eman ta zabal zazu

Universidad del Pas Vasco

Departamento de Arquitectura y Tecnologa de Computadores
upv ehu

TRANSISTORES

Smbolo. Caractersticas
Clasificacin de los transistores
Transistores bipolares
Transistores unipolares

PED 2002-03 4.1

 Caractersticas. Smbolo


Elemento triterminal: Terminal de control
Magnitud control: tensin o corriente terminal de i A
Funcionamiento especfico: dos uniones PN control i +
Funcionamiento en rgimen permanente: T.C.
vAB
componentes de los circuitos digitales
+
vT.C.
B
i
IQ 3
IQ 2
IQ 1

v
VQ
PED 2002-03 4.2
 Clasificacin de los transistores
Transistores bipolares: BJT
Corriente: movimiento de electrones y huecos.
Magnitud de control: corriente
Dos tipos: NPN y PNP

Transistores unipolares o de efecto de campo: FET

Campo elctrico influye en el comportamiento
Corriente: movimiento slo de electrones o huecos, segn el tipo
de transistor
Magnitud de control: diferencia de potencial
JFET
FETMOS: de canal N (electrones); de canal P (huecos)

Transistores uniunin: UJT

Muy especiales. No los veremos

PED 2002-03 4.3

 TRANSISTORES BIPOLARES

Magnitud de control: corriente

Terminal central: corriente de control. Terminal base: B
Terminal izquierda: emisor, E
Terminal derecha: colector, C

A i
i T.C.
+
vAB i f (v AB , iT .C . )

B
P N P N P N

PED 2002-03 4.4

 Tipos de transistores bipolares

transistor bipolar NPN transistor bipolar PNP

C C
colector colector

B B
base base
emisor emisor
E E

Sentido flecha: de P hacia N

PED 2002-03 4.5

 Magnitudes en los transistores bipolares
Seis magnitudes a relacionar
Corriente en cada terminal: IC, IB , IE
Diferencias potencial entre terminales: VBE, VBC , VCE
Dos ecuaciones de comportamiento
Convenio para el sentido de las corrientes y signo de las tensiones

NPN IC PNP
+ IC
VBC C + VCB C

IB + IB
VCE VEC
B + B
VBE VEB
E + E
+
IE IE

PED 2002-03 4.6

 Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares

RC IC
IC IC
VBC
+ + +
RB VCC
VCE
IB +
VBB + VBE
IE
IB IC

PED 2002-03 4.7

 Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares

I E I B IC V BC VBE VCE

V BB RB I B V BE V CC RC IC VCE

IC f (VCE , I B ) I B g(VBE , VCE )

Ecuaciones comportamiento: anlisis experimental
Simplificando: punto operacin del transistor Q(IB, IC, VBE, VCE)

PED 2002-03 4.8

 Curvas caractersticas: dos

I B g(VBE , VCE )

VCE poca influencia. Se simplifica. IB g(VBE )

IB IB

VBE VBE

PED 2002-03 4.9

 IC f (VCE , I B )
mA
IC IB 100 mA
12

IB 80 mA
10

8 IB 60 mA

6
IB 40 mA
4

IB 20 mA
2

0 VCE
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 V

PED 2002-03 4.10

 Zonas de funcionamiento del transistor bipolar

Un transistor tiene dos uniones PN, 4 posibles polarizaciones:

unin BE IP IP DP DP
unin BC IP DP IP DP
Distinguir entre E y C?
Polarizacin relativa determina quin funciona como E y quin como C
E y C no son exactamente iguales a nivel fsico
Funcionamiento directo o normal (NPN): VBE> VBC
Funcionamiento inverso (NPN): VBE< VBC
Habitualmente: funcionamiento directo
Posible con tres de las cuatro opciones
Tres zonas de funcionamiento
Corte
Regin Activa Normal (R.A.N.)
Saturacin

