Curso de Fsica III

Para estudiantes de segundo ao

de las carreras de Ingeniera
Industrial, Mecnica y Qumica.
Conferencias dictadas por:
Dr. Arcelio A. Hernndez Fereira
Profesor Titular

Conferencia 5. Fsica de los Slidos.

Sumario:
1) Estructura de los slidos. Estructura cristalina. Redes cristalinas. Base.
Planos y direcciones en un cristal. ndices de Miller.
2) Difraccin de rayos X en los cristales. Ley de Bragg. Dispersin elstica de
la radiacin X en los cristales. Intensidad del haz difractado. Factor de
estructura de la base. Uso de la difraccin de rayos X para identificar la red
cristalina.
3) Bandas de energa. Origen de las bandas de energa. Esquema de bandas
de energa en dependencia del tipo de material: conductores,
semiconductores y aislantes.
4) Modelo de los electrones libres para los metales. Densidad de estados.
Funcin de distribucin de Fermi-Dirac. Propiedades fsicas: capacidad
calorfica y conductividad elctrica en los metales.
5) Semiconductores. Conduccin en los semiconductores intrnsecos y
extrnsecos. Dispositivos semiconductores: diodos y transistores.

OBJETIVOS
Describir las principales caractersticas de la estructura de
los slidos cristalinos a travs de los conceptos de red
cristalina, parmetro de la red, ndices de Miller para planos
y direcciones y cmo identificar la red mediante difraccin de
rayos X.
Identificar los principales resultados de la aplicacin del
modelo de los electrones libres para la explicacin de las
propiedades fsicas de los metales.
Explicar el origen de las bandas de energa en los slidos y
la dependencia de la conductividad elctrica de los
materiales slidos a partir de su esquema de bandas de
energa.
Distinguir entre la conduccin intrnseca y extrnseca en lo
semiconductores y reconocer en cada caso el papel de la
temperatura.

Estructura de los slidos. Estructura cristalina. Redes cristalinas. Base.

La
regularidad
de
la
apariencia y de la forma
externa de los cristales
encontrados en la naturaleza
u obtenidos por crecimiento
en el laboratorio, llevaron a
los observadores desde el
siglo XVII a la creencia de
que
los cristales estaban
formado por una repeticin
regular
de
bloques
de
construccin
idnticos.
Cuando un cristal crece en un
ambiente constante la forma
se
mantiene
invariable
durante el crecimiento como
si los bloques de construccin
elementales se aadieran
constantemente al cristal.

Estados de Agregacin de la Materia

Una posible clasificacin de la materia divide a sta en materia condensada y materia gaseosa.
Dependiendo del alcance del orden espacial de la estructura interna de la materia, podemos
distinguir los siguientes estados de agregacin de la materia (en rigor, esta clasificacin slo es
aplicable a sustancias puras):

El estado solido surge cuando la interaccin entre las molculas, tomos o iones es tan intensa que
el movimiento trmico de estas partculas no desempea en la estructura un papel tan considerable,
como lo tiene en los lquidos y, ms an, en los gases. Como consecuencia de ello, las partculas se
sitan una respecto a otra en ciertas posiciones fijas, efectuando pequeas oscilaciones trmicas
alrededor de las posiciones de equilibrio.

Red Cristalina

La estructura de los slidos es peridica: la disposicin de las partculas se

repite al pasar de unas zonas del espacio a otras indicando la existencia en
su estructura del orden de largo alcance.
La estructura peridica de los slidos se realiza en forma de red cristalina y
los mismos slidos son cristales.
Los puntos de equilibrio de los tomos, molculas o iones que componen el
cristal se llaman nudos de la red cristalina.

Los cristales no son

ms que un arreglo
tridimensional peridico
de tomos o grupos de
tomos.

Celda elemental
Las redes cristalinas se pueden
racionalizar introduciendo el concepto de
celda elemental, la cual es un
paraleleppedo que por traslacin de s
mismo genera completamente la red
cristalina.
Podemos afirmar que la celda
unitaria se caracteriza por tres
vectores base que definen las tres
direcciones
independientes
del
paraleleppedo.
Esto se traduce en seis parmetros
de red, que son los mdulos, a, b y
c, de los tres vectores, y los ngulos
, y que forman entre s, como
se muestra en la figura.

