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Enciclopedia V isual de la Electrnica

INDICE DEL CAPITULO 7
EL SURGIMIENTO DE LA RADIO Los experimentos de Faraday .....................99 Los planteamientos de Maxwell .................99 Las ondas de radio y el espectro electromagntico.........................................99 La telegrafa sin hilos...................................100 Estructura simplificada de una vlvula diodo.......................................100 Principio bsico de operacin de un receptor de radio .................................101 Las primeras transmisiones .........................102 La evolucin de las comunicaciones por ondas radiales ......................................103 El desarrollo de la radio comercial ..........103 Modulacin en FM y transmisin en estreo ....................................................103 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Los FETs..........................................................105 El JFET ............................................................105 Efecto de campo .......................................105 El MOSFET de empobrecimiento...............105 MOSFET de enriquecimiento......................106 Proteccin de los FETs.................................107 Funcionamiento del transistor de efecto de campo .......................................107

INTERCOMUNICADOR POR LA RED ELECTRICA El circuito transmisor....................................109 El circuito receptor......................................110 Lista de materiales del transmisor .............112 Lista de materiales del receptor ...............112

Captulo 7

Captulo 7

El Surgimiento de la Radio
LOS EXPERIMENTOS DE FARADAY Aunque se realizaron mltiples experimentos sobre electricidad y magnetismo antes de Michael Faraday (figura 1), fue este investigador ingls quien descubri la estrecha relacin que existe entre ambos tipos de fenmenos. Fue precisamente Faraday quien descubri que cuando en una bobina circula una corriente elctrica, se produce un campo magntico proporcional a la corriente circulando, y a la inversa: cuando a una bobina se aplica un campo magn tico externo, en sus extremos aparece una variaci n de tensi n (figura 2). Este descubrimiento, aparentemente tan sencillo, es la base sobre la cual funcionan prcticamente todos los aparatos elctricos que nos rodean en nuestra vida cotidiana, desde el motor de un auto de juguete hasta los grandes transformadores que sirven para distribuir el fluido elctrico en las grandes ciudades. en conjunto hasta 1873). Sus clcu- Fig. 1 los tericos le permitieron determinar que esta onda electromagntica se propaga a la misma velocidad que la luz, lo que lo llev a la conclusin de que la energ a luminosa no era sino otra manifestaci n de este tipo de ondas (un salto imaginativo sorprendente para la poca).

LAS ONDAS DE RADIO Y EL ESPECTRO ELECTROMAGN TICO Tan slo faltaba la comprobacin prctica de estas teoras, y sta fue conseguida por los experimentos de un fsico alemn: Heinrich Hertz, quien utilizando una cmara de chispas y un aro metlico receptor (figura 4) corrobor la existencia de las ondas electromagnticas. El fundamento de este experimento fue el siguiente: si efectivamente en las cargas elctricas en movimiento representadas por la chispa elctrica se generaba una serie de ondas electromagnticas, el aro receptor captara Fig. 2 parte de esta onda y la transformara nuevamente en seal elctrica, haciendo saltar una chispa de menor tamao, pero perfectamente sincronizada con la chispa principal entre las puntas del aro receptor. Debido a lo rudimentario del experimento, Hertz tuvo que hacer grandes esfuerzos para localizar los puntos en que la induc-

LOS PLANTEAMIENTOS DE MAXWELL En la dcada de 1860, el fsico ingls James Clerk Maxwell, con una gran lucidez que asombra incluso a los cientficos contemporneos, puso al descubierto en forma terica la estrecha relacin que existe entre los campos elctricos y magnticos; postulando que una carga elctrica en movimiento producira en su alrededor un campo magntico variable, el cual, a su vez, inducira un campo elctrico, y as sucesivamente (figura 3). Esto, a su vez, se traducira en la generacin de una onda electromagntica que se origina en la carga elctrica variable y viaja en todas direcciones (estos trabajos se publicaron

Fig. 2

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Fig. 4
das electromagnticas, todos estos experimentos no pasaban de ser curiosidades de laboratorio; fue hasta que un investigador italiano, Guglielmo Marconi, quien al estudiar los descubrimientos realizados por Hertz, lleg a la conclusin de que las ondas electromagnticas podan utilizarse para la transmisin instantnea de informacin a distancia (figura 6). Para conseguir la transmisin de datos por medio de ondas de radio, Marconi utiliz una c mara de chispas, la cual produca en su interior un arco elctrico al aplicarle la seal de un capacitor. Para comprobar si efectivamente se poda aprovechar la onda resultante a distancia, le pidi a su hermano que llevara la cmara a un sitio alejado de su casa y detrs de una colina cercana, de modo que no hubiera contacto visual entre ambos: al momento en que se aplic a la cmara de chispas una serie de pulsos de activacin en cdigo Morse, Marconi fue capaz de recibirlos con gran claridad, quedando demostrada la posibilidad de la comunicacin a distancia sin necesidad de hilos telegrficos (figura 7). Marconi viaj por toda Europa y Amrica promocionando su descubrimiento, hasta que a finales del siglo pasado y principios del presente fue reconocido como el primero en desarrollar un uso prctico para las ondas electromagnticas; por ejemplo, en 1899 logr establecer la comunicacin entre Europa continental e Inglaterra por medio de ondas radiales, e incluso en 1901 con-

Fig. 6

Fig. 5.a

Fig. 5.b

sigui una transmisin transatlntica entre Europa y Amrica, hecho que definitivamente lo consagr como el padre de la radio (de hecho, para 1902 ya se haba establecido un servicio de radio-cables regular entre Europa y Amrica). Como reconocimiento a estos descubrimientos, Marconi recibi el Premio Nobel de fsica en 1909. A pesar del gran avance que represent para la poca el desarrollo de la telegrafa sin hilos, an quedaban diversos aspectos que resolver para que pudiera desarrollarse un sistema de radiotransmisin moderno, capaz de transmitir no slo pulsos en cdigo Morse, sino tambin sonidos, voces, msica, etc. Tuvo que desarrollarse una rama de la fsica para que la radio comercial fuera una realidad: la electrnica.

