su aplicacin en los llamados dispositivos de estado slidos, como los empleados en microelectrnica o en algunos lseres.

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PROPIEDADES ELCTRICAS DE LOS MATERIALES

as propiedades elctricas estn relacionadas con el desplazamiento de partculas cargadas: iones y electrones. Este desplazamiento normalmente se manifiesta como una corriente elctrica, es decir, por el transporte de partculas con carga a travs del material. Para que las partculas cargadas se desplacen es necesario entregar trabajo elctrico, y lo usual es referir esta energa como una diferencia de potencial entre los extremos del material. Eso es lo que hacemos cuando conectamos un equipo a la red domiciliaria de energa elctrica. J Conductores electrnicos: transportan electrones a lo largo del material. J Conductores inicos o electrolitos slidos: transportan iones a lo largo del material. J Piezoelctricos, optoelctricos, cristales lquidos: al modificar la celda unidad, se produce una variacin de dipolos elctricos, sin transporte neto de carga.

Conductividad a 25C (-1cm-1).

Estados de energa para los electrones en una hipottica cadena lineal Hn.

CONDUCTIVIDAD ELCTRICA El trabajo elctrico es el producto de la carga transportada por el potencial: el=q.V. =1/ = RA/L R es la resistencia elctrica medida experimentalmente. A es la seccin del material. L es la longitud del material. La conductividad disminuye con el aumento de la cantidad de bordes de grano y, por lo tanto, depende de la sntesis y el procesamiento del material.

CONDUCTORES ELECTRNICOS
Los conductores electrnicos se clasifican en metales, semiconductores y aislantes de acuerdo con el valor de la conductividad elctrica (que se designa con la letra ). Para que un material sea un conductor electrnico, para que los electrones se transporten, se requieren electrones libres, poco ligados a los tomos. Los electrones son partculas cunticas: slo pueden existir en estados bien definidos de energa y, por lo tanto, para ser transportados es necesario que haya estados de energa "permitidos" vacos muy prximos a los estados de energa ocupados por los electrones. De este modo, al entregar una pequea cantidad de energa extra, por ejemplo, aplicando

una diferencia de potencial conectando el material a una fuente elctrica, los electrones pueden ir ocupando los estados vacos y transportarse a travs de ellos. ESTADOS DE ENERGA DE LOS ELECTRONES EN UN SLIDO CRISTALINO La distribucin de electrones en un slido cristalino resulta del enlace entre los tomos que lo componen. Cualitativamente, el modelo de enlace en los slidos se construye del mismo modo que en las molculas, pero teniendo en cuenta que se trata de una molcula con un nmero muy grande de tomos, del orden de un mol de 23 tomos (del orden de 10 tomos). La construccin de orbitales moleculares a partir de la combinacin de

orbitales atmicos (visto en el fascculo anterior) tambin permite visualizar la estructura electrnica de los slidos cristalinos. Imaginemos por un momento que es posible que exista una cadena de n tomos de hidrgeno, donde la distancia entre dos tomos es siempre la misma. Cul sera la configuracin electrnica de este arreglo peridico de tomos de hidrgeno? Para construirla vamos agregando de a uno los tomos de hidrgeno: hacemos H+H, H2+H, H3+H, ... y obtenemos la configuracin electrnica de H2, H3, H4, ..., Hn que se ve en la figura correspondiente. La conclusin ms importante de este experimento mental es que para un sistema de n tomos enlazados (con n un nmero muy grande), los n niveles de energa de los electrones son muy prximos entre s y prctica-

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CONDUCTIVIDAD DE LOS SEMICONDUCTORES Los semiconductores no tienen conduccin elctrica en una nica direccin. Por otra parte, salvo los metales, todos los materiales son aislantes en el cero absoluto (0 K). En los semiconductores la conductividad aumenta notablemente al aumentar la temperatura porque aumenta la cantidad de electrones en BC, mientras que en los metales hay una ligera disminucin de la conductividad al aumentar la temperatura porque aumentan los choques de los electrones con los bordes del material o con sus defectos.

mente forman un continuo o banda de energa permitida para los electrones. El concepto de banda es exclusivo de un sistema peridico. Una banda que no se encuentre totalmente llena, como la obtenida para la hipottica cadena peridica Hn, nos dice que con un pequeo aporte de energa los electrones pueden moverse a lo largo del slido, comportndose como electrones "libres". Podemos decir que la hipottica cadena Hn es un metal como lo son el cobre (Cu), el sodio (Na), ReO3, RuO2 o polmeros como poliacetileno o polipirrol, que tambin presentan una banda ancha parcialmente ocupada por electrones. Cuanto ms ancha es una banda parcialmente llena, hay ms estados de energa accesibles a los electrones y el transporte es ms eficaz. El ancho de la banda refleja el grado de solapamiento de los orbitales atmicos; las bandas son anchas cuando el solapamiento es grande y, por el contrario,

las bandas angostas indican que el solapamiento es pobre. Para otros slidos cristalinos, la construccin de la cadena de tomos ejemplificada en la pgina anterior da lugar a dos bandas separadas en lugar de una nica banda. Este es el caso de los semiconductores, como Si, Ge, GaAs, CdS, y de los aislantes, como el diamante, BaTiO3, SiO2, donde se encuentran dos bandas: una de menor energa, completamente ocupada por electrones, llamada banda de valencia (BV); otra de mayor energa, completamente vaca, llamada banda de conduccin (BC). Entre ambas hay un intervalo de energa "prohibido" para los electrones, Eg, mayor para los aislantes que para los semiconductores. El diagrama de bandas resume la estructura de bandas de los materiales y su relacin con el tipo de conduccin electrnica que presentan. Los semiconductores tienen propiedades elctricas intermedias entre los

