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ELECTRNICA DE POTENCIA RELACIN DE PROBLEMAS DE LA UNIDAD 2.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA (ETAPA DE SALIDA).


EJERCICIO 1. [1]

En el siguiente amplificador de potencia de clase A de la figura, calcular: A) El valor de RB para localizar el punto Q en al centro de la lnea de carga. B) La mxima potencia de salida. Datos: Vcc = 12V, Rc=100W, hFE = 60 y VBE =0.7V. Sol: A) 11.3kW. B) 180 mW.
Ejer1.mcd ; Tamao (341KB) EJERCICIO 2. [2]

En un amplificador de potencia (Figura), clase A, sin transformador, determinar la relacin existente entre potencia alterna de salida en la carga y distorsin. Para el circuito de la figura, admitiendo que los armnicos de orden superior al 2 son despreciables, determinar la distorsin armnica en el mismo. Calcular el rendimiento de la conversin de potencia continua en alterna. Datos: Nivel de continua en colector para iB = 0, Ic = 350mA. Nivel de continua en colector para la iB normal de excitacin, Ic=390mA. RL =40W.Potencia de alterna en la carga RL, Pa =2W. NOTA: Considrese el transistor ideal. Sol: A)
12.75%.B) 18,06%.

El desarrollo en serie de Fourier de la corriente de salida del amplificador, ic, para una excitacin de entrada senoidal ib, es de la forma:

en la que:

IC = corriente de colector para excitacin ib=0. A0 = Nivel de continua de la onda de salida debida a la distorsin. A1, A2,....An = Amplitud de los armnicos de la onda de salida. De donde para los siguientes valores obtenemos: 1)*w t = 0, iC = Imax = IC + A0+A1+A2+... 2)*w t = 90, iC = IC = IC +A0 -A2+A4-... 3)*w t = 180, iC = Imin = IC + A0-A1+A2-... Tomando nicamente hasta el 2 armonico, se obtiene del punto 2), anterior: A0=A2 ; y resolviendo entre 1) y 3)

La distorsin del armonico de orden, se define como:

La distorsin total se define como,

Por otra parte la potencia en la carga del armonico de orden i, viene dado por:

Finalmente la potencia total en la carga debido al conjunto de armnicos viene dado por:

La potencia total alterna substituyendo este valor en Pa,

A) En el ejemplo pedido se tiene, IC=350mA, IC + A0 = 390mA., A2=A0 = 40mA, PT = 2W. Despejando, ;

B) El rendimiento de la conversin viene dado por, P1= Potencia de alterna en la carga para el primer armonico. PC= Potencia de continua en la carga. En nuestro caso: ;

El calculo de VCC, se realiza a partir de la recta de carga siguiente.

EJERCICIO 3. [3]

Disear un amplificador complementario de clase B, donde obtengamos una salida igual a la de la siguiente figura. Sabiendo que la resistencia de carga de 8W, con una potencia media de salida de 50W deseada para una amplitud mxima de seal senoidal. Calcular: A) Que valor de Vcc es requerido?, B) Que valor de corriente mxima es requerido para Q1 y Q2?, C) Valor mximo de tensin colector-emisor requerido para Q1 y Q2. D) PDQ1max y PDQ2max. Sol: A) 28.3V.B) 3.54A. C) 56.6V. D) 10.2W, 10.2W.

EJERCICIO 4.

De una etapa de potencia clase B con transistores simtricos complementarios (Figura ejercicio anterior). Calcular: A) Dibujar la seal de salida en la que se pueda observar la distorsin de salida. B) Potencia mxima en la carga. C) Potencia que suministra cada fuente de alimentacin. D) Potencia que disipa los transistores cuando la potencia en la carga es mxima. E) Rendimiento para la condicin expresada anteriormente. F) Potencia instantnea terica mxima en los transistores de salida. G) Potencia media mxima en

los transistores de salida. Datos: Vcc=15V; RL=2kW;Vm=13.69V. Sol: A) Ver simulacin


GRAF1.B) 46.85mW. C) 32.68mW. D) 9.25W. E)71.67%. F) 28.12mW. G) 9.37mW.

Distorsin de cruce.Graf1.jpg Ejer4out.txt. Tamao (5KB). Ejer4.mcd ; Tamao (381KB)

PQ1, VCEQ1, ICQ1.Graf2.jpg Ejer4.cir.Tamao (1KB).

B) La potencia en la carga mxima ser:

C) Potencia que suministra cada fuente de alimentacin:

De donde Pcc1=Pcc2.

