SEMICONDUCTORES

• Un semiconductor es un elemento químico

que se comporta como un conductor o como
un aislante dependiendo de diversos
factores.
• Por ejemplo: el campo eléctrico o magnético,
la presión, la radiación que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se
encuentre.
• Los semiconductores más usados son el
Silicio y el Germanio.
TIPOS DE SEMICONDUCTORES
Semiconductores intrínsecos:
• Formados por cristales de silicio o germanio
con una estructura tetraédrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre
sus átomos.
• A temperatura ambiente algunos electrones
pueden absorber la energía necesaria para
saltar a la banda de conducción dejando el
correspondiente hueco en la banda de
valencia. ​El proceso inverso también se
produce.
Semiconductores extrínsecos
• Si a un intrínseco, se le añade un pequeño
porcentaje de impurezas, es decir, elementos
trivalentes o pentavalentes, este se denomina
extrínseco, y se dice que está dopado.
• Tipo N: se añaden cierto tipo de átomos al
semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres en este
caso los negativos o electrones.
• Tipo P: se añaden cierto tipo de átomos al
semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres en este
caso los positivos o huecos.
 INTRODUCCIÓN A LOS
TRANSISTORES
• El transistor es un
componente de estado
solido que por lo general
están fabricados a base
de silicio o germanio con
impurezas.
• Existen diferentes tipos
de transistores los cuales
presentan propiedades
diferentes debido a su
naturaleza de fabricación.
 TRANSISTORES BJT
• Los transistores BJT se
basan en la unión de
dos capas de material
tipo P y una capa de
material tipo N o dos
capas de material tipo
N y una capa de
material tipo P, por lo
que se puede obtener
dos tipos de transistor
BJT(PNP o NPN),
 OPERACIÓN DEL
TANSISTOR BJT
• Para realizar un
análisis de operación
del transistor se debe
analizar la respuesta
ante la polarización en
cada juntura. Se
realizará el análisis
para un transistor
PNP, el proceso es el
mismo para un
transistor NPN.
Polarización directa
• Flujo intenso de portadores mayoritarios de
la capa P a la capa N, esto se debe a que la
polarización directa de la juntura P-N reduce
la región de empobrecimiento.
Polarización inversa
• Flujo nulo de portadores mayoritarios y flujo
débil de portadores minoritarios de la capa P
a la capa N, esto se debe a que la
polarización inversa de la juntura P-N amplia
la región de empobrecimiento.
•Polarizando
  ambas junturas
• Al polarizar las junturas a la vez y analizar los
resultados de la polarización individual de cada se
puede intuir lo siguiente:
-
• Aplicando las leyes de Kirchoff se obtiene:
-
-
 DETERMINAR ZONAS DE
FRECUENCIA
• La frecuencia de una señal aplicada tiene efectos
pronunciados en la respuesta de una red de una
sola etapa o múltiples, es común realizar un
análisis ideal de un sistema amplificador con BJT.
• Sin embargo existen ciertos niveles de
frecuencia en los cuales la respuesta real se
desvía significativamente de la respuesta ideal,
esto se debe a que ciertos componentes
utilizados en el amplificador no pueden ser
reducidos a sistemas simples a ciertos niveles de
frecuencia.
• Un ejemplo de ellos son los capacitores de
acoplamiento que son idealizados y reducidos a
un cortocircuito ya que a altas frecuencias su
reactancia es relativamente baja, esta reducción
limita la validez de la idealización a un rango de
frecuencias.
Normalización de la ganancia
• Para analizar señales, por lo general se obtienen
graficas de dB vs f en lugar de graficas de ganancia
vs frecuencia.
• Para obtener la grafica de dB primero se realiza un
proceso llamado normalización de la curva, el cual
consiste en dividir la ganancia entre la ganancia
máxima (grafica ideal) o media (grafica real).
Diagramas de bode
• Los diagramas de Bode son representaciones
graficas de la respuesta en frecuencia de un sistema.
Por lo general presenta dos gráficas, la primera de
ellas es la gráfica Ganancia(dB) vs f(rad/sec) y la
segunda es la gráfica Fase(grados) vs f(rad/sec).
Zonas de frecuencia
• Se definen tres zonas de frecuencia: zona de
frecuencia baja, zona de frecuencia media
(Ancho de banda) y zona de frecuencia alta.
• En un diagrama de Bode Ganancia(dB) vs
f(rad/seg) de un amplificador las frecuencias de
corte son aquellas en las cuales el valor de la
Ganancia en dB es igual a 0.707.
RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN
AMPLICADOR EN ANCHO DE BANDA
Ganancia a frecuencias centrales
• La ganancia a frecuencias medias se da por la
diferencia entre el cero y el polo obtenido por la
primera frecuencia de corte; esto hace que la
ganancia sea constante en todo el ancho de banda.
Frecuencias de corte
• Las frecuencias de corte son las frecuencias donde
comienza a caer 3dB respecto a la máxima
ganancia; estas frecuencias son obtenidas por los
polos y dichos polos son consecuencias de los
condensadores implementados en el circuito.
Efectos del Condensador
• El condensador según la frecuencia que
posea nuestra señal, nos generar una
impedancia correspondiente, dicha
impedancia determinara las frecuencias de
corte que poseerá nuestro amplificador.
Respuesta a alta y baja frecuencia
Desarrollaremos la respuesta en altas y bajas
frecuencias utilizando al amplificador emisor
común, por ser el más utilizado y sencillo en
análisis.
• Los condensadores C1, C2 y CE cuando son
sometidos a bajas frecuencia la impedancia
que brindan es muy elevada, haciendo que no
haya ganancia alguna.
• El circuito equivalente para el análisis en el rango
de las frecuencias del circuito es el siguiente:

• Los condensadores CU y CP cuando son sometidos

a frecuencias cada vez más altas la impedancia que
brindan comienza a bajar al punto que ya no se
consideran como corto-circuito y eso genera que la
ganancia comience a disminuir.
• Realizando Thevenin obtenemos el
siguiente circuito:
MODELO DE TRANSISTOR
A PEQUEÑA SEÑAL
• Modelo: Es una combinación de elementos de
un circuito, apropiadamente seleccionados, que
simula de forma aproximada el comportamiento
real de un dispositivo semiconductor en
condiciones específicas de operación.
• En los años formativos del análisis de redes de
transistores se empleaba con frecuencia la red
equivalente híbrida, sin embargo, la desventaja
de utilizar este circuito equivalente es que se
definía para un conjunto de condiciones de
operación que podrían no coincidir con las
condiciones de operación reales.
• Con el tiempo, el uso del modelo re llegó a ser el
método más deseable porque las condiciones de
operación reales determinaban un parámetro
importante del circuito equivalente en lugar de
utilizar el valor que aparecía en las hojas de datos
que en algunos casos podía ser bastante diferente.

Modelo re del transistor

• EL modelo re lo usaremos para las configuraciones
del transistor BJT en emisor común, en base común
y en colector común con una breve descripción de
por qué cada una es una buena aproximación del
comportamiento real de un transistor BJT.
Emisor común
• Del transistor sacamos su circuito equivalente.
• El resultado es que la impedancia “viendo hacia
adentro” de la base de la red es un resistor
igual a beta veces el valor de re.
• Desde luego, por consiguiente, cuanto más
cambie VCE por el mismo cambio de IC, mayor
será la resistencia de salida en esa región.
• El resultado es que la resistencia excede por
mucho a la resistencia, utilizando un valor
promedio de la resistencia de salida se
agregará el otro componente al circuito
equivalente
Base común
• Del transistor sacamos su circuito equivalente.
• Remplazando la resistencia interna y la
resistencia de salida.
Modelo equivalente híbrido
• El modelo re ofrece la ventaja de que las
condiciones reales de operación definen los
parámetros, en tanto que los de circuito
equivalente híbrido se definen en términos
generales para cualquier condición de
operación.
• El modelo re adolece de que parámetros como
la impedancia de salida y los elementos de
realimentación no están disponibles
Bipuerto:
• Los parámetros que relacionan las cuatro
variables se llaman parámetros h, de la palabra
“híbrido”.
• Para casos especiales.
Modelo π híbrido
• El último modelo que presentaremos es el
modelo π híbrido, el cual incluye parámetros
que no aparecen en los otros dos modelos,
ante todo para proporcionar un modelo más
preciso de los efectos de alta frecuencia.
• Para frecuencias más bajas pueden
efectuarse las aproximaciones con los
resultados del modelo re previamente
presentado.
• Circuito equivalente de ca de señal pequeña de
transistor Giacolleto (o π híbrido) de alta
frecuencia.
• Existen todos los efectos capacitivos que
realmente sólo entran en juego a frecuencias
altas.
• Para frecuencias bajas a frecuencias medias su
reactancia es muy grande, por lo que se
pueden considerar como circuitos abiertos.
• La resistencia rb en general es tan pequeña
que la puede reemplazar un equivalente de
cortocircuito y la resistencia ru en general es
tan grande que puede ser ignorada en la
mayoría de las aplicaciones.
• El resultado es una red equivalente similar al
modelo re en emisor común previamente
presentado.
PARÁMETROS A PEQUEÑA
SEÑAL
• Los parámetros de principal importancia para
un amplificador son la impedancia de entrada
Zi, la impedancia de salida Zo, la ganancia de
voltaje Av y la ganancia de corriente Ai.
•Impedancia
  de entrada (Zi)
• Para el extremo de entrada, la impedancia de
entrada Zi se define por la ley de Ohm como se
indica a continuación:

• La impedancia de entrada de un amplificador de

transistor BJT es de naturaleza puramente
resistiva y, dependiendo de la manera en que
se emplee el transistor, puede variar de unos
cuantos ohms hasta el orden de los megaohms.
•Impedancia
  de salida (Zo)
• La impedancia de salida se determina en las
terminales de salida viendo hacia atrás, dentro
del sistema con la señal aplicada fijada en cero.

• En particular, para las frecuencias de rango

bajo y medio (normalmente < 100 kHz): La
impedancia de salida de un amplificador de
transistor BJT es resistiva por naturaleza, Zo
puede variar entre unos cuantos ohms y un
nivel que puede exceder los 2MΩ .
•Ganancia
  de voltaje (Av)
• Una de las características más importantes de
un amplificador es la ganancia de voltaje de
pequeña señal de ca, que se determina por:

• Para amplificadores de transistor, la ganancia

de voltaje sin carga es mayor que la ganancia
de voltaje con carga.
•Ganancia
  de corriente (Ai)
• La última característica numérica por discutir es
la ganancia de corriente definida por:

• Aunque por lo regular recibe menos atención que

la ganancia de voltaje, es, sin embargo, una
cantidad importante que puede tener un impacto
significativo en la eficiencia global de un diseño.
• En general: Para amplificadores BJT, la ganancia
de corriente oscila entre los valores apenas
menores que I y un nivel que puede exceder los
100.
Parámetros para el modelo híbrido equivalente
• En esta sección empleamos el circuito
equivalente hibrido completo para demostrar el
efecto de hr y definir en términos más
específicos el efecto de ho.
• Las soluciones serán en función de hi, hr, hf y
ho.
• A diferencia de análisis anteriores, en ésta la
ganancia de corriente Ai se determinará primero
porque las ecuaciones desarrolladas son útiles
en la determinación de los demás parámetros.