Transistores de potencia de

Potencia.
 Introducción
• Es deseable en el transistor:
• Pequeñas fugas.
• Alta potencia.
• Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir
una alta frecuencia de funcionamiento.
• Alta concentración de intensidad por unidad de
superficie del semiconductor.
• Que el efecto avalancha se produzca a un valor
elevado ( VCE máxima elevada).
• Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
 TRANSISTORES DE POTENCIA Características

Parámetros Bipolar MOS IGBT

Impedancia de
Media (104 ohmios) Alta (1010 ohmios) Media
entrada
Ganancia en corriente Media (10-100) Alta (107) Media

Resistencia ON
Baja Media / alta Media/alta
(saturación)
Resistencia OFF
Alta Alta Alta
(corte)
Voltaje aplicable Alto (1200 V) Alto (1000 V) Media

Máxima temperatura
Media (150ºC) Alta (200ºC) Media
de operación

Frecuencia de trabajo Baja (10-80 Khz) Alta (100-500 Khz) Alta

Coste Medio Alto Alto

 Transistores de potencia en
Conmutación
• Operan en la región de saturación (BJT)
• Voltaje bajo en estado de conducción
• Usado en conversores CA-CD, CD-CD y
CD-CA, con diodos conectados en paralelo
inverso para flujo de corriente
bidireccional.
• Aplicaciones de baja y media potencia
Clasificación de transistores de
potencia.
• BJT (De Juntura bipolar)
• MOSFET (Semiconductor de metal oxido
de efecto de campo).
• SIT (De Inducción estática)
• IGBT (Transistor bipolar de compuerta
aislada)
Estructura interna del Transistor
BJT
INTRODUCCIÓN. Características Generales del BJT

Característica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN de potencia, para
distintas corrientes de base, IB5>IB4>...IB1 y Esquema del BJT de tipo NPN.
Curva característica del transistor
BJT
Característica de transferencia
 Modelo NPN de BJT
Bajo la operación de Gran señal:
La Ec: IE = IC + IB .......(1)

 = hfe = Ic/ IB .......(2)

IC = . IB + ICEO ------(3)

 
ICEO ----- Corriente de Fuga de la
unión JCB Con base en circuito
abierto
Donde: ICEO es despreciable frente
a . IB
 Relación de corrientes del
transistor
IE = IB (1 + ) + ICEO  IB (1 + ) -------(4)

De (1) y (3) IE  IC( 1 + 1/) = IC[ ( + 1)/ ]

------(5)
La corriente de colector se puede expresar como:
IC = .IE ----------(6)

Donde  esta relacionado con  mediante:

 
 = / ( + 1) ó  = / (1 - ) --------(7)
 El transistor como Interruptor
Del Circuito Fig.
 
IB = (VB – VBE) / RB -- - - - - - - -
( 8)

 
Vc = VCE = VCC – IC. RC

VCE = VCC – (. RC/RB)(VB – VBE) - - - - (9)

 
VCE = VCB + VBE ó bien VCB = VCE - VBE - - (10)
Zonas de operación del transistor
• Siempre que:
• VCE  VBE La unión JCB tendrá polarización Inversa
• Entonces el transistor esta en la región ACTIVA 
• Corriente máxima que se puede obtener al ajustar 
• VCB = 0 y VBE = VCE  ICM = (VCC - VCE)/ RC = (VCC – VBE)/ RC - -(11)
• El IBMAX correspondiente: IBM = ICM/  - - - - - (12)
  Si IB es grande > que IBM, tanto VBE Crece  IC crecen
• Por tanto: Se reducirá VCE < VBE,, esto sigue hasta que JCB quede
polarizado directamente
• Con VBC = 0.4 a = 0.5 voltios  el Transistor pasa a saturación.
 Saturación y perdida del BJT
• LA SATURACIÓN DEL TRANSISTOR:
• Es el punto por arriba de cualquier incremento en I B no aumenta
significativamente IC  Transistor en saturación ICS  constante y VCE (SAT) 
• Luego ICS = (VCC - VCE (SAT) ) / RC ---------(13) 
• Y el valor correspondiente de Corriente de Base es:
IBS = ICS /  -------- (14) 
• Normalmente se diseña de modo que: 
• IB sea > que IBS Entonces:
• Factor de SOBREEXCITACIÓN ODF =IB / IBS ---(15)
• Y la relación entre ICS e IB se conoce como:
 FORZADA F: F = ICS / IB ------(16) 
• PERDIDA TOTAL DE POTENCIA EN LAS 2 UNIONES: 
• PT = VBEsat. IB + VCEsatIcs
 Características de conmutación

• Modelo transitorio del BJT

IB es >a la requerida para saturar al transistor la carga excedente
de portadores minoritarios se almacena en la Base proporcional a
ODF (factor de sobre excitación)
Ie = IB – ICS/ = ODF. IBS - IBS = IBS (ODF –1) 
Y la carga de saturación está dado por : 
Qs =  S.IC =  S.IBS(ODF – 1)
 S. Constante de tiempo de almacenamiento del transistor
 Tiempos de conmutación de transistor Bipolar

