COMPORTAMIENTO ELCTRICO Y

ELECTRNICO
a) Aislantes: No permiten el paso de corriente elctrica.

b) Semiconductures: Permiten el paso de corriente
elctrica bajo ciertas condiciones o cuando se alcanza
un cierto nivel de energa.

c) Conductores elctricos: Permiten el paso libre de
corriente elctrica.

d) Dielctricos: No conducen electricidad pero presentan
una polarizacin interna, la cual permite almacenar
carga elctrica.
CONDUCTIVIDAD ELCTRICA:

Cuantos electrones hay en el material (Densidad
de transportadores de carga)?



Que tan fcil se mueven estos electrones
(movilidad: Energa)?
En la mayora de los materiales (ej. Metales) los
transportadores de carga son electrones (Conduccin
electrnica). En los cristales inicos, las transportadores
de carga son iones (Conduccin inica)
Debido a la naturaleza del enlace metlico, los electrones
son libres para moverse libremente en la estructura
resultando en una alta conductividad elctrica: los
elementos aleantes y la temperatura disminuyen las
propiedades de conductividad del metal.
Cuando se aplica una corriente elctrica V [Volts] a travs
de un material, fluye un corriente de magnitud I
[Amperios].
En la mayora de los metales, a bajos valores de V, la corriente I
es proporcional a V:

Ley de Ohm

R
V
I =
Ley de Ohm
R es la resistencia elctrica [O] y depende de la
resistividad intrnseca del material [O-m] y de la
geometra (longitud l y rea A a travs de los cuales pasa la
corriente).
A
l
R

=


A
l
R

=
La conductividad elctrica (la habilidad de una sustancia para
conducir una corriente elctrica) es el inverso de la resistividad:

o
1
=
Ya que la intensidad de campo elctrico en el material es
l
V
E =
la ley de Ohm puede escribirse en trminos de
la densidad de corriente como:
A
I
J =
E J o =
R
V
I =
La conductividad elctrica, o, vara (entre diferentes materiales) por
alrededor de 27 rdenes de magnitud, la variacin ms grande de
una propiedad fsica.
Metales: o > 10
5
[O-m]
-1
Semiconductores: 10
-6
< o < 10
5
[O-m]
-1
Aislantes: o < 10
-6
[O-m]-
1
La mayora de los materiales orgnicos presentan baja
conductividad elctrica debido a la falta de transportadores
de carga, entonces los polmeros se usan como aislantes o
materiales dielctricos. La resistividad de los polmeros
puede reducirse mediante la adicin de grafito o de polvo
metlico.
Estructura de las Bandas de Energa en los
Slidos

En un tomo aislado los electrones ocupan estados de
energa bien definidos (Principio de Heissenberg,
principio de Pauli).
Como resultado de estos efectos, los electrones de valencia de
los tomos forman bandas de energa anchas cuando stos
forman un slido. Las bandas de energa estn separadas por
espacios donde los electrones no pueden existir.
-Si todas las posiciones electrnicas estn ocupadas en una
banda o nivel de energa, los electrones no son libres de
moverse: No hay conduccin.
-Si la banda est ocupada solo parcialmente: los electrones
pueden moverse libremente: Si hay conduccin electrnica.
-Si la banda est totalmente vaca: no hay transportadores
de carga: No hay conduccin.
El enlace atmico en metales conduce a bandas de energa
parcialmente llenas y conduccin electrnica.
El enlace atmico en semiconductores y aislantes conduce a
bandas de energa que son completamente vacas o
completamente llenas.
Energa de Fermi (EF): El estado lleno mas alto a O
o
K
Banda de Conduccin: una banda parcialmente llena o
vaca.
Banda de Valencia: banda ms alta parcial-
completamente llena.
En los semiconductores y aislantes la banda de valencia
est llena y no pueden aadirse mas electrones (Principio de
Pauli): La conduccin elctrica requerira que los electrones
fueran capaces de ganar energa en un campo elctrico.
En los semiconductores
y aislantes los electrones
tienen que brincar el
espacio entre bandas
hasta la banda de
conduccin para encontrar
estados de conduccin
por encima de E
F
.
La energa necesaria
para el brinco de los
electrones puede
obtenerse por calor.
La diferencia entre semiconductores y aislantes es que en los
semiconductores pueden alcanzar la banda de conduccin a
temperaturas ordinarias, mientras que los aislantes no.