aislantes y los metales. La diferencia fundamental entre metales y semiconductores es que a bajas temperaturas los metales son buenos conductores, pero los semiconductores no lo son. Por qu conducen electrones los semiconductores? Para que haya conduccin elctrica es necesario colocar de algn modo electrones en la banda de conduccin, o sacar electrones de la banda de valencia, de manera tal de tener una banda parcialmente ocupada. Si se trata de un slido cristalino ideal, sin defectos ni impurezas, pueden promoverse electrones de BV a BC entregando una energa mayor que Eg. Esta energa puede ser trmica, como la que se disipa cuando circula corriente elctrica en un circuito, o provenir de una fuente de luz. As, se logra que tanto BV como BC contengan electrones y estados accesibles prximos desocupados. Si la energa Eg es demasiado grande, la excitacin de electrones no ocurre y el material es un aislante. ESTRUCTURA Y CONDUCTIVIDAD ELECTRNICA La construccin de la estructura de bandas parte de la suposicin de un slido cristalino ideal (infinito y sin defectos). De acuerdo con este mismo supuesto, por qu el grafito es un metal y el diamante un aislante, si ambos son slidos cristalinos compuestos por tomos de carbono? La diferencia entre grafito y diamante es la estructura cristalina. En el grafito, cada tomo de carbono est unido a otros tres en el mismo plano por enlaces idnticos. Las interacciones entre los planos consecutivos son dbiles por estar bastante alejados unos de otros, por lo que podemos pensar el grafito como un slido en dos dimensiones; un metal en la direccin paralela a los planos y un aislante en la direccin perpendicular. En el diamante, cada tomo de carbono est unido a otros cuatro, muy prximos entre s (1,54 ) por enlaces idnticos. Esta diferencia en los enlaces introduce diferencias en la estructura de bandas

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Estructura cristalina del grafito y del diamante.

y, por lo tanto, en sus propiedades elctricas. La estructura de bandas tambin est relacionada con la naturaleza de los tomos. Comparemos los slidos de los elementos del grupo del carbono: carbono (C), silicio (Si), germanio (Ge), estao (Sn). Todos poseen la misma estructura que el diamante. Al bajar en el grupo pasamos de aislante (diamante, Eg = 5,5 eV) a metlico (estao). Por qu estos materiales presentan propiedades elctricas tan diferentes si tienen la misma estructura cristalina? Si bien la estructura es idntica, la distancia entre los tomos en el slido aumenta a medida que bajamos en el grupo del carbono al estao. En consecuencia, el solapamiento de los orbitales atmicos es menor para el estao que para el carbono y tanto el ancho de las bandas como la distancia entre ellas (Eg) disminuye al pasar del carbono al estao. SINTONA DE LA CONDUCTIVIDAD ELECTRNICA DE SEMICONDUCTORES Hasta aqu nos hemos referido a slidos cristalinos puros. Si nos apartamos un poco de esta condicin, agregando cantidades definidas de algn otro elemento, sin alterar la estructura cristalina del slido, podemos va-

riar la conductividad electrnica en forma controlada. Al incorporar muy pequeas cantidades de tomos extraos en un semiconductor, segn cul sea el mtodo de incorporacin, estos pueden ubicarse en intersticios de la red o sustituir algunos de los tomos del slido. Estos tomos incorporados actan como defectos puntuales e introducen nuevos estados de energa para los electrones en el slido, que estn localizados en el entorno del tomo extrao (no ms all de 4 o 5 distancias atmicas). Tomemos como ejemplo el silicio, un semiconductor con Eg = 1,12 eV. Se puede sustituir una cierta cantidad de tomos de silicio por tomos de fsfo-

ro (P) para obtener un silicio dopado con fsforo que presenta estados electrnicos cerca de BC. El silicio tiene 4 electrones en su capa de valencia mientras que el fsforo tiene 5. El electrn en exceso de cada tomo de fsforo incorporado es compartido por todo el slido, y pasa a ser un electrn en la banda de conduccin del silicio. Los semiconductores que por defectos contienen electrones en la banda de conduccin son semiconductores tipo n. Por el contrario, el silicio dopado con galio presenta estados localizados cerca de BV. El galio tiene 3 electrones en la capa externa y, en este caso, el dficit de electrones por cada tomo de galio incorporado al slido es provisto por la totalidad del slido que enva electro-

Esquema de bandas para C y Sn con estructura de diamante.

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nes desde la banda de valencia. Este es un semiconductor tipo p. Cada tomo extrao que se introduce en la red de tomos de silicio es un defecto, pues no modifica la estructura cristalina ni la estructura de bandas del slido, pero el material pasa a tener bandas que no estn completamente llenas y presenta mayor conductividad electrnica que cuando est sin impurezas. Como en esta situacin la conductividad no depende de la promocin de electrones de BV a BC, es prcticamente independiente de la temperatura, est controlada por la concentracin de impurezas y es un material apto para componer circuitos elctricos. En los semiconductores tipo n, la conduccin depende de electrones (partculas con carga negativa) que se mueven por estados en la banda de conduccin. En el caso de los semiconductores tipo p, la conduccin depende de huecos (estados electrnicos no ocupados que se comportan como partculas con carga positiva) que se mueven por estados de la banda de valencia.

