UNIDAD V

Elementos activos de tres terminales(El transistor Bipolar)

• Contenido:
• El transistor de unión bipolar
• Corrientes y ganancia de corriente en el transistor
• Configuraciones básicas: base común, emisor común y colector común
• Curvas características. Regiones de operación
• Especificaciones de voltaje, corriente y potencia
• Circuitos de polarización de las configuraciones básicas
• Determinación del punto Q. Estabilidad del punto estático de operación
• Polarización con resistencia en el emisor
• Polarización con realimentación de voltaje
• Diseño de circuitos de polarización. Aplicaciones
 Introducción

• El transistor es un dispositivo amplificador que sustituyo al tubo al vacío,

fue inventado en los laboratorios de Bell Telephone al finales del año 1947
de la mano de tres físicos:  John Bardeen, Walter Houser Brattain y
William Bradford Shockley
 El transistor de unión bipolar(BJT)

• El transistor es un dispositivo semiconductor de dos uniones PN, tres

capas de material dopado y tres terminales, que tiene como función
básica la amplificación de señales.

• Ventajas del transistor frente a los tubos de vacío amplificadores:

• No necesita pre-calentamiento porque no tiene filamento
• Es mucho mas pequeño y mas liviano que un tubo al vacío.
• Opera con rangos de voltaje muchos mas pequeños que los tubos al
vacío.
Desventajas del transistor frente al tubo de vacío
amplificador
• Los tubos de vacío amplificadores manejan mayores niveles de potencia
que un transistor.
• Un equipo de audio(por ej. Amplificador) funciona mejor con tubos al vacío
que con transistores, es decir, hay una mayor calidad en el sonido.
Tipos de transistores:
• BJT: Bipolar Junction Transistor {NPN, PNP}
• FET: Field Effect Transistor
• MOSFET: Metal Oxide Semiconductor FET
• UJT: Unijunction Transistor
• IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor
 Uniones en el transistor BJT

• El BJT consta de dos uniones PN:

• 1) La unión Base-Emisor (unión BE), comprende el circuito de entrada
• 2) La unión Base-Colector (unión BC), comprende el circuito de salida

• Transistor NPN:
Transistor PNP
 Corrientes en el transistor

•  En el transistor se cumple que , esta es la ecuación fundamental del

transistor.
 Nombres y funciones de las terminales del transistor:

• El transistor tiene tres terminales o pines:

• 1. Emisor(E): Es la terminal que emite electrones (si es NPN) o huecos
(si es PNP), representa una fuente de electrones o de huecos.

• 2. Base(B):Es la terminal de control del transistor, a través de la corriente

de base se controla la región de operación del transistor.

• 3. Colector(C): Es la terminal que recoge o colecta los electrones (si es

NPN) o los huecos (si es PNP),es la terminal de salida del transistor.
 Configuraciones o montajes

• En transistor puede operar en tres diferentes configuraciones o

montajes(circuitos):
• Configuración Base Común: La base es la terminal común al circuito
de entrada y al circuito de salida.
 Configuración emisor común
• Configuración de emisor común: El emisor es común a los circuitos
de entrada y de salida:
 Configuración colector común

• Configuración de colector común: El colector es común a los circuitos

de entrada y de salida:
 Bipolar Junction Transistor (BJT)
Moderately
doped
Highly
doped

Poorly
doped
Configuración Base Común

S1 S2
 Configuración Base Común

S1

S2
 Configuración Base Común

cooco
S2

S1
Configuración Base Común

S1 S2
Configuración Base Común. Curvas caracteristicas
 Regiones de operación del transistor

•• En
  las curvas características se pueden distinguir tres regiones o zonas de trabajo del
transistor: 1) Región activa, 2) Región de corte, 3)Region de saturación.
• Región activa: En esta región, la unión BE esta polarizada directamente y la unión BC
en polarización inversa (VBC. Se cumple que (el transistor se comporta como una
fuente controlada de corriente).
• Región de corte: En esta región ambas uniones estarán en polarización inversa, esto
indica que no hay flujo importante de corriente en ningún terminal del transistor. . En el
colector existe un valor de corriente muy pequeño, conocido como corriente de fugas: .
El transistor actúa como un interruptor abierto entre base y colector.
• Región de saturación: En esta región o zona de trabajo, ambas uniones estarán
polarizadas directamente, en este caso no se cumple que , esto no es valido.
• Se asume que: (o ,en este caso, el transistor actúa como un interruptor cerrado entre
base y colector.
 Ejemplo básico. Calculo de corrientes

• Si la corriente del emisor de un transistor es de 8mA e IB es un 1/100 de IC, determine

los valores de las corrientes IC e IB.
 Solución:

• 

• Luego,
Punto de operación o punto Q
 Ej. Determinación del punto Q
•• En
  el circuito mostrado anteriormente, VEE=4.7V, VCC=20V, RE=2kΩ, RC=5kΩ y
α=0.95. Determine el punto de operación: IE, IB,IC, VEB y VBC. ¿En cual región esta
operando el transistor?
• 1. Análisis del circuito de entrada, aplicamos 2da. Ley:

• 2. Análisis del circuito de salida, aplicamos 2da. Ley:

• , como VBC
• Finalmente,
Repetir ejemplo anterior con la polaridad de la fuente
VEE invertida
•• Al
  invertir la polaridad de la fuente VEE, ambas uniones estarán polarizadas
inversamente→ Región de corte
• 1) Análisis circuito de entrada, aplico 2da. Ley:
• La unión BE esta polarizada inversamente (nano Amperes).
• El transistor opera en región de corte

• Luego, VEB= −4.7V

• 1) Análisis circuito de salida, aplico 2da. Ley:

• 0
 Repetir ejemplo anterior con RE=0.5kΩ

• Al
  disminuir el valor de RE, el transistor opera en Región de
saturación(ambas uniones estarán polarizadas directamente)
• 1) Análisis en el circuito de entrada, aplico 2da. Ley:
• →La unión BE esta
polarizada directamente, luego,
• 2) Análisis en el circuito de salida:
• Suponiendo región activa:
• Aplico 2da. Ley:
 Repetir ejemplo anterior con RE=0.5kΩ(cont.)

•  Del Kirchhoff de salida tenemos,

Punto Q :
 Acción amplificadora del transistor

• En el circuito amplificador mostrado, α(AC)=0.98.Determine: Ii, IL, VL y

Av=VL/Vi (Ganancia de voltaje)
 Solución:
• 

• , esto significa que

El transistor en Configuración Emisor Común

In the active region of a common-

emitter amplifier, the base–emitter
junction is forward-biased, whereas
the collector–base junction is reverse-
biased.
Ecuaciones de entrada y de salida en emisor común
 Análisis del circuito anterior
•1)
  Análisis Circuito de entrada: Aplico 2da. Ley:

•, si La unión BE esta en corte →

•Por otro lado, si

•, VBB y/o RB "regulan“ el nivel de IB

•2) Análisis Circuito de salida: Aplico 2da. Ley:

• (Dos opciones para VCE):

•1. VCE>0: Kirc. En el transistor:

 Análisis en emisor común(cont.)

•  VBE>0→Union BE polarizada directamente →

• VCB>0→Union BC polarizada inversamente → Región Activa
• Se cumple que
• , se define el (Ganancia de corriente o factor de amplificación ),
• Ej. Si

• Si
 Análisis en emisor común(cont.)

• Rango
  típico del
• En región activa se cumple que:

• 2. VCE
• VBE
• VCB Región de saturación
• →VCB=−0.6V
Características del BJT en configuración Emisor común:
Determinar ac y dc a partir de caracteristicas de
colector
 Punto de operación(punto Q) en emisor común

• Ej. En el siguiente circuito determine el punto Q: IB, IC, IE, VBE, VB, VE, VCE, ¿En cual
región esta operando el transistor?

• DATOS:
• RB=200KΩ
• RC=2KΩ
• VCC=12V
• β=50
 Solución
•  1) Análisis circuito de entrada:
• Aplico 2da. Ley: →

• Kirc. en el circuito BE: Determinar VBQ:

• , pero VE=0 porque el emisor esta en tierra →
•  2) Análisis circuito de salida:
• Suponiendo región activa:

• Si se considera el transistor en saturación :, como ICQ

• Aplico 2da. Ley para determinar el VCE:

 Repetir Ej. Anterior si RC=3kΩ

•  Nueva
• Como en el circuito de entrada no se ha cambiado nada, el valor de IB
es el mismo del caso anterior. esta en región activa.

• Análisis circuito de salida:

 Repetir Ej. Anterior si RB=20kΩ, RC=2kΩ

•  Si RB disminuye, IB aumenta → el transistor se satura→ VCE≈0(short-

circuit)
• Circuito de entrada:

• Circuito de salida:

• Si fuera región activa:

 El transistor como interruptor

El transistor como interruptor o switch opera en las regiones de corte y

saturacion.

• En corte: IB=0 → VBE≈0 → en el circuito de salida: IC=ICo ≈ 0 → La carga

(RL) esta apagada porque IC≈0, el VCE≈VCC

• En saturacion: IB=IB(sat) →VBE≈0.7V, en el circuito de salida: IC=IC(sat)

=IL→ VCE≈0 (VL=VCC)
Ejemplo práctico

ILED

 𝐼 𝐿𝐸𝐷 > 𝐼 𝑂𝑚𝑎𝑥 IC en el sensor se sobrecalienta !!!