LAS V

LVULAS DE

VACO

cin electromagntica sobre el aro metlico estuviera en su punto mximo; sin embargo, una vez obtenida la chispa inducida en el aro metlico, eso bast para demostrar en la prctica la validez de las teoras de Maxwell. Precisamente, en honor a Hertz, se ha denominado con su nombre una de las variables fundamentales en el comportamiento de las ondas electromagnticas (y en general de todo tipo de oscilaciones): los ciclos por segundo (figura 5).

El primer antecedente de un dispositivo electrnico lo encontramos en los laboratorios de Thomas Alva Edison, cuyos experimentos lo llevaron a desarrollar la lmpara incandescente; descubri que si un alam-

LA TELEGRAFA SIN HILOS Incluso cuando Hertz descubri la existencia de las on-

Fig. 7

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Fig. 8
tivo electrnico, fruto de las investigaciones del inventor norteamericano Lee DeForest: la vlvula trodo (figura 10), que aada una tercera rejilla de control a la vlvula diodo. Con esta sencilla adicin, el dispositivo funcionaba como amplificador o como oscilador (dependiendo de su conexin externa). Fig. 9 La inclusin de la vlvula trodo en los receptores de radio permiti captar incluso seales muy dbiles, aumentando de forma significativa el alcance de las emisiones radiales; adems, su utilizacin como oscilador permiti el surgimiento de la heterodinacin, tcnica fundamental para el desarrollo de la radio comercial (pues permiti la divisin y aprovechamiento del espectro electromagntico). Con todo lo anterior, para la dcada de los 20s ya se contaba en diversas partes del mundo con una gran cantidad de estaciones de radio; tanto aument el nmero de receptores, que pronto la radio se convirti en uno de los principales medios de comunicacin a distancia, sitio del que fue desplazada, a mediados de los 50s, por la televisin.

Fig. 10

DE UN

PRINCIPIO B SICO DE OPERACI N RECEPTOR DE RADIO

bre al que se le haba aplicado un potencial positivo era colocado dentro de la ampolla de vidrio al vaco, se estableca un flujo de electrones entre el propio filamento incandescente y el alambre; pero esta corriente slo apareca con dicha polaridad, ya que al invertir la carga elctrica del alambre no se produca el flujo (figura 8). Este fen meno, conocido y patentado como efecto Edison , inspir al ingeniero el ctrico ingl s John Ambrose Fleming a desarrollar la primera v lvula electr nica del mundo: el diodo (figura 9). La funcin principal de este dispositivo consista en rectificar corrientes alternas, y de inmediato encontr una aplicacin prctica en la radio; se le empez a utilizar como detector, rectificador y limitador de seal, lo que a su vez permiti construir receptores de radio ms precisos y sensibles. Sin embargo, la comunicacin radial en forma no fue posible sino hasta la aparicin en 1906 de otro disposi-

Antes de explicar cmo funciona un receptor de radio, tenemos que hablar de la primera forma de modulacin: la modulaci n en amplitud o AM. Como se mencion anteriormente, el primer transmisor utilizado por Marconi utilizaba una cmara de chispas como medio de generacin de ondas electromagnticas. Pero este procedimiento tena un gran defecto: supongamos que dos personas accionan una cmara de chispas al mismo tiempo en distintas localidades, y que un receptor remoto trata de recibir las seales generadas por uno de ellas (figura 11). Debido a que prcticamente se tiene tan slo un impulso de energa sin ninguna regla ni limitacin, las se-

Fig. 11

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nes en el mundo fue la KDKA de Pittsburgh; comenz sus operaciones en 1920, cubriendo en ese ao la eleccin presidencial de Estados Unidos. A partir de ese momento, la radio se extendi rpidamente por toda Amrica y Europa, convirtindose en uno de los entretenimientos principales de un buen porcentaje de la poblacin mundial, y en la forma ms rpida y confiable de enterarse de los ltimos acontecimientos. (Una ancdota muy famosa ocurri con la transmisin de la versin radiofnica de La guerra de los mundos, de H. G. Wells; fue llevada a cabo en el Teatro Mercurio del Aire por Orson Wells el 30 de octubre de 1938, provocando escenas de pnico masivo entre los radioescuchas -que tomaron como verdica la invasin marciana.) De hecho, incluso en nuestra poca aparentemente dominada por la televisin, la radio sigue siendo uno de los espacios de discusin y anlisis ms empleados en el mundo; y todo esto es el resultado de las investigaciones realizadas a finales del siglo pasado y principios del presente, por cientficos de muy diverLAS PRIMERAS TRANSMISIONES sas nacionalidades que trabajaban con un fin comn: transmitir informaOficialmente, la primera esta- cin a distancia, utilizando las oncin en forma que inici transmisio- das electromagnticas. amplitud consiste en montar sobre una seal de frecuencia superior la seal de audio que se va a transmitir (figura 12); y como es posible asignar frecuencias de portadora distintas a cada una de las estaciones radiales que lo soliciten, puede haber varias de stas en una comunidad sin que se interfieran una con otra. La seal modulada en amplitud, se enva al aire a travs de una antena y llega al receptor. Para recibir nicamente esta seal, se sintoniza por medio de un oscilador interno, se le hace pasar por un filtro pasabanda, se rectifica (se elimina la porcin superior o inferior de la seal) y se pasa por un filtro detector; ste recupera la seal de audio original, la enva hacia el amplificador y finalmente hasta el parlante (figura 13).

