Leccin 8 MEMORIAS

ELECTRNICA DIGITAL 1er curso I.T. Telemtica E.U.I.T. Informtica de Gijn

CUESTIONES PREVIAS
Qu es un microprocesador? Es un Circuito Integrado Secuencial Sncrono Qu necesita para funcionar? Una tensin continua estable (5V, 3.3V, 2.5V, 1.5V...) Una seal de reloj (frecuencia del oscilador) Otros circuitos digitales (sistema mnimo microprocesador) Qu hace? Interpreta (decodifica) combinaciones de bits (rdenes) y genera seales digitales internas y/o externas para el resto de circuitos Para qu? Para ejecutar de manera continua una secuencia de rdenes (o programa)

Sistema Mnimo Procesador

Mundo exterior

Unidad Central de Proceso (CPU)

CU: Unidad de Control ALU: Unidad Aritmtico-Lgica Registros

Buses: canales de comunicacin entre unidades

Bus de Direcciones: selecciona origen o destino (unidireccional): M lneas: capacidad de direccionar 2M posiciones/direcciones Bus de Datos: transferencia de datos (bidireccional) N lneas: bits transmitidos en paralelo (tamao de los datos) Bus de Control: heterogneo, depende del microprocesador

MEMORIAS
Qu es una memoria? Es un dispositivo que es capaz de proporcionar un medio fsico para almacenar la informacin procesada por un sistema digital En nuestro caso slo nos interesan las memorias de semiconductores Para qu se emplean? Para almacenar programas y datos en Sistemas Microprocesadores (90%) Para implementar circuitos combinacionales Qu es una palabra? Es un grupo de bits a los que se puede acceder de manera simultnea Qu es una direccin? Es la posicin de identificacin de una palabra en memoria

CLASIFICACIN DE LAS MEMORIAS

Por el Acceso
RAM: Acceso Aleatorio, el tiempo de acceso a una direccin es independiente de su posicin fsica. Se especifica la direccin y se accede al contenido SAM: Acceso Secuencial, para acceder a una posicin se debe pasar por todas las que le preceden fsicamente Se accede a toda la informacin contenida en las direcciones previas CAM: Acceso por contenido, o Asociativas; se direccionan por contenido Se suministra un dato y la respuesta es si est o no almacenado y la direccin en la que se encuentra.

CLASIFICACIN (II)
Por las Operaciones
RWM: Memorias de Lectura/Escritura; las operaciones de lectura y de escritura son rpidas y habituales en el funcionamiento del mP ROM: Slo Lectura; la informacin es leda de manera rpida pero la escritura es ms lenta y no es habitual en el funcionamiento del sistema mP

Por el Interfaz Exterior

Sncronas: con seal de reloj CLK para la sincronizacin. Las seales de direcciones, datos y control se almacenan en registros internos en los flancos activos de la seal CLK Asncronas: no disponen de seal de reloj

CLASIFICACIN (III)
Por lo Permanente de la informacin
No voltiles: la informacin se retiene de manera permanente aunque se interrumpa la alimentacin del circuito Voltiles: se pierde la informacin sin tensin de alimentacin Estticas: se mantiene la informacin permanentemente siempre que exista alimentacin Dinmicas:adems de la alimentacin se necesitan operaciones peridicas de refresco de informacin

Por la Tecnologa de Semiconductores

Bipolares: con dispositivos bipolares (diodos o transistores) MOS: con transistores MOSFET

MEMORIAS ROM (I)

No voltiles Acceso aleatorio Operaciones de slo lectura Bipolares o MOS Tipos: ROM de mscara: programada en la fabricacin PROM: programables por el usuario una sola vez EPROM: reprogramables y borrables por radiacin UV PROM=OTP son EPROM sin ventana EEPROM: reprogramables y borrables elctricamente permiten un borrado selectivo por posiciones Flash: EEPROM de acceso ms rpido borrado simultneo de toda la memoria

ALMACENAN PROGRAMAS Y DATOS PERMANENTES O QUE NO CAMBIAN CON FRECUENCIA

MEMORIAS ROM (II)

Estructura matricial: m lneas de direccionamiento (Ai): 2m direcciones n lneas de datos (Di): tamao de los datos lneas de control:/CE (habilitacin CI), /OE (hab.salidas)

Decodificador de direcciones

(Ai) Lneas de Direcciones

Matriz de Celdas de Memoria

Tamao de memoria: 2mx n

/CE
/OE Control Circuito de E/S (Di) Lneas de Datos

MEMORIAS ROM (III)

