Electrnica

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Teora de los Transistores

Un transistor es un dispositivo semiconductor que se

construye con tres regiones, formando dos junturas N-P.

Dos son las formas en que pueden combinarse estas tres

regiones dando a los dos tipos de transistores, NPN y los
PNP

N P N P N P

Emisor Colector Emisor Colector

Base Base
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Construccin de un Transistor
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Polarizacin Directa de la Juntura BASE-EMISOR

Emisor N Base P Colector N

Nd >> Na Na == Nd

Je Jc
Ie Vbe Ib
- +

Polarizacin Directa, Corriente Directa

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Polarizacin Inversa Juntura BASE-COLECTOR

e
h

Je Ib Jc Vcb
- + Ic

Polarizacin Inversa, Corriente Inversa

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Transistor con Doble Plarizacin

Nd >> Na Na == Nd

e
e
h e h

Ib Ic
Vbe Vcb
- + - +
IE
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Efectos
a) se produce, una alta corriente de electrones desde la
regin de emisor hacia la regin de base.

b) se mantiene la pequea corriente de huecos desde

la regin de colector hacia la regin de emisor.

c) se mantiene la baja corriente de electrones desde

la regin de base hacia la regin de colector.

d) se produce la pequea corriente de huecos desde la

regin de colector hacia la regin de base.
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Efectos
e) y por ltimo, una gran proporcin de los electrones
inyectados desde la regin de emisor en la regin de
base atraviesan la base y modifican la concentracin de
electrones en la Zona de Transicin de la juntura de
colector. El gradiente de concentracin que producen,
difunden hacia la regin de colector y son atrados por el
potencial positivo de la regin de colector producindose
una alta corriente de electrones desde emisor hacia
colector atravesando ambas junturas. Esta corriente
circula por los conductores externos del emisor y del
colector. Este fenmeno puede resumirse diciendo que
electrones inyectados desde la regin de emisor son
recolectados por el terminal del colector.
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Por los antes descrito se puede escribir una ecuacin que

relacione las corrientes de emisor con la de colector
mediante un factor de proporcionalidad ""

Ine Inc 0,95 0,999

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Corriente de electrones por la juntura de emisor

qV
dn npo ( kT )
jn qDn qDn (e 1)...Corriente.de.electrones.
dx Le
qV
dp p ( )
jp qDp qDp no (e kT 1)...Corriente.de.hue cos
dx Lp

Dn Dp
I0 qA( ) * ni2
LnNA LpND

Con.ND NA
Dn
IES In qA( ) * ni2
LnNA
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Corriente por la Juntura de Base-Emisor

qVbe
( )
Ibe IES * [e kT 1]

ic ibe
qVbe
ic * Ibeo e KT 1


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Corriente por la Juntura de Base-Colector

qVcb
( )
Icb Ics * [e kT 1]

i e r i cb
qVcb
i e r * Ics e KT 1


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Modelo de Ebers-Moll para un transistor

Corriente Juntura Emisor

qVbe qVbc
( ) ( )
Ie Ies (e kT 1) r Ics (e kT 1)
Corriente Juntura de Colector
qVbe qVbc
( ) ( )
Ic FIes (e kT 1) Ics (e kT 1)
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qVbe qVbc
( ) ( )
r Ic r FIes (e kT 1) r Ics (e kT 1)
qVbc qVbe
( ) ( )
r Ics (e kT 1) r FIes (e kT 1) - r Ic

Luego la Corriente de Emisor es

qVbe qVbe
( ) ( )
Ie IEO (e kT 1) r Ic Ie IEO (e kT )
IEO (1 F r )IES
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La corriente de Colector es

qVbc
( )
Ic FIe ICO (e kT 1)
ICO (1 F r )ICS

Ic FIe ICO
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Modelo de Ebers Moll

rIc FIe

E B C

Ie qVbe Ico
IEO (e
(
kT )
)
Ic
Ib

VBE VCB
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Modelo de Ebers Moll Simplificado

qVbe
IEO (e
(
kT )
)
FIe
E B C

Ie Ib Ic

VBE VCB VBE

Vt
Ie IEO * (e )
Ic FIe
Ib Ie Ic
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Smbolos de los Transistores en un Circuito

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Voltajes y corrientes por los Transistores

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Curvas Caractersticas de un Transistor NPN Base Comn