Fig. 12

ales de ambas emisoras llegarn al mismo tiempo hasta el receptor; mas ste no tiene forma de determinar cules pulsos corresponden a la estacin que desea escuchar y cules provienen de la otra. Obviamente, para la efectiva utilizacin de la radio, es necesario asignar canales exclusivos para el uso de las estaciones emisoras; as el receptor podra elegir entre ellas, solamente sintonizando el canal adecuado. Este problema fue solucionado por el ingeniero norteamericano Edwin H. Armstrong, quien desarroll la modulaci n en amplitud; tambin a l debemos el descubrimiento de la modulacin en frecuencia. En trminos generales, la modulacin en

Fig. 13

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LA EVOLUCI N
NES POR DE LAS

COMUNICACIO-

ONDAS RADIALES

Ya en el nmero anterior hablamos de los pasos que se dieron en la evolucin de la radio; desde el planteamiento terico de las ondas electromagnticas por parte de Maxwell, su descubrimiento fsico por parte de Hertz y su aprovechamiento prctico por parte de Marconi, hasta la aparicin de las primeras estaciones de radio comerciales. En esta ocasin veremos muy brevemente la forma en que ha avanzado la comunicacin por medio de ondas electromagnticas, desde principios de siglo hasta nuestros das.

Fig. 14
de stas para invitar al pblico en general a recitar, cantar, contar chistes o realizar cualquier otra cosa que les permitiera llenar los minutos al aire de que disponan. A decir verdad, casi todas las estaciones de radio estaban patrocinadas por una sola compaa; en consecuencia, los comerciales transmitidos al aire tan slo promocionaban a la empresa duea de la estacin (compaas como Westinghouse y General Electric pusieron estaciones a todo lo largo y ancho de Estados Unidos, con la idea de promocionar sus receptores de radio entre la poblacin). Fue hasta mediados de la dcada del 20, cuando el concepto de una programacin radiofnica se extendi entre los dueos de estaciones transmisoras; se comenzaron entonces a explotar gneros tan clsicos como la radionovela, los noticieros, los programas de opinin, la msica variada, etc. (gneros que bsicamente permanecen sin cambios hasta nuestros das). ministro elctrico a distintas partes del pas; esto sin mencionar los motores elctricos y otros dispositivos generadores de gran cantidad de ruido electromagntico, que tambin afectaban en forma considerable la recepcin de las ondas de radio (figura 14). El problema no poda resolverse simplemente mejorando la calidad de los receptores, ya que el concepto mismo de modulacin en AM resulta excesivamente susceptible a la interferencia externa. Si recordamos la forma en que es transmitida una seal en AM, veremos que el audio que se desea enviar se monta sobre una frecuencia portadora, de modo que ambas viajen juntas por el aire hasta ser captadas por el receptor; pero como la informacin til est contenida en la amplitud de la portadora, cualquier fenmeno que afecte a dicha magnitud tambin afecta a la informacin transportada. Por ejemplo, si en las cercanas de un receptor de AM se pona a funcionar un motor elctrico, las corrientes internas podan generar suficiente ruido electromagntico, el cual, al mezclarse con la seal de AM original, dara por resultado un audio lleno de ruido y en ocasiones completamente opacado por la interferencia. Como ya se dijo, tal fenmeno no tiene nada que ver con la calidad de los receptores; incluso en nuestros das, seguimos escuchando las transmisiones de AM con constantes interferencias externas. Para eliminar en la medida de lo posible el ruido inducido por fuentes externas en la recepcin de radio, se tena que desarrollar un mtodo alternativo para la transmisin de informacin y que no dependiera tanto de la amplitud de la portado-

EL DESARROLLO DE LA RADIO COMERCIAL

Como ya mencionamos en el apartado anterior, la primera estacin de radio comercial que se instaur en el mundo fue la KDKA de Pittsburgh, en Estados Unidos. Pero esto no hubiera tenido caso, de no haberse desarrollado un mtodo sencillo y econmico para captar las ondas radiales; a la postre, esto permitira a la radio ganar un sitio preponderante en todos los hogares del mundo. Este mtodo fue descubierto por Greenleaf Whittier Pickard, quien en 1912 investig las propiedades de ciertos cristales para detectar las ondas hertzianas (lo cual dio origen a las famosas radios de cristal, tan populares en los aos 20s). Todo ello, aunado a la reciente aparicin de los receptores super-heterodinos y el aprovechamiento de las vlvulas de vaco como rectificadores, detectores, amplificadores y osciladores, permiti que los aos 20s y 30s se convirtieran en la poca de oro de la radio en todo el mundo. Aun as, las primeras estaciones emisoras enfrentaron un grave problema: prcticamente nadie tena una idea clara de cmo se poda explotar de forma eficiente este nuevo medio de comunicacin; se dieron casos en que los propietarios y directores de las recin nacidas estaciones, salan hasta las puertas

MODULACI N EN FM Y TRANSMISI N EN EST REO Ahora bien, las transmisiones en amplitud modulada (AM) fueron durante mucho tiempo el pilar sobre el que descans la radio comercial; y es que tanto los transmisores como los receptores, eran muy econmicos. Pero la calidad del audio obtenido a travs de una transmisin AM convencional, generalmente resultaba demasiado pobre y fcilmente era interferida por fenmenos atmosfricos (tales como tormentas elctricas) o por la aparicin de las recin instaladas lneas de alta tensin que llevaban el su-