D) La potencia que disipa los transistores cuando la potencia en la carga es mxima es:

E) El rendimiento por lo tanto seria:

F) Potencia instantnea terica mxima en los transistores de salida.

G) Potencia media mxima en los transistores de salida:

EJERCICIO 5. [4]

Disear un circuito con simetra complementaria compensado por diodos (Ver figura junto a circuito equivalente a la base) para un amplificador de audio con una respuesta en frecuencia de 60Hz a 20KHz y una potencia de salida de 0.5W en un altavoz de 8W.Utilcense transistores de silicio con b=60. Los diodos tienen una resistencia en directo de 8W. La fuente de alimentacin es de 12V. Determinar: A) La ganancia de corriente. B) La potencia proporcionada por la fuente. C) Potencia mxima disipada por cada transistor. Sol: A) 17.9.B) 1.52W. C) 1.02W.

EJERCICIO 6. [4]

Disear un amplificador push-pull clase B con simetra complementaria compensado por diodos (Ver figura del circuito anterior) para excitar una carga de 4W a 3V para un intervalo de frecuencias de 50Hz a 20KHz. Suponer que los transistores NPN y PNP poseen una b=100 para cada uno y VBE = 0.7V. Los diodos tienen una resistencia en directo Rf=10W. Determinar todas las tensiones y corrientes en reposo para una tensin de alimentacin Vcc=16V. Determinar la mxima potencia que se extrae de la fuente de alimentacin, la potencia desarrollada en la carga y disipacin de potencia en los transistores. Sol: Pcc=4.04W; PL=1.13W; PT =1.62W.
EJERCICIO 7.

Comentar el diseo, formas de onda y funcionamiento del circuito de la figura para los siguientes casos: A) Los interruptores estn en modo LINEAR. B) Los interruptores estn en modo PWM.

EJERCICIO 8. [5]

Del siguiente circuito y tablas asociadas: A) Identificar las etapas y elementos principales junto con la funcin que desempean. B) Comprobar para una carga de 8W y PL= 10W los diferentes valores de tensiones y comentar la tabla.
Diseo del circuito y tablas cortesa de Texas Instruments.
Pot Imp. Sal. Tens.(RMS) Tens.(Pico) Tens(Pico-Pico) Int(RMS) Int(Pico) Tens.aliment. W 10 10 15 15 20 30 W 8 15 8 15 8 8 V 8.94 12.25 10.95 15.00 12.64 15.60 V 12.61 17.31 15.50 21.20 17.88 22.05 V 25.22 34.62 31.00 42.40 35.78 44.10 A 1.12 0.82 1.37 1.00 1.58 1.95 A 1.58 1.15 1.94 1.41 2.24 2.76 V 32 40 36 50 42 50

Ps RL R4 R5 R6 R8 R9 R11 C7
10 10 15 15 20 30 8 15 8 15 8 8 12K 3K3 12K 56K 1K2 15K 3K9 15K 120K 820 15K 3K9 15K 82K 1K 15K 4K7 15K 82K 680 15K 3K9 15K 82K 820 15K 4K7 15K 82K 860 3K9 10K 5K6 8K2 5K6 4K7

T7

T8

2000 TIP32 TIP31 1000 TIP32A TIP31A 2000 TIP42 TIP41 1000 TIP32A TIP31A 2000 TIP42A TIP41A 2000 TIP34A TIP33A

EJERCICIO 9.

En el circuito de polarizacin de la base de los transistores de salida se suele colocar un transistor como el indicado en la figura. Determinar el valor de R1 y R2 para obtener una buena compensacin trmica con los transistores de salida.Sol: R1=R2.

EJERCICIO 10. [1]

En circuito de la figura tenemos un amplificador de simetra complementaria. Determinar: A) El voltaje en el punto A. B) La mxima potencia entregada en la carga.Datos: Vcc=28V, VD(ON) =VBE(ON)=0.7V, hFE1=hFE2=hFE3=hFE4=hFE5=50, Co=5000mF,Ce=1000mF, hie1=10kW, RL=8W, R1=12kW, R2=1kW, RE=100W, R=2.2kW. Sugerencia: Obtener la ecuacin de VA en funcin de I, seguido obtener I. Sol: A) 15.6V; B) 11.7W.

A) El voltaje en el punto A con respecto a masa es:

Como Q2 y Q3 son idnticos, por lo tanto VBE2 = VBE3 = 0,7V.

