INSTITUTO

POLITCNICO
NACIONAL
ESIME ZACATENCO
INTEGRANTES:

CARRILLO CERVANTES DIEGO ARMANDO

OSORNIO BERMDEZ MICHAEL DANIEL

REGALADO ENRIQUEZ HUGO ENRIQUE

PROFESOR: RAMN PARADA

RECEPTORES PTICOS

8CM3

NDICE

RECEPTORES PTICOS

Caractersticas de los receptores pticos.

Deteccin ptica.

Detectores.

Conceptos generales (fotocorriente, responsividad, eficiencia cuntica, ancho de banda, rise time(Tr), Corriente de oscuridad (Id).

Tipos de fotodetectores.

Fotodiodo P-N

Fotodiodo PIN

Foto detector APD

Foto detector MSM (Metal Semiconductor Metal)

Cuadro comparativo

Configuracin bsica del circuito de recepcin.

Etapa de pre amplificacin.

Pre amplificacin de baja impedancia.

Pre amplificacin de alta impedancia.

Pre amplificacin de transimpedancia.

Ruido en los receptores pticos

Ruido trmico.

Ruido de corriente de obscuridad.

Ruido cuntico.

Wander y jitter.

Relacin seal a ruido en los receptores.

RECEPTORES PTICOS

La funcin de los receptores pticos (rx) es convertir las seales

pticas a seales elctricas y recuperar la informacin transmitida
a travs de los sistemas comunicacin ptica.

PRINCIPALES CARACTERSTICAS DE LOS

RECEPTORES PTICOS

Alta sensibilidad

Respuesta rpida

Bajo ruido

Bajo costo

Tamao compatible con el del ncleo de la fibra ptica

DETECCIN PTICA

El principal componente del Rx es el FOTODETECTOR, que convierte la luz en

electricidad a travs del EFECTO FOTOELCTRICO.

El efecto fotoelctrico consiste en la emisin de electrones por un material al

incidir sobre l una radiacin electromagntica (luz visible o ultravioleta, en
general).

DETECTORES

Son sensores que detectan la presencia de materiales que

interfieren con la propagacin de un haz de luz que genera el
propio detector.

TIPOS DE DETECTORES POR EL

MODO DE TRABAJO

REFLEXIN SOBRE EL
OBJETO O REFLEX

EN REFLEXIN SOBRE
ESPEJO

CONCEPTOS GENERALES:
FOTOCORRIENTE

Si la energa de los fotones

incidentes excede el
bandgap, es decir, hv > E
g, se genera un par
electrn- hueco.

En presencia de un campo
elctrico, los electrones y
huecos son arrastrados a
travs del material,
generndose as un flujo de
corriente elctrica.

RESPONSIVIDAD Y EFICIENCIA
CUNTICA

Responsividad: Es la cantidad de
electrones que es capaz de
generar en relacin con los
fotones recibidos. Sus unidades
son A/W.

n -> Eficiencia cuntica.

q -> Carga del electrn.
h -> Constante de Planck.
v -> Frecuencia.

Eficiencia cuntica: Esla

probabilidad de que un fotn
incidente sobre el dispositivo
genere un par de portadores
que contribuyen a la corriente
del detector.

ANCHO DE BANDA Y TIEMPO

DE SUBIDA(Tr)

Ancho de banda: Est

determinado por la
velocidad con que el
fotodetector responde a las
variaciones de la potencia
ptica incidente.

Tiempo de subida (Tr):

Tiempo en la cual la
corriente en el detector va
desde el 10% al 90% de su
valor final.

CORRIENTE DE SOMBRA (Id)

Corriente de sombra: Se le define como la corriente que genera un fotodetector

en ausencia de potencia ptica, y se origina de la luz ambiental, o aquella
producida por pares electrn-hueco generados trmicamente.

Para un buen fotodetector, Id, debera ser despreciable:

Nivel aceptable : I d < 10 nA.