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ra (la cual fcilmente se vea afectada por fenmenos que le son ajenos). Este se hizo realidad en 1936, cuando el investigador norteamericano Edwin H. Armstrong (el mismo que haba descubierto la modulacin en amplitud) plante todo el proceso de generacin, transmisin, recepcin y deteccin de ondas sonoras utilizando un nuevo y revolucionario mtodo: montar la seal que se deseaba transmitir, no en la amplitud sino en la frecuencia de la portadora; esto es, la cantidad de ciclos por segundo de la seal portadora variara de forma proporcional a la amplitud de la seal que se deseara transmitir (figura 15). Pronto se descubri que esta forma de transmisin era prcticamente inmune a los fenmenos meteorolgicos y ruido externo -que en cambio fcilmente afectaban a las seales de AM; as se consegua una mayor calidad de audio y una relacin seal-ruido mucho ms adecuada que con la modulacin en amplitud. Hasta nuestros das las estaciones de FM tienen un sonido ms agradable que las tpicas seales de AM. Este fenmeno se acentu con la aparicin de las transmisiones en FM estreo, las cuales aprovechan la alta frecuencia de la banda asignada a FM y el ancho de banda considerablemente mayor que se le permite utilizar a una estacin de FM, comparado con una de AM (simplemente revise el cuadrante de la radio, y se percatar que cada pocos kilohertz encontramos una estacin de AM; en cambio, las estaciones de FM estn separadas por 0.8MHz -es decir, una separacin de 800kHz entre seales, lo que da un amplio margen de maniobra). El concepto detrs de la transmisin de seales de audio en estreo a travs de ondas radiales, es sumamente ingenioso. Como sabemos, cuando se modula una seal montndola sobre una cierta frecuencia portadora, alrededor de esta ltima aparecen unos lbulos donde est contenida precisamente la informacin que se va a transmitir; sin embargo, si se tiene un amplio rango de maniobra, es posible introducir seales adicionales al audio principal, de modo que sirvan para distintos propsitos. En el caso concreto de la modulacin FM estreo, los investigadores dividieron la banda asignada a los lbulos laterales de la siguiente manera (figura 16A):

Fig. 15

En primer lugar, para colocar la seal original que se quiere transmitir, mezclaron las seales correspondientes a los canales derecho e izquierdo (seal L + R). Inmediatamente despus, y slo en caso de que la estacin est transmitiendo en estreo, se enva una seal piloto que sirve para indicar al receptor que es necesario procesar la seal para que se puedan recuperar ambos componentes de la seal estereofnica. A continuacin se enva otra banda de audio, resultante ahora de restar las seales de canal derecho e izquierdo (seal L - R). En un receptor FM monoaural, esta banda no es aprovechada, pero en uno estereofnico, dicha banda se combina con la primera para obtener finalmente las seales de canal L y de canal R; de esta forma se obtiene una seal estreo de una transmisin radial. Aun cuando este procedimiento tambin puede realizarse con la modulacin en amplitud, la baja calidad del audio obtenido de la seal AM ha desalentado cualquier esfuerzo por popularizar la transmisin AM estreo. Para conseguir la separacin de canales en el receptor, las seales L + R y L - R pasan por un proceso de suma y resta (figura 16B), en donde de la suma de ambas se obtiene exclusivamente la seal L, y de

la resta se obtiene la seal R. Cada una de stas puede entonces canalizarse hacia una bocina independiente, para disfrutar as de una seal de audio estereofnica prcticamente libre de interferencias. Sin duda alguna, estas son las dos bandas de radio ms utilizadas comercialmente en el mundo; mas no son las nicas. Existen tambin bandas de onda corta, de radio-aficionados, de servicios de emergencia, etc. Es ms, puesto que en la actualidad estamos llegando al lmite de saturacin del espectro electromagntico, a los investigadores no les ha quedado otro recurso que comenzar a explotar frecuencias muy altas que hace pocos aos se consideraban inalcanzables. Y todo esto, gracias al avance de la tecnologa electrnica y de comunica-

Fig. 16

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Transistores de Efecto de Campo

ciones. LOS FET S Los transistores de efecto de campo son dispositivos electrnicos con tres terminales que controlan, mediante la aplicacin de tensin en uno ellos, el paso de la corriente elctrica que los atraviesa; por eso se dice que la corriente es controlada por un efecto electrosttico llamado efecto de campo . Es comn encontrar a los FETs como elementos activos en circuitos osciladores, amplificadores y de control. Debido a que el control de estos dispositivos se hace con tensiones y no con corrientes elctricas, el consumo de stas se minimiza. Esta caracterstica es la que los hace especialmente atractivos para utilizarse como componentes bsicos de construccin de sistemas cuyos consumos de energa son crticos; por ejemplo, en computadoras porttiles, en walkmans o telfonos celulares, por mencionar slo algunos. mente en mezcladores (tipo MPF4856), que son circuitos especiales empleados en equipos de comunicacin. La mayora de los JFET tienen sus dos puertas conectadas internamente para formar una sola terminal de conexin externa; puesto que las dos puertas poseen el mismo potencial, el dispositivo acta como si tuviera slo una. Debido a que existe una gran analoga entre un dispositivo JFET y un transistor bipolar, muchas frmulas que describen el comportamiento de aqul son adaptaciones de las denominaciones utilizadas en este ltimo (tabla 1).

