Captulo

Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar

os dispositivos electrnicos a nivel elemental no son funcionales. Debemos pues, incorporar algunos componentes adicionales para que el transistor est polarizado donde necesitemos y conformar as un circuito electrnico. Como se puede comprender, existirn multitud de elementos y formas de colocar stos para que el transistor funcione adecuadamente. De todas ellas, vamos a estudiar las ms conocidas, que por otro lado, nos ofrecen las mejores caractersticas frente a: estabilidad de funcionamiento, variaciones de temperatura, simplicidad de montaje y clculo, evitar en la medida de lo posible la distorsin, etc. Las configuraciones de los transistores hay que comenzarlas en corriente continua para, si es necesario, aplicar posteriormente corriente alterna, con las modificaciones del circuito que esto conlleve.

Contenido 5.1 5.2 Resea histrica Configuracin emisor comn 5.2.1 Polarizacin de base 5.2.2 Polarizacin de colector 5.2.3 Polarizacin de emisor Otras configuraciones 5.3.1 Etapa Darlington 5.3.2 Fuente de corriente constante 5.3.3 Fuente de corriente Widlar 5.3.4 Etapa de emisores acoplados o diferencial 5.3.5 Intercambio de polarizaciones NPN y PNP Ejercicios tipo Problemas propuestos Bibliografa

5.3

5.4 5.5 5.6

Captulo 5: Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar

79

5.1 Resea histrica

(1937-1991) Robert J. Widlar, durante sus estudios en la Universidad de Colorado, donde se gradu en 1962 en Ingeniera Elctrica, trabaj para la empresa Ball Brothers y, en el 63, comenz a trabajar para Fairchild donde dise el conocido amplificador operacional A709. Invent la fuente de corriente constante que lleva su nombre. Posteriormente pas a formar parte del equipo de National Semiconductor.

5.2 Configuracin emisor comn Configuracin en la que el emisor del transistor y la fuente de tensin estn unidos en un mismo punto. Con esta disposicin general existen tres polarizaciones ampliamente utilizadas, a saber: polarizacin de base, de colector y de emisor. Cada una de ellas con unas caractersticas bien definidas.

5.2.1 Polarizacin de base

Fig. 5.1: Circuito de polarizacin de base

Ventajas Fcil de construir Pocos componentes Polarizacin utilizada como interruptor -

Inconvenientes Resistencia de colector dependiente de Polarizacin sensible a cambios de

Para resolver este circuito, utilizamos las dos mallas de circulacin de corriente, la del circuito de base y del colector: c VCC ( RB I B ) VBE = 0

RB =

VCC VBE IB

Ec. 5.1

80

Electrnica analgica: Anlisis y diseo

d VCC ( RC I C ) VCE = 0

RC =

VCC VCE VCC VCE = IC IB

Ec. 5.2

En la malla de colector, se aprecia la dependencia del valor de la resistencia de la del transistor. Esto nos podr provocar cierta inestabilidad en la polarizacin. Por este motivo, esta polarizacin se utiliza ampliamente como interruptor. No debera utilizarse en ningn momento como amplificador de tensin.

La recta de carga

Los lmites de la recta de carga nos definir una pareja de valores VCE-IC que fijar los posibles puntos que podr ocupar el punto de funcionamiento del transistor. Si retomamos la ecuacin de la malla del colector de esta polarizacin, nos queda VCC (RC I C ) VCE = 0 Para obtener uno de los extremos de la recta de carga, anulamos la corriente de colector. Entonces se dice que el transistor estar trabajando en corte.