ROM bipolar con diodos (tamao 2x4)
1101 A0 Decodificador 1a2 0110

Contenido de la memoria

+Vcc

/OE /CE

Circuito de Salida (triestado) D3 D2 D1 D0

ROM bipolar con transistores sustituyendo a diodos

MEMORIAS ROM (IV): PROM

Se fabrican en blanco (todos fusibles intactos) y si se quema se graba un 0 en esa celda:

SALIDA DECODIFICADOR

Fusible mantenido grabado 1

Fusible quemado grabado 0

MEMORIAS ROM (V): BORRABLES

EPROM: Borrable con luz UV
EPROM: 128K x 8 13.1 segundos para grabar 20 minutos para borrado (todas a la vez)

EEPROM: Borrable elctricamente

FLASH EEPROM: Borrable elctricamente todas las posiciones simultneamente
FLASH EEPROM: 256K x 8 2.6 segundos para grabar 1 segundo para borrado (todas a la vez)

MEMORIAS RAM
Almacenan datos o valores que cambian con frecuencia Voltiles (variedad NVRAM no voltil porque se alimenta con batera) Acceso aleatorio Operaciones de lectura y escritura

Asncronas: sin seal de reloj

Estticas (SRAM) Dinmicas (DRAM)

Sncronas: con seal de reloj para sincronizacin

Estticas (SSRAM) Dinmicas (SDRAM)

MEMORIAS RAM ASNCRONAS

Decodificador de direcciones

(Ai) Lneas de Direcciones

Matriz de Celdas de Memoria

/CE /OE /WE Control

Tamao de memoria: 2mx n

Circuito de E/S

(Di) Lneas de Datos

Memorias RAM (voltiles) SRAM: Alta velocidad Bajo consumo DRAM: Alta densidad de integracin Necesidad de refresco Bajo precio

Memorias ROM (no voltiles)

EPROM: Borrado muy lento y total EEPROM: Borrado selectivo de direcciones FLASH: Borrado total Escritura de un byte en microsegundos

EXPANSIN DE MEMORIAS (I)

Expansin del tamao de palabra: 2 chips de 1k x 4

1 memoria de 1k x 8

Bus de direcciones

Bus de datos

EXPANSIN DE MEMORIAS (II)

Expansin del nmero de posiciones:

2 chips de 1k x 4

1 memoria de 2k x 4

Bus de direcciones

Bus de datos

EXPANSIN DE MEMORIAS (III)

Expansin del nmero de posiciones y del tamao de palabra: 8 chips de 1k x 4
E1 DECODIFICADOR 2a4 E0

CS A9

RAM 1K x 4 (8) A0

CS A9

RAM 1K x 4 (7) A0

CS A9

RAM 1K x 4 (6) A0

CS A9

RAM 1K x 4 (5) A0

CS

RAM 1K x 4 (4) A0

1 memoria de 4k x 8

ENABLE

A9

+Vcc (1)

CS A9

RAM 1K x 4 (3) A0

CS A9

RAM 1K x 4 (2) A0

CS A9 A9

RAM 1K x 4 (1) A0 A0 D4 D3 ..... D0

A11

A10

D7

.....

MAPA DE MEMORIA
Es el plano de localizacin de cada tipo de memoria en un Sistema Microprocesador Representa el margen de las direcciones de acceso a cada tipo de memoria y/o las unidades de entrada/salida Se configura a partir de las lneas del bus de direcciones activando las lneas de control de cada integrado de memoria y/o unidades de entrada/salida

Algunos microprocesadores distinguen entre el Mapa de Memoria y el Mapa de Entrada/Salida

MAPA DE MEMORIA (II): EJEMPLO

Sistema Microprocesador con 16 lneas en el bus de direcciones Seales de Control /WR (escritura) y /RD (lectura) Bus de Datos de 8 bits
MAPA A CONFIGURAR

0000 SRAM (16K x 8) 3FFF 4000 LATCH

CE OE WE

SRAM (8k x 8)

Tipo de C.I. Disponibles

D7-D0

A12-A0

CE

Latch

D7-D0

8000

CE OE
ROM (32K x 8)

ROM (8k x 8)

D7-D0

FFFF

A12-A0

Q7-Q0

DATOS UTILIZADOS EN MEMORIAS

Lneas de direccionamiento
A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 16 128 256 1024 2048 4096 8192 16384 32768 65536 A2 A1 000F 007F 00FF 03FF 07FF 0FFF 1FFF 3FFF 7FFF FFFF A0

1/8K 1/4K 1K 2K 4K 8K 16K 32K 64K

Tamao REAL de la memoria

ltima direccin utilizada Tamao de la memoria