Transistores MOSFET

Ing. Guillermo A. David

Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.

Revisó y actualizó: Guillermo A David, Mg.
 INTRODUCCIÓN

 
¿ 𝐵𝐽𝑇 ¿ 𝑁𝑃𝑁
{

{
¿ 𝑃𝑁𝑃
¿
𝐶𝑎𝑛𝑎𝑙 𝑁
𝐽𝐹𝐸𝑇
{

{
𝐶𝑎𝑛𝑎𝑙 𝑃
¿ 𝐹𝐸𝑇 ¿ 𝐷𝑒𝑐𝑟𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙 ¿ 𝐶𝑎𝑛𝑎𝑙 𝑁
{
𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇
{ ¿ 𝐶𝑎𝑛𝑎𝑙 𝑃
¿ 𝐼𝑛𝑐𝑟𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙 ¿𝐶𝑎𝑛𝑎𝑙 𝑁
{
¿ 𝐶𝑎𝑛𝑎𝑙 𝑃
 MOSFET D-E (Depletion-Enhancement)
• MOSFET’s de enriquecimiento-empobrecimiento (DE-
•  MOSFET) o MOSFET decremental tiene las
características similares a las de un JFET
• Característica adicional de que se extienden hasta la
región de polaridad opuesta para , puede funcionar en
ambos modos y se clasifican como FET de operación
“tipo B“
• La compuerta se encuentra conectada también a una
superficie de contacto metálico, pero se encuentra
aislada del canal-n por medio de una capa muy
delgada de dióxido de silicio (SiO2) el cual sirve como
dieléctrico entre la compuerta y el canal

• Esto indica que no existe conexión eléctrica directa

entre el terminal de compuerta y el canal de un
MOSFET
SÍMBOLO
 OPERACIÓN INTERNA DEL DE-MOSFET CANAL-N
• Para VGS negativo o cero
• Que crece conforme VGS se hace cada vez mas
negativo, disminuyendo la corriente ID. Este proceso es
idéntico al mencionado en la operación básica del JFET.
• Para VGS positivo

• No existe unión p-n entre compuerta y canal. La

compuerta esta aislada por la capa de SiO2. Estructura
similar a un capacitor de placas paralelas.
• La compuerta negativa repele los electrones en el
canal-n, luego se forma una región de agotamiento
 OPERACIÓN INTERNA DEL DE-MOSFET CANAL-N
• Si VGS se hace positivo, el terminal de compuerta atraerá electrones adicionales provenientes del substrato tipo p que
entran al canal incrementando la conductividad de éste y por tal razón la corriente ID aumenta a un valor superior al
establecido por IDSS.
• Como no hay peligro de polarizar la unión p-n en directa, VGS puede ser mucho mayor de 0.5V. Sin embargo, existe un
límite para ID.
• Curvas V-I

• When VGS = 0V, ID = IDSS

• When VGS < 0V, ID < IDSS
• The formula used to plot the transfer curve still
applies: 2
 VGS 
I D  I DSS  1  
 VP 
 OPERACIÓN INTERNA DEL DE-MOSFET CANAL-N

• Corriente de fuga inversa muy pequeña en los
MOSFET’s:
– MOSFET’S – picoamperios
• Debido a la alta impedancia entre compuerta y fuente,
se puede generar una ganancia estática en su terminal
• Una particularidad muy importante es que la ecuación
de Shockley sigue aplicándose para el MOSFET tipo
decremntal tanto en la región de agotamiento como en
la de enriquecimiento, solo es necesario incluir el
signo adecuado de VGS en la ecuación.
 
2

de compuerta. V
I D  I DSS 1  GS 
 V 
• Si excede de 100V, la capa de SiO2 se puede romper.  GSoff 
• MOSFET’s y circuitos integrados con MOSFET’s deben
ser manejados cuidadosamente (cubiertos con películas • Condición de saturación
conductoras o terminales cortocircuitados entre sí).

