CIRCUITOS ELECTRONICOS I

Tema : Componentes Electrnicos El transistor de efecto de campo

Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Profesor: Ing. Medina

Alumno: Rojas Yayico, Jos Antonio

Facultad de Ingeniera Electrnica

Componentes electrnicos: El transistor de efecto de campo

Introduccin El transistor de efecto de campo de unin o JFET JFET de canal N JFET de canal P El transistor MOSFET Mosfet de acumulacin Mosfet de deplexin Conclusiones

Alumno: Rojas Yayico, Jos Antonio

Facultad de Ingeniera Electrnica

Transistores de efecto de campo (FET) FET de unin (JFET) FET metal-xido-semiconductor (MOSFET)

Transistores JFET
D G S Canal N
G - Puerta (GATE) D - Drenador (DRAIN) S - Surtidor o fuente (SOURCE)
Alumno: Rojas Yayico, Jos Antonio

D G S Canal P

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Estructura interna de un JFET

D

G P N S P

G N P S N

Canal N

Canal P

D G S
G

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Funcionamiento de un JFET de canal N (I)

D

Unin GS polarizada inversamente

Canal P

P G

Se forma una zona de transicin libre de portadores de carga

La seccin del canal depende de la tensin USG

USG N S Zona de transicin

Si se introduce una cierta tensin D-S la corriente ID por el canal depender de USG

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Funcionamiento de un JFET de canal N (II)

D ID G UDS (baja)

ID USG El canal se estrecha

USG

UDS
S

Entre D y S se tiene una resistencia que vara en funcin de USG

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Funcionamiento de un JFET de canal N (III)

D
UDS+USG

ID UDS

ID USG=0V

USG1
USG
USG

USG2
S

VP

UDS

El ancho del canal depende tambin de la tensin UDS Pasado un lmite la corriente ID deja de crecer con UDS
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Caractersticas elctricas de un JFET de canal N

ID (mA) 30 20 10 2 4 6 UGS1=-2V UGS2=-4V 8 UDS (V)
Zona resistiva Zona de fuente de corriente

UGS=0V

Caracterstica real

ID UGS UGS1 UGS2 VP

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Caracterstica linealizada
UDS
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Caractersticas elctricas de un JFET de canal P

ID (mA) UGS=0V -30 -20 -10 -2 -4 -6 UGS1=2V UGS2=4V -8 UDS (V)

Curvas idnticas al de canal N pero con tensiones y corrientes de signo opuesto

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Resumen de las caractersticas de un JFET de unin:

La corriente de drenador se controla mediante tensin (a diferencia de los transistores bipolares donde se controla la corriente de colector mediante la corriente de base)
La unin puerta-fuente se polariza en zona inversa y existe un valor lmite de UGS a partir del cual el canal se cierra y deja de pasar corriente de drenador Entre drenador y fuente el JFET se comporta como una resistencia o una fuente de corriente dependiendo de la tensin UDS. Aplicaciones tpicas: amplificadores de audio y de radiofrecuencia

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)

D D D D

G S

G S

G S

G S

Canal N

Canal P

Canal N

Canal P

MOSFET acumulacin G - Puerta (GATE) D - Drenador (DRAIN)

MOSFET deplexin

S - Surtidor o fuente (SOURCE)

Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N (I)
G D N N S

Metal Oxido (aislante) Semiconductor

P SUSTRATO

Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra conectado con el surtidor S

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N (II)
UDS

ID=0
D N

G S N

Los terminales principales del MOS son drenador y surtidor Al aplicar tensin UDS la unin drenador-sustrato impide la circulacin de corriente de drenador

P SUSTRATO

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N (III)
+++ +++

N
UGS

Al aplicar tensin positiva UGS los electrones libres de la zona P (sustrato) son atrados hacia el terminal de puerta Por efecto del campo elctrico se forma un canal de tipo n (zona rica en electrones) que permite el paso de la corriente entre drenador y surtidor
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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N (IV)
UDS ID UGS

Formado el canal entre drenador y surtidor puede circular la corriente de drenador ID

N

N
Campo elctrico debido a UDS

Incrementar la tensin UDS tiene un doble efecto:

Ohmico: mayor tensin = mayor corriente ID El canal se estrecha por uno de los lados = ID se reduce

Campo elctrico debido a UGS

A partir de un cierto valor de UDS ambos efectos se compensan y la corriente se estabiliza haciendose prcticamente independiente de UDS
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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N (V) Curvas caractersticas
D
ID (mA) 40 30 10 8 6 4 2 4 6 8 UDS (V) UGS

ID
G

U DS
S

20 10

U GS

Por debajo de esta tensin no se forma el canal

A partir de un cierto valor de UGS se forma el canal entre drenador y fuente. Por debajo de este lmite el transistor est en corte.

Dependiendo de la tensin UDS se puede tener un equivalente resistivo o de fuente de corriente entre D y S
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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal P Curvas caractersticas
D
ID (mA) -40 -30 -10 -8 -6 -4 -2 -4 -6 -8 UDS (V) UGS

ID
G

U DS
S

-20 -10

U GS

Canal P: comportamiento equivalente al del MOSFET de canal N pero con los sentidos de tensiones y corrientes invertidos

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOSFET de deplexin de canal N
G D N n N S
ID (mA) 40 30 20 2 0 -2 UDS (V)
Ya hay canal formado

UGS

Difusin hecha durante el proceso de fabricacin

10 2 4 6

En los MOSFET de deplexin el canal se forma mediante una difusin adicional durante el proceso de fabricacin Con tensin UGS nula puede haber circulacin de corriente de drenador

Es necesario aplicar tensin negativa UGS para cerrar el canal

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Resumen de las caractersticas de los transistores MOS:

La corriente de drenador se controla mediante la tensin UGS En los MOSFET de acumulacin a partir de un cierto valor umbral de UGS se forma el canal y puede circular la corriente de drenador En los MOSFET de deplexin una difusin adicional permite la circulacin de la corriente de drenador incluso para tensin UGS nula Aplicaciones tpicas: convertidores y accionadores electrnicos de potencia, etapas amplificadoras, circuitos digitales, ...
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