ELECTRNICA ANALGICA I

4. EL TRANSISTOR BJT

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INTRODUCCIN
Tambin

llamados transistores BIPOLARES estn constituidos por tres capas. Estn formados por 2 tipos de Silicio, adems de que son elementos amplificadores de corriente.

Un diodo surge al unir un material N con uno P, el

transistor surge de una unin de tipo NPN, o bien PNP.

La denominacin "transistor" fue sugerida por J.R.

Pierce, quin dijo: "y entonces, en aquella poca, el transistor fue imaginado para ser el dual del tubo de vaco, as si un tubo de vaco tena transconductancia, ste debe tener transresistencia, y as llegu a sugerir transistor" ING. JUAN INGA ORTEGA

TRANSISTORES
NPN

BIPOLARES
PNP

TRANSISTORES UNIN

CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P) EFECTO DE CAMPO

METAL-OXIDOSEMICONDUCTO R

CANAL N (MOSFET-N)

CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

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TRANSISTOR BIPOLAR
Base (B) Colector (C)
En principio un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.

N P N
C E

Emisor (E)

Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1.- La zona de Base debe ser muy estrecha (Fundamental para que sea transistor). 2.- El emisor debe de estar muy dopado.

SMBOLO

B
C NP B N+ E

Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.

IMPORTANTE !!! No es un dispositivo simtrico

ASPECTO MAS REAL DE UN TRANSISTOR BIPOLAR ING. JUAN INGA ORTEGA

Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)

TRANSISTOR BIPOLAR
Compuesto ya sea de dos capas de material tipo N y una de tipo P o dos capas de material tipo P y una de tipo N.

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TRANSISTOR BIPOLAR
En el transistor PNP sin la polarizacin base a colector. las similitudes entre esta situacin y la del diodo polarizado directamente. El ancho de la regin de agotamiento se ha reducido debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo P al tipo N.

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TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)

El material tipo N representa el elemento emisor del transistor, que constituye la fuente de electrones.
Para permitir el avance de la corriente a lo largo de la unin NP, el emisor tiene un pequeo voltaje negativo con respecto a la capa tipo P, o componente base, que controla el flujo de electrones.

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TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)

El material tipo N en el circuito de salida sirve como elemento colector y tiene un voltaje positivo alto con respecto a la base, para evitar la inversin del flujo de corriente.

Los electrones que salen del emisor entran en la base, son atrados hacia el colector cargado positivamente y fluyen a travs del circuito de salida. La impedancia de entrada (la resistencia al paso de corriente) entre el emisor y la base es reducida, mientras que la impedancia de salida entre el colector y la base es elevada.
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TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor) Por lo tanto, pequeos cambios en el voltaje de la base provocan grandes cambios en la cada de voltaje a lo largo de la resistencia del colector, convirtiendo a este tipo de transistor en un eficaz amplificador. Sin corriente que circule a travs de la base no En el caso tenemos funcionatal transistor BJT un amplificador y a esta IC Hay una funcin de transferencia = ganancia de corriente es IB conocida como el HFE o iC iB del transistor, esta es una Si Vcc Vi iC ganancia de corriente por lo 1 que el transistor es un iB amplificador de corriente.
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TRANSISTOR BIPOLAR PNP (NPN bipolar transistor)

Similar al tipo NPN en cuanto a su funcionamiento, el transistor de unin PNP dispone tambin de dos uniones pero cambian las polarizaciones.

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CONFIGURACIN BASE COMN

En el caso la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin, adems es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra. La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente de emisor (flujo convencional) a travs del En Cada caso se da: IE = dispositivo
IC + IB

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CONFIGURACIN BASE COMN

Tambin advirtase que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir, comprese la direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y la direccin de IC con la polaridad de ICC.

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CARACTERSTICAS DEL PUNTO DE EXCITACIN TRANSISTOR AMPLIFICADOR EN BASE COMN.

Se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB)

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CARACTERSTICAS DE SALIDA, DEL COLECTOR, PARA UN AMPLIFICADOR DE BASE COMN. El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene
tres regiones bsicas de inters: Las regiones Activa, de Corte y de Saturacin. La regin activa es la regin empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin activa la unin colector-base est inversamente polarizada, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada en forma directa.

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CONFIGURACIN EMISOR COMN

Se denomina configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin comn a las terminales de la base y del colector). Tambin se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en forma completa el comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector.

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CONFIGURACIN EMISOR COMN

Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de corriente convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor ha cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de corrientes desarrolladas antes para la configuracin de base comn.

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CARACTERSTICAS DE LA BASE DE UN TRANSISTOR BJT EN EMISOR COMN.

Se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB)
En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern una grfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la corriente de entrada (IB).

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CARACTERSTICAS DEL COLECTOR UN TRANSISTOR BJT EN LA CONFIGURACIN DE EMISOR COMN. Curva caracterstica: Existen3 regiones de operacin: de
corte, activa y de saturacin. En la regin de corte, el transistor est desactivado o la corriente de base no es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones polarizacin inversa. En la regin activa, el transistor acta como un amplificador donde, donde la corriente del colector queda amplificada mediante una ganancia y el voltaje colector-emisor disminuye con la corriente de la base. La unin colectora base tiene polarizacin inversa, y la base-emisor polarizacin directa.

En la regin de saturacin, la corriente de base es lo

CARACTERSTICAS DEL COLECTOR UN TRANSISTOR BJT EN LA CONFIGURACIN DE EMISOR COMN.

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CARACTERSTICAS DEL COLECTOR UN TRANSISTOR BJT EN LA CONFIGURACIN DE EMISOR COMN.