SEMICONDUCTORES Y MICROELECTRNICA Uno de los aspectos interesantes de los semiconductores es el contacto entre un semiconductor tipo n y un semiconductor tipo p, o juntura p-n. Esta es la base de la microelectrnica. Los chips de un procesador, los circuitos integrados que encontramos en un equipo de audio, en un lavarropas, en un reloj o en el tablero del auto, los LED verdes, amarillos o rojos que indican un equipo encendido, los lseres lectores de un CD o del cdigo de barras, las celdas solares que se emplean para recargar bateras, los sensores de luz: todos estos dispositivos estn fabricados sobre la base de combinaciones de semiconductores p y n. Qu sucede cuando se produce una juntura p-n? Como la concentracin de electrones en cada semiconductor es diferente, los electrones tienden a pasar del tipo n al tipo p, ms pobre en electrones. Lo mismo ocurre con los huecos, que tienden a pasar del tipo p al tipo n, ms pobre en huecos.

Cuando se alcanza el equilibrio cesa el flujo neto de partculas cargadas. Veamos qu ocurre en la interfaz: en el semiconductor tipo n hay menor concentracin de electrones que en el resto del material y un exceso de carga positiva, no mvil, debido a que parte de la carga de las impurezas (P en Si) queda sin compensar por la disminucin de la concentracin de electrones. En el semiconductor tipo p hay menor concentracin de huecos que en el resto del material y un exceso de carga negativa, no mvil, que resulta de la carga de impurezas (Ga en Si) sin compensar. La presencia de cargas opuestas produce una diferencia de potencial en la regin de contacto. Como consecuencia de este proceso, al aumentar la concentracin de electrones en el semiconductor tipo p, la energa de este aumenta con respecto a la del semiconductor tipo n. Si aplicamos una diferencia de potencial tal que el material tipo p est conectado al polo positivo y el tipo n al polo negativo (polarizacin direc-

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ta), los electrones y los huecos fluirn fcilmente a lo largo del material, circulando una corriente apreciable. Por el contrario, si se conecta el semiconductor tipo p al polo negativo y el tipo n al polo positivo, electrones y huecos se alejan de los puntos de contacto y cruzan con gran dificultad la zona de la juntura. En este caso de polarizacin inversa, la corriente es muy pequea, como se muestra en el diagrama de bandas de esta pgina. Este comportamiento de rectificacin de la corriente permite disear dispositivos, como diodos y transistores, que realicen tareas lgicas sobre la base de dos dgitos: 1 (circula corriente) y 0 (no circula corriente). A partir de diodos y transistores se construyen circuitos integrados cada vez ms pequeos, que en la actualidad tienen un tamao de pocos micrones. Esto posibilita la realizacin de millones de operaciones lgicas por

segundo, con muy poca disipacin de energa (se calientan poco) lo que prolonga la vida til de los contactos y componentes de circuito global que normalmente vemos en una plaqueta. Los primeros dispositivos electrnicos se realizaron empleando germanio, pero actualmente la microelectrnica se basa en el empleo de silicio, entre otras razones, porque es el ms barato de los semiconductores, porque se puede obtener con un alto grado de pureza (99,9999%), necesaria para controlar su conductividad por dopantes, y porque se puede dopar fcilmente. El germanio, tiene un Eg (0,66 eV) menor que el silicio, por lo que la conductividad de este ltimo es ms sensible a los cambios de temperatura producidos por la corriente que circula en el dispositivo. Otros semiconductores, como el arseniuro de galio (GaAs, Eg = 1,42 eV) son difciles de obtener con alto grado de pureza.

Hay materiales que presentan muy baja conductividad, pero por agregado de cantidades apreciables de otros elementos pasan a tener conduccin metlica. Esto se observa, por ejemplo, en el In2O3 cuando se le agrega Sn. Como el In2O3 es transparente y no se colorea por agregado de Sn, este material, In2O3:Sn, se emplea para hacer electrodos y contactos transparentes que se utilizan en las celdas solares o para la fabricacin de ventanas inteligentes que se oscurecen segn el gusto del usuario. Para obtener este tipo de metales es necesario que el slido que incorpora el tercer elemento presente una estructura muy abierta. As no se distorsiona y mantiene la estructura. Los slidos cristalinos, semiconductores o aislantes, que estn compues-

Los circuitos integrados se han hecho cada vez ms pequeos y cumplen ms funciones. La moneda de la imagen permite comparar el tamao que han tenido.

Ministerio de Educacin y Ciencia / Espaa

DE SEMICONDUCTORES A METALES Y SUPERCONDUCTORES

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Estructura de WO3.

Estructura de CaTIO3.

tos por tomos muy grandes y muy pequeos, como los xidos de los elementos del 4 y 5 perodo de la Tabla Peridica, presentan estructuras cristalinas muy abiertas. En estas estructuras, como la de ReO3 o WO3, quedan grandes espacios vacos, con amplios intersticios que pueden alojar importantes cantidades de otros tomos sin que se produzcan distorsiones. Cuando las cantidades del tercer componente son pequeas, las impurezas no interactan entre s y la estructura de bandas es similar a la de un semiconductor dopado. Por ejemplo, si se incorpora sodio (Na) o litio (Li) en WO3, como estos elementos tienden a perder su electrn de valencia fcilmente (son dadores de electrones), se obtiene un semiconductor tipo n. Pero cuando la concentracin de impurezas aumenta, las interacciones entre ellas permiten la formacin de una banda cuyo ancho va creciendo a medida que se incorporan ms impurezas que interactan entre s. Esta nueva banda, que contiene electrones, puede llegar a superponerse con la banda de conduccin del xido, con lo que el material pasa a ser un metal. Este es el caso de la familia de compuestos conocida como bronces de tungsteno, por ejemplo, NaxWO3, donde x es la relacin de tomos de sodio con tomos de tungsteno. A partir de x = 0,3, el