Simetra de traslacin
Las redes cristalinas corresponden a una disposicin de puntos en el
espacio con la propiedad de tener simetra traslacional. Esto quiere decir
que cada punto de la red se puede obtener de otro punto mediante una
traslacin.
Los tres vectores forman una base del
espacio tridimensional, de tal manera que
las coordenadas de cada uno de los
puntos de la red se pueden obtener a partir
de ellos por combinacin lineal con los
coeficientes enteros.

El vector traslacin se define como:

T n1a n2b n3c

n1, n2, n3 nmeros enteros

La operacin de traslacin se define como:

r r T r n1a n2b n3c

Siendo
el vector que seala la posicin de un punto de la red desde un
origen dado y
el vector que seala a otro punto. Cualesquiera dos
puntos de la red estn relacionados por tal relacin, solo basta buscar el
juego de nmeros enteros n1, n2 ,n3.

Operacin de Traslacin en una red peridica

En este caso particular n1=1, n2=2 y n3=1

Celda elemental primitiva

Es la celda elemental a la cual corresponde un solo punto de la

red y cuyo volumen es mnimo.
Representacin bidimensional de una red cristalina:

Excepto la nmero 5, las figuras representan celdas elementales primitivas,

las celdas 1 a 4 difieren en la eleccin de los vectores primitivos. Todas las
reas son iguales

Estructura cristalina

La definicin es ms completa si se aade que los cristales estn

constituidos por dos elementos, por una parte la estructura regular, o red
regular, de puntos en el espacio y por otro lado el motivo(base), el
conjunto de tomos o molculas que se repiten en cada uno de estos
puntos reticulares.
Estructura cristalina es una red (de puntos) red cristalina + la
descripcin de la distribucin de los tomos, molculas, iones. etc. en
cada celda elemental. La descripcin mencionada recibe el nombre de
base.

Las bases pueden ser de distinto tipo

Redes de Bravais
Adems de la simetra de traslacin presente en la red cristalina, esta red posee
otras simetras (por ejemplo, simetras puntuales), que son usadas para
clasificar los distintos tipos de redes que existen.

El estudio detallado de las distintas simetras nos permite concluir que

todas las posibles redes cristalinas tridimensionales pueden clasificarse en
14 tipos distintos de redes, conocidas genricamente como redes de
Bravais y pertenecientes a siete sistemas cristalogrficos. Se puede
demostrar que cualquier red no incluida se puede reducir a una de las
catorce.

Estructura tipo diamante

Una estructura de especial inters prctico es la denominada estructura
tipo diamante. Una gran nmero de las sustancias formadas por tomos
del grupo IV (C, Si, Ge, ...), o bien aqullas formadas por tomos del grupo
III y V, cristalizan en este tipo de red. Dado que la mayora de los
materiales semiconductores estn formados por tomos de los grupos
anteriores, los semiconductores suelen presentar una estructura tipo
diamante.
Segn muestra la Fig. (a), la estructura tipo diamante puede visualizarse
como dos redes cbicas fcc interpenetradas y desplazadas una sobre la
otra 1/4 sobre la diagonal del cubo, dando as lugar a una disposicin
tetradrica (ver Fig. b) en la que cada tomo puede considerarse localizado
en el centro de un tetraedro y formando un enlace con cada uno de sus
cuatro vecinos ms prximos.
Segn veremos en temas
posteriores, esta disposicin
tetradrica determina alguna
de las propiedades ms
caractersticas de los
semiconductores.

Parmetros de la estructura cristalina

Dado que muchos de los compuestos elementales
que forman los slidos (tomos, iones, ...)
presentan simetra esfrica, la disposicin de
muchas estructuras cristalinas puede visualizarse
considerando a stas como empaquetamientos
espaciales de esferas rgidas en forma simtrica y
compacta.
Algunos de los parmetros ms importantes de las
redes cristalinas, fruto de la consideracin anterior,
se obtendrn durante la realizacin de la clase
prctica.
parmetros

Direcciones en un cristal. ndices de Miller.

Para especificar una direccin en un cristal se emplean tres
nmeros enteros mediante la combinacin lineal con ellos y
los vectores base de la celda unitaria se obtiene un vector
cuya direccin apunta en la direccin deseada y se
representan entre corchetes <hkl>.