La probabilidad de que un electrn alcance la banda de
conduccin es aproximadamente exp(-Eg/2kT) donde Eg
es la energa del espacio de banda.
Un electrn promovido a la banda de conduccin deja un
espacio libre (carga positiva) en la banda de valencia.
sto tambin participa en la conduccin. Los espacios
electrnicos tambin existen en metales, pero son mas
importantes en semiconductores y aislantes.
En los metales:
La banda mas alta ocupada est parcialmente llena o hay bandas
empalmadas.
La conduccin ocurre por el movimiento de electrones a los
estados de conduccin que empiezan justo arriba del nivel de
Fermi. La banda de conduccin est separada de la banda de
valencia por una cantidad infinitesimal.
La energa que proporciona un campo elctrico es suficiente para
mover muchos electrones a las bandas de conduccin: Alta
conductividad.
Relacionando el enlace atmico:

-Aislantes: los electrones de valencia estn fuertemente
unidos a (o compartidos con) los tomos Enlace inico
(ms fuerte).

-Semiconductores: en la mayora de los casos el enlace es
covalente (dbil).

- Metales: Los electrones de valencia forman una nube de
electrones que no se enlazan con ningn in en particular.
Movilidad del electrn
La fuerza que acta sobre un electrn es eE, donde e
es la carga elctrica y E la magnitud del campo elect.

Esta fuerza produce una aceleracin constante y en ausencia
de obstculos el electrn se acelera continuamente en un
campo elctrico. Esto es en el caso de vaco (dentro de un
tubo de TV) o en un cristal perfecto (conclusin de
mecnica cuntica).
En un slido real, los electrones se dispersan por colisiones con las
imperfecciones y debido a las vibraciones trmicas atmicas.
Fuerzas de friccin: Resistencia: la velocidad neta de movimiento del
electrn es:
E V
e n
=
E V
e n
=
donde
e
es la movilidad del electrn [m
2
/(V-seg)] y E es la
magnitud del campo elctrico.
La friccin transfiere parte de la energa (proporcionada por el
campo elctrico) dentro de la red en forma de calor.
(Calentadores elctricos).
La conductividad elctrica es proporcional al nmero de
electrones y a la movilidad del electrn:

e e
e N o =
N
e
es el nmero de electrones libres o electrones de conduccin por
unidad de volumen (Densidad de transportadores de carga).
Conductividad en Metales

La resistividad en metales, est definida por los eventos de
colisin debidos a las imperfecciones y vibraciones trmicas.
La resistividad total:
n deformaci impurezas trmica total
+ + =
Influencia de la
temperatura:
La resistividad se
incrementa
linealmente con la
temperatura
(manteniendo
constantes las
vibraciones trmicas y
densidad de
vacancias):
aT
T
+ =
0

donde a es una constante.
Influencia de las impurezas:
- Impurezas que forman solucin slida:
( )
i i I
c Ac = 1
c
i
es la concentracin de impurezas y A una constante.
- Aleacin bifsica (o y |)
| | o o
V V
I
+ =
Semiconductividad
Semiconductores Intrnsecos: La conductividad elctrica
est definida por la estructura electrnica del metal puro.