VDS  VGS  VP
 MOSFET E (Enhancement)

• MOSFET de enriquecimiento (E-MOSFET) o

MOSFET incremental se clasifican como FET de
operación tipo C
• La construcción básica para un E-MOSFET canal-n
posee nuevamente un substrato de material tipo p
que en la mayoría de los casos se conecta
eléctricamente con el terminal de fuente
• La compuerta como era de esperarse se encuentra
aislada por el material aislante compuesto por el
dióxido de silicio (SiO2), los terminales de Drenaje y
Fuente se encuentran conectados por medio de
contactos metálicos a las regiones dopadas tipo N
• La gran diferencia de este MOSFET es la ausencia
de un canal como componente construido
internamente en el dispositivo.
• El canal no esta dopado. Los canales serán
inducidos eléctricamente
 SÍMBOLO

• Los símbolos gráficos para los MOSFET de tipo incremental canal N y canal P, la
línea punteada hace referencia a la ausencia de un canal constituido
 OPERACIÓN INTERNA DEL E-MOSFET CANAL-N

• Cuando VGS =0V, ID es prácticamente cero, puesto • Si tanto VGS como VDS es positivo, se forma un campo
que no existe un canal por medio del cual circulen los eléctrico en la región de compuerta, este potencial
portadores mayoritarios y la unión p-n entre drenaje y positivo obliga a los huecos del substrato P a
sustrato queda polarizada inversamente, alejarse de la vecindad de la capa de (SiO2).
• luego solo hay una pequeña corriente de fuga.
• Una diferencia muy grande con el JFET en donde
para VGS=0, ID=IDSS
 OPERACIÓN INTERNA DEL E-MOSFET CANAL-N
• La compuerta atrae los portadores minoritarios (e-) del sustrato.
• Con suficientes portadores minoritarios se forma un canal-n entre la fuente y el drenaje. El canal inducido es llamado
capa de inversión. Gracias a la capa de SiO2 y sus propiedades aislantes evitará que los portadores negativos sean
absorbidos por el terminal de compuerta.
• A mayores valores positivos de VGS mas portadores negativos se forman, el canal aumenta y la corriente ID crece.
• El VGS requerido para formar el canal se llama VGS(th). Voltaje threshold compuerta-fuente (voltaje umbral) y es indicado
en hojas del fabricante.
• VGS>VGS(th) ocasionan aumentos de ID
 OPERACIÓN INTERNA DEL E-MOSFET CANAL-N

• Ecuación de transferencia: • EJEMPLO:

• Puesto que el transistor solo opera en la zona de • Un transistor E-MOSFET con:
enriquecimiento, la ecuación de Shockley no opera • VGSth = 3.8V ID=10mA (ID encendido) cuando
en el MOSFET incremental.
VGS=8V (VGS encendido) ¿Encontrar ID cuando VGS =
• La ecuación que describe el comportamiento de la
6V?
corriente ID en función de VGS esta dada por:
ID 10mA 4 A
K   5 .6  10
V  VGS (th)  2
(8V  3.8V ) 2 V2
I D  K VGS  VGSTH 
 
2 GS

I D  5.67  10  4 A 2 *  6V  3.8V 
2
V
• K es constante con unidades A/V2; se obtiene I D  2.74mA
indirectamente de los datos del fabricante y esta
dado por:
I D (encendido )
k
(VGS (encendido )  VT ) 2
 RESUMEN
MOSFET- DE MOSFET- DE
Canal-N Canal-P
Símbolo: Símbolo:

Curva de transferencia: Curva de transferencia:

 RESUMEN
MOSFET- DE
Canal-N
Canal-P

• Ecuación de Transferencia:
2 2
 V   V 
I D  I DSS 1  GS  I D  I DSS 1  GS 
 VGSoff   VGSoff 
• Condición de saturación:

VDS  VGS  VP VDS  VGS  VP

 RESUMEN
MOSFET- E MOSFET- E
Canal-N Canal-P
Símbolo: Símbolo:

Curva de transferencia: Curva de transferencia:

 RESUMEN
MOSFET- E
Canal-N
Canal-P

• Ecuación de Transferencia:

I D  K VGS  VGSTH  I D  K VGS  VGSTH 

2 2

• Condición de saturación:

VDS  VGS  VP VDS  VGS  VP