VCC = VCE Corte

Ec. 5.3

Si anulamos ahora la tensin VCE obtendremos el otro extremo de la recta de carga. En estas circunstancias, el transistor estar trabajando en saturacin. VCC = RC I C

I C Sat =

VCC RC

Ec. 5.4

Fig. 5.2: Recta de carga de un transistor bipolar. Punto de trabajo del transistor

Captulo 5: Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar

81

5.2.2 Polarizacin de colector

Fig. 5.3: Polarizacin de colector

Ventajas Buena impedancia de entrada Realimentacin negativa -

Inconvenientes No destaca

Esta polarizacin tiene una mayor estabilidad que la polarizacin de base. Si la ganancia de corriente del transistor tiende a aumentar, debido a un cambio de temperatura o sustitucin del transistor por otro de mayor, la corriente de colector tender a aumentar tambin. Esto generar un aumento de la cada de tensin en colector RC, o bien, una disminucin de la tensin VCE, provocando una tendencia a disminuir del valor de IB. De esta forma se limita el aumento iterativo de IC. Debido a este hecho se dice que esta polarizacin posee, de forma intrnseca, realimentacin negativa. De la malla del circuito de colector nos ofrece el valor de la resistencia de colector VCC (RC I E ) VCE = 0 RC = VCC VCE VCC VCE = IE I B (1 + ) Ec. 5.5

Como se observa, el valor de RC se ve afectado por la ganancia de corriente aunque, debido al efecto comentado de realimentacin negativa, no tiene tanta importancia como en la polarizacin de base. Operando ahora con la malla de base, nos queda VCC (RC I E ) (RB I B ) VBE = 0 RB = VCC VBE V VBE [RC ( + 1)] = CE IB IB Ec. 5.6

Ntese que la corriente que multiplica a RC no es IC, como de costumbre, sino la suma de la corriente que se deriva a travs de la base ms la propia de colector, es decir, IE.

82

Electrnica analgica: Anlisis y diseo

Si necesitsemos calcular las corrientes que circulan por esta polarizacin, en vez de las resistencias, nos quedaran las siguientes ecuaciones VCC (RC I E ) (RB I B ) VBE = VCC (RC I B (1 + )) (RB I B ) VBE = 0 IB = VCC VBE RC (1 + ) + RB VCC VBE RC (1 + ) + RB Ec. 5.7

IC = I B =

IC =

VCC VBE 1 + RB RC +

Ec. 5.8

Para tratar de minimizar el efecto de la ganancia de corriente y que, IC sea independiente de la del transistor, debe cumplirse que
RC RB

5.2.3 Polarizacin de emisor

Esta polarizacin tiene una mayor estabilidad de funcionamiento que la polarizacin de base y de colector, gracias al efecto de la realimentacin negativa y a la independencia de las mallas de base y colector. Si la ganancia de corriente del transistor aumentase, debido a un cambio de temperatura o sustitucin del transistor por otro de mayor; las corrientes de colector y emisor aumentarn tambin. Esto generar un aumento de la cada de tensin en RE. Al estar la tensin de base fijada, de forma independiente, por R1 y R2 provocar una disminucin del valor de VBE. Es decir, tender a llevar el transistor ms hacia el corte que hacia saturacin.

Fig. 5.4: Polarizacin de emisor o de cuatro resistencias

Captulo 5: Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar

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Ventajas Impedancia de entrada media Realimentacin negativa -

Inconvenientes Ms complejo de calcular Mayor nmero de componentes

Las mallas del circuito de base y de colector son las siguientes:

VCC VR1 VBE (RE I E ) = 0

VCC (RC I C ) VCE (RE I E ) = 0

Para calcular ms adecuadamente la malla de base podemos utilizar el teorema de Thevenin. Tngase en cuenta que para este circuito, la posible variacin de la corriente de base, que suceder al variar IC, desestabilizar la rama formada por las resistencias R1 y R2. Por ello, no podemos calcular de forma independiente el valor de tensin de la base del transistor como la tensin existente entre la resistencia R1 y R2. Es ms cmodo, aplicar el teorema de Thevenin al punto medio de las resistencia R1 y R2. Para ello, sustituiremos la tensin en la base del transistor por la tensin Thevenin equivalente y las resistencias de R1 y R2, por su equivalente de resistencia Thevenin, es decir R1//R2. En estas circunstancias, el circuito quedara ahora de esta forma