compuesto resultante es un metal. Cuando x = 1, se obtiene tungstato de sodio (NaWO3), que presenta una estructura de perovskita (CaTiO3), que tiene un tomo de sodio en el centro de cada celda. Los bronces de tungsteno presentan conductividad sintonizable de acuerdo con la cantidad de sodio (o de litio) que se agregue y, adems, cambian de color al ir incorporando el tercer elemento, pasando del incoloro (WO3) al negro (NaWO3). Esta propiedad los hace interesantes para fabricar dispositivos que cambian de color por incorporacin de litio o sodio, lo que se realiza fcilmente en una celda electroqumica similar a la que se

emplea para depositar cobre o nquel sobre un metal. Se obtienen as dispositivos electrocrmicos, que cambian de color cuando se aplica una diferencia de potencial en una celda electroqumica apropiada. La estructura de perovskita se encuentra en muchos compuestos ternarios, como CaTiO3, donde los tomos de titanio se ubican en los vrtices de un hipottico cubo que contiene en el centro un tomo de calcio. Por estar formadas por tomos grandes, con una nube electrnica muy expandida (tomos muy polarizables), estas estructuras pueden distorsionarse con facilidad y presentan propiedades elctricas muy interesantes que

Estructura del superconductor YBa2Cu3O7.

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Sitios intersticiales por donde puede migrar el ion Ag+ en la red de -AgI.

Estructura de un NASICON.

veremos ms adelante, pero tambin son metales que pueden llegar a ser superconductores. SUPERCONDUCTORES

tomos y el movimiento de los electrones ocurran de manera concertada aun a temperaturas relativamente altas.

CONDUCTORES INICOS
La superconductividad fue observada por primera vez por Heike K. Onnes en 1911. La conductividad de los metales decrece al bajar la temperatura porque disminuye la posibilidad de que los electrones choquen con la red que est vibrando. Pero enfriando mercurio (Hg) a temperaturas cercanas a 4,2 K, Onnes observ que la resistividad del metal caa prcticamente a cero. Este fenmeno de superconductividad se supone que ocurre cuando los electrones se mueven a travs del cristal en forma concertada con las vibraciones de la red. Desde entonces se han encontrado cientos de compuestos basados en estructuras de perovskita conteniendo tomos de Cu y de lantnidos que son superconductores por encima de los 100 K. En 1986, Bednorz y Mller (premio Nobel de Fsica 1988) reportaron superconductividad a 35 K para La2-xBaxCuO4 y poco despus, superconductividad a 93 K para YBa2Cu3O7. La estructura del YBa2Cu3O7 es pariente de la perovskita y se cree que la apertura de la red es lo que permite que las vibraciones colectivas de los La difusin de los iones en los slidos es normalmente bastante lenta. Esto se debe a que, para trasladarse, los iones necesitan encontrar posiciones en la red, ya sea en vacancias o en intersticios. El movimiento de los iones a travs de la red puede pensarse como de a saltos entre posiciones que los puedan alojar. Son electrolitos -1 slidos con conductividad entre 10 y -1 -1 103 cm , comparable a la de una solucin concentrada de cloruro de sodio. Estos materiales se emplean como electrolitos en bateras para relojes, marcapasos, cmaras de fotos, celdas de combustible, dispositivos electrocrmicos y sensores. Para cualquiera de estas aplicaciones es imprescindible que el material no presente conductividad electrnica (aislantes), sino que los portadores de carga sean exclusivamente iones. Los intersticios por los que pueden circular los iones pueden ser inherentes a la red, como en el yoduro de plata (AgI), o espacios vacos por deficiencia de uno de los componentes del slido, como en xido de zirconio (ZrO2), deficiente en oxgeno.

En el caso de ZrO2-x, compuesto no estequiomtrico deficiente en oxge2no, se desplazan los aniones O saltando de una vacancia a otra y es un conductor aninico. En el caso del -AgI, los cationes + Ag son pequeos y por la estructura del material pueden alojarse en muchas posiciones de la red, sin que queden retenidos, sin necesidad de vacancias, como se ve en la figura de esta pgina. Cuantos ms intersticios encuentren los iones en la red, ms rpido se mueven y mayor es la conductividad. Esta es una diferencia con la conduccin electrnica, donde la conductividad, si bien depende de la movilidad de los electrones, est determinada por la concentracin de electrones libres. A diferencia de los metales, la conductividad de los conductores inicos aumenta cuando aumenta la temperatura, porque a mayor temperatura los iones quedan menos retenidos en la red, y aumenta as la movilidad de aquellos. Los mejores conductores inicos son los materiales que presentan una estructura con canales para el desplazamiento de los iones. Como los de la familia del NASICON (XM2 (SiO4); X = Li o Na; M = Ti o Zr), que presentan canales entre los tetraedros PO4 / SiO4 y los octaedros de MO6 por donde circulan los cationes X+.

