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Silicio (MOS)
Ferruzca Morales Juan Jesús
Martínez García Jovanny
Alexis Mendoza Ciprian
Velasco Avilés Ernesto Daniel
Castro Leal Luis
Transistor Bipolar (BJT)
Región de corte: Cuando < en estas condiciones
es equivalente a un circuito abierto.
Región óhmica: Entra en esta región cuando y ,
el MOSFET obtiene un valor .
Región de saturación: y en esta esta zona el
MOSFET mantiene constante.
El MOSFET es un dispositivo de conmutación, por lo
que evitaremos polarizarlo en la zona activa. La
tensión de entrada típica tomará un valor bajo o
alto. La tensión baja es 0V y la tensión alta es .
MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO
Se compone de una pieza de material tipo N con
una zona P (sustrato) a la derecha y una puerta
aislada a la izquierda.
Los electrones que circulan desde la fuente hacia el
drenador deben pasar a través del estrecho canal
entre la puerta y la zona P.
Uso limitado. Radiofrecuencia.
MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO
El substrato P se extiende a lo ancho hasta el
dióxido de silicio; ya no existe un canal n entre la
fuente y el drenador. Se muestra las tensiones de
polarización normales. Cuando la tensión de puerta
es nula, la corriente de fuente y el drenador es nula.
Hoja de datos 2N7000
Aplicación de transistores MOSFET
Aplicación
Control de motores
Comentarios
Falta explicar Agotamiento y Enriquecimiento de los
Mosfet
Sus formulas ??
Sus Ejercicios, preguntas o actividad, recuerden que
uno lo hacen ustedes y otro el grupo.
Características de Conmutación ???
Explicar la Aplicación
Explicar Hoja de Datos