Semiconductores

3.
EL DIODO
ING. JUAN INGA ORTEGA
La importancia de los semiconductores en los
avances tecnolgicos ha sido vital pues a
partir del uso de estos materiales hoy en da
encontramos un gran nmero de dispositivos
electrnicos que basan su funcionamiento en
los semiconductores, incluso se puede llegar
a decir que todo lo que usamos en la
actualidad usa semiconductores.
Todo tomo en su parte perifrica posee un
grupo de partculas que giran alrededor del
ncleo llamadas electrones.

Los mismos que pueden ser:

Ligados al ncleo

Electrones de valencia
Los electrones de valencia permiten la
siguiente clasificacin de materiales:

Conductores

Aislantes

Semiconductores

Hueco o laguna: es el espacio que deja un
electrn al salirse de su rbita.
Para que un electrn deje su rbita se deba aplicar una fuerza
a la materia; esta fuerza puede ser la luz, el calor, el voltaje, la
presin, etc.

La estructura atmica de la materia determina
que: Todo material est constituido por tres
bandas, zonas o niveles de energa.
Banda de Conduccin: espacio en el que se
encuentran las cargas positivas, es decir,
existen menor cantidad de electrones y hay
mayor cantidad de huecos.

Banda de valencia: dimensin en la que estn
las cargas negativas, o donde, hay la mayor
cantidad de electrones.

Banda prohibida: aquella que no posee
ninguna carga. Es el punto neutro.
Fuente: [2]
Fuente: [2]
Fuente [1]
La banda prohibida es la que se opone al
salto de electrones de la banda de valencia
hacia la de conduccin.

Banda Prohibida Grande o demasiado Grande
|-> Aislante
Banda Prohibida Pequea o Banda de
Conduccin Grande
|-> Conductor
Banda Prohibida equilibrada con las otras dos
|-> Semiconductor

El semiconductor ms utilizado es el silicio
porque es un material ms estable que el
germanio.
Tanto el silicio como el germanio son materiales
tetravalentes, poseen 4 electrones en su ltima
capa u rbita.
Los Semiconductores puros
son llamados intrsecos.
Fuente: [2]
Los Semiconductores intrnsecos pueden ser
contaminados con impurezas en mnimas
proporciones, una partcula por milln, este
proceso se llama dopaje.

Se obtienen dos tipos de semiconductores
dopados:

Semiconductores Tipo N

Semiconductores Tipo P
Se llaman tipo N porque tiene mayor cantidad de
electrones.

Para obtener este tipo de silicio se mezcla al
silicio con un material pentavalente (impureza).
En el elemento que se producen los enlaces
sobre un electrn.

Arsnico
Antimonio Familia VA
Fsforo.
Material tipo N
tambin es
llamado Donador
de Electrones
Fuente: [1]
Tienen este nombre debido a que poseen
mayor cantidad de lagunas

Para obtener este tipo de silicio se mezcla al
silicio con un material trivalente.

Materiales Usados
Aluminio
Galio Familia IIIA
Indio
Material tipo P
tambin es
llamado Aceptador
de Electrones
Fuente: [1]
En el instante de la unin de los dos materiales se
produce un intercambio de electrones entre los dos tipos.

El intercambio es del tipo N al tipo P y viceversa del
material tipo P al tipo N; crendose al centro una zona
neutra, caracterstica de los semiconductores, llamada
BARRERA DE POTENCIAL.
Fuente: [1]
Polarizando el diodo como en la grfica, se logra que los
electrones salten de N a P (polos del mismo nombre se
repelen y polos de diferente nombre se atraen),

Movimiento de Electrones -> circulacin de corriente
No se repelen los electrones, sino ms bien son atrados
hacia los extremos del semiconductor haciendo que
aumente la barrera de potencial y sea ms difcil el salto
de los electrones del silicio N al P; por lo que no existe
circulacin de la corriente.

Mayor Voltaje, Mayor Barrera de Potencial en polarizacin
inversa.