Semiconductores Extrnsecos: La conductividad elctrica
est definida por la impureza de los tomos.
Semiconductores Intrnsecos

El nmero de electrones en la banda de conduccin incrementa
exponencialmente con la temperatura:
|
|
.
|

\
|

=
kT
E
e
g
e CT n N
2
2
3
C: constante que depende del material
E
g
: Energa de espacio entre bandas
Un electrn promovido a la banda de conduccin deja un
espacio interatmico (carga positiva) en la banda de valencia.
En un campo elctrico, los electrones y espacios electrnicos se
mueven en direccin opuesta y participan en la conduccin.
Ya que tanto electrones como espacios contribuyen a la conductividad de un
semiconductor intrnseco:
h e
e p e n o + =
p: concentracin de espacios electrnicos,
h
: movilidad de los
espacios.
Generalmente
e
>
h
: Los electrones son ms mviles.
En un semiconductor intrnseco, un
espacio se produce por la promocin de
cada electrn a la banda de conduccin:
n = p
) ( ) (
h e h e
e p e n o + = + =
(solo en semiconductores intrnsecos)
n (y p) incrementa exponencialmente con la temperatura, mientras
que
e
y
h
disminuyen (casi linealmente) con la temperatura:
La conductividad de los semiconductores intrnsecos
incrementa con la temperatura (contrario a lo que
sucede en metales!)
Semiconductores Extrnsecos

La conductividad elctrica est definida por la impureza de los
tomos.
A diferencia de los semiconductores intrnsecos, un
semiconductor extrnseco tiene diferentes concentraciones de
espacios y electrones. Un semiconductor con p>n es llamado
del tipo p, y de tipo n si n>p.
Es posible manipular la conductividad de los semiconductores
extrnsecos por la adicin controlada de tomos de impureza
(dopantes: ceder electrones al material anfitrin o aceptar
electrones de l convirtindolo en un conductor).
Semiconductores extrnsecos tipo n
El exceso en transportadores de electrones se produce por
impurezas sustitucionales que tienen mas electrones de
valencia por tomo que la matriz del semiconductor.
El P (o As, Sb) con 5 electrones de valencia, es un donador
electrnico en Si, ya que solamente se usan 4 electrones para
unirse a la red de silicio cuando este se sustituye por un tomo
de Si. El quinto electrn del tomo de P est en un estado de
donacin y puede ser fcilmente promovido a la banda de
conduccin.
Las impurezas, las cuales producen una extra-conduccin de
electrones son llamadas donadores, N
D
= N
fsforo
~ n
Elementos en el grupo V y VI de la tabla peridica son
donadores para los semiconductores de la columna IV, Si
y Ge.
Los espacios creados en el estado de donacin estn lejos
de la banda de valencia y son inmviles. La conduccin
ocurre principalmente por los electrones donadores (de
aqu el nombre tipo n).
e D e
e N e n o ~ ~
(para conductores extrnsecos tipo n)
Semiconductores extrnsecos tipo p
Hoyos o espacios en exceso se producen por impurezas
sustitucionales que tienen menores electrones de
valencia por tomo en comparacin con los de la matriz.
Un enlace con los vecinos est incompleto y puede ser
considerado como un hoyo dbilmente unido al tomo de
impureza.
Las impurezas de este tipo son llamadas receptores, N
A
=N
Boro
p
Elementos de las columnas del grupo III de la tabla peridica
(B, Al, Ga) son receptores (donadores de hoyos) para
semiconductores de la columna IV, Si y Ge.
El estado de energa que le corresponde a un hoyo est cercano
a la parte superior de la banda de valencia. Un electrn puede
fcilmente llegar a la banda de valencia para completar un
enlace y deja un hoyo en el sitio original. La conduccin ocurre
principalmente por los hoyos (por eso se llaman
semiconductores tipo p).
(para semiconductores extrnsecos tipo p)
Variacin de la conductividad con la temperatura
El efecto de la temperatura es mayor en los semiconductores
intrnsecos en comparacin con el efecto en los extrnsecos.
Intrnsecos:
|
|
.
|

\
|

=
kT
E
e
g
e CT n N
2
2
3
Extrnsecos:
Al graficar ln(s), ln(p) o
ln(n) vs. 1/T se obtiene
una lnea recta con
pendiente Eg/2k a partir
de la cual puede
obtenerse la energa del
espacio entre bandas,
Eg.