“Diodo

Conferencia 1:

semiconductor ”

Dr. José A. Chaljub Duarte

1
 Objetivos

 Familiarizarse con el objeto de estudio de la

Electrónica I.
 Identificar la característica VI del diodo
semiconductor y el modelo matemático que
representa a la misma.
 Familiarizarse con parámetros que describen el
comportamiento de diodos comerciales,
tales como: voltaje umbral, coeficiente de
temperatura de la corriente inversa de saturación y
de Vbe, resistencia dinámica, voltaje de ruptura, etc.

2
Diodo ideal
semejante

3
Diodo ideal

4
Diodo ideal
                                                           
                     
                                                           
                     
                                                           
                     
                                                           
                     
                                                           
                     
                                                           
                     
                                                           
                     
                                                           
                     
                                                           
                     
                                                            5
 Rectificación>> la corriente circula en un solo sentido
por la carga

10V

10V

5V
0V

0V

-10V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms -5V
V(V1:+)
Time
D1 0s
V(D1:2)
10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms

Time

V1 D1N4148
R1
1k

0 0

6
 ¿Cómo construir un
dispositivo con una
característica VI semejante
a la de un diodo ideal?

7
aisladores, semiconductores y conductores:

Bandas de energía

8
Semiconductor con impurezas donadoras

9
semiconductores

10
Unión pn no polarizada

11
Unión pn polarizada en inverso

12
Unión pn polarizada en Directo

13
 Característica VI de la unión pn

Voltaje umbral dv/dt=-2.5mV/C

Corriente inversa de saturación
(se duplica por cada 10C ) 14
Efectos de la temperatura en la
característica VI del diodo

15
Modelo analítico de la característica VI

VD
VT
I D  I o (e  1)

T K
VT   26mV a T ambiente
11600
16
Aproximación lineal por tramos de la
característica VI

Circuito equivalente

17
Aproximación lineal por tramos de la característica VI

(despreciando el voltaje umbral)

Circuito equivalente

18
Resistencia estática

19
Resistencia dinámica

20
Delmodelo analítico se obtiene que la
resistencia dinámica es igual a:

VD
VT
I D  I o (e  1)
VT
rd 
VT 
T K 
ID
11600

21
Aproximación lineal por tramos de la
característica VI, considerando a rd

Circuito equivalente

22
Línea de carga: Método gráfico

23
Efectos capacitivos de la unión pn

24
CD y CT en función de la diferencia de
potencial aplicada a la unión

Región de trabajo de los Varicap

25
Región de ruptura

26
Diodo zener

27
LED

28
Fotodiodo: para VD negativo
y /VD/>>VT
Generación por la luz

VD

I D  I o (e VT
 1) ID  Io  IL
T K
VT 
11600 Generación térmica

29
 Diodo Schottky
Unión rectificadora metal semiconductor.
Aluminio y Si tipo n

Umbral ≈0,3V
Tiempo de almacenamiento de
minoritarios≈0

30
Parámetros que especifican los fabricantes

 VRM Voltaje de pico inverso máximo

 VRM (de trabajo). Indica el máximo voltaje de pico inverso aplicable
de forma repetida.
 P disipación de potencia
 IR corriente inversa de saturación.
 VF caída de potencial en directo.
 CT capacidad de transición.
 Trr Tiempo de recuperación en inverso, Este parámetro es muy
importante en los diodos de conmutación. El paso del estado de
conducción al de no conducción de un diodo y viceversa, tiene
asociado un estado transitorio.

31
Diodo rectificador

32
Hoja de datos: diodo rectificador

EA1 Conferencia 1 33
Hoja de datos: diodo de señal 1N4148

EA1 Conferencia 1 34
Hoja de datos: diodos zener

EA1 Conferencia 1 35
Hoja de datos fotodiodos

EA1 Conferencia 1 36