Capacitancia de En la regin deMiller los elementos alta frecuencia

capacitivos para modificar el estilo de 1as de importancia son Haga clic capacitancias patrn interelectrdicas (entre subttulo del terminales) internas del dispositivo activo, y la capacitancia del alambrado entre las terminales del circuito. Los grandes capacitores del circuito que controlan la respuesta a baja frecuencia fueron reemplazados por sus equivalentes de corto circuito debido a sus bajos niveles de reactancia.

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El efecto Miller de la capacitancia de entrada se define como:

Donde Cf es la capacitancia base-colector

Para cualquier amplificador inversor, la capacitancia de entrada ser incrementada por una capacitancia de efecto Miller sensible a la ganancia del amplificador, y la capacitancia interelectrdica estar conectada entre las terminales de entrada y 4/29/12 salida del dispositivo activo.

El efecto Miller tambin incrementar el nivel de la capacitancia de salida, el cual debe considerarse cuando se determine la frecuencia de corte a alta frecuencia.

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Amplificador BJT

En la imagen se muestran las capacitancias parsitas (Cbe, Cbc y Cce) del transistor, as como las capacitancias de alambrado introducidas durante la construccin (Cwi, 4/29/12 Cwo).

El siguiente circuito es el equivalente al del amplificador BJT donde se han excluido CS, CC y CE que se encuentran en estado de corto en altas frecuencias. La capacitancia Ci se obtendr de la siguiente forma:

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La capacitancia siguiente forma:

Co

se

obtendr

de

la

La frecuencia de corte se obtendr mediante el circuito equivalente de thvenin:

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Donde:

Donde:

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Amplificador FET

El analisis del amplificador FET en alta frecuencia es muy similar al de BJT

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Debido a que es un amplificador inversor, aparecera una capacitancia por el efecto de Miller en el circuito equivalente de ac para alta frecuecuencia

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La frecuencia de corte se obtendr mediante el circuito equivalente de thvenin:

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Donde:

y:

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