• Plantea un modelo

matemático de potencial
iónico periódico que
permite describir el
comportamiento de los
electrones dentro de un
material

Superposición de las
funciones de potencial
de átomos adyacentes.
Función Potencial de un
solo átomo aislado.
 Región 1: Ep=0
Modelo simplificado
Región 2: Ep= Eo idealizado de la función de
energía potencial
• Función de energía periódica donde:
potencial periódica infinita en •Eo= energía potencial
una red cristalina mínima para mantener a la
unidimensional infinita. partícula atrapada en el
cristal.
•Ep(x)= energía total de la
partícula.
• El movimiento de la partícula de
este modelo está descrito por la
ecuación de Schrödinger
independiente del tiempo:
Región I: Ep=0

El potencia del cristal se describe

por medio de la función de Bloch
periódica u(x).

La función de onda ψ(x) tiene

una amplitud modulada en x:
Región II: Ep=Eo
• Las
soluciones de las
ecuaciones:

• Análogamente como se
desarrolló con la región I:
Las condiciones Al resolver éstas ecuaciones se obtiene un sistema de 4
de contorno: ecuaciones con 4 incógnitas que conducen a la ecuación:

• X=0

1) El 1er miembro es una relación

trigonométrica.
2) El 2do miembro es una función
armónica válida entre +1 y -1.
3) El 1er miembro puede dar valores
mayores que 1.

• X=a y X= -b
K está cuantificado por las
condiciones del Teorema
de Bloch

N= N° de átomos.
(a+b)= parámetros de red.
E ~K2 , relación parabólica
Resolución gráfica de la ecuación de
Kronig-Penny que demuestra la aparición de las Las bandas permitidas y prohibidas se
zonas de energía permitida y la banda de energía grafican en la relación E vs. k
prohibida.
Representación bidimensional del Representación bidimensional de la
enlace covalente en un semiconductor ruptura de un enlace covalente.
para T= 0 °K.

Representación correspondiente de banda de

energía y generación de cargas negativas y
positivas con el rompimiento de un enlace
covalente
 Niveles
mayormente
Todos los vacíos para
niveles vacíos T> 0 °K
para T= 0 °K

Banda
de
conducción

Banda
de
valencia

Todos los Niveles

niveles mayormente
llenos para llenos para
T=0 °K T>0 °K
Se produce cuando se somete la sustancia
semiconductora a un potencial definido o a la
acción de un campo eléctrico externo.

J= densidad de corriente de arrastre

Vi= velocidad de arrastre de los
iones individualmente.
Es la masa que parece tener en un cristal según
el modelo semiclásico de transporte. Esta masa
se suele expresar como una constante por la
masa del electrón.
HUECO: es un estado electrónico
vacío que se comporta como si fuera
una partícula con carga positiva.

V(E)= velocidad de un electrón

con estados totalmente llenos.
 Donde m* es la masa efectiva negativa. C2
es una cantidad positiva. Significa que el
electrón se mueve cerca de la parte
superior de una banda permitida y se
comporta como si presentara una masa
negativa.

Con m*
como
cantidad
negativa Un electrón que se mueva cerca de la
parte superior de una banda permitida
se mueve en la misma dirección del
campo aplicado.
•Posee una banda prohibida
muy grande, es decir, requiere
de mucha energía para llevar
un electrón de la banda de
valencia a la banda de
conducción Eg ≈ 10eV.
•La banda prohibida es pequeña,
la energía Eg ≈ 1eV posee una
resistividad media paa T>0°K,
una conductividad que depende
de la presencia de la energía
externa, BV casi llena, BC casi
vacía y fluye una pequeña
corriente ante un campo.
•La banda de conducción y
de valencia se solapan,
poseen electrones muy
débilmente asociados al
medio, tienen baja a muy
baja resistividad, alta
conductividad, BV llena, BC
parcialmente llena, flujo alto
de corriente ante un campo
y Eg<<1 o 0.
 Plano tridimensional
(100) de un cristal
cúbico centrado en las En esta estructura de En esta estructura
caras, se muestras las bandas de energía del de bandas de
direcciones [100] y [110] GaAs se observa el energía del Si se
punto mínimo de la BC observa el mínimo
alineado con el de Bc con el
máximo de la BV y se mínimo de BV y se
genera un FOTÓN. El genera un
GaAs es un FONÓN.El Si es un
semiconductor de BP semiconductor de
directa, donde k=0 BP indirecta,
K=0 donde k≠ 0.
K≠ 0
Arreglo bidimensional
de estados cuánticos
permitidos en el
espacio k.

Un octavo del
espacio
esférico k Puesto que el
estado puede
positivo. modelarse como
una esfera.
Función de
densidad de
estados del
semiconductor.
•Es un semiconductor ideal,
es decir, su red cristalina
está formada solamente por
átomos de un mismo tipo
(Si o Ge), además no
presenta defectos en su
estructura y sus enlaces
covalentes se encuentran
completos.

