NOMENCALTURA

Todos los semiconductores tienen serigrafiados nmeros y letras que especifican y describen de que tipo de dispositivo se trata. Existen varias nomenclaturas o cdigos que pretenden darnos esta preciada informacin. De todas destacan tres: PROELECTRON (Europea) que consta de dos letras y tres cifras para los componentes utilizados en radio, televisin y audio o de tres letras y dos nmeros para dispositivos industriales. La primera letra precisa el material del que est hecho el dispositivo y la segunda letra el tipo de componente. El resto del cdigo, nmeros generalmente, indica la aplicacin general a la que se aplica. Para la identificacin de estos dispositivos se utiliza la tabla que sigue a continuacin.

La primera letra indica el material semiconductor utilizado en la construccin del dispositivo A B C D R A B C D E F L P R S T U X Y Z Germanio Silicio Arseniuro de Galio Antimoniuro de Indio Material de otro tipo La segunda letra indica la construccin y utilizacin principal del dispositivo Diodo de seal (diodo detector, de conmutacin a alta velocidad, mezclador). Diodo de capacidad variable (varicap). Transistor, para aplicacin en baja frecuencia. Transistor de potencia, para aplicacin en baja frecuencia Diodo tnel. Transistor para aplicacin en alta frecuencia. Transistor de potencia, para aplicacin en alta frecuencia Dispositivo sensible a las radiaciones. Dispositivo de conmutacin o de control, gobernado elctricamente y teniendo un efecto de ruptura (tiristor). Transistor de aplicacin en conmutacin. Dispositivo de potencia para conmutacin o control, gobernado elctricamente y teniendo un efecto de ruptura (tiristor). Transistor de potencia para aplicacin en conmutacin Diodo multiplicador (varactor). Diodo de potencia (rectificador, recuperador). Diodo Zener o de regulacin de tensin. La serie numrica consta: a) De tres cifras (entre 100 a 999) para dispositivos proyectados principalmente en aparatos de aplicacin domstica (radio, TV, registradores, amplificadores). b) Una letra (X,Y,Z), seguida de dos cifras (de 10 a 99) para los dispositivos proyectados para usos principales en aplicaciones industriales y profesionales. Ejemplos: BC107 Transistor de silicio de baja frecuencia, adaptado principalmente para usos generales. BSX 51 Transistor de silicio de conmutacin, adaptado principalmente para aparatos industriales. En algunos casos, para indicar variaciones de un tipo ya existente, la serie numrica puede ir seguida de una letra: BSX51A Transistor similar al BSX51, pero especificado para una tensin ms alta.

En Estados Unidos se utiliza la nomenclatura de la JEDEC ( Joint Electronic Devices Engineering Council) regulado por la EIA (Electronic Industries Association), que consta de un nmero, una letra y un nmero de serie (este ltimo sin significado tcnico). El significado de los nmeros y letras es el siguiente: 1N Diodo o rectificador 2N Transistor o tiristor 3N Transistor de Efecto de Campo FET o MOSFET

Los fabricantes japoneses utilizan el cdigo regulado por la JIS (Japanese Industrial Standards), que consta de un nmero, dos letras y nmero de serie (este ltimo sin ningn significado tcnico). El nmero y letras tienen el siguiente significado: Nmero 0 1 2 3 Foto transistor Diodo, rectificador o varicap Transistor, tiristor Semiconductor con dos puertas S Primera letra Semiconductor A B C D F G J K Ejemplo.- 2SG150: Tiristor de puerta N El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan, debido a la caracterstica constitucin de los mismos, fuertes campos elctricos que causan la rotura de los enlaces entre los tomos dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin. Su caracterstica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensin inversa nominal y superando la corriente a su travs un determinado valor mnimo, la tensin en bornas del diodo se mantiene constante e independiente de la corriente que circula por l. Segunda letra Transistor PNP de A.F. Transistor PNP de B.F. Transistor NPN de A.F. Transistor NPN de B.F. Tiristor de puerta P Tiristor de puerta N FET de canal P FET de canal N

Tres son las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre si: a.- Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener.- Es la tensin que el zener va a mantener constante. b.- Coriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensin en sus bornas c.- Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos indica el mximo valor de la corriente que puede soportar el Zener. Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensin en sus bornas a un valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor minimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener mxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.

SEMICONDUCTORES
La mayor parte de los dispositivos electrnicos modernos estn fabricados a partir de semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos dispositivos cuando se insertan en un circuito elctrico, es necesario conocer el comportamiento de los componentes desde un punto de vista fsico. Por ello, en este tema se presentan las propiedades y caractersticas fundamentales de este tipo de materiales. Si los conductores son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes carecen de ellos, los semiconductores se encuentran en una situacin intermedia: a la temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero mediante una aportacin de energa puede modificarse esta situacin, adquiriendo un comportamiento ms cercano al de los conductores. Los materiales semiconductores de uso comn en la tecnologa microelectrnica son el silicio, el germanio y el arseniuro de galio. Se trata de elementos del grupo IV de la tabla peridica, o bien combinaciones de elementos de los grupos III y V. De todos ellos, el ms empleado actualmente es el silicio, por lo que la discusin en este tema va a estar centrada en dicho elemento. No obstante la gran mayora de lo aqu expuesto puede aplicarse a cualquier semiconductor.

ESTRUCTURA DEL SILICIO

El silicio es un elemento con una gran cantidad de aplicaciones. Es el segundo elemento ms abundante en la corteza terrestre (despus del oxgeno) con un porcentaje en peso del 25,7%. Est presente en multitud de materiales, tan diversos como la arena, la arcilla, el vidrio o el hueso. El silicio puro no se encuentra en la naturaleza, pero bajo las condiciones adecuadas pueden obtenerse en forma de estructuras monocristalinas. En stas los tomos se disponen segn una red tipo diamante con simetra cbica, en donde cada tomo forma enlaces covalentes con otros cuatro adyacentes. As todos los tomos tienen la ltima rbita completa con ocho electrones (Figura 4.1).