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Electrónica Básica
Familias Lógicas
Electrónica Digital
S
G
Transistor p-MOS cerrado
cuando VIN -VDD < VILmax-VDD
D
V IN V OUT V IN <V ILmax
D
G Transistor n-MOS
S cerrado cuando V IN -0>VIHmin
Gnd
4
Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico estático
Niveles lógicos y margen de ruido
Parámetros característicos
VDD VOHmin
Niveles lógicos Nivel alto, 1
VIHmin
para para puertas
CMOS
VILmax
Nivel bajo, 0
VOLmax
Gnd
6
Familias lógicas: CMOS
Inversor
Cerrado Abierto
0V VOH ~ 5V 5V VOL~0V
Abierto Cerrado
7
Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico estático
Niveles lógicos y margen de ruido
VIN RThev
+ V
Thev
Gnd
9
Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico estático
Comportamiento con cargas resistivas.
Ejemplo
VDD V
Thev
VOUT= ·R
RThev+ R nON nON
R VOUT
pOFF
5V RThev
Si VOUT>V OLmax no podremos
+
cargar nuestro inversor
RnON V con ese circuito.
Thev
Gnd
10
Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico estático
Comportamiento con cargas resistivas.
Ejemplo 2
VDD -V Thev
VDD VOUT= · RThev + V Thev
RThev+ RpON
R VOUT
pON
0V RThev
Si VOUT<VOHmin no podremos
+
cargar nuestro inversor
RnOFF V con ese circuito.
Thev
Gnd
11
Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico estático
Comportamiento con cargas resistivas.
Gnd
13
Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico estático
Comportamiento con cargas resistivas.
Gnd
14
Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico estático
Fanout
I OLmax I OHmax
Fanout=Min( , )
IILmax IIHmax
A NAND
NOR A B
B
Salida
Salida
A
A B
B
17
Familias lógicas: CMOS
Puertas NAND, NOR
Entradas sin usar.
F=A·B·C=1·A·B·C
VDD
1K
1
A A
B F B F
C C
Nivel alto
Nivel bajo
tr tf
Los tiempos tanto de subida como de bajada dependerán de la capacidad de carga
así como de la resistencia en ON de los transistores y del cableado.
19
Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico dinámico
Análisis de los tiempos de transición
VDD
Circuito equivalente
Rp de carga
RL
VIN
CL +
Rn
VL
-
Gnd
20
Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico dinámico
Análisis de los tiempos de transición
CL +
Rn CL
VL Rn
-
Gnd
Gnd
21
Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico dinámico
Análisis de los tiempos de transición
t RpONCL
VOUT Vout VDD • 1 e
Rp
VIN
CL Ejemplo numérico
Rn Datos: VOLmax =1.5V
VOHmin =3.5V
R nON =200
CL =100pF
Gnd
t r t 3.5V t 1.5V 20 • 10 9 • ln 3.5 5 ln 1.5 5 17ns
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Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico dinámico
Análisis de los tiempos de transición
CL Ejemplo numérico
Rn Datos: VOLmax=1.5V
VOHmin =3.5V
RnON =100
C L =100pF
Gnd
t f t 1.5 V t 3.5V 10 • 10 9 • ln 3.5 / 5 ln 1.5 5 8.5ns
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Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico dinámico
Retardo de propagación
tpHL tpLH
tpHL tpLH
25
Familias lógicas: CMOS
comportamiento eléctrico dinámico
1.-Se consume potencia cuando hay paso de corriente desde
alimentación a tierra cuando la tensión de entrada está lejos
de la alimentación y la tierra, es decir en las transiciones.
2
PT C PD • VDD •f
Frecuencia de
Tiene magnitud de Tensión de las transiciones
capacidad aunque alimentación
no lo es. Viene dado
por el fabricante
Frecuencia de
Capacidad que carga Tensión de las transiciones
la salida de la puerta alimentación
lógica.
Potencia total
PD C PD C L • VDD
2
•f
27
VOUT
Función de Transferencia
5.0
Símbolo de un inversor
Schmitt-Trigger
VIN
0.0
2.1 2.9 5.0
A B
Puerta NOR
29
Tabla de verdad
A
Enable A B Salida
B 0 0 0 Z
0 0 1 Z
Enable
0 1 0 Z
Salida 0 1 1 Z
Enable 1 0 0 1
1 0 1 0
A B 1 1 0 0
1 1 1 0
A Tabla de verdad
A B Salida
B 0 0 Abierta
0 1 Abierta
Gnd 1 0 Abierta
NAND 1 1 0
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VDD
Para el funcionamiento de estas
puertas debe conectarse una
resistencia de pull-up
VOUT
A
Su valor máximo vendrá fijado por:
B I OLmax =VDD/R
pull-up
VDD
Nivel alto, 1
Niveles lógicos VOHmin (2.7V)
indicativos para VIHmin (2.0V)
puertas TTL
VILmax (0.8V)
Nivel bajo, 0 VOLmax (0.5V)
Gnd
33
-Hay una diferencia apreciable entre los niveles lógicos de ambos tipos de
dispositivos.
-Cuando cargamos una puerta CMOS con una TTL estamos exigiendo
mayor corriente y por lo tanto los niveles lógicos de salida disminuyen
-Las características que ofrecen los fabricantes, tanto para IOLmax y IOHmax
como para VOLmax y VOHmin dependen del tipo de puerta con que estemos
cargando.
Ejemplo: Familia HC con VDD=5.0V
Carga CMOS Carga TTL
IOLmaxC 0.02 mA IOLmaxT 4 mA
VOLmaxC 0.1 V VOLmaxT 0.33 V
IOHmaxC -0.02 mA IOHmaxT -4 mA
VOHminC 4.9 V VOHminT 4.3 V
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VDD
Nivel alto, 1
VOHmin (2.7V)
TTL VIHmin (2.0V)
VILmax (0.8V)
Nivel bajo, 0 VOLmax (0.5V)
Gnd
VDD
Nivel alto, 1 VOHmin(4.3V)
VIHmin(3.5V)
CMOS
VILmax(1.5V)
Nivel bajo, 0 VOLmax(0.33V)
Gnd
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FCT y FCT-T
Importante
FCT, FCT-T
Prestaciones
- Velocidad
AC, ACT - Consumo
Precio
HC, HCT
37
S Shottky TTL
F Fast TTL
38
Margen de ruido V
ILmax
a nivel alto
LS, S , ALS, AS 2.7
2.0 LS, S, ALS, AS, HCT, ACT
Zona no válida VIHmin
1.35 HC, AC
V LS, S , ALS, AS 0.5 0.8 LS, S, ALS, AS, HCT, ACT
OLmax
AC, ACT 0.37 Margen de ruido
HC, HCT 0.33 Nivel a nivel bajo
bajo
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VOHmin
VIHmin VOLmax
VILmax . IOLmax
IIHmax .. IOHmax
IILmax
CINtyp tPLH
tPHL
Fanout
Entradas Salidas
Alimentación