Materiales semiconductores,

Diodo de unión bipolar

(Modelos de su funcionamiento)
y
Circuitos en D.C.
¿Qué es un material semiconductor?
Conductividad y resistividad
Bandas de energía

Diodo semiconductor:
Polarizaciones de las Uniones P-N

Modelamiento de un Diodo de Unión

Aproximación Ideal, Análisis matemático,
Aproximación a fuente de voltaje

Circuitos con Diodos (D.C.)

Resistencia de D.C. o estática.
Ejemplos y Conclusiones.

Actividad posclase Tema N°2 (Taller 1)

 Clasificación de los materiales

De acuerdo con su Ohmiaje:

Resistivos Semiconductores

Superconductores Conductores
El flujo de corriente depende de:

 Intensidad del campo eléctrico, E

Cantidad de electrones libres o huecos en el material,

nóp

 Movilidad de los electrones o huecos en el material,

µ n ó µp
Intensidad del campo eléctrico, E:
Campo vectorial en el cual una carga eléctrica
puntual de valor "q" sufrirá los efectos de una
fuerza mecánica "F" que vendrá dada por la
siguiente ecuación: 
   kQ a
F qE E 2
a
k Constante de campo y depende del ambiente del campo

a Vector de dirección que va desde la carga Q al punto
a Norma del vector
Cantidad de electrones libres o huecos en el material, n ó
p:
Conductor Semiconductor Aislante
n =1020 cm-3 n =1010 cm-3(Ge) n =102 cm-3

Movilidad de los electrones o huecos en el material, µn ó

µp
Semiconductor
(intrínseco)
µp =480 cm /V*s (S )
2
i

µn = 1350 cm /V*s (Si)

2
 Diodo semiconductor
Unión p-n
Material semiconductor tipo p
unido con un material
semiconductor tipo n.

Ambas regiones están hechas

sobre un mismo cristal de
material semiconductor.

Ejemplos: Silicio o Germanio.

Tomada de http://www.imagesco.com/articles/photovoltaic/diodeAW.jpg
 Silicio Intrínseco

Silicio intrínseco o cristal puro de silicio es una estructura regular

donde los átomos conservan sus posiciones con enlaces
COVALENTES, formados por cuatro electrones de valencia con
átomos vecinos.

Tomada de http://electronics-for-beginners.com/pictures/silicon_atom_and_crystal.PNG
 Silicio Intrínseco
A bajas temperaturas los enlaces
covalentes están intactos

Al aumentar la temperatura
algunos enlaces se rompen por
ionización térmica y se presenta
electrones libres y huecos, dando
lugar a la RECOMBINACIÓN.
La recombinación es función de la tasa de ionización.

Tomada de http://pvcdrom.pveducation.org/SEMICON/Images/BOND2.GIF
 Silicio Intrínseco
La concentración de huecos y electrones libres por cm3 en
un cristal de Si intrínseco es:
EG
2 
n  p  ni n  BT e
i
3 kT

B = 5.4*1031 para el Si y depende del material

EG = 1.12 eV para el Si
k = 8.62*10-5 eV/K constante de Boltzman
 Silicio Intrínseco
Ejercicio:
Calcule la cantidad de electrones libres o huecos para un
cristal de Si a 250 ºK, 300 ºK y 350ºK.

