Transistores

11-A
Sistemas
Electromecnicos

Matas Brenes Loria.

Ricardo Molina Quirs.
Pablo Vindas Elizondo.

Transistores a estudiar:
IGBT
FET
MOSFET
Diodo Shockley

IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor
Aplicaciones
Control de motores.
Sistemas de alimentacin ininterrumpida.
Sistemas de soldadura.
Iluminacin de baja frecuencia (<100
kHz) y alta potencia.

Caractersticas
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta
100 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado
en aplicaciones de altas y medias energas.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta
tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15 V. Esto
ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando
una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

Operacin Bsica
Trabaja con tensin.
Tiempos de conmutacin bajos.
Disipacin mucho mayor (como los bipolares).
Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un
elemento ideal:
Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta para conseguir una alta frecuencia de
funcionamiento.
Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del
semiconductor.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE
mxima elevada).
Que no se produzcan puntos calientes.

Los podemos encontrar

IGBT

FET
Field- Effect Transistor
APLICACIONES:
Construccin de osciladores para
generacin de formas de onda
cuadradas a determinadas
frecuencias.
Anlisis y diseo de las
configuraciones fundamentales de
amplificadores.

Caracterstica
s
Tiene una resistencia de entrada extremadamente
alta (casi 100M).
No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como
conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor
estabilidad trmica.

Construccin
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado
en un material semiconductor slido cristalino
(generalmente germanio, silicio, arseniuro de galio) con
diferentes contaminaciones, que permite regular la
circulacin de una corriente elctrica mediante una
corriente de control, mucho menor.

Operacin Bsica
Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una
barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su
longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el
canal una unin p-n.
El funcionamiento del transistor de efecto
de campo es distinto al del BJT. En los
MOSFET, la puerta no absorbe corriente
en absoluto, frente a los BJT, donde la
corriente que atraviesa la base, pese a
ser pequea en comparacin con la que
circula por las otras terminales, no
siempre puede ser despreciada. Los
MOSFET, adems, presentan un
comportamiento capacitivo muy acusado
que hay que tener en cuenta para el
anlisis

MOSFE
T
Metal-oxide-semiconductor Field- effect
transistor
Aplicaciones

Utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas.

Transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en
circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin
bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la
totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en
transistores MOSFET.

Caractersticas
Incremento de la conductividad elctrica debido a un
aumento de la cantidad de portadores de carga en la
regin correspondiente al canal, que tambin es
conocida como la zona de inversin.
La caracterstica constructiva comn a todos los tipos
de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) est
formado por una estructura de tipo
Metal/xido/Semiconductor. El xido es aislante, con lo
que la corriente de puerta es prcticamente nula. Por
ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy
baja potencia

Operacin Bsica
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando
no se aplica tensin en la compuerta no hay flujo de
corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source).
Para que circule corriente en un MOSFET de canal N
una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta.
As los electrones del canal N de la fuente (source) y el
drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y
pasan por el canal P entre ellos.
La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de
corriente) depende de la tensin aplicada a la
compuerta.
Debido a la delgada capa de xido que hay entre la
compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la
compuerta. La corriente que circula entre drenaje y
fuente es controlada por la tensin aplicada a la
compuerta.

Construccin
Tiene una capa tipo p de base de silicio y se le conoce como
sustrato, que es la base en la cual se construye el
dispositivo, muchos dispositivos tienen una terminal discreta
ss por la cual se le llaman de cuatro terminales, la
compuerta que este posee esta conectada a una a una
superficie metlica, pero esta permanece aislada por medio
de una capa muy delgada de oxido de silicio.

Diodo Shockley
Caractersticas
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales
que tiene dos estados estables: OFF o de alta
impedancia y ON o baja impedancia, . Est formado
por cuatro capas de semiconductor tipo n y p,
dispuestas alternadamente.
Este diodo cuenta con una regin de resistencia
negativa, una regin de saturacin o conduccin una
zona inversa como una regin de ruptura.

Construccin
La construccin de este diodo de
cuatro capas cuenta con un anodo
y un actodo y una compuerta para
dar control al dispositivo.

Operacin Bsica
Esencialmente es un dispositivo interruptor.
Aumentando la tensin positiva se llega a una
tensin VBO de ruptura o avalancha donde la
corriente crece de forma abrupta y la cada de
tensin decrece de la misma manera.
En este momento, el diodo ha conmutado desde
el estado de bloqueo a conduccin.

Aplicaciones
Su aplicacin ms comn es la rectificacin de corriente
alterna a corriente directa.
Fuentes de alimentacin.

GRACIAS