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Transporte electrnico en nanotubos de carbono

Hernn Cabrera Profesor: Samuel Hevia Pontificia Universidad Catlica de Chile Prctica de Verano 2013

Indice
Motivacin Qu son los nanotubos? Muestras Equipamiento y montaje Resultados y anlisis. Conclusiones Lo que queda por hacer.

Motivacin
Sensores de gases

Entendimiento
3

Nanotubos de carbono

Dimetro 1nm Largo 100nm-1m

Tipo Armchair

Tipo Zig-Zag
5

Estructuras de carbono

Diamante

Grafito

Fullereno

Amorfo

Nanotubo de Carbono

Muestras

Aluminio

Silicio (dopado)

Anodizacin

Poros

Aluminio

Si
Deposicin CVD
[2]
10

[2] S. Hevia, P. Homm, A. Cortes, V. Nuez, J. Vera y R. Segura, Selective growth of palladium and titanium dioxide nanostructures inside carbon nanotube membranes, Nanoscale Reseach Letters, vol. 7, p. 342, 2012.

Mayor tiempo de deposicin

11

ORO

Contactos

Si
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Tipos de Muestras
C1_1A C1_1B
C1_1C
Menor tiempo de deposicin Menor grosor de la pared del nanotubo

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Tipos de Muestras
C1_1A C2_2B
Mayor dopaje. Menor resistencia

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Equipamiento y montaje

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Cubierta
Calentador

Dedo Fro

Flujo de Helio Coneccin a Camara de Vaco


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Compresor

Coneccin al controlador de temperatura

Suministro de agua
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Montaje

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Medidor de Presin

Voltmetro

Porta Muestras Controlador de Temperatura

Bomba de Vaco

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Resultados y anlisis

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Comportamiento dependiente de la presin


475 pA

3 4 nA

3 nA

Corriente (A)

75 pA

75 pA

Tiempo

-6 nA 3,1 mbar
1000 mbar

3,1 mbar C2_2B C2_2C 23

Venteo

Prender la Bomba otra vez

Corriente Vs Voltaje

Bajo Voltaje

Rgimen hmico (Lineal)

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Corriente Vs Voltaje

Bajo Voltaje

Rgimen hmico (Lineal)

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Rangos hmicos

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Conductancia v/s Temperatura

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Comparaciones segn tiempo de deposicin.

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Comparacin segn dopaje

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Conclusiones
Se reafirm el comportamiento aislante de las muestras de nanotubos. (Dispuestas de otra manera) Morfologa de los nanotubos. Muestras suficientemente sensibles a cambios de ambiente. El mecanismo de transporte de las muestras es similar.

Hay que hacer ms mediciones.

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Qu queda por hacer?


Hacer mediciones de las muestras a diferentes presiones en diferentes ambientes.

Anlisis de dimensiones de las muestras.


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Modelamiento terico.

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Hopping de rango variable

(3)

Muestra

C2_2A

C2_2B

C2_2C

C2_2D 297 23

C1_3A 219 1,8

C1_3C 145 22,8

( 1 )

172 2,55 182 7,14 224 51,5

38
(3) N. F. Mott y E. David, Electronic Processes in Noncrystalline Materials, New York: Oxford University Press, 1979.

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Hopping de rango variable

(3)

Muestra

C2_2A

C2_2B

C2_2C

C2_2D 297 23

C1_3A 219 1,8

C1_3C 145 22,8

( 1 )

172 2,55 182 7,14 224 51,5

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(3) N. F. Mott y E. David, Electronic Processes in Noncrystalline Materials, New York: Oxford University Press, 1979.

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