Sol. ni = 1.5*108 portadores/cm3

ni = 1.5*1010 portadores/cm3
ni = 4.18*1011 portadores/cm3

En un cristal de Si hay cerca de 5*1022 átomos/cm3

 Corrientes en un cristal de Silicio
Corriente de difusión:
• Movimiento aleatorio debido a agitación térmica (no
produce flujo neto de corriente)
• Movimiento de cargas desde una región de alta
concentración a una de menor concentración de portadores.
 Corrientes en un cristal de Silicio
Corriente de difusión:
dp dn
J p  qD p J n  qDn
dx dx
Jp => Densidad de corriente Jn => Densidad de corriente en
(corriente por unidad de A/cm2
área del plano perpendicular al eje Dn => Constante de difusión de
x) en A/cm2 los electrones
Dp => Constante de difusión de q = 1.6*10-19 Coulombios
los huecos
q = 1.6*10-19 Coulombs D p  12cm 2 / seg Para el Si
(A*s) Dn  34cm 2 / seg intrínseco
 Corrientes en un cristal de Silicio
Corriente de deriva (desplazamiento):
Ocurre cuando un campo eléctrico es aplicado a una
pieza de cristal de Si.
Los electrones libres o huecos sufren una aceleración
y adquieren una velocidad (cm/s) igual a:
vdrift   p E vdrift    n E
μp movilidad de los huecos o electrones (cm2/(V*s))
Si intrínseco: μp=480 cm2/V*s μn=1350 cm2/V*s
E Campo eléctrico (V/cm)
 Corrientes en un cristal de Silicio
Densidad de corriente de deriva:
J p  drift  qp p E J n  drift  qn n E
J drift  q ( p p  n n ) E
1
  q( p p  n n ) 

σ conductividad (siemens/cm) Dp Dn
ρ resistividad (Ohmios*cm)   VT
 p n
VT voltaje térmico  25 mV
 Ejemplos
Conductor Semiconductor Aislante
ρ =10-6 Ω*cm ρ = 50 Ω*cm (Ge) ρ =1012 Ω*cm (Mica)

ρ =50*103 Ω*cm (Si)

Variación de la conductividad con la temperatura

Tomado de: http://web.iku.edu.tr/courses/insaat/chm101/lecture/EE101/CH4-Electrical%20and%20Electronic%20Properties%20of%20Semiconductors.pdf
 Semiconductores dopados
Un cristal de Si tiene igual concentración de electrones libres y huecos
generados por ionización térmica.

Un semiconductor dopado es un material en el que los portadores de un

tipo (huecos o electrones) predomina.

Un semiconductor extrínseco con predominio de portadores negativos es

llamado MATERIAL TIPO N. En caso contrario MATERIAL TIPO P.
Cristal semiconductor dopado
 Semiconductores dopados
Cada átomo de fósforo DONA un electrón libre al cristal,
por lo tanto la mayoría de los portadores de carga serán
electrones (MATERIAL TIPO N) 2
ni
nno  N D nno pno  ni
2
pno 
ND
nno Concentración de electrones libres en el material tipo N
ND Concentración de átomos donantes
pno Concentración de huecos en el material tipo N (por
ionización térmica)
 Semiconductores dopados
Cada átomo de boro ACEPTA un electrón del cristal, por lo
tanto la mayoría de los portadores de carga serán los huecos
(MATERIAL TIPO P) 2
ni
p po  N A n po 
NA
ppo Concentración de huecos en el material tipo P
NA Concentración de átomos aceptores
npo Concentración de electrones en el material tipo P (por
ionización térmica)
 Silicio Extrínseco
Ejercicio:
Considere un material de Si tipo n con ND de 1017 /cm3.
Encuentre la concentración de electrones libres y huecos a
250 ºK, 300 ºK y 350ºK.
Sol. nno = 1017 pno = 2.25*10-1 huecos/cm3
nno = 1017 pno = 2.25*103 huecos/cm3
nno = 1017 pno = 1.75*106 huecos/cm3
Ejercicio:
Halle la resistividad de un material intrínseco de Si y de
un material tipo-P de Si con NA = 1016 /cm3. Use ni
=1.5*1010 /cm3; y asuma que para:
Si intrínseco μn=1350 cm2/V*s y μp=480 cm2/V*s
Si extrínseco μn=1110 cm2/V*s y μp=400 cm2/V*s
Sol. ρ = 2.28*105 Ω*cm
ρ = 1.56 Ω*cm
El diodo semiconductor se forma uniendo un material
tipo N y otro tipo P, los cuales deben estar
construidos a partir del mismo material base, el cual
puede ser Ge o Si.
D3

DI ODE

BAT1

D3

DIODE

BAT1
 ID

IS

En condiciones sin polarización, los portadores mayoritarios

(huecos) en el material tipo P se difunden hacia el material
tipo N. De igual manera los electrones pasan desde N hacia P.

