13326 – Sistemas Electrónicos del Buque (Licenciado Máquinas Navales)

Lección 7: Sensores Capacitivos

e Inductivos

+ +

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Sensores Capacitivos
• Condensador plano – 0: cte. dieléctrica del vacío 8,85 pF/m
r – r: cte. dieléctrica relativa. Depende de
S la temperatura y de la frecuencia
– S: superficie
 0 r S
C – d: distancia entre las placas
d

Cte. dieléctrica relativa del agua

Área de en función de la temperatura
+ +

Tecnología Electrónica UNIVERSIDAD D

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Sensores Capacitivos

• Efectos de los bordes

l a  l   a    – l: longitud de la placa
C   0 r 1  ln  1  1  ln 2 
d  d d    – a: anchura

Guardas:
U U U 0 0 0
g

0 U
Si g<<d/5 la anchura efectiva aumenta en g/2 + +

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Área de Tecnología Electrónica
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Sensores Capacitivos
• Condensador cilíndrico

 0 r  2    h
C
h r2
ln
r1

r1
1 r2

h1

2 1  h1   2  h2
C  2    0
h2 r2
ln
r1
r1
r2
+ +

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Sensores Capacitivos
• Principio de funcionamiento
S

S’
d d’

Variación de la
distancia Variación del
Variación de la
dieléctrico
– Condensador diferencial superficie
 0 r S x C2
Placas Placa C C1 
fijas 1 dx
móvil
x a
x0
d
d C2  0 r S  0 r ax0  x 
C2   0 r ax0  x  C2 
dx C1  d
d + +

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Área de Tecnología Electrónica
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Sensores Capacitivos
Medida de nivel
• Líquido no conductor

h 1  x   2  h  x 
C  2    0 
r
ln 2
r1
x 2     0   2  h 1   2   x
 
r2 r
ln ln 2
r1 r1

• Líquido conductor

2     0  1  x
C
r
ln 2
x r1

+ +

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Sensores Capacitivos
Proximidad

– Distancias de unos pocos mm.

máx
– Materiales metálicos y no
metálicos (p.e. Arena, agua,
aceite, etc.)

+ +

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Sensores Capacitivos

+ +

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Sensores Capacitivos p
r2 p
z z
- Presión absoluta 4 S
- Presión diferencial 2r S: tensión
radial
p
Láminas del condensador Diafragma

Substrato
– Pueden soportar sobrepresiones mucho mayores
que la correspondiente al fondo de escala

+ +

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Sensores Capacitivos
Humedad
– C0: algunos cientos de pF typ.
– : entre 0,5 y unos pocos pF por %RH
C  C0 1    RH  – Tiempos de respuesta de decenas de s. A min.

• HS1100/1001
de Humirel

+ +

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Sensores Capacitivos Aplicaciones

Aceleración a
kx  ma
M
k

fn f
Muelle x Respuesta en
frecuencia
MEMS “Micro-ElectroMechanical Systems”
Ej. ADXL250 de Analog (42 elementos)

Placa
móvil

Muelle

Placas fijas Aceleració + +

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Área de Tecnología Electrónica
n
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Sensores Capacitivos
Detectores de presencia Ca
Placa Placa

C1 C1
Medida de Medida de
capacidad capacidad

Cb
Tierra Tierra

Detectores táctiles

Silicio Condensador

Substrato de
cristal

+ +

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Sensores Capacitivos

• Medidas por comparación

R  jC
Uac C Us  Uac Us  R  jC  Uac
1  R  jC
si R  jC  1
R Us
Con 10 veces el error es ya pequeño

• Amplificador de carga
R2 Udc  C
Salida Us  
C2
C1+C C2 1
Frecuencia de fi 
R1 corte inferior 2    R1  C1
Udc Us
1
Frecuencia de fs 
corte superior 2    R2  C2
No influyen las capacidades de conexión + +

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Sensores Capacitivos
Conversión de la señal alterna a continua
Up
Media Up
Um 
onda 

Onda 2  Up
completa
U 
Rectificador precisión Filtro pasa bajos (extrae
m

(media o doble onda) valor medio)

