Instituto Tecnológico de Chetumal

Alumno: Barbosa Mex Eduardo Facundo

Materia: Electrónica Analógica

Tema: Transistores Unipolares FET

Aula: 34 4 semestre
Transistores Unipolares
El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico.
Las principales características básicas del transistor bipolar y FET y se estudian los
modelos básicos de
estos dispositivos y su utilización en el análisis los circuitos de polarización. Polarizar un
transistor es una
condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las
corrientes y tensiones en
continua que van a circular por el dispositivo.
 Corrientes en un transistor de unión o BJT

Un transistor bipolar de unión esta formado por dos uniones pn en contraposición.

Físicamente, el transistor esta constituido por tres regiones semiconductoras -emisor,
base y colector- siendo la región de base muy delgada. El modo normal de hacer operar
a un transistor es en la zona directa. En esta zona, los sentidos de las corrientes y
tensiones en los terminales del transistor se muestran en un transistor NPN y un PNP.
 Características Constructivas
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos
capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n. El
primero se denomina transistor npn, en tanto que el último recibe el nombre
de transistor pnp.

La polarización de cd es necesaria para establecer una región de operación apropiada

para la amplificación de ca. Las capas exteriores del transistor son materiales
semiconductores con altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que
los correspondientes al material emparedado de tipo p o n.
 Aplicación o su Uso
Se los puede usar como amplificadores o como interruptores
electrónicos. Su ventaja es que pueden trabajar a altas frecuencias
mientras que los TBJ solo trabajan en frecuencias bajas y medias
Los transistores de efecto de campo o FET son particularmente
interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos:
transistor de efecto de campo de unión o JFET y transistor de efecto de
campo metal-óxido semiconductor (MOSFET).
Ventajas del FET

1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohm).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más
dispositivos en un CI.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de tensión
drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su
utilización como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas que limitan la utilización de los FET

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.
 Circuitos de Polarización
Polarización con resistor en emisor
El método de auto-polarización puede emplearse cuando la carga de colector es
resistiva. Esto no es válido, por ejemplo, en los amplificadores de radiofrecuencia,
cuya carga es un circuito resonante. Polarización por resistor en emisor.
Al conectar un transistor de mayor ganancia, la corriente de colector tiende a aumentar. Este aumento hace que la
caída de tensión sobre R sea mayor o, es decir, la tensión de colector disminuye.
Al bajar la tensión de alimentación de RB (tensión de colector), disminuye lógicamente la corriente IB y tiende a
hacer disminuir la corriente de colector IC, se compensa así el incremento originado por el transistor. Si bien esta
auto-compensación no es perfecta, permite que la corriente Ic se mantenga dentro de límites razonables, aún
cuando se emplean transistores de ganancias dispares.
Al conectar un transistor de mayor ganancia, la corriente de colector tiende a
aumentar. Este aumento hace que la caída de tensión sobre R sea mayor o, es decir,
la tensión de colector disminuye.
Al bajar la tensión de alimentación de RB (tensión de colector), disminuye
lógicamente la corriente base IB y tiende a hacer disminuir la corriente de colector IC,
se compensa así el incremento originado por el transistor. Si bien esta auto-
compensación no es perfecta, permite que la corriente Ic se mantenga dentro de
límites razonables, aún cuando se emplean transistores de ganancias dispares.
Gracias por su atención……!!!!