Fig. 5.5: Circuito equivalente Thevenin de la polarizacin de emisor

Los valores de tensin y resistencia Thevenin lo obtendramos de

VTh = VCC R2 R1 + R2 RTh = R1 // R2 = R1 R2 R1 + R2

Quedando ahora la malla del circuito de base de la siguiente forma

VTh (RTh I B ) VBE (RE I E ) = 0 RE = VTh (RTh I B ) VBE IE

Ec. 5.9

84

Electrnica analgica: Anlisis y diseo

Despejando de la malla de colector, nos queda

RC = VCC VCE (RE I E ) IC

Ec. 5.10

Para comprobar la afectacin de la corriente de colector por la ganancia de corriente, operando de forma similar al caso anterior, nos queda
IB = VTh VBE RTh + ( 1 + ) RE

IC =

VTh VBE RTh 1 + + RE

Si tomamos para los diseos un valor de RE varias veces superior a RTh/, el circuito ser poco sensible a los efectos de cambio de . Tngase en cuenta que (1+)/ 1 para valores de 100.
5.3 Otras configuraciones en c.c. 5.3.1 Etapa Darlington

En algunas ocasiones es necesario aumentar la ganancia de corriente del circuito transistorizado, en otras, que un circuito funcione con seales de entrada dbiles o bien que posea una alta impedancia de entrada. Estas son las ventajas que identifican a una etapa Darlington.
Ventajas Impedancia de entrada alta Sensible a pequeas seales Alta ganancia de corriente Inconvenientes Mayor nmero de componentes Puede ser inestable con seales grandes Mayores cadas colector-emisor y base-emisor en saturacin

C
IB1 IC1

B
IE1 IB2

IC2

IE2

E
Fig. 5.6: Circuito o conexin Darlington

Este montaje se puede realizar con dos transistores conectados de la forma indicada o bien mediante un transistor Darlington en un nico encapsulado (Tipo BDX53 o equivalente). Del circuito en conexin Darlington se deduce lo siguiente

Captulo 5: Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar

85

I E1 = I B2

Darlington =

IC 2 I B1

Ec. 5.11

La corriente de colector del segundo transistor vale

I C 2 = 2 I B 2 = 2 I E1

Ec. 5.12

Teniendo en cuenta que la corriente de colector del primer transistor vale

I E 1 = I C 1 + I B1 = ( 1 I B 1 ) + I B1 = I B 1 ( 1 + 1)

Sustituyendo este valor en la Ec. 5.12, nos queda

I C 2 = 2 ( 1 + 1) I B1

Sustituyendo este valor en la Ec. 5.11, obtendremos la ganancia del transistor Darlington, que vendr dada por

Darlington =

2 ( 1 + 1) I B1
I B1

= 2 ( 1 + 1) 1 2

Ec. 5.13

Tabla 5.1: Datos caractersticos del transistor Darlington BDX53

5.3.2 Fuente de corriente constante

Ante la necesidad de un circuito que nos ofrezca una corriente de forma constante por un componente, tenemos varias soluciones. Podemos realizar de forma sencilla una fuente de corriente constante con transistor como se muestra en la siguiente figura

86

Electrnica analgica: Anlisis y diseo

a) Fig. 5.7: Fuente de corriente constante

b)

Al estar cortocircuitada la unin BC del transistor Q2 de la figura 5.7b, la ecuacin de colector de Ebers-Moll, queda

iC 2 = F I ES ( eVBE 2 / VT 1)

iC1 = F I ES ( eVBE 1 / VT 1)

