Transistores de Efecto de

Campo

Paola Gomez – Electronica para IS

Introducción
Construcción y características de los JFET
Características de transferencia
MOSFET tipo empobrecimiento
MOSFET tipo enriquecimiento
Manejo del MOSFET
VMOS
CMOS
Los MESFET
Objetivos
• Familiarizarse con la construcción y características de
operación del transistor de efecto de campo de unión
(JFET), del transistor FET semiconductor de óxido
metálico (MOSFET), y del transistor FET semiconductor
metálico (MESFET).
• Ser capaz de bosquejar las características de
transferencia, a partir de las características de drenaje
de transistores JFET, MOSFET y MESFET.
• Entender la vasta cantidad de información provista en
la hoja de especificaciones de cada tipo de FET.
• Tener presentes las diferencias entre el análisis de los
diversos tipos de FET.
Introduccion
• El transistor de efecto de campo
(FET) es un dispositivo de tres
terminales que se utiliza en varias
aplicaciones que coinciden, en gran
medida, con las del transistor BJT.
• Tambien existen transistores de
efecto de campo de canal n y de
canal c. El FET es un dispositivo
unipolar que depende no sólo tanto
de la conducción de electrones
(canal n) como de la condición de
huecos (canal p).

El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, en

tanto que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje
Introducción
• Uno de las características más importantes del FET es su alta
impedancia de entrada (1 MOhm).
• Las ganancias de voltaje de ca típicas para amplificadores de BJT son
mucho mayores que para los FET.
• Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y en general
son más pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles
en chips de circuitos integrados (CI).
(JFET)
• el transistor de efecto de campo de unión.

(MOSFET)
• el transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico. (empobrecimiento y enriquecimiento)

(MESFET)
• el transistor de efecto de campo semiconductor metálico.
CONSTRUCCIÓN Y
CARACTERÍSTICAS DE LOS JFET
• La construcción básica del JFET de canal n se
muestra en la figura. Observe que la parte principal
de la estructura es el material tipo n, el cual forma
el canal entre las capas incrustadas de material p. La
parte superior del canal tipo n está conectada
mediante un contacto óhmico a un material
conocido como drenaje (D), en tanto que el
extremo inferior del mismo material está conectado
mediante un contacto óhmico a una terminal
conocida como fuente (S). Los dos materiales tipo p
están conectados entre sí y a la terminal de
compuerta (G).
CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA
• Derivación
• Para el transistor BJT la corriente de salida IC y la
corriente de control de entrada IB están
relacionadas por beta, la cual se considera
constante para el análisis que se va a realizar. En
forma de ecuación:

• Desafortunadamente,esta relación lineal no existe

entre las cantidades de salida y entrada de un JFET.
La ecuación de Shockley define la relación entre ID
y VGS
Curva de transferencia
Región de operación
RELACIONES
IMPORTANTES
 MOSFET TIPO
EMPOBRECIMIENTO
. Los MOSFET se dividen
aún más en tipo
empobrecimiento y tipo
enriquecimiento.

La capa aislante de SiO2 en la construcción de un MOSFET es la responsable

de la muy deseable alta impedancia de entrada del dispositivo.
Operación y características básicas
MOSFET TIPO
EMPOBRECIMIENTO
• el voltaje de la compuerta a la fuente se ajusta
a 0 V por la conexión directa de una terminal a
la otra y se aplica un voltaje VDS del drenaje a
la fuente. El resultado es la atracción del
potencial positivo en el drenaje por los
electrones libres del canal n y la corriente
semejante a la que se establece a través del
canal del JFET. De hecho,la corriente resultante
con VGS 0 V se sigue etiquetando IDS
MOSFET tipo empobrecimiento de canal p
• La construcción de un MOSFET tipo
empobrecimiento de canal p es exactamente
a la inversa, ahora el sustrato es tipo n y el
canal tipo p.
• Las terminales no cambian, pero las
polaridades del voltaje y las direcciones de
corriente se invierten
MOSFET TIPO
ENRIQUECIMIENTO
 VMOS

Un transistor VMOS es un tipo de transistor

semiconductor de óxido metálico. VMOS
también se utiliza para describir la forma de
ranura en V cortada verticalmente en el
material del sustrato.
a forma "V" de la compuerta del MOSFET
permite que el dispositivo entregue una
mayor cantidad de corriente desde la fuente
hasta el drenaje del dispositivo. La forma
de la región de agotamiento crea un canal
más ancho, permitiendo que más corriente
fluya a través de él.
El uso del dispositivo era un dispositivo de
potencia hasta que se introdujeran
geometrías más adecuadas, como el
UMOS (o Trench-Gate MOS) para reducir
el campo eléctrico máximo en la parte
superior de la forma de V y así conducir a
voltajes máximos más altos que en el caso
de el VMOS.
 CMOS
Mosfet Complementaria. Un uso muy efectivo de la configuración complementaria es un inversor
Mesfet
• Como vimos en capítulos anteriores, el
GaAs se ha utilizado durante varias
décadas en la construcción de dispositivos
semiconductores. Desafortunadamente,
sin embargo, los costos de fabricación y la
baja densidad resultante en circuitos
integrados así como los problemas de
producción evitaron que alcanzara un nivel
prominente en la industria hasta hace
algunos años.
• El MESFET difiere de la puerta aislada
común FET o MOSFET en que no hay
aislador debajo de la puerta sobre la
regio de conmutación activa