Si seguimos aumentando el voltaje, llegar un momento
en el que los electrones tengan la suficiente energa para
saltar la barrera de potencial, a pesar de que esta sea
grande, pero dado que el voltaje es elevado la circulacin
de corriente tambin ser elevada provocando la
destruccin del semiconductor.

pero si se cambia la polarizacin se
comporta el diodo como un aislante
circulando una intensidad despreciable.
En polarizacin directa, se comporta el diodo
como conductor y circular una corriente.
La Is o corriente de fuga
para el Si es de 1nA y para
el de Ge es de 10nA.
La Ecuacin de la Curva Caracterstica es .
Donde I
D
= Corriente del diodo
Donde I
s
= Corriente de saturacin
Donde V
D
= Voltaje del diodo
Donde T
k
=
Temperatura Kelvin, T
k
= T
C
+273
Donde k = 11604/, con = 1 para
Ge y = 2 para Si
|
|
.
|
\
|
= 1
/
k
T
D
V k
e
S
I
D
I
La Ecuacin de la Curva Caracterstica es .
Donde k = 11604/, con = 1 para
Ge y = 2 para Si

11604 carga til de 1 electrn/ Cte
de Boltzman

11604 1,602 E-19 C / 1.38065E-23

VT= Cte de Boltzman*Tk/carga til de
1 electrn

( )
( )
/
/( * )
1
1
D
D T
kV Tk
D S
V n V
D S
I I e
I I e
=
=
Con esta ecuacin se puede simular la curva caracterstica
para polarizacin directa para el diodo de silicio:
|
|
.
|
\
|
= 1
/
k
T
D
V k
e
S
I
D
I
E(v) VD(v) ID(mA)
0,17 0,17 0
0,82 0,52 0,2
1,5 0,57 0,7
2 0,6 1,2
2,5 0,62 1,7
3 0,625 2,08
3,4 0,633 2,4
4 0,64 3,03
4,5 0,648 3,53
5 0,658 4,33
10 0,689 9,7
15 0,71 15,2
La grfica obtenida ser:
|
|
.
|
\
|
= 1
/
k
T
D
V k
e
S
I
D
I
Curva caracterstica del Diodo de Silicio
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 0,2 0,4 0,6 0,8
VD (V)
I
D

(
m
A
)
Curva caracterstica del Diodo
Con esta ecuacin se puede simular la curva caracterstica
para polarizacin directa para el diodo de germanio:
|
|
.
|
\
|
= 1
/
k
T
D
V k
e
S
I
D
I
E(v) Vd(v) Id(mA)
0,5 0,15 0
1 0,25 0,5
1,5 0,31 0,9
2 0,36 1,5
2,5 0,4 1,9
3 0,44 2,4
3,5 0,48 3
4 0,51 3,4
4,5 0,54 3,9
5 0,58 4,5
10 0,85 9,6
15 1,07 14,8
La grfica obtenida ser:
|
|
.
|
\
|
= 1
/
k
T
D
V k
e
S
I
D
I
Curva Careterstica del Diodo de Germanio
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 0,3 0,6 0,9 1,2
VD (V)
I
D

(
m
A
)
Curva Careterstica del Diodo
Si al diodo de Ge, se le aumenta la temperatura la curva
caracterstica de este vara rpidamente mucho ms que
en el de Si

Adems, poco tiempo despus de que su temperatura
empiece a elevarse, este diodo ya empieza a conducir
negativamente debido el Ge es menos estable.

Este fenmeno sucede debido a que con el aumento de la
temperatura del diodo recibe una excitacin externa al
flujo de electrones que produce la tensin aplicada al
diodo.

Esto hace que un nmero de electrones supere la barrera
de potencial y as el diodo pueda conducir ms rpido es
decir con menor cantidad de voltaje.

Idealmente un diodo para que permita el flujo de la corriente, su
resistencia debera de ser 0, mientras que para la regin de
polarizacin indirecta sera .

Sin embargo se ha analizado que el diodo empieza a conducir a
partir de un nivel de voltaje, lo que indica que existe una
cantidad de oposicin de la corriente antes de llegar a la tensin
de conduccin.
Debido a la forma de la curva del diodo,
significa que la resistencia vara y depender
del tipo de voltaje aplicado.
RESISTENCIA ESTTICA
Al aplicar una tensin continua, fluir una
corriente constante a travs del dispositivo y
por tanto presentar una resistencia tambin
constante

D
D
D
V
R
I
=
Para todo valor menor a
a VD, por tanto a ID, la
resistencia ser menor
D
D
D
V
R
I
=
Resistencia Dinmica
Al aplicar una seal de tipo cambiante
como una senoidal se tendr por tanto que
el punto de operacin cambiar en funcin
de esta Seal.

Esto indica que existir un cambio en la
corriente y la tensin de forma especfica
d
d
d
V
r
I
A
=
A
A mayor inclinacin, menor es el
cambio de voltaje con respecto al de
la corriente, menor Resistencia.

A menor inclinacin, mayor es el
cambio de voltaje con respecto al de
la corriente, mayor Resistencia.