TIPOS DE FOTO DETECTORES

Existen, en general, dos tipos de fotodetectores:

Fotoconductivos: Generan flujo de corriente en presencia de

luz.

Fotovoltaicos: Generan un voltaje en presencia de luz.

FOTODIODO P-N

Una unin inversamente polarizada

de materiales p-n, los electrones
son atrados hacia el lado n, de
manera que cuando se genera un
par hueco-electrn (por absorcin
de un fotn) en la regin de
agotamiento, ste es arrastrado
hacia ese lado (drift). Si la
absorcin ocurre fuera de la regin
de agotamiento se le llama
difusin.

FOTODIODO P-N

Debido a que el proceso de difusin es

ms lento que el de arrastre se produce
una distorsin en los pulsos a la salida del
fotodetector.

Esto se soluciona haciendo la regin de

agotamiento ms grande.

FOTODIODO P-I-N

Para incrementar el ancho de la

regin de agotamiento puede
insertarse un estrato de
semiconductor puro (o
ligeramente impurificado) entre
las capas p y n. Como la capa
intermedia est hecha con un
material casi intrnseco, esta
estructura se conoce como
fotodiodo p-i-n.

El valor ptimo de G depende del

canje entre la velocidad y la
sensibilidad. El ancho de banda de
esos fotodiodos est entonces
limitado por un tiempo de trnsito
relativamente grande ( mayor a
200 ps).

FOTODIODO P-I-N

El desempeo del fotodetectores

p-i-n, puede ser
considerablemente mejorado
usando doble heteroestructuras:
la capa intermedia (i) se ubica
entre capas tipo-p y tipo-n de
diferentes semiconductores, cuyo
ancho de banda se escoge de
manera que la luz sea absorbida
solamente en la capa i.

FOTO DETECTOR APD (DE

AVALANCHA)

Los APD difieren estructuralmente de

los fotodiodos p-i-n en el hecho de que
poseen una capa adicional en la cual
los pares hueco electrn se generan
a travs del fenmeno de ionizacin
por impacto.

La capa i sigue comportndose como

la regin de agotamiento, donde es
absorbida la mayora de los fotones
incidentes y son generados los pares
electrn (hueco primarios).

Los electrones en la regin i

atraviesan la regin de ganancia y
generan pares electrn (hueco
secundarios) responsables de la
ganancia de corriente.

FOTO DETECTOR MSM (MetalSemiconductor-Metal)

Tiene iguales caractersticas que el p-i-n, pero su diseo es plano,

lo que lo hace muy fcil de integrar, esto es deseable para lograr
altas tasas de transferencia. Por lo general mayores a 20 Gb/s.

CUADRO COMPARATIVO

CONFIGURACIN BSICA DEL

CIRCUITO DE RECEPCIN

El diseo del receptor depender del formato

usado por el transmisor.

ETAPA DE ENTRADA

La seal ptica es acoplada hacia el

fotodiodo y se convierte en seal
elctrica.

El preamplificador aumenta la seal

elctrica para facilitar el proceso
posterior.

Existen tres diseos de circuitos

equivalentes para el extremo inicial
de receptores pticos.

DE BAJA IMPEDANCIA

Tiene normalmente 50 de impedancia de entrada.

Utiliza una resistencia de polarizacin del mismo valor.

Evita el reflejo de seales La sensibilidad.

No se minimizan las fuentes de ruido del amplificador.

DE ALTA IMPEDANCIA

Se tiene un valor grande de RL,

reduce el ruido trmico y mejora la
sensibilidad del receptor.

Problema bajo ancho de banda,

dado por:

Se usa ecualizador para mejorar en

forma considerable este problema.

DE TRANSIMPEDANCIA

Entrega una alta sensibilidad

junto con un gran ancho de
banda (BW).

RL sigue siendo grande.

Existe un lazo de
realimentacin negativo que
reduce la impedancia de
entrada por un factor G.