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MATERIALES PIEZOELCTRICOS Y DERIVADOS

En los materiales piezoelctricos se genera una diferencia de potencial al producirse un pequeo desplazamiento de los tomos por aplicacin de una perturbacin externa. Para que esto ocurra necesitamos que el material no sea conductor electrnico y posea una estructura cristalina suficientemente abierta como para permitir que los iones puedan desplazarse, como ocurre con las perovskitas. Para abordar este tipo de materiales tomemos como ejemplo el titanato de bario (BaTiO3) y hagamos un corte en el centro del cubo, a la altura del titanio (Ti). Si de algn modo podemos desplazar al titanio del centro del cubo, los dipolos elctricos debidos a la diferencia de electronegatividad en el enlace Ti-O dejan de estar compensados. Entonces, al aplicar una fuerza externa tal que desplace el Ti central, se separan las cargas, produciendo dipolos y una diferencia de potencial. Hay una conversin de energa mecnica en energa elctrica, que es lo que ocurre en muchos encendedores (chisperos). Los materiales piezoelctricos, como el cuarzo y el zirconato de plomo (PbZrO3), tambin son importantes por el proceso inverso: aplicando energa elctrica podemos desplazar un objeto y posicionarlo en forma muy precisa, a escala atmica. Esto tiene mltiples usos, como los relojes de cuarzo donde la energa suministrada por la pila hace vibrar un cristal de cuarzo, que a

Estructura de un material piezoelctrico.

su vez posiciona la aguja del reloj y los parlantes de audio, entre los ms comunes. Dentro de este tipo de materiales en los que se produce una deformacin de la estructura cristalina se encuentran tambin materiales piroelctricos, en los que la distorsin se produce por efecto de la temperatura, y optoelctricos, donde la distorsin produce un gran cambio del ndice de refraccin. Dentro de este tipo de materiales, los cristales lquidos tambin presentan estas propiedades. CRISTALES LQUIDOS Las pantallas de las computadoras porttiles y de los televisores planos estn constituidas por cristales lquidos, materiales que, si bien fluyen como si fueran lquidos, sus molculas se encuentran ordenadas como las de un slido cristalino.

Las molculas que tpicamente forman cristales lquidos son o muy alargadas o muy planas, rodeadas de cadenas hidrocarbonadas largas como las de los aceites. Debido a estas geometras particulares, los cristales lquidos presentan una ordenacin anisotrpica. Por ejemplo, las molculas alargadas se amontonan paralelamente como los fsforos en su caja, pero con libertad para deslizarse unas respecto de las otras a lo largo de sus ejes debido a las interacciones dbiles entre las cadenas hidrocarbonadas. Las molculas planas rodeadas de cadenas hidrofbicas se disponen en columnas que, en forma similar a monedas apiladas, pueden desplazarse entre s. As, la viscosidad de estos cristales lquidos es menor en la direccin paralela a las molculas, ya que necesitan menos energa para deslizarse unas respecto de las otras a lo largo de sus ejes que

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Los materiales anisotrpicos presentan propiedades que dependen de la direccin en que se miden. En cambio, las propiedades de un material isotrpico no dependen de la direccin en que se miden.

para moverse lateralmente. Los cristales lquidos se convierten en lquidos istropos ("normales") cuando se calientan por encima de una cierta temperatura caracterstica de cada material, dado que entonces las molculas tienen la suficiente energa como para superar las atracciones que restringen su movimiento. Los cristales lquidos pueden clasificarse segn la disposicin de las molculas en nemticos (del griego , "hilo"), esmcticos (del griego , "jabonoso") o discticos. Tambin pueden clasificarse segn su modo de preparacin: los termotrpicos (o colestricos) se forman por fusin del slido y existen durante un corto intervalo de temperatura hasta que funden completamente convirtindose en lquidos; los cristales lquidos liotrpicos se presentan en un intervalo de temperatura cuando ciertas sustancias se dispersan en un lquido, como algunas soluciones acuosas de detergentes y las membranas celulares. La mayor parte de los termotrpicos presenta molculas con un grupo cen-

tral que une dos anillos aromticos y posee enlaces dobles o triples que constituyen un ncleo con forma de varilla. La direccin de los ejes longitudinales de las molculas se encuentra desplazada en una capa respecto de la capa adyacente, de forma tal que la direccin de los ejes longitudinales moleculares describe una hlice. Cuando la luz incide sobre la superficie del cristal lquido se produce la reflexin con polarizacin circular para una determinada longitud de onda, que depender del avance de la hlice. Como esto ltimo depende a su vez de

la temperatura, estos cristales lquidos cambian de color al variar la temperatura o al aplicar un potencial elctrico. Muchas de sus aplicaciones derivan de esta variacin del color con la temperatura. Por ejemplo, se utilizan en alarmas visuales de temperatura y termmetros digitales. Por otra parte, en presencia de un campo elctrico cambia la orientacin de las molculas y se destruye la estructura colestrica. Esta reorientacin produce un cambio en sus propiedades pticas, lo que se aprovecha en las pantallas de los relojes digitales, calculadoras y computadoras.
Prof. David Levy / C.S.I.C. Madrid / Espaa

Imagen de cristales lquidos, tomada con microscopio ptico.

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EL COLOR DE LOS MATERIALES

l color es una consecuencia de la interaccin de la luz con el material. La luz puede ser considerada como partculas (fotones) o como ondas electromagnticas. La materia est compuesta por electrones que interactan electrostticamente con el campo elctrico de la onda.

