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ELECTRONICA

TRANSISTORES

ELECTRONICA ,-2008 GUTIERREZ NAVARRO EFREN

TRANSISTOR POR UNION BIPOLAR


- Denominado BJT (Bipolar Junction Transistor) - De acuerdo con la unin de sus componentes se clasifican en:

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C

FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT npn

- El funcionamiento de un transistor BJT puede ser explicado como el de dos diodos pn pegados uno a otro. - En este esquema (condicin directa), la unin Base Emisor (BE) acta como un diodo normal.

- Note en la grfica el flujo de electrones y huecos, siendo la corriente de huecos menor.


- A partir de ese momento, mediante el mismo mecanismo del diodo, se produce una corriente de base a emisor.

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- Conectemos ahora en forma inversa la conexin Base Colector (BC).


- Los electrones emitidos por el emisor se dividen en dos: unos que se dirigen hacia la base, recombinndose con los huecos, y otros que pasan esta zona y se dirigen al colector. - La zona de la base se construye muy angosta, De ese modo la probabilidad de paso es mayor. - Aparece un flujo neto de (convencional) de colector al emisor. corriente

- La corriente que fluye al colector es mayor que la que fluye a la base del circuito exterior. - De acuerdo con la I Ley de Kirchoff:

y adems: donde es el factor de amplificacin (20 200)


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Para analizar la caracterstica i v de un transistor se debe tomar los siguientes pares:

iB vBE iC vCE

Este ltimo par origina una familia de curvas.

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En este caso, el comportamiento es similar al de un diodo. La fuente ideal IBB inyecta una corriente en la base, en conexin directa. Variando IBB y midiendo la variacin vBE se obtiene la grfica mostrada. ELECTRONICA BASICA, 2003
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Conectamos ahora una fuente de voltaje variable al colector.

De este modo, variando vCC, variamos el voltaje vCE y por consiguiente la corriente en el colector. Esto adicionalmente a la variacin de iB. Se genera toda una familia de curvas, una para cada valor de iB.
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Puede distinguirse cuatro zonas en la grfica:


REGION DE CORTE: Donde ambas uniones estn conectadas en contra. La corriente de base es muy pequea, y no fluye, para todos los efectos, corriente al emisor. REGION LINEAL ACTIVA: El transistor acta como un amplificador lineal. La unin BE est conectada en directo y la unin CB est en reversa. REGION DE SATURACION: Ambas uniones estn conectadas en directo.

REGION DE RUPTURA: Que determina el lmite fsico de operacin del transistor.

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DETERMINACION DE LA REGION DE OPERACIN DE UN TRANSISTOR BJT


Asumamos que los voltmetros dan las siguientes lecturas:

Podemos, en primer lugar determinar que


lo que quiere decir que la conexin BE est conectada en directo.

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La corriente en la base ser:

Al mismo tiempo, la corriente en el colector ser:

Y la correspondiente ganancia:

ELECTRONICA , 2008 carlos Acarapi

El transistor est en la regin lineal activa, ya que hay ganancia.


Finalmente, el voltaje entre colector y emisor:

De modo que podemos hallar el rgimen de trabajo en las grficas.


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Para responder a esta pregunta deberemos determinar si las uniones BE y BC se encuentran en conexin directa o inversa. En la regin de saturacin ambas conexiones estn en directo. En la regin activa, BE est en directo y BC en reversa. De los datos anteriores: Ejemplo: Hallar el rgimen de trabajo del transistor en el circuito mostrado si: Ambos estn en directo.

El ltimo valor nos indica que estamos en la regin de saturacin.


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ELECCION DE UN PUNTO DE OPERACIN DE UN TRANSISTOR BJT Usemos el circuito mostrado para calcular el punto de operacin, tambin denominado punto Q. Las correspondientes Ecuaciones de Kirchoff:

De la ltima ecuacin obtenemos una recta cuyos interceptos y pendiente son:

Trazando esta recta, se encuentra el referido punto Q en el cruce de este recta con la curva de la familia correspondiente a la corriente de base.

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En este punto, el BJT puede usarse como amplificador lineal

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