SEMICONDUCTORES

Y DIODOS

Lic. Juan M. CORTEZ

JMC
 CLASIFICACION DE LOS
MATERIALES
 Los conductores.-Permiten el paso de las
cargas eléctricas con facilidad y efectividad.

 Los aislantes no permiten el paso de las

cargas eléctricas.

 Los semiconductores.-Material
sólido o
líquido capaz de conducir la electricidad
mejor que un aislante, pero peor que un
metal.
 Resistividades de los materiales
en .m
Aluminio 2,83x10-8 Silicio 1,3 x103 Vidrio 1x1012
Cobre 1,7 x10-8 Germanio 0,45 Bakelita 1x1010
Oro 2,4X10-8 Carbono 3,5x10-3 Caucho 1X1016
Tungsteno 5,2 x10-8 GaAs 3,1x106 Mica 1x1014
Hierro 9,8x10-7 Madera 108-1011
Grafito 8x10-6 Teflón > 1013
Plata 1,6 x10-8
Nicromo 100 x 10-8
Resistencia de barra de material

L
 SEMICONDUCTOR
 Un semiconductor es un material
cuya conductividad eléctrica puede
considerarse situada entre las de un
aislante y la de un conductor.
 Lossemiconductores más conocidos
son el silicio (Si) y el germanio (Ge).

 Elsilicio posee un comportamiento

más estable que el germanio frente a
todas las perturbaciones exteriores
que pueden variar su respuesta
normal. p.e. variacion de la
temperatura
Modelo atómico del cobre
Movimiento de los electrones

Sin campo externo

Con campo externo

 Como todos los demás, el átomo de
germanio o silicio tiene tantas cargas
positivas en el núcleo, como
electrones en las órbitas que le
rodean.

 Parael germanio su numero atomico

es 32.

 Enel caso del silicio este número es

de 14.
Modelo atómico del silicio y germanio
 El silicio es el más utilizado en la
fabricación de los componentes
electrónicos de estado sólido.
 El silicio posee un coeficiente de
temperatura negativo.
 Esquema de un cristal de silicio
puro
Los átomos de silicio
se disponen de modo
que comparten sus
electrones de valencia;
este proceso es
llamado enlace
covalente
Al adicionar energía p.e. mayor temperatura
se ha liberado un electrón y aparece un
espacio vacio o hueco
Los electrones y los huecos contribuyen a la
conducción de corriente eléctrica
SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

 El Si ó Ge se encuentran en estado puro.

 Si inyectamos energía desde el exterior, algunos
de esos electrones de las órbitas externas
dejarán de estar enlazados y podrán moverse.
 El atomo que pierde un electron está cargado
positivamente, pues tiene una carga negativa
menos, ha aparecido un hueco en la estructura.
 Asociamos entonces el hueco a una carga
positiva o al sitio que ocupaba el electrón.
Toda inyección de energía exterior
produce pues un proceso continuo en el
que se tiene:
 Electrones que se quedan libres y se
desplazan de un átomo a otro a lo largo de la
barra del material semiconductor de silicio.
 Aparición y desaparición de huecos en los
diversos átomos del semiconductor.
 A la temperatura ambiente la cantidad de
electrones libres y huecos es la misma y es
una constante que depende del material.
SEMICONDUCTOR DOPADO
 Semiconductor dopado.- El dopaje consiste en
sustituir algunos átomos de silicio por átomos de
otros elementos.
 A estos últimos se les conoce con el nombre de
impurezas.
 Tanto el material tipo N como el tipo P se forman
mediante la adición de un número
predeterminado de átomos de impureza al
germanio o al silicio.
 Semiconductor tipo N
 La sustitución de un átomo de silicio por otro
pentavalente provoca la aparición de electrones
en el cristal de silicio.
 Por tanto ahora los "portadores mayoritarios"
serán los electrones y los huecos los portadores
minoritarios.
 A las impurezas difundidas con cinco electrones
de valencia se les llama átomos donadores.
 Los elementos que se utilizan con mayor
frecuencia para este propósito son el antimonio,
arsénico y fósforo.
SEMICONDUCTOR TIPO N
Resulta que cuatro de los electrones del
atomo pentavalente sirven para
enlazarse con el resto de los átomos de
la red y el quinto queda libre.

