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Radio Frecuencia Expoccion
Radio Frecuencia Expoccion
Ingeniería electrónica
Se emplean variedad de transistores, entre los que se incluyen: Los MOSFET, de Arsenurio de
galio (GaAs), FET con material metal-semiconductor (MESFET), transistores hetero juntura
bipolar GaAs/InGaP (HBT), nitrito de galio (GaN), transistores de alta movilidad electrónica
(HEMT), y FETs de Silicio carburado (SiC).
Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y
Parametros de impedancia.
Los parámetros de impedancia y de admitancia se emplean comúnmente en las síntesis de
filtros.
Son útiles en el diseño y en el análisis de redes de acoplamiento y de impedancia, así como
para las redes de distribución de potencia.
Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y
Impedancia z
Los parámetros Z dan las tensiones del circuito en función de las corrientes.
Cada parámetro se obtiene midiendo la tensión en un puerto dejando todos los
demás menos uno en circuito abierto (corriente 0). En la conexión de circuitos en
serie, los parámetros Z se suman.
Al analizar el circuito se obtiene la siguiente equivalencia matricial
Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y
Parámetros de impedancia Z
Los parámetros de impedancia son llamados parámetros Z, para poder
evaluarlos podemos fijar los puertos de entrada o de salida a cero como
I1=0, I2=0. Estos parámetros se conocen como parámetros de impedancia
en circuito abierto
y se evalúan de la siguiente manera:
Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y
Curiosidades de parámetros z
Algunas veces Z11 y Z22 se denominan impedancias en el punto de alimentación, en tanto
que Z12 yZ21 se llaman impedancias de transferencia.
Cuando Z11 = Z22 se dice que la red es simétrica
Caudno la red de los puertos es lineal y no tiene fuentes dependientes, las impedancias de
transferencia son iguales (Z12=Z21), y se dice que los dos puertos son reciprocos.
Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y
Parámetros de admitancia Y
Luego, Y11 puede calcularse (o medirse) cortocircuitando los bornes 2-2' y conectando una
fuente de tensión de 1 V y midiendo, o calculando I 2. Planteos similares valen para los otros
parámetros. Los Yij se obtienen con los bornes 1-1 o 2-1' cortocircuitados, por lo que se
denominan parámetros admitancia en cortocircuito. En caso de trabajar en CC hablaremos de
conductancias.
• Y11, Y22 son las admitancias de entrada vistas desde 1-1' o 2-2’,
• Y12, Y21 son las admitancias de transferencia.
En notación matricial será:
Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y
Parámetros Y
Para una red dos puertos que es lineal y sin fuentes dependientes, las admitancias de
transferencia son iguales (y12=y21).
Esto se prueba de la misma manerda que en el caso de parámetros Z.
Si la red no es reciproca, se respeta la red general.
Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y
A partir de estas ecuaciones podemos sintetizar un modelo de cuadripolo como el de la Figura.
En general, visto que los Zij son los elementos de la matriz inversa Y^-1 será:
Cualquier juego de parámetros puede definirse en función de cualquiera de los otros, pero para algunas
redes, una o más de las matrices puede no existir, tal como ocurre con los parámetros Z o Y para el modelo
simplificado del transistor.
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