Si intrínseco
con impurezas Si tipo p Si tipo n con
despreciables. con donadores
aceptores (fósforo). Un
(boro). Se electrón queda
crea un libre en BC.
hueco en
la BV
•n= número de niveles ocupados en la •n= densidad de electrones en el
BC. fondo de la banda de conducción.
•F(E)= función de distribución de
•p= densidad de huecos en la banda
Fermi-Dirac donde:
 K= constante de Boltzman. de conducción.
 T= temperatura de Fermi de energía.
 Ef= nivel de Fermi de energía.
 •Integral de
Fermi-
Dirac F1/2
en función
de la
energía de
Fermi.

•Densidad de
portadores
•p= densidad de huecos en la banda intrínseco de
de conducción. Condición NO Ge, S iy
DEGENERADA. GaAs en
función del
•Ef= nivel de Fermi del material inverso de la
intrínseco, está cerca del medio de la Temperatura
BP.
•Ti = temperatura intrínseca.

Por debajo de Ti la
concentración de
portadores es
independiente de la
temperatura, mientras que
por encima aumenta
exponencialmente con la
temperatura.
•NIVEL DE FERMI: Es la probabilidad
que tiene un portador para alcanzar
un determinado nivel de energía

• Esquema de banda de energía,

Estados de la Densidad, Distribución
de Fermi-Dirac y la concentración de
portadores para el semiconductor
intrínseco en equilibrio térmico. pn=ni2
. Las densidad intrínseca de
portadores igual puesto que hay la
misma concentración de electrones.

•Esquema de banda de energía, la

densidad de estados, la distribución de
Fermi-Dirac y la concentración de
portadores para el semiconductor tipo n
en equilibrio térmico. pn=ni2.

•Esquema de banda de energía, la

densidad de estados, la distribución de
Fermi-Dirac y la concentración de
portadores para el semiconductor tipo
p, en equilibrio térmico. pn=ni2.
• n= densidad de
electrones en la BC.
• p= densidad de
huecos en la BV.
• ND+= dadores
ionizados.
• Nc= condición de
neutralidad.
•NA- = aceptores
ionizados.

•Método gráfico para determinar el nivel

de Fermi. El nivel de Fermi se acerca a la
BC. Se autoajusta hasta que todos los
dadores se ionizan.

•Densidad electrónica en función de la Temperatura
para una muestra de Si con una concentración de
impurezas dadoras de 1015cm-3. A mayor temperatura
existe mayor número de electrones puesto que la
temperatura rompe enlaces.
•Nivel de Fermi par Si en función de la
temperatura y de la concentración de
impurezas. Se agregó en la figura
también la dependencia que presenta la
banda de energía de la temperatura. A
mayor número de dadores el nivel de
Fermi está más cerca de la BC, incluso
puede llegar a estar dentro de ella.
•Ec= Fondo de la BC.
•Ev= tope de la BV.
•Ef= Nivel de Fermi.
•Ei= nivel intrínseco.
•La movilidad de arrastre disminuye con
las concentraciones y genera un campo •Movilidad de arrastre del Ge, Si y
eléctrico. Los electrones poseen mayor GaAs para 300 °K en función de la
movilidad que los huecos. concentración de impurezas.
•La movilidad de conducción es
equivalente a la movilidad de •Variación de la movilidad en función del dopaje
arrastre. para los siguientes materiales semiconductores:
•Dn, Dp= ecuaciones de Einstein. a) Silicio. b) Germanio. c) Arseniuro de Galio.
• E= intensidad de
campo.
•ρ = Resistividad.
•J= densidad de
corriente.
=
conductividad.

•Factor de corrección para mediciones

de la resistividad usando una muestra
de cuatro puntos. Una corriente pequeña
fluye de una fuente constante a través
de dos puntos.
•Resistividad en función
de la concentración de •Resistividad en función de la
impurezas del silicio para concentración de impurezas del
Ge, GaAs y GaP para 300°K.
300°K.
 •EFECTO HALL: Estudia el efecto a la
presencia de un campo magnético
sobre cada partícula que está en la
muestra de un material semiconductor.

•En la figura se observa una muestra de material

semiconductor tipo P, la cual es atravesada por una corriente •Vy= tensión enerada en y.
eléctrica en la dirección x (Ix), también se aplica un campo •Rh= coeficiente de hall.
magnético, en la dirección z (Bz), el cual actúa sobre los •W= espesor de la muestra.
portadores de carga mayoritarios que se desplazan a través de •T= tiempo medio entre colisiones.
la muestra de material semiconductor.
•Recombinación: es cuando el portador
que vaga por la estructura llena un
hueco en la BV.
•Un par electrón hueco recombina emisión
de fotones (proceso radiactivo)
1.Captura de un electrón por un centro no ocupado.
2. Emisión de un electrón por un centro ocupado a la banda de
conducción.
3. Captura de hueco por un centro ocupado que contiene un electrón.
4. Emisión de hueco por un centro no ocupado.
•Niveles múltiples de
recombinación en la BP.