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Malo
Malo
Dispositivos de
Potencia
Regiones operativas de componentes
El Diodo de Potencia
Técnicas para mejorar la VBD.
V1 V 2 V1 V2
da db
El Diodo de Potencia
Tensión inversa de trabajo, VRWM= máxima tensión inversa que puede soportar
de forma continuada sin peligro de avalancha.
Tensión inversa de pico repetitiva, VRRM= máxima tensión inversa que puede
soportar por tiempo indefinido si la duración del pico es inferior a 1ms y su
frecuencia de repetición inferior a 100Hz.
Tensión inversa de pico único, VRSM= máxima tensión inversa que puede soportar
por una sola vez cada 10 ó más minutos si la duración del pico es menor a 10ms.
Características Dinámicas
Pérdidas en los diodos
Diodo Schottky de potencia
BJT de potencia
1 tr t f
PON OFF .V CC . I Cmáx .
6 T
t
Pconducción V CEsat .I C.
T
Circuitos de excitación de transistores bipolares.
Vi VBE 5 1
I B1 1 A R1 4
R1 R1
V V 5 1
IB2 i BE 0,2 A R2 16
R1 R2 4 R2
R1.R2 4.16 20u
RE .C .C .C C 1,25uF
R1 R2 4 16 5
Simulación del ejemplo
Potencias perdidas en ambos casos
Enclavador Baker
V
C
EV
B
En
.
VV
DD
s
Darlington
k W 2
zona de saturación , V GS V T V DS i D . V GS V T
2 L
W V 2DS
zona óhmica , VGS V T V DS , i D k . V GS V T .V DS
L 2
1
RDS ON
W
k. V GS V T
L
Diodos en antiparalelo asociados
Efecto de las capacidades
parásitas en VG
1 tr t f
PON OFF .V . I .
6 CC Dmáx T
t
Pconducción I 2D .r DS ON .
T
Circuitos de excitación de MOSFET
RB
12V 4V 54 ; 50 normalizado
148mA
Simulación.
Funcionamiento del SCR.
Característica estática del SCR
Mecanismo de cebado.
Curvas V e I del SCR durante
conmutación.
Formas de provocar el disparo en
un SCR
• Corriente de puerta.
• Elevada tensión ánodo-cátodo.
• Aplicación de Vak positiva antes de que el bloqueo haya
terminado.
• Elevada deriva Vak.
• Temperatura elevada.
• Radiación luminosa.
Autodisparo
Autodisparo
Disparo normal
TRIAC
TRIAC. Característica estática
Cuadrantes de disparo del TRIAC
Disparo de un triac.
Formas alternativas de disparo
Circuitos auxiliares
Ejemplo de V e I en una aplicación
Circuito equivalente del IGBT
IGBT. Curva característica
Características de conmutación.
Valores límites del IGBT
Capacidades parásitas en un
IGBT
Característica estática del GTO
Funcionamiento del GTO
IA 2
IG OFF
OFF 1 2 1
Formas de onda de IG
1
T RC ln
1
PUT.
El transistor monounión programable (PUT) es un pequeño
tiristor con el símbolo de la figura. Un PUT se puede utilizar
como un oscilador de relajación, tal y como se muestra. El
voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentación
mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina
el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp está fijado
por el voltaje de alimentación, pero en un PUT puede variar
al modificar el valor del divisor resistivo R1 y R2. Si el
voltaje del ánodo VA es menor que el voltaje de compuerta
VG, se conservará en su estado inactivo, pero si el voltaje de
ánodo excede al de compuerta más el voltaje de diodo VD,
se alcanzará el punto de disparo y el dispositivo se activará.
La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de
la impedancia equivalente en la compuerta RG =
R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentación en Vs. En
general Rs está limitado a un valor por debajo de 100 Ohms.
R2
T RC ln 1
R1
Aplicación con UJT
V BB V P
RT máx
IP RT máx RT RT mín
V BB V V
RT mín
IV
1 VP
T RT .CT . ln donde
1 V BB
r BB .V GK mín
R1 máx R2 100 a 300
V BB
DIAC
Fundamentalmente este dispositivo está formado por una fuente emisora de luz, y un fotosensor de
silicio, que se adapta a la sensibilidad espectral del emisor luminoso.
Optoacopladores
Optoacopladores
Circuito con optoacopladores
Acopladores Inductivos
Circuito Equivalente
Ejemplo de acoplo inductivo
Problemas generados por el calor
PR Vm.Im
Capacitores:
P
C0
,5
. .
C .
V .
sen
2
2
Mt
Inductores:
P
L0
,5..
LI2
M
. .
sen
2t
P
c
ore6
,51
.fn m
.B
má
x
Transferencia de calor
Transferencia de calor
qc = flujo de calor por convección desde la superficie.
L = longitud de conducción.
r
q
. .
F1 .A
,2 T
1
4
2
4
T Constante de Stefan-Boltzmann
= área de radiación
T1 y T2 = diferencias de temperatura superficial
F1,2 = factor de diferencia entre las dos superficies de los
diferentes cuerpos
Conductividad térmica
Resistencias térmicas
Resistencias térmicas
T,2
1 P.R
Th
1,2
Impedancia térmica
Comportamiento dinámico
Disipadores
Transitorios en las líneas de alimentación
Topología de protección
Componentes para protección
Características
Circuitos de protección
IL
P
iv
Circuito de protección de transistor
ILs
D
C
v
v
v
i
P
Pérdidas en función a C
Formulación.
1 t I Lt I Lt 2
C 0 t dt 2Ct ..................................0 t t f
f f
1 t
VC t I L dt vc t f L t t f L f ....t f t tx
I I t
C C 2C
tf
VS ..................................................................t tx
Si la corriente del interruptor llega a cero antes El condensador se elige a veces de forma que
de que el condensador se cargue por completo la la tensión del interruptor alcance su valor
tensión del condensador se calcula a partir de la final al mismo tiempo que la corriente vale
primera ecuación, saliendo: cero
I L .t f I L .t f
C C
2V f 2VS
Formulación.
Para calcular el valor de la resistencia, ésta se elige de forma
que el condensador se descargue antes de que el transistor
vuelva a apagarse. Se necesitan de 3 a 5 intervalos de tiempo
para que se descargue el condensador.
t
tON f 5RC , R ON
5C
1
W CVS2
2
1
CVS2 1
PR 2 CVS2 f
T 2
Formulación.
Las pérdidas en el transistor varían con el circuito que se añade. La
primera fórmula se refiere a las pérdidas en el transistor sin circuito
de protección.
PQ I LVS t s t f f
1
2
tf I t I L2t 2f f
2
1 T t
PQ vQ iQ dt f L
L
I 1 dt
T 0 0 2Ct
f tf 24 C
Comparación sin y con snubber.