R ha kb lc

Planos cristalogrficos
Es un plano que contiene a lo menos tres puntos no
colineales de una red.

ndices de Miller.
Los planos cristalogrficos se denotan por los ndices de
Miller. Estos se determinan de acuerdo al siguiente
procedimiento:
1.Se hallan las longitudes (o distancias) hasta los puntos de corte del
plano que queremos caracterizar con cada uno de los ejes de
coordenadas.
2.Se expresan las mismas en trminos de las longitudes de la arista de la
celda en esa direccin.
3.Se hallan los inversos de dichos nmeros.
4.Se multiplican por el el mnimo comn mltiplo que los hace enteros.
5.Se representan entre parntesis sin comas (hkl).
Los ndices de Miller pueden representar a un plano o a toda una
familia de planos paralelos que tienen la misma orientacin. Para calcular
los ndices de Miller hemos de hacerlo siempre sobre un plano de la
familia que no pase por el origen.

Para las estructuras cbicas se cumple que la direccin

<hkl> es perpendicular al plano cuyos ndices son (hkl).
De igual manera para las redes cbicas con parmetro de la
red a (longitud de la arista del cubo) se cumple que la
distancia que separa dos planos cuyos ndices de Miller son
(hkl) vale:
a

d hkl

h k l
2

Observacin de las estructuras cristalinas

La estructura interna de los cristales puede determinarse a partir del

anlisis de la difraccin ondulatoria producida cuando fotones,
electrones, neutrones, etc... inciden en el cristal.

El anlisis de la difraccin nos informa sobre la configuracin interna del

cristal debido a que la manera en que las ondas son difractadas viene
determinada por la disposicin interna de los componentes del cristal.
Puesto que las dimensiones implicadas en las estructuras cristalinas
(distancias entre nodos reticulares) son del orden del , la configuracin
de las estructuras reticulares slo puede observarse mediante ondas
cuya longitud de onda asociada sea de este mismo orden.

En el caso de que la radiacin incidente est constituida por rayos X

(radiacin electromagntica cuya ), entonces la difraccin producida
en el cristal presenta cierta distribucin de mximos y mnimos que s
nos informa sobre la estructura interna del cristal.

Difraccin de rayos X en los cristales. Ley de Bragg.

Una sencilla explicacin de la difraccin de rayos X en cristales la
proporcion W. L. Bragg, suponiendo que las ondas incidentes se
reflejaban especularmente en los distintos planos del cristal, de forma
que cada plano refleja nicamente una fraccin muy pequea de la
radiacin total (en un cristal perfecto contribuiran de 10 3 a 105 planos
atmicos en la formacin del haz reflejado). Supuesto, entonces, que
cada plano se comporta como un espejo semitransparente, aparecer
un mximo de difraccin siempre que los haces difractados procedentes
de planos de tomos paralelos interfieran constructivamente. Esta
condicin, conocida como ley de Bragg, exige que la diferencia de
camino entre los haces (1) y (2) de la figura adjunta sea un mltiplo de la
longitud de onda, esto es,

Sin embargo, la ley de Bragg solo nos brinda las direcciones en que el
haz difractado tiene intensidad mxima, pero no brinda ningn elemento
de cuanto es la intensidad del haz. De modo que la ley de Bragg es una
consecuencia de la periodicidad de la red, sta no manifiesta la
composicin de la base de tomos de la estructura reticular (es decir, si la
base es un tomo, un conjunto de tomos,...).
Un estudio ms riguroso muestra que la composicin de la base se refleja
en la intensidad relativa de los diversos rdenes de difraccin.

Factor de estructura de la base

Cuando la condicin de mximo para la difraccin se satisface, la amplitud
dispersada para un cristal de N celdas puede ser escrita como:

La cantidad SG es llamada factor de estructura de la base y se define

como una integral sobre la celda simple con r=0 en uno de sus vrtices .

Donde v1, v2, y v3 son tres nmeros enteros y xj, yj, zj las coordenadas
del j-simo tomo

Durante la clase prctica realizarn el clculo de los factores

de estructura de la base para las redes cbicas y conocern
la forma prctica de determinar la estructura cristalina a partir
de los experimentos de difraccin de rayos X.