PED 2002-03 4.11

 1. Corte

BE y BC en I.P.
Por tanto VBE 0,7 V y VBC 0,7 V (se suele comprobar slo VBE 0,7 V)
En I.P. no circula corriente, por tanto: IC = 0 A IB = 0 A (por tanto IE = 0 A)
Ya tenemos las dos ecuaciones que nos faltaban
Resumiendo:

condicin ecuacin
VBE 0,7 V IC = 0 , IB = 0

PED 2002-03 4.12

 2. Regin Activa Normal (R.A.N.)

BE en D.P., BC en I.P
Slo una unin en D.P. pero corriente en ambas. An as IB << IC
BE en D.P., por tanto, VBE = 0,7 V (una ecuacin ms)
Otra ecuacin: analizando las curvas caractersticas del transistor
Conclusin anlisis: IC/IB = ( nueva ecuacin, ganancia de corriente)
Vara segn el tipo de transistor. Consideraremos 100
Verificacin de esta zona implica comprobar unin BC en I.P: comprobar
VBC 0,5 V (no 0,7 como en una unin aislada). Equivalente: VCE 0,2 V

condicin ecuacin
IC
VCE 0,2 V VBE = 0,7 V ,
IB
PED 2002-03 4.13
 3. Saturacin

BE y BC en D.P.
Corriente en las dos uniones, IB mayor que antes
Ambas uniones en D.P.: VBE = 0,7 V y VCE = 0,2 V
No relacin constante anterior
Verificacin de esta zona implica comprobar IC/IB

condicin ecuacin
IC VBE = 0,7 V

IB VCE = 0,2 V

PED 2002-03 4.14

 Zonas de funcionamiento en la curva caracterstica

mA IC IB 100 mA
12
IB 80 mA
Saturacin

10
8 IB 60 mA
R.A.N.
6
IB 40 mA
4
IB 20 mA
2
Corte
0 VCE V
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

PED 2002-03 4.15

 Aproximacin realizada

IC
IB4
IB3
IB2
IB1
VCE
0,2 V

PED 2002-03 4.16

 Resolucin grfica de circuitos con transistores

Conocemos curvas (IB ,VBE) y (IC ,VCE) del transistor

Circuito de entrada
IB
B
V BB "carga" del
RB + circuito de
V BE entrada
E

V BB RB I B V BE
V BB 1
IB V BE
RB RB RECTA DE CARGA de entrada

PED 2002-03 4.17

 Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IB ,VBE)

IB

VBE

Obtenemos punto de operacin de entrada: (IBQ ,VBEQ)

PED 2002-03 4.18

 Circuito de salida
V CC
RC IC

C +
"carga" del
circuito de V CE
salida
E

V CC RC IC VCE

VCC 1 RECTA DE CARGA de salida

IC VCE
RC RC

PED 2002-03 4.19

 Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IC ,VCE)

IC IB5
IB4
IB3

IB2 =IBQ

IB1

VCE
Obtenemos punto de operacin de salida
Con ambos puntos, tenemos el punto de operacin del transistor

PED 2002-03 4.20

 TRANSISTORES UNIPOLARES O DE EFECTO DE CAMPO

Campo elctrico influye en el comportamiento

Corriente: movimiento slo de electrones o huecos, segn tipo
Magnitud de control: diferencia de potencial
JFET
FETMOS: de canal N (electrones); de canal P (huecos)

A
i
+
i f (vAB , vT.C. )
T.C. v AB
+
vT.C.

B

PED 2002-03 4.21

 JFET, transistores de efecto de campo de unin

transistor JFET de canal N transistor JFET de canal P

D drenador D drenador

G G
puerta puerta
S fuente S fuente
Otros smbolos

transistor JFET de canal N transistor JFET de canal P

PED 2002-03 4.22

 Magnitudes de los JFET
Tres magnitudes para analizar comportamiento: ID, VDS y VGS (t. control)
Funcionamiento adecuado: dos uniones PN en I.P
Canal N: VGS < 0. Canal P: VGS > 0
Portadores de carga de fuente hacia drenador, generan ID
Corriente IG =0. Por tanto: IS= ID

canal N canal P
(> 0)
D ID + VGS S +
IG 0 IG 0 +
G
VDS VSD
+ G
ID
VGS
(< 0)
S D

PED 2002-03 4.23

 Curvas de transferencia en los JFET
Punto de operacin: Q( IDQ, VDSQ, VGSQ)
Corriente ID depende de las dos tensiones: ID = f(VGS,VDS)