Fig. 1

EL JFET Un FET de unin cuenta con una seccin de semiconductor tipo N, un extremo inferior denominado fuente y uno superior llamado drenaje o drenador; ambos son anlogos al emisor y colector de un transistor bipolar. Para producir un JFET, se difunden dos reas de semiconductor tipo P en el semiconductor tipo N del FET. Cada una de estas zonas P se denomina compuerta o puerta y es equivalente a la base de un transistor bipolar (figura 1). Cuando se conecta una terminal y as se separa cada puerta, el transistor se llama JFET de doble compuerta. Estos dispositivos de doble puerta se utilizan principal-

Transistor bipolar Emisor Base Colector

Denominacin E B C

Fig. 2 Efecto de campo El efecto de campo es un fenmeno que se puede observar cuando a cada zona del semiconductor tipo P la rodea una capa de deplexin (figura 2); la combinacin entre los huecos y los electrones crea las capas de deplexin. Cuando los electrones fluyen de la fuente al drenador, deben pasar por el estrecho canal situado entre la zona semiconductora; la tensin de la puerta controla el ancho del canal y la corriente que fluye de la fuente al drenador. Cuanto ms negativa sea la tensin, ms estrecho ser el canal y menor ser la corriente del drenador. Casi todos los electrones libres que pasan a travs cunta corriente puede circular de del canal fluyen hacia el drenador; la fuente al drenador; esta es la prinen consecuencia, ID = IS. cipal diferencia con el transistor biSi se considera que se encuentra polar, el cual controla la magnitud polarizada en forma inversa la puer- de la corriente de base (IB). ta de un JFET, ste actuar como un dispositivo controlado por tensin y no como un dispositivo controlado EL MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO por corriente. En un JFET, la magnitud de entrada que se controla es El FET de semiconductor xidola tensin puerta-fuente VGS (figura metal o MOSFET, est integrado por 3). Los cambios en VGS determinan una fuente, una puerta y un drenador. La caracterstica principal que lo distingue de un JFET, es que su puerta se encuentra aislada elctriDispositivo JFET Denominacin camente del canal; por esta causa, Fuente S la corriente de puerta es extremaPuerta G damente pequea en ambas polaDrenador D ridades.

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Fig. 3
de un material N con una zona P a la derecha y una puerta aislada a la izquierda (figura 4). A travs del material N, los electrones libres pueden circular desde la fuente hasta el drenador; es decir, atraviesan el estrecho canal entra la puerta y la zona P (esta ltima, denominada sustrato o cuerpo). Una delgada capa de dixido de silicio (SiO2) se especiales (circuitos de carga de batera o control de encendido de camas fluorescentes), no tiene un uso muy extenso; pero s desempea un papel muy importante en la evolucin hacia el MOSFET de enriquecimiento (tambi n llamado MOSFET de acumulaci n), que es un dispositivo que ha revolucionado la industria de la electrnica digital y de las comjputadoras. Sin l no existiran computadoras personales, que en la actualidad tienen un uso muy amplio. En el MOSFET de enriquecimiento de canal N, el sustrato o cuerpo se extiende a lo ancho hasta el dixido de silicio; como puede observar en la figura 6A, ya no existe una zona N entre la fuente y el drenador. En la figura 6B se muestra la tensin de polarizacin normal. Cuando la tensin de la puerta es nula, la alimentacin VDD intenta que los

deposita en el lado izquierdo del canal. El dixido de silicio asla la puerta del canal, permitiendo as la circulacin de una corriente de puerta mnima aun y cuando la tensin de puerta sea positiva. Fig. 4 En el MOSFET de empobrecimiento con tensin de puerta negativa, electrones libres fluyan de la fuente la tensin de alimentacin al drenador; pero el sustrato P slo VDD obliga a los electro- tiene unos cuantos electrones libres nes libres a circular de la producidos trmicamente. Aparte fuente al drenador; fluyen de estos portadores minoritarios y por el canal estrecho a la de alguna fuga superficial, la coizquierda del sustrato P (fi- rriente entre la fuente y el drenador gura 5). Como sucede en es nula. Por tal motivo, el MOSFET de enel JFET, la tensin de puerriquecimiento est normalmente en ta controla el ancho del corte cuando la tensin de la puercanal. ta es cero. Este dato es completaLa capacidad para usar una tensin de com- mente diferente en los dispositivos puerta positiva, es lo que de empobrecimiento, como es el establece una diferencia caso del JFET y del MOSFET de ementre un MOSFET de em- pobrecimiento. Cuando la puerta es lo suficienpobrecimiento y un JFET. Fig. 5 temente positiva, atrae a la regin P Al estar la puerta de un electrones libres que se recombinan MOSFET aislada elctricacon los huecos cercanos al dixido mente del canal, podede silicio. Al ocurrir esto, todos los mos aplicarle una tensin huecos prximos al dixido de silicio positiva para incrementar desaparecen y los electrones libres el nmero de electrones liempiezan a circular de la fuente al bres que viajan por dicho drenador. conducto; mientras ms El efecto es idntico cuando se positiva sea la puerta, macrea una capa delgada de mateyor ser la corriente que rial tipo N prxima al dixido de silivaya de la fuente al drecio. nador. Esta capa conductora se denomina capa de inversin tipo N. Cuando el dispositivo se encuentra MOSFET DE en estado de corte y de repente ENRIQUECIMIENTO entra en conduccin, los electrones Un MOSFET de empobrecimiento de canal N, tambin denominado Aunque el MOSFET de empobre- libres pueden circular fcilmente de MOSFET de deplexin, se compone cimiento es muy til en situaciones la fuente al drenador.

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conectada. Y antes de sujetar cualquier dispositivo MOSFET, es necesario conectar nuestro cuerpo al chasis del equipo con el que se est trabajando; as podr eliminarse la carga electrosttica acumulada en nosotros, a fin de evitar posibles daos al dispositivo.