Durante el retardo se carga la

capacitancia de la unión BEJ
al voltaje directo de
Vbe=0.7v, luego Ic se eleva a
Ics y tr depende de la
capacitancia de la unión BEJ
 Perdida en conmutación del BJT y MOSFET

Por efecto del retardo de conmutación,

se produce un pico de potencia
disipada, porque IC x VCE es alto, por lo
que la potencia media de pérdidas en el
transistor va a ser mayor.
Estas pérdidas aumentan con la
frecuencia de trabajo.
Los tiempos (ton) y (toff) limitan la
frecuencia máxima a la cual puede
conmutar el transistor:
FMAX= 1/ (ton + toff)
 Límites de conmutación
• Ruptura secundaria SB.- Resulta del flujo de corriente a una pequeña
porción de la base que produce puntos calientes localizados => el
calentamiento localizado puede dañar al transistor
• Área de operación segura en directa, FBSOA.- En condición activa y
operación la temperatura Tav. de la unión y la ruptura secundaria limitan
la potencia del BJT, el FBSOA indica limites ic-vce.
• Área de operación segura en inversa RBSOA.- Los límites dado de Ic-
Vce durante la desactivación en polarización inversa de unión Jbe, el
voltaje Vce debe mantenerse a nivel seguro, debajo de Ic especificado.
 Decaimiento de potencia – circuito térmico

Si la perdida de potencia total es PT

La temperatura de la cubierta es:

Tc = Tj - PT.Rjc

La temperatura del disipador de

calor es
Ts = Tc - PT.Rcs Donde:
La tempratura de ambiente es Rjc = Resistencia térmica de la unión
TA = Ts - PTRSA a la cubierta. ºC/W
Rcs =Resistencia térmica de la
Y
cubierta del disipador térmico, ºC/W
Tj – TA = PT(Rjc + Rcs + RSA)
RSA = Resistencia térmica del
disipador térmico al ambiente
 Curva SOA – Avalancha secundaria

El efecto que produce la avalancha

secundaria sobre las curvas de
salida del transistor es producir unos
codos bruscos que desvían la curva.
El transistor puede funcionar por
encima de la zona límite de la
avalancha secundaria durante cortos
intervalos de tiempo sin que se
destruya. Para ello se suministra
unas curvas límites en la zona activa
con los tiempos límites de trabajo,
conocidas como curvas FBSOA.
 Efecto por carga inductiva

Para una carga resistiva,

transistor pasará de
corte a saturación por la
recta que va desde A
hasta C, y de saturación
a corte desde C a A
Con una carga inductiva
el transistor pasa a
saturación recorriendo la
curva ABC, mientras que
el paso a corte lo hace
La incursión en la zona activa que podría
por el tramo CDA
fácilmente sobrepasar el límite de
avalancha secundaria, con valor VCE
muy superior al valor de la fuente (Vcc).
 CIRCUITOS DE PROTECCIÓN
Para proteger al transistor y
evitar su degradación se
utilizan en la práctica varios
circuitos, que se muestran a
continuación
a) Diodo Zéner en paralelo con
el transistor (la tensión nominal
zéner ha de ser superior a la
tensión de la fuente Vcc). A) Y B) limitan la tensión en el
b) Diodo en antiparalelo con la transistor durante el paso de
carga RL. saturación a corte, circula iL a
través de los diodos y carga
c) Red RC polarizada en inductiva, en C) al cortarse el
paralelo con el transistor (red transistor la intensidad inductiva
snubber). sigue pasando por el diodo y por
el condensador Cs
 El efecto producido al incorporar la red
snubber
La red RC, logra que la
tensión en el transistor
durante la conmutación sea
inferior a Vcc, alejándose su
funcionamiento de los límites
por disipación y por avalancha
secundaria. Cuando el
transistor pasa a saturación el
condensador se descarga a Vemos que con esta red, el paso
través de Rs. de saturación (punto A) a corte
(punto B) se produce de forma
más directa y sin alcanzar valores
de VCE superiores a la fuente Vcc.
 Cálculo de Cs
Cs se halla, despreciando las pérdidas. La energía
almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe haberse
transferido a Cs cuando la intensidad de colector se anule.

Cálculo de Rs
 Cálculo de potencias disipadas en
conmutación con carga resistiva
La corriente de
colector. En estas
condiciones (0 <t< tr)
tendremos

Donde Icmax:
Cálculo de parámetros p, Wr, Wf y Pav
Cálculo de potencias disipadas en conmutación
con carga inductiva
 Ataque y protección del transistor de potencia
Los tiempos de
conmutación limitan el
funcionamiento del
transistor, por lo que nos
interesaría reducir su efecto
en la medida de lo posible.
Si queremos que un transistor que
Los tiempos de actúa en conmutación lo haga lo más
conmutación pueden ser rápidamente posible y con menores
reducidos mediante una pérdidas, lo ideal sería atacar la base
modificación en la señal de del dispositivo con una señal como el
base de la figura adjunta.
Circuito y corriente de Base con conmutación
rápida y baja perdida
Control de antisaturación
GRACIAS POR SU ATENCIÓN