TRANSISTORES

Autor: German Lozano

QU SON LOS TRANSISTORES?

Dispositivo semiconductor que permite el control y la

regulacin de una corriente grande mediante una
seal muy pequea.

TRANSISTORES BJT

El transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), o

transistor de unin bipolar, fue fabricado por
primera vez en los laboratorios BELL de los EE.UU
en diciembre del ao 1947 por los cientficos John
Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford
Shockley, a quienes se les fue otorgado el premio
Nobel de fsica unos aos mas tarde en 1956. Fue El
comienzo de una nueva era, debido a que el
transistor fue considerado como el invento del siglo
XX y logr sustituir a los tubos de vacio de la
vlvula termoinica de tres electrodos o trodos.

Con el invento del transistor

surgi la miniaturizacin de
los circuitos electrnicos
usando dicho invento para la
fabricacin de los dems,
debido a que se dieron
cuenta que era posible crear
componentes los cuales
fueran capaces de realizar
las mismas acciones que los
originales pero siendo mas
eficientes ya que estos
usaban una cantidad menor
de corriente y potencia.

TUBOS DE VACIO

Transistores NPN: La
mayora de los transistores
bipolares usados hoy en da son
NPN, debido a que la movilidad
del electrn es mayor que la
movilidad de los "huecos" en
los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes
y velocidades de operacin. Los
transistores NPN consisten en
una capa de material
semiconductordopadoP (la
"base") entre dos capas de
materialdopadoN. Una
pequea corriente ingresando a
la base en configuracin
emisor-comn es amplificada
en la salida del colector.

Transistores PNP: Pocos

transistores usados hoy en da son
PNP, debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeo en la
mayora de las circunstancias. Los
transistores PNP consisten en una
capa de material
semiconductordopadoN entre dos
capas de materialdopadoP. Los
transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y
el emisor conectado al terminal
positivo de la fuente de
alimentacin a travs de una carga
elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho
mayor circule desde el emisor
hacia el colector.

TRANSISTORES FET

El transistor FET (Field-Effect Transistor), o

transistor de efecto de campo, este transistor fue
elaborado por primera vez en el ao de 1930, fue
creado primero que los transistores BJT, pero
debido a que este no tuvo salida en el mercado
actual porque no tenia una aplicacin para la cual
fuera til en el momento, tuvo que ser descartado
de los planes de los cientficos, otra de las razones
por las cuales no tuvo mucha salida dicho transistor
fue que no se encontraba la tecnologa necesaria
en el momento para realizar su produccin masiva.

TIPOS DE TRANSISTORES FET

Entre los tipos de transistores con caractersticas FET, los

mas usados y conocidos son los JFET (Junction-Field-Effect
Transistor), los MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET)
y los MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET). Este
tipo de componente es en realidad una familia
detransistoresque se basan en elcampo elctricopara
controlar la conductividad de un "canal" en un
materialsemiconductor. Los FET pueden plantearse
comoresistencias controladas pordiferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate),
drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la
terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor
controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la
puerta permite hacer que fluya o no corriente entre

MOSFET:

Es un transistor
utilizado para amplificar o
conmutar seales
electrnicas. Es el
transistor mas utilizado en
la industria
microelectrnica, ya sea en
circuitos analgicos o
digitales, aunque el
transistor de unin bipolar
fue mucho mas popular en
otro tiempo. Prcticamente
la totalidad de los
microprocesadores
comerciales estn basados
en transistores MOSFET.

JFET:

Es un dispositivo
semiconductor en el que la
corriente fluye por una
zona denominada canal
que une los terminales
fuente y drenador. Esta
corriente se controla
mediante un campo
elctrico originado por una
tensin aplicada en un
tercer terminal
denominado puerta.

GRACIAS POR SU ATENCIN..!!