Rectificador precisión
de media onda
Otras opciones
– Valor de pico
R R (ej. PK01 de
Analog Devices)
R Rectificador
– Valor eficaz
R precisión de
(ej. AD636 de
Analog Devices)
onda completa
R/2 + +

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Sensores inductivos

• Bobinas  
 H dl   NI
Modelo del toroide equivalente
H1  le  H2  g  NI
B   H
Ae
B1 B2
 le   g  NI    BdS
I  0
  B  Ae
  le g 
N g     NI
Ae  e 0 
N 
L
I
Ae N 2
le L N2
1  g le  g le L
R    
Ae  0   0 
R

+ +

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Sensores inductivos

• Bobinas

N
x

a a a-x a+x
x

Diferenciales

+ +

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Sensores inductivos
Proximidad
– Distancias hasta
algún cm. máx
– Materiales
ferromagnéticos

Anillo Cilíndricos Rectangulares + +

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Sensores inductivos
Basados en corrientes Foucault
– : profundiad de penetración
 – f: frecuencia
 
f
– : permeabilidad
– : resistividad

• No se requieren materiales magnéticos

• Frecuencia de trabajo 1MHz típ.
• Distancias de 0,25 a 30 mm (resolución hasta 0.0001 mm)
Área de Tecnología Electrónica
+ +

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Sensores inductivos
Acondicionamiento (L variable)
• Medida por comparación Puente de Hay

R2 Puente de
R2R3C1
R1 C1 R1 R2 Lx 
Maxwell 1   2C12R12
C1
Lx  R2R3C1  2C12R1R2R3
Lx Rx 
Lx 1   2C12R12
R3 R2R3 R3
Rx 
Rx R1 Rx Q  Lx Más
Rx adecuado
para Q>10
• Circuitos de acondicionamiento

– Similar a los capacitivos Ue R Us L-L L

– Medidas en puente Us  Ue
2L0
– Integración en el oscilador (muy R L+L
habitual en proximidad)

Ej. diferencial
+ +

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Sensores inductivos
• Transformador diferencial de variación lineal
Linear Variable Differential Transformer
RVDT: Rotary Variable Differential Transformer

Uexc Uexc

U1 U2 U1 U2

U1-U2 U1-U2

U1
Uexc Uex
U2 c
U1 U2

U1-U2 + +

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Sensores inductivos
LVDT

• Transformador diferencial de variación lineal

Uex Uex Uex Uex Uex
c c c c c

U1 U2 U1 U2 U1 U2 U1 U2 U1 U2

Uexc

U1

-U2

U1-U2

+ +

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Sensores inductivos
LVDT

• Excitación: Fuente senoidal 1-10kHz de unos pocos V con baja

distorsión armónica (<2-3%) y baja variación con la temperatura
• Rozamiento muy bajo
• Coste relativamente bajo
• Muy fiable
• Linealidad muy elevada hasta el 0,05%
• Alcances desde mm. Hasta algunas decenas de cm.
• Buena estabilidad
• Sensibilidad 0,02mV/V/0,001cm a 5mV/V/0,001cm
• Tiempo de respuesta relativamente pequeño
• Frecuencia máxima 2kHz (resonancia)
• Variación con la temperatura 12 ppm/°C. (Potenciómetros 20-40
ppm/°C)

+ +

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Sensores inductivos
LVDT
Usalida=U1-U2
Desp. U1
positivo U2
U1
Ue

U2 U1 Usalida=U1-U2
Desp.
U2
negativ
o

Se pierde el sentido
+ +

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Sensores inductivos
LVDT

Us  Ue (T )K T U1  U2 G
Ue (T )K T U1  U2 
Desm.
Ue Us
Divisor
Ue Us
Desm. (G)
(G) Desm.
Ue (T )

Us  K T U1  U2 G
Ue (T )K T U1  U2 
Desm. - Ejemplos
Ue
Divisor Us – AD598 de Analog Devices
(G)

Desm. +
Ue (T )K T U1  U2 

U1  U2
Us  G
U1  U2
+ +

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LVDT-Aplicaciones

+ +

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