SEMICONDUCTORES

Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente elctrica mejor

que otros. Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia
al paso de la corriente elctrica son conductores. Analgicamente, los que ofrecen
mucha resistencia al paso de esta, son llamados aislantes. No existe el aislante
perfecto y prcticamente tampoco el conductor perfecto.
Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su
nombre lo indica, conducen la corriente bajo ciertas condiciones.

MATERIALES
ELECTRICOS

MATERIALES
ASILANTES

GERMANIO:
MATERRIAL
SEMICONDUCTOR

Los semiconductores son aquellos elementos perteneciente al los

grupos IIb IIIa IVa Va VIa de la Tabla Peridica (Silicio, Germanio,
etc. Generalmente a estos se le introducen tomos de otros
elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se
deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo
de la impureza introducida.

SUS PRINCIPALES
PROPIEDADES
.Material capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que
un metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente
elctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades
fsicas ms importantes
.Posibilita el poder modificar su resistividad de manera controlada entre
mrgenes muy amplios.

.A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como

aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en
presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar
de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los
metales.

CONDUCTIVIDAD ELECTRICA

Es la capacidad de un cuerpo de permitir el paso de la corriente elctrica a

travs de s. Tambin es definida como la propiedad natural caracterstica de
cada cuerpo que representa la facilidad con la que los electrones (y huecos en
el caso de los semiconductores) pueden pasar por l.

Vara con la temperatura.

La conductividad es la inversa de la resistividad, por tanto

, y su unidad es el S/m (siemens por metro).

No confundir con la conductancia (G), que es la facilidad de un objeto o
circuito para conducir corriente elctrica entre dos puntos. Se define como
la inversa de la resistencia:

TIPOS DE SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTORES INTRNSECOS:

Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante

porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica.
En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la
corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica
se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos
electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS:
Los semiconductores extrnsecos se caracterizan, porque tienen un pequeo porcentaje
de impurezas, respecto a los intrnsecos; esto es, posee elementos trivalentes o
pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice que el elemento est dopado.
Dependiendo de si est dopado de elementos trivalentes, o pentavalentes, se diferencian
dos tipos:

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS TIPO n:

Son los que estn dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (As, P, Sb).
Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que tienen cinco electrones en la ltima
capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un electrn quede fuera de
ningn enlace covalente, quedndose en un nivel superior al de los otros cuatro. Como
consecuencia de la temperatura, adems de la formacin de los pares e-h, se liberan los
electrones que no se han unido.

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS DE TIPO p:

En este caso son los que estn dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In).
El hecho de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina,
dejen una vacante con un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de
valencia, pues no existe el cuarto electrn que lo rellenara.
Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando huecos
en la banda de valencia, y siendo los huecos portadores mayoritarios.

APLICACIONES EN DISPOSITIVOS ELECTRICOS

Se han desarrollado muchos dispositivos electrnicos utilizando las

propiedades de transporte de los semiconductores; el uso de
semiconductores en la industria electrnica ha aumentado de forma
importante. As, veremos algunas de las ms importantes:

APLICACIONES PARA DIODOS DE UNION P-N.

Diodos rectificadores: Uno de los usos ms importantes de estos diodos de unin p-n es
convertir corriente alterna en corriente continua, lo que se conoce como rectificacin. Al
aplicar una seal de corriente alterna a un diodo de unin p-n, este conducir slo cuando
la regin p tenga aplicado un voltaje positivo con respecto a la regin n, por lo que se
produce una rectificacin de media onda. Esta seal se suaviza con otros dispositivos y
circuitos electrnicos, para dar una corriente continua estable.

Diodos de avalancha: Tambin se les llama diodos zener; son rectificadores de Si. En la
polarizacin inversa se produce una pequea fuga de corriente, debido al movimiento de
electrones y huecos trmicamente activados. Al hacerse demasiado grande la polarizacin
inversa, cualquier portador que llegue a fugarse se acelerara lo suficiente para excitar a
portadores de carga, causando una corriente elevada en direccin inversa. Debido a este
fenmeno se pueden disear dispositivos limitadores de voltaje. Al dopar adecuadamente
la unin p-n, se puede seleccionar el voltaje de avalancha o de ruptura. Al aumentar mucho
el voltaje, por encima del de ruptura, fluir una corriente elevada a travs de la unin, as
se evita que pase por el resto del circuito; por eso se utilizan para proteger circuitos contra
voltajes accidentales.

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR.

Un transistor de unin bipolar es un apilamiento de materiales semiconductores en
secuencia n-p-n-p-n-p. En el transistor se pueden distinguir tres zonas:
Emisor: emite portadores de carga, como es de tipo n, emite electrones.
Base: controla el flujo de los portadores de carga, es de tipo p. Esta se hace muy delgada
(del orden de 10-3 cm de espesor) y se dopa, de forma que solo una pequea fraccin de
los portadores que viene del emisor se combinar con los portadores mayoritarios de la
base con carga opuesta.
Colector: recoge los portadores de carga provenientes del emisor; la zona del colector es
del tipo n, recoge electrones.