TRANSISTORES DE POTENCIA

INSTITUTO TECNOLGICO SUPERIOR DE ATLIXCO

INGENIERA MECATRNICA
Integrantes:
Rey David Rueda Luna
Ivn Ramrez Pez

Introduccin
Los transistores de potencia tienen caractersticas controladas de
activacin y desactivacin. Los transistores, que se utilizan como
elementos conmutadores, se operan en la regin de saturacin, lo que da
como resultado en una cada de voltaje baja en estado activo. El
funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al
de los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las
altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las
altas potencias a disipar.
Los transistores de potencia se pueden clasificar de manera general en tres
categoras:
1. Transistores bipolares de juntura (BJT)
2. transistores semiconductores de metal oxido de efecto de campo (MOSFET)
3. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)

Transistor Bipolar (BJT)

Un transistor bipolar se forma aadiendo una segunda regin P o N a
un diodo de unin PN. Con dos regiones N y una regin P, se forman
dos uniones conectndose como un transistor NPN.
Con dos uniones P y un unin N, se conoce como un transistor PNP.
Las tres terminales se llaman emisor, base y colector.

Especificaciones importantes
Las principales caractersticas que han de considerarse en los transistores bipolares de
potencia son:

Intensidad mxima del colector

Tensin de ruptura de colector-emisor

Potencia mxima disipable en rgimen continuo.

A pesar de que hay tres configuraciones posibles, las cuales son, colector comn, base
comn y emisor comn, la configuracin de emisor comn que aparece en la figura, es la
que generalmente se utiliza

rea de operacin segura en un BJT

de potencia
1.

La corriente mxima permisible Si se excede

esta corriente de manera continua puede dar
como resultado que se fundan los alambres que
conectan el dispositivo a los terminales del
encapsulado.

La hiprbola de mxima disipacin de potencia.

Para temperaturas mayores se obtendrn un
conjunto de hiprbolas ms bajas.
2.

3.

Limite de segunda ruptura. Es un fenmeno que

resulta debido a que la circulacin de corriente
por la unin entre emisor y base no es uniforme.

4.

Voltaje de ruptura de la unin colector. Nunca

debe permitirse que el valor instantneo de V.
exceda, de otra manera ocurrira la ruptura de
avalancha de la unin entre colector y base.

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LOS BJT FRENTE

OTROS TRANSISTORES
VENTAJAS
1. Los BJT tienen como ventaja que es posible sacarles una mayor ganancia, a diferencia de los FET y
MOSFET, que con iguales configuraciones (por ejemplo, emisor comn) poseen una menor ganancia
2. Su uso es ms directo (solo con la hoja de datos ya podemos sacar las tensiones mnimas, de
saturacin)
3. No se daan tanto por la electricidad esttica como los FET
4. Son mas lineales que los FET

5. Reducidas prdidas en conduccin.

DESVENTAJAS
1. Tienen un consumo importante en la polarizacin, ya que estos transistores funcionan a partir de
corriente.
2. Su respuesta en frecuencia tiende a ser peor que en los MOS
3. Impedancia de entrada baja
4. Generan un nivel de ruido mayor que los FET
5. Son menos estables con la temperatura
6. Mas difciles de fabricar

El transistor MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de
campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin.
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere solo una
pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los tiempos
de conmutacin del orden de los nanosegundos.
Los MOSFET de potencia no tienen los problemas de los fenmenos de ruptura secundaria
que tienen los BJT
Los MOSFET tienen problemas de descargas electroestticas, por lo que su manejo requiere
de cuidados especiales. Adems, es relativamente difcil protegerlos bajo condiciones de falla
por corto circuito.

Tipos de MOSFET
- Mosfet de Deplexin o empobrecimiento: Existe un canal por el cual circula la corriente
aunque no se aplique tensin en la puerta.
- Mosfet de Acumulacin o enriquecimiento: El canal por el cual circula la corriente se
crea cuando se le aplica una tensin en puerta. A su vez, dentro de los transistores
MOSFET de enriquecimiento podemos distinguir dos tipos: de canal n o de canal p,
dependiendo del tipo de sustrato utilizado y del tipo de portadores mayoritarios por el
canal.

Un transistor MOSFET conduce corriente

elctrica entre dos patillas cuando
aplicamos tensin en la otra patilla (una
tercera patilla). Es un interruptor que se
activa por tensin. As de sencillo .

Smbolos de los MOSFET

Estructura fsica de un MOSFET

Ventajas de los Mosfet frente a los BJT

-

La velocidad de conmutacin par los Mosfet est en el orden de los nanosegundos, por
esto los Mosfet son muy utilizados en convertidores de pequea potencia y alta frecuencia.

Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura.

Mayor rea de funcionamiento

Mayores guanacias

Circuito de mando mas simple.

Alta impedancia de entrada.

Inconvenientes de los Mosfet:

-

Tienen el problema de ser muy sensibles a las descargar electroestticas y requieren un

embalaje especial.

Es relativamente difcil su proteccin.

Son mas caros que sus equivalentes bipolares.

El transistor Bipolar de Puerta Aislada

(IGBT)
.

El IGBT es un dispositivo semiconductor

de potencia hbrido que combina los
atributos del BJT y del MOSFET. Posee
una compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta impedancia
de entrada.


TRANSISTOR IGBT. CURVA CARACTERISTICA Y SIMBOLOS

El IGBT se suele usar cuando

se dan estas condiciones:

Bajo ciclo de trabajo

Baja frecuencia (< 20 kHz)

Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)

Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones Generales IGBT:

Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia para aplicaciones
de media y alta tensin, no slo por su capacidad de potencia sino tambin porque son tan
rpidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles por el odo humano.
Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores CC/CA, en
maquinaria, robots industriales, compresores de equipos de aire acondicionado, equipos de
fabricacin de semiconductores, unidades de control de motores en automviles y vehculos
elctricos hbridos, equipos de soldadura.

Bibliografa.

Electrnica de Potencia
Circuitos, dispositivos y aplicaciones
Muhammad H. Rashid
Segunda edicin
Tema: Transistores de potencia Pg.. 262-287

Transistores de potencia.
http://www.fceia.unr.edu.ar/eca2/Files/Apuntes/TRANSISTORES%20DE%20POTENCIA%20_v-2012-1_.pdf

Control difuso por modo deslizante para la resolucin del problema de Seguimiento en Sistemas No Lineales

Por JOS MANUEL ANDRADE DA S.; PEDRO ANTONIO TEPPA G. Y JOS JESS FERRER S. Universidad Simn
Bolvar. Sartenejas Estado Miranda, Venezuela.

Control en modo deslizante aplicado a la generacin de seal en convertidores conmutados DC/DC. Tesis doctoral
presentada para la obtencin del ttulo de doctor de Domingo Biel Sol.
Publicacin IEEE.