Transistor de efecto de campo de unin

JFET( Junction field-effect transistor)

Caractersticas:
Funciona con base al efecto de un campo elctrico de una unin PN
que afecta el movimiento de los portadores.
Es un dispositivo unipolar. Solo un tipo de portador es responsable de
casi toda la corriente que circula entre el dreno y la fuente.
Tiene una alta resistencia de entrada, en comparacin con el
transistor bipolar.
Es relativamente menos sensible a la temperatura e inmune a la
radiacin.
Tiene poca ganancia y es ms econmico de producir que el bipolar.

Transistor de efecto de campo de unin

JFET( Junction field-effect transistor)
Existen varios transistores basados en el efecto de campo:
JFET (Juction field-effect transistor).
MOSFET ( metal oxide semiconductor field effect transistor).
MESFET (Metal semiconductor field effect transistor)

Transistor de efecto de campo de unin

JFET( Junction field-effect transistor)
Estructura del transistor
JFET tipo N (NJFET)

Fuente
S

Puerta

Dreno

Regin P+

Regin N
D

Regin P+

Puerta

G
Smbolo elctrico
S

El cuerpo del
semiconductor es
tipo N

Transistor de efecto de campo de unin

JFET( Junction field-effect transistor)
Estructura del transistor
JFET tipo P (PJFET)

Fuente
S

Puerta

Dreno

Regin N+

Regin P
D

Regin N+

Puerta

G
Smbolo elctrico
S

El cuerpo del
semiconductor es
tipo P

El transistor JFET

Modulacin de la conductancia del canal en la JFET. Efecto de V G

VG=-1V

Regin P+

VG=-2V
VD

Regin N

Regin P+

Regin N

ID1

Regin P+

ID2

Regin P+

Puerta

Puerta

R1=VD/ID1

R2=VD/ID2

VG=-4V
S

VD

Regin P+
Regin N
Regin P+

Puerta

VD
ID3

La zona de vaciamiento
(agotamiento) crece
a medida que aumenta
VG (en valor absoluto):
R 3 > R2 > R 1

R3=VD/ID3

El transistor JFET

Efecto del aumento de VD. Dejando constante VG.

VG=-1V

Regin P+

VD1

Regin N

ID1

Regin P+

Puerta
VG=-1V
S

Regin P+
Regin N
Regin P+

Puerta

VD2
ID2

La zona de vaciamiento
(agotamiento) crece
hacia el lado del dreno
VD2 > VD1
Hay dos efectos:
Crece VD
y crece R
El efecto neto es
El aumento de la
Corriente (ID2 > ID1)

El transistor JFET
Efecto del aumento de VD. Dejando constante VG.
VG=-1V
S

Regin P+
Regin N
Regin P+

Puerta

VD3
ID3

La zona de vaciamiento
(agotamiento) se tocan
Condicin de pinchoff
La corriente deja de crecer.
Se satura.

El transistor JFET
Curvas caractersticas del JFET.

El transistor JFET
Recordemos del estudio del diodo:
Va

P+

n
-xp

Ancho de la
zona de agotamiento

2 s N A N D
W (
(
)V j )1/ 2
q
N AND

xn

Con Vj = Vbi-Va

El ancho de la zona de agotamiento tambin es W = xn + xp,

Con NA>> ND, xn >> xP, luego Wxn

2 s 1
De esta manera: W xn (
(
)V j )1/ 2 Luego:
q ND

qxn2 N D
Vj (
)
2 s

El transistor JFET

Regiones de
agotamiento

Regin P+

2a

W(x)

D
regin N

ID

W(x)

Cuando las regiones de

Agotamiento justo se
tocan en el dreno, el
voltaje en el dreno lo
llamaremos VSAT

Regin P+

G
y

VG

:
Vbi (VG VSAT )

VDVSAT

L
z

VD

VJGD

qN D a 2

2 s

El transistor JFET
El voltaje VDG necesario para que las regiones de vaciamiento
se toquen, se denomina voltaje de pinch-off (de estrangulamiento
del canal):

qN D a 2
Vp
VSAT Vbi VG
2 s

La resistencia del canal se puede calcular por:

L
L
x
R( x)

A A qn N D 2[a W ( x)]Z
n

Profundidad de
la regin N
hacia z.

Modelo del transistor JFET

Hiptesis consideradas para la deduccin del modelo ideal:
La longitud del canal se asume grande. La movilidad de los portadores
se considera constante, no obstante las intensidades de campo
considerables que pueden aparecer en la zona de agotamiento.
Aproximacin de canal gradual: se asume que dy/dy >> dx/dx
El cambio del ancho de la zona vaciamiento depende del voltaje
entre la puerta y el canal. Esto permite usar la ecuacin de Poisson
en una direccin.

