TRANSISTORES

EFECTO DE CAMPO
ESTUDIANTE:
GROVER CONDORI JIMENEZ
 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Transistor efecto de campo (Fiel Effect Transistor) transistor que usa el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga
TRANSISTOR UNIPOLAR

Posee tres terminales

• Puerta (Gate)
• Drenaje (Drain)
• Fuente (Source)
CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES FET

• Impedancia alta casi 100 MΩ

• No tiene voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador
• Es menos ruidoso
• Son muy sensibles
• Son muy comunes en amplificadores de audio
• Son inmunes a la radiación
TIPOS DE TRANSISTORES FET

• MOSFET
• JFET
• MESFET
• MOD FET
• FREDFET
• DNA FET
• TFT
TRANSISTOR MOSFET (OXIDO SEMICONDUCTOR)
• UTILIZADO PARA AMPLIFICAR O CONMUTAR SEÑALEs
• DISPOSITIVO DE 4 TERMINALES

1. FUENTE (SOURE)
2. DRENAJE (DRAIN)
3. PUERTA (GATE)
4. SUSTRATO (Bulk)
TRANSISTOR JFET
• PUEDE SER UTILISADO COMO INTERRUPTOR
• ES CONTROLADO POR VOLTAJE DE ENTRADA
• POSEEE 3 TERMINALES

1. DRENAJE
2. COMPUERTA
3. FUENTE
TRANSISTOR TFT
• FABRICADO CON PELICULAS DE ALGUN SEMICONDOCTOR ACTIVO
• POSEE PANTALLAS DE CRISTAL LIQUIDO A DIFERENCIA DE OBLEA DE SILISIO
• SU SOPORTE ES DE VIDRIO

ESTRUCTURA
• 1 PLACA DE VIDRIO
• 2 Y 3 POLARIZADORES HORZ Y VERT
• CAPA DE POLIMERO
• ELECTRODOS FRONT Y TRAZ
TECNOLOGIA DE SU PROCESO DE FABRICACION

• El Mosfet es un dispositivo de cuatro terminales llamadas fuente (S),

drenaje (D), puerta (G) y sustrato (B). sin embargo, el sustrato
generalmente esta conectado internamente al terminal de la fuente y por
ese motivo se puede encontrar MOSFET de tres terminales la
característica constructiva común de todos los MOS es que el terminal de
puerta (G) esta formado por una estructura metal-oxido-semiconductor. El
oxido es un aislante con la corriente de puerta por lo que es prácticamente
nula.
PROCESO DE FABRICACIÓN DE UN TRANSISTOR
MOSFET

• Longitud de la puerta del MOSFET: 1µm

• Substrato: Si (100) dopado con Boro con una concentración de 2•1016 cm-3.
• Anchura de la celda de simulación: 5µm
• Profundidad del substrato: 0.3 µm
• Sobre una capa difundida con determinada impureza pueden volverse a difundir
impurezas de signo contrario con una concentración más elevada, formándose
así sucesivas uniones NP, que dan lugar a los diversos componentes:

• Mas tarde se sueldan los terminales.

 DIFERENCIA ENTRE BJT Y FET

• El BJT es un dispositivo no lineal controlado por corriente.

• • El BJT tiene tres modos de funcionamiento: corte, activa y saturación.
• • Los FET son la siguiente generación de transistores después de los
BJT.
• • El flujo de corriente del FET depende solo de los portadores
mayoritarios (Unipolares).
• • La corriente de salida es controlada por un campo eléctrico (fuente de
tensión).
• • El apagado y encendido por tensión es más fácil que por corriente.
SIMBOLOGIA DE LOS TRANSISTORES EFCTO DE
CAMPO
 JFET DE CANAL N:
• En la unión pn, al polarizar en
inversa la puerta y el canal, una
capa del canal adyacente a la
puerta se convierte en no
conductora. A esta capa se le
llama zona de carga espacial o
deplexión.
• Cuanto mayor es la polarización
inversa, más gruesa se hace la
zona de deplexión; cuando la zona
no conductora ocupa toda la
anchura del canal, se llega al corte
del canal
• En funcionamiento normal del JFET canal n, D es
positivo respecto a S.

• La corriente va de D a S a través del canal.

• Como la resistencia del canal depende de la

tensión GS, la corriente de drenador se controla
por dicha tensión.
CURVAS CARACTERISTICAS DEL JFET CANAL N:

• A medida que aumenta Vds, Id aumentará. El

canal es una barra de material conductor con
contactos óhmicos en los extremos, exactamente
igual al tipo de construcción utilizada en las
resistencias. Así, para valores de Vds pequeños, Id
es proporcional a Vds pequeños, Id es proporcional
a Vds (zona óhmica).
 RECTA DE CARGA

• Se hallan los puntos de corte con los ejes

coordenados suponiendo Id=0 mA, primero, y
posteriormente Vds = 0v.
• Se representan dichos puntos y se unen por una
recta. – El punto de trabajo del transistor
coincidirá con la intersección de la recta
• El punto de trabajo del transistor coincidirá con la
intersección de la recta de carga con la curva de
Vgs correspondiente
 EL TRANSISTOR MOSFET:

La estructura de un MOSFET (Metal Oxido Semiconductor FET), consta de cuatro

terminales: Drenador (D), Fuente (S), Puerta (G) y Sustrato (B). En los NMOS
(MOSFET de canal N), el sustrato es un semiconductor tipo p. Generalmente, el
sustrato se conecta a la fuente.
En la curva característica de salida se indica el límite de transición de la
zona óhmica a la de saturación.
 CARACTERISTICAS DE SALIDA DEL MOSFET:

En la curva característica de salida se muestran las

tres zonas de trabajo del MOSFET.
4.-APLICACIONES:
NORMAS DE CALIDAD

• Se recomienda la utilización de aleación soldante formada por 60 % de

estaño y 40 % de plomo, dado que es la que tiene el punto de fusión más
bajo.

• Colocar dos diodos y los transistores al final del montaje. • La

soldadura deberá realizarse después de haber efectuado un adecuado
"cortocircuito térmico", para una suficiente disipación del calor aplicado
durante la soldadura. Estos cortocircuitos térmicos se realizarán tomando
la patita a soldar entre las puntas de un par de pinzas metálicas a una
distancia a mitad de camino entre el punto de aplicación de la soldadura y
la masa del transistor.