Fig. 6

La VGS mnima que crea la ca- aislamiento es tan delgada, fcilpa de inversin tipo N se llama ten- mente se puede destruir con una si n umbral (VGS-Th ). Cuando tensin compuerta-fuente excesiva; por ejemplo, un 2N3796 tiene una VGS es menor que VGS-Th, la coVGS MAX de 30 volts. Si la tensin rriente del drenador es nula; pero puerta-fuente es ms positiva de + cuando VGS es mayor que VGS-Th, 30 volts o ms negativa de -30 volts, una capa de inversin tipo N co- la delgada capa de aislamiento senecta la fuente al drenador y la co- r destruida. rriente del drenador es grande. DeOtra manera en que se destruye pendiendo del dispositivo en parti- la delgada capa de aislamiento, es cular que se use, VGS-Th puede va- cuando se retira o se inserta un riar desde menos de 1 hasta ms de MOSFET en un circuito mientras la alimentacin est conectada; las 5 volt. Los JFET y los MOSFET de empo- tensiones transitorias causadas por brecimiento estn clasificados co- efectos inductivos y otras causas, mo tales porque su conductividad pueden exceder la limitacin de depende de la accin de las capas VGS MAX. De esta manera se desde deplexin. El MOSFET de enrique- truir el MOSFET incluso al tocarlo cimiento est clasificado como un con las manos, ya que se puede dedispositivo de enriquecimiento por- positar suficiente carga esttica que su conductividad depende de que exceda a la V GS MAX. Esta es la accin de la capa de inversin la razn por la que los MOSFET frede tipo N. Los dispositivos de empocuentemente se empaquetan con brecimiento conducen normalmenun anillo metlico alrededor de los te cuando la tensin de puerta es terminales de alimentacin. cero, mientras que los dispositivos Muchos MOSFET estn protegide enriquecimiento estn normaldos con diodos zener internos en mente en corte cuando la tensin paralelo con la puerta y la fuente. de la misma es tambin cero. La tensin zener es menor que la VGS MAX; en consecuencia, el dioPROTECCI N DE LOS FET S Como mencionamos anteriormente, los MOSFET contienen una delgada capa de dixido de silicio que es un aislante que impide la corriente de puerta para tensiones de puerta tanto positivas como negativas. Esta capa de aislamiento se debe mantener lo ms delgada posible, para proporcionar a la puerta mayor control sobre la corriente de drenador. Debido a que la capa de do zener entra en la zona de ruptura antes de que se produzca cualquier dao a la capa de aislamiento. La desventaja de los diodos zener internos es que reducen la alta resistencia de entrada de los MOSFET. Advertimos que los dispositivos MOSFET son delicados y se destruyen fcilmente; hay que manejarlos cuidadosamente. Asimismo, nunca se les debe conectar o desconectar mientras la alimentacin est

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO Los transistores de efecto de campo (T.E.C o F.E.T), representan una importante categora de semiconductores, que combinan las ventajas de las vlvulas de vaco (precursoras en el campo de la electrnica) con el pequeo tamao de los transistores. Poseen una serie de ventajas con respecto a los transistores bipolares, las cuales se pueden resumir de la siguiente manera: - Rigidez mecnica. - Bajo consumo. - Amplificacin con muy bajo nivel de distorsin, aun para seales de RF. - Bajo ruido. - Fcil de fabricar, ocupa menor espacio en forma integrada. - Muy alta resistencia de entrada (del orden de los 1012 a 1015 ohm). En cuanto a las desventajas, los transistores de efecto de campo poseen un pequeo producto ganancia-ancho de banda y su costo comparativo con los bipolares equivalentes es alto. Son muchas las clases de transistores de efecto de campo existentes y se los puede clasificar segn su construccin, en transistores FET de juntura (TEC-J o JFET) y transistores FET de compuerta aislada (IG-FET). A su vez, los FET de compuerta aislada pueden ser: a) de vaciamiento o estrechamiento de canal (lo que genera un canal

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Fig. 7
De esta manera, la corriente que circular desde la fuente hacia el drenaje, depender de la polarizacin inversa aplicada entre la compuerta y la fuente. Se pueden levantar curvas caractersticas que expresen la corriente circulante en funcin de la tensin entre drenaje y fuente, para una determinada tensin de polarizacin inversa entre la compuerta y la fuente. Para un transistor J-FET de canal N las caractersticas de transferencia y salida son las que se observan en la figura 9. Del anlisis de dichas curvas surge que: IDSS ID = _________. (VGS - Vp)2 Vp2

Fig. 8

el punto de trabajo esttico del transistor (punto Q), nos valemos del circuito graficado en la figura 10. Para dicho circuito, suponemos que los diferentes elementos que lo integran, tienen los siguientes valores: VDD = 12 V RD = 1k VGG = 2V IDSS = 10mA Vp = - 4V

Del circuito propuesto, recorriendonde: do la malla de entrada, se deduce IDSS = Mxima Corriente Esttica que: de Drenaje permanente) y b) de refuerzo o enVp = Tensin de Bloqueo VGS + VGG = 0 sanchamiento de canal (lo que proLa expresin dada es vlida paduce un canal inducido). ra: luego: Los smbolos ms utilizados para representar los transistores recin VDS Vp - VGS presentados aparecen en la figura 7. Condicin conocida como "de Fig. 10 En los transistores de efecto de canal saturado". campo, el flujo de corriente se controla mediante la variacin de un campo elctrico que queda estaDETERMINACI N DEL PUNTO blecido al aplicar una tensin entre DE TRABAJO EST TICO DEL FET un electrodo de control llamado compuerta y otro terminal llamado Para saber cmo se determina fuente, tal como se muestra en la figura 8. Analizando la figura, se deduce que es un elemento "unipolar", ya que en l existe un slo tipo de portadores: huecos para canal P y electrones para canal N, siendo el canal, la zona comprendida entre los terminales de compuerta y que da origen al terminal denominado "drenaje". La aplicacin de un potencial inverso da origen a un campo elctrico asociado que, a su vez, determina la conductividad de la regin y en consecuencia el ancho efectivo del canal, que ir decreciendo progresivamente a medida que aumenta dicha polarizacin aplicada, tal como puede deducirse del diagrama de cargas dibujado en la misma figura 8. Fig. 9