Ic
Pendiente Ico
Ic= Ie

P Icx

Iex
Ie
Vcb
Vbex
P

Vbe
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VCC ICR C VCE

Ic

Ic= Ie Punto de Operacin

Icop
Recta de Carga Salida
Vbb Vbe IeR E Vcb=Vcc- Ic*Rc
Ie Ieop
Vcc Vcb
Vcbop
Vbeop Ie = Ieo [exp(Vbe/Vt) - 1]
Punto de Operacin

Recta de Carga Entrada V BB

Vbe = VBB - Ie*RE Vbe
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Dependencia de la temperatura

Ie T1>T2>T3
- g qVbe
kT
Ie Ie Iq * e kT * (e 1)
g kT I
Vbe * ln( e )
q q Iq

0,5 V(To) 1 Vbe

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Modelo de Pequea Sea en Base Comn

Ic

1
Punto de Trabajo o Polarizacin

Recta de carga
Ie
Vcb
Recta de carga
DV D Vcb
be

Vbe

tiempo Correr simulacin en base comn

tiempo
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VBE
Ie IE0 * e Vt
VBE VDC v eac Seal continua + alterna

VDC v eac VBE v eac v eac

Ie IE0 * e VT
IE0 * e VT
* e VT I * e VT
eq

Polarizacin Parte alterna
Valor Medio
punto de trabajo

x2 x3 v v Vt
x
como. e 1 x ...... Ie Ieq* (1 eac ) Ieq Ieq * eac re
2! 3! Vt Vt Ieq
con....x 1, se..tiene e x (1 x )
ieac Ieq *
v eac
Vt

v eac re * ie ac
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Ic F * Ie
v ac
Ic F * (Ieq Ieq * ) Icq icac
Vt

Vs Ic * R c (Icq icac ) * R c
v sac icac * R c F * ieac * R c

v sac R
c
v eac re
v sac 5000
1* 434
v eac 11,50
dB 52dB
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Base Comn

R bb Rc
Vbb
Vc

(a)
E ie i C E ie i C
c c
+ +
r v r v ie
e ie e
-be ve -be R
c
B B

(b) (c)

E ie i C
c
r + V
v g mb v be r
e be e = t Ieq g mb r e
-

(d)
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Transistor en configuracin Emisor - Comn

Rc
Ie Ic Ib
Vcb Ic Ic FIe IC0
Rb Ib Vcc
Vce
Vbb
Ic F (Ic Ib ) IC0
Vbe Ie
F 1
Ic ( )Ib IC0
1 F 1 F

Ic Ib ( 1)IC0
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C V
( be )
Ic VT
Ie Ieo * e
I co Ie

B Ib (1 )Ie Ico
Ib Ie 1
Ib * Ie Ico
E 1
V
( be )
1 VT
Ib * (Ieo * e )
1
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Rc

Vcb Ic
Rb Ib Vcc
Vce
Vbb
Vbe Ie Ic
Vcc
Rc Recta de carga Salida
Ib3>Ib2
Curva de
Transferancia Icq Ib2>Ib1
Ic= *Ib
Ib1>0

Vbb
Rb Ibq Ib=0

Ib Vceq Vcc Vce

Vbeq
Puntos de Trabajo. Polarizacin
Recta de Carga
Entrada
Vbb
Vbe
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Zona Saturacin
Ic
Zona Activa
Vcc
Rc Recta de carga Salida
Ib3>Ib2
Curva de
Transferancia Icq Ib2>Ib1
Ic= *Ib
Ib1>0

Vbb
Ibq Ib=0
Rb

Ib Vceq Vcc Vce

Vbeq
Puntos de Trabajo. Polarizacin
Recta de Carga
Entrada
Vbb
Zona Corte
Vbe
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Amplificador Transistorizado
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Modelo de pequea seal

v sac R
Emisor Comn c
vbac r
Rb Rc Vcc Vt V
V r ( 1) * t r ( 1)re
bb Ibq Ieq

(a)
Vt 0.025 V
B i ic
B i ic b C
b C
+
+ r v Rc
i b
r v i b ve -be
-be
E
E
(b)
(c)

B i ic
b C
+
r v g m vbe
-be = gm r

(d)
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Ie Veb 0,7
Ic
2,85 V
0,7 V
Transistor NPN Transistor PNP
-0,7 V
-0,7 V
Vbe 0,7 Ic
Ie
5 0,7 4,3 5 0,7 4,3
Ie 2,15 mA Ie 2,15 mA
2k 2k 2k 2k

Ic Ie 2,15 mA Ic Ie 2,15 mA
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Transistor como conmutador