ABSORCIN DE LUZ
Cuando la luz incide sobre la materia, los electrones son excitados y promovidos a niveles de mayor energa slo cuando la energa de los fotones coincide con la diferencia de energa entre un nivel ocupado y uno desocupado. De esta manera, el material absorbe la luz y en primera aproximacin nuestra vista percibe el color complementario al de la luz que absorbe. Pero el color depende de otros factores, como la dispersin de la luz, que es ms manifiesta cuando el material es rugoso o compuesto por pequeas partculas. Por ejemplo, el vidrio de una ventana es "transparente" pues absorbe luz UV, que no es percibida por nuestra visin; sin embargo, el vidrio molido se ve blanco debido a la dispersin de la luz por las partculas de vidrio. En sistemas compuestos por tomos aislados (gases atmicos), la absorcin se manifiesta por la ausencia de algunos valores definidos de longitud de onda (lneas) en el total del espectro electromagntico. En sistemas compuestos por molculas en fase gaseosa o en solucin, en lugar de lneas se observan bandas de unos 50-100 nm de ancho porque hay ms posibilidades de terminaciones cuando se tienen tomos entrelazados. En los slidos hay una gran posibilidad de transiciones que llevan a la absorcin de luz: J Las transiciones interbandas (entre la banda de valencia y la de conduc-

UV violeta azul verde amarillo anaranjado rojo IR

100 - 400 nm 12,4 - 3,10 eV 400 - 425 nm 3,10 - 2,92 eV 425 - 492 nm 2,92 - 2,52 eV 492 - 575 nm 2,52 - 2,15 eV 575 - 585 nm 2,15 - 2,12 eV 585 - 647 nm 2,12 - 1,92 eV 647 - 700 nm 1,92 - 1,77 eV 700 - 10000 nm 1,77 - 0,12 eV

E = hc/l = {(4.1357 x 10-15 eV. s)(2,998 x 108 m/s)}/l E (eV) = 1240/l(nm)

Espectro de absorcin de tomos

Espectro de absorcin de molculas Espectros de absorcin de la luz de acuerdo con la composicin de los materiales.

cin) son caractersticas de aislantes y semiconductores. El color es indicativo de Eg. J Las transiciones intrabandas (dentro de la banda de conduccin parcialmente llena) son caractersticas de los metales. Producen el llamado "brillo metlico".

Las transiciones entre niveles atmicos de impurezas son caractersticas de las piedras preciosas. La energa de estas transiciones (y, por lo tanto, el color del material) depende de la impureza y del slido que la aloja, que normalmente tiene un Eg alto y bandas estrechas.
J

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Esquema de transicin interbanda (A y B) y esquema de transicin entre niveles atmicos (C).

El rojo del rub y el verde de la esmeralda se deben a la absorcin del ion Cr3+ presente como impureza (en muy pequeas cantidades con respecto del slido anfitrin) en almina y aluminosilicato de berilio, respectivamente. En ambos casos hay una excitacin desde el nivel E0 a los niveles E1 y E2, pero la posicin de estos niveles se modifica de acuerdo con la estructura de la matriz. Por estar incluidos en un slido, los niveles E0, E1 y E2 no poseen una nica energa definida como cuando los tomos o iones se encuentran en fase gaseosa, sino que se encuentran en un intervalo (pequeo) de energa que da origen a bandas (angostas) de absorcin en lugar de lneas. Volviendo al ejemplo anterior, en el rub, las transiciones E0JE1 y E0JE2 absorben la luz verde-amarilla y violeta, respectivamente, dejando pasar todo el rojo y un poco del azul. En la esmeralda, las transiciones E0JE1 y E0JE2 absorben el anaranjado-rojo y el violeta, dejando pasar todo el verde azulado. En la alejandrita, las transiciones E0JE1 y E0JE2 absorben el amarillo-anaranjado y el violeta, dejando pasar bastante del rojo y del azul-verde. Cuando se ilumina con luz solar, en la que domina el azul, la alejandrita se ve como la esmeralda porque la luz azul reflejada es ms intensa. Cuando se ilumina con luz de una lmpara incandescente, donde domina el rojo-amarillo, la alejandrita se ve como rub porque la luz reflejada que domina es roja.

Espectro de emisin.

EMISIN DE LUZ
La emisin de luz o luminiscencia es una consecuencia del decaimiento de los electrones que componen la materia de un estado excitado a uno ms estable, de menor energa. El estado excitado puede alcanzarse al recibir energa de cuatro maneras diferentes: J Haciendo incidir fotones (fotoluminiscencia), como en las lmparas fluorescentes. J Entregando energa elctrica (electroluminiscencia), como en los LED. J Por impacto de electrones (catodoluminiscencia), como ocurre en la pantalla de TV. J Por reacciones qumicas que producen molculas en un estado exci-

tado (quimiluminiscencia), como lo hacen las lucirnagas. En la mayora de los casos, el decaimiento de un estado excitado a uno de menor energa libera energa en forma de calor, y slo cuando se dan ciertas condiciones este decaimiento es con emisin de un fotn. Las pequeas cantidades de tomos o iones incorporados en una matriz de un slido aislante que producen cambios notables en el color del material tambin pueden dar lugar a efectos de luminiscencia. El rub, por ejemplo, da una intensa luminiscencia roja, pero no as la esmeralda. En los fsforos (que no tienen nada que ver con la fosforescencia ni con las cerillas que se utilizan para encen-

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der el fuego), al ser iluminados los tomos que componen la matriz, absorben la energa de los fotones y transfieren esta energa a un tomo incorporado a la matriz o activador. Con esta energa, los electrones pasan a un estado excitado y cuando este decae al nivel fundamental emite un fotn que produce luz de un color definido. Este es el mecanismo con el que operan las lmparas fluorescentes y las pantallas de TV.

EL LSER
Lser es un acrnimo (en ingls) de Amplificacin de Luz por Estimulacin de la Radiacin Emitida. La estimulacin es lo que diferencia la emisin lser de la emisin espontnea que se produce en una lmpara, en un LED o en una pantalla de TV. "Emisin estimulada" significa que el decaimiento desde un estado excitado a otro de menor energa con emi-

Experimento con luz de lser.