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Captulo 7
Fig. 11
VDSQ = VDD - IDQ . RD Reemplazando valores: VDSQ = 12 V - 2,5 mA . 1k = VDSQ = 9,5 V Para saber si el clculo es correcto, verificamos la condicin de "canal saturado", es decir, veremos si el transistor opera dentro de la VGS = -VGG = -2 V caracterstica plana de las Un punto de la curva ser: curvas de salida. Para ello, debe En condiciones de reposo, la co- cumplirse que: VDS = 0 ; ID = VDD/RD rriente de drenaje se calcula: Reemplazando valores: VDS Vp - VGS IDSS VDS= 0V ; ID = IDq = _________ . (VGS - Vp)2 reemplazando valores: Vp2 VDS=12V/1000 = 12mA 9,5 V 4 V - 2 V reemplazando valores: El otro punto de la recta se calpor lo tanto: 10mA cula: IDq = _________ . [(-2V) - (-4V)]2 9,5 V 2V 4V2 VDS = VDD ; ID = 0 Lo cual es correcto. IDq = 2,5mA Reemplazando valores: Grficamente, trazamos la recta Para continuar con el clculo reVDS = 12V ; ID = 0mA corremos la malla de salida, la cual de carga esttica (R.C.E.) sobre las caractersticas de salida y verificapara simplificar se representa en la Trazada la recta esttica de carmos el punto de reposo Q, lo cual figura 11. De ella resulta: ga, se comprueba que al cortar la se verifica en la figura 12.

Fig. 12

Intercomunicador por la Red Elctrica

misma a la curva de salida para VGS = -2V, se obtiene IDq = 2,5mA y VDSq = 9,5V. n principio, podemos decir que este circuito es un timbre porttil, porque al ser colocado en una habitacin, puede ser trasladado a otro mbito segn los requerimientos que se deseen cumplir, sin tener que instalar cables para su conexin. La ventaja del circuito es que es pojsible hacer varios receptores que funcionen con un nico transmisor, o varios transistores que funcionen con un nico receptor. Adems, se pueden construir dos transmisores y dos receptores para que el sistema funcione como intercomunicador. El dispositivo bsico entonces, puede

ser considerado como un timbre que no precisa cables para su instalacin y est constituido por un pequeo transmisor y un simple receptor que funcionan en una frecuencia de 100kHz. La seal que genera el transmisor se conduce hacia el receptor a travs de los cables de la instalacin elctrica de su casa y funciona con la base de la transmisin de seales por medio de una portadora que puede ser recepcionada por diferentes equipos instalados en varios puntos de la red. Es por ello, que el circuito tiene sus limitaciones, en especial se debe conectar el sistema de manera tal que las masas tanto del transmisor como del receptor queden so-

bre un mismo conductor de la red, de tal manera que conectando la ficha sobre el toma, simple y llanamente no va a funcionar, por lo cual se deber invertir la ficha. Dicho de otra manera: si al enchufar el aparato nada capta, la solucin es invertirlo.

EL CIRCUITO TRANSMISOR El sistema est formado por un transmisor y un receptor. El esquema elctrico del transmisor se muestra en la figura 1. Est constituido por tres transistores y un circuito de alimentacin, que no precisa transformador reductor. En serie con la ficha de conexin a la red se conecta el

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El Surgimiento de la Radio
Fig. 1

pulsador P1, de tal manera que en el momento de accionarlo, sonar la chicharra del receptor. El funcionamiento es sencillo, al accionar este botn se aplicar la tensin de red al capacitor C5, cuya carga limita la tensin que ser aplicada al transmisor. La tensin alterna de alimentacin es rectificada por los dos diodos DS-3 y DS-4 y se filtra por el capacitor C3. El diodo zner DZ1, en paralelo con C3, estabiliza la tensin de alimentacin a un valor de 30V. El transmisor consiste en un oscilador formado por Q1 y sus componentes asociados, como la bobina JAF1, una impedancia de audiofrecuen-

cia de 1mH y dos capacitores la masa del sistema. de 4,7nF (C1-C2). La seal de 100kHz generaEste circuito genera una fre- da por Q1, llegar a las bases cuencia de alrededor de de los transistores Q2 y Q3 que estn conectados en push-pull, y que constituyen la etapa amplificaCIRCUITO dora final de potencia. ARMADO DEL Los emisores de Q2 y TRANSMISOR Q3 tienen una seal de 100kHz con una amplitud del orden de los 25V pico a pico y por medio de la resistencia R3 y el capacitor C4, se inserta al cable de la red elctrica de 220V, es decir, que cualquier receptor conectado en la misma instalacin la puede captar. El circuito consume corrien100kHz, segn los valores mos- te slo al pulsar el botn P1 y trados. R2 cumple la funcin su valor no llega a los 10mA. de conectar el oscilador con Cabe destacar que, si se desea transmitir una seal de audio, como por ejemplo la voz Fig. 2 humana, en lugar del oscilador habr que conectar un pequeo transmisor de AM de los muchos publicados en Saber Electrnica (Saber N 5, Saber N 28, etc.), esto reduce su tensin de alimentacin por medio de un regulador zner y conectar la salida a las bases de Q2 y Q3. Si desea utilizar el aparato slo como timbre sin cable, puede armar el transmisor de la figura 1 en una placa de circuito impreso como la mostrada en la figura 2.

