UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS ELECTRNICA E INDUSTRIAL

ING. ELECTRNICA Y COMUNICACIONES

FISICA DE SEMICONDUCTORES IV
INTEGRANTES:

Alexandra Aldaz Ana Borja Vernica Lozada Alex Garcs

Semestre: Cuarto

ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Punto reticular: in, tomo o molcula que se repite infinitamente

Lneas rectas imaginarias que forman la Celdilla unidad

El patrn se repite en el espacio y Forma el retculo cristalino

Tipos de estructuras
Redes cbicas sencillas Redes cbicas centradas en el cuerpo (BCC)-fe y Cr Redes cbicas centradas en las caras (FCC)-Au, Cu, Al, Ag Redes hexagonales compactas (HC)Zn,Ti, Mg-

Blenda de Zinc
Blenda de zinc, sulfuro de zinc (ZnS) o esfalerita es el mineral primario de zinc, por lo general ocurre en los cristales de color amarillo-marrn o negro

Estructuras de diamante
Es un mineral compuesto de carbono, es la piedra preciosa cuya composicin es la ms simple, El diamante tiene a veces rastros de nitrgeno que pueden ir hasta el 0,20 % y una proporcin muy pequea de elementos extraos. Cada tomo est vinculado, enganchado a otros por enlaces muy fuertes y muy cortos. Estos enlaces son covalentes y cada centro de estos tomos est distanciado de su vecino solamente por una distancia del orden de 1,54 ngstrom

Formas de cristalizacin del diamante

Estructuras hexagonales cerradas

Dos caras, una superior y otra la base de la celda unidad, que consiste de 6 tomos que forman un hexgono y un tomo simple en el centro de estas caras. Hay adems otro plano que provee 3 tomos adicionales en la celda, que est ubicado entre las caras superior e inferior. El IC o nmero de tomos es 6. El factor de empaquetamiento de la celda unidad hexagonal compacta es 74%.

REDES DE BRAVAIS
Son paraleleppedos que constituyen la menor subdivisin de una red cristalina que conserva las caractersticas generales de toda la retcula, de modo que por simple traslacin del mismo, puede reconstruirse el slido cristalino completo

Cbica

Tetragonal

Ortorrmbica

Monoclnica

EJERCICIOS DE APLICACIN RESUELTOS

BANDAS DE ENERGIA

Excitaciones trmicas en semiconductores por arriba de los 00K permite a los electrones saltar la energa de banda prohibida de la banda de valencia a la de conduccin esencialmente la energa necesaria para romper un enlace

Portadores mayoritarios y minoritarios

Si tenemos un material tipo N por el que circula

corriente, los portadores mayoritarios sern los electrones que le sobran por el dopaje junto con los electrones que saltan debido al calor y los portadores minoritarios sern los huecos producidos al marcharse los electrones de su sitio. Por el contrario, en un semiconductor tipo P los portadores mayoritarios sern los huecos que tiene en exceso por el dopaje ms los huecos que se producen por efecto del calor, mientras que los portadores minoritarios sern los electrones que han saltado de su sitio.

Densidad de corriente de deriva

La densidad de corriente del electrn se encuentra por el producto de la carga y la velocidad para todos los electrones por unidad de volumen. Similar para los huecos

Efecto Shockley-Read-Hall
Generacin de portadores en las regiones de carga espacial y la recombinacin en las regiones por ejemplo, inyeccin de alta se modela utilizando la conocida Shockley-Read-Hall (SRH) ecuacin:

Las variables auxiliares n1 y p1 se definen por:

 Por nivel de la trampa ET de energa localizado en la brecha mediados n1=p1=ni y la velocidad de recombinacin tiene su mximo. Las variables Nc yNv son los portadores densidades efectiva de los Estados. La dependencia de la temperatura de celosa TL viene dada por las variables n1(TL)y p1(TL)y los tiempos de vida de recombinacin de electrones y huecos, Tn(TL)y Tp(TL) . Las velocidades de transporte trmico a 300 K se calculan utilizando:

para obtener los tiempos de recombinacin a 300 K

Los tiempos de recombinacin se modelan usando trampas de donante, aceptor, o de tipo neutro, respectivamente, de densidad de trampas NT , Y las secciones transversales de captura trampa para los electrones y huecos, . El efecto de la recombinacin de superficie se incluye mediante el uso de no-cero velocidades de recombinacin de superficie para los electrones Sn y los agujeros Sp , Respectivamente. El efecto es ms fuerte con la disminucin de la distancia a la superficie y.

DIAGRAMAS DE BANDAS DE ENERGIA (E-K)

 A T=0K todos los enlaces permanecen intactos aislante

Electrones y Huecos

Existen dos bandas cerca del tope de la banda de valencia de diferentes espesores, para huecos pesados y huecos ligeros.

Transportadores de carga y nivel de Fermi

Funcin de Fermi

f(E) : Probabilidad que un estado de energa E est ocupado EF : Nivel de Fermi(potencial qumico) k : Constante de Boltzman T : Temperatura absoluta

Estados localizados de energa

La Energa de Fermi es la energa del nivel ms alto ocupado por un sistema cuntico a temperatura cero

En cero absoluto, todos los estados correspondientes a una energa menor que el nivel de Fermi estn ocupados
Mientras que los estados de energa superior estn vacos. Estados con energa menor que la del nivel de Fermi f(E) > 1/2 Energa superior f(E) < 1/2.

Efecto de la temperatura
Est dado por: Tf = Ef / KB Para bajas temperaturas, la distribucin de Fermi es una funcin escaln que vale 1 si E < Ef y 0 si E> Ef. Es decir que las partculas van colocando desde el nivel ms bajo de energa hacia arriba debido al Principio de exclusin de Pauli hasta que se hayan puesto todas las partculas.

Efecto de la temperatura
Semiconductor intrnseco
Al aumentar la temperatura aumenta la conductividad
Mayor concentracin a los portadores.

Semiconductor extrnseco
Temperaturas bajas.Concentracin de portadores que favorecen la conduccin Temperatura altas.-Pares electron-hueco empiezan a ser significativos porque conductividad nuevamente se incrementa .

Concentracin de portadores vs nivel de Fermi y el dopaje de impurezas donantes y aceptantes.

Consecuencia del dopado
Aumento de la concentracin de portadores
Es mayor que la concentracin de impurezas aadidas

Portadores de carga mayoritarios : electrones Portadores de carga minoritarios: huecos

Semiconductor tipo N Donador

Semiconductor tipo P Aceptor

Portadores de carga mayoritarios: huecos Portadores de carga minoritarios: electrones

Concentracin de portadores vs nivel de Fermi y el dopaje de impurezas donantes y aceptantes.

Concentracin de electrones

Concentracin de Huecos

Donde: EF: Energa de Fermi Ev: Energa de valencia

Dopaje no degenerado vs Degenerado o pesado Dopaje degenerado

No degenerado o moderado

Semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor

- Este dopaje se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

- Cuando la introduccin de impurezas se realiza de manera controlada - Pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de tomos)