Se puede determinar la resistencia dinmica aplicando
el concepto geomtrico de la derivada a la ecuacin
de la corriente del diodo

RECORDANDO:

Donde k = 11604/, con = 1 para Ge y = 2 para Si.
Factor de idealidad
11604 carga til de 1 electrn/ Cte de Boltzman
11604 1,602 E-19 C / 1.38065E-23
VT= Cte de Boltzman*Tk/carga til de 1 electrn
VT=Voltaje trmico
( )
( )
/
/( * )
1
1
/ 1/ ( * )
D
D T
kV Tk
D S
V n V
D S
T
I I e
I I e
k Tk n V
=
=
=
Se puede determinar la resistencia dinmica aplicando el
concepto geomtrico de la derivada a la ecuacin de la
corriente del diodo
( )
( )
( ) ( )
( )
/ *
1
1
*
D T
V n V
D
d D D
D
D s
D T
d Is e
d I
r dV dV
d I
I I
dV n V
= =
+
=
( )
/
1
D
kV Tk
D S
I I e =
Para ID>>Is
( )
( )
*
*
D
D
D T
D T
d
D D
d I
I
dV n V
dV n V
r
d I I
=
= =
Para un diodo de Silicio a 27C
26
d
D
mV
r
I
=
Para generalizar se tiene:

rB = Resistencia del Material, que vara de 0,1
para dispositivos de alta potencia, hasta 2 para
ciertos diodos de uso general de baja potencia

Resistencia CA Promedio: Se obtiene de la recta trazada entre
los dos puntos de operacin

26
d B
D
mV
r r
I
= +
Una tcnica para obtener un circuito
equivalente de un diodo es simular con
ms o menos precisin las caractersticas
del dispositivo mediante segmentos de
lnea recta.

El circuito resultante equivalente se llama
circuito equivalente lineal por
segmentos.

En esencia, define el nivel de resistencia
del dispositivo cuando se encuentra en el
estado de encendido.

El diodo ideal se incluye para establecer que slo hay una direccin de
conduccin a travs del dispositivo.

Como un diodo semiconductor de silicio no alcanza el estado de
conduccin hasta que VD alcanza 0.7 V con una polarizacin en directa. La
batera especifica que el voltaje a travs del dispositivo debe ser mayor
que el voltaje de umbral de la batera antes de la conduccin a travs del
dispositivo antes de que se pueda establecer la direccin dictada por el
diodo ideal.

Cuando se establezca la conduccin, la resistencia del diodo ser el valor
especificado de rprom.
En la mayora de las aplicaciones, la resistencia rprom es suficientemente
pequea para ser ignorada en comparacin con los dems elementos de la
red.

La eliminacin de rprom del circuito equivalente es lo mismo que
suponer que las caractersticas del diodo son:
El diodo ante la presencia de frecuencia presenta niveles
de capacitancia parsita, donde es importante
considerarlos.

En la regin de polarizacin en inversa est la
capacitancia de transicin CT mientras que en la directa
est la capacitancia de almacenamiento CD
Debido a que en polarizacin inversa las
cargas positivas y negativas respectivamente
se alejan de la barrera de potencial es que se
genera el efecto capacitivo de CT

En Directa CD >> CT y en inversa sucede lo
contrario.

El efecto capacitivo aparece ante seales de
baja potencia y a frecuencias altas
Si a un diodo que se encuentra trabajando en
polarizacin directa se invierte la misma, se espera que
en seguida el diodo deje de conducir, y los portadores
deben retroceder a la posicin original, lo cual demanda
una determinada cantidad de tiempo ->trr o tiempo de
recuperacin
Circuitos Recortadores, recortan una porcin de seal
de entrada. En el siguiente ejemplo, se realiza un
recorte para +6V y -9V
Tambin conocidos como diodos de Avalancha.

En polarizacin directa, estos diodos trabajan
de forma similar a los diodos de unin NP ya
analizados.

En polarizacin indirecta el diodo Zener
permite la conduccin de corriente a partir del
voltaje de ruptura, tomando en cuenta que
tericamente el voltaje no cambiar.
Cuando se polariza inversamente, de igual forma el voltaje de ingreso va
aumentando hasta alcanzar el voltaje Zener, es decir el valor de la tensin
para el cual el Zener funciona como estabilizador.
S
i seguimos aumentando el voltaje de ingreso el Zener se mantiene con la
tensin constante, y solo variara la corriente que circula por el mismo
(Izr=Corriente Inversa).

Para que el Zener funcione como estabilizador, adems de la
tensin necesita de una corriente mnima de 5mA.

En un circuito con diodo zener es necesario de una
resistencia limitadora (RL) necesaria para limitar la corriente
del zener y de la carga, ya que si el voltaje de ingreso es
superior al del diodo zener, el exceso de voltaje se quedara
en la resistencia, caso contrario el diodo zener se quemara.