EL CIRCUITO RECEPTOR

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Captulo 7
Fig. 3
en la lnea de los 100kHz emitidos por el transistor. Si va a utilizar el sistema como intercomunicador de voz deber cambiar este esquema: conectar en paralelo con C6 un receptor de AM sintonizado a la frecuencia del transmisor. Para ello, deber levantar R4 y desechar Q1, IC1, Q2 y todos sus componentes asociados. Si va a utilizar el sistema como timbre sin cables, puede armar el receptor de la figura 3 en un circuito impreso como el mostrado en la figura 4. Al montar el circuito transmisor de la figura 1 debe tomar en cuenta que Q1 y Q2

En la figura 3 vemos el esquema elctrico del receptor, en el mismo se usan dos transistores y un integrado CMOS tipo CD4528. El circuito se conecta a un toma cualquiera de la corriente elctrica y posee una etapa de alimentacin formada por el capacitor C1, la resistencia R2 y los dos diodos rectificadores DS1-DS2. El capacitor electroltico de filtro C3 y el diodo zner DZ1 estabilizan la tensin de alimentacin en 15V. C2 cumple la funcin de captar la seal de 100kHz generada por el transmisor y conducirla hacia la bobina L1. El arrollamiento de L1 est hecho sobre un ncleo toroidal comn que tiene un segundo arrollamiento (L2), de forma tal que la seal que est en L1 pasar inductivamente a L2. El arrollamiento secundario har sintona con la frecuencia de 100kHz por medio del capacitor C5 de 2,2nF. La funcin de Q1 es la de amplificar la seal dbil que est en la bobina L2, para aplicarla a la entrada del circuito integrado por medio de su pata 10. Este integrado CMOS se utiliza para dividir por 20 la seal de 100kHz, por lo tanto en su salida (pata 3), se ver una frecuencia audible, que se puede emplear en la chicha-

rra piezoelctrica marcada en el esquema elctrico como CP1. El transistor Q2 cumple la funcin squelch, que quiere decir, que desecha todas las interferencias espreas que estn en la lnea de red y bloquea el funcionamiento del integrado divisor que no estn

Fig. 4

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El Surgimiento de la Radio
son dos NPN clase BC237, y que Q3 es un tipo BC328. Con un osciloscopio, se puede verificar si entre los dos emisores de Q2 y Q3 y la masa, est la seal presente de onda cuadrada de unos 25V pico a pico, de 100kHz. ATENCION: Los componentes estn conectados a la tensin de red de 220V en forma directa, de modo que no hay que tocarlos para que no sufra una fuerte descarga elctrica. Para armar el receptor, lo primero que hay que efectuar es el arrollamiento alrededor del ncleo toroidal de las bobinas L1 y L2. Para efectuar el arrollamiento se usar cable recubierto de plstico, o alambre esmaltado de 1 mm de dimetro. Para la bobina L1 se darn 6 vueltas alrededor del ncleo, para la L2, 16 vueltas alrededor del ncleo. Se aconseja montar IC1 en un zcalo. Para verificar el funcionamiento del timbre, se debe colocar el transmisor en un tomacorriente y el receptor en otro, dentro de una misma habitacin, luego se aprieta el botn de llamada, y se verifica la reproduccin en el piezoelctrico del receptor. Si no se escucha la chicharra, invierta la ficha sobre el toma y vuelva a repetir la experiencia. Si la masa del transmisor y la masa del receptor no estn en el mismo cable de la red elctrica, el circuito no C3 = 100F x 25V cap.electroltico funcionar, luego si se invierte C4 = 47nF x 400V capacitor de la ficha (slo la del receptor) pero el sistema igualmente no polister C5=330nF x 400V capacitor de funciona, quiere decir que hay polister algn error. D1 a D4 = diodo 1N4007 diodos recSi se tiene un Generador de BF, para verificar el funciona- tificadores DZ1 = diodo zener de 30V x 1 watt CIRCUITO JAF1 = impedancia de 1mH ARMADO DEL Q1 =NPN tipo BC237 o BC548 RECEPTOR Q2 =NPN tipo BC237 o BC548 Q3 =PNP tipo BC328 o BC558 S1 = pulsador normal abierto

LISTA DE MATERIALES DEL RECEPTOR R1 = 10M R2 = 1k R3 = 47 R4 = 3k3 R5 = 330k R6 = 10k R7 = 120k R8 = 100k R9 = 27k R10 = 22k C1, C6, C7, C8 = 0,1F - capacitores cermicos C2 = 47nF capacitor de polister C3 = 47F x 25V cap. electroltico C4 = 4,7nF capacitor cermico C5 = 2,2nF capacitor cermico D1, D2 = 1N4007 diodos rectificadores DZ1 = diodo zner de 15V por 1W L1, L2 = ver texto Q1, Q2 = BC548 transistores NPN de uso general IC1 = CD4520 Circuito integrado CMOS divisor por 10. Tr = Transductor piezolctrico Varios Placas de circuito impreso, gabinetes para el montaje, cables de conexin, fichas para 220V, estao, etc. **********************

miento del receptor, se puede aplicar una seal de externa de 100kHz de onda cuadrada en paralelo con la bobina L2. Hay que tomar en cuenta que en todo el circuito impreso circula la corriente de red de 220V, por lo tanto no se deben tocar las pistas con los dedos, luego, girando la sintona del generador llegar un momento en que se produzca el zumbido del traductor piezoelctrico. Si el receptor funciona de esta forma, quiere decir que el error est en el transmisor, por lo cual se deber verificar su funcionamiento. LISTA DE MATERIALES
DEL TRANSMISOR

R1 = 100k R2 = 3k3 R3 = 47 R4 = 1k R5 = 10M C1, C2 =4,7nF capacitores de polister