Solución: BJT como interruptor manejando el
LED

ILED

IB VCE
 Determinación de RC(RD) y RB

•  El LED verde opera con un VD≈2.2V y una ID=10mA, para determinar
el valor de RC, tenemos:

• Para determinar el valor de RB:

• Para asegurar la saturación:
• Aplico 2da. Ley en la entrada:
Circuito de polarización con resistencia estabilizadora
RE
 Determinación del punto Q del circuito anterior
• 
Determine el punto Q: IB, IC,IE, VE,VB,VC y VCE. En cual región esta operando el
transistor?
Datos: VCC=20V, RC=2k𝝮, RB=400k𝝮, RE=1k𝝮 , β=100

Circuito de entrada, aplico 2da. Ley:

, pero
, sustituimos en la ecuación de VCC, tenemos: y despejando a IB, tenemos que:
•• ,  comparamos con IC máx.:
• , luego calculamos IE:

• Mapa de potenciales:
Circuito independiente del β (o por divisor de voltaje en
la base)
 Ejemplo
• Determine
  el punto de operación (punto Q) en el circuito anterior.
• Punto Q: IB, IC, IE, VB, VE, VBE, VC y VCE. Región de operación del
transistor
• Datos: VCC=22V, RC=10k𝝮, RE=1.5k𝝮, RB1=40k𝝮, RB2=4k𝝮, β=140
Solución:
Análisis aproximado: Si
Comprobación:
En la base aplico divisor de voltaje:
• Aplicando
  2da. Ley en el circuito BE: , luego por Ley de Ohm:

• Circuito de salida, aplico 2da Ley:

• Finalmente,
 Diseños de circuitos de polarización

• Circuito de polarización fija:

 Ejemplo de diseño del circuito anterior

•• Diseñe
  el circuito de polarización(determine el valor de RB y RC) de manera que el
transistor opere en el centro de la región activa( y que disipe un 10% de su Pdmax
(potencia disipada máxima)
• Datos: VCC=20V, Pdmax=500mW, β≈ hfe≈100
Solución:
Punto Q(en el centro R A)

0
 Continuación

•  En región Activa: VBE≈0.7V, por otro lado,

• Determinación de RB y RC:
• Kirchhoff en la entrada:
• (valor comercial:390k𝝮)
• Kirchhoff en la salida:
• (valor comercial:2k𝝮)
Circuito con resistencia estabilizadora RE
 Ej. De diseño del circuito anterior

• Ej. La configuración con resistencia estabilizadora de emisor anterior, tiene las siguientes
especificaciones: ICQ=1/2 .IC (sat), IC (sat) = 8mA, VC=18V, y β=110. Determine: RC, RE y
RB
• 
• ICQ =1/2.IC(sat) = 4mA
• RC = VRC/ICQ = VCC - VC/ICQ = 28-18/4mA = 2.5kΩ
• IC(sat) = VCC/ RC + RE
• RC + RE = VCC/ IC(sat) = 28V/8mA = 3.5KΩ → RE = 3.5KΩ – RC = 3.5KΩ – 2.5KΩ = 1KΩ

• IBQ = ICQ/β = 4mA/110 = 36.36µA

• IBQ = (VCC – VBE) / RB + (β + 1).RE → RB + (β + 1).RE = (VCC – VBE) / IBQ →
• RB = (VCC – VBE / IBQ) - (β + 1).RE = (28 – 0.7/36.36µA) – (111) (1KΩ) = 639.8KΩ
 
Diseño de circuito independiente del β
 Ejemplo de diseño

•• Diseñe
  el circuito de polarización(Determine RC, RE, R1, R2) del circuito
anterior de manera que opere en el centro de la región activa y que disipe un
20% de su Pdmax
Datos: VCC=20V, Pdmax= 500mW, β≈hfe=100

Solución:
Punto Q(en el centro R A)

0
 Solución

• Circuito
  de salida:
• , luego
(Valor comercial: 820𝝮)
• (Valor comercial:220𝝮)
• Método aproximado en la base: por lo menos 10 veces
• (valor comercial:2k𝝮)
• Para R1: Divisor de voltaje en la base: ,
• De esta ecuación se despeja R1:)
• (valores comerciales: 12 y 13k𝝮)
 Aplicación en región activa: Fuente DC regulada

• Regulador en serie:
 Ejemplo del circuito anterior
• En
  la fuente DC regulada, Vi (no reg)=18V. Diseñe el circuito para que la
carga RL variable tenga un Vo(dc)=12v constante, con una Io máx. de
5A.Determine: Vz, R, rango de RL y Pdis(max) por el transistor.

• Kirchhoff en el circuito BE:

• , luego asumiendo Pz(max)=1W y tomando el 50% de Pz(max), tenemos la Izmax:

•,
 Continuación

•  Rango de RL:

• Si Iomax=5A→RL=RLmin,

• Pdis(max) por el transistor:

pero y
Regulador en paralelo
BJT como Amplificador
ITE-212 Electrónica I
Jose A. Peña
Paso 1: Elegir RB para que el BJT opere en región activa
ICQ = 6mA

VCEQ = 6V
Paso 2: Cerrar el switch y aplicar Vi. Vi=10sen⍵t(mV)
Problemas con esta
solución:

•mV
 

 mV

 BJT @ CORTE
 Paso 3: Lograr que el punto Q permanezca en región
activa
Análisis AC
Equivalente AC
 Modelo 1
Modelo re
 Modelo 2
Modelo π
Equivalente AC

Modelo π
Equivalente AC. Análisis sin carga y sin circuito de
entrada
Equivalente AC. Análisis con carga y circuito de entrada

𝑹𝑪
 

𝑹𝑪
 

𝑅𝐶 ∥ 𝑅 𝐿
  𝑹𝑪