Universidad Nacional Experimental Politécnica

“Antonio José de Sucre”

Vicerrectorado Puerto Ordaz
Cátedra: Electrónica II.

UNIDAD I:
TRANSISTORES
FET`S
CLASE 2

Prof. Mabel Pardo

MOSFET Decremental (agotamiento).
(a) Estructura para canal n:

SiO2
Dieléctrico.

(b) Símbolos:
D D

Canal p
Canal n
G G

S S
 Funcionamiento: Tiene características similares a
un JFET entre corte y saturación, pero luego tiene el
rasgo adicional de características que se extienden
hacia la región de polaridad opuesta para VGS.

 Si VGS=0, VDS>0. Existe canal, ocurre movilización

de portadores entre D y S. ID=IS
 Si VGS<0. El potencial negativo empuja los
electrones del canal al substrato y atrae los huecos,
hay recombinaciones y se reduce el numero de
electrones libres. Con VGS=Vp (-) entonces ID=0.
 Si VGS>0. El potencial positivo atrae electrones
adicionales, con lo que la corriente ID se incrementa
rápidamente.
Ecuaciones.
Mosfet Decremental canal n:
 Región corte (VGS≤Vp). ID=0

 Región corriente cte. (VGS>Vp y 0<VDS>VDSsat)

ID= Kn. (VGS – Vp )2 ;Kn=(μe/2)(Cox)(W/L)

Donde:μe=movilidad electrónica (cm2/V-seg).

Cox=Capacitancia del oxido por unidad de área (F/cm2)
=Єox(permitividad)/tox(grosor)
W=Ancho del canal.
L=Largo del canal.
Kn=Parámetro de conducción del dispositivo (mA/V2)
 Región Ohmica (VGS>Vp y 0<VDS≤VDSsat)
ID= Kn.[2.(VGS-Vp).VDS – VDS2]
 MOSFET Incremental canal n
(a) Estructura:

(b) Corte transversal: (c) Símbolo:

D

G
S
Funcionamiento.
 No existe canal entre Drenaje
y fuente, por lo tanto ID=0.
 Si VG>0 y creciente, entonces
serán atraídos los electrones
del substrato y se acumularan
en la región cercana a la
superficie SiO2.Se crea un
canal.
 Si VGS>VT (umbral), entonces
puede establecerse una
corriente ID.
 Si se aplica 0<VDS>VDSsat,
la corriente alcanzara un nivel
de saturación
 Curvas características.
VDSsat=VGS-VT

Región Ohmica
Región corriente cte.

Región corte
Curvas características (cont.)
Curvas características PMOS
Ecuaciones:
 Región corte (VGS<VT). ID=0

 Región corriente cte. (VGS>VT y 0<VDS>VDSsat)

ID= Kn. (VGS – VT )2 ;Kn=(μe/2)(Cox)(W/L)

Donde:μe=movilidad electrónica (cm2/V-seg).

Cox=Capacitancia del oxido por unidad de área (F/cm2)
=Єox(permitividad)/tox(grosor)
W=Ancho del canal.
L=Largo del canal.
Kn=Parámetro de conducción del dispositivo (mA/V2)

 Región Ohmica (VGS>VT y 0<VDS≤VDSsat)

ID= Kn.[2.(VGS-VT).VDS – VDS2]

Ron=1/ [ 2.Kn.(VGS-VT) ]. Para VDS pequeño.

Características V-I no ideales:
 Resistencia de salida finita en la región de
saturación.
Existe una dependencia de ID con VDS en la región de saturación.
Esto implica una resistencia de salida finita para el dispositivo.
(curva característica de salida con pendiente).
ro=1/(λ.IDQ); λ=parámetro de modulación de la longitud del canal.
Tomando en cuenta este efecto, la ecuación que define las
características reales del dispositivo será:
ID=Kn.[(VGS-VT) 2 .(1+ λ. VDS)]
 Efecto de cuerpo, Conducción subumbral,
Efectos de ruptura, Efectos de temperatura.
Para Investigar.
 El circuito que se muestra en la figura, se polariza con VDD=10V y
el transistor tienes parámetros: VT=0.70V, Kn=0.050mA/V2.
Calcular el valor de RD para el cual el voltaje de salida será
Vo=0.35V cuando Vi=10V.

VDD
10Vdc

RD
0

Vo

M1

Vin
10Vdc

0 0