El voltaje en el emisor de Q1 puede expresarse como:

La corriente de emisor de Q1 es:

Como IE1@ IC1, y asumiendo que IB2 y IB3 son insignificante con respecto a IC1, entonces IE1@ I y por lo tanto:

sustituyendo I en la ecuacin donde obtenemos VA.

una vez obtenido VA si sustituimos en la siguiente ecuacin para hallar I.

B) Antes de calcular la mxima potencia entregada en la carga, calculamos primero VCE1.

esta tensin es de pico, para pasarlo a RMS seria

, por lo tanto ahora podemos

hallar el valor de la mxima potencia entregada a la carga:

EJERCICIO 11. [7]

Disear el amplificador de la figura, dando los valores de las resistencias, de Vcc y de Is de Q4 de tal forma que suministre una potencia de 100W sobre 8W. En reposo, la corriente de salida deber ser nula y la de colector de Q1 de 5mA. Datos: Q1 es idntico a Q2; Q6 a Q7. Is1 = 9.7410-13, Is3 = 4.8210-14, Is5 = 7.410-14, b1L =100, b3=100, b5 =200, b1H =40,b6 =300. Sol: R4=33.9kW ,R2=1004kW ,R3=502W, Is=7.9110 -14 A, Vcc=42V.

Potencia RMS carga.Graf3.jpg

IRL,Potencia AVG carga.Graf4.jpg

Ejer11.cir.Tamao (2KB).

Ejer11out.txt. Tamao (5KB).

Ejer11.mcd ; Tamao (511KB) EJERCICIO 12.

Sea el amplificador de audiofrecuencia de clase A mostrado en la siguiente figura. A ) Disear el amplificador de forma que entregue la mxima potencia a una carga RL de 750W, considerando los condensadores de valor elevado (realizar un diseo aproximado). B ) Modificar el diseo realizando un acoplo por transformador, entregando la mxima potencia de salida a una carga RL de 5W. Determinar la amplificacin de salida. DATOS: ICmax =1A, VCEmax =50V, PDmax =5W, bMIN =30, Tc=25. Sol A)Rc = 150 W ; Re = 15 W ; Vcc = 58 V ; R1 = 662 W ; R2 = 48 W. B ) N = 5 ; Vcc =
28 V

Ejer12.mcd ; Tamao (837KB)

EJERCICIO 13. [7]

Disear un circuito amplificador de clase AB. A) Disear un circuito amplificador de clase AB de la siguiente figura, que pueda abastecer el mximo voltaje de salida, con una resistencia de carga de 5W ,con una corriente IQ =2 mA ; VCC = 12V. DATOS: (Diodo) IS = 10-13 A ; VD1 = VD1 = 0.7V y IDmin = 1 mA que asegure la conduccin. (Transistor ) f = 50 ; VBE = 0.7V ; VCEsat = 0.2V ; VT=25.8 mV. B) Hallar el voltaje en los diodos VBB para una tensin de salida Vo = 0V y Vo = 11.8V. Sol A)R1 = R2 = 1994 W ; B) VBB = 1.277V y VBB = 1.19V.

Ejer13.mcd ; Tamao (555KB) EJERCICIO 14. [6]

Para la etapa de salida de la figura, Vcc=15V y que para todos los dispositivos VCEsat =0.2V,VBEon = 0.7V y = 50, R1=20kW. A)Calcular los limites mximos positivos y negativos para RL=10kWy RL=2kW.B) Calcula la potencia mxima promedio que se puede entregar a RL antes de que ocurra el recorte para RL=10kWy para RL=2kW.Calcular la eficiencia del circuito correspondiente y la potencia promedio disipada por cada uno de los dispositivos de salida. Desprecie la distorsin por cruce y suponga seales senoidales.

Ejer14.mcd ; Tamao (517KB)

BIBLIOGRAFA. [1] Research and Education Association; "The electronics problem solver".Piscataway, New Yersey. 0885. [2] Garcia, S. y otros; Problemas de electrnica; Ed. Marcombo.1990. [3] Allan R. Hambley; Electronics a top-down approach to computeraided circuit desing. Mc Millan Publishy Company. [4] Savan, Roden, Carpenter; Diseo electrnico. Ed. Addison-Wesley Iberoamericana. [5] Aguilar Pea, J.D; Amplificadores de Potencia, Teora y problemas. Ed. Paraninfo.

[6] Gray P.R., Meyer R.G.; Anlisis y diseo de Circuitos integrados analgicos. Prentice Hall. [7] Rashid, M.H. ; Circuitos Microelectrnicos "Analisis y Diseo".Ed. Thomson.
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