ELECTRONICA ANALOGA.

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Carlos Arizmendi

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BUCARAMANGA

 MATERIALES
SEMICONDUCTORES

*
 MATERIALES
SEMICONDUCTORES
 MATERIALES
SEMICONDUCTORES
 MATERIALES
SEMICONDUCTORES

Figura: Interaccion de Atomos de silicio

a) En la figura se observan los

átomos de silicio que no
interactúan entre si.
b) Distribución especial
d) c) Interacción con 4 Atomos de silicio
d) Estructura cristalina
 MATERIALES
SEMICONDUCTORES
 MATERIALES
SEMICONDUCTORES

En un semiconductor intrínseco solo hay un material

Que solo tiene un tipo de átomos asi la cantidad de huecos y
electrones son iguales, conforme aumenta la temperature
aumenta el número de electrónes y de huecos
MODELOS DE BANDAS DE
ENERGIA
MODELOS DE BANDAS DE
ENERGIA
 MATERIALES
SEMICONDUCTORES
 SEMICONDUCTORES
INTRINSECOS
Asi como la concentracion de huecos
y electrones es la misma vamos a
usar la notacion ni= concentracion de
portadores intrinsecos

Movimiento de los
electrones en una B= Es una constante relacionada con
estructura cristalinael semiconductor
creando una corriente Eg= Es el nivel de energias entre
bandas (electron volts).
T =Temperatura (Grados Kelvin)
K=Constante de Boltzman
SEMICONDUCTORES
INTRINSECOS
 MATERIALES
SEMICONDUCTORES
Trabajo en clase
1) Desarrollar el mismo ejercicio (T= 300, 100, 500
Grados Kelvins)
2) Repetir El punto 1 para GE y Ga AS).
3) Conclusiones acerca del ni a medida que aumenta
disminuye la temperatura.
4) Conclusiones acerca del ni entre diferentes
materiales
 SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS
Debido a que la concentración de electrones y huecos
en un semiconductor intrinseco es pequeña, sus
corrientes también, por lo tanto se añade impurezas del
grupo III o del V (P y AS mas usados).
SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS
 SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS TIPO N
Como se utilizan 4
electrons para el enlace
covalente el 5 electron
estara muy debilmente
unido al atomo de
fosforo (grupo V),
rompiendose el enlace a
temp ambiente
contribuyendo a la
corriente de electrones
en el semiconductor
El atomo de fosforo es llamado donador de impurezas , dado
que dona un electron sin generar hueco, a este proceso se
llama dopado
SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS TIPO P
 SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS TIPO P
El boro acepta un
electron por lo
tanto se
denomina
aceptador de
impurezas
Boro es del grupo III , tiene 3 electrones
de Valencia, por lo cual genera un hueco
ya que se necesitan 4 electrones
para el enlace covalente.
El semiconductor que contiene atomos con impurezas del
grupo III se denomina semiconductor tipo P ( por los huecos
que genera).
 SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS
Las concentraciones de electrones y de huecos en un
semiconductor en equilibrio termico sera:

=
=Conentracion de electrones libres en equilibrio termico
=Concentracion de huecos en equilibrio termico

T=(K) Temp Ambiente cada atomo donador dona un electron,

y si la concentracion de donadores es mucho mayor que la
concentracion intrinseca entonces Podemos aproximar ≈

n+ donde n es la concentración intrínseca de

electrones y n->0.
 SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS
=.

T=(K) Temp Ambiente cada atomo receptor acepta un un

electron de valencia, creando un hueco y si la
concentracion de aceptadores es mucho mayor que la
concentracion intrinseca entonces :
Si temenos que p + y si >>p entonces pordemos
aproximar ≈

Donde p es la concentración intrínseca de huecos en

equlibrio térmico y quedara /
SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS
SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS
 SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS
 En un semiconductor  En un semiconductor
Tipo N los electrones
se llaman los
portadores mayoritarios
debido a que ellos
superan en mucho a
los huecos, y los
huecos serán llamados
los portadores
minoritarios

Tipo P los huecos se
llaman los portadores
mayoritarios debido a
que ellos superan en
mucho a los
electrones, y los
electrones serán
llamados los
portadores minoritarios
CORRIENTES DE ARRASTRE
Y DIFUSION
CORRIENTES DE ARRASTRE
Y DIFUSION
 La difusión es creada  El arrastre se origina
por los gradientes de cuando un campo
concentración quizá eléctrico incide sobre
por distribución no un semiconductor y
homogénea en el este campo produce
dopado. una fuerza sobre los
electrones y los
huecos generando un
movimiento.
 CORRIENTES DE ARRASTRE

 Semiconductor Tipo N:  Semiconductor Tipo p:

El electrón produce una El campo eléctrico genera
fuerza en dirección una fuerza sobre los
opuesta a la carga huecos que genera una
adquiriendo una Vd en dirección del campo
velocidad Vdn magnetico produciendo a
produciendo a su vez su vez un flujo Jp
una corriente Jn
CORRIENTES DE ARRASTRE
 CORRIENTES DE DIFUSION
 La corriente de Difusión esta dada por el flujo de partículas
de una zona de alta concentración a una de baja
concentración

Alta concentración Baja concentración Alta concentración Baja concentración

 EXCESO DE PORTADORES

y = Concentraciones del exceso de huecos y

electrones.
LA UNION PN
LA UNION PN EN EQUILIBRIO
Por la difusión los electrones
tenderan a ir de la región n a
la p y los huecos de la región
p a la n, generandose así la
región X=0 produciendose un
campo eléctrico

Si no se aplica voltaje la unión pn , la difusión de

huecos y electrones cesara, debido a que el campo
eléctrico (E) repelerá los huecos de la union n y los
electrónes de la union p
LA UNION PN EN EQUILIBRIO
Región de agotamiento
o espacio carga

La región de iones + y la de Iones – conformaran la

region espacio carga o de agotamiento

Debido al campo el[ectrico en la

regi[on de agotamiento se creará
una diferencia de potencial.
LA UNION PN EN EQUILIBRIO
LA UNION PN EN EQUILIBRIO
 UNION PN POLARIZADA
INVERSAMENTE
 Esta se da cuando se aplica un voltaje Vr a la
union Pn, hacienda que se cree un Campo
Eléctrico Ea lo cual hara que la region de
agotamiento aumente y que no exista flujo de
particulas ya que se empujan los huecos y los
electrones hacia atras
 UNION PN POLARIZADA
INVERSAMENTE
 Por causa de las cargas adicionales de
huecos y electrones se crea una
capacitancia Cj
 UNION PN POLARIZADA
DIRECTAMENTE

Al principio esta el campo Ea de la union en equilibrio,

despues al aplicar un volataje VD se induce un campo E,
hacienda que la barrera de potencial disminuya, estando
los potenciales aplicados harán que los portadores
mayoritarios de la region n (electrones) se difundan a la
region P y los portadores mayoritarios de la region p
(huecos) se difundan a la region n creando una corriente ID
 UNION PN POLARIZADA
DIRECTAMENTE

Ecuaciones de Corriente del

diodo polarizado
directamente

Figura de Corriente del diodo polarizado directamente

 Is : Es la corriente de polarizacion inversa Is=:

 VT=0,026 (T=300 grados kelvin)
 N= Es un parámetro ideal n=1 o n=2 ( generalmente n=1).
 Q= Carga del electron
EL DIODO
EL DIODO
 EFECTOS DE LA TEMPERTURA

Efecto de la temperatura en la corriente

del diodo
 Puesto que Is y VT dependen de la
temperature, en los diodos de silicio el voltaje
de polarizacion directa disminuye 2mv/ y la Is
se duplica por cada 5 grados de aumento en
la temperatura
ANALISIS DC DEL DIODO
TECNICAS DE ITERACIÓN Y
ANÁLISIS GRÁFICO
Determine el voltaje y la
corriente para el circuito de la
figura
VD se tiene como incógnita y
se tendrá que resolver
mediante técnicas de iteración
TECNICAS DE ITERACIÓN Y
ANÁLISIS GRÁFICO

VD Voltaje ID
expresión (v)
0,60 2,7
0,70 99,3
0,61
0,63
0,619 4,99 2,19 ma
 TAREA DE INVESTIGACION

Buscar cada uno de los diodos explicados y explicar 2

aplicaciones prácticas donde se use cada uno de ellos,
colocar gráfica de la aplicación y detallar donde se
implementa.
DIODO ZENER (Sedra smith)
 DIODO ZENER
 Izk = Corriente de rodilla.
 Vz es el voltaje en paralelo con el diodo Zener
a una corriente de prueba Izt ( punto Q).
 Asi un diodo puede tener un voltaje Zener de
6,8v a una corriente de prueba Izt=10mA.
 A medida que aumenta la corriente y se desvia
de Izt cambiara el voltaje entre sus terminals en
un ΔV correspondiendo a un cambio de ΔI.
 DIODO ZENER
 Donde rz es la Resistencia incremental del
Zener y corresponde al inverso de la curva casi
lineal del punto Q, asi rz permanece baj y kte en
una amplia variacion de corriente, pero esta
variacion cambia cerca del voltaje de rodilla
donde rz es muy variable y por lo tanto debe
evitarse operar el Zener en esta region.