Los dos componentes de estas corrientes se suman y forman la

ID (corriente de difusión) la cual disminuye cuando se crea la
región de deplexión de portadores libres y cuando aparece
un campo eléctrico E (zona eléctricamente NO neutra)
  N AND 
Vo  VT ln 2


n
 i 

VT = (k*T/q)
Tomada de http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/5/5f/Diodo_pn_-_zona_de_carga_espacial.png
 ID

IS

Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N,

generados por ionización TÉRMICA, se difunden hacia la
zona de agotamiento, algunos logrando llegar al material tipo
P por efectos del campo E .
Igualmente los portadores minoritarios (electrones) en el
material tipo P se difunden y luego el campo E los corre hasta
el material tipo N.
Estas dos componentes dan origen a la corriente de deriva IS.
Ejercicio:
Halle para una unión N-P el voltaje de umbral o barrera
V0 (built-in voltage) con NA = 1017 /cm3 y ND = 1016 /cm3
a T = 300ºK . Use ni = 1.5*1010 /cm3
q =1.6*10-19 Coul (joule/volt), k= 1.38*10-23 joule/ºK

Sol. Vo = 728 mV
Unión N-P polarizada en inverso

I
 Unión PN polarizada en inverso
Condición de Polarización Inversa (VD < 0 V).

El número de iones positivos descubiertos en la

región de agotamiento del material tipo N
aumentará debido al mayor número de electrones
libres arrastrados hacia el potencial positivo del
voltaje aplicado.
 Unión PN polarizada en inverso
El número de iones negativos descubiertos en el
material tipo P también aumentará debido a los
electrones inyectados por la terminal negativa, las
cuales ocuparán los huecos.

Esto provocará que la región de agotamiento crezca

hasta establecer una barrera tan grande (E grande
con polaridad contraria a la fuente) que los
portadores mayoritarios no podrán generar corriente
de DIFUSIÓN. Por lo tanto ID  cero.
 Unión PN polarizada en inverso
Sin embargo, el número de portadores minoritarios
que estarán entrando a la región de agotamiento no
cambiará, creando por lo tanto la corriente IS.

La corriente que existe bajo condiciones de

polarización inversa se denomina corriente de
saturación inversa, IS.
ID  IS
 Unión PN en región de
“breakdown”

Los electrones van desde la región tipo n hacia la

región p a través de la fuente y los huecos desde p
hacia n, por la polarización en inverso.
Se llega a obtener I por el efecto Zener o por el
efecto de avalancha.
Unión PN en región de “breakdown”

Efecto Zener: Ocurre cuando el campo eléctrico en

la región de deplexión incrementa al punto que
puede romper los enlaces covalentes y generar pares
electrón-huecos. Estos electrones libres serán
llevados hasta la región tipo N y los huecos hasta la
región P, por dicho E, haciendo que se mantenga I.
 Unión PN en región de
“breakdown”
Una vez se da el efecto Zener, un gran número
de portadores son generados, sin tener que
incrementar VZ y por lo tanto I dependiendo del
circuito externo.
Unión PN en región de “breakdown”

Efecto Avalancha: Ocurre cuando los portadores

minoritarios que cruzan la región de deplexión bajo la
influencia de E ganan energía cinética capaz de romper
enlaces covalentes de los átomos con los que colisionan y
se crea un efecto en cadena que sostendrá cualquier valor
de corriente en inverso sin grandes cambios en el voltaje
en inverso.
 Unión PN en región de
“breakdown”
Se construyen diodos que trabajan en efecto
Zener por debajo de 5 V y en efecto avalancha
por encima de 7V. (Sedra, Edition 5th)
Unión PN polarizada en directo
 Unión PN polarizada en directo
Condición de Polarización Directa (VD >0)
La aplicación de un voltaje positivo "presionará" a los
electrones en el material tipo N y a los huecos en el
material tipo P para recombinar con los iones de la frontera
y reducir la anchura de la región de agotamiento. Una vez
la fuente externa supera Vo, se presenta una corriente ID.

La corriente total es ID -IS

 Unión PN polarizada en directo
 pn  pn 0 
El exceso es >> hacia el borde de
la zona de deplexión y disminuye
exponencialmente al alejarse.

Debido a este exceso de

portadores minoritarios se
incrementa Idifusión sobre IS.