David Monniaux

La fuente de excitacin es una descarga elctrica que excita un gas compuesto por tomos de mercurio. Los tomos se desexcitan produciendo luz UV (fotoluminiscencia). Los tomos de la matriz de fluorapatita, Ca5(PO4)3F que recubre el tubo absorben los fotones que emite el Hg y transfieren esta energa a activadores: Sb3+ que emite en el azul (480 nm) y Mn2+ que emite en el rojo-anaranjado (580 nm). La combinacin de ambos colores da luz blanca con un ligero tinte azulado.

sin de un fotn puede ser asistido por fotones con energa mayor o igual que la diferencia de energa de los niveles entre los que se produce el decaimiento. La emisin estimulada tiene la misma fase y la misma energa para todos los fotones emitidos (en la jerga, es coherente y monocromtica). Por otra parte, la emisin estimulada produce amplificacin, ya que por cada fotn que incide se obtienen dos. El requisito para obtener emisin estimulada es lograr que del conjunto de tomos o molculas que tenemos, la mayora est en el estado excitado. Normalmente esto es al revs y aunque hagamos incidir luz u otra radiacin, la mayor parte de los tomos o molculas est en estado fundamental. Por todos estos motivos, el haz de un lser es poco divergente y muy intenso. En 1960, Maiman demostr experimentalmente que era posible invertir la poblacin del estado excitado acumulando electrones en un estado metaestable. As se fabric el primer lser de rub, en el que la emisin lser corresponde a la desexcitacin del Cr3+. Para obtener emisin estimulada es necesario, adems, contar con una gran cantidad de fotones que produzcan la estimulacin. Para lograrlo se confina el medio que produce la emisin entre dos espejos, uno totalmente reflector y otro parcialmente. As se logra amplificar cada vez ms la emisin estimulada.

MATERIALES CRISTALINOS

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LO NUEVO

a bsqueda de nuevos materiales es un tema que ocupa a investigadores, tecnlogos e industriales. El esfuerzo est puesto en el desarrollo de estrategias de sntesis que permitan producir materiales y dispositivos con propiedades adecuadas y especficas para un uso determinado. Actualmente hay una demanda cada vez mayor de fibras ms resistentes, cermicos ms resistentes, polmeros resistentes a altas temperaturas, materiales fotosensibles, pero el mayor esfuerzo est puesto en el desarrollo de materiales hbridos, combinaciones de macromolculas con partculas cristalinas para circuitos integrados, dispositivos elctricos y pticos, implantes mdicos y, especialmente, para dispositivos inteligentes que combinan sensores y actores. Estas estructuras no pueden sintetizarse por moldeado o extrusin, sino que requieren una serie de reacciones qumicas secuenciales muy controladas donde las molculas pasan a ser los ladrillos de una estructura, conectndose entre s por interacciones intermoleculares. Esta qumica que va ms all de la molcula (qumica supramolecular) imita las construcciones jerrquicas de la naturaleza, del ADN o de la membrana celular, donde las molculas se "comunican" y se "autoorganizan". Estos conjuntos autoorganizados, a su vez, sirven de molde para el crecimiento de estructuras extendidas. En cierto modo, se intenta copiar la naturaleza, donde encontramos organismos que sintetizan materiales blandos con superficies curvas estructurados con "ladrillos" cristalinos, como las ostras, que construyen ncar, constituido por capas alternadas de CaCO3 cristalino ligadas por protenas.

LA INVESTIGACIN EN MATERIALES CRISTALINOS EN LA ARGENTINA

Diseo, sntesis, propiedades y aplicaciones de materiales avanzados: Departamento de Qumica Inorgnica, Analtica y Qumica Fsica, Facultad de Ciencia Exactas y Naturales, Universidad de Buenos Aires (Cukiernik, Aramendia, Calvo); Departamento de Fsica, Facultad de Ciencia Exactas y Naturales, Universidad de Buenos Aires (Martnez, Bekeris); Instituto Balseiro, Bariloche (Fainstein, Zyzper); Facultad de Ciencias Qumicas, Universidad de Crdoba (Carbonio); Departamento de Fsica, Facultad de Ingeniera, Universidad de Buenos Aires (Sirkin, Arcondo); Unidad de Actividad Qumica, Comisin Nacional de Energa Atmica (Soler-Illia, Regazzoni); INIFTA, Universidad Nacional de la Plata (Requejo, Salvarezza). J Aspectos tericos: Departamento de Fsica, Facultad de Ciencia Exactas y Naturales, Universidad de Buenos Aires (Brudny, Tamborenea, Depine).

INVESTIGADORES DE POLMEROS EN LA ARGENTINA

Polmeros conductores: Universidad Nacional de Ro Cuarto (Csar Barbero). Procesos industriales: INCAPE, Universidad Nacional del Litoral (Eduardo Lombardo); INTEC, Universidad Nacional del Litoral (Gregorio Meira). Diseo, sntesis, propiedades y aplicaciones de polmeros avanzados: INTEMA, Universidad de Mar del Plata (Roberto
J J J

Williams); INTEMA, Universidad de Mar del Plata (Julio Borrajo); INTI, CITIP (Patricia Eisenberg). Polmeros modificados por heterociclos: CIHIDECAR, Universidad de Buenos Aires (Norma D'Accorso). Sntesis y caracterizacin de propiedades: Universidad Nacional de Crdoba (Miriam Strumia).
J J

La Facultad de Ciencias Exactas y Naturales de la UBA, un importante centro de investigacin en Ciencia de Materiales.