electrón
 Corriente en el material N

Los electrones son los portadores

mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios.
 Semiconductor tipo P
 La sustitución de un átomo de silicio por
otro trivalente provoca la aparición de
huecos en el cristal de silicio.
 Por tanto ahora los "portadores
mayoritarios" serán los huecos y los
electrones los portadores minoritarios.
 Los elementos que se utilizan con mayor
frecuencia para este propósito son el boro,
galio e indio.
Semiconductor tipo P
Tres electrones del material trivalente
se enlazan con los atomos vecinos,
pero como son cuatro atomos, quedará
un hueco por ocupar.

Hueco

JMC
 Corriente en el material P

Los huecos son los portadores

mayoritarios y los electrones son
los portadores minoritarios.
 DIODOS DE UNION
 Dispositivo semiconductor, formado por la
unión de dos materiales semiconductores
de diferente tipo de dopado: P y N
El nucleo del atomo pentavalente se carga
positivamente al perder su electrón
El nucleo del atomo trivalente se carga
negativamente al ganar un electrón
En el momento de realizar la unión, los huecos
del material tipo p se difunden hacia el
material tipo N y los electrones del material tipo
N se difunden hacia el material tipo P.
El movimiento de las cargas libres crea una
region vacia, W (zona de empobrecimiento,
de deplexion o zona de carga espacial z.c.e.)
en la que solo hay atomos de impureza
cargados. El comportamiento de esta región
dependerá de la polarización del diodo

W
La presencia de los atomos de impureza en la
union genera la llamada barrera de potencial
cuyo valor para el silicio es de 0.7 V.
 SIMBOLO DE UN DIODO
SEMICONDUCTOR
 El material tipo P recibe el nombre de ánodo.
 El material tipo N recibe el nombre de cátodo
 La flecha indica el sentido convencional de la corriente.
ENVASES DEL DIODO
Curva Característica del Diodo

 VRRM: tensión disruptiva inversa de silicio

 VD: tensión de codo ó trabajo.
Curvas características de los
diodos más comunes
POLARIZACIÓN DIRECTA
 POLARIZACIÓN DIRECTA

 Elvoltaje positivo aplicado al

ánodo empuja los huecos hacia la
zona de empobrecimiento, lo
mismo hace el voltaje negativo
sobre los electrones del cátodo.
 Cuando el voltaje es pequeño y va
aumentando la zona de empobrecimiento
se va estrechando al llegar a un valor
llamado voltaje de umbral la zona de
empobrecimiento desaparece, apareciendo
una corriente eléctrica a través del diodo,
se dice que el diodo está en conducción.
POLARIZACIÓN INVERSA
 POLARIZACIÓN INVERSA
El voltaje negativo aplicado al ánodo atrae
los huecos y el voltaje positivo aplicado al
cátodo atrae los electrones por lo que la
zona de agotamiento se ensancha y
circulara una corriente muy pequeña (pA a
µA) que en el caso práctico se considera
nula.
 Lacorriente inversa es producida por
los portadores minoritarios. Se dice
entonces que el diodo se comporta
como un interruptor abierto.
 Tipos de diodos y sus
aplicaciones
 Diodos rectificadores.- Diodo de potencia
media o alta que se utiliza para rectificar
las corrientes

 Diodo Zener.- Su funcionamiento es en la

región de ruptura inversa, a una tensión
ampliamente independiente de la
intensidad. Los diodos Zener se utilizan en
reguladores de tensión.

 Diodosespeciales: Diodo varicap y Diodo

emisor de luz
 SEMICONDUCTOR

Tipos

Material

P y N
Combinacion de Combinacion de
Forman
De elementos De elementos
Trivalente + Si pentavalente + Si

El
DIODO
DE
UNION

Simbolo

Diode
Anodo Catodo
Formado por
Formado por
material P Aplicaciones
material N

Rectificadores
Detectores
Limitadores, etc

JMC
 Funcionamiento
Del
Diodo

No conduce Conduce

Polarizado Polarizado
inversamente directamente

+ -
- +

Circuito Circuito
abierto Cerrado

Resistencia
Del
Diodo

Es Es

0
Circula
No circula Corriente
Corriente