La inyección de huecos en la región N y de electrones

en la región P, debido a que la fuente en directo creó
un flujo de portadores (es hacia la región P, p ej.), hará
que la concentración en equilibrio térmico de
portadores minoritarios en cada región, cambie.
 Unión PN polarizada en directo
La concentración de portadores
minoritarios al borde de la
deplexión es (de la física):
V

p n ( xn )  p n 0 e VT

La distribución de exceso de
huecos en la región N, se expresa:

p n ( x )  p n 0   p n ( xn )  p n 0  e
  x  xn  / L p

Lp Constante longitud de difusión de huecos en región N

Mayor valor de Lp significa MENOR rapidez en la
recombinación de huecos, que vienen de P, con los electrones
mayoritarios. p Tiempo de vida de exceso de
L p  D p p portadores minoritarios (huecos)
en el sustrato N
 Unión PN polarizada en directo
La difusión de huecos en la región N provoca una
densidad de corriente huecos :
dp
p n ( x )  p n 0   p n ( xn )  p n 0  e
  x  xn  / L p
J p  qD p
dx
Dp
Jp  q*
Lp
pn 0 e V / VT
1 e 
 ( x  xn ) / L p

x  xn
Dp
J p  q*
Lp
pn 0 e  V / VT
1  qD p pn 0 qDn n p 0
I  A*(  )(eV / VT  1)
Lp Ln
Jn  q *
Dn
Ln
n p0 e 
V / VT
1  2
ni ni
2
pno  n po 
ND NA
Unión PN polarizada en directo
 Dp 
2
I  Aqni * 
L N

L
D
N 
e
n  V / VT
1 
 p D n A 

 Dp D 
I S  Aqni *  n 
2

L N L N 
 p D n A 

I  IS e  V / VT
1 
MODELAMIENTO CIRCUITAL DE UN
DIODO DE UNIÓN
Símbolo y nomenclatura:
MODELAMIENTO DE UN DIODO DE
UNIÓN
1. Modelo Ideal:
MODELAMIENTO DE UN DIODO DE
UNIÓN
El diodo ideal, por
consiguiente, es un corto
circuito para la región de
conducción.

El diodo ideal, por

consiguiente, es un circuito
abierto para la región de no
conducción.
MODELAMIENTO DE UN DIODO DE
UNIÓN
2. Modelo Físico:
MODELAMIENTO DE UN DIODO DE UNIÓN
VD

I D  I S (e nVT
 1)
Donde:
IS = Corriente de saturación (A).
Al ser VD negativo el exponencial rápidamente es cero y la corriente en
inverso es –IS, por eso el nombre de saturación. Órdenes de 10-15 A.

q = Carga del electrón. 1.6*10-19 Coul {joule/volt}

k = Constante de Boltzman. 1.38*10-23 joule/ºK
T = Temperatura de ºK
V = Voltaje del Diodo en directo
VT = (k*T/q)
MODELAMIENTO DE UN DIODO DE
UNIÓN
3. Aproximación a fuente de voltaje:
MODELAMIENTO DE UN DIODO DE
UNIÓN

Polarización directa Polarización Inversa

CIRCUITOS CON DIODOS EN D.C.
Resistencia de D.C.
Es la resistencia que presenta un diodo en un
punto particular de operación. Su definición
matemática es la siguiente:

RDC = VD/ID {}

CIRCUITOS CON DIODOS EN D.C.
Ejemplos:
1. Calcule la resistencia de D.C. para un
diodo de Unión de Si y de Ge , si sabe que ID
= 20mA (Solucione por consideración ideal y
aproximación a fuente de voltaje)

2. Considere un diodo cuyo VD = 0.5 Voltios,

TC = 25 ºC, IS = 10-13A; Halle la corriente
directa a través del diodo y calcule la RDC.
CIRCUITOS CON DIODOS EN D.C.
Ejemplos:
3. Para el siguiente circuito halle la resistencia de
D.C. del diodo. Se tiene que: TC = 25 ºC, IS = 10-13A
(Considere los tres modelos)
D1

DIODE

R1
10V 1k
 CONCLUSIONES
 El diodo semiconductor es un dispositivo NO
lineal.
 El voltaje de caída en el diodo, cuando está

polarizado en directo, depende del material

de construcción del dispositivo.
 La resistencia interna del diodo (R ) varía de
DC
acuerdo con las condiciones de trabajo en el
circuito donde se encuentra.