Ec. 5.14

Al estar unidas las dos bases de Q1 y Q2, las corrientes de base y por tanto las de colector son idnticas, generando con ello lo que se denomina un espejo de corriente. Si dividimos entre s estas corrientes de colector, nos queda

iC 2 eVBE 2 / VT = =e iC 1 eVBE 1 / VT

V BE 2 V BE 1 VT

Ec. 5.15

Siendo las corrientes de base iguales, tambin lo sern las tensiones base-emisor de los transistores, es decir

iC 2 =1 iC1

iC 2 = iC 1 = I C

Luego, aplicando Kirchoff a la malla de la base de Q2, nos queda

I R1 = V1 VBE 2 R1

Ec. 5.16

En cuanto a las corrientes existentes en ese nudo, tenemos

I R1 = I C + 2I B = I C + 2 IC +2 = IC

Sustituyendo este dato en la ecuacin 5.16, nos queda

Captulo 5: Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar

87

V1 VBE I C1 = I C2 = + 2 R1

Ec. 5.17

5.3.3 Fuente de corriente Widlar

Las variaciones observadas en la fuente de corriente constante anterior no son muy elevadas, pero existe otro montaje que disminuye ms an las variaciones en la corriente del colector. A este montaje se le denomina fuente de corriente Widlar. Este tipo de fuentes se utilizan para corrientes de colector muy pequeas, las que se suelen utilizar en la fabricacin de circuitos integrados.

Fig. 5.8: Fuente de corriente Widlar

En este montaje los valores de las tensiones entre base y emisor de ambos transistores no son idnticas. Para la malla de Q2 y Q1, tenemos
VCC = R IR + VBE2 VCC = R IR + VBE1 + IE1 RE

VBE2 > VBE1

De la fuente de corriente estudiada anteriormente tenemos, Ec. 5.15

iC 2 =e iC1

VBE 2 VBE 1 VT

IC2 > IC1

Ec. 5.18

Como los dos transistores estn al mismo potencial de base, nos queda
VBE 2 = VBE1 + ( RE I E1 ) = VBE1 + RE ( I C1 + I B1 )

+1 VBE 2 VBE1 = RE I C1

Ec. 5.19

88

Electrnica analgica: Anlisis y diseo

Tomando neperianos en la ecuacin 5.18, nos queda

IC 2 VBE 2 VBE 1 = VT Ln I C1

Ec. 5.20

Igualando ahora las ecuaciones 5.19 y 5.20, nos resulta

RE = IC 2 VT Ln I +1 C1 IC1

Ec. 5.21

En la malla de base de Q1, tenemos

+1 + 1 I C1 I R = I C 2 + I B 2 + I B1 = I C 2 + I B1 = I C 2 +

Al ser IC2 > IC1 y la corriente IB1 muy pequea, se puede despreciar el valor de sta. Con esto, obtenemos +1 I R = IC 2 Teniendo en cuenta la Ec. 5.16 y la precedente, nos queda
VCC VBE 2 IC2 = +1 R

Ec. 5.22

5.3.4 Etapa de emisores acoplados o diferencial

Este montaje es el tpico que se utiliza en la entrada de los amplificadores operacionales, que posteriormente pueden funcionar como interruptores, operadores matemticos, amplificadores de audio, etc. El circuito parte de dos transistores iguales con dos resistencias de polarizacin idnticas. Fig. 5.9. Si obtenemos la malla entre ambas tensiones de entrada nos queda
V1 VBE 1 + VBE 2 V2 = 0

Captulo 5: Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar

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Fig. 5.9: Etapa diferencial o de emisores acoplados

Las corrientes de colector de ambos transistores, funcionando en zona activa, vienen definidas por

