•De un canal

•Ranurado en V
•Multicanal

•Difuso
•De crecimiento
•De Heterounión

•De una compuerta

•De doble compuerta
•De estructura interdigital

•Árbol de la
familia de
los
NMOS, PMOS
transistore
HMOS
s de efecto
DMOS, DIMOS
de campo. VMOS
SOS, SOI
 Curva característica
Modelo Schockley de una
básica I-V del JFET. Se
unión del transistor de
muestra las regiones
efecto de campo
lineal, de saturación y de
ruptura
Transconductancia en la
región de saturación
 Factor de multiplicación para una distribución específica

A: Todas C: Todas
Parámetros Factor las cargas B: uniforme las cargas
Ecuaciones del
Común para y=2a para y=0 efecto de
campo para una
distribución de
gmáx 2Zμρa/L 1 1 1 carga
específica
en una
estructura
rectangular de
Vp 4ρa2/Єs 1/4 1/8 0
un JFET de tipo
reflexión.

Ip 8Zμρ2a3/ Єs L 1/8 1/24 0

gmáxVp / Ip
1 2 3 4
 Símbolo un JFET
y MESFET tipo n y
tipo p
normalmente ON y
normalmente OFF
Comparación de las Comparación de las
curvas curvas
características I-V, características I-V,
MESFET MESFET
Normalmente Normalmente
ON OFF
Velocidad de arrastre en
función del campo eléctrico
para Si, GaAs y InP
 Gráfico de la corriente de drenaje
normada en función de la tensión
de drenaje con la tensión de
compuerta como parámetro para
movilidad dependiente del campo
Gráfico de la z=3.
corriente de drenaje
normada en función
de la tensión de
drenaje con la
tensión de
compuerta como
parámetro para el
caso de movilidad
constante

Tensión
VDsat
de drenaje de
Saturación normada normado
Um en función de en función
(VG+Vbi) / V, usando de
el valor absoluto (VG+Vbi)/VP.
de VG,
Modelo de dos regiones. La Región I muestra
Constante movilidad y la región II muestra
velocidad saturada. La velocidad inicia la
saturación para la anchura de la región de
vaciamiento YC.
Dependencia de la apertura del canal Longitud relativa de la región de
de la corriente de drenaje normada saturación de la velocidad en función
para z=10 y VD/VP=1, de la tensión de drenaje normada y
L/a.
Característica de
transferencia de
diferentes
distribuciones de
carga
 Perfil del campo eléctrico y curva
característica corriente-tensión de
un MESFET de Si para diferentes
condiciones de polarización de
compuerta y drenaje.

Capa de silicio Se agrega una

tipo n sobre un unión o
sustrato aislante. compuerta
metal-
semiconductor

•Campo eléctrico
•Єs: campo crítico. más intenso.
•X1: se alcanza la •Se aceleran los
velocidad de portadores.
saturación •La corriente
permanece
constante

•Tensión negativa
de compuerta. •Alta
•Alta resistencia concentración
debida a pequeña •Se forman
b2 dipolos.
•Campo eléctrico

•Velocidad de
arrastre

Incremento pico de
la velocidad del
electrón al entrar en
•Distribución de la región de alta
carga intensidad
de campo (E>EP)
bajo la compuerta
•Donde:
•Ig: corriente inversa de compuerta. •Modelo en pequeña
•Ri: alta resistencia de entrada señal MESFET
•Τ: tiempo de tránsito (tiempo para atravesar el canal).
•Μ: movimiento constante.
•V: velocidad saturada constante.
•Fmáx: fecuencia máxima de oscilación.
•U: ganancia unilateral.
•R1: resistencia entrada/resistencia salida.
•Circuito equivalente para el
análisis de ruido Figura de ruido opcional teórica y experimental
en función de la frecuencia en MESFETS de GaAs
con diferentes longitudes y anchuras de canal