Física 4.

Ing. Christian Aldaco.

 El primer transistor creado fue el de puntas de
contacto en 1947 por John Bardeen
 1948 Shockley propuso el transistor bipolar de
unión (npn pnp)
1948 Shockley propuso el transistor bipolar de unión (npn pnp)

Zona de trabajo
Directa-Inversa… Activa
Directa-Directa…Saturación
Inversa-Inversa…Corte
Inversa-Directa… Activa inversa

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 1951 Teal, Spark y Buehler construyeron el
primer transistor de union bipolar con
posibilidades de comercio
 1. Purificación del substrato (Fabricación de
obleas)
 2.- Oxidación
 3.- Litografía y Grabado
 4.- Impurificación
1. El primer paso en la fabricación de un dispositivo
semiconductor es obtener materiales semiconductores, como
germanio y silicio, del nivel de impurezas deseado. Los
niveles de impurezas de menos de una parte en mil millones
(1 en 1.000.000.000) se requiere para la mayor parte de la
fabricación de semiconductores de hoy día.

silicio Germanio.
 La materia prima se somete primero a una serie de reacciones
químicas y a un proceso de refinación de zona para formar un
cristal poli cristalino del nivel deseado de pureza. Los átomos
del cristal poli cristalino se acomodan al azar, mientras que en
el cristal deseado los átomos se acomodan en forma simétrica,
uniforme, con estructura geométrica en enrejado.
 La operación final antes de que la fabricación del
semiconductor se lleve a cabo es la formación de un
solo cristal de germanio o silicio. Esto se puede lograr
usando la técnica de Czochralski o la de zona flotante,
la última es la que se ha diseñado recientemente. El
aparato empleado en la técnica de Czochralski se
muestra en la siguiente diapositiva.
 Este método es utilizado para la obtención
de silicio monocristalino mediante
un cristal semilla depositado por un baño de
silicio. Es de amplio uso en la
industria electrónica para la obtención
de wafers u obleas, destinadas a la fabricación
de transistores y circuitos integrados.
 El método consiste en tener un crisol (generalmente de cuarzo) que
contiene el semiconductor fundido, por ejemplo germanio. La
temperatura se controla para que esté justamente por encima
del punto de fusión y no empiece a solidificarse. En el crisol se
introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un
pequeño monocristal del mismo semiconductor que actúa como
semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor fundido,
éste se agrega a la semilla, solidificándose con su red cristalina
orientada de la misma forma que aquella, con lo que el monocristal
crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se va formando
un monocristal cilíndrico. Finalmente se separa el lingote de la
varilla y pasa a la fusión por zonas para purificarlo.
Proceso de la creación de los cristales
Crisol usado en el proceso

Crisol después del proceso

Lingote de silicio monocristalino
 El proceso parte de un cilindro de silicio policristalino
 Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos a
la semilla
 Una pequeña zona del cristal se funde mediante un
calentador por radio frecuencia que se desplaza a lo largo de
todo el cristal desde la semilla
 El Si fundido es retenido por la tensión superficial entre
ambas caras del Si sólido
 Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el silicio
monocristalino se solidifica en el extremo inferior de la zona
flotante y crece como una extensión de la semilla
Cristal de silicio en el inicio del proceso de
crecimiento
Crecimiento del cristal de silicio
 La estructura del cristal simple producida
puede cortarse en obleas algunas veces tan
delgadas como 1/1000 (ó 0.001) de pulgada
• Las obleas de Si se montan en un carrete de cuarzo
• Este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un horno de
apertura cilíndrica calentado por resistencia

T entre los 850 y 1100ºC

Dos tipos de oxidación: Seca y húmeda

Oxidación Húmeda
Se introduce vapor de agua en el horno
Si(s) +2H2O(g) → SiO2(s) + 2H2(g)

Es mucho mas rápida y se utiliza para crear óxidos gruesos

Oxidación seca
Se introduce gas de oxigeno puro
Si(s) + O2(g) → SiO2(s) + 2H2(g)

Se consiguen óxidos de mayor calidad pero es más lenta

Esta técnica no es apropiada para la creación de óxidos gruesos ya que se puede
producir una redistribución de las impurezas introducidas en los anteriores procesos
 Tipos de Hornos
Horno vertical

Horno horizontal
Se cubre la oblea con una fotoresina + o -

Se hace incidir luz U.V. a través de

una mascara

Se ablanda (+) o se endurece (-) la

resina expuesta

Se elimina la fotoresina no
polimerizada con tricloroetileno

Grabado: se ataca con HCl o HF y se

elimina el SiO2 no protegido por la
fotoresina

Se elimina la fotoresina con un

disolvente Sulfúrico SO4H2

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Grabado
Húmedo y Seco

(a) Húmedo:
• Baño de ácido fluorhídrico o
clorhídrico que ataca SiO2 no protegido,
pero no ataca al Si.
• Gran selectividad
• Problema: ataque isotrópico igual en
todas las direcciones

(b) Seco:
• Se usa un plasma con un gas ionizado
• Grabado Físico o químico
• Ataque anisótropo
• Menor selectividad

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4) Impurificación (adición de dopantes)

Dos métodos: Difusión e implantación iónica

Difusión

Se colocan las obleas en el interior de un horno a

través del cual se hace pasar un gas inerte que
contenga el dopante deseado. T entre 800º y 1200º C

Para Si tipo P el dopante más usual es el Boro y para tipo N se usa el Arsénico
y Fósforo.

Tienen una alta solubilidad en silicio en el rango de

temperatura de difusión.

Se puede distinguir entre dos formas al realizar la difusión:

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a) Con fuente ilimitada: cuando se mantiene la misma concentración de
impurezas durante el proceso
b) Con fuente limitada: se parte de una concentración inicial y no se
añaden mas dopantes
Normalmente se usan los dos métodos uno seguido del otro.
La profundidad de la difusión dependerá del tiempo y de la temperatura.
La concentración de dopante disminuye monótonamente a medida que se
aleja de la superficie.
La técnica de difusión tiene el problema de que las impureza se difunden
lateralmente

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