 El fabricante especifica el Vz y la potencia que

puede soportar maxima
 MODELO DEL ZENER

Aplica para Iz>Izk y Vz>Vzo

 Aunque Vz0 y Vzk son ligeramente diferentes

en la practica estos dos valores se toman como
iguales.
SOLUCION EJERCICIO
SOLUCION EJERCICIO
SOLUCION EJERCICIO
DISEÑO DEL REGULADOR
ZENER
DISEÑO DEL REGULADOR
ZENER
DISEÑO DEL REGULADOR
ZENER
 CIRCUITOS
RECTIFICADORES
RECTIFICADOR DE MEDIA
ONDA
 CIRCUITOS
RECTIFICADORES
RECTIFICADOR DE MEDIA
ONDA
RECTIFICADOR DE MEDIA
ONDA
RECTIFICADOR DE MEDIA
ONDA
 RECTIFICADOR DE MEDIA
ONDA
 Cuando se este haciendo la selección de los
diodos se debe especificar la corriente máxima
esperada y el voltaje inverso pico y multiplicarse
por dos ( Factor de calidad de 2) . VIP=2Vs
RECTIFICADOR ONDA COMPLETA
=120

𝑁
𝑁 12
Vs1

Vs2
RECTIFICADOR ONDA
COMPLETA
RECTIFICADOR ONDA
COMPLETA
RECTIFICADOR EN PUENTE
RECTIFICADOR EN PUENTE
 En el semiciclo positive
conduciran D1 y D2,
siendo en el semiciclo
negative D3 y D4 los
que conduzcan
 Un punto
importante es
observer que en
ambos semiciclos
la corriente R
circula por la
misma dirección
RECTIFICADOR EN PUENTE
 RECTIFICADOR EN PUENTE
 Calcular el Voltaje
Inverso Pico (VIP) en D3
 El VIP tiene
aproximadamente la
mitad del valor para el
rectificador de onda
complete.
 SE NECESITA SOLO UN DEVANADO, SIENDO
UN FACTOR DE ECONOMIA EN LA
CONSTRUCCION
 RECTIFICADOR EN PUENTE

 En condicion ideal el condensador se empezara

a cargar en t=0 y Tambien se cargara en t=Vp,
asi en t=pi/2 Vo=Vp y por lo tanto Vd=0, el diodo
se abre.
RECTIFICADOR CON CONDENSADOR DE
FILTRO
 RECTIFICADOR CON
CONDENSADOR DE FILTRO
 La constante de tiempo CR>>T, es decir el tiempo
en el que el condensador necesita para cargarse
es mayor que T entonces:
 ASI cuando Vc=Vo=Vp entonces
 Vc=.
 El voltaje del diodo es VD= Vs-Vc.
 El diodo solo conduce en estado estable en un Δt
 Siendo t2 el tiempo cuando se vuelve a cargar el
condensador :
 RECTIFICADOR CON
CONDENSADOR DE FILTRO
 EL voltaje de Cd de salida Vo=Vp -
 Vr es el voltaje de rizado donde Vr=
 ID Promedio=IL(1 + π )
 ID Max=IL(1 + 2π )
 Se observa que para Vr<<Vp ID max≈2ID Prom

 El ángulo de conducción Δt=

 RECTIFICADOR CON
CONDENSADOR DE FILTRO
 RECTIFICADOR ONDA
COMPLETA CON FILTRO
 RECTIFICADOR ONDA
COMPLETA CON FILTRO
 El voltaje de rizado disminuye a la mitad ya que
aumenta su frecuencia al doble
 Se debe tener en cuenta que el voltaje pico para
cada tipo de rectificador es diferente
 Media Onda Vp=Vp- Vd

 Onda Completa Puente Vp= Vp - 2Vd

 Intervalo de Conducción Δt=)/
EJEMPLO
 EJEMPLO

 Encontrar el valor de I y d e V
 CIRCUITOS LIMITADORES Y
FIJACION DE AMPLITUD
 El limitador actúa Como un circuito lineal
proporcional a un voltaje de salida Vo=K *Vi.

 Donde en general K puede ser mayor que 1, los

circuitos que tienen un k≤1 se conocen como
limitadores pasivos.
 Entonces si Vi excede el umbral superior el
voltaje a la salida sera limitado o fijado a L+, por
otro lado si Vi se reduce por debajo del umbral
inferior entonces la salida quedara limitada a L-
CIRCUITOS LIMITADORES Y
FIJACION DE AMPLITUD

Limitador Duro
CIRCUITOS LIMITADORES Y
FIJACION DE AMPLITUD
CIRCUITOS LIMITADORES Y
FIJACION DE AMPLITUD
CIRCUITOS LIMITADORES Y
FIJACION DE AMPLITUD
CIRCUITOS LIMITADORES Y
FIJACION DE AMPLITUD
TRANSISTORES BIPOLARES
ELECTRONICA TEORIA DECIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS (LOUIS
NASHELSKY ROBERT L BOYLESTARD)