Circuito para analizar el funcionamiento

ID
RD
D
IG 0 +
G
VDS + VDD
+
VGG + VGS (variable)

(variable)
S

PED 2002-03 4.24

 Dos curvas

* Curva 1: manteniendo VDS, ID sat= f(VGS)

ID
IDSS 2
VGS
I Dsat I DSS 1
VGSoff
IDsat
V GS
V GSoff (< 0 siempre) V GSQ

IDSS corriente de saturacin (VGS=0)

VGSoff tensin de estrangulamiento (canal desaparece, ID = 0)

PED 2002-03 4.25

 * Curva 2: para distintos valores de VGS, ID = f(VDS)

ID
IDSS V GS 0 V

V GS 1 V
Saturacin
IDsat V GS 2 V
Vgs=-2
V GS VGSoff ( < 0 )
Corte V DS
VDSsatVDSS
Vgs=-2

IDSS corriente de saturacin (VGS=0)

VGSoff tensin de estrangulamiento (canal desaparece, ID = 0)

PED 2002-03 4.26

 Tres zonas de funcionamiento:
condicin ecuacin

CORTE: VGSQ VGSoff ID = 0

ZONA OHMICA: VGSoff VGSQ 0 ID = VDSS / RDS

VDSQ VDSsat RDS = VDSS / IDSS

SATURACIN: VGSoff VGSQ 0 ID = K IDSS

2
VDSQ VDSsat VGSQ
K 1
VGSoff
VDSS tensin para estrangular el canal : |VGSoff|
VDSsat frontera entre zona hmica y saturacin (no constante)
2
VGSQ
V DSsat 1 VGSoff
V GSoff
PED 2002-03 4.27
 MOS, transistores metal-xido-semiconductor

NMOS de enriquecimiento PMOS de enriquecimiento

D D
drenador drenador
B B
G sustrato G sustrato
puerta puerta
S S
fuente fuente

NMOS de empobrecimiento PMOS de empobrecimiento

D D
drenador drenador
B B
G sustrato G sustrato
puerta puerta
S S
fuente fuente
PED 2002-03 4.28
 Otros smbolos

transistores de enriquecimiento transistores de empobrecimiento

NMOS PMOS NMOS PMOS

Enriquecimiento: D y S fsicamente separadas

Empobrecimiento: entre D y S siempre hay canal
B, sustrato (bulk). No es un terminal, sino la base fsica sobre la que se
ha construido el MOS. Normalmente se conecta a S

PED 2002-03 4.29

 Magnitudes de los MOS
Tres magnitudes para analizar comportamiento: ID, VDS y VGS (t. control)
Corriente IG =0 siempre, no dependiendo de la polarizacin
Polarizacin adecuada para crear canal entre S y D (enriquecimiento) o
para estrechar el canal existente (empobrecimiento)

NMOS de enriquecimiento PMOS de enriquecimiento

(< 0)
D ID VGS S
+
IG 0
+ IG 0 +
G VSD
VDS G
+V
GS
(> 0) S D ID

PED 2002-03 4.30

 Curvas de transferencia en los MOS
Punto de operacin: Q( IDQ, VDSQ, VGSQ)
Corriente ID depende de las dos tensiones: ID = f(VGS,VDS)
Obtenemos esa curva experimentalmente, al igual que antes, con un
circuito similar

* Curva 1: manteniendo VDS, ID = f(VGS) (transistor en saturacin)

NMOS de enriquecimiento
ID
2
IDon V GS V T
I D I Don
V GSon VT
V GS
VT V GSon

PED 2002-03 4.31

 * Curva 2: para distintos valores de VGS, ID = f(VDS)

ID NMOS de enriquecimiento
V GS 15 V
mi ca

V GSQ
IDsat V GS 10 V
a h

S aturacin
V GS 5 V
Zon

V GS VT
Corte V DS
V DSsat

PED 2002-03 4.32

 MOS enriquecimiento, tres zonas de funcionamiento:
condicin ecuacin

CORTE: VGSQ VT ID = 0

ZONA OHMICA: VGSQ VT ID = VDSS / RDS

VDSQ VDSsat

SATURACIN: VGSQ VT ID = K IDon

VDSQ VDSsat 2
VGS VT
K
V
GSon V T

PED 2002-03 4.33