Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante.

En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos).

El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P-N, aadindole un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N) Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin.

Los diodos estabilizadores de tensin se emplean, como su nombre indica, para producir una tensin entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que presenta la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel.

- Tensin zener (Vz). - Corriente mnima para alcanzar la Vz (Iz). - Potencia mxima (P/tot).

Transistor (smbolo, tipos, curva caracterstica y funcionamiento) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.

El consumo de energa es relativamente baja. El tamao de los transistores es relativamente mas pequea que los tubos de vaco. El peso. Una vida larga til (muchas horas de servicio). Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento). No necesita tiempo de calentamiento. Resistencia mecnica elevada. Los transistores pueden reproducir el fenmeno de la fotosensibilidad (fenmenos sensibles a la luz).

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Se pueden clasificar en dos tipos: Semiconductores intrnsecos: son los que poseen una conductividad elctrica fcilmente controlable y, al combinarlos de forma correcta, pueden actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento. Semiconductores extrnsecos: se forman al agregar a un semiconductor intrnseco sustancias dopantes o impurezas, su conductividad depender de la concentracin de esos tomos dopantes. Dependiendo de esas impurezas habrn dos tipos: Semiconductores de tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen elementos del grupo 15 los cuales debido a que tienen un electrn mas en su capa de valencia que los elementos del grupo14 se comportan como impurezas donadoras de electrones o portadores negativos. Semiconductores de tipo p: En este caso se introducen elementos del grupo 13 que presentan un electrn menos en su capa de valencia, por lo que se comportan como aceptores o captadores de electrones.

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Los semiconductores poseen propiedades elctricas, por lo que algunos de ellos son empleados dentro de esta industria. Los principales semiconductores dentro de la electrnica son:

Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica. En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.

Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho ms estrecho en comparacin con los materiales aislantes. La energa de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conduccin es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energa de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.

TIPO N

Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el caso del Fsforo, se dona un electrn.

TIPO P

Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn.

Los polmeros conductores pueden ser dopados al agregar reactivos qumicos que oxiden (o algunas veces reduzcan) el sistema, para ceder electrones a las rbitas conductoras dentro de un sistema potencialmente conductor. Existen dos formas principales de dopar un polmero conductor, ambas mediante un proceso de reduccinoxidacin.

http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semi conductor/ke_semiconductor_5.htm http://www.ecured.cu/index.php/Semicon ductores http://www.monografias.com/trabajos11/s emi/semi.shtml http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semic onductores) http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/e lec_basica/tema2/Paginas/Pagina4.htm