Facundo Carreiro

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EXPLORA CIENCIAS NATURALES

EPISTEMOLOGA Agustn Adriz-Bravo

Habamos planteado en el fascculo anterior que lo que distingue las diferentes disciplinas cientficas no es su objeto de estudio, que puede ser comn a muchas de ellas, sino ms bien otros dos elementos: la mirada que aportan sobre ese objeto (es decir, los modelos que construyen) y la finalidad con la que lo estudian (que determina qu intervenciones se realizan y qu metodologas se ponen en juego para ello). Volvamos por un momento a concentrarnos en la cuestin de las mltiples finalidades de las disciplinas. La emergente ciencia de materiales se propone, adems de entender las propiedades de los slidos, disear slidos para distintos usos especficos. Es decir, este campo interdisciplinario posee, junto con una finalidad explicativa (caracterstica de las ciencias), una finalidad fuertemente transformadora del mundo: desea "alterar o

sintonizar" las propiedades de los cristales introducindoles impurezas, con el fin de hacerlos tiles para muy diversas aplicaciones. Por ello podemos decir que, adems de un campo cientfico, la ciencia de materiales es un campo tecnolgico. Pero si bien los aspectos prcticos, aplicados, del campo de la ciencia de materiales son fundamentales para otorgarle la identidad que tiene hoy en da, el diseo de un amplio espectro de materiales con propiedades elctricas y pticas "a medida", objeto de este fascculo, es posible merced a una comprensin profunda de esas propiedades en trminos de la estructura submicroscpica (a nivel atmico) de tales materiales. Esta es la idea que actualmente se tiene de la tecnologa: se trata de una intervencin prctica, pero no conseguida por "ensayo y error", sino fundamentada en saberes tericos, que permiten disear soluciones para los problemas surgidos de la voluntad de transformar el mundo para mejorarlo.

En relacin con esto, resulta difcil determinar hasta dnde la ciencia de materiales slo describe, clasifica, explica y predice por medio de sus modelos tericos y a partir de dnde comienza a utilizar y a enriquecer esos modelos para crear nuevos materiales que solucionen problemas prcticos. Por tal razn es que podemos aplicar tambin a la ciencia de materiales el concepto de tecnociencia: en este tipo de disciplinas, los aspectos tericos y la intervencin sobre la realidad se resignifican y potencian mutuamente. La idea de tecnociencia nos permite delinear una concepcin de ciencia novedosa, ms dinmica y compleja, y muy alejada de la imagen del sentido comn que circula en la poblacin general y en los medios de comunicacin masivos. Desde una mirada ingenua, se divide la ciencia pura, terica, de la tecnologa linealmente derivada de ella, a modo de aplicacin directa a la realidad. La epistemologa nos ensea que la tecnologa interacta ricamente con los modelos cientficos al generar nuevos pro-

blemas tericos y permitir nuevos dispositivos, intervenciones y abordajes metodolgicos. La "imagen de ciencia" que circula en el gran pblico contiene, adems de esta consideracin errada de la tecnologa como ciencia aplicada, muchas otras distorsiones en la comprensin de la naturaleza del conocimiento y de la actividad cientficas. Tales distorsiones traen aparejadas consecuencias negativas de cierta gravedad; entre ellas, mencionaremos dos. Primeramente, la sociedad en general mantiene una concepcin "elitista" de la ciencia y se autoexcluye de las decisiones en poltica cientfica, favoreciendo as la tecnocracia. Y en segundo lugar, mucha gente ve la ciencia como un cuerpo de conocimiento acabado y verdadero, creado en un mbito especialmente solemne y crptico. Esto hace que en general no se apliquen ideas ni procedimientos cientficos al enfrentar problemas cotidianos, lo que permite el avance de las pseudociencias y las creencias irracionales.

Bibliografa Aldabe, S., P. Aramenda, C. Bonazzola y L. Lacreu: Qumica II. Qumica en accin, Buenos Aires, Colihue, 2004. Aldabe, S., P. Aramenda y L. Lacreu: Qumica I. Fundamentos, Buenos Aires, Colihue, 1999. Shriver, D. F., P. W. Atkins y C. H. Langford: Qumica inorgnica, Barcelona, Revert, 1998. Smart, L. y E. Moore: Qumica de estado slido, Mxico, Addison-Wesley Iberoamericana, 1995.

Agradecimientos El equipo de Publicaciones de la Direccin Nacional de Gestin Curricular y Formacin Docente agradece a las siguientes instituciones y personas por permitirnos reproducir material fotogrfico y colaborar en la documentacin de imgenes: Grupo de SolGel y David Levy, Dpto. Materiales Particulados, Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (Espaa); DoITPoMS Micrograph Library, University of Cambridge (Inglaterra); Ministerio de Educacin y Ciencia (Espaa), David Monniaux, Facundo Carreiro.

Ministro de Educacin, Ciencia y Tecnologa, Lic. Daniel Filmus Secretario de Educacin, Lic. Juan Carlos Tedesco Subsecretaria de Equidad y Calidad, Lic. Alejandra Birgin Directora Nacional de Gestin Curricular y Formacin Docente, Lic. Laura Pitman

Coordinadora del rea de Ciencias Naturales, Lic. Nora Bahamonde Coordinadora del rea de Desarrollo Profesional, Lic. Silvia Storino Coordinadora del Programa de Capacitacin Explora, Lic. Viviana Celso Coordinadora de Publicaciones, Lic. Raquel Franco

Coordinacin y documentacin, Lic. Rafael Blanco Edicin, Lic. Gonzalo Blanco Diseo y diagramacin, DG Mara Eugenia Ms Correccin, Norma A. Sosa Pereyra

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