RUIDO EN RECEPTORES PTICOS

Ruido es algo inherente en los sistemas de
Comunicaciones y los Sistemas pticos no
estn libres de ello
El ruido podramos definirlo como cualquier modificacin no deseada de
la seal en un sistema de comunicaciones. En comunicaciones pticas
aparece un ruido debido a fluctuaciones espontneas (Variacin de
intensidad) en lugar de las interferencias electromagnticas de la
transmisin por cable elctrico. Los agentes causantes del ruido son la
seal ptica, el diodo en s y el circuito elctrico que le sigue.

RUIDO TRMICO

Es
debido a la interaccin trmica de los electrones con los iones (que estn
vibrando) en un medio conductor, es el ruido principal en las resistencias.

Es producido en los componentes externos al foto-receptor.

La corriente de ruido trmico en una resistencia se expresa a travs de su

valor cuadrtico medio como:

Donde K es la constante de Boltzman

T es la temperatura en grados Kelvin

B es el ancho de banda elctrico

R la resistencia en ohms.

RUIDO DE CORRIENTE DE
OSCURIDAD
Otro
parmetro que se considera es la corriente de oscuridad (dark current),

que es la corriente que fluye en el circuito de polarizacin cuando no hay luz

incidiendo en el fotodiodo. La corriente de oscuridad generada en el grueso del
material (bulk dark current) representa los portadores generados por efectos
trmicos en la juntura, y su valor medio cuadrtico est dado por:
(bulk dark current)

es la corriente de oscuridad del grueso del material (caracterstica del

dispositivo).

B Es el ancho de banda del circuito

F Es el factor de exceso de ruido

e La carga del electrn

Valor Medio de la Ganancia

RUIDO CUNTICO
La
deteccin de la luz es un proceso discreto ya que la generacin de un par

electrn-hueco es debida a la absorcin de un fotn y entonces la seal que

tenemos en el fotodetector depende de la llegada o no de fotones. As pues la
estadstica para la llegada de radiacin coherente al fotodetector sigue una
distribucin de probabilidad discreta que es independiente de los fotones que ya
han llegado previamente.

Por otro lado si la luz que recibimos no es coherente implica que no hay ninguna
relacin de fase entre los fotones emitidos. Esta propiedad modifica la
distribucin de probabilidad que ser

Ambas distribuciones nos permitirn el calculo de la probabilidad de error en una

transmisin

RUIDO DE FASE (JITTER Y WANDER)

El Jitter es definido como la desviacin en el tiempo de los pulsos de una seal digital
con respecto a su posicin ideal. De acuerdo con la ITU-T

El Jitter est definido en trminos de amplitud y frecuencia. A muy bajas frecuencias

el Jitter es llamado Wander. El Wander es generalmente referido para el Jitter con
frecuencia menores a 10Hz, pero en particular a variaciones de frecuencias de
fracciones de 1Hz.

El Jitter causa en seales digitales que estas sean muestreadas en tiempos que no
son los ideales. Esto puede generar errores simples o tasas de errores. La calidad de
las seales regeneradas es tambin altamente determinadas por la tolerancia al Jitter
de los componentes del sistema.

POSIBLES EFECTOS DE JITTER

Y WANDER

Bits con errores.

Prdida de bits.

Retardo en transmisin y recepcin de datos.

Interferencia de la frecuencia que puede deteriorar la calidad de transmisin

RELACIN SEAL/RUIDO

Se
define como relacin seal a ruido, S/N o SNR al cociente de la potencia de
la seal entre la potencia de ruido en un punto dado de un sistema, es decir:

O, expresada en dB,

La relacin S/N proporciona una medida de la calidad de una seal en un

sistema determinado y depende, tanto del nivel de seal recibida como del
ruido total, es decir, la suma del ruido procedente de fuentes externas y el
ruido inherente al sistema. En el diseo de sistemas, se desea que la relacin
seal a ruido tenga un valor tan elevado como sea posible.