iC 1 = F I ES eVBE 1 / VT

)
Vd VT

iC 2 = F I ES eVBE 2 / VT

eVBE / VT 1

Dividiendo entre s estas expresiones, nos queda

iC 1 =e iC 2

V BE 1 V BE 2 VT

=e

Vd = Tensin diferencial

Si calculamos ahora las corrientes por las ramas, nos queda

+1 +1 I EE = I E1 + I E 2 = I C1 +I B1 + I C 2 + I B2 = I C1 + IC 2

Si dividimos esta expresin por

+1 I C1

nos queda
I EE

+1
I C1 =1+ IC 2 I C1

Teniendo en cuenta que

90

Electrnica analgica: Anlisis y diseo

iC 2 = e VT iC 1
La ecuacin anterior, nos queda

Vd

Ec. 5.23

I EE

+1
IC 1 =1+ e

Vd VT

Despejando la corriente de colector, para ambos transistores, nos queda

I C1 =

I EE

+1
Vd VT

IC 2 =

I EE

+1
Vd VT

Ec. 5.24

1+ e

1+ e

Si dibujamos estas funciones, nos queda

I EE +1
IC2 IC1

I EE 2

+1

-4VT -3VT -2VT -VT 0

VT 2VT 3VT 4VT

Fig. 5.10: Variaciones de las corrientes de colector en la etapa diferencial

valen

Al acercarse la tensin diferencial Vd a 4VT, los valores de las corrientes de colector

I C1 =

I EE

+1
I EE

+1

1+ 0

IC 2 =

I EE

+1
4

1+ e

I EE

+1
56 0

Si Vd tiende a 4VT, operando de la misma forma, las corrientes quedan como

IC1 0

I C 2 = I EE

+1

Captulo 5: Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar

91

Si dibujamos estos hechos en forma de tensiones y no de corrientes, nos queda

VOut ( + ) = VCC (I C 1 RC )

VOut ( ) = VCC (I C 2 RC )
VCC

VOut (+)

VOut(-)

VCC 2

-4VT

4VT

Fig. 5.11: Variaciones de las tensiones de colector en la etapa de emisores acoplados

Al estar conectados los emisores a una fuente de corriente constante, si aumentamos la polarizacin de uno de los transistores, se genera una despolarizacin de la otra rama, siendo este efecto reversible. Si vemos esta caracterstica en el simulador, nos queda

Fig. 5.12: Variaciones de polarizacin en corriente en la etapa diferencial

5.3.5 Intercambio de transistores NPN y PNP

Las polarizaciones que hemos utilizado hasta ahora han sido generalmente para transistores NPN. Teniendo en cuenta unas pocas normas, podemos utilizar para las mismas indistintamente transistores NPN o PNP, stas son:

Mantener todos los tipos de polarizacin (directa o inversa).

92

Electrnica analgica: Anlisis y diseo

Cambiar los sentidos de todas las fuentes de tensin que hemos dibujado. Por convenio, mantendremos los sentidos en los que medimos las tensiones. Sentido elctrico. Cambiar los sentidos de todas las circulaciones reales de corriente. Por convenio, mantendremos los sentidos en los que medimos las corrientes. Sentido elctrico.

Figura 5.13: Polarizacin de base. Transistor NPN

Figura 5.14: Polarizacin de base. Transistor PNP. Tipo 1

Figura 5.15: Polarizacin de base. Transistor PNP. Tipo 2

Captulo 5: Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar

93

5.4 Ejercicios resueltos Polarizacin de base con transistor NPN

Calcular el circuito de la figura sabiendo que las caractersticas del LED son 1.5V y 10mA, supondremos una VCE = 4V y una FE del transistor de 210.

Fig. 5.16: Circuito a calcular de polarizacin de base

--0--

Calculando las dos mallas del circuito, nos queda

VCC (RC I C ) VLED VCE = 0 VCC (RB I B ) VBE = 0

Sustituyendo los valores

12 (RC 0.01) 1.5 4 = 0
0.01 12 RB 0.7 = 0 210 RC = 12 5.5 = 650 0.01

RB =

12 0.7 = 237300 0.01 210

Para calcular los datos de la recta de carga para este circuito, tenemos

VCC (RC I C Sat )VLED VCE Sat = 0

I C Sat =

12 (650 I C Sat ) 1.5 0.2 = 0

12 1.5 0.2 = 15.84 mA 650

VCE Corte = VCC = 12V

94

Electrnica analgica: Anlisis y diseo

I E = I C + I B = 0.01 +

0.01 = 10 10 3 + 47.6 10 6 = 0.0100476 A 210

Polarizacin de colector con transistor PNP Calcular el circuito de la figura para una corriente de colector de 10mA y una cada colector-emisor de 3V. La ganancia de corriente en directa = 175 y la alimentacin del circuito de 5V.