Enlace metlico
Las fuerzas responsables de la disposicin regular de los tomos en un
cristal son las mismas que las implicadas en los enlaces moleculares, ms
un tipo adicional: enlace metlico. Este tipo de enlace desempea un papel
importante en la formacin de los cristales. En esta estructura los electrones
ms externos de cada tomo se socializan y adquieren la probabilidad de
movimiento libre en el solido cristalino.
Podemos visualizar un cristal metlico como un conjunto de iones positivos
(formados por los electrones internos y los ncleos) inmersos en un mar de
electrones libres que forman el gas electrnico:

El campo elctrico peridico de los iones en los nodos de la red

cristalina produce un nuevo e interesante fenmeno: los
estados se agrupan en bandas de energas permitidas
separadas por espacios o bandas energticas prohibidas.

Teora cuntica de los electrones libres en el metal.

En los slidos que presentan el enlace metlico, los
portadores de carga de la corriente sern los electrones que
provienen de que cada tomo del metal cuando este cede
uno o varios de sus electrones de sus ltimas capas
(electrones de valencia) para formar una especie de gas de
electrones comn a todo el slido.
Segn el modelo de electrones libres (que ignora las
interacciones de los electrones con los iones de la red
cristalina), los electrones de valencia de los tomos de un
metal pueden trasladarse casi libremente en los limites de la
muestra.
Dado que el gas electrnico es un colectivo muy numeroso
de partculas (n1028 m3), abordaremos su estudio
mediante un anlisis estadstico, en vez de partir de las
caractersticas de cada una de las partculas individuales
que lo componen.

Estadstica cuntica
Si definimos g(E) como la funcin densidad de estados, tal
que g(E)dE nos dice el nmero de estados del sistema cuya energa est
comprendida entre E y E + dE; y
f (E) como la funcin de distribucin, que mide la probabilidad de ocupacin de un
estado con energa E; entonces,
si dN(E) es el nmero de partculas del sistema con energas comprendidas entre E y
E + dE, tendremos que
dN(E) = g(E) f (E)dE .
Nmero de partculas del sistema
comprendidas

con energas
entre E y E + dE

De esta manera las propiedades particulares del conjunto de electrones

se especifican mediante la forma de las funciones g(E) y f(E).

Densidad de estados, g(E)

Puede demostrarse que la densidad de estados (nmero de estados en un

intervalo de energa unitario) disponibles para el electrn libre:

Ntese que:
No hay nada en la ecuacin que dependa del tipo del material
Densidad de los niveles aumenta con la energa E:
- para valores de E pequeos, los estados cunticos se encuentran lejos
unos de otros (g(E) tiende a cero);
- con aumento de E los niveles se aproximan entre s, (y en el limite clsico
se disponen de forma continua).
g(E ) es proporcional al volumen del solido.
La figura muestra la densidad de estados g(E ) graficada como funcin de
la energa E
deduccin

Ocupacin de los estados permitidos.

Hemos visto que la funcin g(E ) permite calcular el numero de
estados posibles en cualquier intervalo de energa. Sin embargo,
no todos ellos estn ocupados por los electrones.
Definimos f(E) como la funcin de distribucin, que mide la
probabilidad de ocupacin de un estado con energa E a una
temperatura T.
Si las partculas que forman el gas electrnico se consideran
clsicas (es decir, podemos abordar su estudio a partir de las
leyes de Newton, ignorando las leyes cunticas descritas en los
temas anteriores), entonces la funcin distribucin que rige el
comportamiento del gas clsico de los electrones se denomina
funcin distribucin de Maxwell-Boltzmann y viene dada por:

Las causas que llevan a la sustitucin de la estadstica clsica

por la estadstica cuntica son las siguientes:
Los electrones son partculas cunticas y sus estados se cuantifican
formando los sistemas de los niveles y bandas energticas.
Los electrones son partculas con espn semientero
(fermiones) y por lo tanto se subordinan al Principio de Pauli que impone
las limitaciones en la distribucin de los electrones entre los estados
energticos.
Y por ltimo, los electrones incorporados en un sistema como el de un
metal son indistinguibles (como no poder marcar cada electrn y saber
cul es cul.)
Las partculas que cumplen la estadstica de Fermi se llaman fermiones.
De modo que la estadstica de Fermi describe el comportamiento de los
electrones en los slidos y de los nucleones en los ncleos atmicos.