Modelo del transistor JFET

Regiones de
agotamiento

Regin P+

2a

W(x)

a
regin N
a

VD

vx

I D qN D ( x) A

ID
W(x)

2qN D ( x) Z [a W ( x)]

Regin P+

G
y

VG

L
z

Potencial en x

Ancho del canal en x

2[a W ( x)]

Mientras la zonas de
Agotamiento no se
toquen:

I D qN D ( x) A
2qN D ( x) Z [a W ( x)]
Velocidad de arrastre

Modelo del transistor JFET

La velocidad de deriva( arrastre) de los electrones est dada por:

dVx
( x) n x n
dx
Asumiendo la hiptesis de canal gradual y usando la ecuacin del diodo:

2 s 1
W ( x) [
(
)(Vbi Va )]1/ 2
q ND
con : Va VG V x
Luego:

2 s 1
W ( x) [
( )(Vbi V x VG )]1/ 2
q ND

Modelo del transistor JFET

La corriente esta dada por:

I D 2qN D ( x) Z [a W ( x )]
dVx
2 s 0.5
2qN D Z n
[a (
) (Vbi Vx VG )0.5 ]
dx
qN D
Lo cual conduce (x va desde 0 a L, y Vx va desde 0 a VD)
L

VD

2 s 0.5
0.5
0 I D dx 2qN D Z n 0 [a ( qN D ) (Vbi Vx VG ) ]dVx

Modelo del transistor JFET

Asumiendo la corriente constante:

2 2 s 0.5
1.5
1.5
I D L 2qN D Z n aVD (
) [(Vbi VD VG ) (Vbi VG ) ]
3 qN D

La corriente quedara:

2qN D Zan
2 2 s 0.5
1.5
1.5
ID
) [(Vbi VD VG ) (Vbi VG ) ]
VD (
2
L
3 qN D a

Esta ecuacin es valida en la regin lineal hasta que se llega a

la condicin de pinch off.

Modelo del transistor JFET

Como:

qN D a 2
Vp
2 s

Y definiendo

La corriente quedara:

I D G0

2qn ZN D a
G0
L

Se llama Conductancia del

canal

2V p Vbi VD VG 3 / 2 2V p Vbi VG 3 / 2
VD
(
)
(
)
3
Vp
3
Vp

Cuando se llega a saturacin (pinch-off), la corriente permanece

constante as aumente VD. La corriente quedara con el valor cuando
VD= VSAT, donde:

VSAT V p Vbi VG

Modelo del transistor JFET

Como VD=VSAT, en el inicio de la saturacin la corriente de
Saturacin se puede calcular haciendo:

VD VSAT V p Vbi VG
La corriente de saturacin quedara:

I SAT

1V p

2V p Vbi VG 3 / 2
G0
Vbi VG

(
)
3
3
Vp
3

2V p

Se define voltaje umbral (VT) o voltaje de apagado (turn-off), el

voltaje de puerta VG que hace VSAT= 0 y ID = 0, luego:

VT VG Vbi V p

Modelo del transistor JFET

La caracterstica de corte se encuentra cuando VSAT=0.
Se define voltaje umbral (VT) o voltaje de apagado o de corte
(turn-off), el voltaje de puerta VG que hace VSAT= 0 y ID = 0,
Luego, :

VT VG Vbi V p

Observe que la corriente vale cero, si VD=0 y VG=Vbi-Vp

I D G0

2V p Vbi VD VG 3 / 2 2V p Vbi VG 3 / 2
VD
(
)
(
)
3
Vp
3
Vp

Conductancia del transistor JFET

Se define la conductancia gd del canal del transistor como:

I D
gd
VD

VG const .

Luego gd sera en la zona lineal:

g d G0
Para VD << (Vbi-VG):

Vbi VD VG 1/ 2
1 (
) ]
Vp

g d G0

Vbi VG 1/ 2
1 (
) ]
Vp

Transconductancia del transistor JFET

Se define la transconductancia gm del transistor como:

I D
gm
VG

VD const .

Luego gm sera en la zona de saturacin sera:

g m G0

Vbi VG 1/ 2
1 (
) ]
Vp

Transistor JFET
-Ejercicio
- Como seran las ecuaciones de corriente para un transistor JFET
tipo P (canal P).
-Cuales seran las capacitancias asociadas al JFET