Fig. 5.17: Polarizacin de colector con transistor PNP y su equivalente con transistor NPN

--0--

Al ser VCE = 3V, la cada en RC ser de 2V. Teniendo en cuenta que por RC circular tanto IC como IB, nos queda
IB = IC

0.01 = 57.142 A 175

I E = I C + I B = 0.01005714 A

RC =

VCC VCE = 198.86 IE

Suponiendo que el transistor est trabajando en zona activa, para la resistencia de base nos queda un valor de

RB =

VCC VBE VRC 2.3 = = 40250 IB 57.142 *10 6

Dibujando los valores de tensiones y corrientes en el circuito obtenidos por el simulador, nos queda:

Captulo 5: Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar

95

Fig. 5.18: Valores de las corrientes y tensiones obtenidas por el simulador

Como se observa, los datos de clculo terico son muy similares a los obtenidos por el simulador. La razn de esta pequea diferencia en los clculos est en la cada de tensin baseemisor y el valor de la ganancia de corriente en directa del transistor. El simulador toma VBE = 0.773V en vez de los 0.7V tpicos y un valor = 162.8 en vez de 175 como valor medio de los datos del fabricante.

Fig. 5.19: Datos obtenidos por el simulador para la cada de tensin Base-Emisor y valor de la

Polarizacin de emisor con transistor NPN

Obtener los datos de tensiones y corrientes en todos los puntos del circuito siguiente. Las caractersticas del LED son 1.5V y 10mA. Supondremos una VB VTh = 4V y la FE del transistor es 210.

96

Electrnica analgica: Anlisis y diseo

Fig. 5.20: Ejemplo de polarizacin de emisor

--0--

Al obtener el circuito equivalente de Thevenin del ejemplo, nos quedara el circuito de la figura 5.21. En estas condiciones tendramos

VTh = VCC

R2 R1 + R2

4 = 12

R2 R1 + R2

R2 =

R1 2

Si fijamos un valor para R1 = 10K, nos fijar un valor de R2 = 5K. Podemos calcular ahora la resistencia equivalente de Thevenin

Fig. 4.7: Circuito equivalente

RTh = R1 // R2 =

R1 R2 = 3333.3 R1 + R2

Fig. 5.21: Circuito equivalente

La malla de base-emisor nos queda

4 (3333 I B ) VBE (RE I E ) = 0

Como conocemos la corriente de colector y la FE, podemos calcular el valor de las corrientes de base y de emisor del transistor.

Captulo 5: Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar

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IB =

0.01 = 47.6 A 210

I E = I C + I B = 0.0100476 A

Ahora estamos en disposicin de calcular el valor de la resistencia de emisor

RE = 4 3333 47.6 10 6 0.7 = 312.64 0.0100476

Utilizando la malla de colector-emisor, calcularemos la resistencia de colector

VCC (RC I C ) VLED VCE (RE I E ) = 12 (RC 0.01) 1.5 VCE 3.141 = 0
Los 7.359V restantes de la VCC podemos distribuirles a nuestro parecer. Para que el transistor funcione en zona activa, y disipe menos calor que saturado, supondremos una VCE = 3V.

RC =

12 1.5 3 3.141 = 435.9 0.01

Fuente de corriente constante

Se desea calcular una fuente de corriente constante, segn el circuito de la figura 4.7b. Nos interesa que el transistor est en zona activa (VCE = 2.3V) con una corriente de colector de 50mA. El transistor a utilizar ser un BC547 con una ganancia de corriente, segn el fabricante, de 253. La tensin de alimentacin ser de 12V. --0--

Para la malla de base, el circuito nos queda

VCC = (R1 I R1 ) + VBE 2

+2 I R1 = I C 2

253 12 0.7 R1 = 253 + 2 0.05 = 224.2

Operando de la misma forma para la malla de colector, teniendo en cuenta que IC1 = IC2, nos queda

VCC = (RLoad I C 1 ) + VCE

RLoad =

12 2.3 = 194 0.05

Si hacemos una simulacin del circuito, observamos que los datos ofrecidos por el simulador, tanto en tensiones como intensidades, son muy similares a los calculados tericamente.

