Descripcin de las memorias

Tres importantes caracteristicas de las memorias semiconductoras:

Densidad - Cantidad de informacion que se puede almacenar en la memoria. No volatilidad - Capacidad de seguir almacenando la informacion apesar de no estar conectada a una fuente de alimentacion. Capacidad de lectura/escritura - Capacidad de actualizar la memoria.

Descripcin de las memorias (Cont)

Tipos de almacenamiento:
DRAM (Dynamic Random-Access Memory)
SRAM (Static Random-Access Memory)
ROM (Read-Only Memory) EPROM (Electrically Programmable ROM) EEPROM (Electrically Erasable PROM) Flash Memory FRAM (Ferroelectric RAM) MRAM (Magnetoresistive RAM)

Descripcin de las memorias (Cont)

Importantes caracteristicas de las memorias semiconductoras:
Alta densidad

EPROM ROM

DRAM

Flash MRAM
EEPROM SRAM + Battery FRAM

No volatil

Actualizable electricamente

Random-Access Memory (RAM)

Caracteristicas de la RAM:
La informacion puede ser escrita en la RAM La informacion puede ser guardada en cualquier momento Volatil no puede ser usadad como memoria permanente Acceso a cualquier direccion de memoria en cualquier momento.

Types of RAM:

SRAM (Static RAM) Guarda informacin en celdas FLIP-FLOP. Semantiene en 0 o 1 mientras haya alimentacion(volatil). DRAM (Dynamic RAM)

Read-Only Memory (ROM) Arreglos de dispositivos semiconductores

diodos transistores Transistores de efecto de campo

2N palabras de M bits
Informacion que puede ser leida pero no puede ser cambiada
(Condiciones de operaciones normales)

Read-Only Memory (ROM)

N entradas bits
2N palabras de M bits
Ejemplo 8 palabras de 5 bits:

3 Entradas de lineas

A B C

ROM 8 words x 5 bits

F0

F1 F2

F3

F4

5 Salidas de lineas

Implementacin de una ROM

ROM = "Read Only Memory"

Los valores en la memoria estan fijos.

Una ROM puede ser implementada para realizar una table de verdad
Si hay de entrada m-bits, entonces se tiene 2m palabras en la ROM.

0 0 0 0 1 1 1 1

0 0 1 1 0 0 1 1

0 1 0 1 0 1 0 1

0 1 1 1 0 0 0 0

0 1 1 0 0 0 1 1

1 0 0 0 0 0 1 1

1 0 0 0 0 1 0 1

Implementacion en una ROM Suponiendo que hay 10 entradas. 10 lineas de direccion (es decir, 210 = 1024 diferentes direcciones)

Suponiendo que hay 20 salidas

ROM es de 210 x 20 = 20K bits

Read-Only Memory (ROM)

Cada minitermino de cada funcion puede ser especificada

3 Inputs Lines

B 0 0 1 1 0 0 1 1

C 0 1 0 1 0 1 0 1

F0 0 1 0 1 0 0 1 1

F1 F 2 F 3 F 4 1 1 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0

A B C

ROM 8 words x 5 bits

F0

F1 F2

F3

F4

0 0 0 0 1 1 1 1

5 Outputs Lines

Estructura interna de una ROM

n Inputs Lines . . .

n bit decoder

. . .

Memory Array 2n words x m bits

...

m Outputs Lines

Matriz de memoria ROM

m0=ABC m1=ABC

A
B C

m2=ABC

3 to 8 decoder

m3=ABC m4=ABC m5=ABC m6=ABC m7=ABC

F0

F1

F2

F3

F4

Dentro de la ROM
Cada posible interseccin vertical horizontal indica una posible conexion.

Las compuertas de salida muestran una palabra binaria elegida por el decodificador(32 x 8)

Memoria ROM 4Bit 4Bit Matriz ROM basados en NOR

VDD

R1

R2 Una sola linea Ri es activada por el voltaje VDD. Para reducir la potencia estatica consumida, el pMOS puede ser manejado por una seal periosica de precarga. C1 C2 C3 C4

R3

R4