Existe una pequea inclinacin en Vz una vez que se llega a alcanzarlo.
curva caracterstica
con el modelo
equivalente de
cada regin

El potencial de un diodo Zener se encuentra
estrechamente ligado a la temperatura de
operacin.
Analizar Vo vs VI en los siguientes circuitos
Analizar el siguiente circuito

Vth= Vi/Vs -> R1 =R2
Req = R1||R1

Semiciclo positivo:
DZ1->inverso
DZ2-> directo
Vi = 2(Vz+VD2)

Semiciclo negativo:
DZ1->directo
DZ2-> inverso
Vi = -2(Vz+VD1)

1

2
R
Vm
ID IR
V
V Vm
Vd V V
Vp VR
Vp Vpp
Veff Vp
= =
= =
=
=
=
=
t
max
318 . 0 max
max
max
2
2
Para efectos de diseo
IR IR IR ID
3
4
3
1
= + =
2
2
max 2
max 1 2
2 max
max 0.636
Vp Veff
Vpp Vp
VR Vp VD
V Vp Vp VD
V
Vm V
t
=
=
=
= +
= =
4 2
3 2 3
sec *
Vm
IR
R
IR
ID IR
P Veff IR
=
= =
=
Para el presente circuito, se
muestra la conduccin de los
diodos 2 y 3 para el semi-ciclo
positivo
Para el presente circuito, se
muestra la conduccin de los
diodos 1 y 4 para el semi-ciclo
positivo
IR Veff PT
IR
ID
Vp VR
V
V
Vm
VD Vp V
Veff vp
=
=
=
=
=
=
=
2
max
max 318 . 0 2
max 2
2 max
2
t
C=I/(F * V)

El condensador depende de Vmax
C=I/(F * V)

El condensador depende de Vmax
Para una Rectificacin de Onda Completa se
tendra:
Aparecer un Vm o
voltaje medio del
condensador:

max
2
V
Vm VC
A
=
El Zener absorbe variaciones de corriente.
Al colocar un zener con un Vz menor al del
condensador se obtiene una tensin continua
Ic
max
2
min
V
Vm VC
Vm Vz
RL
IRL
IRL Ic Iz
A
=
=
= +
Las fuentes de alimentacin sencillas construidas
con un transformador cambian con la corriente de
la carga y con la tensin de la lnea, y adems
presentan una cantidad significativa de rizado a la
frecuencia de la red.

Tipos:

reguladores lineales:
reguladores conmutados:
Reguladores de tensin fija
tri terminal (Regulador Lineal):
Reguladores de tensin fija tri terminal (Regulador Lineal):
Tpicos de tres terminales. Estn ajustados para proporcionar
una tensin de salida constante.

A78XX (positivos) o A79XX (negativos) de Fairchild. Los dos
ltimos dgitos indicados por XX indican la tensin de salida y
pueden ser 05, 06, 08, 12, 15, 18 y 24 V.
Reguladores de tensin fija tri terminal (Regulador Lineal):
EL voltaje de la entrada debe ser de por lo menos 2.5V
aproximadamente.
Reguladores de tensin variable tri terminal (Lineal):
Ajustar la tensin de salida por medio de resistencias
externas conectadas al terminal denominado
ADJUSTMENT o ADJ.
Los productos ms utilizados de este tipo es el LM317
(positivo) y LM337 (negativo).
Para evitar un posible ruido en la seal de salida del integrado, en la carga
concretamente colocamos un condensador de 1F en paralelo a la carga.
El LM317 posee internamente una referencia de tensin
que proporciona un VREF=1.25 V (typ) entre los terminales
OUT y ADJ y est polarizado por una fuente de corriente
estable de IADJ= 65A (valor tpico).
Una buena aproximacin es considerar que la
corriente IADJ (65A) es muy inferior a las
corrientes (mA) que circulan por las resistencias
R1 y R2. Y la ecuacin se reduce a:
2
2
1
1 R IADJ VREF
R
R
Vo + |
.
|
\
|
+ =
VREF
R
R
Vo |
.
|
\
|
+ ~
2
1
1
[1]: BOYLESTAD R., NASHELSKY L.; Electrnica: Teora de
Circuitos y Dispositivos Electrnicos; Dcima Edicin; Prentice Hall, 2009.

[2]: Varios Autores, Mdulos de aprendizaje del ITSS, 2002.

[3]: VILLALBA MADRID G., ZAMORA IZQUIERDO M., Circuitos con
diodos,
Departamento de Ingeniera de la Informacin y Comunicaciones de la
Universidad de Murcia,

[4]: ACOSTA A, DEL RO R., RODRGUEZ A., Electrnica Bsica Diodos
de Unin


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