Las curvas de IB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuracin de base comn, lo que indica que el voltaje de colector a emisor afectar la magnitud de la corriente de colector. En la regin activa de un amplificador emisor comn la unin colector-base est polarizada inversamente, en tanto que la unin base-emisor est polarizada directamente.

CONFIGURACIN COLECTOR COMN

Esta

Configuracin se usa principalmente para igualar impedancias pues posee alta impedancia de entrada y una baja a la salida
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CONFIGURACIN COLECTOR COMN

Para efectos de diseo, no es necesario elegir para

un conjunto de caractersticas de colector comn, los parmetros del circuito. Pueden disearse empleando las caractersticas de emisor comn. Para todos los propsitos prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de colector comn son las mismas que las de la configuracin de emisor comn

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LMITES DE OPERACIN
Algunos de los datos se los puede encontrar por

si solos en las hojas de especificaciones, y en caso de que las curvas de trabajo no estn disponibles se debern verificar los siguientes intervalos

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POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Existen varias configuraciones para la polarizacin

del transistor para esto antes se define que:

El anlisis o diseo de un amplificador de transistor requiere del conocimiento de la respuesta del sistema, tanto de cd como de ca. El nivel mejorado de potencia de salida de ca es resultado de una transferencia de energa de las fuentes aplicadas de cd. Por lo tanto, el anlisis o diseo de cualquier amplificador electrnico tiene dos componentes: la parte de cd y la

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CARACTERSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP

IB
VCE = 0 VCE1 VCE2
I

Activa IC
IB6 IB5
CMax

Avalancha Secundaria

Saturacin
IB3 IB2 IB1 IB= 0

IB4

PMax = VCEIC Avalancha Primaria

VBE
Caracterstica de Entrada

1V Corte

VCEMax

VCE

Caracterstica de Salida

TRANSISTOR BIPOLARES

VCE = 1500 IC = 8 HFE = 20

TOSHIBA

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Polarizacin Fija: Se puede obtener una variacin si a R1 le

llega un voltaje Vi diferente de Vcc. +VCC IB *RB VBE=0

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VCE = 0 En saturacin

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Polarizacin Fija:

+VCC IB *RB VBE IE*RE=0

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POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Con divisin de voltaje

Req=R1||R2 de tensin

Vth = Voltaje en R2 aplicando teora de partidor

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POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Con retro alimentacin

Req=R1||R2 de tensin

Vth = Voltaje en R2 aplicando teora de partidor

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POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Emisor comn

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POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

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POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

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POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

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USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor

12 V

3A

12 V 36 W
12 V

3A

12 V 36 W

I
40 mA

= 100

Sustituimos el interruptor principal por un transistor.

La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital

IC
4A PF (ON) 3 A OFF 12 V VCE PF (OFF) ON IB = 40 mA

USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor

12 V

3A

12 V 36 W
12 V

40 mA I

= 100 3A 12 V 36 W

IC
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. 4A PF (ON) 3 A ON

IB = 40 mA OFF
12 V VEC PF (OFF)

VCE =

Ejercicios
Datos:

Vcc = 12V
HFE = 120

Cuando P1 est en la posicin 2 IC = 40mA, para cuando VCE = 1/3Vcc Caso contrario 2/3

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VCE =

Ejercicios
Datos:

Vcc = 12V
HFE = 150

Cuando P1 est en la posicin 2 IC = 40mA, para cuando VCE = 1/3Vcc Caso contrario 2/3

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VCE =

Ejercicios
Datos:

G1=8

G2 = 2 HFE1=250 HFE=250 IC1=10mA IC3=35mA

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EJERCICIOS
Datos:

Foco 12V/100W luz intensa

LDR con luz 200 LDR sin luz 5000 VCC=12V

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Ejercicios
Datos:

Foco 12V/100W luz intensa

LDR con luz 200 LDR sin luz 5000 VCC=12V

CMO FUNCIONARA? CUL ES LA MEJOR SOLUCIN?

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Ejercicios
Datos:

Foco 12V/100W luz intensa

LDR con luz 200 LDR sin luz 5000

VCC=12V

CMO FUNCIONARA? CUL ES LA MEJOR SOLUCIN?

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TRANSISTOR DARLINGTON
IB2 = IB1+ IC IC2 = IB2 * 2

IC2 = (IB1+ IC)* 2

IC2 = (IB1+ IB1* 1)*

2 IC2 = IB1(1+ 1)* 2 IC2 / IB1= (1+ 1)* 2 IC2 / IB1 1* 2

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CIRUITO BIESTADO
Q1 FUNCIONA ->Q2 NO FUNCIONA

POR TANTO MOTOR APAGADO

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CIRUITO BIESTADO
Q1 FUNCIONA ->Q2 NO FUNCIONA

POR TANTO MOTOR APAGADO

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CIRUITO BIESTADO
Q2 FUNCIONA ->Q1 NO FUNCIONA

POR TANTO MOTOR ENCENDIDO

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CIRUITO BIESTADO
CUANDO EL MOTOR NO FUNCIONA CIRCULA

UNA CORRIENTE DE BASE POR LO TANTO SE REDISEA

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CIRCUITOS ESPEJO DE CORRIENTE

Tcnicas clsicas de polarizacin hacen uso

extensivo de divisores de tensin, condensadores de acoplamiento y bypass. Este enfoque no es practico en polarizacin de circuitos integrados. Porque? Resistencias grandes utilizaran porciones grandes de la superficie del integrado. Condensadores de acoplamiento y bypass tienen un efecto pasa altos no deseable. La solucin es utilizar una fuente de corriente para polarizar el circuito.
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CIRCUITOS ESPEJO DE CORRIENTE

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