Distribucin de Fermi-Dirac.
Para el presente caso de un gas cuntico de electrones, la introduccin del carcter cuntico
del electrn junto con el principio de exclusin de Pauli nos conducira a la funcin
distribucin de Fermi-Dirac, cuya forma matemtica es:
Observaciones:

La probabilidad de encontrar electrn en el estado con la energa E depende de la separacin del nivel
energtico con la energa E del nivel de Fermi con energa E F, o sea, de (E-EF), y de la temperatura T.

Independiente del valor de la temperatura T, para E=EF la f (E)=1/2.

Por consiguiente, el nivel de Fermi coincide con aquel nivel energtico cuya probabilidad de ocupacin
es igual a un medio.

Advertimos que f (E) no puede ser mayor que la unidad (ya que en el denominador se suma a la unidad
una magnitud esencialmente positiva) . Esto era de esperar, puesto que el principio de Pauli no permite
que dos electrones se encuentren en un mismo estado cuntico. Cada estado puede estar ocupado o
libre.

Distribucin de Fermi-Dirac para T=0.

Energa de Fermi a cero absoluto

El nivel de energa superior ocupado se conoce con el nombre
de nivel de Fermi y se designa por:
EF0 para T=0
EF para T 0

Como vemos es funcin de la densidad de electrones en el

metal, de su concentracin n.

Influencia de la temperatura sobre la distribucin de los

electrones por energas .
Entre los estados ms bajos ocupados y los ms altos libres existe una
regin estrecha, cuya anchura es del orden kT en la cual los estados estn
parcialmente ocupados. Los electrones que ocupan esta regin, y solo
ellos, se redistribuyen durante diversos procesos fsicos.

Los cambios de la grfica son ms graduales a medida que T aumenta

Bandas de energa. Origen de las bandas de energa.

Disposicin de las bandas de energa en un solido

La formacin de las bandas de energa ocurre en todos los
slidos cristalinos independientemente del tipo que sean.

Esquema de bandas de energa en dependencia del tipo de

material: conductores, semiconductores y aislantes.
La diferencia entre slidos no consiste en la presencia o
ausencia de bandas, sino en la disposicin de estas y en el
carcter de su ocupacin.

Semiconductor intrnseco, tipo n y tipo p

Unin p-n sin polarizacin externa

Unin p-n con polarizacin directa

Unin p-n con polarizacin inversa

Orientaciones para el trabajo independiente.

Estudie el contenido terico en los textos orientados. En cada caso
realice un resumen en que plasme los conceptos, leyes, principales
expresiones de trabajo que se encuentran en los mismos resaltados por
cambios de letra o enmarcados en cuadros. Use el resumen que aparece
en el texto, los conceptos claves y los trminos importantes.
Estudie los ejemplos resueltos y aprpiese del mtodo de trabajo o
estrategia de solucin de los problemas la cual consolidar mediante la
solucin de problemas en las clases prcticas previstas para este tema
Bibliografa Bsica
Fsica Universitaria Volumen II Parte II. Captulo 44 pginas 1350-1371.
Fsica Volumen II Tomo II. Captulo 53 pginas 581-602.

Bibliografa Complementaria
Introduccin a la Fsica Cuntica. L.L. Goldin, G.I. Nvikova. Captulo XI, pginas
259-283. Captulo XII, pginas 284-306. Captulo XIII, pginas 307-326.
Introduction to Solid State Physics. Charles Kittel. Ediciones Revolucionarias.
Cuarta Edicin, 1971. Chapter 1 page 3-89.

The wave function that describes the

movement of an electron confined in a box
of side L is:

Where
is a set of three
integers and positive quantum numbers
The energies of the states are given
by:

With nrs equal to radius of an sphere in the n

space. As n are always positive the volume

of octant of the sphere is:

The total numbers of electrons considering the two possibilities for the spin
orientation is:
From the energy expression
and

we can write:

atrs

Nmero de partculas por celda elemental, nc

El nmero de partculas por celdilla elemental puede
obtenerse como

donde
nV es el nmero de partculas en los vrtices,
nI en el interior y
nF en las caras.
Ejemplo. Para la red fcc tenemos que nV = 8, nI = 0 y nF = 6,
por lo que

Fraccin de empaquetamiento, fc

atrs