98

Electrnica analgica: Anlisis y diseo

Fig. 5.22: Fuente de corriente constante con los datos obtenidos tericamente

Para comprobar la constancia de la intensidad de colector, si variamos un 100% la resistencia de carga, esto generar un cambio en la corriente de colector IC1 es de tan slo 1.8mA.

Fig. 5.23: Datos obtenidos al variar la RLoad un 100%

Al ser la IC constante, la cada entre colector y emisor debe aumentar proporcionalmente.

Fuente de corriente Widlar

Se desea calcular una fuente de corriente constante mediante la configuracin Widlar como se muestra en la figura 5.8. Nos interesa el clculo con una corriente ICQ1 = 62A. El transistor a utilizar ser un BC547 con una ganancia de corriente de 259 y funcionando en zona activa. La tensin de alimentacin ser de 12V. Considrese una tensin trmica en el transistor de VT = 25mV. --0--

Partiendo de la Ec. 5.16 y seleccionando una corriente por la resistencia R de 1mA, tenemos

IR =

VCC VBE 2 R

R=

12 0.7 = 11300 0.001

Captulo 5: Polarizaciones en c.c. del transistor bipolar

99

Sustituyendo ahora valores en la Ec. 5.22, nos queda

VCC VBE 2 IC2 = +1 R

259 12 0.7 IC2 = = 996.15A 260 11300

Valor muy superior a IC1 = 62A, como se indic en la Ec. 5.18. Sustituyendo en la Ec. 5.21, tenemos

RE =

IC 2 VT Ln I +1 C1 IC1

RE =

996.1 10 6 0.025 Ln 62 10 6 260 62 10 6 259

= 1115.33

Como muestra el simulador los datos obtenidos tericamente son muy aproximados a los indicados por ste.

Fig. 5.24: Fuente de corriente Widlar obtenida con los datos tericos

Si hacemos otra simulacin con datos obtenidos, observamos que al cambiar la resistencia de carga 10 y 20 veces, tan slo se modifican 0.73A de ICQ1, frente a los 1.8mA que variaban en el caso de la fuente de corriente constante anterior.

Fig. 5.25: La variacin de IC1 para un cambio de 10 y 20 veces RLoad no es significativa

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Electrnica analgica: Anlisis y diseo

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Electrnica analgica: Anlisis y diseo

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Electrnica analgica: Anlisis y diseo

Bibliografa

1. N.R. Malik, Circuitos Electrnicos. Anlisis, simulacin y diseo, Ed. Prentice Hall, 1998, ISBN: 84-89660-03-4. 2. G.W. Neudeck, El transistor bipolar de unin, Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 1989, ISBN: 0-201-60143-5. 3. E. Muoz Merino, Circuitos Electrnicos: Analgicos I, E.T.S. de Ingenieros de Telecomunicacin (U.P.M.), 1986, ISBN: 84-7402-066-2. 4. A.P. Malvino, Principios de Electrnica. Ed. Mc Graw Hill, 1996, ISBN: 84-481-1999-1. 5. C.J. Savant Jr., M.S. Roden, G.L. Carpenter, Diseo Electrnico: Circuitos y sistemas, Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 1992, ISBN: 0-201-62925-9. 6. A.R. Hambley, Electrnica, Ed. Prentice Hall, 2000, ISBN: 84-205-2999-0. 7. M.H. Rashid, Circuitos Microelectrnicos. Anlisis y Diseo. International Thomson Editores. 2000. ISBN: 968-7529-79-2